CN217306509U - 显示面板 - Google Patents

显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN217306509U
CN217306509U CN202220482030.0U CN202220482030U CN217306509U CN 217306509 U CN217306509 U CN 217306509U CN 202220482030 U CN202220482030 U CN 202220482030U CN 217306509 U CN217306509 U CN 217306509U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
wiring
light
insulating layer
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202220482030.0U
Other languages
English (en)
Inventor
崔洛初
权大起
金智熙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN217306509U publication Critical patent/CN217306509U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40OLEDs integrated with touch screens
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Push-Button Switches (AREA)

Abstract

提供了一种显示面板。所述显示面板包括:组件区域,包括显示元件组和透射区域;显示区域,围绕组件区域的至少一部分;以及第一遮光绝缘层,位于组件区域中,并且限定显示元件组中的每个的发射区域,其中,第一遮光绝缘层在平面图中具有隔离图案。因此,可以防止、减少或最小化外部光的反射,并且可以改善显示面板的对比度。

Description

显示面板
本申请要求于2021年3月18日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0035349号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示面板和包括该显示面板的电子设备。
背景技术
近来,显示面板已经被用于各种目的。此外,随着显示面板已经变得较薄和更轻,显示面板的使用和应用的范围已经扩大。
随着显示面板中的显示区域所占据的面积已经扩大,各种附加功能已经与显示面板结合或链接到显示面板。为了增大面积并且将各种功能添加到显示面板,已经研究了具有用于在显示区域中添加除了显示图像之外的各种功能的区域的显示面板。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解,因此在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
实用新型内容
诸如相机或传感器的组件可以被布置,以添加各种功能。为了在实现具有相对较大面积的显示区域的同时布置组件,组件可以与显示区域叠置。作为布置组件的一种方法,显示面板可以包括透射区域,诸如光、声音或其他可见或不可见光谱无线信号的波长可以透射通过该透射区域。本实用新型的目的是为了提供一种具有以上提及的特性的显示面板和包括该显示面板的电子设备。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地通过描述将是明显的,或者可以通过实践公开的实施例来获悉。
根据一个或更多个实施例,显示面板可以包括:组件区域,包括显示元件组和透射区域;显示区域,围绕组件区域的至少一部分;以及第一遮光绝缘层,位于组件区域中,并且限定显示元件组中的每个的发射区域,其中,第一遮光绝缘层在平面图中具有隔离图案。
根据一些实施例,显示面板还可以包括在第一遮光绝缘层上的第一遮光层和第一滤色器。
根据一些实施例,显示面板还可以包括在组件区域中的显示元件组之中的相邻显示元件组之间的第一布线和第二布线。
根据一些实施例,显示面板还可以包括在第一遮光层上的第二滤色器,其中,第二滤色器可以与第一布线和第二布线中的至少一者至少部分地叠置。
根据一些实施例,显示面板还可以包括第二遮光绝缘层,第二遮光绝缘层限定布置在显示区域中的像素发射区域。
根据一些实施例,显示面板还可以包括在第二遮光绝缘层上的第二遮光层和第三滤色器。
根据一些实施例,第一遮光绝缘层可以不位于第一布线和第二布线中的至少一者上。
根据一些实施例,第一遮光层的至少一部分可以位于第一布线和第二布线上。
根据一些实施例,第一遮光层可以包括与显示元件组中的每个的发射区域叠置的第一开口,并且第一滤色器可以位于第一开口中的每个中。
根据一些实施例,第二遮光层可以包括与像素发射区域叠置的第二开口,并且第三滤色器可以位于第二开口中的每个开口中。
根据一个或更多个实施例,显示面板包括:第一显示区域,包括显示元件组和透射区域,第一发光二极管布置在显示元件组中;第二显示区域,围绕第一显示区域的至少一部分并且具有布置在其中的第二发光二极管;以及第一遮光绝缘层,布置在第一显示区域中并且限定第一发光二极管中的每个的发射区域,其中,在平面上,第一遮光绝缘层具有隔离图案。
根据一些实施例,显示面板还可以包括布置在第一遮光绝缘层上的第一遮光层和第一滤色器。
根据一些实施例,第一遮光绝缘层可以包括与第一发光二极管对应的第一开口,并且第一遮光层可以包括与第一开口叠置的第二开口。
根据一些实施例,第一滤色器可以定位在第二开口中的每个中。
根据一些实施例,显示面板还可以包括布置在第一显示区域中的第一布线和第二布线。
根据一些实施例,第一布线和第二布线中的至少一者可以位于第一显示区域中的显示元件组之中的相邻显示元件组之间,并且第一遮光绝缘层可以不布置在第一布线和第二布线中的至少一者上。
根据一些实施例,第一遮光层的至少一部分可以布置在第一布线和第二布线上。
根据一些实施例,显示面板还可以包括布置在第一遮光层上的第二滤色器,其中,第二滤色器可以与第一布线和第二布线中的至少一者至少部分地叠置。
根据一些实施例,第二滤色器可以是红色滤色器。
根据一些实施例,第一遮光层可以包括与透射区域对应的第三开口。
根据一些实施例,显示面板还可以包括布置在第一遮光层和第一滤色器上的外涂层。
根据一些实施例,外涂层的至少一部分可以布置在第三开口中。
根据一些实施方式,显示面板还可包括布置在第一遮光绝缘层上的间隔件。
根据一些实施例,显示面板还可以包括布置在第一发光二极管上的封装层和布置在封装层上的输入感测层,其中,输入感测层可以包括第一金属层和第二金属层。
根据一些实施例,第一遮光层可以覆盖第二金属层。
根据一些实施例,显示面板还可以包括:第二遮光绝缘层,限定第二发光二极管中的每个的发射区域;以及第二遮光层和第三滤色器,布置在第二遮光绝缘层上。
根据一些实施例,第二遮光绝缘层和第一遮光绝缘层可以包括相同的材料。
根据一些实施例,遮光绝缘层可以包括与第二发光二极管对应的第四开口,并且第二遮光层可以包括与第四开口叠置的第五开口。
根据一些实施例,第三滤色器可以定位在第五开口中的每个中。
根据一些实施例,一种电子设备包括:显示面板,包括第一显示区域和第二显示区域,其中,第一显示区域包括其中布置有第一发光二极管的显示元件组和透射区域,并且第二显示区域至少部分地围绕第一显示区域并且具有布置在其中的第二发光二极管;以及组件,布置在显示面板的下表面上并且与第一显示区域至少部分地叠置,其中,显示面板包括第一遮光绝缘层,第一遮光绝缘层布置在第一显示区域中并且限定第一发光二极管中的每个的发射区域,并且在平面上,第一遮光绝缘层具有隔离图案。
根据一些实施例,电子设备还可以包括布置在第一遮光绝缘层上的第一遮光层和第一滤色器。
根据一些实施例,第一遮光绝缘层可以包括与第一发光二极管对应的第一开口,并且第一遮光层可以包括与第一开口叠置的第二开口。
根据一些实施例,第一滤色器可以定位在第二开口中的每个中。
根据一些实施例,电子设备还可以包括布置在第一显示区域中的第一布线和第二布线。
根据一些实施例,第一布线和第二布线中的至少一者可以位于第一显示区域中的显示元件组之中的相邻显示元件组之间,并且第一遮光绝缘层可以不布置在第一布线和第二布线中的至少一者上。
根据一些实施例,第一遮光层的至少一部分可以布置在第一布线和第二布线上。
根据一些实施例,显示面板还可以包括布置在第一遮光层上的第二滤色器,其中,第二滤色器可以与第一布线和第二布线中的至少一者至少部分地叠置。
根据一些实施例,第一遮光层可以包括与透射区域对应的第三开口。
根据一些实施例,电子设备还可以包括布置在第一遮光层和第一滤色器上的外涂层。
根据一些实施例,外涂层的至少一部分可以布置在第三开口中的每个中。
根据一些实施例,电子设备还可以包括布置在第一遮光绝缘层上的间隔件。
根据一些实施例,组件可以包括传感器或相机。
根据本实用新型,可以通过使用第一遮光绝缘层和第二遮光绝缘层、第一遮光层和第二遮光层以及第一滤色器和第三滤色器来防止、减少或最小化外部光的反射,并且可以改善显示面板的对比度。
根据附图、权利要求和具体实施方式,公开的一些实施例的其他方面、特征和特性将变得更明显。
附图说明
根据下面结合附图的描述,本公开的一些实施例的以上和其他方面、特征和特性将更明显,在附图中:
图1是根据一些实施例的电子设备的示意性透视图;
图2是根据一些实施例的电子设备的示意性透视图;
图3是根据一些实施例的电子设备的示意性透视图;
图4是根据一些实施例的电子设备的示意性剖视图;
图5是根据一些实施例的电子设备的示意性剖视图;
图6是根据一些实施例的电连接到电子设备的发光二极管的像素电路的示意性等效电路图;
图7是根据一些实施例的电连接到电子设备的发光二极管的像素电路的示意性等效电路图;
图8是根据一些实施例的显示面板的第一显示区域的一部分的示意性平面图;
图9是根据一些实施例的显示面板的第一显示区域的一部分的示意性平面图;
图10是根据一些实施例的显示面板的第二显示区域的一部分的示意性平面图;
图11是根据一些实施例的显示面板的第一显示区域的示意性平面图;
图12是沿着图11的线I-I’截取的第一显示区域的示意性剖视图;
图13是沿着图11的线I-I’截取的第一显示区域的示意性剖视图;
图14是沿着图11的线II-II’截取的第一显示区域的示意性剖视图;
图15是沿着图11的线III-III’截取的第一显示区域的示意性剖视图;
图16是根据一些实施例的显示面板的第二显示区域的一部分的示意性平面图;
图17是沿着图16的线IV-IV’截取的第二显示区域的示意性剖视图;
图18是根据一些实施例的显示面板的第一显示区域的示意性平面图;
图19是沿着图18的线V-V’截取的第一显示区域的示意性剖视图;
图20是沿着图18的线VI-VI’截取的第一显示区域的示意性剖视图;
图21是沿着图18的线VI-VI’截取的第一显示区域的示意性剖视图;以及
图22是沿着图16的线IV-IV’截取的第二显示区域的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地参照一些实施例的方面,附图中示出了一些实施例的示例,其中,同样的附图标记始终指同样的元件。就这一点而言,给出的实施例可以具有不同的形式,并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此,下面仅通过参照图来描述实施例,以解释本描述的方面。如这里所使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。贯穿公开,表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中全部或它们的变型。
由于公开允许各种改变和许多实施例,因此将在附图中示出并在具体实施方式中描述某些实施例。将参照下面参照附图更详细地描述的实施例来阐明公开的效果和特征以及用于实现它们的方法。然而,公开不限于下面的实施例,并且可以以各种形式体现。
将理解的是,尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
在下面的实施例中,除非上下文另外明确说明,否则单数形式包括复数形式。
还将理解的是,这里使用的术语“包括”和/或其变型,说明存在所陈述的特征或元件,但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征或元件。
还将理解的是,当层、区域或元件被称为“在”另一层、区域或元件“上”时,该层、区域或元件可以直接在所述另一层、区域或元件上,或者可以间接在所述另一层、区域或元件上,且居中层、居中区域或居中元件在其间。
为了便于说明,可以夸大或缩小附图中的元件的尺寸。另外,因为为了便于说明而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度,所以公开不限于此。
在本说明书中,诸如“A和/或B”的表述表示A、B或者A和B。此外,诸如“A和B中的至少一个(者/种)”的表述表示A、B或者A和B。
在下面的实施例中,表述“在第一方向或第二方向上延伸的线”可以包括“线在第一方向或第二方向上以直线形状延伸”的情况以及“线在第一方向或第二方向上以锯齿形或弯曲形状延伸”的情况。
在下面的实施例中,当元件被称为“在平面上”时,理解的是,从顶部观看该元件,并且当元件被称为“在剖面上”时,理解的是,该元件被垂直切割并且从侧面观看该元件。在下面的实施例中,当元件彼此“叠置”时,元件“在平面上”和“在剖面上”叠置。
在下文中,将参照附图描述实施例,在附图中,彼此相同或者对应的那些元件被赋予相同的附图标记。
图1是根据一些实施例的电子设备1的示意性透视图。
根据一些实施例的电子设备1是显示运动画面或静止图像的设备,并且不仅可以用在移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航仪和超移动PC(UMPC)中,而且可以用在诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)设备的各种产品的显示屏幕中。根据一些实施例的电子设备1还可以用在可穿戴设备(诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器或头戴式显示器(HMD))中。根据一些实施例的电子设备1还可以用作或者结合到汽车的仪表板、汽车的中心仪表盘或仪表板上的中心信息显示器(CID)、代替汽车的侧视镜的室内镜显示器以及布置在前座椅的后侧上以用作汽车后座乘客的娱乐设备的显示器中。为了便于描述,图1示出了电子设备1用作智能电话,但是根据本公开的实施例不限于此。
参照图1,电子设备1可以包括显示区域DA和显示区域DA外部的非显示区域NDA。电子设备1可以通过二维地布置在显示区域DA中的多个像素的阵列来显示图像。
非显示区域NDA是不提供图像并且可以完全围绕显示区域DA的区域。也就是说,非显示区域NDA可以作为边框区域操作,并且可以在显示区域DA的外围中(例如,在显示区域DA的所占区外部)。在非显示区域NDA中,可以布置用于将电信号或电力提供到布置在显示区域DA中的显示元件的驱动器。在非显示区域NDA中,可以布置一个或更多个垫(pad,或称为“焊盘”),所述一个或更多个垫是一个或更多个电子装置、组件或印刷电路板可以电连接到的端子。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第一显示区域DA1是其中布置有用于将各种功能添加到电子设备1的组件的区域,并且第一显示区域DA1可以与组件区域对应。
图2是根据一些实施例的电子设备1的示意性透视图,并且图3是根据一些实施例的电子设备1的示意性透视图。例如,图2是示出其中可折叠电子设备1被折叠的状态的示意性透视图,图3是示出其中可折叠电子设备1被展开的状态的示意性透视图。
根据一些实施例的电子设备1可以是可折叠电子设备。电子设备1可以相对于折叠轴FAX折叠。根据一些实施例,折叠轴FAX可以位于相对于整个显示区域DA是固定的或预定的位置处。显示区域DA可以定位在电子设备1外侧和/或内侧。根据一些实施例,图2和图3示出了显示区域DA分别定位在电子设备1外侧和内侧。
参照图2,显示区域DA可以布置在电子设备1外侧。折叠的电子设备1的外表面可以包括显示区域DA,并且显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。在这种情况下,第二显示区域DA2可以占据显示区域DA的大部分,并且与第二显示区域DA2相比,第一显示区域DA1可以具有相对小的面积。
参照图3,显示区域DA可以布置在电子设备1内侧。展开的电子设备1的内表面可以包括显示区域DA,并且显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。在这种情况下,第二显示区域DA2可以占据显示区域DA的大部分,并且与第二显示区域DA2相比,第一显示区域DA1可以具有相对小的面积。
图3示出了第二显示区域DA2包括布置在折叠轴FAX的两侧(例如,相对侧)处的左显示区域DA2L和右显示区域DA2R,并且第一显示区域DA1布置在右显示区域DA2R内部,但是根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例,第一显示区域DA1也可以布置在左显示区域DA2L内部。
图1、图2和图3示出了第一显示区域DA1完全被第二显示区域DA2围绕,但是根据本公开的实施例不限于此。图4是根据一些实施例的电子设备1的示意性平面图,如图4中示出的,第一显示区域DA1可以被第二显示区域DA2部分地围绕。
图5是根据一些实施例的电子设备1的示意性剖视图。
参照图5,电子设备1可以包括显示面板10和与显示面板10叠置的组件20。在这种情况下,组件20可以布置在显示面板10的下表面上,并且组件20可以定位在第一显示区域DA1中。
显示面板10可以包括基底100、布置在基底100上的薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的显示元件(例如,发光二极管LED)、覆盖显示元件的封装层300、输入感测层400、抗反射层600和窗700。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。包括聚合树脂的基底100可以是柔性的、可折叠的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含前面提及的聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
下保护膜PB可以布置在基底100的下表面上。下保护膜PB可以附着到基底100的下表面。粘合层可以在下保护膜PB与基底100之间。可选地,下保护膜PB可以直接形成在基底100的下表面上,在这种情况下,粘合层可以不在下保护膜PB与基底100之间。
下保护膜PB可以支撑并保护基底100。下保护膜PB可以包括与第一显示区域DA1对应的开口PB-OP。下保护膜PB可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺的有机绝缘材料。
薄膜晶体管TFT和作为电连接到薄膜晶体管TFT的显示元件的发光二极管LED可以布置在基底100的上表面上。发光二极管LED可以是包括有机材料的有机发光二极管。有机发光二极管可以发射红光、绿光和蓝光。
发光二极管LED可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含基于无机半导体的材料的PN结二极管。当电压在正向方向上施加到PN结二极管时,可以注入空穴和电子,并且通过空穴和电子的复合产生的能量可以被转换为光能量,以发射具有一定颜色的光。前面提及的无机发光二极管可以具有几微米至几百微米或者几纳米至几百纳米的宽度。根据一些实施例,发光二极管LED可以包括量子点发光二极管。可选地,发光二极管LED的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
发光二极管LED可以电连接到布置在其下方的薄膜晶体管TFT。就这一点而言,图5示出了缓冲层111布置在基底100上,并且薄膜晶体管TFT布置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT和电连接到薄膜晶体管TFT的发光二极管LED可以分别布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中。
透射区域TA可以定位在第一显示区域DA1中。透射区域TA可以是从组件20发射的光和/或被朝向组件20引导的光可以透射通过的区域。在显示面板10中,透射区域TA的透射率可以是约30%或更高、约40%或更高、约50%或更高、约60%或更高、约70%或更高、约75%或更高、约80%或更高、约85%或更高或者约90%或更高。
组件20可以包括传感器,诸如接近传感器、照度传感器、虹膜传感器、面部识别传感器和相机(或图像传感器)。组件20可以使用光。例如,组件20可以发射和/或接收红外光带、紫外光带和可见光带的光。使用红外线的接近传感器可以检测靠近电子设备1的上表面布置的对象,并且照度传感器可以检测入射在电子设备1的上表面上的光的照度。此外,虹膜传感器可以捕获布置在电子设备1的上表面之上的人的虹膜的图像,并且相机可以接收关于布置在电子设备1的上表面上的对象的光。
为了防止或减少布置在第一显示区域DA1中的薄膜晶体管TFT的功能因穿过透射区域TA的光而劣化,阻挡金属层BML可以在基底100与缓冲层111之间。阻挡金属层BML可以不定位在第二显示区域DA2中。阻挡金属层BML可以定位在第一显示区域DA1中,并且可以包括与透射区域TA叠置的开口。
封装层300可以覆盖发光二极管LED。封装层300可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。根据一些实施例,封装层300可以包括第一无机层、第二无机层以及第一无机层与第二无机层之间的有机层。
输入感测层400可以布置在封装层300上。输入感测层400可以根据外部输入(例如,使用诸如手指或手写笔的对象的触摸事件)获得坐标信息。输入感测层400可以包括触摸电极和连接到触摸电极的迹线。输入感测层400可以通过使用互电容方法或自电容方法来感测外部输入。
抗反射层600可以降低从外部朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层600可以包括遮光层610、滤色器620和外涂层630。遮光层610可以包括与第一显示区域DA1的发光二极管LED叠置的开口610OP1和与第二显示区域DA2的发光二极管LED叠置的开口610OP3,并且滤色器620可以分别布置在开口610OP1和610OP3中。遮光层610可以包括与发光二极管LED不叠置的开口610OP2。开口610OP2可以与透射区域TA对应,并且外涂层630的一部分可以定位在开口610OP2中。
窗700可以布置在抗反射层600上。窗700可以通过粘合层(诸如光学透明粘结剂)结合到抗反射层600。窗700可以包括玻璃材料或塑料材料。玻璃材料可以包括超薄玻璃。塑料材料可以包括聚合物树脂,诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。
图6是根据一些实施例的电连接到电子设备1的发光二极管LED的像素电路PC的示意性等效电路图。
参照图6,根据一些实施例,像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。
第二晶体管T2是可以连接到扫描线SL和数据线DL并且被配置为基于从扫描线SL输入的开关电压(或开关信号Sn)将从数据线DL输入的数据电压(或数据信号Dm)传输到第一晶体管T1的开关晶体管。存储电容器Cst可以连接到第二晶体管T2和驱动电压线PL,并且可以被配置为存储与从第二晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一晶体管T1是可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst并且被配置为响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过发光二极管LED的驱动电流的驱动晶体管。由于驱动电流,发光二极管LED可以发射具有一定亮度的光。发光二极管LED的对电极(例如,阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。
尽管图6示出了像素电路PC包括两个晶体管和一个存储电容器,但是根据本公开的实施例不限于此。晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而进行各种改变。也就是说,在不脱离根据本公开的实施例的精神和范围的情况下,像素电路PC中可以存在附加的晶体管和电容器以及其他电气组件。例如,像素电路PC可以包括三个或更多个晶体管。
图7是根据一些实施例的电连接到电子设备1的发光二极管LED的像素电路PC的示意性等效电路图。
参照图7,根据一些实施例,像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cbt。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7、第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cbt可以连接到信号线、第一初始化电压线VIL1、第二初始化电压线VIL2和驱动电压线PL。信号线可以包括数据线DL、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3、第四扫描线SL4和发射控制线EL。根据一些实施例,信号线、第一初始化电压线VIL1和第二初始化电压线VIL2和驱动电压线PL中的至少一条可以在相邻像素之间被共享。
驱动电压线PL可以被配置为将第一电力电压ELVDD传输到第一晶体管T1。第一初始化电压线VIL1可以被配置为将使第一晶体管T1初始化的第一初始化电压Vint1传输到像素电路PC。第二初始化电压线VIL2可以被配置为将使发光二极管LED初始化的第二初始化电压Vint2传输到像素电路PC。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3、第四扫描线SL4、发射控制线EL、第一初始化电压线VIL1和第二初始化电压线VIL2可以在x方向上延伸并且可以在每行中彼此间隔开。数据线DL和驱动电压线PL可以在y方向上延伸,并且可以在每列中彼此间隔开。
在第一晶体管T1至第七晶体管T7之中,第三晶体管T3和第四晶体管T4可以由n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(NMOS)实现,并且其他晶体管可以由p沟道MOSFET(PMOS)实现。然而,根据本公开的实施例不限于此。
第一晶体管T1可以经由第五晶体管T5电连接到驱动电压线PL,并且可以经由第六晶体管T6电连接到发光二极管LED。第一晶体管T1可以用作驱动晶体管,并且可以被配置为根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm,并且将驱动电流供应到发光二极管LED。
第二晶体管T2可以连接到第一扫描线SL1和数据线DL,并且经由第五晶体管T5连接到驱动电压线PL。第二晶体管T2可以响应于通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn而导通,并且可以被配置为执行将传输到数据线DL的数据信号Dm传输到节点N1的开关操作。
第三晶体管T3可以连接到第四扫描线SL4,并且可以经由第六晶体管T6连接到发光二极管LED。第三晶体管T3可以响应于通过第四扫描线SL4接收的第四扫描信号Sn'而导通,并且可以被配置为使第一晶体管T1二极管连接。
第四晶体管T4可以连接到作为前一扫描线的第三扫描线SL3和第一初始化电压线VIL1,并且可以响应于作为前一扫描信号并经由第三扫描线SL3接收的第三扫描信号Sn-1而导通,以将第一初始化电压Vint1从第一初始化电压线VIL1传输到第一晶体管T1的栅电极,从而将第一晶体管T1的栅电极的电压初始化。然而,根据本公开的实施例不限于此。
第五晶体管T5和第六晶体管T6可以连接到发射控制线EL,并且可以响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而同时(或并发地)导通以形成电流路径,使得驱动电流可以在从驱动电压线PL到发光二极管LED的方向上流动。
第七晶体管T7可以连接到作为下一扫描线的第二扫描线SL2和第二初始化电压线VIL2,并且可以响应于作为下一扫描信号并且通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn+1而导通,以将来自于第二初始化电压线VIL2的第二初始化电压Vint2传输到发光二极管LED,从而将发光二极管LED初始化。然而,根据本公开的实施例不限于此。例如,可以省略第七晶体管T7。
根据一些实施例,第一存储电容器Cst1可以包括第一电极CE1和第二电极CE2。根据一些实施例,第一电极CE1可以连接到第一晶体管T1的栅电极,并且第二电极CE2可以连接到驱动电压线PL。第一存储电容器Cst1可以存储并保持与驱动电压线PL和第一晶体管T1的栅电极的两端的电压之间的差对应的电压,使得可以保持施加到第一晶体管T1的栅电极的电压。
第二存储电容器Cbt可以包括第三电极CE3和第四电极CE4。第三电极CE3可以连接到第一扫描线SL1和第二晶体管T2的栅电极。第四电极CE4可以连接到第一晶体管T1的栅电极和第一存储电容器Cst1的第一电极CE1。第二存储电容器Cbt可以是升压电容器,并且在第一扫描线SL1的第一扫描信号Sn是使第二晶体管T2截止的电压时,第二存储电容器Cbt可以增加节点N2的电压以降低显示黑色的电压(黑色电压)。
发光二极管LED可以包括像素电极(例如,阳极)和对电极(例如,阴极),并且对电极可以接收第二电力电压ELVSS。发光二极管LED可以从第一晶体管T1接收驱动电流以发光,从而显示图像。
下面更详细地描述了根据一些实施例的像素电路PC和电连接到像素电路PC的像素的一些示例操作。
在第一初始化时段期间,当通过第三扫描线SL3供应第三扫描信号Sn-1时,第四晶体管T4可以根据第三扫描信号Sn-1导通,并且第一晶体管T1可以通过从第一初始化电压线VIL1供应的第一初始化电压Vint1而被初始化。
在数据编程时段期间,当分别通过第一扫描线SL1和第四扫描线SL4供应第一扫描信号Sn和第四扫描信号Sn'时,可以根据第一扫描信号Sn和第四扫描信号Sn'使第二晶体管T2和第三晶体管T3导通。在这种情况下,第一晶体管T1可以通过导通的第三晶体管T3而二极管连接,并且可以在正向方向上偏置。通过在从数据线DL供应的数据信号Dm中补偿第一晶体管T1的阈值电压(Vth)而获得的电压可以施加到第一晶体管T1的栅电极。第一电力电压ELVDD和补偿电压可以施加到第一存储电容器Cst1的两端,并且与第一存储电容器Cst1的两端之间的电压差对应的电荷可以存储在第一存储电容器Cst1中。
在发射时段期间,第五晶体管T5和第六晶体管T6可以通过从发射控制线EL供应的发射控制信号En导通。驱动电流可以根据第一晶体管T1的栅电极的电压与第一电力电压ELVDD之间的差来产生,并且驱动电流可以通过第六晶体管T6供应到发光二极管LED。
在第二初始化时段期间,当通过第二扫描线SL2供应第二扫描信号Sn+1时,第七晶体管T7可以响应于第二扫描信号Sn+1而导通,并且发光二极管LED可以通过从第二初始化电压线VIL2供应的第二初始化电压Vint2而被初始化。
根据一些实施例,多个晶体管T1至T7中的至少一个可以包括包含氧化物的半导体层,并且多个晶体管T1至T7中的其他晶体管可以包括包含硅的半导体层。例如,直接影响显示面板10的亮度的第一晶体管T1被构造为包括包含具有高可靠性的多晶硅的硅半导体,因此,可以实现高分辨率显示面板10。
因为氧化物半导体具有高载流子迁移率和低漏电流,所以尽管长驱动时间,但是其电压降不大。也就是说,即使在低频驱动期间,根据电压降的图像的颜色变化也不大,因此,低频驱动是可行的。如上所述,由于氧化物半导体具有小漏电流,所以连接到第一晶体管T1的栅电极的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的至少一个可以由氧化物半导体形成,以防止或减少可能流到第一晶体管T1的栅电极的漏电流,并且还降低功耗。然而,根据本公开的实施例不限于此。多个晶体管T1至T7全部可以包括包含硅半导体层。此外,除了第三晶体管T3和第四晶体管T4之外的晶体管可以包括包含氧化物的半导体层。
图8是根据一些实施例的显示面板10的第一显示区域DA1的一部分的示意性平面图,并且图9是根据一些实施例的显示面板10的第一显示区域DA1的一部分的示意性平面图。
参照图8,像素布置在第一显示区域DA1中,并且像素可以包括发射具有不同颜色的光的第一像素至第三像素。在下文中,为了便于描述,将描述第一像素是红色像素Pr,第二像素是绿色像素Pg,并且第三像素是蓝色像素Pb。
根据一些实施例,像素组PG可以在第一显示区域DA1中彼此间隔开。每个像素组PG可以被透射区域TA围绕,并且可以包括发射具有不同颜色的光的像素,例如,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb。根据一些实施例,每个像素组PG可以包括两个红色像素Pr、四个绿色像素Pg和两个蓝色像素Pb。
图8中示出的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以通过使用分别布置在对应的像素中的发光二极管来发射红光、绿光和蓝光。因此,像素的布置可以与作为显示元件的发光二极管的布置对应。例如,图8中示出的红色像素Pr的位置可以表示发射红光的发光二极管的位置。相似地,绿色像素Pg的位置可以表示发射绿光的发光二极管的位置,并且蓝色像素Pb的位置可以表示发射蓝光的发光二极管的位置。
例如,当包括红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb的像素组PG彼此间隔开时,这可以表示包括发射红光、绿光和蓝光的发光二极管的显示元件组彼此间隔开。
像素组PG可以相对于像素组PG的中心PGC对称。例如,红色像素Pr和蓝色像素Pb可以布置在第一列1M中,并且四个绿色像素Pg可以在第二列2M中彼此间隔开一定间隔。此外,蓝色像素Pb和红色像素Pr可以布置在第三列3M中。在这种情况下,布置在第一列1M中的红色像素Pr和布置在第三列3M中的红色像素Pr可以相对于像素组PG的中心PGC对称。布置在第一列1M中的蓝色像素Pb和布置在第三列3M中的蓝色像素Pb可以相对于像素组PG的中心PGC对称。布置在第二列2M中的绿色像素Pg可以相对于像素组PG的中心PGC对称。
根据一些实施例,蓝色像素Pb在y方向上的长度可以大于红色像素Pr在y方向上的长度。蓝色像素Pb在y方向上的长度可以大于或等于两个绿色像素Pg在y方向上的长度的总和。然而,根据本公开的实施例不限于此。
参照图8,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以在平面上(或在平面图中,例如,相对于与显示表面平行的平面垂直或正交的方向)具有大致矩形形状。例如,红色像素Pr和蓝色像素Pb均可以具有矩形形状,该矩形形状具有在x方向上的短边和在y方向上的长边。绿色像素Pg可以具有矩形形状,该矩形形状具有在x方向上的长边和在y方向上的短边。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb中的至少一个可以具有n边形形状(n是5或更大的自然数)。例如,如图9中示出的,绿色像素Pg可以具有矩形形状,但是红色像素Pr和蓝色像素Pb均可以具有与透射区域TA相邻的、至少弯曲一次的边缘,因此可以在平面上具有n边形形状(n是5或更大的自然数)。
图10是根据一些实施例的显示面板10的第二显示区域DA2的一部分的示意性平面图。
参照图10,像素布置在第二显示区域DA2中,并且像素可以包括发射具有不同颜色的光的第一像素至第三像素。在下文中,为了便于描述,将描述第一像素是红色像素Pr、第二像素是绿色像素Pg、并且第三像素是蓝色像素Pb。
根据一些实施例,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以根据一定规则布置在第二显示区域DA2中。例如,如图10中示出的,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以以钻石Pentile
Figure BDA0003534748020000161
型布置。然而,根据本公开的实施例不限于此。
例如,多个红色像素Pr和多个蓝色像素Pb交替地布置在第一行1N中,多个绿色像素Pg在与第一行1N相邻的第二行2N中以一定间隔彼此间隔开,多个蓝色像素Pb和多个红色像素Pr交替地布置在与第二行2N相邻的第三行3N中,并且多个绿色像素Pg在与第三行3N相邻的第四行4N中以一定间隔彼此间隔开。重复这种像素的布置直到第N行。在这种情况下,蓝色像素Pb和红色像素Pr的尺寸(或宽度)可以大于绿色像素Pg的尺寸(或宽度)。
布置在第一行1N中的红色像素Pr和蓝色像素Pb以及布置在第二行2N中的绿色像素Pg交替地布置。因此,多个红色像素Pr和多个蓝色像素Pb交替地布置在第一列1M中,多个绿色像素Pg在与第一列1M相邻的第二列2M中以一定间隔彼此间隔开,多个蓝色像素Pb和多个红色像素Pr交替地布置在与第二列2M相邻的第三列3M中,并且多个绿色像素Pg在与第三列3M相邻的第四列4M中以一定间隔彼此间隔开。重复这种像素的布置直到第M列。
当这样的像素布置结构被不同地表示时,在以绿色像素Pg的中心点作为虚拟四边形VS的中心点的虚拟四边形VS的顶点之中,红色像素Pr布置在彼此面对的第一顶点和第三顶点中的每个处,并且蓝色像素Pb布置在作为剩余顶点的第二顶点和第四顶点中的每个处。在这种情况下,虚拟四边形VS可以进行各种修改,诸如矩形、菱形、正方形等。
像素布置结构可以被称为
Figure BDA0003534748020000171
并且可以通过应用通过共享相邻像素来表现颜色的渲染驱动而由小数量的像素来实现高分辨率。
根据一些实施例,红色像素Pr和蓝色像素Pb的尺寸可以大于绿色像素Pg的尺寸。根据一些实施例,红色像素Pr的尺寸可以大于蓝色像素Pb的尺寸,或者红色像素Pr和蓝色像素Pb可以具有相同的尺寸。根据一些实施例,蓝色像素Pb的尺寸可以大于红色像素Pr的尺寸。然而,根据本公开的实施例不限于此。
图10中示出的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以通过使用分别布置在对应的像素中的发光二极管来发射红光、绿光和蓝光。因此,像素的布置可以与作为显示元件的发光二极管的布置对应。例如,图10中示出的红色像素Pr的位置可以表示发射红光的发光二极管的位置。相似地,绿色像素Pg的位置可以表示发射绿光的发光二极管的位置,并且蓝色像素Pb的位置可以表示发射蓝光的发光二极管的位置。
图11是根据一些实施例的显示面板10的第一显示区域DA1的示意性平面图。
参照图11,根据一些实施例,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以布置在第一显示区域DA1中。
根据一些实施例,像素组PG可以在第一显示区域DA1中彼此间隔开。像素组PG中的每个可以被透射区域TA围绕。
根据一些实施例,包括遮光材料的第一遮光绝缘层123a可以布置在第一显示区域DA1中。根据一些实施例,第一遮光绝缘层123a可以限定第一发光二极管(例如,红色像素Pr、蓝色像素Pb和绿色像素Pg)的发射区域。也就是说,每个第一遮光绝缘层123a可以限定布置在第一显示区域DA1中的红色像素Pr、蓝色像素Pb和绿色像素Pg的发射区域。
根据一些实施例,第一遮光绝缘层123a可以在平面上具有隔离图案(分离图案,isolated pattern)。例如,多个第一遮光绝缘层123a可以布置在第一显示区域DA1中,并且第一遮光绝缘层123a中的每个可以在平面上具有隔离图案。例如,第一遮光绝缘层123a可以在x方向和/或y方向上彼此间隔开。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第一遮光绝缘层123a可以包括与像素(例如,红色像素Pr、蓝色像素Pb和绿色像素Pg)对应的第一开口123aOP。
根据一些实施例,被配置为将电信号施加到被配置为驱动像素的像素电路PC的信号线、第一初始化电压线VIL1(见图7)、第二初始化电压线VIL2(见图7)和驱动电压线PL(见图7)可以布置在第一显示区域DA1中。在这种情况下,信号线可以包括数据线DL(见图7)、第一扫描线SL1(见图7)、第二扫描线SL2(见图7)、第三扫描线SL3(见图7)、第四扫描线SL4(见图7)和发射控制线EL(见图7)。
根据一些实施例,第一布线(或水平布线HL)和/或第二布线(或竖直布线VL)可以布置在第一显示区域DA1中。根据一些实施例,第一布线HL可以在x方向上延伸,并且第二布线VL可以在y方向上延伸。
根据一些实施例,第一布线HL可以是第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3、第四扫描线SL4、发射控制线EL、第一初始化电压线VIL1和第二初始化电压线VIL2中的至少一条,或者第二布线VL可以是数据线DL和驱动电压线PL中的至少一条。
根据一些实施例,在第一显示区域DA1中,第一布线HL和第二布线VL中的至少一条可以在相邻(或最相邻)的显示元件组(例如,像素组PG)之间。例如,第一布线HL可以在沿x方向彼此间隔开的像素组PG之间,并且第二布线VL可以在沿y方向彼此间隔开的像素组PG之间。
根据一些实施例,第一遮光绝缘层123a可以不布置在第一布线HL和第二布线VL中的至少一条上。例如,第一遮光绝缘层123a可以不布置在第一布线HL上。此外,第一遮光绝缘层123a可以不布置在第二布线VL上。也就是说,第一布线HL和第二布线VL中的至少一者可以不与第一遮光绝缘层123a叠置。
图12是沿着图11的线I-I’截取的第一显示区域DA1的示意性剖视图。图12示出了显示面板的发光二极管包括有机发光二极管的情况。有机发光二极管可以作为发光二极管布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的每个中,并且为了便于描述,布置在第一显示区域DA1中的有机发光二极管可以被称为第一有机发光二极管OLED1,并且布置在第二显示区域DA2中的有机发光二极管可以被称为第二有机发光二极管OLED2。
参照图12,根据一些实施例,第一有机发光二极管OLED1可以布置在基底100上。
基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。第一基体层101和第二基体层103均可以包括聚合物树脂,并且第一阻挡层102和第二阻挡层104均可以包括无机绝缘材料。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素。
缓冲层111可以在基底100上。缓冲层111可以减少或防止异物、湿气或外部空气从基底100下方渗透。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料,并且可以具有包括以上提及的材料的单层结构或多层结构。
阻挡金属层BML可以在基底100与缓冲层111之间,并且可以定位在第一显示区域DA1中。阻挡金属层BML可以防止或减少行进到布置在第一显示区域DA1中的组件20(见图5)的光或者从组件20发射的光影响诸如像素电路的第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2的电子元件。阻挡金属层BML可以包括导电金属,诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。
第一有机发光二极管OLED1可以电连接到像素电路。第一有机发光二极管OLED1可以电连接到基底100与第一有机发光二极管OLED1之间的像素电路。
根据一些实施例,像素电路可以包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。这里,第一薄膜晶体管TFT1可以是以上参照图7描述的第一晶体管T1(见图7)、第二晶体管T2(见图7)、第五晶体管T5(参见图7)、第六晶体管T6(见图7)和第七晶体管T7(见图7)中的一个,并且第二薄膜晶体管TFT2可以是以上参照图7描述的第三晶体管T3(见图7)和第四晶体管T4(见图7)中的一个。然而,根据本公开的实施例不限于此。图12中的第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2是包括在显示面板中的晶体管的示意性图示,其中,第一薄膜晶体管TFT1被示出为设置为包括硅半导体的半导体层的晶体管,并且第二薄膜晶体管TFT2被示出为设置为包括氧化物半导体的半导体层的晶体管。
第一薄膜晶体管TFT1可以包括第一半导体层A1、与第一半导体层A1的沟道区叠置的第一栅电极G1以及分别与第一半导体层A1的源区和漏区至少部分地叠置的第一源电极S1和第一漏电极D1。第一栅极绝缘层113可以在第一半导体层A1与第一栅电极G1之间,并且第二栅极绝缘层114可以布置在第一栅电极G1上。
第二薄膜晶体管TFT2可以包括第二半导体层A2、与第二半导体层A2的沟道区叠置的第二栅电极G2以及分别与第二半导体层A2的源区和漏区至少部分地叠置的第二源电极S2和第二漏电极D2。第二栅电极G2可以包括布置在第二半导体层A2下方的下栅电极G2a和布置在第二半导体层A2之上的上栅电极G2b。第一层间绝缘层115可以布置在下栅电极G2a上,第三栅极绝缘层116可以在第二半导体层A2与上栅电极G2b之间,并且第二层间绝缘层117可以布置在上栅电极G2b上。
存储电容器Cst可以与第一薄膜晶体管TFT1叠置。存储电容器Cst可以包括彼此叠置的下电极144和上电极146。根据一些实施例,第一薄膜晶体管TFT1的第一栅电极G1可以包括存储电容器Cst的下电极144。也就是说,第一薄膜晶体管TFT1的第一栅电极G1可以是存储电容器Cst的下电极144。
第二栅极绝缘层114可以在下电极144与上电极146之间。
第一半导体层A1可以包括硅半导体。根据一些实施例,第一半导体层A1可以包括多晶硅。可选地,根据一些实施例,第一半导体层A1可以包括非晶硅。
第一栅极绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料,并且可以具有包括以上提及的材料的单层结构或多层结构。
第一栅电极G1或下电极144可以包括具有低电阻的(低电阻)导电材料,诸如Mo、Al、Cu和/或Ti,并且可以具有包括以上提及的材料的单层结构或多层结构。
第二栅极绝缘层114可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料,并且可以具有包括以上提及的材料的单层结构或多层结构。
上电极146或下栅电极G2a可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu,并且可以具有包括以上提及的材料的单层结构或多层结构。
第一层间绝缘层115包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料,并且可以具有包括以上提及的材料的单层结构或多层结构。
根据一些实施例,第二半导体层A2可以包括氧化物半导体。例如,第二半导体层A2可以包括氧化物半导体,该氧化物半导体包括从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、Cr、Ti和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种材料。第二半导体层A2可以包括沟道区以及掺杂有杂质的漏区和极区。然而,根据本公开的实施例不限于此。例如,可以省略第二半导体层A2。在这种情况下,晶体管的所有半导体层可以由硅半导体形成。
第三栅极绝缘层116可以布置在第二半导体层A2上。第三栅极绝缘层116可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料,并且可以具有包括以上提及的材料的单层结构或多层结构。然而,根据本公开的实施例不限于此。例如,可以省略第三栅极绝缘层116。
上栅电极G2b可以布置在第三栅极绝缘层116上。上栅电极G2b可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu,并且可以具有包括以上提及的材料的单层结构或多层结构。然而,根据本公开的实施例不限于此。例如,可以省略上栅电极G2b。
第二层间绝缘层117可以布置在上栅电极G2b上。第二层间绝缘层117可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料,并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。然而,根据本公开的实施例不限于此。例如,可以省略第二层间绝缘层117。
第一源电极S1、第一漏电极D1、第二源电极S2和第二漏电极D2可以布置在第二层间绝缘层117上。第一源电极S1、第一漏电极D1、第二源电极S2和第二漏电极D2中的每者可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu,并且可以具有包括以上提及的材料的单层结构或多层结构。例如,第一源电极S1、第一漏电极D1、第二源电极S2和第二漏电极D2可以具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
根据一些实施例,第一源电极S1和/或第一漏电极D1可以分别通过接触孔电连接到第一半导体层A1的源区和/或漏区。此外,第二源电极S2和/或第二漏电极D2可以分别通过接触孔电连接到第二半导体层A2的源区和/或漏区。
第一有机绝缘层118、第二有机绝缘层119和第三有机绝缘层120可以顺序地布置在第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2上。第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以通过布置在第一有机绝缘层118上的连接电极层CML连接到对应的有机发光二极管(例如,第一有机发光二极管OLED1)的像素电极210。连接电极层CML可以通过限定在第一有机绝缘层118中的接触孔电连接到第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2,并且像素电极210可以通过限定在第二有机绝缘层119和第三有机绝缘层120中的接触孔连接到连接电极层CML。
第一有机绝缘层118、第二有机绝缘层119和/或第三有机绝缘层120可以包括有机绝缘材料,诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
根据一些实施例,第三有机绝缘层120可以布置在第二有机绝缘层119上,因此,可以改善显示区域DA的平坦度。然而,可以省略第三有机绝缘层120。
根据一些实施例,可以省略连接电极层CML、第二有机绝缘层119和/或第三有机绝缘层120,并且在这种情况下,像素电极210可以通过限定在第一有机绝缘层118中的接触孔直接连接到第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2。
根据一些实施例,第一有机发光二极管OLED1可以包括像素电极210、中间层220和对电极230。在这种情况下,像素电极210、中间层220和对电极230可以彼此叠置。
根据一些实施例,中间层220可以包括发射层。根据一些实施例,中间层220还可以包括在像素电极210与发射层之间的第一功能层和/或在发射层与对电极230之间的第二功能层。
像素电极210可以布置在第三有机绝缘层120上。像素电极210可以包括反射层,该反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其任何化合物或其任何混合物。像素电极210可以包括包含以上提及的材料的反射层和在反射层之上和/或下方的透明导电层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铝锌(AZO)等。根据一些实施例,像素电极210可以具有ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。
第一遮光绝缘层123a可以包括覆盖像素电极210的边缘并且与像素电极210至少部分地叠置的开口。就这一点而言,图12示出了与第一有机发光二极管OLED1的像素电极210叠置的开口(在下文中,称为第一开口123aOP)。
第一遮光绝缘层123a的第一开口123aOP可以限定第一有机发光二极管OLED1的发射区域。例如,第一遮光绝缘层123a的第一开口123aOP的宽度可以与第一有机发光二极管OLED1的发射区域的宽度对应。
第一遮光绝缘层123a是彩色绝缘层,并且可以具有例如黑色颜料。例如,第一遮光绝缘层123a可以包括聚酰亚胺(PI)类粘结剂和其中混合有红色颜料、绿色颜料和/或蓝色颜料的颜料。可选地,第一遮光绝缘层123a可以包括Cardo类粘结剂树脂、内酰胺类黑色颜料和蓝色颜料的混合物。可选地,第一遮光绝缘层123a可以包括炭黑。第一遮光绝缘层123a可以与稍后将描述的抗反射层600一起防止或减少外部光的反射,并且可以改善显示面板10的对比度。
图13是沿着图11的线I-I’截取的第一显示区域DA1的示意性剖视图。例如,关于图13示出的实施例与图12的实施例的不同之处在于:间隔件124布置在第一遮光绝缘层123a上。在图13中,与图12中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,因此,可以省略其一些重复描述。
根据一些实施例,间隔件124可以布置在第一遮光绝缘层123a上。间隔件124可以包括与第一遮光绝缘层123a的材料不同的材料。例如,第一遮光绝缘层123a可以包括负感光材料,而间隔件124可以包括诸如正感光材料的不同的材料,并且第一遮光绝缘层123a和间隔件124可以通过分开的掩模工艺形成。
根据一些实施例,第一遮光绝缘层123a可以具有深色,而与第一遮光绝缘层123a相比,间隔件124可以具有透明色。
根据一些实施例,间隔件124可以防止、减少或最小化第一有机发光二极管OLED1被掩模损坏。
返回参照图12,中间层220可以布置在像素电极210上。中间层220可以被定位为与第一遮光绝缘层123a的第一开口123aOP对应,并且可以与像素电极210叠置。例如,中间层220的发射层可以定位在第一遮光绝缘层123a的第一开口123aOP中。发射层可以包括发射具有一定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。第一功能层和第二功能层可以分别布置在发射层下方和之上。
第一功能层可以包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。与发射层不同,第一功能层和/或第二功能层可以完全形成在基底100上。换句话说,第一功能层和/或第二功能层可以覆盖第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
根据一些实施例,基底100与第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2之间的阻挡金属层BML可以包括与透射区域TA叠置的开口BMLOP。可选地,布置在像素电极210下方的绝缘层之中的一些绝缘层(例如,无机绝缘层)可以包括与透射区域TA对应的开口。例如,第一层间绝缘层115、第三栅极绝缘层116和第二层间绝缘层117的堆叠体可以包括无机绝缘材料,并且堆叠体可以包括与透射区域TA对应的开口ILOP。
根据一些实施例,第二阻挡层104、缓冲层111、第一栅极绝缘层113和第二栅极绝缘层114中的至少一些可以布置在透射区域TA中。然而,根据本公开的实施例不限于此。第二阻挡层104、缓冲层111、第一栅极绝缘层113和/或第二栅极绝缘层114可以包括与透射区域TA对应的开口。也就是说,第二阻挡层104、缓冲层111、第一栅极绝缘层113和/或第二栅极绝缘层114可以不布置在透射区域TA中。
根据一些实施例,第一有机绝缘层118的一部分可以布置在透射区域TA中。也就是说,第一有机绝缘层118的一部分可以定位在以上提及的开口ILOP中。
因为第一有机绝缘层118布置在透射区域TA中,所以可以改善构成有机层320(见图19)的单体的流动性,因此可以改善形成在透射区域TA中的有机层320的平坦度。
根据一些实施例,对电极230可以包括与透射区域TA对应的开口230OP。然而,根据本公开的实施例不限于此。对电极230可以延伸到透射区域TA,并且对电极230可以布置在透射区域TA中。
根据一些实施例,定位在发射层之上/下方的第一功能层和/或第二功能层也可以布置在透射区域TA中。然而,根据本公开的实施例不限于此。定位在发射层之上/下方的第一功能层和/或第二功能层可以包括与透射区域TA对应的开口。
图14是沿着图11的线II-II’截取的第一显示区域DA1的示意性剖视图。例如,图14是用于描述图11的第一布线HL的图。
参照图14,第一布线HL可以包括第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5。根据一些实施例,因为第一布线HL在x方向上延伸,所以第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5也可以在x方向上延伸。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第1-1布线HL1可以布置在第一栅极绝缘层113上。例如,第1-1布线HL1和以上提及的第一栅电极G1(见图12)可以包括相同的材料,并且可以布置在同一层。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第1-2布线HL2可以布置在第二栅极绝缘层114上。例如,第1-2布线HL2和以上提及的上电极146(见图12)可以包括相同的材料,并且可以布置在同一层。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第1-1布线HL1和第1-2布线HL2可以彼此不叠置。也就是说,第1-1布线HL1和第1-2布线HL2可以在平面上在y方向上彼此间隔开。然而,根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例,第1-1布线HL1和第1-2布线HL2可以彼此至少部分地叠置。
根据一些实施例,第1-3布线HL3可以布置在第三栅极绝缘层116上。例如,第1-3布线HL3和以上提及的上栅电极G2b(见图12)可以包括相同的材料,并且可以布置在同一层。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第1-3布线HL3可以与布置在其下方的第1-1布线HL1和第1-2布线HL2中的至少一者至少部分地叠置。根据一些实施例,第1-3布线HL3可以布置为与第1-1布线HL1和第1-2布线HL2至少部分地叠置。
根据一些实施例,第1-4布线HL4可以布置在第二层间绝缘层117上。例如,第1-4布线HL4和以上提及的第一源电极S1(见图12)与第二源电极S2(见图12)以及/或者第一漏电极D1(见图12)与第二漏电极D2(见图12)可以包括相同的材料,并且可以布置在同一层。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第1-4布线HL4可以与布置在其下方的第1-1布线HL1、第1-2布线HL2和第1-3布线HL3中的至少一者至少部分地叠置。根据一些实施例,第1-4布线HL4可以与第1-2布线HL2和第1-3布线HL3至少部分地叠置。根据一些实施例,第1-4布线HL4可以与第1-1布线HL1至少部分地叠置。
根据一些实施例,第1-5布线HL5可以布置在第一有机绝缘层118上。例如,第1-5布线HL5和以上提及的连接电极层CML(见图12)可以包括相同的材料,并且可以布置在同一层。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第1-5布线HL5可以与布置在其下方的第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3和第1-4布线HL4中的至少一者至少部分地叠置。根据一些实施例,第1-5布线HL5可以与第1-2布线HL2、第1-3布线HL3和/或第1-4布线HL4至少部分地叠置。然而,根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例,第1-5布线HL5可以与第1-1布线HL1至少部分地叠置。
根据一些实施例,第二有机绝缘层119可以布置在第1-5布线HL5上。也就是说,第二有机绝缘层119可以设置为覆盖第1-5布线HL5。
根据一些实施例,第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5中的一些布置为彼此叠置,从而增大透射区域TA的尺寸并且改善包括透射区域TA的第一显示区域DA1的透光率。
根据一些实施例,阻挡金属层BML可以布置在基底100上。根据一些实施例,第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5可以与阻挡金属层BML至少部分地叠置。例如,第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5可以与阻挡金属层BML完全叠置。
根据一些实施例,第一布线HL可以是第一扫描线SL1(见图7)、第二扫描线SL2(见图7)、第三扫描线SL3(见图7)、第四扫描线SL4(见图7)、发射控制线EL(见图7)、第一初始化电压线VIL1(见图7)和第二初始化电压线VIL2(见图7)中的至少一者。也就是说,第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5可以分别是以上提及的第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3、第四扫描线SL4、发射控制线EL、第一初始化电压线VIL1和第二初始化电压线VIL2中的至少一者。然而,根据本公开的实施例不限于此。
参照图11、图12和图14,第一遮光绝缘层123a可以不布置在第一布线HL上。也就是说,第一布线HL可以不与第一遮光绝缘层123a叠置。例如,第一遮光绝缘层123a可以不布置在第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5上,因此,第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5可以不与第一遮光绝缘层123a叠置。然而,根据本公开的实施例不限于此。
图15是沿着图11的线III-III’截取的第一显示区域DA1的示意性剖视图。例如,图15是用于描述图11的第二布线VL的图。
参照图15,第二布线VL可以包括第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3、第2-4布线VL4和第2-5布线VL5。根据一些实施例,因为第二布线VL在y方向上延伸,所以第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3、第2-4布线VL4和第2-5布线VL5也可以在y方向上延伸。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第2-1布线VL1可以布置在第一栅极绝缘层113上。例如,第2-1布线VL1和以上提及的第1-1布线HL1(见图14)可以包括相同的材料,并且可以布置在同一层。
根据一些实施例,第2-2布线VL2可以布置在第二栅极绝缘层114上。例如,第2-2布线VL2和以上提及的第1-2布线HL2(见图14)可以包括相同的材料并且可以布置在同一层。
根据一些实施例,第2-1布线VL1和第2-2布线VL2可以彼此不叠置。也就是说,第2-1布线VL1和第2-2布线VL2可以在平面上在x方向上彼此间隔开。然而,根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例,第2-1布线VL1和第2-2布线VL2可以彼此至少部分地叠置。
根据一些实施例,第2-3布线VL3可以布置在第三栅极绝缘层116上。例如,第2-3布线VL3和以上提及的第1-3布线HL3(见图14)可以包括相同的材料,并且可以布置在同一层。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第2-3布线VL3可以与布置在其下方的第2-1布线VL1和第2-2布线VL2中的至少一者至少部分地叠置。根据一些实施例,第2-3布线VL3可以布置为与第2-1布线VL1和第2-2布线VL2至少部分地叠置。
根据一些实施例,第2-4布线VL4可以布置在第二层间绝缘层117上。例如,第2-4布线VL4和以上提及的第1-4布线HL4(见图14)可以包括相同的材料并且可以布置在同一层。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第2-4布线VL4可以与布置在其下方的第2-1布线VL1、第2-2布线VL2和第2-3布线VL3中的至少一者部分地叠置。根据一些实施例,第2-4布线VL4可以与第2-1布线VL1和第2-2布线VL2至少部分地叠置。根据一些实施例,第2-4布线VL4和第2-3布线VL3可以彼此至少部分地叠置。
根据一些实施例,第2-5布线VL5可以布置在第一有机绝缘层118上。例如,第2-5布线VL5和以上提及的第1-5布线HL5(见图14)可以包括相同的材料并且可以布置在同一层。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第2-5布线VL5可以与布置在其下方的第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3和第2-4布线VL4中的至少一者至少部分地叠置。根据一些实施例,第2-5布线VL5可以与第2-1布线VL1和第2-2布线VL2至少部分地叠置。然而,根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例,第2-5布线VL5和第2-3布线VL3可以彼此至少部分地叠置。
根据一些实施例,第二有机绝缘层119可以布置在第2-5布线VL5上。也就是说,第二有机绝缘层119可以设置为覆盖第2-5布线VL5。
根据一些实施例,第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3、第2-4布线VL4和第2-5布线VL5中的一些布置为彼此叠置,从而增大透射区域TA的尺寸并且改善包括透射区域TA的第一显示区域DA1的透光率。
根据一些实施例,阻挡金属层BML可以布置在基底100上。根据一些实施例,第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3、第2-4布线VL4和第2-5布线VL5可以与阻挡金属层BML至少部分地叠置。例如,第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3、第2-4布线VL4和第2-5布线VL5可以与阻挡金属层BML完全叠置。
根据一些实施例,第二布线VL可以是以上提及的数据线DL(见图7)和驱动电压线PL(见图7)中的至少一者。例如,第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3、第2-4布线VL4和第2-5布线VL5均可以是以上提及的数据线DL和驱动电压线PL中的至少一者。然而,根据本公开的实施例不限于此。
参照图11、图12和图15,第一遮光绝缘层123a可以不布置在第二布线VL上。也就是说,第二布线VL可以不与第一遮光绝缘层123a叠置。例如,第一遮光绝缘层123a可以不布置在第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3、第2-4布线VL4和第2-5布线VL5上,因此,第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3、第2-4布线VL4和第2-5布线VL5可以不与第一遮光绝缘层123a叠置。然而,根据本公开的实施例不限于此。
图16是根据一些实施例的显示面板10的第二显示区域DA2的一部分的示意性平面图。
参照图16,像素布置在第二显示区域DA2中,并且像素可以包括发射具有不同颜色的光的第一像素至第三像素。在下文中,为了便于描述,将描述第一像素是红色像素Pr,第二像素是绿色像素Pg,并且第三像素是蓝色像素Pb。
根据一些实施例,包括遮光材料的第二遮光绝缘层123b可以布置在第二显示区域DA2中。根据一些实施例,第二遮光绝缘层123b可以限定第二发光二极管(例如,红色像素Pr、蓝色像素Pb和绿色像素Pg)的发射区域。也就是说,第二遮光绝缘层123b可以限定布置在第二显示区域DA2中的红色像素Pr、蓝色像素Pb和绿色像素Pg的发射区域。
根据一些实施例,第二遮光绝缘层123b可以包括与像素(例如,红色像素Pr、蓝色像素Pb和绿色像素Pg)对应的开口(例如,第四开口123bOP)。
图17是沿着图16的线IV-IV’截取的第二显示区域DA2的示意性剖视图。在图17中,与图12中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,因此,可以省略其一些重复描述。
参照图17,根据一些实施例,第二有机发光二极管OLED2可以布置在基底100上。
基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104,并且缓冲层111可以布置在基底100上,并且第一薄膜晶体管TFT1的第一半导体层A1可以布置在缓冲层111上。第一半导体层A1可以包括硅半导体。
第一栅极绝缘层113可以布置在第一半导体层A1上,并且第一栅电极G1可以布置在第一栅极绝缘层113上。第二栅极绝缘层114可以布置在第一栅电极G1上,并且上电极146和下栅电极G2a可以布置在第二栅极绝缘层114上。
第一层间绝缘层115可以布置在上电极146和下栅电极G2a上,并且第二薄膜晶体管TFT2的第二半导体层A2可以布置在第一层间绝缘层115上。根据一些实施例,第二半导体层A2可以包括氧化物半导体。
第三栅极绝缘层116可以布置在第二半导体层A2上,并且上栅电极G2b可以布置在第三栅极绝缘层116上。此外,第二层间绝缘层117可以布置在上栅电极G2b上。然而,根据本公开的实施例不限于此。可以省略第二半导体层A2、第三栅极绝缘层116、上栅电极G2b和第二层间绝缘层117中的至少一者。
源电极S1和S2和/或漏电极D1和D2可以布置在第二层间绝缘层117上,并且第一有机绝缘层118、第二有机绝缘层119和第三有机绝缘层120可以顺序地布置在源电极S1和S2和/或漏电极D1和D2上。此外,根据一些实施例,连接电极层CML可以布置在第一有机绝缘层118上。然而,根据本公开的实施例不限于此。也可以省略第二有机绝缘层119和第三有机绝缘层120中的至少一者。
根据一些实施例,第二有机发光二极管OLED2可以包括像素电极210、中间层220和对电极230。在这种情况下,像素电极210、中间层220和对电极230可以彼此叠置。
第二遮光绝缘层123b可以覆盖像素电极210的边缘,并且可以包括与像素电极210至少部分地叠置的开口。就这一点而言,图17示出了与第二有机发光二极管OLED2的像素电极210叠置的开口(在下文中,称为第四开口123bOP)。
第二遮光绝缘层123b的第四开口123bOP可以限定第二有机发光二极管OLED2的发射区域。例如,第二遮光绝缘层123b的第四开口123bOP的宽度可以与第二有机发光二极管OLED2的发射区域的宽度对应。
第二遮光绝缘层123b是彩色绝缘层,并且可以具有例如黑色颜料。根据一些实施例,第二遮光绝缘层123b和第一遮光绝缘层123a可以包括相同的材料。
图18是根据一些实施例的显示面板10的第一显示区域DA1的示意性平面图。在图18中,与图11中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,因此,可以省略其一些重复描述。
参照图18,根据一些实施例,包括遮光材料的第一遮光层610a可以布置在第一显示区域DA1中。根据一些实施例,透射区域TA可以由第一遮光层610a的边缘限定。然而,根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例,第一遮光层610a可以包括与像素(例如,红色像素Pr、蓝色像素Pb和绿色像素Pg)对应的第二开口610aOP。此外,第一遮光层610a可以包括与透射区域TA对应的第三开口610aOP2(见图19)。
根据一些实施例,第一遮光层610a可以布置在第一布线HL和/或第二布线VL上。根据一些实施例,第一遮光层610a可以与第一布线HL和/或第二布线VL至少部分地叠置。例如,第一遮光层610a可以与第一布线HL和/或第二布线VL完全叠置。也就是说,第一遮光层610a可以在平面上完全覆盖第一布线HL和/或第二布线VL。
图19是沿着图18的线V-V’截取的第一显示区域DA1的示意性剖视图。在图19中,与图12中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,因此,可以省略其一些重复描述。
参照图19,根据一些实施例,封装层300、输入感测层400和抗反射层600可以顺序地布置在第一有机发光二极管OLED1上。
根据一些实施例,封装层300可以覆盖第一有机发光二极管OLED1。根据一些实施例,封装层300可以包括第一无机层310、第二无机层330和第一无机层310与第二无机层330之间的有机层320。
第一无机层310和第二无机层330均可以包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
有机层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。例如,有机层320可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等的丙烯酸树脂。有机层320可以通过固化单体或施用聚合物来形成。
输入感测层400可以包括触摸电极,并且触摸电极可以包括金属线ML。触摸电极可以包括具有在平面上围绕第一有机发光二极管OLED1的发射区域的网格结构的金属线ML。金属线ML可以包括第一金属层ML1和第二金属层ML2。根据一些实施例,金属线ML可以包括第一金属层ML1和第二金属层ML2的连接结构。根据一些实施例,金属线ML可以包括第一金属层ML1和第二金属层ML2中的任一个。金属线ML可以包括Mo、Mg、Ag、Ti、Cu、Al以及其任何合金。输入感测层400的电极(例如,金属线ML)可以被第一遮光层610a覆盖。
输入感测层400可以包括封装层300上的第一触摸绝缘层410和第一触摸绝缘层410上的第二触摸绝缘层420。第一金属层ML1可以在第一触摸绝缘层410与第二触摸绝缘层420之间,并且第二金属层ML2可以布置在第二触摸绝缘层420上。
第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层420可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。
根据一些实施例,抗反射层600可以包括第一遮光层610a、第一滤色器620a和外涂层630。根据一些实施例,第一遮光层610a可以与布置在其下方的第一遮光绝缘层123a至少部分地叠置,并且第一滤色器620a可以与布置在其下方的像素电极210至少部分地叠置。
根据一些实施例,第一遮光层610a可以覆盖以上提及的金属线ML。例如,第一遮光层610a可以直接覆盖以上提及的第二金属层ML2。通过覆盖第二金属层ML2的第一遮光层610a,可以省略布置在第二金属层ML2上的绝缘层,因此,可以简化工艺并且可以降低材料成本。
根据一些实施例,第一遮光层610a可以包括与第一有机发光二极管OLED1的发射区域叠置的开口。就这一点而言,图19示出了与第一有机发光二极管OLED1的发射区域和/或第一遮光绝缘层123a的第一开口123aOP叠置的开口(在下文中,第二开口610aOP1)。
第一遮光层610a的第二开口610aOP1的宽度可以大于或等于第一有机发光二极管OLED1的发射区域和/或第一遮光绝缘层123a的第一开口123aOP的宽度。在这种情况下,可以充分确保相对于抗反射层600的上表面形成锐角的、到达用户的裸眼的光,因此可以增加显示面板的侧面可视性。然而,根据本公开的实施例不限于此。
第一滤色器620a可以定位在第一遮光层610a的第二开口610aOP1中。第一滤色器620a和从布置在其下方的发光二极管发射的光可以具有相同的颜色。例如,如图19中所示,当第一显示区域DA1的任一第一有机发光二极管OLED1发射红光时,布置在第二开口610aOP1中以与以上提及的第一有机发光二极管OLED1叠置的第一滤色器620a可以包括红色滤色器。类似地,当第一显示区域DA1的任一第一有机发光二极管OLED1发射绿光时,布置在第二开口610aOP1中以与以上提及的第一有机发光二极管OLED1叠置的第一滤色器620a可以包括绿色滤色器,并且当第一显示区域DA1的任一第一有机发光二极管OLED1发射蓝光时,布置在第二开口610aOP1中以与以上提及的第一有机发光二极管OLED1叠置的第一滤色器620a可以包括蓝色滤色器。
外涂层630可以布置在第一遮光层610a和第一滤色器620a之上。外涂层630是不具有可见光带中的颜色的透射层,并且可以使第一遮光层610a的上表面和第一滤色器620a的上表面平坦化。外涂层630可以包括诸如丙烯酸树脂的透射性有机材料。
根据一些实施例,第一遮光层610a可以包括与透射区域TA对应的开口(在下文中,称为第三开口610aOP2)。根据一些实施例,外涂层630的一部分可以定位在第三开口610aOP2中。例如,外涂层630可以至少部分地填充由第一遮光层610a限定的第三开口610aOP2。根据一些实施例,透射区域TA可以由第一遮光层610a的第三开口610aOP2限定。
根据一些实施例,封装层300和输入感测层400的至少一部分可以布置在透射区域TA中。例如,封装层300的第一无机层310、有机层320和第二无机层330的至少一部分也可以布置在透射区域TA中。此外,输入感测层400的第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层420的至少一部分可以布置在透射区域TA中。然而,根据本公开的实施例不限于此。
图20是沿着图18的线VI-VI’截取的第一显示区域DA1的示意性剖视图。在图20中,与图14中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,因此,可以省略其一些重复描述。
参照图20,第一布线HL可以包括第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5。第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5可以布置在阻挡金属层BML上。
根据一些实施例,第二有机绝缘层119可以布置在第1-5布线HL5上,并且对电极230可以布置在第二有机绝缘层119上。然而,根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例,可以省略对电极230。
根据一些实施例,封装层300可以布置在对电极230上。封装层300可以包括第一无机层310、有机层320和第二无机层330。然而,根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例,可以省略第一无机层310、有机层320和第二无机层330中的至少一者。
根据一些实施例,输入感测层400可以布置在封装层300上。输入感测层400可以包括第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层420。然而,根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例,可以省略第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层420中的至少一者。根据一些实施例,可以另外布置金属线ML(见图19)。例如,第一金属层ML1可以布置在第一触摸绝缘层410上,并且第二金属层ML2可以布置在第二触摸绝缘层420上。
根据一些实施例,第一遮光层610a可以布置在输入感测层400上。根据一些实施例,第一遮光层610a可以与第一布线HL至少部分地叠置。例如,第一遮光层610a可以与第一布线HL完全叠置。例如,第一遮光层610a可以与第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5至少部分地叠置。例如,第一遮光层610a可以与第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5完全叠置。
因为第一遮光层610a设置为与第一布线HL至少部分地叠置,所以可以防止或减少外部光的反射,并且可以改善显示面板10的对比度。
尽管图20示出了第一遮光层610a与第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5叠置,但是第一遮光层610a也可以与第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3、第2-4布线VL4和第2-5布线VL5叠置。因此,第一遮光层610a设置为与第二布线VL至少部分地叠置,从而防止或减少外部光的反射并且改善显示面板10的对比度。
根据一些实施例,第一遮光层610a可以包括第三开口610aOP2,并且透射区域TA可以由第一遮光层610a的第三开口610aOP2限定。
图21是沿着图18的线VI-VI’截取的第一显示区域DA1的示意性剖视图。关于图21描述的实施例与关于图20描述的实施例的不同之处在于:在第一遮光层610a上还布置有第二滤色器620b。在图21中,与图20中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,因此,可以省略其一些重复描述。
根据一些实施例,第一遮光层610a可以布置在第一布线HL上,并且第二滤色器620b可以布置在第一遮光层610a上。根据一些实施例,第二滤色器620b可以与第一遮光层610a至少部分地叠置。
根据一些实施例,第二滤色器620b可以与布置在其下方的第一布线HL至少部分地叠置。例如,第二滤色器620b可以与布置在其下方的第一布线HL完全叠置。例如,第二滤色器620b可以与第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5至少部分地(或完全)叠置。
根据一些实施例,第二滤色器620b可以是红色滤色器。然而,根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例,第二滤色器620b可以是绿色滤色器或蓝色滤色器。
尽管图21示出了第二滤色器620b与第1-1布线HL1、第1-2布线HL2、第1-3布线HL3、第1-4布线HL4和第1-5布线HL5叠置,但是第二滤色器620b也可以与第2-1布线VL1、第2-2布线VL2、第2-3布线VL3、第2-4布线VL4和第2-5布线VL5叠置。
因此,第一遮光层610a布置在布置于第一显示区域DA1中的第一布线HL和/或第二布线VL上,并且第二滤色器620b布置在第一遮光层610a上,从而在电子设备断电时改善屏幕的黑色可见度。
图22是沿着图16的线IV-IV’截取的第二显示区域DA2的示意性剖视图。在图22中,与图17中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,因此,可以省略其一些重复描述。
参照图22,根据一些实施例,封装层300、输入感测层400和抗反射层600可以顺序地布置在第二有机发光二极管OLED2上。
根据一些实施例,封装层300可以覆盖第二有机发光二极管OLED2。根据一些实施例,封装层300可以包括第一无机层310、第二无机层330和第一无机层310与第二无机层330之间的有机层320。
输入感测层400可以包括触摸电极,并且触摸电极可以包括金属线ML。触摸电极可以包括具有在平面上围绕第二有机发光二极管OLED2的发射区域的网格结构的金属线ML。根据一些实施例,金属线ML可以包括第一金属层ML1和第二金属层ML2。根据一些实施例,金属线ML可以包括第一金属层ML1和第二金属层ML2的连接结构。根据一些实施例,金属线ML可以包括第一金属层ML1和第二金属层ML2中的任一者。
根据一些实施例,抗反射层600可以包括第二遮光层610b、第三滤色器620c和外涂层630。根据一些实施例,第二遮光层610b可以与布置在其下方的第二遮光绝缘层123b至少部分地叠置,并且第三滤色器620c可以与布置在其下方的像素电极210至少部分地叠置。
根据一些实施例,第二遮光层610b和第一遮光层610a(见图19)可以包括相同的材料,并且第三滤色器620c和第一滤色器620a(见图19)可以包括相同的材料。
根据一些实施例,第二遮光层610b可以覆盖以上提及的金属线ML。例如,第二遮光层610b可以直接覆盖以上提及的第二金属层ML2。
根据一些实施例,第二遮光层610b可以包括与第二有机发光二极管OLED2的发射区域叠置的开口。就这一点而言,图22示出了与第二有机发光二极管OLED2的发射区域和/或第二遮光绝缘层123b的第四开口123bOP叠置的开口(在下文中,第五开口610bOP)。
第二遮光层610b的第五开口610bOP的宽度可以大于或等于第二有机发光二极管OLED2的发射区域和/或第二遮光绝缘层123b的第四开口123bOP的宽度。在这种情况下,可以充分确保相对于抗反射层600的上表面形成锐角的、到达用户肉眼的光,因此可以增加显示面板的侧面可见度。然而,根据本公开的实施例不限于此。
第三滤色器620c可以定位在第二遮光层610b的第五开口610bOP中。第三滤色器620c和从布置在其下方的发光二极管发射的光可以具有相同的颜色。例如,如图22中所示,当第二显示区域DA2的任一第二有机发光二极管OLED2发射红光时,布置在第五开口610bOP中以与以上提及的第二有机发光二极管OLED2叠置的第三滤色器620c可以包括红色滤色器。类似地,当第二显示区域DA2的任一第二有机发光二极管OLED2发射绿光时,布置在第五开口610bOP中以与以上提及的第二有机发光二极管OLED2叠置的第三滤色器620c可以包括绿色滤色器,并且当第二显示区域DA2的任一第二有机发光二极管OLED2发射蓝光时,布置在第五开口610bOP中以与以上提及的第二有机发光二极管OLED2叠置的第三滤色器620c可以包括蓝色滤色器。
外涂层630可以布置在第二遮光层610b和第三滤色器620c之上。外涂层630是在不具有可见光带中的颜色的透射层,并且可以使第二遮光层610b的上表面和第三滤色器620c的上表面平坦化。外涂层630可以包括诸如丙烯酸树脂的透射性有机材料。
存在的问题是,当第一遮光绝缘层123a布置在第一布线HL和第二布线VL上时,第一遮光绝缘层123a的一部分由于台阶而被撕裂。
根据一些实施例,第一布线HL和第二布线VL以及第一遮光绝缘层123a可以布置在组件20布置在其下方的第一显示区域DA1中,并且第一遮光绝缘层123a可以设置为不与第一布线HL和第二布线VL叠置。也就是说,第一遮光绝缘层123a可以具有隔离图案。因为第一遮光绝缘层123a具有不与第一布线HL和第二布线VL叠置的隔离图案,所以可以防止、减少或最小化布置在第一布线HL和第二布线VL上的第一遮光绝缘层123a的撕裂。
此外,因为第一遮光绝缘层123a具有不与第一布线HL和第二布线VL叠置的隔离图案,所以可以防止、减少或最小化布置在第一布线HL和第二布线VL上的第一遮光绝缘层123a的撕裂,因此可以改善布置在第一显示区域DA1下方的组件20的性能。也就是说,可以改善相机的分辨率和对比度,并且可以改善相机的散焦特性。
此外,第一遮光绝缘层123a未布置在第一布线HL和第二布线VL上,使得可以改善构成有机层320的单体的流动性,因此,可以改善形成在透射区域TA中的有机层320的平坦度。可选地,因为第一遮光绝缘层123a未布置在第一布线HL和第二布线VL上,所以可以改善第一显示区域DA1的整体平坦度。
根据一些实施例,第一遮光层610a布置在第一布线HL和第二布线VL上,从而防止或减少外部光的反射并且改善显示面板10的对比度。
此外,根据一些实施例,第一遮光层610a布置在第一布线HL和第二布线VL上,并且第二滤色器620b布置在第一遮光层610a上,从而在电子设备断电时改善屏幕的黑色可见度。
根据一些实施例,可以通过使用第一遮光绝缘层123a和第二遮光绝缘层123b、第一遮光层610a和第二遮光层610b以及第一滤色器620a和第三滤色器620c来防止、减少或最小化外部光的反射,并且可以改善显示面板10的对比度。
根据一个或更多个实施例,布置在其下方布置有组件的区域中的遮光绝缘层以隔离图案形成,从而改善组件的特性。应当理解的是,这里描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑,而不是为了限制所给出的实施例。
应当理解的是,这里描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑,而不是为了限制的目的。实施例中的每个内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照图描述了一个或更多个实施例的方面,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离根据包括权利要求及其等同物的本公开的实施例的精神和范围的情况下,可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
组件区域,包括显示元件组和透射区域;
显示区域,围绕所述组件区域的至少一部分;以及
第一遮光绝缘层,位于所述组件区域中,并且限定所述显示元件组中的每个的发射区域,
其中,所述第一遮光绝缘层在平面图中具有隔离图案。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括在所述第一遮光绝缘层上的第一遮光层和第一滤色器。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括在所述组件区域中的所述显示元件组之中的相邻显示元件组之间的第一布线和第二布线。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括在所述第一遮光层上的第二滤色器,并且
所述第二滤色器与所述第一布线和所述第二布线中的至少一者至少部分地叠置。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括第二遮光绝缘层,所述第二遮光绝缘层限定布置在所述显示区域中的像素发射区域。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括在所述第二遮光绝缘层上的第二遮光层和第三滤色器。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第一遮光绝缘层不位于所述第一布线和所述第二布线中的至少一者上。
8.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第一遮光层的至少一部分位于所述第一布线和所述第二布线上。
9.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第一遮光层包括与所述显示元件组中的每个的所述发射区域叠置的第一开口,并且所述第一滤色器位于所述第一开口中的每个中。
10.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述第二遮光层包括与所述像素发射区域叠置的第二开口,并且所述第三滤色器位于所述第二开口中的每个开口中。
CN202220482030.0U 2021-03-18 2022-03-07 显示面板 Active CN217306509U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0035349 2021-03-18
KR1020210035349A KR20220131429A (ko) 2021-03-18 2021-03-18 표시 패널 및 전자 기기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN217306509U true CN217306509U (zh) 2022-08-26

Family

ID=82934448

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210216604.4A Pending CN115117120A (zh) 2021-03-18 2022-03-07 显示面板和电子设备
CN202220482030.0U Active CN217306509U (zh) 2021-03-18 2022-03-07 显示面板

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210216604.4A Pending CN115117120A (zh) 2021-03-18 2022-03-07 显示面板和电子设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220302421A1 (zh)
KR (1) KR20220131429A (zh)
CN (2) CN115117120A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220131429A (ko) 2022-09-28
CN115117120A (zh) 2022-09-27
US20220302421A1 (en) 2022-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020052394A (ja) 表示装置
US20240334740A1 (en) Display panel and electronic apparatus including the same
CN114695474A (zh) 显示面板和显示装置
US20220093708A1 (en) Display panel and electronic device
US20240065059A1 (en) Display panel and electronic device including same
EP4002476B1 (en) Display panel and electronic apparatus including the same
CN217306509U (zh) 显示面板
US20230030352A1 (en) Display panel and electronic apparatus
US12048187B2 (en) Display panel and electronic device
CN219019444U (zh) 显示装置和包括该显示装置的电子设备
CN217485446U (zh) 显示面板
US20230395770A1 (en) Display panel and electronic device including the same
US20240188342A1 (en) Display panel and electronic apparatus including the same
US20230073072A1 (en) Display panel and electronic device
US20240324325A1 (en) Display Panel and Display Apparatus
US20240130184A1 (en) Display panel and electronic apparatus
US20230329072A1 (en) Display device and electronic device including the same
CN117858578A (zh) 显示面板
KR20240144587A (ko) 표시 장치
KR20240153442A (ko) 표시 장치
CN118574448A (zh) 显示装置
CN117156893A (zh) 显示装置和包括显示装置的电子装置
CN118695678A (zh) 显示面板及显示装置
CN114695463A (zh) 显示装置
CN117238921A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant