JP2016062885A - 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】より良好な表示性能を有する表示装置を提供する。【解決手段】この表示装置は、基体と、基体上に第１電極層と有機発光層と第２電極層とが順に積層された積層構造を含む有機発光素子と、基体上に設けられ、有機発光素子を駆動する駆動素子と、基体上に設けられ、第２電極層と接する端面を含む補助電極層とを有する。【選択図】図４
Description
本開示は、有機発光素子を有する表示装置およびその製造方法、ならびにこの表示装置を備えた電子機器に関する。
近年、有機ＥＬ（Electro Luminescence）現象を利用して映像を表示する有機ＥＬ表示装置が注目されている。
有機ＥＬ表示装置には、各有機ＥＬ素子からの光を上記駆動パネル側に射出する下面発光（ボトム・エミッション）方式と、逆にこの光を上記封止パネル側に射出する上面発光（トップエミッション）方式とがあるが、後者のほうが開口率を高くすることができるため、開発の主流となっている。
ここで、上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、光取り出し側、すなわち封止パネル側の電極は、各有機ＥＬ素子に共通の電極であると共に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）などの光透過性の導電材料により構成されている。ところが、このような光透過性の導電材料は通常の金属材料などと比べ、抵抗率が２〜３桁程度高くなっている。よって、この光取り出し側の電極へ印加された電圧が面内で不均一となるため、各有機ＥＬ素子間の発光輝度に位置ばらつきが生じ、表示品質が低下してしまうという問題があった。
そこで、本出願人は、低抵抗の補助配線と光取り出し側の電極とを、導電性のコンタクト部を介して接続するようにした技術を開示している（例えば特許文献１参照）。
しかしながら上記特許文献１の技術では、その製造過程において蒸着マスクを用いた塗り分けが必要となる。このため、そのような製造過程が有機ＥＬ表示装置におけるさらなる高集積化や微細化を図る上での妨げとなる可能性がある。
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、より高集積化に適し、良好な表示性能を発揮することのできる表示装置およびその製造方法、ならびにこの表示装置を備えた電子機器を提供することにある。
本開示の一実施形態としての表示装置は、基体と、その基体上に第１電極層と有機発光層と第２電極層とが順に積層された積層構造を含む有機発光素子と、基体上に設けられ、有機発光素子を駆動する駆動素子と、基体上に設けられ、第２電極層と接する端面を含む補助電極層とを有する。また、本開示の一実施形態としての電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
本開示の一実施形態としての表示装置の製造方法は、以下の＜１＞〜＜７＞の各操作を含むものである。
＜１＞基体上に、駆動素子および補助電極層を形成すること。
＜２＞駆動素子および補助電極層を覆うように第１絶縁層を形成すること。
＜３＞第１絶縁層の一部に第１の開口を形成し、補助電極層の端面を露出させること。
＜４＞第１絶縁層の上に第１電極層を選択的に形成すること。
＜５＞第１絶縁層の上に、第１電極層と対応する位置に第２の開口を有すると共に補助配線層と対応する位置に第１の開口と連通する第３の開口を有する第２の絶縁層を形成すること。
＜６＞補助配線層の端面を覆うことなく第１電極層を覆うように有機発光層を形成すること。
＜７＞有機発光層を覆うと共に補助配線層の端面をも覆うように第２電極層を形成すること。
＜１＞基体上に、駆動素子および補助電極層を形成すること。
＜２＞駆動素子および補助電極層を覆うように第１絶縁層を形成すること。
＜３＞第１絶縁層の一部に第１の開口を形成し、補助電極層の端面を露出させること。
＜４＞第１絶縁層の上に第１電極層を選択的に形成すること。
＜５＞第１絶縁層の上に、第１電極層と対応する位置に第２の開口を有すると共に補助配線層と対応する位置に第１の開口と連通する第３の開口を有する第２の絶縁層を形成すること。
＜６＞補助配線層の端面を覆うことなく第１電極層を覆うように有機発光層を形成すること。
＜７＞有機発光層を覆うと共に補助配線層の端面をも覆うように第２電極層を形成すること。
本開示の一実施形態としての表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器では、第２電極層が補助配線層の端面と接するようにしたので、微小領域であっても接続抵抗が十分に低減される。
本開示の一実施形態としての表示装置およびその製造方法、電子機器によれば、高集積化を実現しつつ、良好な表示性能を発揮することができる。なお、本開示の効果はこれに限定されるものではなく、以下の記載のいずれの効果であってもよい。
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．一実施の形態（基本構成の表示装置）
２．変形例
３．適用例
４．実験例
１．一実施の形態（基本構成の表示装置）
２．変形例
３．適用例
４．実験例
＜１．実施の形態＞
［表示装置１の構成］
図１〜図４を参照して、本開示における一実施の形態としての有機ＥＬ表示装置１（以下、単に表示装置１という。）について説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、極薄型の有機ＥＬカラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、透明な基板１０Ａの上に、後述する複数の有機ＥＬ素子ＥＬがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
［表示装置１の構成］
図１〜図４を参照して、本開示における一実施の形態としての有機ＥＬ表示装置１（以下、単に表示装置１という。）について説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、極薄型の有機ＥＬカラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、透明な基板１０Ａの上に、後述する複数の有機ＥＬ素子ＥＬがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１８Ａの下層、すなわち基板１０Ａと第１電極１８Ａとの間に形成されている。画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機ＥＬ素子ＥＬとを有するアクティブ型の駆動回路である。有機ＥＬ素子ＥＬは、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）と第２の電源ライン（ＧＮＤ）との間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成される。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）を有する。ただし、スタガー構造（トップゲート型）でもよい。
画素駆動回路１４０は、例えば列方向に伸びる複数の信号線１２０Ａと、行方向に伸びる複数の走査線１３０Ａとを有する。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に対応して、複数の有機ＥＬ素子ＥＬのいずれか１つ（サブピクセル）が設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
図３は、表示装置１の表示領域１１０の平面構成を表すものであり、図４は図３におけるＩＶ−ＩＶ線に沿った矢視方向の断面構成を示している。
図４に示したように、表示装置１は、一対の絶縁性の基板１０Ａ，１０Ｂの間に、例えば薄膜トランジスタＴｒを含む第１の階層Ｌ１と、有機ＥＬ素子ＥＬを含む第２の階層Ｌ２とが順に積層された構造を有している。薄膜トランジスタＴｒは、基板１０Ａの上にゲート電極１１と、ゲート絶縁膜１２と、シリコン膜１３Ａと、ストッパ絶縁膜１４と、ｎ＋非晶質シリコン膜１３Ｂと、ソース電極およびドレイン電極としての配線層１５Ａとが順に積層されたものである。さらに、薄膜トランジスタＴｒの上には、絶縁性の保護絶縁膜（パッシベーション膜）１６と平坦化絶縁膜１７Ａとが順に積層されている。有機ＥＬ素子ＥＬは、平坦化絶縁膜１７Ａの上に形成されている。
基板１０Ａ，１０Ｂは、例えばガラス材料やプラスチック材料などの透明な絶縁性材料により構成される。
薄膜トランジスタＴｒは、各有機ＥＬ素子ＥＬを発光駆動させるための駆動トランジスタＴｒ１である。このうち、ゲート電極１１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）などにより構成される。また、シリコン膜１３Ａは薄膜トランジスタＴｒのチャネル領域を形成する部分であり、例えば非晶質シリコン膜などにより構成される。
配線層１５Ａは、薄膜トランジスタＴｒのソース電極およびドレイン電極を構成すると共に、信号線などの配線としての機能をも有している。配線層１５Ａの構成材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、Ａｌ、Ｍｏ、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide ；酸化インジウム亜鉛）もしくは銀（Ａｇ）、またはこれらの金属材料を主成分とする合金などが挙げられる。
また、配線層１５Ａは、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／（ＡｌＳｉ合金）／ Ｔｉ、Ｍｏ／（ＡｌＳｉＣｕ合金）／ＴｉまたはＭｏ／（ＡｌＣｅ（セリウム）合金）／ Ｔｉ、のような積層構造を有していてもよい。
保護絶縁膜１６は、薄膜トランジスタＴｒを保護するためのものであり、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮまたはＳｉＯＮのうちの少なくとも１種からなる絶縁材料により構成される。また、平坦化絶縁膜１７Ａは、層構造を平坦化してその上に有機ＥＬ素子ＥＬを形成するためのものであり、例えば感光性のポリイミド樹脂、ポリベンズオキサゾール樹脂、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレンまたはアクリル樹脂などの絶縁性材料により構成される。
各有機ＥＬ素子ＥＬは、平坦化絶縁膜１７Ａの上に、第１電極１８Ａと、有機発光層１９と、第２電極２０とが順に積層された積層構造を有している。このうち第１電極１８Ａおよび有機発光層１９は、平坦化絶縁膜１７Ａ上の電極間絶縁膜２１によって互いに分離され、例えば図３に示したような矩形状によって基板１０Ａ，１０Ｂ内でマトリクス状に配置されている。一方、第２電極２０は、各有機ＥＬ素子ＥＬに対して共通の電極であり、図４に示したように、基板１０Ａ，１０Ｂ内に一様に形成されている。なお、電極間絶縁膜２１は、例えば感光性のポリイミド樹脂などの絶縁性材料により構成される。このような有機ＥＬ素子ＥＬの第２電極２０上には、たとえば保護膜（図示せず）が一様に形成され、この保護膜（図示せず）と透明基板１０Ｂとの層間には、封止樹脂１７Ｂが一様に形成されている。このような構成により、表示装置１は、有機発光層１９から発せられた光を、最終的に第２電極２０側（基板１０Ｂ側）、すなわち上方から射出するようになっており、いわゆる上面発光型の構造をなしている。
第１電極１８Ａは、有機発光層１９に電圧を印加するための電極（アノード電極またはカソード電極）であると共に、この有機発光層１９からの光を反射して上方へ導くための反射電極としても機能している。よって、この第１電極１８Ａは、反射率の高い金属、例えばＡｌや、ＡｌＮｄ（ネオジム）合金またはＡｌＣｅ合金などのＡｌを主成分とする合金などにより構成される。なお、このような第１電極１８Ａの構成材料は、表面が酸化されやすいという性質（表面酸化性）を有している。
有機発光層１９は、図示しない正孔輸送層、発光層および電子輸送層を順次堆積させたものであり、第１電極１８Ａおよび第２電極２０によって挟持されている。そしてこれら第１電極１８Ａと第２電極２０との間に所定の電圧を印加すると、発光層内に注入された正孔および電子のキャリア再結合によって、発光が得られるようになっている。
発光層は例えば白色発光用の発光層であり、例えば赤色発光膜、緑色発光膜および青色発光膜（いずれも図示せず）の積層体を有している。赤色発光膜，緑色発光膜および青色発光膜は、電界をかけることにより、第１電極１８Ａから正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極２０から電子注入層および電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、それぞれ赤色，緑色および青色の光を発生させるものである。
赤色発光膜は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光膜は、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
緑色発光膜は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光膜は、例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
青色発光膜は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光膜は、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
第２電極２０も、有機発光層１９に電圧を印加するための電極（アノード電極またはカソード電極）である。第２電極２０は、この有機発光層１９からの光を透過して上方へ射出するため、透明または半透明の電極となっている。よって、この第２電極２０は、例えば、透明材料であるＩＴＯやＩＺＯ、または半透明材料であるＭｇＡｇ合金やＣｕ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌなどにより構成される。したがって、第２電極２０の光透過率は、後述の補助電極層１８Ｂの光透過率よりも高い。また、第２電極２０は、例えばスパッタ成膜法により形成されたものである。
図３および図４に示したように、隣り合う第１電極１８Ａ同士の間の領域には、補助電極層１８Ｂがさらに設けられている。補助電極層１８Ｂは、薄膜トランジスタＴｒを含む第１の階層Ｌ１に設けられており、その端面１８Ｔが、後述する第２電極２０と接している（図４参照）。補助電極層１８Ｂは、例えば基板１０Ａの表面１０ＡＳを覆うゲート絶縁膜１２の上に形成されている。補助電極層１８Ｂは、例えば真空蒸着法により形成されたものである。補助配線層１８Ｂが第２電極２０と電気的に接続されていることにより、第２電極２０における電極電圧の面内不均一性が緩和される。したがって、補助電極層１８Ｂの導電率は、第２電極２０の導電率よりも高いことが望ましい。具体的には、補助電極層１８Ｂは、例えば薄膜トランジスタＴｒの配線層１５Ａの構成と同じ構成である。したがって、例えば第２電極２０の光透過率は、補助電極層１８Ｂの光透過率よりも高い。
補助電極層１８Ｂの厚さは、例えば有機発光層１９の厚さよりも大きい。有機発光層１９の厚さは例えば最大で４００ｎｍ程度とすれば、補助電極層１８Ｂの厚さは例えば４５０ｎｍ以上であるとよい。また、補助電極層１８Ｂの端面１８Ｔは、基板１０Ａの表面１０ＡＳに対して垂直をなし、または、基板１０Ａから離れる方向（すなわち上方）へオーバーハング状に伸びている。補助配線層１８Ｂは、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１に覆われている。但し、平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１のうちの補助配線層１８Ｂの一部に対応する領域（図４参照）には、基板１０Ａから基板１０Ｂへ向かうほど幅が拡大する順テーパ状の開口Ｋが設けられている。開口Ｋは、電極間絶縁膜２１に形成された開口２１Ｋ１と、平坦化絶縁膜１７Ａに形成された開口１７ＡＫとが連通したものである。この開口Ｋの底部では補助配線層１８Ｂが露出しており、その端面１８Ｔが第２電極２０と接している。有機発光層１９は、補助電極層１８Ｂの端面１８Ｔには形成されていない。端面１８Ｔは第２電極２０により覆われている。すなわち、第２電極２０は、表示領域１１０を全面的に覆うように、全ての有機ＥＬ素子ＥＬに対して共通に設けられている。また、電極間絶縁膜２１の開口２１Ｋ１における、補助電極層１８Ｂの端面１８Ｔと対向する上端縁２１ＵＴと、端面１８Ｔにおける上端縁１８ＵＴとを結ぶ直線と、基板１０Ａの表面１０ＡＳに垂直な方向とのなす角度θは４５°以下であるとよい。表示装置１を形成する際、端面１８Ｔに有機発光層１９が付着するのをより確実に回避するためである。また、電極間絶縁膜２１の、第１電極１８Ａと対応する領域には開口２１Ｋ２が形成されている。
封止樹脂１７Ｂと基板１０Ｂとの間には、カラーフィルタ層ＣＦが設けられている。カラーフィルタ層ＣＦは、例えば、赤色（Ｒ）フィルタ、緑色（Ｇ）フィルタおよび青色（Ｂ）フィルタの３色のフィルタを含んでいる。各有機ＥＬ素子ＥＬには、赤色フィルタ、緑色フィルタまたは青色フィルタのいずれかが割り当てられている。このため、有機発光層１９からの白色光が赤色フィルタ、緑色フィルタまたは青色フィルタをそれぞれ透過することにより赤色光、緑色光または青色光にそれぞれ変換されたのち、基板１０Ｂを介して外部へ発せられる。
次に、図５Ａ〜図５Ｇを参照して、表示装置１の製造方法について説明する。図５Ａ〜図５Ｇはそれぞれ、有機ＥＬ表示装置１の製造工程の一部を断面図で表したものである。
まず、図５Ａに示したように、前述した材料よりなる基板１０Ａ上に、例えばスパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法およびフォトリソグラフィ法を用いて、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、シリコン膜１３Ａ、ストッパ絶縁膜１４、ｎ＋非晶質シリコン膜１３Ｂおよび配線層１５Ａをこの順に積層し、例えばマトリクス状に配置された複数の薄膜トランジスタＴｒをそれぞれ形成する。
ここで、配線層１５Ａを例えばスパッタ法により形成する際に、この配線層１５Ａと同一の材料を用いて、配線層１５Ａと同じ積層構造として、補助電極層１８Ｂをゲート絶縁膜１２上に同時に形成するとよい。補助電極層１８Ｂの形成位置は、図３に示したように、隣り合う第１電極１８Ａ同士の間の領域とする。なお、これら配線層１５Ａおよび補助電極層１８Ｂの各材料は、後述する金属層１８のエッチング方法により適宜選択され、例えば後述するようにリン酸、硝酸および酢酸の混合酸を用いてウエットエッチングにより行う場合、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層膜とすることができ、その場合の膜厚としては、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ＝２００ｎｍ／５００ｎｍ／２００ｎｍ程度とする。
薄膜トランジスタＴｒおよび補助電極層１８Ｂを形成したのち、これら薄膜トランジスタＴｒおよび補助電極層１８Ｂを覆うように、保護絶縁膜１６を、例えばＣＶＤ法により一様に形成する。但し、補助電極層１８Ｂの上面の一部が露出するようにするとよい。
続いて、図５Ｂに示したように、保護絶縁膜１６上に、例えばスピンコート法やスリットコート法により平坦化絶縁膜１７Ａを一様に塗布形成する。そののち、補助電極層１８Ｂに対応する領域の平坦化絶縁膜１７Ａに対し例えばフォトリソグラフィ法によって露光および現像を行い、さらに焼成を行うことにより、順テーパ形状の斜面１７ＡＳを有する開口１７ＡＫを形成する。この際、補助電極層１８Ｂの端面１８Ｔが露出するように、端面１８Ｔの近傍の平坦化絶縁膜１７Ａおよび保護絶縁膜１６を除去する。なお、この順テーパ形状の開口１７ＡＫにおける斜面１７ＡＳの斜度は、のちに形成する第２電極２０の膜厚や形成方法によって適宜設定する。
次に、図５Ｃに示したように、平坦化絶縁膜１７Ａおよび補助電極層１８Ｂ上に、例えば前述した第１電極１８Ａおよび補助電極層１８Ｃの構成材料（この例では、金属材料）を用いて、例えばスパッタ法により金属層１８を一様に形成する。
そののち、図５Ｄに示したように、金属層１８を例えばフォトリソグラフィ法によって選択的にエッチングすることにより、図３および図４に示した形状を有する第１電極１８Ａおよび補助電極層１８Ｃをそれぞれ形成する。この際、第１電極１８Ａを、各薄膜トランジスタＴｒに対応する位置に形成する。また、補助電極層１８Ｃの一部が補助電極層１８Ｂと電気的に接続されるようにパターニングする。ここで、補助電極層１８Ｂは、金属層１８に対してエッチング選択比の高い材料から構成されている。このため、金属層１８をエッチングする際に補助電極層１８Ｂも同時にエッチングされてしまうのを回避することができる。なお、このときのエッチングは、例えばリン酸、硝酸および酢酸の混合酸を用いたウエットエッチングにより行う。
次に、図５Ｅに示したように、平坦化絶縁膜１７Ａ、第１電極１８Ａおよび補助電極層１８Ｂ，１８Ｃ上に、前述した材料よりなる電極間絶縁膜２１を、例えばスピンコート法やスリットコート法により一様に塗布形成し、例えばフォトリソグラフィ法によって所定の形状、すなわち各第１電極１８Ａが互いに分離されるようにパターニングする。また、この際、補助電極層１８Ｂに対応する領域を例えばフォトリソグラフィ法によって選択的に除去し、順テーパ形状の側面を有する開口２１Ｋ１を形成することで、開口２１Ｋ１と開口１７ＡＫとが連通してなる開口Ｋを得る。このとき、開口Ｋの、斜面２１Ｓおよび斜面１７ＡＳを含む側面が階段状となるように形成されてもよいし、開口Ｋの側面を、段差を有さないものとしてもよい。また、電極間絶縁膜２１の開口２１Ｋ１における、補助電極層１８Ｂの端面１８Ｔと対向する上端縁２１ＵＴと、端面１８Ｔにおける上端縁１８ＵＴとを結ぶ直線と、基板１０Ａの表面１０ＡＳに垂直な方向とのなす角度θを４５°以下とするとよい。有機発光層１９を形成する際、端面１８Ｔに有機発光層１９が付着するのをより確実に回避するためである。また、開口２１Ｋ１の形成と併せて、第１電極１８Ａと対応する領域を同様にして選択的に除去し、順テーパ形状の側面を有する開口２１Ｋ２を形成する。
次に、図５Ｆに示したように、各第１電極１８Ａ上に有機発光層１９を、例えば真空蒸着法により形成する。このとき、電極間絶縁膜２１にも有機発光層１９が形成されるが、補助電極層１８Ｂの端面１８Ｔには有機発光層１９が形成されない。補助電極層１８Ｂの端面１８Ｔは急斜面であるので、有機材料の回り込みが生じにくく、その結果有機材料が付着しにくいからである。また、ゲート絶縁膜１２を覆う有機発光層１９と、補助電極層１８Ｂの上面を覆う有機発光層１９とは、確実に分離される。有機発光層１９の厚さよりも補助電極層１８Ｂの厚さのほうが大きいからである。これに対し、開口２１Ｋ２の底面として露出した第１電極１８Ａの上面は、有機発光層１９によって全面的に覆われる。
そののち、図５Ｇに示したように、全体を覆うように、例えばスパッタ成膜法により前述した材料よりなる第２電極２０を一様に形成する。このとき、有機発光層１９が形成されなかった補助電極層１８Ｂの端面１８Ｔをも覆うように第２電極２０が形成される。有機材料に比べ、第２電極２０を構成する無機材料は、スパッタ成膜される対象物（ここでは平坦化絶縁膜１７Ａおよび電極間絶縁膜２１）の側面への回り込みが容易であるからである。また、開口２１Ｋ２を覆う有機発光層１９の上にも第２電極２０が形成され、有機ＥＬ素子ＥＬが得られる。
最後に、第２電極２０上に、例えばＣＶＤ法により前述した材料によりなる保護膜２３を一様に形成すると共に、この保護膜２３上に封止樹脂１７Ｂを、例えば滴下注入法により一様に形成し、これを前述した材料よりなる基板１０Ｂで挟み込むことにより、図１および図２に示した本実施の形態の表示装置１が製造される。
[表示装置１の動作]
表示装置１では、配線層１５Ａおよび薄膜トランジスタＴｒを介して第１電極１８Ａに電圧が印加されると、第２電極２０との間の電位差に応じた輝度で有機発光層１９が発光する。この有機発光層１９からの光は、第１電極１８Ａで反射されつつ第２電極２０を透過することにより、上方、すなわち基板１０Ｂから射出される。そして各画素に配置された有機ＥＬ素子ＥＬから画素信号に応じた光が射出されることで、有機ＥＬ表示装置１に所定の画像が表示される。 ここで、各有機ＥＬ素子ＥＬには、例えば赤色フィルタ、緑色フィルタまたは青色フィルタのいずれかが割り当てられている。このため、各有機ＥＬ素子ＥＬにおける有機発光層１９から発せられた白色光は、それぞれ赤色光、緑色光または青色光のいずれかに変換され、基板１０Ｂから射出される。
表示装置１では、配線層１５Ａおよび薄膜トランジスタＴｒを介して第１電極１８Ａに電圧が印加されると、第２電極２０との間の電位差に応じた輝度で有機発光層１９が発光する。この有機発光層１９からの光は、第１電極１８Ａで反射されつつ第２電極２０を透過することにより、上方、すなわち基板１０Ｂから射出される。そして各画素に配置された有機ＥＬ素子ＥＬから画素信号に応じた光が射出されることで、有機ＥＬ表示装置１に所定の画像が表示される。 ここで、各有機ＥＬ素子ＥＬには、例えば赤色フィルタ、緑色フィルタまたは青色フィルタのいずれかが割り当てられている。このため、各有機ＥＬ素子ＥＬにおける有機発光層１９から発せられた白色光は、それぞれ赤色光、緑色光または青色光のいずれかに変換され、基板１０Ｂから射出される。
[表示装置１の作用・効果]
有機ＥＬ表示装置としては、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を有機ＥＬ素子ごとに塗り分けることで、有機ＥＬ素子ごとに異なる発光色を得るものがある。この場合、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、それぞれの個別に区画された画素となる部分となるようにパターニングを行う必要がある。このパターニングの技術として、例えば低分子の有機発光材料についてはシャドーマスクを介した真空プロセスによる蒸着方法が知られており、高分子の有機発光材料についてはインクジェットを使用した印刷技術が知られている。ところがこれらのパターニングの技術では精細度に限界があるので、近年の表示装置における有機ＥＬ素子ＥＬの高精細化や微細化には十分に対応できなくなりつつある。そのため、上記で説明したように、全ての有機ＥＬ素子ＥＬにおいて共通の有機発光層１９を表示領域１１０の全面に亘って一括形成し、その有機発光層１９からの白色光をカラーフィルタ層ＣＦを介して各色に分離する構成が注目されている。
有機ＥＬ表示装置としては、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を有機ＥＬ素子ごとに塗り分けることで、有機ＥＬ素子ごとに異なる発光色を得るものがある。この場合、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、それぞれの個別に区画された画素となる部分となるようにパターニングを行う必要がある。このパターニングの技術として、例えば低分子の有機発光材料についてはシャドーマスクを介した真空プロセスによる蒸着方法が知られており、高分子の有機発光材料についてはインクジェットを使用した印刷技術が知られている。ところがこれらのパターニングの技術では精細度に限界があるので、近年の表示装置における有機ＥＬ素子ＥＬの高精細化や微細化には十分に対応できなくなりつつある。そのため、上記で説明したように、全ての有機ＥＬ素子ＥＬにおいて共通の有機発光層１９を表示領域１１０の全面に亘って一括形成し、その有機発光層１９からの白色光をカラーフィルタ層ＣＦを介して各色に分離する構成が注目されている。
ところで、上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、既に述べたように、封止パネル側の透明電極、すなわち第２電極２０を構成する材料の抵抗率が銅などの抵抗率と比べて高い。したがって本実施の形態では、表示領域１１０における発光輝度のばらつきを低減するために、第２電極２０を別途設けた補助電極層１８Ｂと接続し、第２電極２０における面内での電圧降下を低減するようにしている。しかしながら、例えば図６Ａに示した第１の参考例としての表示装置１０１のように、単純に、第１の階層Ｌ１に設けた補助電極層１８Ｂの上面を露出させるように開口ＫＫを形成し、その開口ＫＫを埋めるように有機発光層１９を表示領域１１０の全面に亘って一括形成してしまうと、第２電極２０と補助電極層１８との導通が困難となる。補助電極層１８Ｂの上面を全て有機発光層１９が覆うこととなるからである。この場合、表示装置１０１では発光輝度が不足し、良質の画像表示が困難となる。したがって、このような問題を解消するには、図６Ｂに示した第２の参考例としての表示装置１０２のように、補助電極層１８の上面を覆う有機発光層１９の一部を選択的に除去したのち、第２電極２０を形成する必要がある。しかし、この場合もパターニング精度が要求されるので、各有機ＥＬ素子ＥＬのさらなる高精細化や微細化への対応が困難となる。また、製造工程の複雑化を招くことにもなる。このような問題は、例えば図６Ｃに示した第３の参考例としての表示装置１０３のように、単純に、第２の階層Ｌ２に設けた補助電極層１８Ｂの上面を露出させるように開口ＫＫを形成した場合も同様に生じる。
そこで本実施の形態の表示装置１では、表示領域１１０を広く覆う第２電極２０が補助電極層１８Ｂの端面１８Ｔと接するように設けるようにしている。このような構成とすることで、例えば第２電極２０が補助電極層１８Ｂの上面のみと接する場合と比較して、より微小な領域において接続抵抗を十分に低減することができる。補助電極層１８Ｂの厚さを大きく確保することで、補助電極層１８Ｂの面内方向の寸法、すなわち幅を拡大せずとも補助電極層１８Ｂの断面積を十分に確保し、抵抗を下げることができるからである。
また、本実施の形態では、補助電極層１８Ｂを、薄膜トランジスタＴｒを含む第１の階層Ｌ１に設けるようにした。このため、有機ＥＬ素子ＥＬの発光性能を劣化させることなく、第２電極２０と補助電極層１８Ｂとの接続抵抗を十分に低減することができる。ところが補助電極層１８Ｂを、例えば第１電極１８Ａと同時に第２の階層Ｌ２に設けた場合、補助電極層１８Ｂの厚さは第１電極１８Ａの厚さと同じになる。第１電極１８Ａの厚さは、その第１電極１８Ａの平坦性を確保するため、あまり大きくすることはできない。第１電極１８Ａの平坦性が損なわれれば、有機ＥＬ素子ＥＬの発光性能が低下するからである。そのため、補助電極層１８Ｂの断面積を十分に確保するにはその幅を拡大せざるを得ず、その結果、占有面積の拡大を招くおそれが生じる。これに対し、本実施の形態では、補助電極層１８Ｂを第１の階層Ｌ１に設け、十分な厚さを確保することでそのような問題を解消することができる。
また、本実施の形態では、アクティブエリアとしての表示領域１１０の内部に補助電極層１８Ｂを配設すると共に、表示領域１１０の内部においてその補助電極層１８Ｂと第２電極２０との接続を行うようにしている。このため、例えば表示領域１１０の周囲に補助電極層を配設し、その補助電極層から第２電極へ電位を与えるようにした場合に必要となる、いわゆる額縁領域は不要となる。また、表示領域１１０の周囲に補助電極層を配設した場合、比較的大きな面積の画面では第２電極での電圧降下を緩和するため、第２電極の厚さを大きくする必要があり、その結果、第２電極の透過率が低下することとなる。これに対し、本実施の形態では、表示領域１１０の内部においてその補助電極層１８Ｂと第２電極２０との接続を行うようにしているので、第２電極２０の厚さを低減しつつ、第２電極２０での電圧降下も抑制することができる。
このように、本実施の形態の表示装置１は、より高集積化に適し、良好な表示性能を発揮することができる。
また、このような構成の表示装置１を得るために、本実施の形態では、開口Ｋを形成する際に補助電極層１８Ｂの端面１８Ｔを露出させ、真空蒸着法により有機発光層１９を選択的に成膜しつつ、スパッタ成膜法により第２電極２０を全面的に成膜するようにしている。すなわち、真空蒸着法による有機材料の付着特性と、スパッタ成膜法による無機材料の付着特性との差を利用しているにすぎず、成膜後の有機発光層１９に対してパターニングなどの追加処理を何ら行うことはしていない。このため、製造工程の簡素化を図りつつ、有機ＥＬ素子ＥＬのさらなる高精細化や微細化への対応が可能となる。
＜２．変形例＞
[表示装置２の構成]
図７は、上記実施の形態の変形例としての有機ＥＬ表示装置（表示装置２）の要部断面構成を表したものである。上記表示装置１では、第１の階層Ｌ１に含まれる補助電極層１８Ｂの構成を、薄膜トランジスタＴｒの配線層１５Ａの構成と同じものとした。これに対し、表示装置２では、補助電極層１８Ｂを、薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１１と同じ構成を有する第１の層１８Ｂ１と、薄膜トランジスタＴｒの配線層１５Ａと同じ構成を有する第２の層１８Ｂ２との積層構造を有するものとした。この点を除き、他は第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成である。表示装置２を形成する際には、第１の層１８Ｂ１を、ゲート電極１１と共に一括形成し、第２の層１８Ｂ２を、配線層１５Ａと共に一括形成する。但し、第２の層１８Ｂ２を形成する前に、第１の層１８Ｂ１を覆うゲート絶縁膜１２を除去しておく。
[表示装置２の構成]
図７は、上記実施の形態の変形例としての有機ＥＬ表示装置（表示装置２）の要部断面構成を表したものである。上記表示装置１では、第１の階層Ｌ１に含まれる補助電極層１８Ｂの構成を、薄膜トランジスタＴｒの配線層１５Ａの構成と同じものとした。これに対し、表示装置２では、補助電極層１８Ｂを、薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１１と同じ構成を有する第１の層１８Ｂ１と、薄膜トランジスタＴｒの配線層１５Ａと同じ構成を有する第２の層１８Ｂ２との積層構造を有するものとした。この点を除き、他は第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成である。表示装置２を形成する際には、第１の層１８Ｂ１を、ゲート電極１１と共に一括形成し、第２の層１８Ｂ２を、配線層１５Ａと共に一括形成する。但し、第２の層１８Ｂ２を形成する前に、第１の層１８Ｂ１を覆うゲート絶縁膜１２を除去しておく。
[表示装置２の作用・効果]
表示装置２では、補助電極層１８Ｂを第１の層１８Ｂ１と第２の層１８Ｂ２との２層構造としたので、上記表示装置１と比べて、全体の厚さを維持しつつ、補助電極層１８Ｂの厚さをより増大させることができる。このため、補助電極層１８Ｂの断面積をより増大することができ、第２電極２０の電圧降下をよりいっそう低減することができる。このため、よりいっそうの表示性能の向上が期待できる。
表示装置２では、補助電極層１８Ｂを第１の層１８Ｂ１と第２の層１８Ｂ２との２層構造としたので、上記表示装置１と比べて、全体の厚さを維持しつつ、補助電極層１８Ｂの厚さをより増大させることができる。このため、補助電極層１８Ｂの断面積をより増大することができ、第２電極２０の電圧降下をよりいっそう低減することができる。このため、よりいっそうの表示性能の向上が期待できる。
＜３．適用例＞
以下、上記のような表示装置（表示装置１，２）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、スマートフォン等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。すなわち、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
以下、上記のような表示装置（表示装置１，２）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、スマートフォン等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。すなわち、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
［モジュール］
上記表示装置は、例えば図８に示したようなモジュールとして、後述の適用例をはじめとする種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１０Ａの一辺に、基板１０Ｂからはみ出した領域６１を設け、この領域６１に、信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源線供給回路１４０の配線を延長して外部接続端子（第１周辺電極および第２周辺電極等）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）６２が設けられていてもよい。
上記表示装置は、例えば図８に示したようなモジュールとして、後述の適用例をはじめとする種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１０Ａの一辺に、基板１０Ｂからはみ出した領域６１を設け、この領域６１に、信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源線供給回路１４０の配線を延長して外部接続端子（第１周辺電極および第２周辺電極等）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）６２が設けられていてもよい。
［適用例］
図９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
図９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
＜４．実験例＞
（実験例１）
上記実施の形態に係る表示装置１のサンプルを作製した。ここではモリブデンを用いてゲート電極１１を形成した。ゲート絶縁膜１２はＳｉＯとＳｉＮとの２層構造とした。シリコン膜１３Ａは非晶質シリコンにより形成した。また、配線層１５Ａおよび補助電極層１８Ｂは、いずれもＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層構造とした。この３層構造において、Ｔｉ（チタン）層の厚さはいずれも２００ｎｍとし、Ａｌ（アルミニウム）層の厚さはいずれも６００ｎｍとした。さらに、平坦化絶縁膜１７Ａと電極間絶縁膜２１との合計の厚さは６０００ｎｍとした。したがって、電極間絶縁膜２１の上端縁２１ＵＴと、端面１８Ｔの上端縁１８ＵＴとの厚さ方向の距離は５０００ｎｍとした。また、有機発光層１９を、全開口の蒸着マスクを用いた真空蒸着法により１２０ｎｍの膜厚となるように形成した。このとき、端面１８Ｔを覆わないようにした。また、第２電極２０は、マグネトロンスパッタ成膜法により、ＩＺＯを用いて１５０ｎｍの膜厚となるように形成した。保護膜２３は、ＣＶＤ法によりＳｉＮｘを用いて形成した。
（実験例１）
上記実施の形態に係る表示装置１のサンプルを作製した。ここではモリブデンを用いてゲート電極１１を形成した。ゲート絶縁膜１２はＳｉＯとＳｉＮとの２層構造とした。シリコン膜１３Ａは非晶質シリコンにより形成した。また、配線層１５Ａおよび補助電極層１８Ｂは、いずれもＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層構造とした。この３層構造において、Ｔｉ（チタン）層の厚さはいずれも２００ｎｍとし、Ａｌ（アルミニウム）層の厚さはいずれも６００ｎｍとした。さらに、平坦化絶縁膜１７Ａと電極間絶縁膜２１との合計の厚さは６０００ｎｍとした。したがって、電極間絶縁膜２１の上端縁２１ＵＴと、端面１８Ｔの上端縁１８ＵＴとの厚さ方向の距離は５０００ｎｍとした。また、有機発光層１９を、全開口の蒸着マスクを用いた真空蒸着法により１２０ｎｍの膜厚となるように形成した。このとき、端面１８Ｔを覆わないようにした。また、第２電極２０は、マグネトロンスパッタ成膜法により、ＩＺＯを用いて１５０ｎｍの膜厚となるように形成した。保護膜２３は、ＣＶＤ法によりＳｉＮｘを用いて形成した。
（実験例２）
図６Ａに示した表示装置１０１のサンプルを作製した。すなわち、補助電極層１８Ｂの上面のみを露出させるように開口ＫＫを形成し、その開口ＫＫの斜面および補助電極層１８Ｂの上面をも全面的に覆うように有機発光層１９および第２電極２０を形成した。
図６Ａに示した表示装置１０１のサンプルを作製した。すなわち、補助電極層１８Ｂの上面のみを露出させるように開口ＫＫを形成し、その開口ＫＫの斜面および補助電極層１８Ｂの上面をも全面的に覆うように有機発光層１９および第２電極２０を形成した。
上記実験例１，２の各サンプルについて、有機ＥＬ素子ＥＬの発光テストをそれぞれ実施した。その結果、実験例１のサンプルでは十分な輝度の発光が得られたが、実験例２のサンプルでは発光が得られなかった。
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚みなどは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。
また、上記実施の形態等では、各有機発光素子ＥＬとして白色光を発するものを例示して説明したが、本技術はこれに限定されるものではない。例えば、赤色光、緑色光および青色光をそれぞれ発する有機発光素子ＥＬを用いてもよい。その場合、例えば第１電極１８Ａと第２電極２０との間隔（すなわち光学的距離）を変化させることで所望の波長光をそれぞれ取り出すようにすればよい。
さらに、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本技術はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。また、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、他の駆動回路を追加してもよい。
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であってその記載に限定されるものではなく、他の効果があってもよい。また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
基体と、
前記基体上に第１電極層と有機発光層と第２電極層とが順に積層された積層構造を含む有機発光素子と、
前記基体上に設けられ、前記有機発光素子を駆動する駆動素子と、
前記基体上に設けられ、前記第２電極層と接する端面を含む補助電極層と
を有する表示装置。
（２）
前記補助電極層は、前記駆動素子を含む階層に設けられている
上記（１）記載の表示装置。
（３）
前記補助電極層の厚さは、前記有機発光層の厚さよりも大きい
上記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記補助電極層の導電率は、前記第２電極層の導電率よりも高い
上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）
前記補助電極層の端面は、前記基体の表面に対して垂直をなし、または、前記基体から離れる方向へオーバーハング状に伸びている
上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）
前記駆動素子は配線層を有し、
前記駆動素子の配線層の構成材料と前記補助電極層の構成材料とが同じである
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
前記基体と前記補助電極層との間に下地層をさらに備え、
前記駆動素子はゲート電極を有し、
前記下地層の構成材料と前記ゲート電極の構成材料とが同じである
上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）
前記第２電極層の光透過率は、前記補助電極層の光透過率よりも高い
上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）
前記補助電極層は真空蒸着法により形成されたものであり、
前記第２電極層はスパッタ成膜法により形成されたものである
上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）
前記補助電極層の一部は絶縁層により覆われており、
前記絶縁層は、前記補助電極層と重なり合う領域に開口を有している
上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）
前記絶縁層の開口における、前記補助電極層の端面と対向する上端縁と前記補助電極層の端面における上端縁とを結ぶ直線と、前記基体の表面に垂直な方向とのなす角度は４５°以下である
上記（１０）記載の表示装置。
（１２）
基体上に、駆動素子および補助電極層を形成することと、
前記駆動素子および前記補助電極層を覆うように第１絶縁層を形成することと、
前記第１絶縁層の一部に第１の開口を形成し、前記補助電極層の端面を露出させることと、
前記第１絶縁層の上に、第１電極層を選択的に形成することと、
前記第１絶縁層の上に、前記第１電極層と対応する位置に第２の開口を有すると共に前記補助配線層と対応する位置に前記第１の開口と連通する第３の開口を有する第２の絶縁層を形成することと、
前記補助配線層の端面を覆うことなく前記第１電極層を覆うように有機発光層を形成することと、
前記有機発光層を覆うと共に前記補助配線層の端面をも覆うように第２電極層を形成することと
を含む
表示装置の製造方法。
（１２）
表示装置を備えた電子機器であって、
前記表示装置は、
基体と、
前記基体上に第１電極層と有機発光層と第２電極層とが順に積層された積層構造を含む有機発光素子と、
前記基体上に設けられ、前記有機発光素子を駆動する駆動素子と、
前記基体上に設けられ、前記第２電極層と接する端面を含む補助電極層と
を有する
電子機器。
（１）
基体と、
前記基体上に第１電極層と有機発光層と第２電極層とが順に積層された積層構造を含む有機発光素子と、
前記基体上に設けられ、前記有機発光素子を駆動する駆動素子と、
前記基体上に設けられ、前記第２電極層と接する端面を含む補助電極層と
を有する表示装置。
（２）
前記補助電極層は、前記駆動素子を含む階層に設けられている
上記（１）記載の表示装置。
（３）
前記補助電極層の厚さは、前記有機発光層の厚さよりも大きい
上記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記補助電極層の導電率は、前記第２電極層の導電率よりも高い
上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）
前記補助電極層の端面は、前記基体の表面に対して垂直をなし、または、前記基体から離れる方向へオーバーハング状に伸びている
上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）
前記駆動素子は配線層を有し、
前記駆動素子の配線層の構成材料と前記補助電極層の構成材料とが同じである
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
前記基体と前記補助電極層との間に下地層をさらに備え、
前記駆動素子はゲート電極を有し、
前記下地層の構成材料と前記ゲート電極の構成材料とが同じである
上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）
前記第２電極層の光透過率は、前記補助電極層の光透過率よりも高い
上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）
前記補助電極層は真空蒸着法により形成されたものであり、
前記第２電極層はスパッタ成膜法により形成されたものである
上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）
前記補助電極層の一部は絶縁層により覆われており、
前記絶縁層は、前記補助電極層と重なり合う領域に開口を有している
上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）
前記絶縁層の開口における、前記補助電極層の端面と対向する上端縁と前記補助電極層の端面における上端縁とを結ぶ直線と、前記基体の表面に垂直な方向とのなす角度は４５°以下である
上記（１０）記載の表示装置。
（１２）
基体上に、駆動素子および補助電極層を形成することと、
前記駆動素子および前記補助電極層を覆うように第１絶縁層を形成することと、
前記第１絶縁層の一部に第１の開口を形成し、前記補助電極層の端面を露出させることと、
前記第１絶縁層の上に、第１電極層を選択的に形成することと、
前記第１絶縁層の上に、前記第１電極層と対応する位置に第２の開口を有すると共に前記補助配線層と対応する位置に前記第１の開口と連通する第３の開口を有する第２の絶縁層を形成することと、
前記補助配線層の端面を覆うことなく前記第１電極層を覆うように有機発光層を形成することと、
前記有機発光層を覆うと共に前記補助配線層の端面をも覆うように第２電極層を形成することと
を含む
表示装置の製造方法。
（１２）
表示装置を備えた電子機器であって、
前記表示装置は、
基体と、
前記基体上に第１電極層と有機発光層と第２電極層とが順に積層された積層構造を含む有機発光素子と、
前記基体上に設けられ、前記有機発光素子を駆動する駆動素子と、
前記基体上に設けられ、前記第２電極層と接する端面を含む補助電極層と
を有する
電子機器。
１，２…有機ＥＬ表示装置、１０Ａ，１０Ｂ…基板、１０ＡＳ…表面、１１…ゲート電極、１２…ゲート絶縁膜、１３Ａ…シリコン膜、１３Ｂ…ｎ＋非晶質シリコン膜、１４…ストッパ絶縁膜、１５Ａ…配線層、１６…保護絶縁膜（パッシベーション膜）、１７Ａ…平坦化絶縁膜、１７Ｂ…封止樹脂、１８…金属層、１８Ａ…第１電極、１８Ｂ，１８Ｃ…補助電極層、１８Ｔ…端面、１９…有機発光層、２０…第２電極、２１…電極間絶縁膜、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路。
Claims (13)
- 基体と、
前記基体上に第１電極層と有機発光層と第２電極層とが順に積層された積層構造を含む有機発光素子と、
前記基体上に設けられ、前記有機発光素子を駆動する駆動素子と、
前記基体上に設けられ、前記第２電極層と接する端面を含む補助電極層と
を有する表示装置。 - 前記補助電極層は、前記駆動素子を含む階層に設けられている
請求項１記載の表示装置。 - 前記補助電極層の厚さは、前記有機発光層の厚さよりも大きい
請求項１記載の表示装置。 - 前記補助電極層の導電率は、前記第２電極層の導電率よりも高い
請求項１記載の表示装置。 - 前記補助電極層の端面は、前記基体の表面に対して垂直をなし、または、前記基体から離れる方向へオーバーハング状に伸びている
請求項１記載の表示装置。 - 前記駆動素子は配線層を有し、
前記駆動素子の配線層の構成材料と前記補助電極層の構成材料とが同じである
請求項１記載の表示装置。 - 前記基体と前記補助電極層との間に下地層をさらに備え、
前記駆動素子はゲート電極を有し、
前記下地層の構成材料と前記ゲート電極の構成材料とが同じである
請求項１記載の表示装置。 - 前記第２電極層の光透過率は、前記補助電極層の光透過率よりも高い
請求項１記載の表示装置。 - 前記補助電極層は真空蒸着法により形成されたものであり、
前記第２電極層はスパッタ成膜法により形成されたものである
請求項１記載の表示装置。 - 前記補助電極層の一部は絶縁層により覆われており、
前記絶縁層は、前記補助電極層と重なり合う領域に開口を有している
請求項１記載の表示装置。 - 前記絶縁層の開口における、前記補助電極層の端面と対向する上端縁と前記補助電極層の端面における上端縁とを結ぶ直線と、前記基体の表面に垂直な方向とのなす角度は４５°以下である
請求項１０記載の表示装置。 - 基体上に、駆動素子および補助電極層を形成することと、
前記駆動素子および前記補助電極層を覆うように第１絶縁層を形成することと、
前記第１絶縁層の一部に第１の開口を形成し、前記補助電極層の端面を露出させることと、
前記第１絶縁層の上に、第１電極層を選択的に形成することと、
前記第１絶縁層の上に、前記第１電極層と対応する位置に第２の開口を有すると共に前記補助配線層と対応する位置に前記第１の開口と連通する第３の開口を有する第２の絶縁層を形成することと、
前記補助配線層の端面を覆うことなく前記第１電極層を覆うように有機発光層を形成することと、
前記有機発光層を覆うと共に前記補助配線層の端面をも覆うように第２電極層を形成することと
を含む
表示装置の製造方法。 - 表示装置を備えた電子機器であって、
前記表示装置は、
基体と、
前記基体上に第１電極層と有機発光層と第２電極層とが順に積層された積層構造を含む有機発光素子と、
前記基体上に設けられ、前記有機発光素子を駆動する駆動素子と、
前記基体上に設けられ、前記第２電極層と接する端面を含む補助電極層と
を有する
電子機器。
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