KR20240049738A - 표시 패널 및 이의 제조 방법. - Google Patents

표시 패널 및 이의 제조 방법. Download PDF

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KR20240049738A
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서연주
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Abstract

본 발명은 표시영역, 개구영역, 중간영역 및 상기 표시영역의 외측의 주변영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치된 무기절연층, 상기 주변영역의 상기 무기절연층 상에 배치된 뱅크 및 상기 뱅크의 상면의 적어도 일부 및 상기 뱅크의 측면들 중 상기 표시영역과 인접한 측면에 배치된 금속층을 포함하는, 표시 패널을 제공한다.

Description

표시 패널 및 이의 제조 방법. {Display panel and method for manufacturing display panel}
본 발명은 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 전자 기기가 폭 넓게 사용되고 있다. 전자 기기는 이동형 전자 기기와 고정형 전자 기기와 같이 다양하게 이용되고 있으며, 이러한 전자 기기는 다양한 기능을 지원하기 위해 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공할 수 있는 표시 장치를 포함한다.
최근 표시 장치를 구동하기 위한 기타 부품들이 소형화됨에 따라, 표시 장치가 전자 기기에서 차지하는 비중이 점차 증가하고 있는 추세이며 평평한 상태에서 소정의 각도를 갖도록 구부리거나 축을 중심으로 폴딩될 수 있는 구조도 개발되고 있다.
일반적으로 표시 장치는 표시 패널을 포함하고, 표시 패널은 이미지를 표시하는 표시영역 및 표시영역에 인접한 비표시영역인 주변영역을 포함한다. 이러한 표시 패널에 있어서 주변영역의 적어도 일부를 벤딩시킴으로써, 다양한 각도에서의 시인성을 향상시키거나 비표시영역의 면적을 줄일 수 있다.
종래에는 표시 패널의 고온 고습의 신뢰성 진행 시, 표시 패널이 포함하는 층들의 적어도 일부 또는 전극들이 산화될 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 표시 패널이 포함하는 층들의 적어도 일부 및 전극이 산화되는 것을 방지하는 표시 패널 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 표시영역, 개구영역, 중간영역 및 상기 표시영역의 외측의 주변영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치된 무기절연층, 상기 주변영역의 상기 무기절연층 상에 배치된 뱅크 및 상기 뱅크의 상면의 적어도 일부 및 상기 뱅크의 측면들 중 상기 표시영역과 인접한 측면에 배치된 금속층을 포함하는, 표시 패널이 제공된다.
본 실시예에 따르면, 상기 주변영역의 상기 무기절연층 상에 배치된 제1 댐을 더 포함하고, 상기 제1 댐은 상기 뱅크와 상기 표시영역 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 표시영역 상에 배치된 발광다이오드 및 상기 발광다이오드 상에 배치되며, 제1 무기봉지층, 상기 제1 무기봉지층 상의 제2 무기봉지층, 및 상기 제1 무기봉지층과 상기 제2 무기봉지층 사이에 배치되는 유기봉지층을 구비하는 봉지층을 더 포함하고, 상기 봉지층은 상기 표시영역에서 상기 주변영역으로 연장될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 유기봉지층은 상기 제1 댐에 의해 단절될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 무기봉지층 및 상기 제2 무기봉지층은 상기 뱅크의 상면에서 단절될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 뱅크의 상면에 배치된 상기 제1 무기봉지층 및 상기 제2 무기봉지층의 길이가 동일할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 뱅크의 상면에 배치된 상기 금속층의 길이는 상기 뱅크의 상면에 배치된 상기 제1 무기봉지층 및 상기 제2 무기봉지층의 길이와 동일할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 뱅크의 상면에 배치된 상기 금속층의 길이는 상기 뱅크의 상면에 배치된 상기 제1 무기봉지층 및 상기 제2 무기봉지층의 길이보다 길 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 금속층은 상기 뱅크 및 상기 제1 댐 사이에 노출된 무기절연층의 적어도 일부 상에도 배치될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 무기절연층의 상면으로부터 상기 뱅크의 상면까지의 높이는 상기 무기절연층의 상면으로부터 상기 제1 댐의 상면까지의 높이보다 클 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 금속층은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 금속층은 알루미늄, 타이타늄, 또는 텅스텐 중 적어도 하나와 산소의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 표시영역, 개구영역, 중간영역 및 상기 표시영역의 외측의 주변영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 무기절연층이 배치되는 단계, 상기 무기절연층 상에 뱅크를 형성하는 단계, 상기 기판 상에 금속층 형성용 물질이 연속적으로 덮어지는 단계 및 상기 금속층 형성용 물질이 패터닝 되어 뱅크의 상면의 적어도 일부 및 상기 뱅크의 측면들 중 표시영역과 인접한 측면에 금속층이 형성되는 단계를 포함하는, 표시 패널의 제조 방법이 제공될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 기판 상에 금속층 형성용 물질이 연속적으로 덮어지는 단계 이후에, 상기 금속층 형성용 물질이 패터닝 되어 상기 중간영역 상에 희생층이 형성되는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 금속층 형성용 물질이 패터닝 되어 상기 중간영역 상에 희생층이 형성되는 단계는, 상기 금속층 형성용 물질 상에 제1 포토레지스트가 연속적으로 덮어지는 단계, 상기 중간영역에서 그루브가 형성될 부분 상에 위치하는 제1 포토레지스트가 제거되는 단계, 상기 중간영역에서 상기 제1 포토레지스트가 덮여지지 않은 금속층 형성용 물질이 식각되는 단계 및 상기 제1 포토레지스트를 제거하여 상기 희생층이 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 금속층 형성용 물질이 패터닝 되어 상기 중간영역 상에 희생층이 형성되는 단계 이후에, 상기 중간영역에 제1 유기절연층 및 제2 유기절연층이 식각되어 상기 그루브가 형성되는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 뱅크의 상면의 적어도 일부 및 상기 뱅크의 측면들 중 상기 표시영역과 인접한 측면 상에 금속층이 형성되는 단계는, 상기 기판 상에 제2 포토레지스트가 연속적으로 덮어지는 단계, 상기 뱅크의 상면의 적어도 일부 및 상기 뱅크의 측면들 중상기 표시영역과 인접한 측면을 제외한 부분 상에 배치된 제2 포토레지스트가 제거되는 단계, 상기 제2 포토레지스트가 덮여지지 않은 상기 금속층 형성용 물질이 식각되는 단계 및 상기 제2 포토레지스트가 제거되어 상기 금속층이 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 금속층은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 금속층은 알루미늄, 타이타늄, 또는 텅스텐 중 적어도 하나와 산소의 화합물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 무기절연층 상에 뱅크를 형성하는 단계는, 상기 무지절연층 상에 배치된 제1 유기절연층, 제2 유기절연층, 화소정의막, 또는 스페이서를 패터닝하여 뱅크를 형성하는 단계일 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면 표시 패널이 포함하는 층들의 적어도 일부 또는 전극이 산화되는 것을 방지하는 표시 패널 및 이의 제조 방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시요소 및 이에 전기적으로 연결된 부화소회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 주변영역의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 10 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법에 대해 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, "A 및 B 중 적어도 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 사시도이다.
일 실시예에서, 표시 장치(1)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 내비게이션, UMPC (Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 기기뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 표시 장치(1)는 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 안경형 디스플레이, 및 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display, HMD)와 같이 웨어러블 장치(wearable device)에 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 표시 장치(1)는 자동차의 계기판, 및 자동차의 센터페시아(center fascia) 또는 대쉬보드에 배치된 CID(center Information Display), 자동차의 사이드 미러를 대신하는 룸 미러 디스플레이(room mirror display), 자동차의 뒷좌석용 엔터테인먼트로, 앞좌석의 배면에 배치되는 디스플레이로 사용될 수 있다. 도 1에서는 설명의 편의를 위하여 표시 장치(1)가 스마트 폰으로 사용되는 것을 도시한다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 개구영역(OA) 및 개구영역(OA)을 둘러싸는 표시영역(DA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)는 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에 위치하는 중간영역(MA), 및 표시영역(DA)의 외측, 예컨대 표시영역(DA)을 둘러싸는 주변영역(PA)을 포함할 수 있다. 중간영역(MA)은 평면상 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러싸는 폐루프 형상을 가질 수 있다.
개구영역(OA)은 표시영역(DA)의 내측에 위치할 수 있다. 일 실시예에서, 개구영역(OA)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시영역(DA)의 상측 중앙에 배치될 수 있다. 또는 개구영역(OA)은 표시영역(DA)의 좌상측에 배치되거나, 표시영역(DA)의 우상측에 배치되는 등 다양하게 배치될 수 있다. 도 1에서는 개구영역(OA)이 하나 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예에서 개구영역(OA)은 복수 개 구비될 수 있다.
도 1에서는 표시영역(DA)이 대략 직사각형의 형상을 갖는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 표시영역(DA)은 원형, 타원형, 다각형 등 다양한 형상으로 구비될 수 있다.
표시영역(DA)은 이미지를 표시하는 부분으로, 표시영역(DA)에는 복수의 부화소(PX)들이 배치될 수 있다. 각각의 부화소(PX)는 유기발광다이오드와 같은 표시요소를 포함할 수 있다. 각각의 부화소(PX)는 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 광을 방출할 수 있다.
표시영역(DA)은 부화소(PX)들에서 방출되는 광을 통해 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 본 명세서에서의 부화소(PX)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색 또는 백색 중 어느 하나의 색상의 광을 방출하는 발광영역으로 정의될 수 있다. 주변영역(PA)은 부화소(PX)들이 배치되지 않은 영역으로, 이미지를 제공하지 않는 영역일 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명한다. 하지만 본 발명의 표시 장치(1)는 이에 한정되지 않는다. 예컨대 본 발명의 표시 장치(1)는 무기 발광 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display 또는 무기 EL 표시 장치)이거나, 양자점 발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 표시 장치일 수 있다. 예컨대, 표시 장치(1)에 구비된 표시요소가 포함하는 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함할 수 있다. 그리고 발광층에서 방출되는 광의 경로 상에 양자점이 위치할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 1의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10) 및 컴포넌트(710)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 컴포넌트(710)는 표시 패널(10)의 하부(또는, 아래)에 배치될 수 있고, 컴포넌트(710)는 개구영역(OA)과 적어도 일부 중첩될 수 있다. 표시 패널(10) 및 컴포넌트(710)는 하우징(HS)에 수용될 수 있다.
표시 패널(10)은 이미지생성층(200), 터치센서층(400), 광학기능층(500) 및 커버윈도우(600)를 포함할 수 있다.
이미지생성층(200)은 이미지를 표시하기 위하여 빛을 방출하는 표시요소들을 포함할 수 있다. 표시요소는 발광다이오드, 예컨대 유기 발광층을 포함하는 유기발광다이오드를 포함할 수 있다.
터치센서층(400)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 터치센서층(400)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 신호선(trace line)들을 포함할 수 있다. 터치센서층(400)은 이미지생성층(200) 상에 배치될 수 있다. 터치센서층(400)은 뮤추얼 캡 방식 또는/및 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
터치센서층(400)은 이미지생성층(200) 상에 직접 형성되거나, 별도로 형성된 후 광학투명점착제(OCA, optical clear adhesive)와 같은 점착층을 통해 결합될 수 있다. 예컨대, 터치센서층(400)은 이미지생성층(200)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 형성될 수 있으며, 이 경우 점착층은 터치센서층(400)과 이미지생성층(200) 사이에 개재되지 않을 수 있다. 도 2에는 터치센서층(400)이 이미지생성층(200)과 광학기능층(500) 사이에 개재된 것을 도시하지만, 일 실시예에서 터치센서층(400)은 광학기능층(500) 상에 배치될 수도 있다.
광학기능층(500)은 반사방지층을 포함할 수 있다. 반사방지층은 커버윈도우(600)를 통해 외부에서 표시 패널(10)을 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사방지층은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 반사방지층은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 이미지생성층(200)의 발광다이오드들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다.
개구영역(OA)의 투과율을 향상시키기 위하여 표시 패널(10)은 표시 패널(10)을 구성하는 층들 중 일부를 관통하는 개구(10OP)를 포함할 수 있다. 개구(10OP)는 이미지생성층(200), 터치센서층(400) 및 광학기능층(500)을 각각 관통하는 개구(200OP, 400OP, 500OP)를 포함할 수 있다. 이미지생성층(200)의 개구(200OP), 터치센서층(400)의 개구(400OP) 및 광학기능층(500)의 개구(500OP)는 중첩하여 표시 패널(10)의 개구(100OP)를 형성할 수 있다.
커버윈도우(600)는 광학기능층(500) 상에 배치될 수 있다. 커버윈도우(600)는 광학기능층(500)과의 사이에 개재된 광학투명점착제(OCA)와 같은 점착층을 통해 결합될 수 있다. 커버윈도우(600)는 이미지생성층(200)의 개구(200OP), 터치센서층(400)의 개구(400OP) 및 광학기능층(500)의 개구(500OP)를 커버할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 광학투명점착제 및/또는 커버윈도우(600)도 개구를 포함할 수도 있다.
커버윈도우(600)는 글래스재 또는 플라스틱재를 포함할 수 있다. 글래스재는 초박형 글래스(Ultra-thin glass)를 포함할 수 있다. 플라스틱재는 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등을 포함할 수 있다.
개구영역(OA)은 표시 장치(1)에 다양한 기능을 부가하기 위한 컴포넌트(710)가 위치하는 일종의 컴포넌트영역(예, 센서영역, 카메라영역, 스피커영역 등)일 수 있다.
컴포넌트(710)는 전자요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(710)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소는, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 개구영역(OA)은 컴포넌트(710)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 영역에 해당한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(10)은 기판(100) 상에 배치된 제1 및 제2 스캔 구동부(20, 30), 단자부(40), 데이터 구동부(50), 및 전원공급라인을 포함할 수 있다. 전원공급라인은 구동전압공급라인(60) 및 공통전압공급라인(70)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 표시영역(DA)과, 표시영역(DA) 외측의 주변영역(PA)을 포함할 수 있다. 주변영역(PA)의 일부는 일측(예, y 방향)으로 연장될 수 있다. 연장된 주변영역(PA) 상에는 단자부(40), 데이터 구동부(50), 및 구동전압공급라인(60) 등이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 연장된 주변영역(PA)의 x 방향의 폭은 표시영역(DA)의 x 방향의 폭보다 작을 수 있다.
기판(100)은 연장된 주변영역(PA)의 일부분이 벤딩되는 벤딩영역(BA)을 포함할 수 있다. 벤딩영역(BA)을 기준으로 연장된 주변영역(PA)이 폴딩 됨에 따라 연장된 주변영역(PA)은 표시영역(DA)과 일부 중첩할 수 있다. 이러한 구조를 통해 연장된 주변영역(PA)이 사용자에게 시인되지 않거나 시인되더라도 그 시인되는 면적이 최소화되도록 할 수 있다.
표시영역(DA)에는 복수의 부화소(PX)들이 배치될 수 있다. 부화소(PX)들은 각각 유기발광다이오드와 같은 표시요소(DPE)에 의해 구현될 수 있다. 각 부화소(PX)는 예컨대 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 광을 방출할 수 있다.
표시영역(DA) 상의 부화소들(PX)을 구동하는 부화소회로들(PC) 각각은 표시요소(DPE), 예컨대 발광다이오드의 온/오프 및 휘도 등을 제어하기 위한 신호선 또는 전압선에 연결될 수 있다. 예컨대, 도 3은 신호선으로서 제 1방향(예, x 방향)으로 연장된 스캔선(SL) 및 제2 방향(예, y 방향)으로 연장된 데이터선(DL)을 도시하며, 전압선으로서 구동전압선(PL)을 도시한다.
부화소(PX)를 구동하는 부화소회로(PC) 각각은 주변영역(PA)에 배치된 외곽회로들과 전기적으로 연결될 수 있다. 주변영역(PA)에는 제1 및 제2 스캔 구동부(20, 30), 단자부(40), 데이터 구동부(50), 구동전압공급라인(60) 및 공통전압공급라인(70)이 배치될 수 있다.
제1 스캔 구동부(20) 및 제2 스캔 구동부(30)는 스캔선(SL)을 통해 각 부화소회로(PC)에 스캔 신호를 생성하여 전달할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스캔 구동부(20) 또는 제2 스캔 구동부(30) 중 어느 하나는 발광제어선을 통해 각 부화소회로(PC)에 발광 제어 신호를 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제2 스캔 구동부(20, 30)가 표시영역(DA)의 양측에 배치된 구조를 도시하나, 다른 실시예에서, 스캔 구동부는 표시영역(DA)의 일측에만 배치될 수도 있다. 제2 스캔 구동부(30)는 표시영역(DA)을 중심으로 제1 스캔 구동부(20)와 대칭적으로 배치될 수 있다.
데이터 구동부(50)는 데이터선(DL)을 통해 각 부화소회로(PC)에 데이터 신호를 생성하여 전달한다. 데이터 구동부(50)는 표시영역(DA)의 일측에 배치될 수 있으며, 표시영역(DA) 하측(예, y 방향)의 연장된 주변영역(PA)에 배치될 수 있다. 도 2에서는, 데이터 구동부(50)가 기판(100) 상에 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예로 데이터 구동부(50)는 단자부(40)에 접속하는 플렉서블 인쇄회로기판 상에 구비될 수도 있다.
단자부(40)는 기판(100)의 일 단부에 배치되며, 복수의 단자(41, 42, 43, 44)를 포함한다. 단자부(40)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어, 플렉서블 인쇄회로기판 또는 IC 칩 등과 같은 제어부와 전기적으로 연결될 수 있다. 제어부의 제어신호들은 단자부(40)를 통해 제1 스캔 구동부(20), 제2 스캔 구동부(30), 데이터 구동부(50), 구동전압공급라인(60), 및 공통전압공급라인(70)에 각각 제공될 수 있다.
구동전압공급라인(60)은 주변영역(PA)에 배치될 수 있다. 구동전압공급라인(60)은 구동전압(ELVDD)을 각 부화소(PX)에 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 구동전압공급라인(60)은 제1 구동전압공급라인(61), 제2 구동전압공급라인(62), 및 제3 구동전압공급라인(63)을 포함할 수 있다. 제3 구동전압공급라인(63)은 제1방향(예, x 방향)으로 연장될 수 있고, 제1 및 제2 구동전압공급라인(61, 62)은 제2방향(예, y 방향)으로 연장될 수 있다. 예컨대, 제3 구동전압공급라인(63)은 표시영역(DA)의 제1 에지(E1)를 따라 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 구동전압공급라인(61), 제2 구동전압공급라인(62), 및 제3 구동전압공급라인(63)은 일체로 구비될 수 있다. 예컨대, 구동전압공급라인(60)은 일체로서 '
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'(파이) 형상을 가질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
구동전압공급라인(60)은 주변영역(PA)에 배치되며, 제2 방향(예, y방향)을 따라 표시영역(DA)으로 연장되는 복수의 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 예컨대, 제3 구동전압공급라인(63)은 제2 방향(예, y방향)을 따라 표시영역(DA)을 가로지르는 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다.
공통전압공급라인(70)은 주변영역(PA)에 배치되며, 공통전압(ELVSS)을 각 부화소(PX)에 제공할 수 있다. 공통전압공급라인(70)은 표시영역(DA)의 제1 에지(E1)에 인접하게 배치된 제1 공통전압공급라인(71) 및 제2 공통전압공급라인(73)을 포함할 수 있다. 제1 공통전압공급라인(71) 및 제2 공통전압공급라인(73)은 제2 방향(예컨대, y 방향)으로 연장될 수 있다. 또한, 제1 공통전압공급라인(71) 및 제2 공통전압공급라인(73)은 제2방향(예컨대, y 방향)과 교차하는 제1 방향(예컨대, x 방향)으로 상호 이격되어 배치될 수 있다. 제1 공통전압공급라인(71)과 제2 공통전압공급라인(73)은 표시영역(DA)의 제1 에지(E1)의 양측에 각각 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 공통전압공급라인(70)은 제1 공통전압공급라인(71) 및 제2 공통전압공급라인(73) 사이에 배치된 제3 공통전압공급라인을 더 포함할 수 있다. 공통전압공급라인(70)이 제1 공통전압공급라인(71) 및 제2 공통전압공급라인(73) 사이에 배치된 제3 공통전압공급라인을 포함하는 경우, 제1 공통전압공급라인(71) 및 제2 공통전압공급라인(73)만 구비하는 경우에 비하여 전류 인가 시 전류 밀도를 낮출 수 있고 발열을 억제할 수 있다.
제1 공통전압공급라인(71) 및 제2 공통전압공급라인(73)은 표시영역(DA)의 제2 에지(E2), 제3 에지(E3), 및 제4 에지(E4)를 따라 연장된 바디부(75)에 의해 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 공통전압공급라인(71), 제2 공통전압공급라인(73), 및 바디부(75)는 일체로 형성될 수 있다.
한편, 주변영역(PA)에는 댐(DM)이 배치될 수 있다. 댐(DM)은 표시영역(DA)의 외곽을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 댐(DM)은 공통전압공급라인(70)의 외측에 배치되거나, 공통전압공급라인(70)과 일부 중첩하여 배치될 수 있다.
표시영역(DA)에는 부화소(PX)들을 덮도록 봉지층(300)이 배치되는데, 봉지층(300)의 일부는 주변영역(PA)으로 연장될 수 있다. 봉지층(300)은 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 다층 구조를 갖는데, 댐(DM)은 이러한 봉지층(300)에 포함된 유기봉지층 형성용 물질이 기판(100)의 에지 쪽으로 확산되는 것을 방지할 수 있고, 유기봉지층의 형성 위치를 한정할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 일 실시예에서, 표시 패널(10)은 개구영역(OA), 표시영역(DA), 중간영역(MA), 및 주변영역(PA)을 포함할 수 있다.
제1 스캔 구동부(20) 및 제2 스캔 구동부(30)는 전술한 바와 같이, 표시영역(DA)을 사이에 두고 양측에 각각 배치될 수 있다. 이 경우 개구영역(OA)을 중심으로 좌측에 배치된 부화소(PX)는 좌측에 배치된 제1 스캔 구동부(20)에 연결되고, 개구영역(OA)을 중심으로 우측에 배치된 부화소(PX)는 우측에 배치된 제2 스캔 구동부(30)에 연결될 수 있다.
중간영역(MA)은 개구영역(OA)을 둘러쌀 수 있다. 중간영역(MA)은 빛을 방출하는 발광다이오드와 같은 표시요소가 배치되지 않은 영역으로, 중간영역(MA)에는 개구영역(OA) 주변에 구비된 부화소(PX)들에 신호를 제공하는 신호선들이 지나갈 수 있다. 예컨대, 데이터선(DL)들 및/또는 스캔선(SL)들은 표시영역(DA)을 가로지르되, 데이터선(DL)들 및/또는 스캔선(SL)들의 일 부분들은 개구영역(OA)에 형성된 표시 패널(10)의 개구(10OP)의 에지를 따라 중간영역(MA)에서 우회될 수 있다. 일 실시예에서, 도 4는 데이터선(DL)들이 y 방향을 따라 표시영역(DA)을 가로지르되 일부 데이터선(DL)들이 중간영역(MA)에서 개구영역(OA)을 부분적으로 둘러싸도록 우회하는 것을 도시한다. 스캔선(SL)들은 x 방향을 따라 표시영역(DA)을 가로지르되, 개구영역(OA)을 사이에 두고 상호 이격될 수 있다. 즉, 동일한 행에 배치된 스캔선(SL)들은 개구영역(OA)을 사이에 두고 단선(또는, 단절, 분리)될 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시요소 및 이에 전기적으로 연결된 부화소회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도들이다.
도 5를 참조하면, 하나의 부화소(PX)는 부화소회로(PC) 및 부화소회로(PC)에 전기적으로 연결된 표시요소(DPE)로서, 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.
일 예로, 부화소회로(PC)는 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 및 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7)은 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 제1초기화 트랜지스터(T4), 동작제어 트랜지스터(T5), 발광제어 트랜지스터(T6) 및 제2초기화 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
유기발광다이오드(OLED)는 부화소전극 및 대향전극을 포함할 수 있으며, 유기발광다이오드(OLED)의 부화소전극은 발광제어 트랜지스터(T6)를 매개로 구동 트랜지스터(T1)에 연결되어 구동 전류를 제공받을 수 있고, 대향전극은 공통전압(ELVSS)을 제공받을 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 상응하는 휘도의 광을 생성할 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 모두 PMOS 트랜지스터일 수 있다. 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.
신호선은 제1 스캔선(SL1), 이전 스캔선(SLp), 이후 스캔선(SLn), 발광제어선(EL), 및 데이터선(DL)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 스캔선(SL1)은 제1 스캔신호(Sn)를 전달할 수 있다. 이전 스캔선(SLp)은 제1 초기화 트랜지스터(T4)에 이전 스캔신호(Sn-1)를 전달할 수 있다. 이후 스캔선(SLn)은 제2 초기화 트랜지스터(T7)에 이후 스캔신호(Sn+1)를 전달할 수 있다. 발광제어선(EL)은 동작제어 트랜지스터(T5) 및 발광제어 트랜지스터(T6)에 발광제어신호(EM)를 전달할 수 있다. 데이터선(DL)은 데이터신호(DATA)를 전달할 수 있다.
구동전압선(PL)은 구동 트랜지스터(T1)에 구동전압(ELVDD)을 전달할 수 있다. 초기화전압선(VIL)은 구동 트랜지스터(T1) 및 유기발광다이오드(OLED)를 초기화하는 초기화전압(VINT)를 전달할 수 있다. 구체적으로, 제1 초기화전압선(VIL1)은 제1 초기화 트랜지스터(T4)에 초기화전압(VINT)을 전달할 수 있으며, 제2 초기화전압선(VIL2)은 제2 초기화 트랜지스터(T7)에 초기화전압(VINT)을 전달할 수 있다.
구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극은 커패시터(Cst)와 연결되어 있고, 구동 트랜지스터(T1)의 소스영역과 드레인영역 중 어느 하나는 제1 노드(N1)를 통해 동작제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 구동 트랜지스터(T1)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 발광제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 부화소전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(T1)는 스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(DATA)를 전달받아 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(Ioled)를 공급할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 게이트전극은 제1 스캔신호(Sn)를 전달하는 제1 스캔선(SL1)에 연결되어 있고, 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 데이터선(DL)에 연결되어 있으며, 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제1 노드(N1)를 통해 구동 트랜지스터(T1)에 연결되면서 동작제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(T2)는 제1 스캔선(SL1)을 통해 전달받은 제1 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터신호(DATA)를 제1 노드(N1)를 통해 구동 트랜지스터(T1)로 전달하는 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
보상 트랜지스터(T3)의 보상 게이트전극은 제1 스캔선(SL1)에 연결될 수 있다. 보상 트랜지스터(T3)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 발광제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 부화소전극에 연결될 수 있다. 보상 트랜지스터(T3)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 커패시터(Cst) 및 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 연결될 수 있다. 보상 트랜지스터(T3)는 제1 스캔선(SL1)을 통해 전달받은 제1 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 구동 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킬 수 있다.
제1 초기화 트랜지스터(T4)의 제1 초기화 게이트전극은 이전 스캔선(SLp)에 연결될 수 있다. 제1 초기화 트랜지스터(T4)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 제1 초기화전압선(VIL1)에 연결될 수 있다. 제1 초기화 트랜지스터(T4)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 커패시터(Cst)의 제1 커패시터전극(CE1)과 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 연결될 수 있다. 제1 초기화 트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SLp)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 초기화전압(VINT)을 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 전달하여 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극의 전압을 초기화시키는 초기화동작을 수행할 수 있다.
동작제어 트랜지스터(T5)의 동작제어 게이트전극은 발광제어선(EL)에 연결되어 있으며, 동작제어 트랜지스터(T5)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 구동전압선(PL)과 연결되어 있고 다른 하나는 제1 노드(N1)를 통해 구동 트랜지스터(T1) 및 스위칭 트랜지스터(T2)에 연결될 수 있다.
발광제어 트랜지스터(T6)의 발광제어 게이트전극은 발광제어선(EL)에 연결되어 있고, 발광제어 트랜지스터(T6)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 구동 트랜지스터(T1) 및 보상 트랜지스터(T3)에 연결되어 있으며, 발광제어 트랜지스터(T6)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 유기발광다이오드(OLED)의 부화소전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
동작제어 트랜지스터(T5) 및 발광제어 트랜지스터(T6)는 발광제어선(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(EM)에 따라 동시에 턴-온되어, 구동전압(ELVDD)이 유기발광다이오드(OLED)에 전달되어 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(Ioled)가 흐르도록 할 수 있다.
제2 초기화 트랜지스터(T7)의 제2 초기화 게이트전극은 이후 스캔선(SLn)에 연결되어 있고, 제2 초기화 트랜지스터(T7)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 유기발광다이오드(OLED)의 부화소전극에 연결되어 있으며, 제2 초기화 트랜지스터(T7)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제2 초기화전압선(VIL2)에 연결되어, 초기화전압(VINT)을 제공받을 수 있다. 제2 초기화 트랜지스터(T7)는 이후 스캔선(SLn)을 통해 전달받은 이후 스캔신호(Sn+1)에 따라 턴-온되어 유기발광다이오드(OLED)의 부화소전극을 초기화시킬 수 있다. 이후 스캔선(SLn)은 제1 스캔선(SL1)과 동일할 수 있다. 이 경우 해당 스캔선은 동일한 전기적 신호를 시간차를 두고 전달하여, 제1 스캔선(SL1)으로 기능하기도 하고 이후 스캔선(SLn)으로 기능할 수도 있다. 일부 실시예에서, 제2 초기화 트랜지스터(T7)는 생략될 수 있다.
커패시터(Cst)는 구동전압선(PL) 및 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 연결되어, 양단 전압의 차에 대응하는 전압을 저장 및 유지함으로써 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 인가되는 전압을 유지할 수 있다.
일 실시예에 따른 부화소회로(PC) 및 표시요소인 유기발광다이오드(OLED)의 구체적 동작은 다음과 같다.
초기화 기간 동안, 이전 스캔선(SLp)을 통해 이전 스캔신호(Sn-1)가 공급되면, 이전 스캔신호(Sn-1)에 대응하여 제1 초기화 트랜지스터(T4)가 턴-온(Turn on)되며, 제1 초기화전압선(VIL1)으로부터 공급되는 초기화전압(VINT)에 의해 구동 트랜지스터(T1)가 초기화될 수 있다.
데이터 프로그래밍 기간 동안, 제1 스캔선(SL1)을 통해 제1 스캔신호(Sn)가 공급되면, 제1 스캔신호(Sn)에 대응하여 스위칭 트랜지스터(T2) 및 보상 트랜지스터(T3)가 턴-온될 수 있다. 이때, 구동 트랜지스터(T1)는 턴-온된 보상 트랜지스터(T3)에 의해 다이오드 연결되고, 순방향으로 바이어스 될 수 있다. 그러면, 데이터선(DL)으로부터 공급된 데이터신호(DATA)에서 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Threshold voltage, Vth)만큼 감소한 보상 전압(DATA+Vth, Vth는 (-)의 값)이 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 인가될 수 있다. 커패시터(Cst)의 양단에는 구동전압(ELVDD)과 보상 전압(DATA+Vth)이 인가되고, 커패시터(Cst)에는 양단 전압 차에 대응하는 전하가 저장될 수 있다.
발광 기간 동안, 발광제어선(EL)으로부터 공급되는 발광제어신호(EM)에 의해 동작제어 트랜지스터(T5) 및 발광제어 트랜지스터(T6)가 턴-온될 수 있다. 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극의 전압과 구동전압(ELVDD) 간의 전압차에 따르는 구동 전류가 발생하고, 발광제어 트랜지스터(T6)를 통해 구동전류(Ioled)가 유기발광다이오드(OLED)에 공급될 수 있다.
도 6을 참조하면, 부화소(PX)의 부화소회로(PC)는 복수의 박막트랜지스터들(T1-T7), 제1 커패시터(Cst), 제2 커패시터(Cbt), 표시요소로서 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.
복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 일부는 NMOS(n-channel MOSFET) 트랜지스터이고 나머지는 PMOS(p-channel MOSFET) 트랜지스터일 수 있다. 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 보상 트랜지스터(T3)와 제1초기화 트랜지스터(T4)는 NMOS 트랜지스터이고, 나머지는 PMOS 트랜지스터일 수 있다. 또는, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 보상 트랜지스터(T3), 제1 초기화 트랜지스터(T4) 및 제2 초기화 트랜지스터(T7)는 NMOS 트랜지스터이고, 나머지는 PMOS 트랜지스터일 수 있다. 또는, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 모두 NMOS 트랜지스터일 수 있다. 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 필요에 따라, NMOS인 트랜지스터는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
신호선은 제1 스캔신호(Sn')를 전달하는 제1 스캔선(SL1), 제2 스캔신호(Sn")를 전달하는 제2 스캔선(SL2), 제1 초기화 트랜지스터(T4)에 이전 스캔신호(Sn-1)를 전달하는 이전 스캔선(SLp), 동작제어 트랜지스터(T5)와 발광제어 트랜지스터(T6)에 발광제어신호(EM)를 전달하는 발광제어선(EL), 제2 초기화 트랜지스터(T7)에 이후 스캔신호(Sn+1)를 전달하는 이후 스캔선(SLn), 및 데이터신호(DATA)를 전달하는 데이터선(DL)을 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터(T1)는 동작제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)과 연결되고, 발광제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(T1)는 스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(DATA)를 전달받아 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(Ioled)를 공급할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T2)는 제1 스캔선(SL1) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 동작제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(T2)는 제1 스캔선(SL1)을 통해 전달받은 제1 스캔신호(Sn')에 따라 턴온되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터신호(DATA)를 제1 노드(N1)로 전달하는 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
보상 트랜지스터(T3)는 제2 스캔선(SL2)에 연결되며, 발광제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)와 연결된다. 보상 트랜지스터(T3)는 제2 스캔선(SL2)을 통해 전달받은 제2 스캔신호(Sn")에 따라 턴온되어 구동 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킴으로써 구동 트랜지스터(T1)의 문턱전압을 보상할 수 있다.
제1 초기화 트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SLp) 및 제1 초기화전압선(VIL1)에 연결되며, 이전 스캔선(SLp)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴온되어 제1 초기화전압선(VIL1)으로부터의 초기화전압(VINT)을 구동 트랜지스터(T1)의 게이트전극에 전달하여 구동 트랜지스터(T1)의 게이트전극의 전압을 초기화시킨다.
동작제어 트랜지스터(T5) 및 발광제어 트랜지스터(T6)는 발광제어선(EL)에 연결되며, 발광제어선(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(EM)에 따라 동시에 턴온되어 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)의 방향으로 구동전류(IOLED)가 흐를 수 있도록 전류 경로를 형성할 수 있다.
제2 초기화 트랜지스터(T7)는 이후 스캔선(SLn) 및 제2 초기화전압선(VIL2)에 연결되며, 이후 스캔선(SLn)을 통해 전달받은 이후 스캔신호(Sn+1)에 따라 턴온되어 제2 초기화전압선(VIL2)으로부터의 초기화전압(VINT)을 유기발광다이오드(OLED)로 전달하여 유기발광다이오드(OLED)를 초기화시킨다. 제2 초기화 트랜지스터(T7)는 생략될 수 있다.
제1 커패시터(Cst)는 제1 커패시터전극(CE1) 및 제2 커패시터전극(CE2)을 포함한다. 제1 커패시터전극(CE1)은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트전극에 연결되고, 제2 커패시터전극(CE2)은 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다. 제1 커패시터(Cst)는구동전압선(PL) 및 구동트랜지스터(T1)의 게이트전극의 양단 전압의 차에 대응하는 전압을 저장 및 유지함으로써 구동 트랜지스터(T1)의 게이트전극에 인가되는 전압을 유지할 수 있다.
제2 커패시터(Cbt)는 제3 커패시터전극(CE3) 및 제4 커패시터전극(CE4)을 포함한다. 제3 커패시터전극(CE3)은 제1 스캔선(SL1) 및 스위칭 트랜지스터(T2)의 게이트전극에 연결될 수 있다. 제4 커패시터전극(CE4)은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트전극 및 제1 커패시터(Cst)의 제1 커패시터전극(CE1)에 연결될 수 있다. 제2 커패시터(Cbt)는 부스팅 커패시터로서, 제1 스캔선(SL1)의 제1 스캔신호(Sn)가 스위칭 트랜지스터(T2)를 턴-오프시키는 전압인 경우, 제2 노드(N2)의 전압을 상승시켜 블랙 계조를 선명하게 표현할 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 적어도 하나는 산화물을 포함하는 반도체층을 포함하며, 나머지는 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함하는 반도체층을 포함할 수 있다.
구체적으로, 표시 장치(1)의 밝기에 직접적으로 영향을 미치는 제1 박막트랜지스터의 경우 높은 신뢰성을 갖는 다결정 실리콘으로 구성된 반도체층을 포함하도록 구성하며, 이를 통해 고해상도의 표시 장치를 구현할 수 있다.
한편, 산화물 반도체는 높은 캐리어 이동도(high carrier mobility) 및 낮은 누설전류를 가지므로, 구동 시간이 길더라도 전압 강하가 크지 않을 수 있다. 즉, 저주파 구동 시에도 전압 강하에 따른 화상의 색상 변화가 크지 않으므로, 저주파 구동이 가능할 수 있다.
이와 같이 산화물 반도체의 경우 누설전류가 적은 이점을 갖기에, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트전극에 연결되는 보상 트랜지스터(T3) 및 제1 초기화 트랜지스터(T4) 중 적어도 하나를 산화물 반도체로 채용하여 구동 트랜지스터(T1)의 게이트전극으로 흘러갈 수 있는 누설전류를 방지하는 동시에 소비전력을 줄일 수 있다.
부화소회로(PC)는 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 박막트랜지스터와 커패시터의 개수 및 회로 디자인에 한정되지 않으며, 그 개수 및 회로 디자인은 다양하게 변경 가능하다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 도시한 단면도이다. 구체적으로, 도 3의 II-II' 선에 따른 단면에 해당한다.
도 7을 참조하면, 표시 패널(10)은 기판(100), 무기절연층(IIL), 유기절연층(OIL), 부화소회로(PC), 연결전극(CM), 유기발광다이오드(OLED), 화소정의막(118), 스페이서(119), 및 봉지층(300)을 포함할 수 있다. 즉, 표시 패널(10)의 표시영역(DA) 상에는 기판(100), 무기절연층(IIL), 유기절연층(OIL), 부화소회로(PC), 연결전극(CM), 유기발광다이오드(OLED), 화소정의막(118), 스페이서(119), 및 봉지층(300)이 배치될 수 있다.
기판(100)은 제1 베이스층(100a), 제1 배리어층(100b), 제2 베이스층(100c), 및 제2 배리어층(100d)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 베이스층(100a), 제1 배리어층(100b), 제2 베이스층(100c), 및 제2 배리어층(100d)은 기판(100)의 두께 방향으로 차례로 적층될 수 있다.
제1 베이스층(100a) 및 제2 베이스층(100c) 중 적어도 하나는 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
제1 배리어층(100b) 및 제2 배리어층(100d)은 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로, 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산화물(SiO2), 및/또는 실리콘산질화물(SiON)과 같은 무기물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
기판(100) 상에는 버퍼층(111)이 배치될 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON) 및 실리콘산화물(SiO2)과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
무기절연층(IIL)은 버퍼층(111) 상에 배치될 수 있다. 무기절연층(IIL)은 제1 무기절연층(112), 제2 무기절연층(113), 및 제3 무기절연층(114)을 포함할 수 있다.
표시영역(DA)에는 부화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 부화소회로(PC)는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 및 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다.
반도체층(Act)은 버퍼층(111) 상에 배치될 수 있다. 반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)은 채널영역 및 채널영역의 양측에 각각 배치된 드레인영역 및 소스영역을 포함할 수 있다.
반도체층(Act) 상에는 게이트전극(GE)이 배치될 수 있다. 게이트전극(GE)은 채널영역과 중첩할 수 있다. 게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 타이타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 전술한 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에는 제1 무기절연층(112)이 배치될 수 있다. 제1 무기절연층(112)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 타이타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 징크산화물(ZnO)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
게이트전극(GE) 상에는 제2 무기절연층(113)이 배치될 수 있다. 제2 무기절연층(113)은 게이트전극(GE)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2 무기절연층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 타이타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 징크산화물(ZnO) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2 무기절연층(113) 상에는 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 커패시터전극(CE2)이 배치될 수 있다. 제2 커패시터전극(CE2)은 그 아래에 배치된 게이트전극(GE)과 중첩될 수 있다. 이때, 제2 무기절연층(113)을 사이에 두고 중첩하는 게이트전극(GE) 및 제2 커패시터전극(CE2)은 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 즉, 게이트전극(GE)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 커패시터전극(CE1)으로 기능할 수 있다.
이와 같이, 스토리지 커패시터(Cst)와 박막트랜지스터(TFT)가 중첩되어 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩되지 않도록 형성될 수 있다. 즉, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 커패시터전극(CE1)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)과 별도의 구성요소로서 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)과 이격되어 구비될 수 있다.
제2 커패시터전극(CE2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
제2 커패시터전극(CE2) 상에는 제3 무기절연층(114)이 배치될 수 있다. 제3 무기절연층(114)은 제2 커패시터전극(CE2)을 덮을 수 있다. 제3 무기절연층(114)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 징크산화물(ZnO) 등을 포함할 수 있다. 제3 무기절연층(114)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 각각 제3 무기절연층(114) 상에 위치할 수 있다. 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 각각 제1 무기절연층(112), 제2 무기절연층(113), 및 제3 무기절연층(114)에 구비된 콘택홀을 통해 반도체층(Act)과 연결될 수 있다. 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 전술한 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
유기절연층(OIL)은 무기절연층(IIL) 상에 배치될 수 있다. 유기절연층(OIL)은 제1 유기절연층(115) 및 제2 유기절연층(116)을 포함할 수 있다. 도 6에는 유기절연층(OIL)이 2개로 구비된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 유기절연층(OIL)은 3개 또는 4개로 구비될 수도 있다.
제1 유기절연층(115)은 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)을 덮을 수 있다. 제1 유기절연층(115)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다.
제1 유기절연층(115) 상에는 연결전극(CM)이 배치될 수 있다. 이때, 연결전극(CM)은 제1 유기절연층(115)의 콘택홀을 통해 드레인전극(DE) 또는 소스전극(SE)과 연결될 수 있다. 연결전극(CM)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 연결전극(CM)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 전술한 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 연결전극(CM)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
연결전극(CM) 상에는 제2 유기절연층(116)이 배치될 수 있다. 제2 유기절연층(116)은 연결전극(CM)을 덮을 수 있다. 제2 유기절연층(116)은 제1 유기절연층(115)과 동일한 물질로 구비되거나, 상이한 물질로 구비될 수 있다.
제2 유기절연층(116) 상에는 발광다이오드가 배치될 수 있다. 예컨대, 제2 유기절연층(116) 상에는 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있다. 또는, 도시되지는 않았으나, 제2 유기절연층(116) 상에는 무기발광다이오드 등이 배치될 수도 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 적색, 녹색, 또는 청색 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 부화소전극(211), 발광층(212b), 기능층(212f), 대향전극(213), 및 캡핑층(215)을 포함할 수 있다.
부화소전극(211)은 제2 유기절연층(116) 상에 배치될 수 있다. 부화소전극(211)은 제2 유기절연층(116)에 정의된 콘택홀을 통해 연결전극(CM)과 전기적으로 연결될 수 있다. 부화소전극(211)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 부화소전극(211)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 부화소전극(211)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 부화소전극(211)은 ITO/Ag/ITO의 다층 구조를 가질 수 있다.
부화소전극(211) 상에는 부화소전극(211)의 적어도 일부를 노출시키는 개구가 정의된 화소정의막(1118)이 배치될 수 있다. 화소정의막(118)에 정의된 개구에 의해 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 발광영역이 정의될 수 있다. 예를 들어, 개구의 폭이 발광영역의 폭에 해당할 수 있다.
화소정의막(118)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 또는 화소정의막(118)은 실리콘나이트라이드나 실리콘옥시나이트라이드, 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(118)은 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 화소정의막(118)은 광차단 물질을 포함할 수 있다. 광차단 물질은 카본 블랙, 탄소나노튜브, 블랙 염료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대, 니켈, 알루미늄, 몰리브덴, 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예컨대, 크롬 산화물) 또는 금속 질화물 입자(예컨대, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 화소정의막(118)이 광차단 물질을 포함하는 경우, 화소정의막(118)의 하부에 배치된 금속 구조물들에 의한 외광 반사를 줄일 수 있다.
화소정의막(118) 상에는 스페이서(119)가 배치될 수 있다. 스페이서(119)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(119)는 실리콘질화물(SiNX)나 실리콘산화물(SiO2)과 같은 무기절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 스페이서(119)는 화소정의막(118)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 화소정의막(118)과 스페이서(119)는 하프 톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다. 또는, 스페이서(119)와 화소정의막(118)은 다른 물질을 포함할 수 있다.
발광층(212b)은 화소정의막(118)의 개구에 배치될 수 있다. 발광층(212b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다.
기능층(212f)은 제1 기능층(212a) 및 제2 기능층(212c)을 포함할 수 있다. 제1 기능층(212a)은 부화소전극(211)과 발광층(212b) 사이에 배치될 수 있고, 제2 기능층(212c)은 발광층(212b)과 대향전극(213) 사이에 배치될 수 있다. 다만, 제1 기능층(212a) 또는 제2 기능층(212c) 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다. 이하에서는, 제1 기능층(212a) 및 제2 기능층(212c)이 각각 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제1 기능층(212a)은 홀 수송층 (HTL: Hole Transport Layer) 및/또는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2 기능층(212c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제1 기능층(212a) 및/또는 제2 기능층(212c)은 후술할 대향전극(213)과 마찬가지로 기판(100)을 전체적으로 커버하도록 형성되는 공통층일 수 있다.
기능층(212f) 상에는 대향전극(213)이 배치될 수 있다. 대향전극(213)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(213)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(213)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 대향전극(213) 상에 캡핑층(215)이 배치될 수 있다. 캡핑층(215)은 LiF, 무기물, 또는/및 유기물을 포함할 수 있다.
유기발광다이오드(OLED) 상에는 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 봉지층(300)은 유기발광다이오드(OLED)를 덮을 수 있다. 봉지층(300)은 대향전극(213) 및/또는 캡핑층(215) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 봉지층(300)은 적어도 하나의 무기막층 및 적어도 하나의 유기막층을 포함할 수 있다. 도 6은 봉지층(300)이 순차적으로 적층된 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2 무기봉지층(330)을 포함하는 것을 도시한다.
제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330) 은 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 유기봉지층(320)은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다.
봉지층(300) 상에는 입력감지층(48)이 배치될 수 있다. 입력감지층(48)은 제1 터치절연층(410), 제2 터치절연층(420), 제1 도전층(430), 제3 터치절연층(440), 제2 도전층(450), 및 평탄화층(460)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 무기봉지층(330) 상에 제1 터치절연층(410)이 배치될 수 있고, 제1 터치절연층(410) 상에 제2 터치절연층(420)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 터치절연층(410)과 제2 터치절연층(420)은 무기절연물 및/또는 유기절연물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 터치절연층(410)과 제2 터치절연층(420)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및/또는 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 터치절연층(410) 및 제2 터치절연층(420) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다. 예컨대, 제1 터치절연층(410)이 생략될 수 있다. 이 경우, 제2 무기봉지층(330) 상에 제2 터치절연층(420)이 배치될 수 있고, 제2 터치절연층(420) 상에 제1 도전층(430)이 배치될 수 있다.
제2 터치절연층(420) 상에는 제1 도전층(430)이 배치될 수 있고, 제1 도전층(430) 상에는 제3 터치절연층(440)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제3 터치절연층(440)은 무기절연물 및/또는 유기절연물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제3 터치절연층(440)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및/또는 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있다.
제3 터치절연층(440) 상에는 제2 도전층(450)이 배치될 수 있다. 입력감지층(48)의 터치전극(TE)은 제1 도전층(430) 및 제2 도전층(450)이 접속된 구조로 구비될 수 있다. 또는, 터치전극(TE)은 제1 도전층(430) 및 제2 도전층(450) 중 어느 하나의 층에 형성될 수 있으며, 해당 도전층에 구비된 메탈라인을 포함할 수 있다. 제1 도전층(430) 및 제2 도전층(450)은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 인듐틴산화물(ITO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 도전층(430) 및 제2 도전층(450)은 각각 티타늄층/알루미늄층/티타늄층의 3층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 평탄화층(460)은 제2 도전층(450)을 덮을 수 있다. 평탄화층(460)은 유기절연물을 포함할 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)의 주변영역(PA)의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다. 구체적으로, 도 3에서 표시 패널(10)을 Ш- Ш '에서 바라본 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 표시 패널(10)의 주변영역(PA) 상에는 기판(100)이 배치될 수 있다. 기판(100) 상에는 무기절연층(IIL)이 배치될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 무기절연층(IIL)은 제1 무기절연층(112), 제2 무기절연층(113) 및 제3 무기절연층(114)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
표시 패널(10)의 주변영역(PA) 상에 배치된 무기절연층(IIL)의 적어도 일부 상에는 공통전압(ELVSS)을 공급하는 전극(800)이 배치될 수 있다. 구체적으로, 주변영역(PA) 상에 배치된 무기절연층(IIL) 중 표시영역(DA)에 인접한 부분의 적어도 일부 상에는 공통전압(ELVSS)을 공급하는 전극(800)이 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 표시 패널(10)의 주변영역(PA) 상에는 제1 댐(610), 제2 댐(620), 및 뱅크(630)가 배치될 수 있다. 무기절연층(IIL) 상에는 제1 유기절연층(115), 제2 유기절연층(116), 화소정의막(118) 및 스페이서(119)가 배치될 수 있다. 표시 패널(10)의 주변영역(PA) 상에 배치된 1 유기절연층(115), 제2 유기절연층(116), 화소정의막(118) 또는 스페이서(119)가 패터닝 되어 제1 댐(610), 제2 댐(620) 및 뱅크(630)가 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이, 댐(610, 620)은 유기봉지층(320) 형성용 물질이 기판(100)의 에지 쪽으로 확산되는 것을 방지하고, 유기봉지층(320)의 형성 위치를 한정할 수 있다. 뱅크(630)는 표시 패널(10)의 하단부에 위치하며, 표시 패널(10)이 형성되는 공정에서 마스크와 접촉되어 마스크를 지지해주는 역할을 할 수 있다.
무기절연층(IIL)의 상면으로부터 뱅크(630)의 상면까지의 높이는 무기절연층(IIL)의 상면으로부터 제1 댐(610)의 상면까지의 높이보다 클 수 있다. 또한, 무기절연층(IIL)의 상면으로부터 뱅크(630)의 상면까지의 높이는 무기절연층(IIL)의 상면으로부터 제2 댐(620)의 상면까지의 높이보다 클 수 있다. 무기절연층(IIL)의 상면으로부터 뱅크(630)의 상면까지의 높이가 무기절연층(IIL)의 상면으로부터 제1 댐(610) 및/또는 제2 댐(620)의 상면까지의 높이보다 크게 구비되어, 뱅크(630)가 표시 패널(10)이 형성되는 공정에서 마스크와 접촉되어 마스크를 지지해줄 수 있다. 무기절연층(IIL)의 상면으로부터 제1 댐(610)의 상면까지의 높이는 무기절연층(IIL)의 상면으로부터 제2 댐(620)의 상면까지의 높이보다 클 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 제1 댐(610)은 뱅크(630)와 표시영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 제2 댐(620)은 제1 댐(610)과 표시영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 제1 댐(610)은 뱅크(630)와 제2 댐(620) 사이에 배치될 수 있다. 제2 댐(620)은 표시 패널(10)의 표시영역(DA)과 가장 인접하게 배치될 수 있다. 또한, 뱅크(630)는 표시 패널(10)의 표시영역(DA)과 가장 이격되어 배치될 수 있다. 다시 말해, 뱅크(630), 제1 댐(610), 및 제2 댐(620)은 주변영역(PA)에서 표시영역(DA)을 향하는 방향으로 차례로 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 댐(610)은 제2 유기절연층(116)의 일부분(116a), 화소정의막(118)의 일부분(118a) 및 스페이서(119)의 일부분(119a)를 포함할 수 있다. 다시 말해, 제2 유기절연층(116), 화소정의막(118) 및 스페이서(119)가 패터닝되어 제1 댐(610)이 형성될 수 있다. 제2 댐(620)은, 화소정의막(118)의 일부분(118b), 및 스페이서(119b)를 포함할 수 있다. 다시 말해, 화소정의막(118), 및 스페이서(119)가 패터닝 되어 제2 댐(620)이 형성될 수 있다. 뱅크(630)는 제1 유기절연층(115)의 일부분(115c), 제2 유기절연층(116)의 일부분(116c), 화소정의막(118)의 일부분(118c), 및 스페이서(119)의 일부분(119c)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 제1 유기절연층(115), 제2 유기절연층(116), 화소정의막(118) 및 스페이서(119)가 패터닝되어 뱅크(630)가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 뱅크(630)의 하단에 배치된 무기절연층(IIL)에는 개구(IILOP)가 형성될 수 있다. 뱅크(630)의 하단에 배치되 무기절연층(IIL)의 개구(IILOP)는 제1 유기절연층(115)의 일부분(115c)으로 채워질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 표시 패널(10)의 주변영역(PA) 상에 배치된 제1 댐(610), 제2 댐(620) 및 뱅크(630) 상에 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)이 배치될 수 있다. 또한, 제1 댐(610)과 제2 댐(620) 사이에 노출된 공통전압(ELVSS)을 공급하는 전극(800) 및 뱅크(630)와 제2 댐(620) 사이에 노출된 무기절연층(IIL) 상에 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)이 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 표시 패널(10)의 표시영역(DA) 상에도 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)이 배치될 수 있다. 다시 말해, 표시 패널(10)의 표시영역(DA) 상에 배치된 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 주변영역(PA)으로 연장되어 배치될 수 있다. 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 뱅크(630)의 상면에서 단절될 수 있다. 뱅크(630)의 상면에서 단절된 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)의 끝단은 동일할 수 있다. 다른 표현으로, 뱅크(630)의 상면에 배치된 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)의 길이는 동일할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
봉지층(300)은 제1 무기봉지층(310), 제2 무기봉지층(330), 및 유기봉지층(320)을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330) 사이에 배치될 수 있다. 유기봉지층(320)도 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)과 같이 표시영역(DA)에서 주변영역(PA)으로 연장되어 배치될 수 있다. 다만, 유기봉지층(320)은 제2 댐(620)에 의해 단절될 수 있다. 유기봉지층(320)이 제2 댐(620)에 의해 단절되어, 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)이 제2 댐(620)의 상면에서부터 뱅크(630)의 상면까지 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 다른 표현으로, 제2 댐(620)의 상면에서부터 뱅크(630)의 상면까지 제2 무기봉지층(330)은 제1 무기봉지층(310)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 유기봉지층(320)은 제1 댐(610)에 의해 단절될 수 있다.
표시 패널(10)이 형성된 후, 고온 고습 신뢰성 진행 시 표시 패널(10)이 포함하는 층들의 적어도 일부 및 전극들이 산화될 수 있다. 표시 패널(10)의 뱅크(630)로 수분이 투습되면 뱅크(630)의 끝단을 이루는 유기봉지층들(115, 116)의 일부부들(115c, 116c)이 팽창될 수 있다. 또한, 표시 패널(10)의 뱅크(630)로 수분이 투습되면 뱅크(630)의 끝단 상에 배치된 제1 무기봉지층(310)이 산화될 수 있다. 제1 무기봉지층(310)의 산화로 뱅크(630)의 끝단에서부터 표시영역(DA)을 향하는 방향으로 제1 무기봉지층(310)과 무기절연층(IIL) 사이에 접착력이 감소될 수 있다. 제1 무기봉지층(310)과 무기절연층(IIL) 사이에 접착력이 감소되면 제1 무기봉지층(310)과 무기절연층(IIL)이 분리될 수 있고 무기절연층(IIL)에 미세한 손상이 발생할 수 있다. 무기절연층(IIL)의 손상으로 인해 수분의 투습이 가속되어, 무기절연층(IIL)에 배치된 전극까지 산화될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 표시 패널(10)의 주변영역(PA)에도 무기절연층(IIL)에 전극들이 배치될 수 있다. 표시 패널(10)에 포함된 전극들의 산화의 원인인 제1 무기봉지층(310)의 산화를 방지하기 위해서는 제1 무기봉지층(310)이 수분과 차단될 수 있는 구조가 필요할 수 있다.
일 실시예에서, 뱅크(630) 상에는 금속층(700)이 형성될 수 있다. 다른 표현으로, 뱅크(630) 상에 배치된 제1 무기봉지층(310)이 수분과 차단되기 위해 제1 무기봉지층(310)의 하면에 직접적으로 접촉되는 금속층(700)이 배치될 수 있다. 구체적으로, 뱅크(630)의 상면의 적어도 일부 및 뱅크(630)의 측면들 중 표시영역(DA)과 인접한 측면(630IS)에 금속층(700)이 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 뱅크(630)의 상면에 배치된 금속층(700)의 길이는 뱅크(630)의 상면에 배치된 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)의 길이와 동일할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 뱅크(630)의 상면에 배치된 금속층(700)의 길이는 뱅크(630)의 상면에 배치된 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)의 길이보다 길 수 있다.
일 실시예에서, 금속층(700)은 뱅크(630)의 상면의 적어도 일부 및 뱅크(630)의 측면들 중 표시영역(DA)을 향하는 방향으로의 측면(630IS) 뿐만 아니라 뱅크(630) 및 제1 댐(610) 사이에 노출된 무기절연층(IIL) 상에도 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 금속층(700)은 뱅크(630)와 제1 댐(610) 사이에 노출된 무기절연층(IIL) 뿐만 아니라 제2 댐(620) 상에도 배치될 수 있다. 다시 말해, 금속층(700)은 표시영역(DA)을 향하는 방향으로 더 연장되게 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 금속층(700)은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 구체적으로 금속층은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 또는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide, ITO)를 포함할 수 있다. 또한, 금속층(700)은 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 또는 텅스텐(W) 중 적어도 하나와 산소(O)의 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속층(700)은 알루미늄 산화물(AlOX), 타이타늄 산화물(TiOX), 및 텅스텐 산화물(WOX) 중 하나를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 금속층(700)의 두께는 약 10 이상 약 1000 이하 일 수 있다. 예를 들어, 금속층의 두께는 약 500 일 수 있다. 금속층(700)의 두께가 약 1,000 를 초과할 경우, 금속층(700)을 식각하는 공정에서 많은 시간이 소요될 수 있고, 표시 장치의 제조 비용이 증가할 수 있다. 금속층(700)의 두께가 약 10 미만일 경우, 제1 무기봉지층(310)의 산화를 방지하지 못할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 10 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)의 제조 방법에 대해 개략적으로 나타낸 단면도들이다. 구체적으로, 도 4에 도시된 표시 패널(10)을 ш-ш' 선에서 바라본 단면도와 도 3에 도시된 표시 패널(10)을 IV - IV' 선에서 바라본 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 10 내지 도 19에 각각 포함된 두 개의 도면들(예를 들어, 도 10A 및 도 10B)은 동일한 공정 순서에 따른 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 10 내지 도 19를 참조하면, 표시 패널(10)의 제조 방법은 표시영역(DA), 개구영역(OA), 중간영역(MA) 및 상기 표시영역(DA)의 외측의 주변영역(PA)을 포함하는 기판(100)을 준비하는 단계, 기판(100) 상에 무기절연층(IIL)이 배치되는 단계, 무기절연층(IIL) 상에 뱅크(630)를 형성하는 단계, 기판(100) 상에 금속층 형성용 물질(701)이 연속적으로 덮어지는 단계 및 금속층 형성용 물질(701)이 패터닝 되어 뱅크(630)의 상면의 적어도 일부 및 뱅크(630)의 측면들 중 표시영역과 인접한 측면(630IS)에 금속층(700)이 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
도 10A 및 도 10B를 참조하면, 표시 패널(10)의 주변영역(PA), 개구영역(OA), 및 중간영역(MA)에는 기판(100) 상에 무기절연층(IIL)이 배치될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 물론 표시영역(DA)에도 기판(100) 상에 무기절연층(IIL) 등이 배치될 수 있다. 무기절연층(IIL)은 제1 무기절연층(112), 제2 무기절연층(113), 및 제3 무기절연층(114)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)의 주변영역(PA)에서 무기절연층(IIL) 상에 제1 유기절연층(115), 제2 유기절연층(116), 화소정의막(118), 및 스페이서(119)가 배치될 수 있다. 제1 유기절연층(115), 제2 유기절연층(116), 화소정의막(118), 또는 스페이서(119)가 패터닝되어 제1 댐(610), 제2 댐(620), 및 뱅크(630)가 형성될 수 있다. 다른 표현으로, 제1 댐(610)은 유기절연층(116)의 일부분(116a), 화소정의막(118)의 일부분(118a) 및 스페이서(119)의 일부분(119a)를 포함할 수 있고, 제2 댐(620)은 제2 화소정의막(118)의 일부분(118b), 및 스페이서(119)의 일부분(119b)을 포함할 수 있다. 또한, 뱅크(630)는 제1 유기절연층(115)의 일부분(115c), 제2 유기절연층(116)의 일부분(116c), 화소정의막(118)의 일부분(118c), 및 스페이서(119)의 일부분(119c)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 뱅크(630)의 하단부를 이루는 제1 유기절연층(115)의 일부분(115c)은 무기절연층(IIL)에 정의된 개구(IILOP)에 채워질 수 있다.
일 실시예에서, 표시 패널(10)의 중간영역(MA)에는 무기절연층(IIL) 상에 보호층(117)이 형성될 수 있다. 보호층(117)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)의 중간영역(MA)에 배치된 보호층(117)은 중간영역(MA)에 배치된 제1 유기절연층(115) 및 제2 유기절연층(116)을 식각하여 그루브(G)가 형성될 때, 에치 스토퍼로서의 역할을 할 수 있다. 보호층(117)은 하부에 위치하는 무기절연층(IIL) 및 기판(100)이 식각되는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 보호층(117) 상에는 제4 절연층(128)이 배치될 수 있다. 제4 절연층(128)은 표시 패널(10)의 중간영역(MA)의 적어도 일부 상에 배치될 수 있다. 제4 절연층(128)은 중간영역(MA)에서 그루브(G)가 형성될 부분을 사이에 두고 이격되어 배치될 수 있다. 제4 절연층(128) 상에는 제1 유기절연층(115)이 배치될 수 있다. 제1 유기절연층(115) 상에는 연결전극(CM)이 배치될 수 있는데, 연결전극(CM)은 중간영역(MA)의 적어도 일부 상에 배치될 수 있다. 연결전극(CM)은 중간영역(MA)에서 그루브(G)가 형성될 부분 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 연결전극(CM) 상에는 제2 유기절연층(116)이 배치될 수 있다. 제2 유기절연층(116) 또한, 중간영역(MA)의 적어도 일부 상에 배치될 수 있다. 제2 유기절연층(116)은 개구영역(OA)에서 홀이 형성될 부분을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 11 내지 도 14는, 표시 패널(10)의 중간영역(MA) 상에 희생층(703)이 형성되는 단계를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 11 내지 도 14를 참조하면, 중간영역(MA) 상에는 희생층(703)이 배치될 수 있다. 표시 패널(10)의 중간영역(MA)에 그루브(G)가 형성되기 위해서는, 중간영역(MA)에 배치된 제1 유기절연층(115) 및 제2 유기절연층(116)이 식각될 수 있다. 중간영역(MA)에 그루브(G)가 형성될 부분을 제외한 제1 유기절연층(115) 및 제2 유기절연층(116)이 식각되지 않기 위해서는 제2 유기절연층(116) 상에 희생층(703)이 배치될 수 있다. 희생층(703)이 배치되어 중간영역(MA)에 그루브(G)가 형성될 부분에 배치된 제1 유기절연층(115) 및 제2 유기절연층(116)만 식각될 수 있다.
일 실시예에서, 표시 패널(10)의 주변영역(PA) 및 중간영역(MA) 상에는 금속층 형성용 물질(701)이 연속적으로 배치될 수 있다. 다른 표현으로, 표시 패널(10)의 주변영역(PA) 및 중간영역(MA) 상에는 금속층 형성용 물질(701)이 연속적으로 덮어질 수 있다. 주변영역(PA) 상에 배치된 금속 형성용 물질(701)은 뱅크(630)의 상면 및 뱅크(630)의 측면 중 표시영역(DA)과 인접한 측면(630IS) 상에 배치된 금속층(700)을 이룰 수 있다. 또한, 중간영역(MA) 상에 배치된 금속층 형성용 물질(701)은 중간영역(MA) 상에 배치된 희생층(703)을 이룰 수 있다. 다른 표현으로, 뱅크(603)의 상면 및 뱅크(603)의 측면 중 표시영역(DA)과 인접한 측면(603IS) 상에 배치된 금속층(700) 및 중간영역(MA) 상에 배치된 희생층(703)을 이루는 금속층 형성용 물질(701)은 동일한 공정에서 동시에 도포될 수 있다. 표시 패널(10)의 중간영역(MA) 뿐만 아니라 주변영역(PA)에도 금속층 형성용 물질(701)이 동시에 도포될 수 있어, 주변영역(PA)에 배치된 금속층(700)을 마스크 추가 없이 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 표시 패널(10)의 주변영역(PA) 및 중간영역(MA) 상에 배치된 금속층 형성용 물질(701) 상에는 제1 포토레지스트(PR1)가 연속적으로 배치될 수 있다. 다른 표현으로, 표시 패널(10)의 주변영역(PA) 및 중간영역(MA) 상에 배치된 금속층 형성용 물질(701) 상에는 제1 포토레지스트(PR1)가 연속적으로 덮어질 수 있다. 제1 포토레지스트(PR1)는 표시 패널(10)의 중간영역(MA) 상에 희생층(703)을 형성하기 위한 것일 수 있다. 주변영역(PA) 및 중간영역(MA) 상에 배치된 제1 포토레지스트(PR1) 중 중간영역(MA)에 그루브(G)가 형성될 부분 상에 배치된 제1 포토레지스트(PR1)는 제거될 수 있다. 다른 표현으로, 중간영역(MA) 상에 희생층(703)이 형성될 부분을 제외한 부분 상에 배치된 제1 포토레지스트(PR1)는 제거될 수 있다. 이후에, 중간영역(MA)에서 제1 포토레지스트(PR1)가 덮여지지 않은 금속층 형성용 물질(701)이 식각될 수 있다. 제1 포토레지스트(PR1)는 희생층(703)이 위치할 부분에 배치된 금속층 형성용 물질(701)이 식각되지 않게 보호할 수 있다. 구체적으로, 중간영역(MA)에서 제1 포토레지스트(PR1)가 덮여지지 않은 금속층 형성용 물질(701)은 습식 식각될 수 있다. 제1 포토레지스트(PR1)는 제거되어, 중간영역(MA) 상에 희생층(703)이 형성될 수 있다.
도 15A 및 도 15B는 표시 패널(10)의 중간영역(MA)에 그루브(G)가 형성되는 단계를 개략적으로 나타낸 것이다. 도 15A 및 도 15B를 참조하면, 표시 패널(10)의 중간영역(MA)에는 그루브(G)가 형성될 수 있다. 중간영역(MA) 상에 배치된 그루브(G)는 개구영역(OA)으로부터 표시영역(DA)으로 수분이나 산소가 투습되는 것을 방지할 수 있다. 중간영역(MA)에 배치된 제1 유기절연층(115) 및 제2 유기절연층(116)이 식각되어 중간영역(MA)에 그루브(G)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 중간영역(MA)의 그루브(G)은 건식 식각을 통해서 형성될 수 있다. 중간영역(MA)에 배치된 희생층(703)은 그루브(G)를 제외한 부분에 배치된 제1 유기절연층(115) 및 제2 유기절연층(1116)이 식각되는 것을 방지할 수 있다. 기판(100) 상에 배치된 보호층(117)은 그루브(G) 형성되는 공정에서 에치 스트퍼로서, 보호층(117) 이하에 배치된 무기절연층(IIL) 및 기판(100)이 식각되는 것을 방지할 수 있다. 일반적인 표시 패널(10)의 공정에서는 중간영역(MA)에서 그루브(G)가 형성된 후에 희생층(703)이 제거될 수 있다. 다만, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 패널(10)의 주변영역(PA)에서 뱅크(630)의 상면 및 뱅크(630)의 표시영역(DA)과 인접한 측면(630IS) 상에 금속층(700)을 형성하기 위해 희생층(703)이 제거되지 않을 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 16 내지 도 19는 표시 패널(10)의 주변영역(PA)에서 뱅크(630)의 상면의 적어도 일부 및 뱅크(630)의 측면들 중 표시영역(DA)과 인접한 측면(630IS) 상에 금속층(700)이 배치되는 단계를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 16 내지 도 19를 참조하면, 기판(100) 상에 제2 포토레지스트(PR2)가 연속적으로 배치될 수 있다. 구체적으로, 중간영역(MA)의 그루브(G)의 내측면 및 중간영역(MA) 상에 배치된 희생층(703) 상에 제2 포토레지스트(PR2)가 연속적으로 배치될 수 있다. 또한, 주변영역(PA) 상에 배치된 금속층 형성용 물질(701) 상에 제2 포토레지스트(PR2)가 연속적으로 배치될 수 있다. 제2 포토레지스트(PR2)는 뱅크(630)의 상면 및 뱅크(630)의 측면들 중 표시영역(DA)과 인접한 측면(630IS) 상에 금속층(700)을 형성하기 위한 것일 수 있다.
일 실시예에서, 뱅크(630)의 상면 및 뱅크(630)의 측면들 중 표시영역(DA)과 인접한 측면(630IS)을 제외한 부분 상에 배치된 제2 포토레지스트(PR2)는 제거될 수 있다. 다른 표현으로, 뱅크(630)의 상면 및 뱅크(630)의 측면들 중 표시영역(DA)과 인접한 측면(630IS) 상에 금속층(700)이 형성될 부분을 제외한 부분 상에 배치된 제2 포토레지스트(PR2)는 제거될 수 있다. 제2 포토레지스트(PR2)가 배치된 부분을 제외한 부분에 배치된 금속층 형성용 물질(701)은 식각될 수 있다. 구체적으로, 상면에 제2 포토레지스트(PR2)가 배치되지 않은 금속층 형성용 물질(701)은 습식 식각 될 수 있다. 중간영역(MA) 상에 배치된 희생층(703) 또한 식각되어 제거될 수 있다. 제2 포토레지스트(PR2)는 하면에 배치된 금속층 형성용 물질(701) 식각되는 것을 방지할 수 있다.
기판(100) 상에 배치된 제2 포토레지스트(PR2)는 제거될 수 있다. 구체적으로, 뱅크(630)의 상면 및 뱅크(630)의 측면들 중 표시영역(DA)과 인접한 측면(630IS)에 배치된 제2 포토레지스트(PR2)는 제거될 수 있다. 뱅크(630)의 상면 및 뱅크(630)의 측면들 중 표시영역(DA)과 인접한 측면(630IS) 상에 금속층(700)이 형성될 수 있다. 도 19에서는 뱅크(630)의 상면 및 뱅크(630)의 측면들 중 표시영역(DA)과 인접한 측면 상에 금속층(700)이 형성된 것을 도시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 금속층(700)은 표시영역(DA)을 향하는 방향으로 연장되어 뱅크(630)와 제2 댐(620) 사이에 노출된 무기절연층(IIL) 상에 배치될 수 있다.
표시 패널의 고온 고습의 신뢰성 진행 시, 주변영역 상에 배치된 뱅크에 수분이 투습될 수 있다. 뱅크에 투습된 수분은 뱅크의 끝단을 이루는 유기절연층들을 팽창시키고, 뱅크의 끝단 상에 배치된 제1 무기봉지층을 산화시킬 수 있다. 제1 무기봉지층이 산화되어 제1 무기봉지층 및 무기절연층 사이에 접착력이 감소될 수 있고, 제1 무기봉지층 및 무기절연층이 분리되어 무기절연층이 손상될 수 있다. 무기절연층의 손상으로 인해 무기절연층 상에 배치된 전극은 산화될 수 있다.
무기절연층 상에 배치된 전극의 산화를 방지하기 위해, 뱅크의 상면 및 뱅크의 측면들 중 표시영역을 향하는 방향으로의 측면 상에 금속층이 배치될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 기판
IIL: 무기절연층
115: 제1 유기절연층
116: 제2 유기절연층
118: 화소정의막
119: 스페이서
700: 금속층
701: 금속층 형성용 물질
703: 희생층
300: 봉지층

Claims (20)

  1. 표시영역, 개구영역, 중간영역 및 상기 표시영역의 외측의 주변영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치된 무기절연층;
    상기 주변영역의 상기 무기절연층 상에 배치된 뱅크; 및
    상기 뱅크의 상면의 적어도 일부 및 상기 뱅크의 측면들 중 상기 표시영역과 인접한 측면에 배치된 금속층;을 포함하는, 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주변영역의 상기 무기절연층 상에 배치된 제1 댐;을 더 포함하고,
    상기 제1 댐은 상기 뱅크와 상기 표시영역 사이에 배치된, 표시 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 표시영역 상에 배치된 발광다이오드; 및
    상기 발광다이오드 상에 배치되며, 제1 무기봉지층, 상기 제1 무기봉지층 상의 제2 무기봉지층, 및 상기 제1 무기봉지층과 상기 제2 무기봉지층 사이에 배치되는 유기봉지층을 구비하는 봉지층;을 더 포함하고,
    상기 봉지층은 상기 표시영역에서 상기 주변영역으로 연장되는, 표시 패널.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 유기봉지층은 상기 제1 댐에 의해 단절되는, 표시 패널.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 무기봉지층 및 상기 제2 무기봉지층은 상기 뱅크의 상면에서 단절되는, 표시 패널.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 뱅크의 상면에 배치된 상기 제1 무기봉지층 및 상기 제2 무기봉지층의 길이가 동일한, 표시 패널.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 뱅크의 상면에 배치된 상기 금속층의 길이는 상기 뱅크의 상면에 배치된 상기 제1 무기봉지층 및 상기 제2 무기봉지층의 길이와 동일한, 표시 패널.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 뱅크의 상면에 배치된 상기 금속층의 길이는 상기 뱅크의 상면에 배치된 상기 제1 무기봉지층 및 상기 제2 무기봉지층의 길이보다 긴, 표시 패널.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 금속층은 상기 뱅크 및 상기 제1 댐 사이에 노출된 무기절연층의 적어도 일부 상에도 배치된, 표시 패널.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 무기절연층의 상면으로부터 상기 뱅크의 상면까지의 높이는 상기 무기절연층의 상면으로부터 상기 제1 댐의 상면까지의 높이보다 큰, 표시 패널.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 금속층은 도전성 산화물을 포함하는, 표시 패널.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 금속층은 알루미늄, 타이타늄, 또는 텅스텐 중 적어도 하나와 산소의 화합물을 포함하는, 표시 패널.
  13. 표시영역, 개구영역, 중간영역 및 상기 표시영역의 외측의 주변영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 무기절연층이 배치되는 단계;
    상기 무기절연층 상에 뱅크를 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 금속층 형성용 물질이 연속적으로 덮어지는 단계; 및
    상기 금속층 형성용 물질이 패터닝 되어 뱅크의 상면의 적어도 일부 및 상기 뱅크의 측면들 중 표시영역과 인접한 측면에 금속층이 형성되는 단계;를 포함하는, 표시 패널의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판 상에 금속층 형성용 물질이 연속적으로 덮어지는 단계 이후에,
    상기 금속층 형성용 물질이 패터닝 되어 상기 중간영역 상에 희생층이 형성되는 단계;를 더 포함하는, 표시 패널의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 금속층 형성용 물질이 패터닝 되어 상기 중간영역 상에 희생층이 형성되는 단계는,
    상기 금속층 형성용 물질 상에 제1 포토레지스트가 연속적으로 덮어지는 단계;
    상기 중간영역에서 그루브가 형성될 부분 상에 위치하는 제1 포토레지스트가 제거되는 단계;
    상기 중간영역에서 상기 제1 포토레지스트가 덮여지지 않은 금속층 형성용 물질이 식각되는 단계; 및
    상기 제1 포토레지스트를 제거하여 상기 희생층이 형성되는 단계;를 포함하는, 표시 패널의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 금속층 형성용 물질이 패터닝 되어 상기 중간영역 상에 희생층이 형성되는 단계 이후에,
    상기 중간영역에 제1 유기절연층 및 제2 유기절연층이 식각되어 상기 그루브가 형성되는 단계;를 더 포함하는, 표시 패널의 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 뱅크의 상면의 적어도 일부 및 상기 뱅크의 측면들 중 상기 표시영역과 인접한 측면 상에 금속층이 형성되는 단계는,
    상기 기판 상에 제2 포토레지스트가 연속적으로 덮어지는 단계;
    상기 뱅크의 상면의 적어도 일부 및 상기 뱅크의 측면들 중상기 표시영역과 인접한 측면을 제외한 부분 상에 배치된 제2 포토레지스트가 제거되는 단계;
    상기 제2 포토레지스트가 덮여지지 않은 상기 금속층 형성용 물질이 식각되는 단계; 및
    상기 제2 포토레지스트가 제거되어 상기 금속층이 형성되는 단계;를 포함하는, 표시 패널의 제조 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 금속층은 도전성 산화물을 포함하는, 표시 패널의 제조 방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 금속층은 알루미늄, 타이타늄, 또는 텅스텐 중 적어도 하나와 산소의 화합물을 포함하는, 표시 패널의 제조 방법.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 무기절연층 상에 뱅크를 형성하는 단계는,
    상기 무지절연층 상에 배치된 제1 유기절연층, 제2 유기절연층, 화소정의막, 또는 스페이서를 패터닝하여 뱅크를 형성하는 단계인, 표시 패널의 제조 방법.

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