CN117858578A - 显示面板 - Google Patents

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CN117858578A CN202311281567.6A CN202311281567A CN117858578A CN 117858578 A CN117858578 A CN 117858578A CN 202311281567 A CN202311281567 A CN 202311281567A CN 117858578 A CN117858578 A CN 117858578A
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徐延周
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Abstract

提供了一种显示面板，所述显示面板包括：基底，包括显示区域、开口区域、中间区域和在显示区域外侧的外围区域；无机绝缘层，在基底上；堤，在外围区域中在无机绝缘层上；以及金属层，在堤的上表面的至少一部分上，并且在堤的侧表面之中的与显示区域相邻的侧表面上，金属层包括导电氧化物。

Description

显示面板
本申请要求于2022年10月7日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0129031号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示面板和一种制造该显示面板的方法。
背景技术
近来，电子装置已经得到广泛使用。电子装置以各种方式和应用(诸如移动电子装置和固定电子装置)来使用。为了支持各种功能，这样的电子装置包括能够向用户提供诸如图像或视频的视觉信息的显示器。
近来，随着用于驱动这样的显示器的组件已经变得小型化，电子装置中的显示器的面积或尺寸逐渐增大。此外，已经开发了可以从平坦状态弯曲成具有设定角度或预定角度或者可以关于轴折叠的结构。
一般的显示设备包括显示面板。显示面板包括显示图像的显示区域以及作为与显示区域相邻或在显示区域外侧的非显示区域的外围区域。对于这样的显示设备，外围区域的至少一部分可以弯曲，以改善从各种角度的可见性或减小非显示区域的面积。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，因此在该背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。
发明内容
在一些系统中，当显示面板保持在高温和高湿度下时，包括在显示面板中的电极或包括在显示面板中的至少一些层可能被氧化。
一个或更多个实施例的方面包括可以能够防止或减少包括在显示面板中的电极或包括在显示面板中的至少一些层的氧化的显示面板以及制造显示面板的方法。然而，根据公开的实施例的方面不限于此，并且以上特征不限制根据公开的实施例的范围。
另外的方面将在以下描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述中明显，或者可以通过实践公开的所呈现的实施例而获知。
根据一个或更多个实施例，一种显示面板包括：基底，包括显示区域、开口区域、中间区域和在显示区域外侧的外围区域；无机绝缘层，在基底上；堤，在外围区域中在无机绝缘层上；以及金属层，在堤的上表面的至少一部分和堤的侧表面之中的与显示区域相邻的侧表面上，金属层包括导电氧化物。
根据一些实施例，显示面板还可以包括在外围区域中在无机绝缘层上的第一坝，并且第一坝可以在堤与显示区域之间。
根据一些实施例，显示面板还可以包括：发光二极管，在显示区域中；以及封装层，在发光二极管上，并且包括第一无机封装层、在第一无机封装层上的第二无机封装层和在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层。封装层可以从显示区域延伸到外围区域。
根据一些实施例，有机封装层可以被第一坝中断。
根据一些实施例，第一无机封装层和第二无机封装层可以在堤的上表面上是不连续的。
根据一些实施例，第一无机封装层和第二无机封装层的在堤的上表面上的相应长度可以彼此相等。
根据一些实施例，金属层的在堤的上表面上的长度可以等于第一无机封装层和第二无机封装层的在堤的上表面上的相应长度中的每个。
根据一些实施例，金属层的在堤的上表面上的长度可以大于第一无机封装层和第二无机封装层的在堤的上表面上的相应长度中的每个。
根据一些实施例，金属层可以在无机绝缘层的在堤与第一坝之间暴露的至少一部分上。
根据一些实施例，从无机绝缘层的上表面到堤的上表面的高度可以大于从无机绝缘层的上表面到第一坝的上表面的高度。
根据一些实施例，金属层可以包括导电氧化物。
根据一些实施例，金属层可以包括铝(Al)、钛(Ti)和钨(W)中的至少一种与氧(O)的化合物。
根据一个或更多个实施例，一种制造显示面板的方法包括以下步骤：准备包括显示区域、开口区域、中间区域和在显示区域外侧的外围区域的基底，在基底上形成无机绝缘层，在无机绝缘层上形成堤，用金属层形成材料连续地覆盖基底，以及通过将金属层形成材料图案化在堤的上表面的至少一部分和堤的侧表面之中的与显示区域相邻的侧表面上形成金属层。
根据一些实施例，所述方法还可以包括在用金属层形成材料连续地覆盖基底之后，通过将金属层形成材料图案化在中间区域中形成牺牲层。
根据一些实施例，通过将金属层形成材料在中间区域中形成牺牲层的步骤可以包括：在金属层形成材料上连续地形成第一光致抗蚀剂，去除第一光致抗蚀剂的位于中间区域的要形成凹槽的部分上的一部分，通过蚀刻在中间区域中未被第一光致抗蚀剂覆盖的金属层形成材料，以及通过去除第一光致抗蚀剂来形成牺牲层。
根据一些实施例，所述方法还可以包括在通过将金属层形成材料图案化在中间区域中形成牺牲层之后，通过在中间区域中蚀刻第一有机绝缘层和第二有机绝缘层来形成凹槽。
根据一些实施例，在堤的上表面的至少一部分和堤的侧表面之中的与显示区域相邻的侧表面上形成金属层的步骤可以包括：用第二光致抗蚀剂连续地覆盖基底，去除基底的除了在堤的上表面的至少一部分和堤的侧表面之中与显示区域相邻的侧表面之外的部分上的第二光致抗蚀剂，蚀刻未被第二光致抗蚀剂覆盖的金属层形成材料，以及去除第二光致抗蚀剂以形成金属层。
根据一些实施例，金属层可以包括导电氧化物。
根据一些实施例，金属层可以包括铝(Al)、钛(Ti)和钨(W)中的至少一种与氧(O)的化合物。
根据一些实施例，在无机绝缘层上形成堤的步骤可以包括通过在无机绝缘层上将第一有机绝缘层、第二有机绝缘层、像素限定层或间隔件图案化来形成堤。
附图说明
通过以下结合附图的描述，公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和特性将更加明显，在附图中：
图1是根据一些实施例的显示设备的示意性透视图；
图2是根据一些实施例的显示设备的示意性剖视图；
图3是根据一些实施例的显示面板的示意性平面图；
图4是根据一些实施例的显示面板的示意性平面图；
图5和图6是根据一些实施例示意性地示出显示设备中的显示元件和电连接到其的子像素电路的等效电路图；
图7是根据一些实施例的显示面板的示意性剖视图；
图8和图9是根据一些实施例的显示面板的外围区域的示意性剖视图；以及
图10A至图19B是根据一些实施例示意性地示出制造显示面板的方法的剖视图。
具体实施方式
现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。就此而言，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本说明书的各个方面。如在这里使用的，术语“和/或(并且/或者)”包括相关所列项中的一个或更多个任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或它们的变型。
由于公开允许各种变化和许多实施例，所以具体实施例将在附图中示出并且在书面描述中详细描述。在下文中，将参照附图更充分地描述公开的效果和特征以及用于实现它们的方法，在附图中示出了本公开的实施例。然而，公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。
下面将参照附图更详细地描述公开的一个或更多个实施例。彼此相同或对应的组件被赋予相同的附图标记而与图号无关，并且省略冗余的解释。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些组件仅用于将一个组件与另一组件区分开。
如在这里使用的，除非上下文中另外清楚地指出，否则单数形式的“一个(种/者)”和“所述/该”也意图包括复数形式。
还将理解的是，在这里使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接形成或间接形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在居间层、居间区域或居间组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的元件的尺寸。例如，由于为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以公开的实施例不限于此。
当特定实施例可以被不同地实现时，可以与描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者按照与描述的顺序相反的顺序来执行两个连续描述的工艺。
在本说明书中，“A和/或B”表示A或B，或者A和B。表述“A和B中的至少一个(种/者)”指示仅A、仅B、A和B两者或者其变型。
还应当理解，当层、区域或组件被称为“连接”或“结合”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接连接或直接结合到所述另一层、区域或/和组件，或者可以存在居间层、居间区域或居间组件。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时，它可以直接电连接或直接电结合到所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在居间层、居间区域或居间组件。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是根据一些实施例的显示设备1的示意性透视图。
根据一些实施例，显示设备1显示运动画面(例如，视频图像)或静止图像(例如，静态图像)，并且因此可以用作各种产品(诸如，不仅是诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)导航装置和超移动PC(UMPC)的便携式设备，而且还有电视、笔记本、监视器、广告面板和物联网(IoT)装置)的显示屏幕。
根据一些实施例，显示设备1还可以用在诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴设备中。根据一些实施例，显示设备1还可以用作汽车的仪表板、汽车的中央仪表盘或中央仪表板的中央信息显示器(CID)、代替汽车的侧视镜的室内镜显示器以及布置在前座的后侧以用作汽车后座乘客的娱乐装置的显示器。为了便于解释，图1示出了智能电话作为显示设备1的使用。
参照图1，显示设备1可以包括开口区域OA和围绕开口区域OA的显示区域DA。显示设备1可以包括在开口区域OA与显示区域DA之间的中间区域MA以及在显示区域DA外侧(例如，围绕显示区域DA)的外围区域PA。在平面图中，中间区域MA可以具有围绕整个开口区域OA的闭环形状。
开口区域OA可以布置在显示区域DA内部。根据一些实施例，如图1中所示，开口区域OA可以布置在显示区域DA的上部的中心处。可选地，开口区域OA可以以各种方式布置，诸如，布置在显示区域DA的左上部或显示区域DA的右上部中。在图1中，定位有一个开口区域OA。然而，根据一些实施例，可以提供多个开口区域OA。
尽管在图1中显示区域DA具有近似矩形的形状，但是根据本公开的实施例不限于此。显示区域DA可以具有各种形状(例如，圆形形状、椭圆形形状和多边形形状)中的任何形状。
在显示图像的显示区域DA中，可以布置多个子像素PX。子像素PX中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。子像素PX中的每个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
显示区域DA可以通过使用子像素PX发射的光来显示图像。在这里使用的子像素PX可以被定义为发射如上所述的红光、绿光、蓝光和白光中的一个的光发射区域。外围区域PA可以是未布置子像素PX的区域，并且可以与未提供图像的区域对应。
现在将示出有机发光显示设备，并将有机发光显示设备描述为根据一些实施例的显示设备1。然而，根据本公开的实施例的显示设备1不限于此。例如，根据本公开实施例的显示设备1可以是无机发光显示器、量子点发光显示器等。例如，包括在显示设备1中的显示元件的发射层可以包括有机材料或者可以包括无机材料。量子点可以位于由发射层发射的光的路径上。
图2是根据一些实施例的显示设备1的沿着图1的线I-I'截取的示意性剖视图。
参照图2，显示设备1可以包括显示面板10和组件710。根据一些实施例，组件710可以位于显示面板10下面(或下方)，并且可以与开口区域OA的至少一部分叠置。显示面板10和组件710可以容纳在壳体HS中。
显示面板10可以包括图像产生层200、触摸传感器层400、光学功能层500和覆盖窗600。
图像产生层200可以包括发射光以显示图像的显示元件。每个显示元件可以包括发光二极管，例如，包括有机发射层的有机发光二极管。
触摸传感器层400可以基于外部输入(例如，触摸事件)来获得坐标信息。触摸传感器层400可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。触摸传感器层400可以位于图像产生层200上。触摸传感器层400可以根据互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。
触摸传感器层400可以直接形成在图像产生层200上，或者可以单独地形成，然后通过使用诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层结合到图像产生层200。例如，触摸传感器层400可以在形成图像产生层200之后立即形成。在这种情况下，粘合层可以不设置在触摸传感器层400与图像产生层200之间。图2示出了触摸传感器层400在图像产生层200与光学功能层500之间。然而，根据一些实施例，触摸传感器层400可以位于光学功能层500上。
光学功能层500可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部源通过覆盖窗600朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括相位延迟器和偏振器。根据一些实施例，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以通过考虑由图像产生层200的发光二极管分别发射的光束的颜色来布置滤色器。
为了改善开口区域OA的透射率，显示面板10可以包括穿过构成显示面板10的一些层的开口10OP。开口10OP可以包括分别穿过图像产生层200的开口200OP、触摸传感器层400的开口400OP和光学功能层500的开口500OP。图像产生层200的开口200OP、触摸传感器层400的开口400OP和光学功能层500的开口500OP可以彼此叠置以形成显示面板10的开口10OP。
覆盖窗600可以布置在光学功能层500上。覆盖窗600可以经由粘合层OCA结合到光学功能层500。覆盖窗600可以覆盖图像产生层200的开口200OP、触摸传感器层400的开口400OP和光学功能层500的开口500OP。根据一些实施例，粘合层OCA和/或覆盖窗600也可以包括开口。
覆盖窗600可以包括玻璃材料或塑料材料。玻璃材料可以包括超薄玻璃。塑料材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素等。
开口区域OA可以是其中定位有用于向显示设备1添加各种功能的组件710的一种组件区域(例如，传感器区域、相机区域、扬声器区域等)。
组件710可以包括电子元件。例如，组件710可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括使用光的传感器(如红外传感器)、接收光并捕获图像的照相机、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小型灯或者输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用各种波段的光，诸如，可见光、红外光和紫外光。开口区域OA对应于这样的区域，该区域能够使从组件710输出到外部或者从外部朝向电子元件行进的光或/和声音透射。
图3是根据一些实施例的显示面板10的示意性平面图。
参照图3，显示面板10可以包括布置在基底100上的第一扫描驱动单元20和第二扫描驱动单元30、端子部分40、数据驱动单元50以及电源线。电源线可以包括驱动电压供应线60和共电压供应线70。
基底100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。外围区域PA的一部分可以沿一侧(例如，y方向)延伸。端子部分40、数据驱动单元50、驱动电压供应线60等可以布置在延伸的外围区域PA中。根据一些实施例，延伸的外围区域PA在x方向上的宽度可以小于显示区域DA的宽度。
基底100可以包括其中外围区域PA的一部分弯曲的弯曲区域BA。当基于弯曲区域BA延伸的外围区域PA被折叠时，延伸的外围区域PA可以与显示区域DA部分地叠置。通过该结构，延伸的外围区域PA不会被用户视觉地识别，或者即使当延伸的外围区域PA被用户视觉地识别时，也可以使视觉识别区域最小化或减小视觉识别区域。
多个子像素PX可以布置在显示区域DA中。子像素PX中的每个可以由显示元件DPE(诸如有机发光二极管)来实现。子像素PX中的每个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
驱动显示区域DA中的子像素PX的子像素电路PC中的每个可以连接到用于控制显示元件DPE(例如，发光二极管)的开/关操作和亮度的迹线或电压线。例如，图3示出了在第一方向(例如，x方向)上延伸的扫描线SL和在第二方向(例如，y方向)上延伸的数据线DL作为迹线，并且示出了驱动电压线PL作为电压线。
驱动子像素PX的子像素电路PC可以分别电连接到布置在外围区域PA中的外部电路。在外围区域PA中，可以布置第一扫描驱动单元20和第二扫描驱动单元30、端子部分40、数据驱动单元50、驱动电压供应线60和共电压供应线70。
第一扫描驱动单元20和第二扫描驱动单元30可以产生扫描信号并且经由扫描线SL将扫描信号传输到子像素电路PC中的每个。根据一些实施例，第一扫描驱动单元20或第二扫描驱动单元30可以经由光发射控制线将光发射控制信号施加到子像素电路PC中的每个。根据一些实施例，第一扫描驱动单元20和第二扫描驱动单元30分别布置在显示面板10的两侧。然而，根据一些实施例，扫描驱动单元可以仅布置在显示区域DA的一侧。第二扫描驱动单元30可以关于显示区域DA与第一扫描驱动单元20对称地布置。
数据驱动单元50产生数据信号并且经由数据线DL将数据信号传输到子像素电路PC中的每个。数据驱动单元50可以布置在显示区域DA的一侧，并且可以布置在位于显示区域DA下方(例如，在y方向上位于显示区域DA下方)延伸的外围区域PA中。图3示出了基底100上的数据驱动单元50的布置。然而，根据一些实施例，数据驱动单元50可以包括在接触端子部分40的柔性印刷电路板(PCB)上。
端子部分40位于基底100的一端上，并包括多个端子41、42、43和44。端子部分40可以露出而不被绝缘层覆盖，并且可以电连接到诸如柔性PCB或集成电路(IC)芯片的控制器。控制器的控制信号可以经由端子部分40分别提供到第一扫描驱动单元20、第二扫描驱动单元30、数据驱动单元50、驱动电压供应线60和共电压供应线70。
驱动电压供应线60可以布置在外围区域PA中。驱动电压供应线60可以将驱动电压ELVDD提供到子像素PX中的每个。根据一些实施例，驱动电压供应线60可以包括第一驱动电压供应线61、第二驱动电压供应线62和第三驱动电压供应线63。第三驱动电压供应线63可以在第一方向(例如，x方向)上延伸，第一驱动电压供应线61和第二驱动电压供应线62可以在第二方向(例如，y方向)上延伸。例如，第三驱动电压供应线63可以沿着显示区域DA的第一边缘E1布置。根据一些实施例，第一驱动电压供应线61、第二驱动电压供应线62和第三驱动电压供应线63可以彼此一体地形成。例如，驱动电压供应线60可以具有“Π”(派)形状(例如，具有水平部分(驱动电压供应线63)和与水平部分交叉的两个垂直部分(例如，驱动电压供应线61和62))。然而，根据本公开的实施例不限于此。
驱动电压供应线60可以布置在外围区域PA中，并且可以连接到均在第二方向(例如，y方向)上延伸到显示区域DA的多条驱动电压线PL。例如，第三驱动电压供应线63可以连接到在第二方向(例如，y方向)上横跨显示区域DA延伸的驱动电压线PL。
共电压供应线70可以布置在外围区域PA中，并且可以将共电压ELVSS提供到子像素PX中的每个。共电压供应线70可以包括布置为与显示区域DA的第一边缘E1相邻的第一共电压供应线71和第二共电压供应线73。第一共电压供应线71和第二共电压供应线73可以在第二方向(例如，y方向)上延伸。第一共电压供应线71和第二共电压供应线73可以在与第二方向(例如，y方向)交叉的第一方向(例如，x方向)上彼此分开布置。第一共电压供应线71和第二共电压供应线73可以分别布置在显示区域DA的第一边缘E1的两侧。然而，公开不限于此。共电压供应线70还可以包括布置在第一共电压供应线71与第二共电压供应线73之间的第三共电压供应线。与共电压供应线70仅包括第一共电压供应线71和第二共电压供应线73时相比，当共电压供应线70还包括布置在第一共电压供应线71与第二共电压供应线73之间的第三共电压供应线时，可以降低电流施加时的电流密度并且可以抑制发热。
第一共电压供应线71和第二共电压供应线73可以通过沿着显示区域DA的第二边缘E2、第三边缘E3和第四边缘E4延伸的主体单元75彼此连接。根据一些实施例，第一共电压供应线71、第二共电压供应线73和主体单元75可以彼此一体地形成。
坝DM可以布置在外围区域PA中。坝DM可以布置为围绕显示区域DA。坝DM可以布置在共电压供应线70的外侧，或者可以布置为与共电压供应线70部分地叠置。
在显示区域DA中，封装层300布置为覆盖子像素PX。封装层300的一部分可以延伸到外围区域PA。封装层300具有包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层的多层结构，并且坝DM可以防止包括在封装层300中的用于形成有机封装层的材料朝向基底100的边缘扩散，并且可以限制至少一个有机封装层的形成位置。
图4是根据一些实施例的显示面板10的示意性平面图。
参照图4，根据一些实施例，显示面板10可以包括开口区域OA、显示区域DA、中间区域MA和外围区域PA。
如上所述，第一扫描驱动单元20和第二扫描驱动单元30可以分别布置在显示区域DA的两侧，且显示区域DA在它们之间。在这种情况下，布置在开口区域OA左侧的子像素PX可以连接到位于左侧的第一扫描驱动单元20，布置在开口区域OA右侧的子像素PX可以连接到位于右侧的第二扫描驱动单元30。
中间区域MA可以围绕开口区域OA。中间区域MA是其中未布置诸如有机发光二极管的显示元件的区域。被构造为将信号提供到布置在开口区域OA周围的子像素PX的迹线可以横穿中间区域MA。例如，数据线DL和/或扫描线SL可以横跨显示区域DA延伸，并且数据线DL和/或扫描线SL的相应部分可以沿着显示面板10的形成在开口区域OA中的开口10OP(见图2)的边缘在中间区域MA绕过开口10OP。根据一些实施例，图4示出了数据线DL在y方向上横跨显示区域DA延伸，但是数据线DL中的一些绕过开口区域OA以在中间区域MA中部分地围绕开口区域OA。扫描线SL在x方向上横跨显示区域DA延伸，并且可以在其间具有开口区域OA的情况下彼此间隔开。换言之，同一行上的扫描线SL可以在具有开口区域OA的情况下不连续(或断开或中断)。
图5和图6是根据一些实施例示意性地示出显示设备中的显示元件(即，有机发光二极管OLED)和电连接到其的子像素电路PC的等效电路图。
参照图5，一个子像素PX可以包括子像素电路PC和作为电连接到子像素电路PC的显示元件DPE(见图3)的有机发光二极管OLED。
例如，子像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7以及电容器Cst。多个薄膜晶体管T1至T7可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7。然而，根据本公开的实施例不限于此。
有机发光二极管OLED可以包括子像素电极和对电极，有机发光二极管OLED的子像素电极可以经由发射控制晶体管T6连接到驱动晶体管T1以接收驱动电流，有机发光二极管OLED的对电极可以接收共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以产生与驱动电流对应的亮度的光。
根据一些实施例，多个薄膜晶体管T1至T7中的全部可以是PMOS晶体管。多个薄膜晶体管T1至T7可以包括非晶硅或多晶硅。
迹线可以包括第一扫描线SL1、前一扫描线SLp、下一扫描线SLn、发射控制线EL和数据线DL。然而，公开不限于此。
第一扫描线SL1可以传输第一扫描信号Sn。前一扫描线SLp可以将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化晶体管T4。下一扫描线SLn可以将下一扫描信号Sn+1传输到第二初始化晶体管T7。发射控制线EL可以将发射控制信号EM传输到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6。数据线DL可以传输数据信号DATA。
驱动电压线PL可以将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1。初始化电压线VIL可以传输使驱动晶体管T1和有机发光二极管OLED初始化的初始化电压VINT。详细地，第一初始化电压线VIL1可以将初始化电压VINT传输到第一初始化晶体管T4，第二初始化电压线VIL2可以将初始化电压VINT传输到第二初始化晶体管T7。
驱动晶体管T1的驱动栅电极可以连接到电容器Cst，驱动晶体管T1的源区和漏区中的一个可以经由操作控制晶体管T5通过第一节点N1连接到驱动电压线PL，驱动晶体管T1的源区和漏区中的另一个可以经由发射控制晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的子像素电极。驱动晶体管T1可以根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA，并且可以将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关晶体管T2的开关栅电极可以连接到被构造为传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1，开关晶体管T2的源区和漏区中的一个可以连接到数据线DL，开关晶体管T2的源区和漏区中的另一个可以通过第一节点N1连接到驱动晶体管T1并且还经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关晶体管T2可以响应于通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn而导通，以执行将通过数据线DL接收的数据信号DATA通过第一节点N1传输到驱动晶体管T1的开关操作。
补偿晶体管T3的补偿栅电极可以连接到第一扫描线SL1。补偿晶体管T3的源区和漏区中的一个可以经由发射控制晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的子像素电极。补偿晶体管T3的源区和漏区中的另一个可以连接到电容器Cst和驱动晶体管T1的驱动栅电极。补偿晶体管T3可以响应于通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn而导通，以使驱动晶体管T1二极管连接。
第一初始化晶体管T4的第一初始化栅电极可以连接到前一扫描线SLp。第一初始化晶体管T4的源区和漏区中的一个可以连接到第一初始化电压线VIL1。第一初始化晶体管T4的源区和漏区中的另一个可以连接到电容器Cst的第一电容器电极CE1和驱动晶体管T1的驱动栅电极。第一初始化晶体管T4可以响应于通过前一扫描线SLp接收的前一扫描信号Sn-1而导通，以通过将初始化电压VINT传输到驱动晶体管T1的驱动栅电极来执行将驱动晶体管T1的驱动栅电极的电压初始化的初始化操作。
操作控制晶体管T5的操作控制栅电极可以连接到发射控制线EL，操作控制晶体管T5的源区和漏区中的一个可以连接到驱动电压线PL，并且另一个可以通过第一节点N1连接到驱动晶体管T1和开关晶体管T2。
发射控制晶体管T6的发射控制栅电极可以连接到发射控制线EL，发射控制晶体管T6的源区和漏区中的一个可以连接到驱动晶体管T1和补偿晶体管T3，发射控制晶体管T6的源区和漏区中的另一个可以电连接到有机发光二极管OLED的子像素电极。
操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6根据经由发射控制线EL接收的发射控制信号EM同时地(或并发地)导通，因此驱动电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED，使得驱动电流IOLED可以在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化晶体管T7的第二初始化栅电极可以连接到下一扫描线SLn，第二初始化晶体管T7的源区和漏区中的一个可以连接到有机发光二极管OLED的子像素电极，第二初始化晶体管T7的源区和漏区中的另一个可以连接到第二初始化电压线VIL2以接收初始化电压VINT。第二初始化晶体管T7可以响应于经由下一扫描线SLn接收的下一扫描信号Sn+1而导通，以使有机发光二极管OLED的子像素电极初始化。下一扫描线SLn可以与第一扫描线SL1相同。在这种情况下，扫描线可以通过以一时间差传输相同的电信号而用作第一扫描线SL1或下一扫描线SLn。根据一些实施例，可以不包括第二初始化晶体管T7。
电容器Cst可以连接到驱动电压线PL和驱动晶体管T1的驱动栅电极，以存储并保持与驱动电压线PL的电压和驱动晶体管T1的驱动栅电极的电压之间的差对应的电压，从而保持施加到驱动晶体管T1的驱动栅电极的电压。电容器Cst的第二电容器电极CE2可以连接到驱动电压线PL。
现在将更详细地描述根据一些实施例的子像素电路PC和作为显示元件的有机发光二极管OLED的一些操作的方面。
在初始化时段期间，当经由前一扫描线SLp供应前一扫描信号Sn-1时，第一初始化晶体管T4可以响应于前一扫描信号Sn-1而导通，并且驱动晶体管T1可以通过从第一初始化电压线VIL1供应的初始化电压VINT而初始化。
在数据编程时段期间，当经由第一扫描线SL1供应第一扫描信号Sn时，开关晶体管T2和补偿晶体管T3可以响应于第一扫描信号Sn而导通。此时，驱动晶体管T1可以通过导通的补偿晶体管T3二极管连接，并且可以在正向方向上偏置。然后，通过从由数据线DL供应的数据信号DATA减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth而获得的补偿电压DATA+Vth(其中Vth具有负值)可以施加到驱动晶体管T1的驱动栅电极。驱动电压ELVDD和补偿电压DATA+Vth可以施加到电容器Cst的两端，并且与两端之间的电压差对应的电荷可以存储在电容器Cst中。
在光发射时段期间，操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以通过从发射控制线EL供应的发射控制信号EM而导通。驱动电流可以根据驱动电压ELVDD与驱动晶体管T1的驱动栅电极的电压之间的电压差而产生，并且驱动电流IOLED可以通过发射控制晶体管T6供应到有机发光二极管OLED。
参照图6，子像素PX的子像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7、第一电容器Cst、第二电容器Cbt和作为显示元件的有机发光二极管OLED。
多个薄膜晶体管T1至T7中的一些薄膜晶体管可以是n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管(例如，NMOS场效应晶体管(N-MOSFET))，并且其他薄膜晶体管可以是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管(例如，PMOS场效应晶体管(P-MOSFET))。例如，如图6中所示，在多个薄膜晶体管T1至T7之中，补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可以是NMOS晶体管，而其他晶体管可以是PMOS晶体管。可选地，在多个薄膜晶体管T1至T7之中，补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7可以是NMOS晶体管，而其他晶体管可以是PMOS晶体管。可选地，多个薄膜晶体管T1至T7都可以是NMOS晶体管。多个薄膜晶体管T1至T7可以包括非晶硅或多晶硅。在一些情况下，NMOS晶体管可以包括氧化物半导体。
信号线可以包括被构造为传输第一扫描信号Sn'的第一扫描线SL1、被构造为传输第二扫描信号Sn"的第二扫描线SL2、被构造为将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化晶体管T4的前一扫描线SLp、被构造为将发射控制信号EM传输到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6的发射控制线EL、被构造为将下一扫描信号Sn+1传输到第二初始化晶体管T7的下一扫描线SLn以及被构造为传输数据信号DATA的数据线DL。
驱动晶体管T1可以通过操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且可以通过发射控制晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。驱动晶体管T1可以根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA，并且可以将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关晶体管T2可以连接到第一扫描线SL1和数据线DL，并且可以经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关晶体管T2可以响应于通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn'而导通，以执行将通过数据线DL接收的数据信号DATA传输到第一节点N1的开关操作。
补偿晶体管T3连接到第二扫描线SL2并且经由发射控制晶体管T6连接到有机发光二极管OLED。补偿晶体管T3可以响应于通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn"而导通以使驱动晶体管T1二极管连接，从而补偿驱动晶体管T1的阈值电压。
第一初始化晶体管T4连接到前一扫描线SLp和第一初始化电压线VIL1并且响应于通过前一扫描线SLp接收的前一扫描信号Sn-1而导通，以将初始化电压VINT从第一初始化电压线VIL1传输到驱动晶体管T1的栅电极，从而使驱动晶体管T1的栅电极的电压初始化。
操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以连接到发射控制线EL，并且可以根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号EM同时地(或并发地)导通从而形成电流路径，使得驱动电流IOLED从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED。
第二初始化晶体管T7连接到下一扫描线SLn和第二初始化电压线VIL2，并且响应于通过下一扫描线SLn接收的下一扫描信号Sn+1而导通，以将初始化电压VINT从第二初始化电压线VIL2传输到有机发光二极管OLED，从而使有机发光二极管OLED初始化。可以不包括第二初始化晶体管T7。
第一电容器Cst包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。第一电容器电极CE1可以连接到驱动晶体管T1的栅电极，第二电容器电极CE2可以连接到驱动电压线PL。第一电容器Cst可以通过存储和保持与驱动电压线PL的电压和驱动晶体管T1的栅电极的电压之间的差对应的电压来保持施加到驱动晶体管T1的栅电极的电压。
第二电容器Cbt包括第三电容器电极CE3和第四电容器电极CE4。第三电容器电极CE3可以连接到第一扫描线SL1和开关晶体管T2的栅电极。第四电容器电极CE4可以连接到驱动晶体管T1的栅电极和第一电容器Cst的第一电容器电极CE1。第二电容器Cbt是升压电容器，并且当第一扫描线SL1的第一扫描信号Sn是使开关晶体管T2截止的电压时，第二电容器Cbt可以通过增加第二节点N2的电压来清楚地表示黑色灰度。
根据一些实施例，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的至少一个包括包含氧化物的半导体层，而其他晶体管包括包含非晶硅或多晶硅的半导体层。
详细地，直接影响显示设备1的亮度的第一驱动晶体管T1包括包含具有高可靠性的多晶硅的半导体层，因此可以实现高分辨率的显示设备。
因为氧化物半导体的载流子迁移率高且泄漏电流低，所以即使驱动时间长，也可以不使电压降大。换言之，因为即使在低频驱动期间，图像的颜色根据电压降的变化也不大，所以可以执行低频驱动。
因为如上所述氧化物半导体具有小的漏电流，所以连接到驱动晶体管T1的栅电极的补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4中的至少一个包括氧化物半导体，以防止漏电流流到第一晶体管T1的栅电极并且还降低功耗。
子像素电路PC不限于上面参照图5和图6描述的薄膜晶体管的数量、电容器的数量和电路设计。薄膜晶体管的数量、电容器的数量、其他电气组件和电路设计可以变化。例如，在不脱离根据本公开的实施例的精神和范围的情况下，一些实施例可以包括附加的组件或更少的组件。
图7是根据一些实施例的显示面板的示意性剖视图。更详细地，图7与沿者图3的线II-II'截取的剖面对应。
参照图7，显示面板10可以包括基底100、无机绝缘层IIL、有机绝缘层OIL、子像素电路PC、连接电极CM、有机发光二极管OLED、像素限定层118、间隔件119和封装层300。换言之，基底100、无机绝缘层IIL、有机绝缘层OIL、子像素电路PC、连接电极CM、有机发光二极管OLED、像素限定层118、间隔件119和封装层300可以布置在显示面板10的显示区域DA中。
基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d。根据一些实施例，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d可以在基底100的厚度方向上顺序地彼此堆叠。
第一基体层100a和第二基体层100c中的至少一个可以包括聚合物树脂，诸如，聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素。
作为用于防止外部异物渗透的阻挡层的第一阻挡层100b和第二阻挡层100d中的每个可以具有包括诸如氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料的单层结构或多层结构。
缓冲层111可以布置在基底100上。缓冲层111可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
无机绝缘层IIL可以布置在缓冲层111上。无机绝缘层IIL可以包括第一无机绝缘层112、第二无机绝缘层113和第三无机绝缘层114。
子像素电路PC可以布置在显示区域DA中。子像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体层Act可以布置在缓冲层111上。半导体层Act可以包括多晶硅。可选地，半导体层Act可以包括例如非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。半导体层Act可以包括沟道区以及分别布置在沟道区两侧的源区和漏区。
栅电极GE可以布置在半导体层Act上。栅电极GE可以与沟道区叠置。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。
第一无机绝缘层112可以在半导体层Act与栅电极GE之间。第一无机绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
第二无机绝缘层113可以布置在栅电极GE上。第二无机绝缘层113可以包括为覆盖栅电极GE。第二无机绝缘层113可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
电容器Cst的第二电容器电极CE2可以在第二无机绝缘层113上。第二电容器电极CE2可以与位于其下方的栅电极GE叠置。在这种情况下，在第二无机绝缘层113在栅电极GE与第二电容器电极CE2之间的情况下彼此叠置的栅电极GE和第二电容器电极CE2可以构成电容器Cst。换言之，栅电极GE可以用作电容器Cst的第一电容器电极CE1。
因此，电容器Cst和薄膜晶体管TFT可以彼此叠置。然而，公开不限于此。例如，电容器Cst和薄膜晶体管TFT可以彼此不叠置。换言之，作为与薄膜晶体管TFT的栅电极GE分离的组件的电容器Cst的第一电容器电极CE1可以与薄膜晶体管TFT的栅电极GE分开地被包括。
第二电容器电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是包括上述材料的单层或多层。
第三无机绝缘层114可以布置在第二电容器电极CE2上。第三无机绝缘层114可以覆盖第二电容器电极CE2。第三无机绝缘层114可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnOx)等。氧化锌(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。第三无机绝缘层114可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
漏电极DE和源电极SE可以位于第三无机绝缘层114上。漏电极DE和源电极SE均可以经由包括在第一无机绝缘层112、第二无机绝缘层113和第三无机绝缘层114中的相应接触孔连接到半导体层Act。漏电极DE和源电极SE可以包括高导电性材料。源电极SE和漏电极DE中的每个可以包括包含Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可以是包括上述材料的多层或单层。例如，漏电极DE和源电极SE可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
有机绝缘层OIL可以位于无机绝缘层IIL上。有机绝缘层OIL可以包括第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116。尽管在图6中提供了两个有机绝缘层OIL，但是公开不限于此。可以包括三个或四个有机绝缘层OIL。
第一有机绝缘层115可以覆盖漏电极DE和源电极SE。第一有机绝缘层115可以包括有机绝缘材料，诸如商用聚合物(诸如PMMA或PS)、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯酰醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。
连接电极CM可以在第一有机绝缘层115上。在这种情况下，连接电极CM可以通过第一有机绝缘层115的接触孔连接到漏电极DE或源电极SE。连接电极CM可以包括高导电材料。连接电极CM可以包括包含Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。例如，连接电极CM可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二有机绝缘层116可以布置在连接电极CM上。第二有机绝缘层116可以覆盖连接电极CM。第二有机绝缘层116可以包括与包括在第一有机绝缘层115中的材料相同的材料，或者可以包括与包括在第一有机绝缘层115中的材料不同的材料。
发光二极管可以位于第二有机绝缘层116上。例如，有机发光二极管OLED可以布置在第二有机绝缘层116上。根据一些实施例，无机发光二极管等可以位于第二有机绝缘层116上。
有机发光二极管OLED可以发射红光、绿光或蓝光，或者可以发射红光、绿光、蓝光或白光。有机发光二极管OLED可以包括子像素电极211、发射层212b、功能层212f、对电极213和盖层215。
子像素电极211可以位于第二有机绝缘层116上。子像素电极211可以通过限定在第二有机绝缘层116中的接触孔电连接到连接电极CM。子像素电极211可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。根据一些实施例，子像素电极211可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或这些材料的合金的反射层。根据一些实施例，子像素电极211还可以包括在反射层上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。例如，子像素电极211可以具有ITO/Ag/ITO的多层结构。
具有子像素电极211的至少一部分通过其暴露的开口的像素限定层118可以布置在子像素电极211上。由有机发光二极管OLED发射的光的发射区域可以通过限定在像素限定层118中的开口来限定。例如，开口的宽度可以与发射区域的宽度对应。
像素限定层118可以包括有机绝缘材料。可选地，像素限定层118可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料。可选地，像素限定层118可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。根据一些实施例，像素限定层118可以包括光阻挡材料。光阻挡材料可以包括炭黑、碳纳米管、包括黑色颜料的树脂或糊剂、金属颗粒(例如，镍、铝、钼和其合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)。当像素限定层118包括光阻挡材料时，可以减少由于布置在像素限定层118下方的金属结构引起的外部光反射。
间隔件119可以位于像素限定层118上。间隔件119可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可选地，间隔件119可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料，或者可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。
根据一些实施例，间隔件119可以包括与包括在像素限定层118中的材料相同的材料。像素限定层118和间隔件119可以在使用半色调掩模的掩模工艺期间同时地(或并发地)形成。可选地，间隔件119可以包括与包括在像素限定层118中的材料不同的材料。
发射层212b可以位于像素限定层118的开口中。发射层212b可以包括发射特定颜色的光的低分子量材料或高分子量有机材料。
功能层212f可以包括第一功能层212a和第二功能层212c。第一功能层212a可以位于子像素电极211与发射层212b之间，第二功能层212c可以位于发射层212b与对电极213之间。然而，可以省略第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个。现在将集中并详细描述第一功能层212a和第二功能层212c分别布置的情况。
第一功能层212a可以包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。第二功能层212c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。类似于稍后将描述的对电极213，第一功能层212a和/或第二功能层212c可以是形成为整体地覆盖基底100的公共层。
对电极213可以布置在功能层212f上。对电极213可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极213可以包括包含例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或这些材料的合金的(半)透明层。可选地，对电极213还可以包括在(半)透明层上的层(诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3)，(半)透明层包括上述材料中的任何一种。
根据一些实施例，盖层215可以位于对电极213上。盖层215可以包括氟化锂(LiF)、无机材料、或/和有机材料。
封装层300可以布置在有机发光二极管OLED上。封装层300可以覆盖有机发光二极管OLED。封装层300可以位于对电极213和/或盖层215上。根据一些实施例，封装层300可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在图6中，封装层300包括顺序地彼此堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的至少一种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以是包括上述材料的单层或多层。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。根据一些实施例，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
输入感测层48可以布置在封装层300上。输入感测层48可以包括第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层420、第一导电层430、第三触摸绝缘层440、第二导电层450和平坦化层460。
根据一些实施例，第一触摸绝缘层410可以布置在第二无机封装层330上，第二触摸绝缘层420可以布置在第一触摸绝缘层410上。根据一些实施例，第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层420中的每个可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层420中的每个可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。
根据一些实施例，可以省略第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层420中的至少一个。例如，可以省略第一触摸绝缘层410。在这种情况下，第二触摸绝缘层420可以布置在第二无机封装层330上，第一导电层430可以布置在第二触摸绝缘层420上。
第一导电层430可以布置在第二触摸绝缘层420上，第三触摸绝缘层440可以布置在第一导电层430上。根据一些实施例，第三触摸绝缘层440可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第三触摸绝缘层440可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。
第二导电层450可以布置在第三触摸绝缘层440上。输入感测层48的触摸电极TE可以具有其中第一导电层430和第二导电层450彼此连接的结构。可选地，触摸电极TE可以形成在第一导电层430和第二导电层450中的一个上，并且可以包括位于第一导电层430和第二导电层450中的一个中的金属线。第一导电层430和第二导电层450均可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和氧化铟锡(ITO)中的至少一种，并且可以实现为包括上述材料的单层或多层。例如，第一导电层430和第二导电层450均可以具有Ti层/Al层/Ti层的三层结构。
根据一些实施例，平坦化层460可以覆盖第二导电层450。平坦化层460可以包括有机绝缘材料。
图8和图9是根据一些实施例的显示面板10的外围区域PA的示意性剖视图。更详细地，图8和图9是沿者图3的线III-III'截取的显示面板10的剖视图。
参照图8和图9，基底100可以位于显示面板10的外围区域PA中。无机绝缘层IIL可以布置在基底100上。根据一些实施例，无机绝缘层IIL可以包括第一无机绝缘层112(见图7)、第二无机绝缘层113(见图7)和第三无机绝缘层114(见图7)。然而，公开不限于此。
供应共电压ELVSS的电极800可以位于无机绝缘层IIL的定位在显示面板10的外围区域PA中的至少一部分上。详细地，供应共电压ELVSS的电极800可以位于无机绝缘层IIL之中的定位在外围区域PA中的与显示区域DA相邻的至少一部分上。然而，公开不限于此。
根据一些实施例，第一坝610、第二坝620和堤630可以位于显示面板10的外围区域PA中。第一有机绝缘层115、第二有机绝缘层116、像素限定层118和间隔件119可以布置在无机绝缘层IIL上。布置在显示面板10的外围区域PA中的第一有机绝缘层115、第二有机绝缘层116、像素限定层118或间隔件119可以被图案化，从而可以形成第一坝610、第二坝620和堤630。如上所述，第一坝610和第二坝620可以防止用于形成有机封装层320的材料朝向基底100的边缘扩散，并且可以限制有机封装层320的形成位置。堤630可以位于显示面板10的下部分中，并且可以用于在形成显示面板10的工艺中通过与掩模接触来支撑掩模。
无机绝缘层IIL的上表面与堤630的上表面之间的高度可以大于无机绝缘层IIL的上表面与第一坝610的上表面之间的高度。无机绝缘层IIL的上表面与堤630的上表面之间的高度可以大于无机绝缘层IIL的上表面与第二坝620的上表面之间的高度。通过使无机绝缘层IIL的上表面与堤630的上表面之间的高度大于无机绝缘层IIL的上表面与第一坝610和/或第二坝620的上表面之间的高度，堤630可以在形成显示面板10的工艺中通过与掩模接触来支撑掩模。无机绝缘层IIL的上表面与第一坝610的上表面之间的高度可以大于无机绝缘层IIL的上表面与第二坝620的上表面之间的高度。然而，公开不限于此。
根据一些实施例，第一坝610可以在堤630与显示区域DA之间。第二坝620可以位于第一坝610与显示区域DA之间。第一坝610可以位于堤630与第二坝620之间。第二坝620可以定位为与显示面板10的显示区域DA最相邻。堤630可以定位为距显示面板10的显示区域DA最分开(例如，最远)。换言之，堤630、第一坝610和第二坝620可以在外围区域PA中在朝向显示区域DA的方向上顺序地布置。然而，公开不限于此。
第一坝610可以包括第二有机绝缘层116的一部分116a、像素限定层118的一部分118a和间隔件119的一部分119a。换言之，第二有机绝缘层116、像素限定层118和间隔件119可以被图案化，从而可以形成第一坝610。第二坝620可以包括像素限定层118的一部分118b和间隔件119的一部分119b。换言之，像素限定层118和间隔件119可以被图案化，从而可以形成第二坝620。堤630可以包括第一有机绝缘层115的一部分115c、第二有机绝缘层116的一部分116c、像素限定层118的一部分118c和间隔件119的一部分119c。换言之，第一有机绝缘层115、第二有机绝缘层116、像素限定层118和间隔件119可以被图案化，从而可以形成堤630。根据一些实施例，开口IILOP可以形成在位于堤630下方的无机绝缘层IIL中。无机绝缘层IIL的位于堤630下方的开口IILOP可以填充有第一有机绝缘层115的一部分115c。然而，公开不限于此。
根据一些实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以位于布置在显示面板10的外围区域PA中的第一坝610、第二坝620和堤630上。第一无机封装层310和第二无机封装层330也可以位于电极800的在第一坝610与第二坝620之间暴露的一部分以及无机绝缘层IIL的在堤630与第一坝610之间暴露的一部分上，电极800供应共电压ELVSS。如上所述，第一无机封装层310和第二无机封装层330也可以位于显示面板10的显示区域DA中。换言之，位于显示面板10的显示区域DA中的第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸到外围区域PA。第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个在堤630的上表面上可以是不连续的。第一无机封装层310和第二无机封装层330的在堤630的上表面上不连续的相应端部可以彼此相遇。换言之，第一无机封装层310和第二无机封装层330的位于堤630的上表面上的相应长度可以彼此相同。然而，公开不限于此。
封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和有机封装层320。有机封装层320可以位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间。与第一无机封装层310和第二无机封装层330类似，有机封装层320也可以从显示区域DA延伸到外围区域PA。然而，有机封装层320可以被第一坝610中断。因为有机封装层320被第一坝610中断，所以第一无机封装层310和第二无机封装层330可以布置为在从第一坝610的上表面到堤630的上表面的范围内彼此直接接触。换句话说，第二无机封装层330可以布置为在从第一坝610的上表面到堤630的上表面的范围内与第一无机封装层310的上表面直接接触。然而，公开不限于此。有机封装层320还可以被第二坝620中断。
在形成显示面板10之后，当显示面板10保持在高温和高湿度下时，包括在显示面板10中的电极或包括在显示面板10的层中的至少一些层可能被氧化。当湿气渗透显示面板10的堤630时，构成堤630的端的第一有机绝缘层115的一部分115c和第二有机绝缘层116的一部分116c可能膨胀。当湿气渗透显示面板10的堤630时，位于堤630的端上的第一无机封装层310可能被氧化。第一无机封装层310的氧化可能在从堤630的端到显示区域DA的方向上使第一无机封装层310与无机绝缘层IIL之间的粘合减小。当第一无机封装层310与无机绝缘层IIL之间的粘合降低时，第一无机封装层310和无机绝缘层IIL可能彼此分离，无机绝缘层IIL可能被细微地损坏。湿气渗透可能由于对无机绝缘层IIL的损坏而加速，因此即使位于无机绝缘层IIL上的电极也可能被氧化。根据一些实施例，电极还可能在显示面板10的外围区域PA中位于无机绝缘层IIL上。为了防止第一无机封装层310的氧化(这导致包括在显示面板10中的电极的氧化)，可能需要能够阻挡第一无机封装层310免受湿气影响的结构。
根据一些实施例，金属层700可以形成在堤630上。换言之，为了阻挡位于堤630上的第一无机封装层310免受湿气影响，可以定位直接接触第一无机封装层310的下表面的金属层700。例如，金属层700可以位于堤630的上表面的至少一部分和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的横向侧表面630IS上。
换言之，金属层700的位于堤630的上表面上的长度可以与第一无机封装层310和第二无机封装层330的位于堤630的上表面上的相应长度中的每个相同。然而，根据本公开的实施例不限于此，并且金属层700的位于堤630的上表面上的长度可以大于第一无机封装层310和第二无机封装层330的位于堤630的上表面上的相应长度中的每个。
根据一些实施例，金属层700还可以位于在堤630与第一坝610之间暴露的无机绝缘层IIL上以及堤630的上表面的至少一部分和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的侧表面630IS上。然而，根据本公开的实施例不限于此。金属层700不仅可以位于在堤630与第一坝610之间暴露的无机绝缘层IIL上，而且可以位于第二坝620上。换言之，金属层700可以布置为在朝向显示区域DA的方向上进一步延伸。
根据一些实施例，金属层700可以包括导电氧化物。详细地，金属层700可以包括氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锡(ITO)。金属层700还可以包括铝(Al)、钛(Ti)和钨(W)中的至少一种与氧(O)的化合物。例如，金属层700可以包括氧化铝(AlOX)、氧化钛(TiOX)和氧化钨(WOX)中的一种。然而，公开不限于此。
根据一些实施例，金属层700可以具有约或更大并且约/>或更小的厚度。例如，金属层700可以具有约/>的厚度。当金属层700的厚度超过约/>时，蚀刻金属层700的工艺可能花费相对大量的时间，且显示设备的制造成本可能增大。当金属层700的厚度小于约/>时，可能不会防止第一无机封装层310的氧化。然而，公开不限于此。
图10A至图19B是根据一些实施例示意性地示出制造显示面板10的方法的剖视图。更详细地，图10A至图19B示意性地示出了沿着线III-III'截取的图4的显示面板10的剖视图和沿着线IV-IV'截取的图3的显示面板10的剖视图。
包括在图10A至图19B中的每个中的两个附图(例如，图10A和图10B)是与同一工艺对应的示意性剖视图。
参照图10A至图19B，制造显示面板10的方法可以包括以下操作：准备包括显示区域DA、开口区域OA、中间区域MA和在显示区域DA外侧的外围区域PA的基底100，在基底100上布置无机绝缘层IIL，在无机绝缘层IIL上形成堤630，用金属层形成材料701连续地覆盖基底100，以及通过将金属层形成材料701图案化来在堤630的上表面的至少一部分和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的侧表面630IS上形成金属层700。
参照图10A和图10B，可以在显示面板10的外围区域PA、开口区域OA和中间区域MA中在基底100上布置无机绝缘层IIL。根据一些实施例，还可以在显示区域DA中在基底100上布置无机绝缘层IIL。无机绝缘层IIL可以包括第一无机绝缘层112、第二无机绝缘层113和第三无机绝缘层114。第一有机绝缘层115、第二有机绝缘层116、像素限定层118和间隔件119可以在显示面板10的外围区域PA中布置在无机绝缘层IIL上。可以将第一有机绝缘层115、第二有机绝缘层116、像素限定层118或间隔件119图案化，从而可以形成第一坝610、第二坝620和堤630。换言之，第一坝610可以包括第二有机绝缘层116的一部分116a、像素限定层118的一部分118a和间隔件119的一部分119a，第二坝620可以包括像素限定层118的一部分118b和间隔件119的一部分119b。堤630可以包括第一有机绝缘层115的一部分115c、第二有机绝缘层116的一部分116c、像素限定层118的一部分118c和间隔件119的一部分119c。根据一些实施例，第一有机绝缘层115的形成堤630的一部分115c可以填充在于无机绝缘层IIL中限定的开口IILOP中。
根据一些实施例，可以在显示面板10的中间区域MA中在无机绝缘层IIL上形成保护层117。保护层117可以包括例如非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。当通过蚀刻布置在中间区域MA中的第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116来形成凹槽G(见图15)时，位于显示面板10的中间区域MA中的保护层117可以用作蚀刻停止件。保护层117可以防止或减少无机绝缘层IIL和位于其下方的基底100被蚀刻的情况。
根据一些实施例，可以在保护层117上布置第四绝缘层128。第四绝缘层128可以位于显示面板10的中间区域MA的至少一部分中。第四绝缘层128可以通过中间区域MA的要形成凹槽G的一部分彼此间隔开。可以第四绝缘层128上布置第一有机绝缘层115。可以在第一有机绝缘层115上布置连接电极CM，并且可以中间区域MA的至少一部分中布置连接电极CM。连接电极CM可以通过中间区域MA的要形成凹槽G的一部分彼此间隔开。可以在连接电极CM上布置第二有机绝缘层116。也可以在中间区域MA的至少一部分中布置第二有机绝缘层116。第二有机绝缘层116可以彼此间隔开，且开口区域OA的要形成孔的部分置于彼此间隔开的第二有机绝缘层116之间。然而，公开不限于此。
图11A至图14B示意性地示出在显示面板10的中间区域MA中形成牺牲层703的操作。
参照图11A至图14B，可以在中间区域MA中布置牺牲层703。可以通过蚀刻布置在中间区域MA中的第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116来在显示面板10的中间区域MA中形成凹槽G。牺牲层703可以位于第二有机绝缘层116上，以防止或减少除了中间区域MA的要形成凹槽G的一部分之外的第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116的蚀刻。由于牺牲层703的使用，可以蚀刻仅布置在中间区域MA的要形成凹槽G的一部分中的第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116。
根据一些实施例，可以在显示面板10的外围区域PA和中间区域MA中连续地布置金属层形成材料701。换言之，可以在显示面板10的外围区域PA和中间区域MA中连续地涂覆金属层形成材料701。涂覆在外围区域PA中的金属层形成材料701可以形成位于堤630的上表面和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的侧表面630IS上的金属层700。位于中间区域MA中的金属层形成材料701可以形成位于中间区域MA中的牺牲层703。换言之，可以在同一工艺中同时地(或并发地)涂覆金属层形成材料701，金属层形成材料701分别形成位于堤630的上表面和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的侧表面630IS上的金属层700以及位于中间区域MA中的牺牲层703。因为金属层形成材料701不仅可以同时地(或并发地)涂覆在显示面板10的中间区域MA中，而且可以同时地(或并发地)涂覆在显示面板10的外围区域PA中，所以可以在不添加掩模的情况下形成位于外围区域PA中的金属层700。然而，根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例，可以在位于显示面板10的外围区域PA和中间区域MA中的金属层形成材料701上连续地布置第一光致抗蚀剂PR1。换言之，可以在位于显示面板10的外围区域PA和中间区域MA处的金属层形成材料701上连续地涂覆第一光致抗蚀剂PR1。第一光致抗蚀剂PR1可以用于在显示面板10的中间区域MA中形成牺牲层703。可以去除第一光致抗蚀剂PR1的位于中间区域MA的要形成凹槽G的一部分上的一部分。换言之，可以去除中间区域MA的位于除了要形成牺牲层703的部分之外的部分处的第一光致抗蚀剂PR1。然后，可以蚀刻在中间区域MA中未被第一光致抗蚀剂PR1覆盖的金属层形成材料701。第一光致抗蚀剂PR1可以保护位于要形成牺牲层703的部分中的金属层形成材料701不被蚀刻。详细地，可以湿蚀刻中间区域MA中未被第一光致抗蚀剂PR1覆盖的金属层形成材料701。可以去除第一光致抗蚀剂PR1，因此可以在中间区域MA中形成牺牲层703。
图15A和图15B示意性地示出在显示面板10的中间区域MA中形成凹槽G的操作。参照图15A和图15B，可以在显示面板10的中间区域MA中形成凹槽G。位于中间区域MA处的凹槽G可以防止或抑制湿气、氧或其他污染物从开口区域OA渗透到显示区域DA。可以蚀刻位于中间区域MA中的第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116，因此可以在中间区域MA中形成凹槽G。详细地，可以通过干蚀刻来形成中间区域MA的凹槽G。位于中间区域MA中的牺牲层703可以防止布置在中间区域MA的除了凹槽G之外的一部分中的第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层1116被蚀刻。位于基底100上的保护层117在形成凹槽G的工艺中用作蚀刻停止件，因此可以防止位于保护层117下方的无机绝缘层IIL和基底100被蚀刻。在显示面板10的传统工艺中，可以在中间区域MA中形成凹槽G之后去除牺牲层703。然而，根据一些实施例，可以不去除牺牲层703以在显示面板10的外围区域PA中在堤630的上表面和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的侧表面630IS上形成金属层700。然而，公开不限于此。
图16至图19示意性地示出了在显示面板10的外围区域PA中在堤630的上表面的至少一部分和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻侧表面630IS上形成金属层700的操作。
参照图16A至图19B，可以在基底100上连续地布置第二光致抗蚀剂PR2。例如，可以在中间区域MA的凹槽G的内表面和位于中间区域MA中的牺牲层703上连续地布置第二光致抗蚀剂PR2。也可以在位于外围区域PA中的金属层形成材料701上连续地布置第二光致抗蚀剂PR2。第二光致抗蚀剂PR2可以用于在堤630的上表面和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的侧表面630IS上形成金属层700。
根据一些实施例，可以去除位于堤630的除了堤630的上表面和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的侧表面630IS之外的部分处的第二光致抗蚀剂PR2。换言之，可以去除位于堤630的一部分处的第二光致抗蚀剂PR2，堤630的该部分排除了堤630的在堤630的上表面和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的侧表面630IS上要形成金属层700的一部分。可以蚀刻位于除了布置有第二光致抗蚀剂PR2的部分之外的部分处的金属层形成材料701。详细地，可以湿蚀刻未被第二光致抗蚀剂PR2覆盖的金属层形成材料701。也可以蚀刻并去除位于中间区域MA处的牺牲层703。第二光致抗蚀剂PR2可以防止位于其下方的金属层形成材料701被蚀刻。
可以去除位于基底100上的第二光致抗蚀剂PR2。详细地，可以去除位于堤630的上表面和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的侧表面630IS上的第二光致抗蚀剂PR2。可以在堤630的上表面和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻侧表面630IS上形成金属层700。在图19A中，金属层700形成在堤630的上表面和堤630的侧表面之中的与显示区域DA相邻的侧表面630IS上。然而，公开不限于此。金属层700可以在朝向显示区域DA的方向上延伸，并且可以位于在堤630与第一坝610之间暴露的无机绝缘层IIL上。
当显示面板保持在高温和高湿度下时，湿气可能渗透到位于外围区域的堤中。渗透到堤中的湿气可能使构成堤的端的有机绝缘层膨胀，并且可能使位于堤的端处的第一无机封装层氧化。第一无机封装层的氧化可能降低第一无机封装层与无机绝缘层之间的粘合，并且第一无机封装层和无机绝缘层可能彼此分离，导致对无机绝缘层的损坏。位于无机绝缘层上的电极可能由于对无机绝缘层的损坏而被氧化。
为了防止位于无机绝缘层上的电极的氧化，金属层可以位于堤的上表面和堤的侧表面之中的朝向显示区域定向的侧表面上。
虽然已经参照公开的一些实施例的方面具体地示出并描述了公开，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
根据如上所述的一些实施例，可以提供一种其中防止或减少包括在其中的至少一些层和电极的氧化的显示面板以及一种制造显示面板的方法。当然，公开的范围不限于此。
应理解的是，这里描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围及其等同物的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括显示区域、开口区域、中间区域和在所述显示区域外侧的外围区域；
无机绝缘层，在所述基底上；
堤，在所述外围区域中在所述无机绝缘层上；以及
金属层，在所述堤的上表面的至少一部分上，并且在所述堤的侧表面之中的与所述显示区域相邻的侧表面上，所述金属层包括导电氧化物。
2.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括在所述外围区域中在所述无机绝缘层上的第一坝，
其中，所述第一坝在所述堤与所述显示区域之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括：
发光二极管，在所述显示区域中；以及
封装层，在所述发光二极管上，并且包括第一无机封装层、在所述第一无机封装层上的第二无机封装层和在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层，
其中，所述封装层从所述显示区域延伸到所述外围区域。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述有机封装层被所述第一坝中断。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述堤的所述上表面上是不连续的。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的在所述堤的所述上表面上的相应长度彼此相等。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述金属层的在所述堤的所述上表面上的长度等于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的在所述堤的所述上表面上的所述相应长度中的每个。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述金属层的在所述堤的所述上表面上的长度大于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的在所述堤的所述上表面上的所述相应长度中的每个。
9.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述金属层在所述无机绝缘层的在所述堤与所述第一坝之间暴露的至少一部分上。
10.根据权利要求2所述的显示面板，其中，从所述无机绝缘层的上表面到所述堤的所述上表面的高度大于从所述无机绝缘层的所述上表面到所述第一坝的上表面的高度。
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