KR100635070B1 - 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (22)
- 절연기판과;상기 절연 기판의 상부에 위치하는 반도체층, 게이트 전극, 도전성 버퍼층을 갖는 소오스/드레인 전극으로 이루어진 박막트랜지스터와;상기 기판 전면에 상기 박막트랜지스터를 덮으며, 상기 드레인 전극이 노출된 제 1 비아홀을 갖는 패시베이션막과;상기 패시베이션막의 소정 부분에 형성된 반사막과;상기 패시베이션막의 상부에 상기 반사막을 덮으며, 상기 노출된 드레인 전극과 연결되는 화소전극과;상기 화소전극의 소정 부분을 노출하는 개구부를 가지는 화소정의막과;상기 화소전극 상부에 발광을 위한 적어도 발광층을 포함하는 유기막층과;상기 유기막층 상부에 위치하는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 도전성 버퍼층은 식각액에 저항성이 있는 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 도전성 버퍼층은 ITO, IZO, Ti 및 Cu로 이루어진 군에서 선택된 하나의 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 소오스/드레인 전극은 Ag, Ag 합금, Mo, MoW 및 Mo 합금으로 이루어진 금속물질에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 유기 전계 발광 소자는 패시베이션막의 상부에 평탄화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 5항에 있어서,상기 평탄화막은 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 벤조사이클로부텐수지로 이루어진 군에서 선택된 하나의 유기물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 반사막은 Al, Al 합금, Ag 및 Ag 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 상부 전극은 음극 또는 양극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 상부 전극은 ITO 또는 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 선택된 금속물질로 빛이 투과할 수 있을 정도로 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 절연기판을 제공하는 단계;상기 절연기판 상부에 반도체층, 게이트 전극, 도전성 버퍼층을 상부에 포함하는 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터를 포함하는 기판 전면에 패시베이션막을 적층하고 상기 드레인 전극을 노출하기 위한 제 1 비아홀을 형성하는 단계와;상기 패시베이션막의 소정 부분에 반사막을 형성하는 단계와;상기 제 1 비아홀을 통하여 상기 소오스/드레인 전극과 접하는 화소전극을 형성하는 단계와;상기 소오스/드레인 전극 및 화소 전극을 덮는 화소정의막을 형성하고 화소 영역을 노출하기 위한 개구부를 형성하는 단계와;상기 화소전극 상부에 발광을 위한 적어도 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계와;상기 유기막층 상부에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
- 제 1영역 및 제 2영역을 구비한 절연기판과;상기 제 1영역 및 제 2영역 각각에 상기 절연기판의 상부에 위치하는 반도체층, 게이트 전극, 도전성 버퍼층을 갖는 소오스/드레인 전극으로 이루어진 다수의 박막트랜지스터와;상기 기판 전면에 상기 박막트랜지스터들을 덮으며, 상기 드레인 전극이 노출된 다수의 제 1 비아홀을 갖는 패시베이션막과;상기 제 1영역의 상기 패시베이션막 상의 발광영역에 패턴되어 형성되는 반사막과;상기 제 1영역 및 제 2영역 각각에 패시베이션막의 상부에 상기 노출된 드레인 전극과 연결되는 화소전극과;상기 화소전극의 소정 부분을 노출하는 개구부를 가지는 화소정의막과;상기 화소전극 상부에 발광을 위한 적어도 발광층을 포함하는 유기막층과;상기 유기막층 상부에 위치하는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 도전성 버퍼층은 식각액에 저항성이 있는 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 도전성 버퍼층은 ITO, IZO, Ti 및 Cu로 이루어진 군에서 하나의 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 소오스/드레인 전극은 Ag, Ag 합금, Mo, MoW 및 Mo 합금으로 이루어진 금속물질에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 유기 전계 발광 소자는 패시베이션막의 상부에 평탄화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 16항에 있어서,상기 평탄화막은 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 벤조사이클로부텐수지로 이루어진 군에서 선택된 하나의 유기물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 반사막은 Al, Al 합금, Ag 및 Ag 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 화소 전극은 ITO이거나 IZO로 이루어진 투명전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 상부 전극은 제 1영역은 투명전극 또는 투명금속전극으로 이루어지고,제 2영역은 반사막이 적층된 투명전극 또는 반사전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층중에서 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1영역 및 제 2영역을 구비한 절연기판을 제공하는 단계와;상기 제 1영역 및 제 2영역 각각에 상기 절연 기판의 상부에 위치하는 반도체층, 게이트 전극, 도전성 버퍼층을 갖는 소오스/드레인 전극으로 이루어진 다수의 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 기판 전면에 상기 박막트랜지스터들을 덮으며, 상기 드레인 전극이 노출된 다수의 제 1 비아홀을 갖는 패시베이션막을 형성하는 단계와;상기 제 1영역의 패시베이션막 상의 발광영역에 구비되는 반사막을 패턴하여 형성하는 단계와;상기 제 1영역 및 제 2영역 각각에 패시베이션막의 상부에 상기 노출된 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와;상기 화소전극의 소정 부분을 노출하는 개구부를 가지는 화소정의막을 형성하는 단계와;상기 화소전극 상부에 발광을 위한 적어도 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계와;상기 유기막층 상부에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
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KR1020040048550A KR100635070B1 (ko) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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KR1020040048550A KR100635070B1 (ko) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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KR1020040048550A KR100635070B1 (ko) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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- 2004-06-25 KR KR1020040048550A patent/KR100635070B1/ko active IP Right Grant
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