CN220368986U - 显示设备 - Google Patents

Abstract

一种显示设备包括：基底，具有显示区域和外围区域；无机绝缘层；显示元件，在显示区域中；封装层，包括第一无机封装层、在第一无机封装层上的第二无机封装层和在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层；坝，布置在外围区域中；以及电力供应线，在外围区域中在无机绝缘层上，其中，电力供应线的一部分与坝重叠，第一无机封装层和第二无机封装层延伸到外围区域并且覆盖电力供应线的所述一部分，并且电力供应线的所述一部分的边缘与在第二无机封装层上的至少一个导电层重叠。

Description

显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年5月17日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0060447号韩国专利申请和于2022年8月17日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0102922号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请中的每件韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。

技术领域

一个或多个实施例的方面涉及一种显示设备。

背景技术

近来，显示设备的各种用途已经变得更加多样化。此外，随着显示设备已经变得相对更薄且更轻，它们的潜在使用范围已经逐渐扩大。

在显示设备之中，有机发光显示设备具有诸如相对宽的视角、相对高的对比度和相对快的响应速度的特性，并且因此，有机发光显示设备作为下一代显示设备而备受瞩目。

通常，有机发光显示设备包括在基底之上的薄膜晶体管和作为显示元件的有机发光二极管，并且在有机发光二极管自发地发光的同时工作。有机发光显示设备用作小型化产品(诸如移动电话)的显示单元，并且用作大型产品(诸如电视机)的显示单元。

在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。

实用新型内容

一个或多个实施例包括一种显示设备，具有抵御来自显示区域外部的湿气渗透的结构并且具有改善的可靠性。然而，应当理解的是，本文描述的实施例应当仅以描述性含义进行考虑，而不是为了限制本公开。

另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过实践所提供的实施例而获知。

根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底，具有显示区域和在所述显示区域外部的外围区域；无机绝缘层，在所述显示区域和所述外围区域中；显示元件，在所述显示区域中；封装层，设置在所述显示元件上并且包括第一无机封装层、在所述第一无机封装层上的第二无机封装层和在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层；坝，设置在所述外围区域中并且围绕所述显示区域；以及电力供应线，在所述外围区域中在所述无机绝缘层上，其中，所述电力供应线的一部分与所述坝重叠，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层延伸到所述外围区域并且覆盖所述电力供应线的所述一部分，并且所述电力供应线的所述一部分的边缘与在所述第二无机封装层上的至少一个导电层重叠。

根据一些实施例，所述电力供应线的所述一部分的所述边缘在所述坝和所述基底的边缘之间与所述至少一个导电层重叠。

根据一些实施例，所述电力供应线具有三层结构，所述三层结构包括第一子层、在所述第一子层上的第三子层和在所述第一子层与所述第三子层之间的第二子层，其中，所述第一子层和所述第三子层包括相同的材料。

根据一些实施例，所述电力供应线的所述第一子层和所述第三子层包括钛，并且所述电力供应线的所述第二子层包括铝。

根据一些实施例，所述电力供应线的所述第三子层包括从所述第二子层的侧表面和上表面彼此相交的点横向地突出的尖端。

根据一些实施例，所述至少一个导电层与所述电力供应线的所述尖端重叠。

根据一些实施例，所述显示设备还包括在所述封装层上的触摸传感器层，其中，所述触摸传感器层包括：保护层；第一触摸导电层，在所述保护层上；第一触摸绝缘层，覆盖所述第一触摸导电层；第二触摸导电层，在所述第一触摸绝缘层上；以及第二触摸绝缘层，覆盖所述第二触摸导电层。

根据一些实施例，所述至少一个导电层包括第一导电层，其中，所述第一导电层与所述第一触摸导电层或所述第二触摸导电层包括相同的材料。

根据一些实施例，所述至少一个导电层包括第一导电层和在所述第一导电层上的第二导电层，其中，所述第一导电层与所述第一触摸导电层包括相同的材料，并且所述第二导电层与所述第二触摸导电层包括相同的材料。

根据一些实施例，所述第二导电层与所述第一导电层直接接触。

根据一些实施例，所述保护层、所述第一触摸绝缘层和所述第二触摸绝缘层中的至少一个延伸到所述外围区域，并且在所述电力供应线的被所述第一无机封装层和所述第二无机封装层覆盖的所述一部分上方。

根据一些实施例，在平面图中，所述电力供应线的所述一部分的所述边缘包括在与所述电力供应线的所述一部分延伸的方向交叉的方向上突出的突出图案。

根据一些实施例，所述至少一个导电层连续地布置为与所述电力供应线的所述一部分的上表面、所述电力供应线的所述一部分的与所述边缘对应的侧表面以及位于所述电力供应线的所述一部分下方的所述无机绝缘层的上表面重叠。

根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底，具有显示区域和在所述显示区域外部的外围区域；无机绝缘层，在所述显示区域和所述外围区域中；显示元件，在所述显示区域中；封装层，设置在所述显示元件上并且包括第一无机封装层、在所述第一无机封装层上的第二无机封装层和在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层；以及导线，在所述外围区域中，其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述外围区域中穿过所述有机封装层的边缘并且覆盖所述导线的一部分，在所述外围区域中，所述第一无机封装层与所述导线的所述一部分和所述无机绝缘层的一部分直接接触，并且在所述外围区域中，所述导线的所述一部分的边缘与在所述第二无机封装层上的至少一个导电层重叠。

根据一些实施例，所述导线包括电力供应线。

根据一些实施例，所述显示设备还包括：坝，在所述外围区域中；以及堤，在所述外围区域中，所述堤与所述坝间隔开，其中，所述导线的所述一部分的所述边缘在所述坝和所述堤之间与所述至少一个导电层重叠。

根据一些实施例，所述导线具有三层结构，所述三层结构包括第一子层、在所述第一子层上的第三子层和在所述第一子层与所述第三子层之间的第二子层，其中，所述第一子层和所述第三子层包括相同的材料。

根据一些实施例，所述导线的所述第一子层和所述第三子层包括钛，并且所述导线的所述第二子层包括铝。

根据一些实施例，所述导线的所述第三子层包括从所述第二子层的侧表面与上表面彼此相交的点横向地突出的尖端。

根据一些实施例，所述显示设备还包括在所述封装层上的触摸传感器层，其中，所述触摸传感器层包括：保护层；第一触摸导电层，在所述保护层上；第一触摸绝缘层，覆盖所述第一触摸导电层；第二触摸导电层，在所述第一触摸绝缘层上；以及第二触摸绝缘层，覆盖所述第二触摸导电层。

根据一些实施例，所述至少一个导电层包括第一导电层，其中，所述第一导电层与所述第一触摸导电层或所述第二触摸导电层包括相同的材料。

根据一些实施例，所述至少一个导电层包括第一导电层和在所述第一导电层上的第二导电层，其中，所述第一导电层与所述第一触摸导电层包括相同的材料，并且所述第二导电层与所述第二触摸导电层包括相同的材料。

根据一些实施例，所述保护层、所述第一触摸绝缘层和所述第二触摸绝缘层中的至少一个延伸到所述外围区域，并且在所述导线的被所述第一无机封装层和所述第二无机封装层覆盖的所述一部分上方。

根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底，具有显示区域和在显示区域外部的外围区域；无机绝缘层，布置在显示区域和外围区域中；发光二极管，布置在显示区域中；封装层，在发光二极管上并且包括第一无机封装层、在第一无机封装层上的第二无机封装层和在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层；坝，布置在外围区域中并且围绕显示区域；以及电力供应线，在外围区域中在无机绝缘层上，其中，电力供应线的一部分与坝重叠，第一无机封装层和第二无机封装层延伸到外围区域并且覆盖电力供应线的所述一部分，并且电力供应线的所述一部分的边缘与在第二无机封装层上的至少一个导电层重叠。

根据一些实施例，电力供应线的所述一部分的边缘可以在坝和基底的边缘之间与所述至少一个导电层重叠。

根据一些实施例，电力供应线可以具有三层结构，所述三层结构包括第一子层、在第一子层上的第三子层和在第一子层与第三子层之间的第二子层，其中，第一子层和第三子层可以包括相同的材料。

根据一些实施例，电力供应线的第一子层和第三子层可以包括钛，并且电力供应线的第二子层可以包括铝。

根据一些实施例，电力供应线的第三子层可以包括从第二子层的侧表面和上表面彼此相交的点横向地突出的尖端。

根据一些实施例，所述至少一个导电层可以与电力供应线的尖端重叠。

根据一些实施例，显示设备还可以包括在封装层上的触摸传感器层，其中，触摸传感器层可以包括保护层、在保护层上的第一触摸导电层、覆盖第一触摸导电层的第一触摸绝缘层、在第一触摸绝缘层上的第二触摸导电层和覆盖第二触摸导电层的第二触摸绝缘层。

根据一些实施例，所述至少一个导电层可以包括第一导电层，其中，第一导电层可以与第一触摸导电层或第二触摸导电层包括相同的材料。

根据一些实施例，所述至少一个导电层可以包括第一导电层和在第一导电层上的第二导电层，其中，第一导电层可以与第一触摸导电层包括相同的材料，并且第二导电层可以与第二触摸导电层包括相同的材料。

根据一些实施例，第二导电层可以与第一导电层直接接触。

根据一些实施例，保护层、第一触摸绝缘层和第二触摸绝缘层中的至少一个可以延伸到外围区域，并且可以在电力供应线的被第一无机封装层和第二无机封装层覆盖的所述一部分上方。

根据一些实施例，在平面图中，电力供应线的所述一部分的边缘可以包括在与电力供应线的所述一部分延伸的方向交叉的方向上突出的突出图案。

根据一些实施例，所述至少一个导电层可以连续地布置为与电力供应线的所述一部分的上表面、电力供应线的所述一部分的与边缘对应的侧表面以及位于电力供应线的所述一部分下方的无机绝缘层的上表面重叠。

根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底，具有显示区域和在显示区域外部的外围区域；无机绝缘层，布置在显示区域和外围区域中；发光二极管，布置在显示区域中；封装层，在发光二极管上并且包括第一无机封装层、在第一无机封装层上的第二无机封装层和在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层；以及导线，在外围区域中，其中，第一无机封装层和第二无机封装层在外围区域中穿过有机封装层的边缘并且覆盖导线的一部分，在外围区域中，第一无机封装层与导线的所述一部分和无机绝缘层的一部分直接接触，并且在外围区域中，导线的所述一部分的边缘与在第二无机封装层上的至少一个导电层重叠。

根据一些实施例，导线可以包括电力供应线。

根据一些实施例，显示设备还可以包括：坝，布置在外围区域中；以及堤，布置在外围区域中，堤与坝间隔开，其中，导线的所述一部分的边缘可以在坝和堤之间与所述至少一个导电层重叠。

根据一些实施例，导线可以具有三层结构，所述三层结构包括第一子层、在第一子层上的第三子层和在第一子层与第三子层之间的第二子层，其中，第一子层和第三子层可以包括相同的材料。

根据一些实施例，导线的第一子层和第三子层可以包括钛，并且导线的第二子层可以包括铝。

根据一些实施例，导线的第三子层可以包括从第二子层的侧表面和上表面彼此相交的点横向地突出的尖端。

根据一些实施例，显示设备还可以包括在封装层上的触摸传感器层，其中，触摸传感器层可以包括保护层、在保护层上的第一触摸导电层、覆盖第一触摸导电层的第一触摸绝缘层、在第一触摸绝缘层上的第二触摸导电层和覆盖第二触摸导电层的第二触摸绝缘层。

根据一些实施例，所述至少一个导电层可以包括第一导电层，其中，第一导电层可以与第一触摸导电层或第二触摸导电层包括相同的材料。

根据一些实施例，所述至少一个导电层可以包括第一导电层和在第一导电层上的第二导电层，其中，第一导电层可以与第一触摸导电层包括相同的材料，并且第二导电层可以与第二触摸导电层包括相同的材料。

根据一些实施例，保护层、第一触摸绝缘层和第二触摸绝缘层中的至少一个可以延伸到外围区域，并且可以在导线的被第一无机封装层和第二无机封装层覆盖的所述一部分上方。

通过以下对实施例、附图和权利要求的描述，这些和/或其他方面将变得明显且更容易理解。

附图说明

通过以下结合附图的描述，本公开的某些实施例的上述和其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：

图1是根据一些实施例的显示设备的示意性透视图；

图2是根据一些实施例的沿着图1的线I-I'截取的显示设备的示意性截面图；

图3是根据一些实施例的显示面板的示意性平面图；

图4是根据一些实施例的显示面板的示意性平面图；

图5是示出根据一些实施例的显示设备的显示元件和电连接到显示元件的子像素电路的等效电路图；

图6是示出根据一些实施例的显示设备的显示元件和电连接到显示元件的子像素电路的等效电路图；

图7是根据一些实施例的显示面板的一部分的示意性平面图；

图8是根据一些实施例的沿着图7的线II-II'截取的显示面板的一部分的示意性截面图；

图9是根据一些实施例的沿着图7的线III-III'截取的显示面板的一部分的示意性截面图；

图10A、图10D、图10E、图10F和图10G是示出根据实施例的制造显示面板的工艺的截面图；

图10B和图10C是示出形成图10A的牺牲层的工艺的截面图；

图11是根据另一实施例的显示面板的一部分的示意性截面图；

图12是图11的部分X的放大截面图；

图13A、图13D和图13E是示出根据另一实施例的制造显示面板的工艺的截面图；

图13B和图13C是示出形成图13A的分离件的工艺的截面图；

图14是根据一些实施例的沿着图3的线C-C'截取的显示面板的一部分的示意性截面图；

图15是根据一些实施例的显示面板的一部分的示意性平面图，并且是图3的区B的放大平面图；

图16是根据一些实施例的沿着图15的线D-D'截取的显示面板的一部分的示意性截面图；

图17是根据一些实施例的沿着图15的线F-F'截取的显示面板的一部分的示意性截面图；

图18是根据一些实施例的通过扫描电子显微镜(SEM)观看到的显示面板的一部分的图像；

图19是作为图17的修改的根据一些实施例的显示面板的一部分的示意性截面图；以及

图20是作为图17的修改的根据一些实施例的显示面板的一部分的示意性截面图。

具体实施方式

现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中示出，其中同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面，所提供的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释本描述的各方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或它们的变型。

因为本公开可以具有各种修改实施例，所以在附图中示出并且在具体描述中描述了优选实施例。当参考参照附图描述的实施例时，本公开的效果和特性以及实现本公开的效果和特性的方法将是明显的。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。

虽然可以使用诸如“第一”、“第二”等术语来描述各种组件，但是这些组件不限于上述术语。上述术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。

除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述包括复数的表述。

在本说明书中，将理解的是，术语“包括”、“具有”和“包含”旨在指示存在说明书中公开的特征、数字、步骤、动作、组件、部分或它们的组合，并且不旨在排除可以存在或可以添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作、组件、部分或它们的组合的可能性。

将理解的是，当层、区或组件被称为“形成在”另一层、区或组件“上”时，所述层、区或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区或组件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区或组件。

为了便于解释，附图中的元件的尺寸可能被夸大。换句话说，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。

在说明书中，短语“A和/或B”表示A、B、或A和B。此外，短语“A和B中的至少一个(种/者)”表示A、B、或A和B。

如本文所使用的，当布线被称为“在第一方向或第二方向上延伸”时，这意味着布线在第一方向或第二方向上不仅以直线形状延伸，而且以Z字形或曲线延伸。

如本文所使用的，“在平面图中”是指从上方观看对象部分，并且“在截面图中”是指从侧面观看对象部分的被竖直地截取的截面。如本文所使用的，“重叠”包括“在平面图中”和“在截面图中”重叠。

在下文中，参考附图详细描述本公开的实施例。当参考附图进行描述时，同样的附图标记用于同样或相应的元件。

图1是根据一些实施例的显示设备1的示意性透视图。

根据一些实施例，显示设备1可以显示运动图像或静止图像，并且可以用作各种产品(例如，诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、个人数字助理、电子书终端、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置或超移动PC(UMPC)的便携式电子设备、电视机(TV)、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)装置等)的显示屏。

此外，根据一些实施例，显示设备1可以用于可穿戴装置(诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器或头戴式显示器(HMD))中。此外，根据一些实施例，显示设备1可以用作车辆的仪表盘中的显示屏、安装在车辆的中央仪表板或仪表板上的中央信息显示器(CID)、车辆的代替侧视镜的内视镜显示器或为后座娱乐提供的汽车头枕显示器。为了便于描述，图1示出了显示设备1用作智能电话。

参考图1，显示设备1可以包括开口区域OA和围绕开口区域OA的显示区域DA。显示设备1可以包括位于开口区域OA和显示区域DA之间的中间区域MA以及位于显示区域DA外部(例如，围绕显示区域DA)的外围区域PA。在平面图中，中间区域MA可以具有完全围绕开口区域OA的闭环形状。

开口区域OA可以位于显示区域DA内部。根据一些实施例，如图1中所示，开口区域OA可以布置在显示区域DA的上部中心处。可选地，开口区域OA可以以各种方式布置，诸如位于显示区域DA的左上侧上或位于显示区域DA的右上侧上。图1示出了其中布置有一个开口区域OA的示例。然而，根据一些实施例，可以提供多个开口区域OA。

尽管在图1中示出了显示区域DA具有大致矩形的形状，但是根据本公开的实施例不限于此。显示区域DA可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形和其他多边形。

显示区域DA可以是显示图像的区域，并且多个子像素PX可以布置在显示区域DA中。在实施例中，每个子像素PX可以包括显示元件，诸如发光二极管，所述发光二极管诸如有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管等。每个子像素PX可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。

显示区域DA可以通过使用从子像素PX发射的光来提供特定图像。在本说明书中，子像素PX可以被定义为如上所述地发射红光、绿光、蓝光和白光中的任何一种的发射区域。外围区域PA可以是没有布置子像素PX并且没有提供图像的区域。

在下文中，描述有机发光显示设备作为根据一些实施例的显示设备1的示例。然而，显示设备1不限于此。例如，显示设备1可以是诸如无机发光显示设备(或无机电致发光(EL)显示设备)或量子点发光显示设备的显示设备。例如，包括在显示设备1中的显示元件的发射层可以包括有机材料或无机材料。量子点可以位于从发射层发射的光的路径中。

图2是根据一些实施例的沿着图1的线I-I'截取的显示设备1的示意性截面图。

参考图2，显示设备1可以包括显示面板10和组件700。根据一些实施例，组件700可以位于显示面板10之下，并且可以至少部分地与开口区域OA重叠。显示面板10和组件700可以容纳在壳体HS中。

显示面板10可以包括图像生成层200、触摸传感器层400、光学功能层500和覆盖窗600。

图像生成层200可以包括发光以显示图像的显示元件。显示元件中的每一个可以包括发光二极管(例如，包括有机发射层的有机发光二极管)。

触摸传感器层400可以根据外部输入(例如，触摸事件)获取坐标信息。触摸传感器层400可以包括感测电极或触摸电极以及连接到感测电极或触摸电极的迹线。触摸传感器层400可以位于图像生成层200上。触摸传感器层400可以通过使用互电容法和/或自电容法来感测外部输入。

触摸传感器层400可以直接形成在图像生成层200上，或者可以单独形成并且然后通过粘合剂层(诸如光学透明粘合剂(OCA)层)耦接到图像生成层200。例如，触摸传感器层400可以在形成图像生成层200的工艺之后连续地形成。在这种情况下，粘合剂层可以不布置在触摸传感器层400和图像生成层200之间。图2示出了其中触摸传感器层400布置在图像生成层200与光学功能层500之间的示例。然而，根据一些实施例，触摸传感器层400可以位于光学功能层500上。

光学功能层500可以包括防反射层。防反射层可以降低从外部通过覆盖窗600朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。防反射层可以包括延迟器和偏振器。根据一些实施例，防反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以通过考虑从图像生成层200的发光二极管中的每一个发射的光的颜色来布置滤色器。

为了提高开口区域OA的透射率，显示面板10可以包括穿过构成显示面板10的层中的一些层的开口10OP。开口10OP可以包括分别穿过图像生成层200、触摸传感器层400和光学功能层500的开口200OP、400OP和500OP。图像生成层200的开口200OP、触摸传感器层400的开口400OP和光学功能层500的开口500OP可以彼此重叠以形成显示面板10的开口10OP。

覆盖窗600可以位于光学功能层500上。覆盖窗600可以通过覆盖窗600和光学功能层500之间的粘合剂层(诸如OCA层)耦接到光学功能层500。覆盖窗600可以覆盖图像生成层200的开口200OP、触摸传感器层400的开口400OP和光学功能层500的开口500OP。根据一些实施例，OCA层和/或覆盖窗600也可以包括开口。

覆盖窗600可以包括玻璃材料或塑料材料。玻璃材料可以包括超薄玻璃。塑料材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素等。

开口区域OA可以是其中定位有用于向显示设备1添加各种功能的组件700的一种组件区域(例如，传感器区域、相机区域或扬声器区域)。

组件700可以包括电子元件。例如，组件700可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括使用光的传感器(诸如红外传感器)、通过接收光来捕获图像的相机、通过输出并感测光或声音来测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小型灯或输出声音的扬声器等。使用光的电子元件可以使用各种波长带的光(诸如可见光、红外光和紫外光)。开口区域OA对应于从组件700输出到外部或从外部朝向组件700(例如，电子元件)传播的光和/或声音可以穿过的区域。

图3是根据一些实施例的显示面板10的示意性平面图。

参考图3，显示面板10可以包括位于基底100上的第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30、端子部40、数据驱动器50、扇出线FW和电力供应线。电力供应线可以包括驱动电压供应线60和公共电压供应线70。

基底100可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的外围区域PA。外围区域PA的一部分可以在一侧上(例如，在y方向上)延伸。端子部40、数据驱动器50和驱动电压供应线60等可以布置在延伸的外围区域PA中。根据一些实施例，延伸的外围区域PA的在x方向上的宽度可以小于显示区域DA的在x方向上的宽度。

基底100可以包括弯曲区域BA，延伸的外围区域PA的一部分在弯曲区域BA中弯曲。当延伸的外围区域PA相对于弯曲区域BA折叠时，延伸的外围区域PA可以部分地与显示区域DA重叠。通过这种结构，延伸的外围区域PA可以不被用户看到，或者即使延伸的外围区域PA被用户看到，也可以减小看到的区域。

多个子像素PX可以布置在显示区域DA中。子像素PX中的每一个可以由显示元件DPE(诸如有机发光二极管)实现。每个子像素PX可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。

驱动显示区域DA中的子像素PX的子像素电路PC中的每一个可以连接到被配置为控制显示元件DPE(例如，发光二极管)的开/关和亮度等的信号线或电压线。例如，图3示出了在第一方向(例如，x方向)上延伸的扫描线SL和在第二方向(例如，y方向)上延伸的数据线DL作为信号线，并且示出了驱动电压线PL作为电压线。

驱动子像素PX的子像素电路PC中的每一个可以电连接到布置在外围区域PA中的外部电路。第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30、端子部40、数据驱动器50、驱动电压供应线60和公共电压供应线70可以布置在外围区域PA中。

第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30可以各自生成扫描信号并通过扫描线SL将扫描信号传输到每个子像素电路PC。根据一些实施例，第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30中的一个可以通过发射控制线向每个子像素电路PC施加发射控制信号。根据如图3中所示的一些实施例，示出了其中第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30布置在显示区域DA的两侧上的结构。然而，根据一些实施例，扫描驱动器(例如，第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30)可以仅布置在显示区域DA的一侧上。第二扫描驱动器30可以相对于显示区域DA与第一扫描驱动器20对称地布置。

数据驱动器50可以生成数据信号并通过数据线DL将数据信号传输到每个子像素电路PC。数据驱动器50可以布置在显示区域DA的一侧上，并且可以布置于在显示区域DA下方(例如，y方向)的延伸的外围区域PA中。图3示出了其中数据驱动器50位于基底100上的示例。然而，根据一些实施例，数据驱动器50可以提供在连接到端子部40的柔性印刷电路板上。

端子部40布置在基底100的一端处，并且包括多个端子41、42、43和44。端子部40可以被暴露而不被绝缘层覆盖，并电连接到控制器(诸如柔性印刷电路板或集成电路(IC)芯片)。控制器的控制信号可以通过端子部40分别提供到第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30、数据驱动器50、驱动电压供应线60和公共电压供应线70。

扇出线FW可以布置在外围区域PA中。扇出线可以从数据驱动器50延伸到显示区域DA。扇出线FW可以提供为多个。扇出线FW可以是信号线。例如，扇出线FW可以电连接到显示区域DA中的数据线DL。

驱动电压供应线60可以布置在外围区域PA中。驱动电压供应线60可以被配置为向每个子像素PX提供驱动电压ELVDD(参见图5)。根据一些实施例，驱动电压供应线60可以包括第一驱动电压供应线61、第二驱动电压供应线62和第三驱动电压供应线63。第三驱动电压供应线63可以在第一方向(例如，x方向)上延伸，并且第一驱动电压供应线61和第二驱动电压供应线62可以在第二方向(例如，y方向)上延伸。作为示例，第三驱动电压供应线63可以沿着显示区域DA的第一边缘E1布置。根据一些实施例，第一驱动电压供应线61、第二驱动电压供应线62和第三驱动电压供应线63可以一体地提供。作为示例，驱动电压供应线60可以具有“Π”(pi)形状作为一个整体。然而，本公开不限于此。

驱动电压供应线60可以布置在外围区域PA中并且连接到在第二方向(例如，y方向)上延伸到显示区域DA的多条驱动电压线PL。作为示例，第三驱动电压供应线63可以连接到在第二方向(例如，y方向)上穿越显示区域DA的驱动电压线PL。

公共电压供应线70可以布置在外围区域PA中，并且被配置为向每个子像素PX提供公共电压ELVSS(参见图5)。公共电压供应线70可以包括与显示区域DA的第一边缘E1相邻布置的第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73。第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73可以各自在第二方向(例如，y方向)上延伸。第一公共电压供应线71可以在与第二方向(例如，y方向)交叉的第一方向(例如，x方向)上与第二公共电压供应线73间隔开。第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73可以分别布置在显示区域DA的第一边缘E1的两个相对侧上。然而，本公开不限于此。公共电压供应线还可以包括布置在第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73之间的第三公共电压供应线。在公共电压供应线70包括布置在第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73之间的第三公共电压供应线的情况下，与仅提供第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73的情况相比，可以减小电流密度并且可以抑制在施加电流时的发热。

第一公共电压供应线71可以通过沿着显示区域DA的第二边缘E2、第三边缘E3和第四边缘E4延伸的主体部分75连接到第二公共电压供应线73。根据一些实施例，第一公共电压供应线71、第二公共电压供应线73和主体部分75可以一体地形成。

坝DM可以布置在外围区域PA中。坝DM可以被布置为围绕显示区域DA的外框。坝DM可以布置在公共电压供应线70外部，或者布置为与公共电压供应线70部分重叠。

封装层300可以布置在显示区域DA中以覆盖子像素PX，并且封装层300的一部分可以延伸到外围区域PA。封装层300具有包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层的多层结构。坝DM可以防止或减少包括在封装层300中的有机封装层形成材料扩散到基底100的边缘的情况，并且限制有机封装层的形成位置。

图4是根据一些实施例的显示面板10的示意性平面图。

参考图4，根据一些实施例，显示面板10可以包括开口区域OA、显示区域DA、中间区域MA和外围区域PA。

如上所述，第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30可以布置在第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30之间的显示区域DA的两侧上。在这种情况下，相对于开口区域OA布置在左侧上的子像素PX可以连接到布置在左侧上的第一扫描驱动器20，并且相对于开口区域OA布置在右侧上的子像素PX可以连接到布置在右侧上的第二扫描驱动器30。

中间区域MA可以围绕开口区域OA。中间区域MA是其中没有布置显示元件(诸如发光二极管)的区域，并且向提供在开口区域OA周围的子像素PX提供信号的信号线可以穿过中间区域MA。例如，数据线DL和/或扫描线SL可以穿越显示区域DA，并且数据线DL的一部分和/或扫描线SL的一部分可以沿着显示面板10的形成在开口区域OA中的开口10OP(参见图2)的边缘在中间区域MA中绕过。根据一些实施例，图4示出了其中数据线DL在y方向上穿越显示区域DA并且一些数据线DL在中间区域MA中绕过以部分地围绕开口区域OA的示例。扫描线SL可以在x方向上穿越显示区域DA，并且扫描线SL可以彼此间隔开，开口区域OA介于其间。换句话说，布置在同一行中的扫描线SL可以断开(或分开)，开口区域OA介于其间。

图5和图6是各自示出根据一些实施例的显示设备的显示元件和电连接到显示元件的子像素电路的等效电路图。

参考图5，一个子像素PX可以包括子像素电路PC和作为电连接到子像素电路PC的显示元件的有机发光二极管OLED。

例如，子像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7和电容器Cst。根据一些实施例，多个薄膜晶体管T1至T7可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7。然而，本公开不限于此。

有机发光二极管OLED可以包括子像素电极和对电极。有机发光二极管OLED的子像素电极可以经由发射控制晶体管T6连接到驱动晶体管T1以接收驱动电流，并且对电极可以提供有公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以生成具有与驱动电流对应的亮度的光。

根据一些实施例，多个薄膜晶体管T1至T7中的全部可以是PMOS晶体管。多个薄膜晶体管T1至T7可以包括非晶硅或多晶硅。

信号线可以包括第一扫描线SL1、前一扫描线SLp、后一扫描线SLn、发射控制线EL和数据线DL。然而，本公开不限于此。第一扫描线SL1可以被配置为传输第一扫描信号Sn。前一扫描线SLp可以被配置为将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化晶体管T4。后一扫描线SLn可以被配置为将后一扫描信号Sn+1传输到第二初始化晶体管T7。发射控制线EL可以被配置为将发射控制信号EM传输到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6。数据线DL可以被配置为传输数据信号DATA。

驱动电压线PL可以被配置为将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1，并且初始化电压线VIL可以被配置为将用于初始化驱动晶体管T1和有机发光二极管OLED的初始化电压VINT传输到子像素PX。例如，第一初始化电压线VIL1可以被配置为将初始化电压VINT传输到第一初始化晶体管T4，并且第二初始化电压线VIL2可以被配置为将初始化电压VINT传输到第二初始化晶体管T7。

驱动晶体管T1的驱动栅极电极可以连接到电容器Cst，驱动晶体管T1的源极区和漏极区中的一个可以通过第一节点N1经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且驱动晶体管T1的源极区和漏极区中的另一个可以经由发射控制晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的子像素电极。驱动晶体管T1可以被配置为根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA并且向有机发光二极管OLED提供驱动电流Ioled。

开关晶体管T2的开关栅极电极可以连接到被配置为传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1，开关晶体管T2的源极区和漏极区中的一个可以连接到数据线DL，并且开关晶体管T2的源极区和漏极区中的另一个可以通过第一节点N1连接到驱动晶体管T1并经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关晶体管T2可以被配置为根据通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn而导通，并通过第一节点N1将通过数据线DL传输的数据信号DATA传输到驱动晶体管T1。

补偿晶体管T3的补偿栅极电极可以连接到第一扫描线SL1。补偿晶体管T3的源极区和漏极区中的一个可以经由发射控制晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的子像素电极。补偿晶体管T3的源极区和漏极区中的另一个可以连接到电容器Cst和驱动晶体管T1的驱动栅极电极。补偿晶体管T3可以被配置为根据通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn而导通，并且将驱动晶体管T1以二极管方式连接。

第一初始化晶体管T4的第一初始化栅极电极可以连接到前一扫描线SLp。第一初始化晶体管T4的源极区和漏极区中的一个可以连接到第一初始化电压线VIL1。第一初始化晶体管T4的源极区和漏极区中的另一个可以连接到电容器Cst的第一电容器电极CE1(参见图6)和驱动晶体管T1的驱动栅极电极。第一初始化晶体管T4可以被配置为根据通过前一扫描线SLp接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并且将初始化电压VINT传输到驱动晶体管T1的驱动栅极电极以初始化驱动晶体管T1的驱动栅极电极的电压。

操作控制晶体管T5的操作控制栅极电极可以连接到发射控制线EL，操作控制晶体管T5的源极区和漏极区中的一个可以连接到驱动电压线PL，并且操作控制晶体管T5的源极区和漏极区中的另一个可以通过第一节点N1连接到驱动晶体管T1和开关晶体管T2。

发射控制晶体管T6的发射控制栅极电极可以连接到发射控制线EL，发射控制晶体管T6的源极区和漏极区中的一个可以连接到驱动晶体管T1和补偿晶体管T3，并且发射控制晶体管T6的源极区和漏极区中的另一个可以电连接到有机发光二极管OLED的子像素电极。

操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号EM而同时(或并发地)导通，并且因此，驱动电压ELVDD可以被传输到有机发光二极管OLED，以允许驱动电流Ioled流过有机发光二极管OLED。

第二初始化晶体管T7的第二初始化栅极电极可以连接到后一扫描线SLn，第二初始化晶体管T7的源极区和漏极区中的一个可以连接到有机发光二极管OLED的子像素电极，并且第二初始化晶体管T7的源极区和漏极区中的另一个可以连接到第二初始化电压线VIL2以接收初始化电压VINT。第二初始化晶体管T7可以被配置为根据通过后一扫描线SLn接收的后一扫描信号Sn+1而导通，并且初始化有机发光二极管OLED的子像素电极。后一扫描线SLn可以与第一扫描线SL1相同。在这种情况下，相关扫描线可以被配置为以时间差传输相同的电信号，并且因此，相关扫描线可以用作第一扫描线SL1以及用作后一扫描线SLn。在一些实施例中，可以省略第二初始化晶体管T7。

电容器Cst可以连接到驱动电压线PL和驱动晶体管T1的驱动栅极电极，并且存储和保持与电容器Cst的两端之间的电压差对应的电压，从而保持施加到驱动晶体管T1的驱动栅极电极的电压。

下面描述根据一些实施例的子像素电路PC和作为显示元件的有机发光二极管OLED的详细操作。

在初始化时段期间，当通过前一扫描线SLp供应前一扫描信号Sn-1时，第一初始化晶体管T4根据前一扫描信号Sn-1而导通，并且驱动晶体管T1可以被从第一初始化电压线VIL1供应的初始化电压VINT初始化。

在数据编程时段期间，当通过第一扫描线SL1供应第一扫描信号Sn时，开关晶体管T2和补偿晶体管T3可以响应于第一扫描信号Sn而导通。在这种情况下，驱动晶体管T1可以通过导通的补偿晶体管T3以二极管方式连接并正向偏置。然后，可以将补偿电压(DATA+Vth(Vth具有(-)值))施加到驱动晶体管T1的驱动栅极电极，其中，补偿电压(DATA+Vth)通过从自数据线DL供应的数据信号DATA中减去驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)来获得。驱动电压ELVDD和补偿电压(DATA+Vth)分别施加到电容器Cst的两个相对端，并且与所述两个相对端的电压之间的差相对应的电荷可以存储在电容器Cst中。

在发射时段期间，操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以根据从发射控制线EL供应的发射控制信号EM而导通。可以产生与驱动晶体管T1的驱动栅极电极的电压和驱动电压ELVDD之间的电压差对应的驱动电流Ioled，并且可以通过发射控制晶体管T6将驱动电流Ioled供应到有机发光二极管OLED。

参考图6，子像素PX的子像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7、第一电容器Cst、第二电容器Cbt和作为显示元件的有机发光二极管OLED。

多个薄膜晶体管T1至T7中的一些薄膜晶体管可以是N沟道MOSFET(NMOS)晶体管，并且多个薄膜晶体管T1至T7中的其他薄膜晶体管可以是P沟道MOSFET(PMOS)晶体管。例如，如图6中所示，在多个薄膜晶体管T1至T7之中，补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可以是NMOS晶体管，并且其余可以是PMOS晶体管。可选地，在多个薄膜晶体管T1至T7之中，补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7可以是NMOS晶体管，并且其余可以是PMOS晶体管。可选地，多个薄膜晶体管T1至T7中的全部可以是NMOS晶体管。多个薄膜晶体管T1至T7可以包括非晶硅或多晶硅。如果必要，则NMOS晶体管中的每一个可以包括氧化物半导体。

信号线可以包括被配置为传输第一扫描信号Sn'的第一扫描线SL1、被配置为传输第二扫描信号Sn”的第二扫描线SL2、被配置为将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化晶体管T4的前一扫描线SLp、被配置为将发射控制信号EM传输到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6的发射控制线EL、被配置为将后一扫描信号Sn+1传输到第二初始化晶体管T7的后一扫描线SLn以及被配置为传输数据信号DATA的数据线DL。

驱动晶体管T1可以经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且可以经由发射控制晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。驱动晶体管T1可以被配置为根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA并且向有机发光二极管OLED供应驱动电流Ioled。

开关晶体管T2可以连接到第一扫描线SL1和数据线DL，并且可以经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关晶体管T2可以被配置为根据通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn'而导通，并且将通过数据线DL传输的数据信号DATA传输到第一节点N1。

补偿晶体管T3可以连接到第二扫描线SL2，并且可以经由发射控制晶体管T6连接到有机发光二极管OLED。补偿晶体管T3可以被配置为根据通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn”而导通，并且将驱动晶体管T1以二极管方式连接，从而补偿驱动晶体管T1的阈值电压。

第一初始化晶体管T4可以连接到前一扫描线SLp和第一初始化电压线VIL1，并且可以被配置为根据通过前一扫描线SLp接收的前一扫描信号Sn-1而导通并将初始化电压VINT从第一初始化电压线VIL1传输到驱动晶体管T1的驱动栅极电极，以使驱动晶体管T1的驱动栅极电极的电压初始化。

操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以连接到发射控制线EL，并且可以被配置为根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号EM而同时(或并发地)导通并形成电流路径，使得驱动电流Ioled可以从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED。

第二初始化晶体管T7可以连接到后一扫描线SLn和第二初始化电压线VIL2，并且可以被配置为根据通过后一扫描线SLn接收的后一扫描信号Sn+1而导通，并且将初始化电压VINT从第二初始化电压线VIL2传输到有机发光二极管OLED以使有机发光二极管OLED初始化。可以省略第二初始化晶体管T7。

第一电容器Cst可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。第一电容器电极CE1可以连接到驱动晶体管T1的驱动栅极电极，并且第二电容器电极CE2可以连接到驱动电压线PL。第一电容器Cst可以通过存储并保持与驱动电压线PL和驱动晶体管T1的驱动栅极电极之间的电压差对应的电压来保持施加到驱动晶体管T1的驱动栅极电极的电压。

第二电容器Cbt可以包括第三电容器电极CE3和第四电容器电极CE4。第三电容器电极CE3可以连接到第一扫描线SL1和开关晶体管T2的开关栅极电极。第四电容器电极CE4可以连接到驱动晶体管T1的驱动栅极电极和第一电容器Cst的第一电容器电极CE1。第二电容器Cbt是升压电容器，并且当第一扫描线SL1的第一扫描信号Sn'具有用于使开关晶体管T2截止的电压时，第二电容器Cbt可以增加第二节点N2的电压以清楚地表达黑色色阶。

根据一些实施例，多个晶体管T1至T7中的至少一个可以包括包含氧化物的半导体层，并且其余可以包括包含非晶硅或多晶硅的半导体层。

例如，直接影响显示设备1的亮度的驱动晶体管T1可以包括包含具有高可靠性的多晶硅的半导体层，从而实现高分辨率的显示设备。

因为氧化物半导体具有高的载流子迁移率和低的泄漏电流，所以即使驱动时间长，电压降也可能不大。也就是说，因为即使在低频驱动期间，根据电压降的图像的颜色变化也不大，所以低频驱动可以是可能的。

如上所述，因为氧化物半导体具有低的泄漏电流的优点，所以连接到驱动晶体管T1的驱动栅极电极的补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4中的至少一个可以采用氧化物半导体，从而防止或减少流向驱动晶体管T1的驱动栅极电极的泄漏电流并降低功耗。

子像素电路PC不限于参考图5和图6描述的薄膜晶体管和电容器的数量和电路设计，并且可以不同地改变数量和电路设计。

图7是根据一些实施例的显示面板的一部分的示意性平面图。

参考图7，在平面图中，与开口区域OA相邻的子像素PX可以布置为相对于开口区域OA彼此间隔开。子像素PX可以布置为相对于开口区域OA彼此竖直地间隔开，或者可以布置为相对于开口区域OA在左右方向上彼此间隔开。子像素PX中的每一个使用从发光二极管发射的红光、绿光和/或蓝光，并且图7中所示的子像素PX的位置分别对应于发光二极管的位置。因此，子像素PX在平面图中被布置为相对于开口区域OA彼此间隔开的事实可以指示发光二极管在平面图中被布置为相对于开口区域OA彼此间隔开。例如，在平面图中，发光二极管可以布置为相对于开口区域OA彼此竖直地间隔开，或者可以布置为相对于开口区域OA在左右方向上彼此间隔开。

在向连接到每个子像素PX的发光二极管的子像素电路供应信号的信号线之中，与开口区域OA相邻的信号线可以绕过开口区域OA和/或开口10OP。数据线DL之中的至少一条数据线DL的绕过部分DL-D1可以与穿越显示区域DA的延伸部分DL-L1形成在不同的层上，并且数据线DL的绕过部分DL-D1和延伸部分DL-L1可以通过接触孔CNT彼此连接。数据线DL之中的至少一条数据线DL的绕过部分DL-D2可以与延伸部分DL-L2位于同一层上，并且可以与延伸部分DL-L2一体地形成。

图7示出了其中扫描线SL可相对于开口区域OA分开或断开的示例。在这种情况下，布置在开口区域OA的左侧上的扫描线SL可以从如上面参考图4描述的布置在显示区域DA的左侧上的第一扫描驱动器20接收信号，并且布置在开口区域OA的右侧上的扫描线SL可以从上面参考图4描述的布置在显示区域DA的右侧上的第二扫描驱动器30接收信号。本公开不限于此。根据一些实施例，扫描线SL可在中间区域MA中绕过开口区域OA和/或开口10OP。

分隔壁DP(例如，DP1和DP2)可以位于中间区域MA中的其中数据线DL绕过的区域和开口区域OA之间。在平面图中，分隔壁DP中的每一个可以具有围绕开口区域OA的闭环形状，并且分隔壁DP可以布置为彼此间隔开。

图8是根据一些实施例的沿着图7的线II-II'截取的显示面板10的一部分的示意性截面图。

参考图8的显示区域DA，显示面板10可以包括基底100、像素电路层PCL、显示元件层DEL、封装层300和触摸传感器层400。

基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。根据一些实施例，基底100可以具有其中交替地堆叠有包含聚合物树脂的基体层和包含无机绝缘材料(诸如氧化硅或氮化硅)的阻挡层的结构。例如，基底100可以包括顺序地堆叠的第一基体层101、第一阻挡层103、第二基体层105和第二阻挡层107。第一基体层101和第二基体层105可以包括聚合物树脂，并且第一阻挡层103和第二阻挡层107可以包括无机绝缘材料。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素等。

像素电路层PCL可以位于基底100上。像素电路层PCL可以包括子像素电路PC、无机绝缘层IIL和有机绝缘层OIL。根据一些实施例，无机绝缘层IIL可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119。根据一些实施例，有机绝缘层OIL可以包括第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124。

子像素电路PC可以包括如上面参考图5和图6所描述的多个晶体管以及电容器。在这方面，图8示出了第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和电容器Cst。第一薄膜晶体管TFT1可以包括第一半导体层Act1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1。第二薄膜晶体管TFT2可以包括第二半导体层Act2、第二栅极电极GE2、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2。电容器Cst可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。

缓冲层111可以位于基底100上。缓冲层111可以减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基底100的底部渗透。缓冲层111可以包括无机材料(诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。

第一半导体层Act1可以包括硅半导体。第一半导体层Act1可以包括多晶硅。可选地，第一半导体层Act1可以包括非晶硅。在一些实施例中，第一半导体层Act1可以包括氧化物半导体或有机半导体等。第一半导体层Act1可以包括沟道区以及分别布置在沟道区的两侧上的漏极区和源极区。第一栅极电极GE1可以与沟道区重叠。

第一栅极电极GE1可以与第一半导体层Act1重叠。第一栅极电极GE1可以包括低电阻金属材料。第一栅极电极GE1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含所述导电材料的多层或单层。

第一栅极绝缘层112可以布置在第一半导体层Act1和第一栅极电极GE1之间。因此，第一半导体层Act1可以与第一栅极电极GE1绝缘。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和/或氧化锌。

第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅极电极GE1。类似于第一栅极绝缘层112，第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和/或氧化锌。

第二电容器电极CE2可以位于第二栅极绝缘层113上。第二电容器电极CE2可以与其下方的第一栅极电极GE1重叠。在这种情况下，第二电容器电极CE2和第一栅极电极GE1可以彼此重叠(第二栅极绝缘层113在第二电容器电极CE2和第一栅极电极GE1之间)以形成电容器Cst。也就是说，第一薄膜晶体管TFT1的第一栅极电极GE1可以用作电容器Cst的第一电容器电极CE1。

以这种方式，电容器Cst和第一薄膜晶体管TFT1可以形成为彼此重叠。在一些实施例中，电容器Cst可以形成为不与第一薄膜晶体管TFT1重叠。

第二电容器电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。

第一无机绝缘层115可以覆盖第二电容器电极CE2。第一无机绝缘层115可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌等。第一无机绝缘层115可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。

第二半导体层Act2可以位于第一无机绝缘层115上。根据一些实施例，第二半导体层Act2可以包括沟道区以及分别布置在沟道区的两侧上的源极区和漏极区。第二半导体层Act2可以包括氧化物半导体。例如，第二半导体层Act2可以包括Zn氧化物类材料，诸如Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物等。可选地，第二半导体层Act2可以包括In-Ga-Zn-O(IGZO)半导体、In-Sn-Zn-O(ITZO)半导体或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体，其中诸如铟(In)、镓(Ga)和锡(Sn)的金属被包含在氧化锌(ZnO)中。

第二半导体层Act2的源极区和漏极区可以通过控制氧化物半导体的载流子浓度以使氧化物半导体导电而形成。例如，第二半导体层Act2的源极区和漏极区可以通过使用氢基气体、氟基气体或它们的组合的等离子体处理来增加氧化物半导体的载流子浓度而形成。

第二无机绝缘层117可以覆盖第二半导体层Act2。第二无机绝缘层117可以布置在第二半导体层Act2和第二栅极电极GE2之间。根据一些实施例，第二无机绝缘层117可以完全位于基底100上。根据一些实施例，第二无机绝缘层117可以根据第二栅极电极GE2的形状而被图案化。第二无机绝缘层117可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌等。第二无机绝缘层117可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。

第二栅极电极GE2可以位于第二无机绝缘层117上。第二栅极电极GE2可以与第二半导体层Act2重叠。第二栅极电极GE2可以与第二半导体层Act2的沟道区重叠。第二栅极电极GE2可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料，并且可以包括包含所述导电材料的多层或单层。

层间绝缘层119可以覆盖第二栅极电极GE2。层间绝缘层119可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌等。层间绝缘层119可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。

第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以位于层间绝缘层119上。第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以连接到第一半导体层Act1。第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以通过绝缘层的接触孔连接到第一半导体层Act1。

第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以位于层间绝缘层119上。第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以电连接到第二半导体层Act2。第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以通过绝缘层的接触孔电连接到第二半导体层Act2。

第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以各自包括具有良好导电性的材料。第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以各自包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料，并且可以包括包含所述导电材料的多层或单层。根据一些实施例，第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以各自具有包括Ti/Al/Ti层的多层结构。

包括包含硅半导体的第一半导体层Act1的第一薄膜晶体管TFT1可以具有高可靠性。例如，第一薄膜晶体管TFT1可以是图6中的驱动晶体管T1。在这种情况下，可以实现具有高质量的显示面板10。

因为氧化物半导体具有高的载流子迁移率和低的泄漏电流，所以即使驱动时间长，电压降也可能不大。通过在晶体管中的除了驱动晶体管T1之外的至少一个晶体管中采用氧化物半导体，可以防止或减少泄漏电流并且可以相对地降低功耗。例如，第二薄膜晶体管TFT2可以是图6中的补偿晶体管T3。

下栅极电极BGE可以位于第二半导体层Act2下方。根据一些实施例，下栅极电极BGE可以布置在第二栅极绝缘层113和第一无机绝缘层115之间。根据一些实施例，下栅极电极BGE可以接收栅极信号。在这种情况下，第二薄膜晶体管TFT2可以具有其中栅极电极位于第二半导体层Act2上方和下方的双栅极电极结构。

根据一些实施例，栅极布线GWL可以布置在第二无机绝缘层117和层间绝缘层119之间。根据一些实施例，栅极布线GWL可以通过提供在第一无机绝缘层115和第二无机绝缘层117中的接触孔电连接到下栅极电极BGE。

根据一些实施例，背金属层BML可以布置在基底100和子像素电路PC之间。根据一些实施例，背金属层BML可以与第一薄膜晶体管TFT1重叠。可以向背金属层BML施加恒定电压。由于背金属层BML位于第一薄膜晶体管TFT1下方，因此第一薄膜晶体管TFT1可以较少地受到周围干扰信号的影响，并且因此可以提高可靠性。

第一有机绝缘层121可以布置为覆盖第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2。第一有机绝缘层121可以包括有机材料。例如，第一有机绝缘层121可以包括有机绝缘材料，诸如通用商业聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。

第一连接电极CM1、数据线DL和驱动电压线PL可以位于第一有机绝缘层121上。在这种情况下，第一连接电极CM1可以通过第一有机绝缘层121的接触孔连接到第一漏极电极DE1或第一源极电极SE1。

第一连接电极CM1、数据线DL和驱动电压线PL可以各自包括具有良好导电性的材料。第一连接电极CM1可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料，并且可以包括包含所述导电材料的多层或单层。根据一些实施例，第一连接电极CM1可以具有包括Ti/Al/Ti层的三层结构(即，第一层CM1a、第二层CM1b和第三层CM1c)。

图8示出了其中数据线DL和驱动电压线PL布置在同一层(例如，第一有机绝缘层121)上的示例。然而，根据一些实施例，数据线DL和驱动电压线PL可以位于不同的层上。

第二有机绝缘层122可以被布置为覆盖第一连接电极CM1、数据线DL和驱动电压线PL。第二有机绝缘层122可以包括有机材料。例如，第二有机绝缘层122可以包括有机绝缘材料，诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。

第二连接电极CM2可以位于第二有机绝缘层122上。在这种情况下，第二连接电极CM2可以通过限定在第二有机绝缘层122中的接触孔电连接到第一连接电极CM1。

第二连接电极CM2可以包括具有良好导电性的材料。第二连接电极CM2可以包括包含例如Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料。第二连接电极CM2可以包括包含所述导电材料的多层或单层。根据一些实施例，第二连接电极CM2可以具有包括Ti/Al/Ti层的三层结构(即，第一层CM2a、第二层CM2b和第三层CM2c)。

第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124可以布置为覆盖第二连接电极CM2。第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124可以各自包括有机材料。例如，第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124可以各自包括有机绝缘材料，诸如亚克力、BCB、聚酰亚胺或HMDSO。

尽管图8示出了其中像素电路层PCL包括第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124的示例，但是本公开不限于此。例如，可以省略第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124中的至少一个。

显示元件层DEL可以位于像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括例如有机发光二极管OLED作为显示元件。

有机发光二极管OLED可以电连接到子像素电路PC。有机发光二极管OLED可以电连接到子像素电路PC以实现子像素PX(参见图1)。有机发光二极管OLED可以包括子像素电极210、发射层220b、功能层220f和对电极230。

子像素电极210可以位于第四有机绝缘层124上。子像素电极210可以通过提供在第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124中的接触孔电连接到第二连接电极CM2。

子像素电极210可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物的反射层。可选地，子像素电极210还可以包括在上述反射层上和/或下方的导电氧化物层。导电氧化物层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。根据一些实施例，子像素电极210可以具有包括ITO/Ag/ITO层的三层结构。

第一堤层190可以位于子像素电极210上。暴露子像素电极210的至少一部分的第一开口可以限定在第一堤层190中。子像素电极210的中心部分可以通过限定在第一堤层190中的第一开口暴露。第一开口可以限定从有机发光二极管OLED发射的光的发射区域。

第一堤层190可以包括有机绝缘材料。根据一些实施例，第一堤层190可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。根据一些实施例，第一堤层190可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。根据一些实施例，第一堤层190可以包括遮光材料并且可以提供为黑色。遮光材料可以包括炭黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂或膏、金属(例如，镍、铝、钼或它们的合金)颗粒、金属氧化物(例如，氧化铬)颗粒或金属氮化物(例如，氮化铬)颗粒等。当第一堤层190包括遮光材料时，可以减少由位于第一堤层190下方的金属结构对外部光的反射。

发射层220b可以位于子像素电极210上。发射层220b可以与第一开口中的子像素电极210重叠。发射层220b可以包括低分子材料或高分子材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。根据一些实施例，发射层220b可以被图案化以对应于多个子像素电极210中的每一个。在一些实施例中，发射层220b可以遍及多个子像素电极210一体地形成。

功能层220f可以包括在子像素电极210与发射层220b之间的第一功能层220a和在发射层220b与对电极230之间的第二功能层220c中的至少一个。

根据一些实施例，第一功能层220a可以包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)。第二功能层220c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。根据一些实施例，功能层220f可以被布置为完全覆盖显示区域DA。

对电极230可以位于发射层220b上。对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极230可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、Ca或它们的合金的(半)透明层。可选地，对电极230还可以包括在包含上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的层。根据一些实施例，对电极230可以被布置为完全覆盖显示区域DA。

封装层300可以位于对电极230上。封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据一些实施例，封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。

第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个可以包括至少一种无机绝缘材料。所述至少一种无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。有机封装层320可以包括丙烯酸树脂，诸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸。有机封装层320可以通过固化单体或施加聚合物来形成。

触摸传感器层400可以位于封装层300上。触摸传感器层400可以包括保护层410、第一触摸绝缘层420、第一触摸导电层430、第二触摸绝缘层440、第二触摸导电层450和第三触摸绝缘层460。

保护层410可以保护封装层300。例如，保护层410可以防止或减少在第一无机封装层310和第二无机封装层330中的至少一个中出现裂纹。第一触摸绝缘层420可以位于保护层410上。

保护层410和第一触摸绝缘层420可以各自包括无机绝缘材料。保护层410和第一触摸绝缘层420可以各自包括例如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。保护层410和第一触摸绝缘层420可以各自具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。根据一些实施例，可以省略保护层410和第一触摸绝缘层420中的一者。例如，可以省略第一触摸绝缘层420。

第一触摸导电层430可以位于第一触摸绝缘层420上。第一触摸导电层430可以包括导电材料。第一触摸导电层430可以包括例如Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种。根据一些实施例，第一触摸导电层430可以具有包括Ti/Al/Ti层的多层结构。

第二触摸绝缘层440可以被布置为覆盖第一触摸导电层430。第二触摸绝缘层440可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅，并且有机绝缘材料可以包括丙烯酸类有机材料或酰亚胺类有机材料。

第二触摸导电层450可以位于第二触摸绝缘层440上。第二触摸绝缘层440可以具有接触孔，并且第二触摸导电层450可以通过接触孔电连接到第一触摸导电层430。第二触摸导电层450可以包括导电材料。第二触摸导电层450可以包括例如Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种。根据一些实施例，第二触摸导电层450可以具有包括Ti/Al/Ti层的多层结构。

第三触摸绝缘层460可以被布置为覆盖第二触摸导电层450。第三触摸绝缘层460的顶表面可以是平坦的。第三触摸绝缘层460可以包括有机材料。根据一些实施例，第三触摸绝缘层460可以包括聚合物类材料。上述聚合物类材料可以是透明的。例如，第三触摸绝缘层460可以包括有机硅类树脂、丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。第三触摸绝缘层460可以包括无机材料。

图9是根据一些实施例的沿着图7的线III-III'截取的显示面板10的一部分的示意性截面图。例如，图9是用于解释布置在中间区域MA中的组件的视图，并且在图9中，与图8中的附图标记相同的附图标记指代与图8中的构件相同的构件，并且因此省略了其冗余描述。

参考图9，基底100的第一基体层101、第一阻挡层103、第二基体层105和第二阻挡层107可以顺序地定位。例如，第一基体层101、第一阻挡层103、第二基体层105和第二阻挡层107可以在从显示区域DA(参见图8)朝向开口区域OA的方向上连续地延伸。

无机绝缘层IIL可以位于基底100上。无机绝缘层IIL可以布置在显示区域DA中，并且可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。例如，无机绝缘层IIL可以包括缓冲层111(参见图8)、第一栅极绝缘层112(参见图8)、第二栅极绝缘层113(参见图8)、第一无机绝缘层115(参见图8)、第二无机绝缘层117(参见图8)和层间绝缘层119(参见图8)。然而，在中间区域MA中，可以省略缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119中的至少一个。

有机绝缘层OIL可以位于无机绝缘层IIL上。有机绝缘层OIL可以布置在显示区域DA中，并且可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。例如，有机绝缘层OIL可以包括第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123。根据一些实施例，第三有机绝缘层123可以覆盖第一有机绝缘层121和第二有机绝缘层122的端部(或侧表面)。然而，本公开不限于此。例如，第三有机绝缘层123可以暴露第一有机绝缘层121和第二有机绝缘层122的端部(或侧表面)。

第一堤层190可以位于第三有机绝缘层123上。第一堤层190可以布置在显示区域DA中，并且可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。

从显示区域DA延伸到中间区域MA的第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第一堤层190中的每一个的端部可以位于中间区域MA中，并且可以与下面将描述的分隔壁DP间隔开。

分隔壁DP可以布置在中间区域MA中。例如，分隔壁DP可以包括彼此间隔开的第一分隔壁DP1和第二分隔壁DP2。第一分隔壁DP1和第二分隔壁DP2可以位于无机绝缘层IIL的上表面上。尽管图9示出了其中两个分隔壁DP布置在中间区域MA中的示例，但是本公开不限于此。可以进行各种修改，诸如一个分隔壁或者三个或更多个分隔壁布置在中间区域MA中。

参考图7和图9，第一分隔壁DP1可以位于显示区域DA和开口区域OA之间，并且第二分隔壁DP2可以位于第一分隔壁DP1和开口区域OA之间。也就是说，第二分隔壁DP2可以定位为比第一分隔壁DP1靠近开口区域OA。

第一分隔壁DP1可以包括第一有机绝缘层121的部分121a、第三有机绝缘层123的部分123a、第一堤层190的部分190a和间隔件的部分240a。第二分隔壁DP2可以包括第一有机绝缘层121的部分121b、第二有机绝缘层122的部分122b、第三有机绝缘层123的部分123b、第一堤层190的部分190b和间隔件的部分240b。根据一些实施例，第一分隔壁DP1和第二分隔壁DP2中的每一个还可以包括其他层的部分，或者可以省略上述层中的一些。

根据一些实施例，因为第一分隔壁DP1包括四个层并且第二分隔壁DP2包括五个层，所以第二分隔壁DP2的高度可以大于第一分隔壁DP1的高度。也就是说，第二分隔壁DP2距无机绝缘层IIL的上表面的高度可以大于第一分隔壁DP1距无机绝缘层IIL的上表面的高度。

功能层220f可以布置在显示区域DA中，并且功能层220f的至少一部分可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。功能层220f可以包括上面参考图8所描述的第一功能层220a和第二功能层220c中的至少一个。

根据一些实施例，功能层220f可以在中间区域MA中断开。也就是说，功能层220f可以包括位于中间区域MA中的至少一个开口220fOP1、220fOP2和220fOP3。

功能层220f的至少一个开口220fOP1、220fOP2和220fOP3可以位于无机绝缘层IIL上。例如，功能层220f可以位于无机绝缘层IIL的上表面上，并且无机绝缘层IIL的上表面可以通过限定在功能层220f中的至少一个开口220fOP1、220fOP2和220fOP3暴露。

根据一些实施例，功能层220f可以包括第一开口220fOP1、第二开口220fOP2和第三开口220fOP3。根据一些实施例，第一开口220fOP1可以位于显示区域DA(参见图8)与第一分隔壁DP1之间，第二开口220fOP2可以位于第一分隔壁DP1与第二分隔壁DP2之间，并且第三开口220fOP3可以位于第二分隔壁DP2与开口区域OA之间。然而，本公开不限于此。第一开口220fOP1和第二开口220fOP2可以位于显示区域DA(参见图8)与第一分隔壁DP1之间，并且第三开口220fOP3可以位于第二分隔壁DP2与开口区域OA之间。此外，第一开口220fOP1可以位于显示区域DA(参见图8)与第一分隔壁DP1之间，并且第二开口220fOP2和第三开口220fOP3可以位于第二分隔壁DP2与开口区域OA之间，并且可以进行各种修改。

另外，尽管图9示出了其中在功能层220f中限定三个开口的示例，但是可以在功能层220f中限定一个开口、两个开口或四个或更多个开口，并且可以进行各种修改。

由于在功能层220f中限定至少一个开口220fOP1、220fOP2和220fOP3，所以可以防止或减少开口区域OA附近的氧或湿气渗透(或扩散)到显示区域DA的发光二极管中。

对电极230和覆盖层270可以布置在显示区域DA中，并且对电极230的至少一部分和覆盖层270的至少一部分可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。覆盖层270可以位于对电极230上并且可以保护对电极230。覆盖层270可以包括无机绝缘材料。覆盖层270可以包括例如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

根据一些实施例，对电极230和覆盖层270可以在中间区域MA中断开。对电极230和覆盖层270可以分别包括与开口区域OA对应的孔230H和270H。分别限定在对电极230和覆盖层270中的孔230H和270H可以位于中间区域MA中。功能层220f和/或无机绝缘层IIL的至少一部分可以通过分别限定在对电极230和覆盖层270中的孔230H和270H暴露。

如图9中所示，限定在对电极230中的孔230H的面积可以大于开口区域OA的面积。由于限定在对电极230中的孔230H的面积大于开口区域OA的面积，因此可以防止或减少开口区域OA附近的氧或湿气渗透(或扩散)到显示区域DA的发光二极管中。

此外，限定在覆盖层270中的孔270H的面积可以大于开口区域OA的面积。由于限定在覆盖层270中的孔270H的面积大于开口区域OA的面积，所以可以防止或减少开口区域OA附近的氧或湿气渗透(或扩散)到显示区域DA的发光二极管中。

封装层300可以布置在中间区域MA中。封装层300可以布置在显示区域DA中，并且封装层300的至少一部分可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。根据一些实施例，封装层300可以包括顺序地堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。

有机封装层320可以通过施加单体并且然后固化单体来形成，并且因此，形成有机封装层320的单体的流动可以由第一分隔壁DP1和第二分隔壁DP2控制。也就是说，由于第一分隔壁DP1和/或第二分隔壁DP2布置在中间区域MA中，因此可以防止或减少形成有机封装层320的单体朝向开口区域OA的流动。例如，有机封装层320的端部可以位于第一分隔壁DP1和/或第二分隔壁DP2的一侧处。

由于有机封装层320的端部位于第一分隔壁DP1和/或第二分隔壁DP2的一侧处，因此第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在第一分隔壁DP1和/或第二分隔壁DP2的上表面上彼此直接接触。

封装层300可以与限定在功能层220f中的至少一个开口220fOP1、220fOP2和220fOP3重叠。封装层300的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以与限定在功能层220f中的第一开口220fOP1重叠。

根据一些实施例，第一无机封装层310可以直接位于无机绝缘层IIL的上表面上(或可以与无机绝缘层IIL的上表面直接接触)，无机绝缘层IIL的所述上表面的至少一部分由限定在功能层220f中的第一开口220fOP1暴露。另外，根据一些实施例，第一无机封装层310可以直接位于无机绝缘层IIL的上表面上(或可以与无机绝缘层IIL的上表面直接接触)，无机绝缘层IIL的所述上表面的至少一部分由限定在功能层220f中的第二开口220fOP2和第三开口220fOP3暴露。

触摸传感器层400可以布置在中间区域MA中。触摸传感器层400可以布置在显示区域DA中，并且触摸传感器层400的至少一部分可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。根据一些实施例，触摸传感器层400可以包括顺序地堆叠的保护层410、第一触摸绝缘层420、第二触摸绝缘层440和第三触摸绝缘层460。保护层410、第一触摸绝缘层420、第二触摸绝缘层440和第三触摸绝缘层460中的每一个可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。然而，可以省略保护层410和/或第一触摸绝缘层420。

平坦化层401可以被布置为覆盖中间区域MA。平坦化层401可以防止或减小显示区域DA和中间区域MA之间的台阶差。平坦化层401可以仅位于中间区域MA中，以具有到达两个边缘的宽度。平坦化层401的一个边缘可以面向显示面板10的开口10OP，并且另一个边缘可以与显示区域DA相邻。

平坦化层401的与显示区域DA相邻的部分可以在覆盖有机封装层320的边缘的同时与有机封装层320的一部分重叠，并且第二无机封装层330和保护层410可以在显示面板10的厚度方向(z方向)上位于有机封装层320和平坦化层401之间。在中间区域MA中，保护层410和第一触摸绝缘层420可以通过保护层410和第一触摸绝缘层420之间的平坦化层401在厚度方向(z方向)上彼此间隔开。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，可以省略平坦化层401。在这种情况下，保护层410和第一触摸绝缘层420可以在中间区域MA中彼此直接接触。

参考开口区域OA，显示面板10可以包括开口10OP。显示面板10的开口10OP可以包括构成显示面板10的组件的开口。例如，显示面板10的开口10OP可以包括基底100的开口100OP、平坦化层401的开口和第三触摸绝缘层460的开口460OP等。

构成显示面板10的组件的开口可以同时(或并发地)形成。因此，基底100的限定基底100的开口100OP的内表面100IS和第三触摸绝缘层460的限定第三触摸绝缘层460的开口460OP的内表面460IS可以位于同一竖直线上。

图10A、图10D、图10E、图10F和图10G是示出根据一些实施例的制造显示面板10的工艺的截面图，并且图10B和图10C是示出形成图10A的牺牲层1000的工艺的截面图。

参考图10A，可以在中间区域MA中形成牺牲层1000。可以在无机绝缘层IIL上形成牺牲层1000。

根据一些实施例，牺牲层1000可以包括多个单独的部分。例如，牺牲层1000可以包括第一部分1010、第二部分1020和第三部分1030。根据一些实施例，牺牲层1000的第一部分1010可以布置在第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123的端部与第一分隔壁DP1之间。第二部分1020可以布置在第一分隔壁DP1与第二分隔壁DP2之间。第三部分1030可以布置在第二分隔壁DP2与开口区域OA之间。

参考图10B和图10C，可以通过形成初步牺牲层1000'并且然后执行蚀刻工艺以去除初步牺牲层1000'的一部分来形成牺牲层1000。

首先，可以在无机绝缘层IIL上形成初步牺牲层1000'。初步牺牲层1000'可以是其中堆叠有至少一个金属层的层。例如，初步牺牲层1000'可以包括顺序地堆叠的第一金属层ML1和第二金属层ML2。第一金属层ML1可以位于无机绝缘层IIL上，并且可以包括顺序地堆叠的第一子层ML1a、第二子层ML1b和第三子层ML1c。第二金属层ML2可以位于第一金属层ML1上，并且可以包括顺序地堆叠的第一子层ML2a、第二子层ML2b和第三子层ML2c。

参考图8、图10B和图10C，包括在初步牺牲层1000'中的至少一个金属层可以与布置在参考图8描述的像素电路层PCL中的金属层中的至少一个在同一工艺中形成。例如，初步牺牲层1000'的第一金属层ML1可以与第一连接电极CM1、数据线DL和/或驱动电压线PL一起在同一工艺中形成。例如，第一金属层ML1可以包括形成包括Ti/Al/Ti层的三层结构的第一子层ML1a、第二子层ML1b和第三子层ML1c。此外，第二金属层ML2可以与第二连接电极CM2在同一工艺形成。例如，第二金属层ML2可以包括形成包括Ti/Al/Ti层的三层结构的第一子层ML2a、第二子层ML2b和第三子层ML2c。然而，本公开不限于此。根据一些实施例，第一金属层ML1或第二金属层ML2可以与布置在第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124之间的金属层一起在同一工艺中形成。

此后，可以去除初步牺牲层1000'的一部分。例如，在初步牺牲层1000'中，可以去除第二金属层ML2以及第一金属层ML1的第三子层ML1c和/或第二子层ML1b。

可以通过蚀刻工艺(例如，干法蚀刻工艺和/或湿法蚀刻工艺)去除初步牺牲层1000'的一部分。例如，可以通过干法蚀刻去除具有包括Ti/Al/Ti层的三层结构的第二金属层ML2和第一金属层ML1的对应于Ti层的第三子层ML1c。可以通过湿法蚀刻去除第一金属层ML1的对应于Al层的第二子层ML1b。

干法蚀刻工艺可以作为在形成参考图8描述的第二连接电极CM2之后的附加工艺来执行，或者可以在形成布置在第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123之间的金属层的工艺中执行。另外，湿法蚀刻工艺可以作为在形成参考图8描述的第二连接电极CM2之后的附加工艺来执行，或者可以在形成子像素电极210的工艺中执行。

当去除初步牺牲层1000'的一部分时，可以形成牺牲层1000。根据一些实施例，牺牲层1000可以仅包括对应于Ti层的第一子层ML1a。可选地，牺牲层1000可以包括形成包括Ti/Al层的双层结构的第一子层ML1a和第二子层ML1b。

参考图10D，可以在其上形成有牺牲层1000和分隔壁DP的基底100上形成发光二极管的功能层220f和对电极230。可以通过热蒸发形成功能层220f和对电极230。此后，可以形成覆盖层270。如参考图9所描述的，功能层220f、对电极230和覆盖层270可以被形成为完全覆盖基底100。功能层220f、对电极230和覆盖层270也可以位于第一分隔壁DP1和第二分隔壁DP2上。

当作为公共层的功能层220f和对电极230完全覆盖基底100的上表面时，可能出现裂纹或湿气可能流入发光二极管中。为了防止或减少这种现象，在中间区域MA中，可以去除功能层220f的一部分(例如，第一功能层220a(参见图8)的一部分和第二功能层220c(参见图8)的一部分)和对电极230的一部分。为此，可以向基底100照射激光。

可以在从基底100的下表面朝向基底100的上表面的方向上照射激光。可以多次照射激光，并且当多次照射激光时，可以改变激光的类型、输出和/或照射范围。在一些实施例中，可以基于对电极230的带隙来设定激光的输出。激光束的直径可以由牺牲层1000的宽度来确定。在激光剥离工艺期间，牺牲层1000可以通过吸收激光被加热到一定温度，并且位于牺牲层1000上的层可以与牺牲层1000一起被去除。

参考图10E，可以通过激光去除功能层220f的一部分。在这方面，图10E示出了在去除位于中间区域MA中的功能层220f的一部分的同时形成的开口220fOP1、220fOP2和220fOP3。

此外，可以通过激光去除位于中间区域MA中的对电极230的一部分和位于中间区域MA中的覆盖层270的一部分。在这方面，图10E示出了在去除位于中间区域MA中的对电极230的所述一部分和位于中间区域MA中的覆盖层270的所述一部分的同时形成的对电极230的孔230H和覆盖层270的孔270H。对电极230的孔230H和覆盖层270的孔270H中的每一个可以是位于中间区域MA中的单个孔。对电极230的孔230H和覆盖层270的孔270H可以形成为占据开口区域OA和中间区域MA的大部分。

参考图10F，可以在其上形成有参考图10E描述的结构的基底100上形成封装层300。

封装层300的第一无机封装层310可以被形成为完全覆盖基底100。可以通过化学气相沉积法等形成第一无机封装层310。因为牺牲层1000在上述激光剥离工艺中被去除，所以第一无机封装层310可以与无机绝缘层IIL的由功能层220f的开口220fOP1、220fOP2和220fOP3暴露的上表面直接接触，例如与层间绝缘层119(参见图8)的上表面直接接触。

可以通过经由喷墨法等施加单体并然后固化单体来形成有机封装层320。有机封装层320可以包括在单体被固化的同时形成的树脂。有机封装层320的具体材料与上面所描述的相同。

可以在有机封装层320上形成第二无机封装层330，并且可以像第一无机封装层310一样通过化学气相沉积法等形成第二无机封装层330。第二无机封装层330可以在中间区域MA的其中未形成有机封装层320的部分和开口区域OA中直接接触第一无机封装层310。例如，第二无机封装层330可以在有机封装层320的边缘和开口区域OA之间直接接触第一无机封装层310，从而进一步降低或防止湿气渗透的可能性。

参考图10G，可以在封装层300上顺序地形成触摸传感器层400的保护层410、第一触摸绝缘层420、第二触摸绝缘层440和/或第三触摸绝缘层460。还可以在触摸传感器层400的保护层410和第一触摸绝缘层420之间形成平坦化层401。

此后，当通过使用激光束等的切割方法沿着切割线CTL切割开口区域OA时，显示面板10可以包括形成在开口区域OA中的开口10OP(参见图9)。

图11是根据另一实施例的显示面板10的一部分的示意性截面图，并且图12是图11的部分X的放大截面图。图11是用于解释布置在中间区域MA中的组件的视图，并且在图11中，与图8和图9中的附图标记相同的附图标记指代与图8和图9中的构件相同的构件，并且因此省略了其冗余描述。

参考图11和图12的中间区域MA，无机绝缘层IIL可以位于基底100上。根据一些实施例，基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层103、第二基体层105和第二阻挡层107。无机绝缘层IIL可以包括例如缓冲层111(参见图8)、第一栅极绝缘层112(参见图8)、第二栅极绝缘层113(参见图8)、第一无机绝缘层115(参见图8)、第二无机绝缘层117(参见图8)和层间绝缘层119(参见图8)。

有机绝缘层OIL可以位于无机绝缘层IIL上。有机绝缘层OIL可以包括例如第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123。第一堤层190可以位于有机绝缘层OIL上。

从显示区域DA延伸到中间区域MA的第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第一堤层190中的每一个的端部可以位于中间区域MA中，并且可以与下面将描述的分隔壁DP间隔开。

分离件MD和分隔壁DP可以布置在中间区域MA中。分隔壁DP可以包括布置为彼此间隔开的第一分隔壁DP1和第二分隔壁DP2。第一分隔壁DP1可以包括第一有机绝缘层121的部分121a、第三有机绝缘层123的部分123a、第一堤层190的部分190a和间隔件的部分240a。第二分隔壁DP2可以包括第一有机绝缘层121的部分121b、第二有机绝缘层122的部分122b、第三有机绝缘层123的部分123b、第一堤层190的部分190b和间隔件的部分240b。

分离件MD可以包括布置为彼此间隔开的第一分离件MD1、第二分离件MD2、第三分离件MD3、第四分离件MD4和第五分离件MD5。然而，本公开不限于此。可以在中间区域MA中提供六个或更多个分离件MD。例如，可以在中间区域MA中布置八个分离件MD。第一分离件MD1、第二分离件MD2、第三分离件MD3、第四分离件MD4和第五分离件MD5中的每一个可以沿着开口区域OA的外周布置，并且在平面图中可以具有围绕开口区域OA的闭环形状。

分离件MD可以具有其中顺序地堆叠有第一金属图案层130、第二金属图案层140和第三金属图案层150的结构。分离件MD的第一金属图案层130和第三金属图案层150可以包括相同的材料。第二金属图案层140可以包括与第一金属图案层130和第三金属图案层150的材料不同的材料。

参考图8、图11和图12，分离件MD可以与位于像素电路层PCL上的金属层中的一个包括相同的材料。根据一些实施例，分离件MD可以与参考图8所描述的第二连接电极CM2位于同一层(例如，第二有机绝缘层122)上，并且可以与第二连接电极CM2包括相同的材料。例如，分离件MD的第一金属图案层130、第二金属图案层140和第三金属图案层150可以分别与第二连接电极CM2的第一层CM2a、第二层CM2b和第三层CM2c包括相同的材料。例如，第一金属图案层130和第三金属图案层150可以包括Ti，并且第二金属图案层140可以包括Al。然而，本公开不限于此。根据一些实施例，分离件MD可以与布置在第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124之间的金属层包括相同的材料。

如图11和图12中所示，分离件MD可以形成为使得第二金属图案层140上的第三金属图案层150的宽度大于第二金属图案层140的上表面140t的宽度。换句话说，在截面图中，第三金属图案层150可以包括从第二金属图案层140的侧表面140s和上表面140t彼此相交的点向两侧突出的一对尖端PT。

包括在发光二极管中的有机材料层(例如，功能层220f)可以在中间区域MA中断开。功能层220f可以包括第一功能层220a(参见图8)和第二功能层220c(参见图8)。功能层220f可以通过分离件MD的尖端PT断开或分开。

显示面板10的开口区域OA附近的湿气或氧可以扩散到显示区域DA(参见图8)的发光二极管，并且连续地形成的功能层220f可以被用作湿气的扩散路径。然而，如图11中所示，因为中间区域MA中的功能层220f由于第一分离件MD1、第二分离件MD2、第三分离件MD3、第四分离件MD4和第五分离件MD5的尖端PT而断开，所以可以防止湿气或氧进入发光二极管。

此外，对电极230和覆盖层270可以在中间区域MA中断开。在这方面，图11示出了其中对电极230和覆盖层270由于第一分离件MD1、第二分离件MD2、第三分离件MD3、第四分离件MD4和第五分离件MD5而断开或分开的示例。

例如，当置于第一分离件MD1和第二分离件MD2的尖端PT上的功能层220f、对电极230和覆盖层270断开或分开时，功能层220f的部分220fp、对电极230的部分230p和覆盖层270的部分270p可以位于第一分离件MD1和第二分离件MD2之间的无机绝缘层IIL的上表面上。类似地，在第三分离件MD3和第四分离件MD4之间以及第四分离件MD4和第五分离件MD5之间的无机绝缘层IIL的上表面上，还可以定位由于尖端PT而分开的功能层220f的部分220fp、对电极230的部分230p和覆盖层270的部分270p。

封装层300的第一无机封装层310可以连续地覆盖布置在中间区域MA中的分离件MD和分隔壁DP。有机封装层320可以覆盖分离件MD中的一些(例如，布置在显示区域DA和第一分隔壁DP1之间的第一分离件MD1和第二分离件MD2)。有机封装层320上的第二无机封装层330可以完全覆盖中间区域MA。

当形成有机封装层320时，单体的流动可以由分离件MD和分隔壁DP控制。例如，有机封装层320的端部可以位于第一分隔壁DP1和/或第二分隔壁DP2的一侧处。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在第一分隔壁DP1和/或第二分隔壁DP2的上表面上彼此直接接触。

触摸传感器层400的一部分可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。在这方面，图11示出了其中保护层410、第一触摸绝缘层420、第二触摸绝缘层440和第三触摸绝缘层460延伸到中间区域MA的结构。根据一些实施例，平坦化层401可以进一步布置在保护层410与第一触摸绝缘层420之间。平坦化层401可以仅布置在中间区域MA中。

参考开口区域OA，显示面板10包括开口10OP。显示面板10的开口10OP可以包括构成显示面板10的组件的开口。例如，显示面板10的开口10OP可以包括基底100的开口100OP和第三触摸绝缘层460的开口460OP。

基底100的限定基底100的开口100OP的内表面100IS和第三触摸绝缘层460的限定第三触摸绝缘层460的开口460OP的内表面460IS可以位于同一竖直线上。

图13A、图13D和图13E是示出根据另一实施例的制造显示面板10的工艺的截面图，并且图13B和图13C是示出形成图13A的分离件的工艺的截面图。

参考图13A，可以在中间区域MA中形成分离件MD以及第一分隔壁DP1和第二分隔壁DP2。第一分离件MD1、第二分离件MD2、第三分离件MD3、第四分离件MD4和第五分离件MD5以及第一分隔壁DP1和第二分隔壁DP2可以形成在无机绝缘层IIL上。根据一些实施例，可以在显示区域DA和第一分隔壁DP1之间布置第一分离件MD1和第二分离件MD2。可以在第二分隔壁DP2与开口区域OA之间布置第三分离件MD3、第四分离件MD4和第五分离件MD5。

参考图13B和图13C，可以通过形成初步分离件MD'并且然后去除初步分离件MD'的一部分来形成分离件MD中的每一个。

首先，可以在无机绝缘层IIL上形成初步分离件MD'。初步分离件MD'可以包括第一初步金属图案层130'、第二初步金属图案层140'和第三初步金属图案层150'。第一初步金属图案层130'、第二初步金属图案层140'和第三初步金属图案层150'可以被布置为彼此重叠。初步分离件MD'可以以特定间隔IV与邻近的初步分离件MD'间隔开。

参考图8、图13B和图13C，初步分离件MD'可以与位于参考图8描述的像素电路层PCL上的金属层中的一个金属层在同一工艺形成。例如，初步分离件MD'可以与第二连接电极CM2一起在同一工艺中形成。例如，初步分离件MD'的第一初步金属图案层130'、第二初步金属图案层140'和第三初步金属图案层150'可以分别与第二连接电极CM2的第一层CM2a、第二层CM2b和第三层CM2c包括相同的材料。根据一些实施例，第一初步金属图案层130'和第三初步金属图案层150'可以包括Ti，并且第二初步金属图案层140'可以包括Al。

第一初步金属图案层130'的端部(或侧表面)130's、第二初步金属图案层140'的端部(或侧表面)140's和第三初步金属图案层150'的端部(或侧表面)150's可以暴露于外部而不被绝缘层覆盖。

参考图13B和图13C，可以去除初步分离件MD'的一部分。例如，可以去除初步分离件MD'的第一初步金属图案层130'的一部分、第二初步金属图案层140'的一部分和/或第三初步金属图案层150'的一部分。可以通过蚀刻工艺(例如，湿法蚀刻工艺)来执行去除初步分离件MD'的所述一部分的操作。根据一些实施例，蚀刻工艺可以在参考图8描述的形成子像素电极210的工艺中执行。

在蚀刻工艺中，当去除初步分离件MD'的一部分时，可以形成分离件MD。例如，当第一初步金属图案层130'的暴露端部(或侧表面)130's被部分地去除时，可以形成第一金属图案层130。当第二初步金属图案层140'的暴露端部(或侧表面)140's被部分去除时，可以形成第二金属图案层140。当第三初步金属图案层150'的暴露端部(或侧表面)150's被部分去除时，可以形成第三金属图案层150。

第二初步金属图案层140'的材料可以包括具有与第一初步金属图案层130'和第三初步金属图案层150'的蚀刻选择比不同的蚀刻选择比的材料。通过在蚀刻工艺中使用的蚀刻剂，与包括例如Ti的第一初步金属图案层130'和第三初步金属图案层150'相比，包括例如Al的第二初步金属图案层140'可能被过蚀刻。因此，可以形成其中分离件MD的第三金属图案层150具有尖端PT的结构。

参考图13D，可以在其上形成有分离件MD和分隔壁DP的基底100上形成发光二极管的功能层220f和对电极230。此后，可以形成覆盖层270。还可以在中间区域MA中形成功能层220f、对电极230和覆盖层270。功能层220f、对电极230和覆盖层270还可以位于第一分离件MD1、第二分离件MD2、第三分离件MD3、第四分离件MD4和第五分离件MD5以及第一分隔壁DP1和第二分隔壁DP2上。功能层220f、对电极230和覆盖层270中的每一个可以由于第一分离件MD1、第二分离件MD2、第三分离件MD3、第四分离件MD4和第五分离件MD5的尖端PT而断开或分开。

参考图13E，可以形成封装层300和触摸传感器层400。封装层300的第一无机封装层310具有相对优异的台阶覆盖性，并且因此可以连续地覆盖暴露在第一分离件MD1、第二分离件MD2、第三分离件MD3、第四分离件MD4和第五分离件MD5之间的无机绝缘层IIL的上表面以及第一分离件MD1、第二分离件MD2、第三分离件MD3、第四分离件MD4和第五分离件MD5的尖端PT的下表面。第一无机封装层310还可以连续地覆盖第一分隔壁DP1和第二分隔壁DP2的侧表面和上表面。可以在有机封装层320上形成第二无机封装层330。第二无机封装层330可以在中间区域MA的其中未形成有机封装层320的部分以及开口区域OA中直接接触第一无机封装层310。

可以在封装层300上顺序地形成触摸传感器层400的保护层410、第一触摸绝缘层420、第二触摸绝缘层440和/或第三触摸绝缘层460。还可以在触摸传感器层400的保护层410和第一触摸绝缘层420之间形成平坦化层401。

此后，当通过使用激光束等的切割方法沿着切割线CTL去除位于开口区域OA中的组件时，可以如图11中所示地在开口区域OA中形成显示面板10的开口10OP。

图14是根据一些实施例的沿着图3的线C-C'截取的显示面板10的一部分的示意性截面图。

参考图14，显示面板10可以包括显示区域DA和外围区域PA。显示区域DA的结构与参考图8所描述的结构相同。

显示面板10可以包括基底100、像素电路层PCL和显示元件层DEL。像素电路层PCL可以位于基底100上。像素电路层PCL可以包括子像素电路PC、第一连接电极CM1、无机绝缘层IIL和有机绝缘层OIL。无机绝缘层IIL可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119。有机绝缘层OIL可以包括第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124。

子像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管TFT1和电容器Cst。第一薄膜晶体管TFT1可以包括第一半导体层Act1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1。电容器Cst可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。

显示元件层DEL可以位于像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括第一堤层190和例如有机发光二极管OLED的显示元件。有机发光二极管OLED可以包括子像素电极210、发射层220b和对电极230。

间隔件240可以位于第一堤层190上。间隔件240可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺。可选地，间隔件240可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。根据一些实施例，间隔件240可以与第一堤层190包括相同的材料。在这种情况下，可以在使用半色调掩模等的掩模工艺中一起形成第一堤层190和间隔件240。根据一些实施例，间隔件240和第一堤层190可以包括不同的材料。

显示元件层DEL和像素电路层PCL可以被封装层300覆盖。封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。封装层300可以完全覆盖显示区域DA并且可以朝向外围区域PA延伸以覆盖外围区域PA的一部分。

根据一些实施例，触摸传感器层400可以位于封装层300上。触摸传感器层400可以包括保护层410、第一触摸导电层430、第二触摸绝缘层440和第二触摸导电层450。

坝DM可以位于与显示区域DA相邻的外围区域PA中。如参考图3所描述的，坝DM可以被布置为围绕显示区域DA。尽管图11示出了其中坝DM包括第一坝DM1和在第一坝DM1外部的第二坝DM2的示例，但是坝DM可以仅包括第一坝DM1，或者还可以包括与第二坝DM2相邻的分隔壁。

谷可以分别提供在第一坝DM1和显示区域DA之间以及第一坝DM1和第二坝DM2之间。第一坝DM1、第二坝DM2和通过第一坝DM1和第二坝DM2形成的谷结构可以防止或减少封装层300的有机封装层320朝向基底100的边缘溢出的情况。可以防止或减少有机封装层320的边缘尾部的形成。

有机封装层320可以与面向显示区域DA的第一坝DM1的内表面接触。在这种情况下，有机封装层320与第一坝DM1的内表面接触的事实意味着第一无机封装层310位于有机封装层320和第一坝DM1之间，并且有机封装层320直接接触第一无机封装层310。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以位于第一坝DM1和第二坝DM2上。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以朝向基底100的边缘延伸。

第一坝DM1可以包括第二有机绝缘层122的部分122P1、第三有机绝缘层123的部分123P1和第一堤层190的部分190P1，并且第二坝DM2可以包括第二有机绝缘层122的部分122P2、第三有机绝缘层123的部分123P2、第一堤层190的部分190P2和间隔件240的部分240P2。根据一些实施例，第一坝DM1和第二坝DM2中的每一个还可以包括其他层的部分，或者可以省略上述层中的一些。

驱动电压供应线60(参见图3)可以被布置为至少部分地与坝DM重叠。例如，第三驱动电压供应线63可以被布置为与第一坝DM1和第二坝DM2重叠。根据一些实施例，第三驱动电压供应线63可以与第一薄膜晶体管TFT1的第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1或第一连接电极CM1包括相同的材料。例如，第三驱动电压供应线63可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料，并且可以具有包含所述导电材料的多层结构或单层结构。根据一些实施例，第三驱动电压供应线63可以具有包括Ti/Al/Ti层的三层结构。

如上面参考图3所描述的，外围区域PA的至少一部分可以包括弯曲区域BA。弯曲区域BA可以布置为与第一坝DM1和第二坝DM2间隔开。根据一些实施例，无机绝缘层IIL可以具有对应于弯曲区域BA的开口。也就是说，可以从弯曲区域BA去除布置为对应于弯曲区域BA的无机绝缘层IIL。尽管图14示出了其中完全去除对应于弯曲区域BA的无机绝缘层IIL的示例，但是根据一些实施例，无机绝缘层IIL的一部分(例如，缓冲层111)可以保留而不被去除。如上所述，通过去除位于弯曲区域BA中的无机绝缘层IIL的一部分或全部，可以防止或减少当基底100弯曲时由无机绝缘层IIL引起的裂纹的传播。

根据一些实施例，堤250可以布置在外围区域PA中。堤250可以被布置为与第一坝DM1和第二坝DM2间隔开。堤250可以支撑当在制造显示面板10的工艺中形成有机发光二极管OLED的发射层220b和/或对电极230时使用的掩模，并且可以防止或减少掩模对下面的组件的损坏。

根据一些实施例，堤250可以布置为至少部分地与弯曲区域BA重叠。当无机层位于弯曲区域BA中时，在无机层中可能发生裂纹，并且因此，堤250通常可以包括有机绝缘材料。根据一些实施例，堤250可以包括第一有机绝缘层121的部分121P3、第二有机绝缘层122的部分122P3、第三有机绝缘层123的部分123P3、第一堤层190的部分190P3和间隔件240的部分240P3。在其他实施例中，堤250还可以包括其他层的部分，或者可以省略上述层中的一些。根据一些实施例，构成堤250的第一有机绝缘层121的部分121P3和第二有机绝缘层122的部分122P3可以在从弯曲区域BA朝向显示区域DA的方向(例如，y方向)上比第三有机绝缘层123的部分123P3、第一堤层190的部分190P3和间隔件240的部分240P3进一步延伸。

封装层300的第一无机封装层310和第二无机封装层330可以朝向堤250延伸。根据一些实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330的边缘可以位于堤250上。然而，本公开不限于此。根据一些实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330的边缘可以位于第二坝DM2和堤250之间。

触摸传感器层400可以包括保护层410、第一触摸导电层430、第二触摸绝缘层440以及第二触摸导电层450。触摸传感器层400的保护层410和第二触摸绝缘层440中的至少一个可以延伸到外围区域PA。例如，保护层410和/或第二触摸绝缘层440可以延伸直到弯曲区域BA。根据一些实施例，保护层410的端部和/或第二触摸绝缘层440的端部可以位于堤250上。然而，本公开不限于此。根据一些实施例，保护层410的端部和/或第二触摸绝缘层440的端部可以位于第二坝DM2和堤250之间。

根据一些实施例，外围区域PA可以包括第一区域ICR。第一区域ICR可以位于第二坝DM2和堤250之间。包含有机材料的像素电路层PCL的有机绝缘层OIL、第一堤层190和/或间隔件240可以不布置在第一区域ICR中。第一区域ICR可以包括其中无机绝缘层IIL和第一无机封装层310彼此接触的区域。在第一区域ICR中，第一无机封装层310包括与第二无机封装层330和在第一无机封装层310下方的另一无机绝缘层IIL直接接触的区域，从而提高接合强度，并且因此可以更有效地防止或减少湿气和氧的渗透。

图15是根据一些实施例的显示面板的一部分的示意性平面图，并且是图3的区B的放大平面图。图16是根据一些实施例的沿着图15的线D-D'截取的显示面板10的一部分的示意性截面图。图16的显示面板10与图15的显示面板的不同之处在于，图16的显示面板10示出了第一驱动电压供应线61，并且省略了其冗余描述。

参考图15和图16，驱动电压供应线60可以布置在显示面板10的外围区域PA中。此外，坝DM和堤250可以布置在显示面板10的外围区域PA中。

坝DM可以包括彼此间隔开的第一坝DM1和第二坝DM2。第一坝DM1可以围绕显示区域DA，并且第二坝DM2可以被布置为从第一坝DM1的外部围绕第一坝DM1。因为第一坝DM1沿着显示区域DA的外周布置，所以可以理解的是，第二坝DM2也沿着显示区域DA的外周布置。

驱动电压供应线60的一部分可以定位为比第一坝DM1靠近显示区域DA。图15示出了其中第三驱动电压供应线63布置在第一坝DM1内部并且定位为比第一坝DM1靠近显示区域DA的示例。驱动电压供应线60的一部分(例如，第一驱动电压供应线61)可以在与第一坝DM1和第二坝DM2交叉的方向上延伸，并且可以与第一坝DM1和第二坝DM2重叠。第一驱动电压供应线61可以从第三驱动电压供应线63延伸。

第一驱动电压供应线61可以在第二方向(例如，y方向)上朝向基底100的边缘延伸。第一驱动电压供应线61可以与第一区域ICR重叠。换句话说，第一驱动电压供应线61可以穿过第一区域ICR。

堤250可以进一步位于第二坝DM2外部。堤250可以至少部分地围绕第二坝DM2。堤250可以与驱动电压供应线60的一部分(例如，第一驱动电压供应线61)重叠。

根据一些实施例，有机封装层320的边缘320e可以位于第一坝DM1上。可选地，根据一些实施例，有机封装层320的边缘320e可以位于显示区域DA和第一坝DM1之间。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸到驱动电压供应线60的外部。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与第一驱动电压供应线61、第三驱动电压供应线63、第一坝DM1和第二坝DM2重叠。如图15和图16中所示，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过有机封装层320的边缘320e延伸到第一区域ICR。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以被布置为覆盖第一区域ICR(或者可以布置在第一区域ICR中)。根据一些实施例，第一无机封装层310的边缘310e和第二无机封装层330的边缘330e可以位于堤250上。

根据一些实施例，导线110可以布置在第一区域ICR中。在这种情况下，导线110可以是第一驱动电压供应线61。例如，与第一区域ICR重叠的第一驱动电压供应线61可以对应于导线110。

根据一些实施例，导线110可以包括在第二方向(例如，y方向)上延伸并且在与第二方向交叉的第一方向(例如，x方向)上突出的突出图案PP。也就是说，第一驱动电压供应线61可以在与第一区域ICR重叠的部分中包括在第一方向(例如，x方向)上突出的突出图案PP。突出图案PP可以形成在导线110的边缘上，并且可以具有在x-y平面上向外突出的形状。

导线110(例如，第一驱动电压供应线61)的边缘可以是外部湿气和氧移动通过的路径。当导线110的边缘的长度增加时，外部湿气和氧移动通过的路径可以增加。根据一些实施例，当突出图案PP提供在导线110的边缘上时，导线110的边缘的长度增加，并且因此，可以防止或减少外部湿气和氧传播到显示区域DA，并且因此，可以防止或减少对有机发光二极管OLED的损坏。然而，本公开不限于此。导线110的边缘可以形成为各种形状。例如，在一些实施例中，导线110的边缘在平面图中可以具有直线形状。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸到第一区域ICR并且可以覆盖导线110(例如，第一驱动电压供应线61)的一部分。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以连续地布置在导线110的上表面的一部分上、导线110的与导线110的边缘对应的侧表面的一部分上以及位于导线110正下方的无机绝缘层IIL的上表面的一部分上。第一无机封装层310可以定位为与导线110的一部分和位于导线110下方的无机绝缘层IIL的一部分直接接触。

覆盖导电层CL可以位于第一区域ICR中。覆盖导电层CL可以与第二坝DM2和堤250之间的导线110(例如，第一驱动电压供应线61)的边缘重叠。覆盖导电层CL可以位于第二无机封装层330上。也就是说，覆盖导电层CL可以与由第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖的导线110的边缘重叠。覆盖导电层CL可以被布置为与导线110的至少一个边缘重叠。根据一些实施例，覆盖导电层CL可以被布置为覆盖导线110的两个边缘。

覆盖导电层CL的宽度W2可以大于导线110(例如，第一驱动电压供应线61)的突出图案PP的宽度W1。也就是说，覆盖导电层CL可以与导线110的所有突出图案PP重叠。

覆盖导电层CL可以覆盖封装层300(即，第一无机封装层310和第二无机封装层330)的覆盖导线110的边缘的一部分，并且因此可以防止、减少或最小化由于导线110的底切结构而可能在第一无机封装层310和第二无机封装层330中发生的裂纹传播到其他层，或者防止、减少或最小化外部湿气或氧通过裂纹被引入。

图17是根据一些实施例的沿着图15的线F-F'截取的显示面板10的一部分的示意性截面图。图18是根据一些实施例的通过扫描电子显微镜(SEM)观看到的显示面板的一部分的图像。

参考图17，基底100可以布置在第一区域ICR中。根据一些实施例，基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层103、第二基体层105和第二阻挡层107。

无机绝缘层IIL可以位于基底100上。无机绝缘层IIL可以包括顺序地堆叠的缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119。

导线110(参见图15)(例如，第一驱动电压供应线61)可以布置在无机绝缘层IIL和封装层300(参见图16)之间。

根据一些实施例，第一驱动电压供应线61可以具有包括顺序地堆叠的第一子层61-1、第二子层61-2和第三子层61-3的三层结构。根据一些实施例，第一子层61-1、第二子层61-2和第三子层61-3中的每一个可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料。根据一些实施例，第一子层61-1和第三子层61-3可以包括相同的材料。例如，第一子层61-1和第三子层61-3可以包括Ti。根据一些实施例，第二子层61-2可以包括与第一子层61-1和第三子层61-3的材料不同的材料。例如，第二子层61-2可以包括Al。

第三子层61-3的宽度可以大于第二子层61-2的上表面61-2t的宽度。在截面图中，第三子层61-3可以包括从第二子层61-2的侧表面61-2s和上表面61-2t彼此相交的点横向地突出的尖端TP1。此外，第一子层61-1的宽度可以大于第二子层61-2的下表面61-2b的宽度。在截面图中，第一子层61-1可以包括从第二子层61-2的侧表面61-2s和第二子层61-2的下表面61-2b彼此相交的点横向地突出的尖端TP2。

这种结构可以在通过蚀刻工艺中使用的蚀刻剂使得第二子层61-2与第一子层61-1和第三子层61-3相比而过蚀刻时形成。另外，当根据制造显示面板10的工艺通过蚀刻剂暴露的时间增加时，第一子层61-1的尖端TP2和第三子层61-3的尖端TP1可以形成得更长。

例如，如参考图10A至图10C所描述的，当在形成牺牲层1000(参见图10A)的工艺中执行蚀刻工艺时，布置在第一区域ICR中的第一驱动电压供应线61也可以暴露于蚀刻剂。可选地，如参考图13A至图13C所描述的，当在形成分离件MD(参见图13A)的工艺中执行蚀刻工艺时，布置在第一区域ICR中的第一驱动电压供应线61也可以暴露于蚀刻剂。在这种情况下，与在制造显示面板10的工艺中不形成牺牲层1000和/或分离件MD的情况相比，第一驱动电压供应线61可以暴露于蚀刻剂更长的时间段，并且因此，第一子层61-1的尖端TP2和第三子层61-3的尖端TP1可以形成得更长。

在一些实施例中，第三子层61-3的尖端TP1可以在后续工艺中通过外力部分地或完全地去除。可选地，在一些实施例中，第三子层61-3的尖端TP1可以相对于突出方向(例如，x方向)在向上方向(例如，相对于x方向和z方向的对角线方向)上弯曲。

根据一些实施例，封装层300的第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸到第一区域ICR并覆盖第一驱动电压供应线61的边缘。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以被布置为覆盖第一驱动电压供应线61的尖端TP1和TP2。例如，第一无机封装层310可以连续地布置为覆盖第一驱动电压供应线61的第三子层61-3的上表面61-3t、第三子层61-3的由于尖端TP1而暴露的下表面、第二子层61-2的侧表面61-2s、第一子层61-1的由于尖端TP2而暴露的上表面以及层间绝缘层119的上表面119t的至少一部分。

参考图17和图18，由于第一驱动电压供应线61的底切结构，可以在第一驱动电压供应线61的侧表面(例如，第二子层61-2的侧表面61-2s)与第一无机封装层310之间以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的区域AR中分别产生间隙GP1和GP2(参见图18)。所产生的间隙GP1和GP2可以用作外部湿气和氧的移动路径。另外，第一驱动电压供应线61的尖端TP1可以在其上的封装层300中产生裂纹并形成湿气可渗透路径。

根据一些实施例，覆盖导电层CL可以被布置为与第一驱动电压供应线61的被封装层300覆盖的边缘重叠。也就是说，覆盖导电层CL可以被布置为覆盖封装层300的覆盖第一驱动电压供应线61的边缘的一部分(例如，第一无机封装层310和/或第二无机封装层330的一部分)。覆盖导电层CL可以防止或减少裂纹传播到其他层或者通过裂纹引入外部湿气或氧，裂纹是由于第一驱动电压供应线61的尖端TP1和第一驱动电压供应线61的底切结构而在第一无机封装层310和第二无机封装层330中发生的。

参考图17，覆盖导电层CL可以与第一驱动电压供应线61的尖端TP1和TP2重叠。覆盖导电层CL的宽度W2可以大于第一驱动电压供应线61的尖端TP1和TP2的突出长度。也就是说，覆盖导电层CL可以被布置为完全覆盖第一驱动电压供应线61的尖端TP1和TP2。根据一些实施例，从第一驱动电压供应线61的尖端(例如，第一子层61-1的尖端TP2的端部EG)到覆盖导电层CL的一端(例如，第二导电层CL2的一端)的距离可以是1μm或更大。在一些实施例中，从第一子层61-1的尖端TP2的端部EG到覆盖导电层CL的一端(例如，第二导电层CL2的一端)的距离可以是2μm或更大。

根据一些实施例，覆盖导电层CL可以连续地布置为与第一驱动电压供应线61的上表面61t、第一驱动电压供应线61的与第一驱动电压供应线61的边缘对应的侧表面以及位于第一驱动电压供应线61下方的无机绝缘层IIL的上表面IILt重叠。

覆盖导电层CL可以包括至少一个导电层。根据一些实施例，覆盖导电层CL可以包括多个导电层。例如，覆盖导电层CL可以包括第一导电层CL1和第二导电层CL2。

根据一些实施例，触摸传感器层400的保护层410、第二触摸绝缘层440和第三触摸绝缘层460中的至少一个可以延伸到第一区域ICR，并且可以位于被第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖的第一驱动电压供应线61上方。

参考图17，保护层410可以被布置为覆盖第二无机封装层330。第一导电层CL1可以位于保护层410上。第一导电层CL1可以与第一驱动电压供应线61的边缘重叠。第二触摸绝缘层440可以位于第一导电层CL1和保护层410上以覆盖第一导电层CL1。第二导电层CL2可以位于第二触摸绝缘层440上。第二导电层CL2可以与第一驱动电压供应线61的边缘重叠。第三触摸绝缘层460可以位于第二导电层CL2和第二触摸绝缘层440上以覆盖第二导电层CL2。

根据一些实施例，覆盖导电层CL可以与上面参考图8描述的触摸传感器层400的第一触摸导电层430和第二触摸导电层450中的至少一个包括相同的材料。根据一些实施例，第一导电层CL1可以与第一触摸导电层430包括相同的材料，并且可以与第一触摸导电层430在同一工艺形成。第二导电层CL2可以与第二触摸导电层450包括相同的材料，并且可以与第二触摸导电层450在同一工艺形成。例如，第一导电层CL1和第二导电层CL2中的每一个可以包括Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种。

根据一些实施例，通过在形成触摸传感器层400的第一触摸导电层430和第二触摸导电层450的工艺中同时(或并发地)形成第一导电层CL1和第二导电层CL2，可以形成与第一驱动电压供应线61的边缘重叠的覆盖导电层CL而无需增加单独的工艺。因此，在工艺上具有经济优势。

图19和图20各自是作为图17的修改的根据一些实施例的显示面板10的一部分的示意性截面图。

参考图19和图20，触摸传感器层400的保护层410、第二触摸绝缘层440和第三触摸绝缘层460(参见图17)中的至少一个可以不延伸到第一区域ICR。例如，保护层410、第二触摸绝缘层440和第三触摸绝缘层460中的至少一个可以不位于第一区域ICR中的被第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖的第一驱动电压供应线61上方。

根据一些实施例，第二触摸绝缘层440和/或第三触摸绝缘层460可以不布置在第一区域ICR中。当第二触摸绝缘层440不布置在第一区域ICR中时，构成覆盖导电层CL的第一导电层CL1和第二导电层CL2可以彼此直接接触。

根据一些实施例，覆盖导电层CL可以仅包括第一导电层CL1和第二导电层CL2中的一个。图20示出了其中覆盖导电层CL不包括第一导电层CL1而是包括第二导电层CL2的示例。然而，本公开不限于此。根据一些实施例，覆盖导电层CL可以仅包括第一导电层CL1而不包括第二导电层CL2。

参考图15至图20，作为导线110的示例，已经描述了第一驱动电压供应线61和第一驱动电压供应线61周围的结构。然而，本公开不限于此。像第一驱动电压供应线61一样，在与坝DM交叉的方向(例如，y方向)上延伸的第二驱动电压供应线62(参见图3)、第一公共电压供应线71(参见图3)和第二公共电压供应线73(参见图3)可以各自具有与参考图15至图20描述的结构相同或相似的结构。例如，覆盖导电层CL可以被布置为同与第一区域ICR重叠的第二驱动电压供应线62、第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73中的每一个的边缘重叠。

根据一个或多个实施例，通过在覆盖电力供应线的一部分的封装层上布置至少一个导电层以与电力供应线的一部分的边缘重叠，可以防止沿着电力供应线的边缘形成湿气可渗透路径，并且因此，可以实现具有相对改善的可靠性的显示设备。然而，本公开的范围不受这些效果的限制。

应当理解的是，本文描述的实施例应当仅以描述性含义进行考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (23)

1.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：

基底，具有显示区域和在所述显示区域外部的外围区域；

无机绝缘层，在所述显示区域和所述外围区域中；

显示元件，在所述显示区域中；

封装层，设置在所述显示元件上并且包括第一无机封装层、在所述第一无机封装层上的第二无机封装层和在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层；

坝，设置在所述外围区域中并且围绕所述显示区域；以及

电力供应线，在所述外围区域中在所述无机绝缘层上，

其中，所述电力供应线的一部分与所述坝重叠，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层延伸到所述外围区域并且覆盖所述电力供应线的所述一部分，并且所述电力供应线的所述一部分的边缘与在所述第二无机封装层上的至少一个导电层重叠。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述电力供应线的所述一部分的所述边缘在所述坝和所述基底的边缘之间与所述至少一个导电层重叠。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述电力供应线具有三层结构，所述三层结构包括第一子层、在所述第一子层上的第三子层和在所述第一子层与所述第三子层之间的第二子层，

其中，所述第一子层和所述第三子层包括相同的材料。

4.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述电力供应线的所述第一子层和所述第三子层包括钛，并且所述电力供应线的所述第二子层包括铝。

5.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述电力供应线的所述第三子层包括从所述第二子层的侧表面和上表面彼此相交的点横向地突出的尖端。

6.根据权利要求5所述的显示设备，其特征在于，所述至少一个导电层与所述电力供应线的所述尖端重叠。

7.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括在所述封装层上的触摸传感器层，

其中，所述触摸传感器层包括：

保护层；

第一触摸导电层，在所述保护层上；

第一触摸绝缘层，覆盖所述第一触摸导电层；

第二触摸导电层，在所述第一触摸绝缘层上；以及

第二触摸绝缘层，覆盖所述第二触摸导电层。

8.根据权利要求7所述的显示设备，其特征在于，所述至少一个导电层包括第一导电层，

其中，所述第一导电层与所述第一触摸导电层或所述第二触摸导电层包括相同的材料。

9.根据权利要求7所述的显示设备，其特征在于，所述至少一个导电层包括第一导电层和在所述第一导电层上的第二导电层，

其中，所述第一导电层与所述第一触摸导电层包括相同的材料，并且所述第二导电层与所述第二触摸导电层包括相同的材料。

10.根据权利要求9所述的显示设备，其特征在于，所述第二导电层与所述第一导电层直接接触。

11.根据权利要求7所述的显示设备，其特征在于，所述保护层、所述第一触摸绝缘层和所述第二触摸绝缘层中的至少一个延伸到所述外围区域，并且在所述电力供应线的被所述第一无机封装层和所述第二无机封装层覆盖的所述一部分上方。

12.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，在平面图中，所述电力供应线的所述一部分的所述边缘包括在与所述电力供应线的所述一部分延伸的方向交叉的方向上突出的突出图案。

13.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述至少一个导电层连续地布置为与所述电力供应线的所述一部分的上表面、所述电力供应线的所述一部分的与所述边缘对应的侧表面以及位于所述电力供应线的所述一部分下方的所述无机绝缘层的上表面重叠。

14.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：

基底，具有显示区域和在所述显示区域外部的外围区域；

无机绝缘层，在所述显示区域和所述外围区域中；

显示元件，在所述显示区域中；

封装层，设置在所述显示元件上并且包括第一无机封装层、在所述第一无机封装层上的第二无机封装层和在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层；以及

导线，在所述外围区域中，

其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述外围区域中穿过所述有机封装层的边缘并且覆盖所述导线的一部分，

在所述外围区域中，所述第一无机封装层与所述导线的所述一部分和所述无机绝缘层的一部分直接接触，并且

在所述外围区域中，所述导线的所述一部分的边缘与在所述第二无机封装层上的至少一个导电层重叠。

15.根据权利要求14所述的显示设备，其特征在于，所述导线包括电力供应线。

16.根据权利要求14所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括：

坝，在所述外围区域中；以及

堤，在所述外围区域中，所述堤与所述坝间隔开，

其中，所述导线的所述一部分的所述边缘在所述坝和所述堤之间与所述至少一个导电层重叠。

17.根据权利要求14所述的显示设备，其特征在于，所述导线具有三层结构，所述三层结构包括第一子层、在所述第一子层上的第三子层和在所述第一子层与所述第三子层之间的第二子层，

其中，所述第一子层和所述第三子层包括相同的材料。

18.根据权利要求17所述的显示设备，其特征在于，所述导线的所述第一子层和所述第三子层包括钛，并且所述导线的所述第二子层包括铝。

19.根据权利要求17所述的显示设备，其特征在于，所述导线的所述第三子层包括从所述第二子层的侧表面与上表面彼此相交的点横向地突出的尖端。

20.根据权利要求14所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括在所述封装层上的触摸传感器层，

其中，所述触摸传感器层包括：

保护层；

第一触摸导电层，在所述保护层上；

第一触摸绝缘层，覆盖所述第一触摸导电层；

第二触摸导电层，在所述第一触摸绝缘层上；以及

第二触摸绝缘层，覆盖所述第二触摸导电层。

21.根据权利要求20所述的显示设备，其特征在于，所述至少一个导电层包括第一导电层，

其中，所述第一导电层与所述第一触摸导电层或所述第二触摸导电层包括相同的材料。

22.根据权利要求20所述的显示设备，其特征在于，所述至少一个导电层包括第一导电层和在所述第一导电层上的第二导电层，

其中，所述第一导电层与所述第一触摸导电层包括相同的材料，并且所述第二导电层与所述第二触摸导电层包括相同的材料。

23.根据权利要求20所述的显示设备，其特征在于，所述保护层、所述第一触摸绝缘层和所述第二触摸绝缘层中的至少一个延伸到所述外围区域，并且在所述导线的被所述第一无机封装层和所述第二无机封装层覆盖的所述一部分上方。