CN112086484A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
公开了显示设备,所述显示设备包括:传感器层,包括传感器;像素层,设置在传感器层上并且包括像素区域和位于像素区域中的像素;以及不透明层,设置在传感器层和像素层之间,并且具有与设置有发射特定颜色的光的特定像素的特定像素区域的透光区域对应的孔。
Description
技术领域
一个或多个实施方式涉及具有指纹感测功能的显示设备。
背景技术
已经开发了在诸如电视、移动电话、平板计算机、导航系统和游戏控制台的多媒体装置中使用的各种显示设备。最近,已经开发了具有用于感测用户指纹的功能的显示设备。指纹识别方法的示例包括基于在电极之间形成的电容器的电容的改变的静电电容方法、使用光学传感器的光学方法以及使用压电材料的超声方法。
应当理解,技术部分的该背景部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而,技术部分的该背景也可以包括在本文所公开的主题的对应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或领会的部分的思想、构思或认识。
发明内容
一个或多个实施方式可以包括用于在没有单独的外部光源的情况下配置指纹传感器并且增加指纹传感器接收的光的量的显示设备。
本公开要解决的技术问题不限于以上内容,并且根据本公开的描述,本领域的普通技术人员将清楚地领会和理解本公开要解决的其它技术问题。
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述,并且部分地将从描述中显而易见,或者可以通过对本公开的所呈现的实施方式的实践来获知。
根据一个或多个实施方式,显示设备可以包括:传感器层,包括多个传感器;像素层,设置在传感器层上并且包括多个像素区域和位于像素区域中的多个像素;以及不透明层,设置在传感器层和像素层之间,并且包括孔,所述孔与其中设置有发射特定颜色的光的特定像素的特定像素区域的透光区域对应。
不透明层的孔可以在显示区域中以预定图案并且以预定方向重复地形成。
透光区域可以是与设置有特定像素的特定像素区域中的布线和构成特定像素的电路器件之间的间隙对应的区域。
多个像素中的每一个可以包括设置在像素区域中的像素电路和连接到像素电路的像素电极,其中,显示设备还可以包括绝缘层,绝缘层包括暴露像素电极的一部分的开口并且绝缘层覆盖像素电极的边缘。
绝缘层的开口可以与不透明层的孔偏离。
发射特定颜色的光的特定像素可以是红色像素。
发射特定颜色的光的特定像素可以是绿色像素。
发射特定颜色的光的特定像素可以是蓝色像素。
显示设备还可以包括位于不透明层和传感器层之间的衬底。
显示设备可以包括具有多个层的衬底,并且不透明层可以设置在衬底的多个层之间。
不透明层可以是包括钼(Mo)的单层结构。
不透明层可以是顺序堆叠的三层结构,该三层结构包括具有钛(Ti)的第一层、具有铝(Al)的第二层和具有钛(Ti)的第三层。
像素可以包括第一像素、第二像素和第三像素,第一像素、第二像素和第三像素分别包括第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域。第一像素的第一发光区域和第三像素的第三发光区域可以在行中的每一行的第一子行中在第一方向上交替地布置,并且第二像素的第二发光区域可以在第二子行中在第一方向上重复地布置并且第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域和第二发光区域可以以之字形图案重复地布置。
孔可以与第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域偏离。
像素层可包括:电路层,包括多个像素的像素电路;以及显示元件层,设置在像素电路层上并且包括多个像素的显示元件,其中,不透明层可以设置在衬底和电路层之间。
根据一个或多个实施方式,显示设备可以包括:衬底,包括位于显示区域中的多个像素区域;不透明层,设置在衬底上;以及多个像素,设置在不透明层上并且分别设置在多个像素区域中,其中不透明层可以具有孔,所述孔与其中设置有发射特定颜色的光的特定像素的特定像素区域的透光区域对应。
透光区域中的每一个可以是与特定像素区域中的布线和构成特定像素的电路器件之间的间隙对应的区域。
多个像素可以包括发射红光的第一像素、发射绿光的第二像素和发射蓝光的第三像素。
第一像素中的每一个可以包括设置在第一像素区域中的第一像素电路和连接到第一像素电路的第一像素电极,第二像素中的每一个可以包括设置在第二像素区域中的第二像素电路和连接到第二像素电路的第二像素电极,并且第三像素中的每一个可以包括设置在第三像素区域中的第三像素电路和连接到第三像素电路的第三像素电极。
不透明层可以包括分别与第一像素区域至第三像素区域中的第一像素区域的透光区域对应的孔。
不透明层可以包括与第一像素区域至第三像素区域中的第二像素区域的透光区域对应的孔。
不透明层可以包括与第一像素区域至第三像素区域中的第三像素区域的透光区域对应的孔。
显示设备还可以包括绝缘层,绝缘层包括暴露第一像素电极至第三像素电极中的每一个的一部分的开口,并且绝缘层覆盖第一像素电极至第三像素电极的边缘。
绝缘层的开口可以与不透明层的孔偏离。
显示设备还可以包括多个传感器,所述多个传感器设置在衬底的与设置有多个像素的表面相反的表面上并且设置在与显示区域的至少一部分重叠的感测区域中。
多个传感器中的每一个可以与感测区域中的至少一个像素重叠。
多个传感器中的每一个可以设置在相邻像素之间的非发光区域中,并且与相邻像素偏离。
附图说明
通过以下结合附图进行的描述,本公开的实施方式的上述和其它方面、特征和优点将变得更加显而易见,其中:
图1和图2是示出根据本公开的实施方式的显示设备的平面图;
图3A至图3H是示出根据本公开的实施方式的像素和传感器的尺寸和/或布置的平面图;
图4是示出用于通过使用图1的显示设备来感测生物特征信息的配置的视图;
图5是示出根据本公开的实施方式的显示设备的示意性剖视图;
图6A和图6B是示出根据本公开的实施方式的显示面板的一个像素的等效电路;
图7A至图9B是示出根据本公开的实施方式的像素电路的布置的视图;
图10是示出根据本公开的实施方式的显示设备的像素的发光区域的布置的视图;
图11是示出根据本公开的实施方式的像素电路中的晶体管和电容器的位置的视图;以及
图12和图13是示出根据本公开的实施方式的不透明层的孔和发光区域的位置的平面图。
具体实施方式
虽然本发明可以以各种方式修改并具有另外的实施方式,但是实施方式是在附图中示出并将在说明书中主要描述。然而,本发明的范围不限于附图和说明书中的实施方式,并且应当被解释为包括本发明的精神和范围内所包括的所有改变、等同和替代。
为了描述本发明的实施方式,可不提供与说明书不相关的部分中的一些,并且在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。
将理解,虽然在本文中可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件,但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开,或者是为了方便描述和解释术语。例如,当在描述中讨论“第一元件”时,其可以命名为“第二元件”或“第三元件”,并且在不背离本文中的教导的情况下,“第二元件”和“第三元件”可以以类似的方式命名。如本文中所使用的,“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如,“约”可意味着在一个或多个标准偏差内,或在所述值的±30%、±20%、±5%内。
如本文中所使用的,单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式,除非上下文另有明确说明。
在整个说明书中,当元件被称作“连接”到另一元件时,该元件可以“直接连接”到另一元件,或者“电连接”到另一元件,且在该元件和另一元件之间插置有一个或多个介于中间的元件。还将理解,当在本说明书中使用术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”时,它们或它可以指定所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但不排除其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其任何组合的存在或添加。
当层、膜、区、衬底或区域被称为在另一层、膜、区、衬底或区域“上”时,其可直接在该另一层、膜、区、衬底或区域上,或者在它们之间可以存在介于中间的层、膜、区、衬底或区域。相反地,当层、膜、区、衬底或区域被称为“直接在”另一层、膜、区、衬底或区域“上”时,在它们之间可以不存在介于中间的层、膜、区、衬底或区域。此外,当层、膜、区、衬底或区域被称为在另一层、膜、区、衬底或区域“下方”时,其可以直接在另一层、膜、区、衬底或区域下方,或者在它们之间可以存在介于中间的层、膜、区、衬底或区域。相反地,当层、膜、区、衬底或区域被称为“直接在”另一层、膜、区、衬底或区域“下方”时,在它们之间可以不存在介于中间的层、膜、区、衬底或区域。此外,“之上”或“上”可以包括定位在物体上或定位在物体下方,并且不一定意味着基于重力的方向。
为了易于描述,空间相对术语“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等在本文中可以被用于描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解,除了附图中描绘的取向之外,空间相对术语旨在包含装置在使用或操作中的不同取向。例如,在附图中所示的装置被翻转的情况下,定位在另一装置“下方”或“下面”的装置可以被放置在另一装置“上方”。因此,说明性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两种。该装置也可以在其它方向上取向,并且因此空间相对术语可以根据取向而被不同地解释。
在附图中,为了元件的清楚和易于描述,可以放大元件的尺寸和厚度。然而,本发明不限于所示的尺寸和厚度。在附图中,为了清楚,可以夸大层、膜、面板、区和其它元件的厚度。在附图中,为了更好地理解和易于描述,一些层和区域的厚度可能被夸大。
在以下实施方式中,“物体的平面图”表示“从上方观察的物体的视图”,并且“物体的剖视图”表示“从侧面观察的并且竖直切割的物体的视图”。在以下实施方式中,当元件“重叠”时,其可表示元件在“平面图”和/或“剖视图”中重叠。
除非另有定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解的是,术语,诸如在常用词典中定义的那些术语,应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且除非在说明书中明确定义,否则将不会以理想化或过于形式化的含义进行解释。
现在将参照附图更全面地描述本公开,在附图中示出了本公开的实施方式。
图1和图2是示出根据本公开的实施方式的显示设备的平面图。
尽管将有机发光显示设备描述为根据本公开的实施方式的显示设备,但是本公开的显示设备不限于此。在实施方式中,本公开的显示设备可以是诸如无机发光显示器(或无机电致发光(EL)显示器)、纳米发光显示器或量子点发光显示器的各种显示设备中的任何一种。
参照图1,根据实施方式的显示设备包括显示区域DA和外围区域PPA,其中,显示区域DA显示图像,外围区域PPA是非显示区域并且在显示区域DA周围。显示设备的显示面板10的衬底100可以包括显示区域DA和外围区域PPA。
显示区域DA可以具有类似于矩形形状或正方形形状的形状。显示区域DA可以具有具备圆化拐角的形状。像素PX和用于将电信号施加到像素PX的布线可以定位或设置在显示区域DA中。像素PX可以在第一方向D1和与第一方向D1相交的第二方向D2上以预定图案布置。像素PX中的每一个可以包括显示元件和用于驱动显示元件的像素电路。例如,显示元件可以包括有机发光二极管(OLED)、无机发光二极管(LED)、微型LED、纳米发光二极管(NED)或量子点(QD)-LED。像素电路可以包括晶体管和电容器。
用于将电信号施加到像素PX的信号线可以包括扫描线和数据线。扫描线中的每一条可以在第一方向D1上延伸,并且数据线中的每一条可以在第二方向D2上延伸。扫描线可以布置成行并且可以将扫描信号传输到像素PX,并且数据线可以布置成列并且可以将数据信号传输到像素PX。像素PX中的每一个可以连接到扫描线之中的至少一条对应的扫描线和数据线之中的至少一条对应的数据线。
显示区域DA可以包括感测区域SA。显示区域DA和感测区域SA可以彼此重叠,并且显示区域DA的至少一部分可以设置成感测区域SA。术语重叠可以包括层、堆叠、面向或面对、延伸遍及、覆盖或部分覆盖或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。术语“不重叠”可以包括“与……隔开”或“与……分开设置”或“与……偏离”,以及如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的等同。
如图1中所示,显示区域DA的一部分可以设置成感测区域SA,或者显示区域DA的仅一部分可以设置成感测区域SA。在实施方式中,如图2中所示,整个显示区域DA可以设置成感测区域SA。在实施方式中,显示区域DA和感测区域SA可以基本上彼此相邻地定位或设置,使得显示区域DA和感测区域SA的一些部分可以彼此重叠,或者显示区域DA和感测区域SA的仅部分可以彼此重叠。像素PX和传感器SU可以定位或设置在感测区域SA中。传感器SU中的每一个可以是用于感测与例如用户的心跳、应力、指纹、氧饱和度、血压、血糖水平、温度和皮肤颜色中的至少一个有关的人体的生物特征信息的传感器。下面将假设传感器SU感测指纹来进行描述。传感器SU可以是包括光接收装置的光学传感器。
传感器SU可以设置在显示面板10的两个表面之中的、与显示面板10的其上显示图像的表面(例如,前表面)相反的表面(例如,后表面)上。传感器SU可以使用基本上在传感器SU周围定位或设置的至少一个像素PX的显示元件作为光源。例如,传感器SU可以与定位或设置在感测区域SA中的像素PX中的至少一些重叠,或者可以定位或设置在像素PX周围。例如,传感器SU中的至少一些可以定位或设置成与感测区域SA中定位或设置的相邻像素PX之间的非发光区域重叠。像素PX和传感器SU可以根据感测分辨率以预定比率布置。例如,传感器SU的分辨率可以小于像素PX的分辨率。
不显示图像的外围区域PPA可以围绕显示区域DA。可不定位或设置像素PX的外围区域PPA可以包括焊盘区域,各种电子器件(例如,印刷电路板)可以电附接到该焊盘区域。
用于将电信号施加到显示区域DA的像素PX的驱动器可以定位或设置在外围区域PPA中。驱动器可以形成为单独的集成电路芯片或一个集成电路芯片,并且可以直接安装在外围区域PPA中,可以安装在柔性印刷电路膜上,可以作为带载封装(TCP)附接到衬底100,或者可以直接形成在衬底100上。外围区域PPA可以包括电源线,电源线提供诸如驱动电压和公共电压的电力。
尽管在图1和图2中未示出,但是显示面板10可以包括弯曲区域,并且可以在该弯曲区域处弯曲,其中弯曲区域是外围区域PPA的一部分。
图3A至图3H是示出根据本公开的实施方式的像素和传感器的尺寸和/或布置的平面图。分辨率可以是传感器SU相对于像素PX的比率和布置的函数。在图3A至图3H中,像素PX的布置可以对应于定位或设置像素PX的像素区域的布置或者定位或设置像素PX的显示元件的发光区域的布置。
参照图3A,感测区域SA中的传感器SU可以定位或设置成具有与像素PX的分辨率相同的分辨率。例如,在感测区域SA中,可以设置与像素PX相同数量的传感器SU。根据实施方式,传感器SU中的每一个的至少一部分可以与至少一个像素PX重叠。例如,传感器SU中的每一个可以定位或设置在可以定位或设置一个像素PX的一个像素区域中。
像素区域可以如图3A中所示那样基本上彼此相邻,或者可以如图3B至图3H中所示那样彼此间隔开。如图3A中所示,像素区域可以由扫描线SL和数据线DL划分。尽管在图3B至图3H中未示出扫描线SL和数据线DL,但是扫描线SL和数据线DL可以定位或设置在每个像素区域中。
参照图3B,像素PX可以彼此间隔开,并且传感器SU可以在感测区域SA中定位或设置成具有与像素PX的分辨率相同的分辨率。例如,在感测区域SA中,可以设置与像素PX的数量相同数量的传感器SU。根据实施方式,传感器SU中的每一个的至少一部分可以与至少一个像素PX重叠。例如,传感器SU中的每一个可以定位或设置在一个像素区域中。
参照图3C,可以设置比设置在感测区域SA中的像素PX的数量更多数量的传感器SU,并且比设置在感测区域SA中的像素PX的数量更多数量的传感器SU可以在感测区域SA中定位或设置成具有比像素PX的分辨率更高的分辨率。例如,传感器SU的每一个可以具有比像素PX的每一个的尺寸小的尺寸。
参照图3D,可以设置比像素PX更少数量的传感器SU(即,比像素PX更少的传感器SU),并且比像素PX更少数量的传感器SU可以以预定间隔布置在感测区域SA中。例如,传感器SU可以定位或设置在可以形成定位或设置于感测区域SA中的像素PX之中的一些像素PX的区域中。尽管在图3D中,可以针对定位或设置于感测区域SA中的每四个像素PX定位或设置一个传感器SU,但是本公开不限于此。即,可以以各种方式修改定位或设置在感测区域SA中的传感器SU的数量(或分辨率)。
参照图3E,传感器SU中的每一个可具有基本上比像素PX中的每一个的尺寸大的尺寸,并且可以定位或设置成覆盖可以形成与传感器SU中的每一个对应的像素PX的区域。例如,可以设置比像素PX更少数量的传感器SU或更少的传感器SU,并且比像素PX更少数量的传感器SU或更少的传感器SU可以以预定间隔定位或设置在感测区域SA中。
参照图3F,传感器SU中的每一个可以具有基本上足够大以覆盖几个像素PX的尺寸,并且可以定位或设置成与几个像素PX重叠。
参照图3G,传感器SU中的每一个可以定位或设置在基本上位于相邻像素PX之间的区域中,并且可以定位或设置成使得传感器SU的至少一部分与相邻像素PX重叠。
参照图3H,传感器SU中的每一个可以定位或设置在基本上位于相邻像素PX之间的非发光区域中,并且可以不与像素PX重叠或者与像素PX偏离。
本公开的实施方式不限于图3A至图3H的实施方式,并且可以以各种方式修改位于或设置在感测区域SA中的传感器SU的尺寸、数量、分辨率和位置、设置和/或布置,和/或传感器SU相对于像素PX的布置。例如,传感器SU的尺寸、数量、分辨率和位置以及传感器SU相对于像素PX的布置可以考虑诸如感测生物特征信息所需的接收光的量、分辨率和/或串扰的各种因素来确定。
尽管在图3A至3H中传感器SU可以在感测区域SA中以规则阵列布置,但是本公开不限于此。例如,在本公开的实施方式中,传感器SU可以不规则地分布在感测区域SA中。
图4是示出用于通过使用图1的显示设备来感测生物特征信息的配置的视图。
显示设备可以包括传感器层200、不透明层300和像素层400。像素层400可以定位或设置在衬底100的第一表面(例如,前表面)上,并且传感器层200可以定位或设置在衬底100的与第一表面相反的第二表面(例如,后表面)上。不透明层300可以定位或设置在传感器层200和像素层400之间。不透明层300可以定位或设置在衬底100和像素层400之间。显示设备可以包括定位或设置在像素层400上的功能层500。功能层500可以包括一层或多个层。
传感器层200可以包括传感器SU。像素层400可以包括像素PX并且可以包括电路层和显示元件层,电路层包括像素PX的像素电路,显示元件层定位或设置在电路层上并且包括显示元件。不透明层300可以具有孔310。不透明层300的孔310可以对应于发射一种特定颜色的光的像素PX的透光区域。这种像素PX可以在发射不同颜色的光的像素PX之中。
当物体OB接触显示设备的顶表面或与显示设备的顶表面相邻时,从像素层400的像素PX发射的光L可以被物体OB反射,并且反射光RL可以穿过不透明层300的孔310并且可以被传感器层200的传感器SU感测。物体OB可以是身体部分,诸如,手或手指。显示设备可以基于来自传感器SU的感测信号获得生物特征信息。显示设备可以通过使用像素PX将生物特征信息显示为图像。
图5是示出根据本公开的实施方式的显示设备的示意性剖视图。
图5是示出定位或设置在与显示面板10的显示区域DA重叠的感测区域SA中的像素PX和传感器SU的示意性剖视图。参照图4和图5,不透明层300和像素层400可以设置在衬底100的前表面上。
衬底100可由诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料的各种材料中的任何一种形成。根据实施方式,衬底100可以是柔性衬底,并且可以包括聚合物树脂,诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。衬底100可以包括多个层。例如,衬底100可以具有包括基底层和无机层的多层结构,基底层包括上述聚合物树脂。例如,衬底100可以包括可以顺序堆叠的第一基底层、第一无机层、第二基底层和第二无机层。第一基底层和第二基底层中的每一个可以包括上述聚合物树脂。第一无机层和第二无机层中的每一个可以具有包括无机材料的单层或多层结构,无机材料诸如为硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx),其中第一无机层和第二无机层中的每一个是可以防止外界材料的渗透的阻挡层。
缓冲层101可以定位或设置在衬底100上。缓冲层101可以包括无机材料(诸如,硅氮化物或硅氧化物)、有机材料或者有机材料和无机材料的组合,并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。在一些实施方式中,衬底100的第二无机材料可以是具有多层结构的缓冲层101的一部分。可以省略缓冲层101。不透明层300可以位于或设置在缓冲层101上。
不透明层300可以定位或设置成至少对应于感测区域SA。不透明层300可以定位或设置成覆盖整个显示区域DA。不透明层300可以延伸到外围区域PPA。不透明层300可以防止从显示设备外部入射的光和从显示元件发射的光到达传感器SU。不透明层300可以具有穿过不透明层300的孔310。孔310可以是透射器,来自像素PX的反射光RL穿过该透射器并到达传感器SU。孔310可以根据像素PX的布置以预定图案形成。
不透明层300可以包括遮光材料。不透明层300可以包括遮光金属。例如,不透明层300可以包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钼(Mo)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)及其合金中的至少一种,并且可以具有单层或多层结构。在实施方式中,不透明层300可以具有包括Mo的单层结构。在另一实施方式中,不透明层300可以具有三层结构,该三层结构包括可以顺序地堆叠在缓冲层101上的由Ti形成的第一层、由Al形成的第二层和由Ti形成的第三层。不透明层300可以包括如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的材料。
透明绝缘材料可以定位或设置在不透明层300的孔310中。在实施方式中,可以用第一绝缘层111和/或第二绝缘层112填充不透明层300的孔310。在另一实施方式中,可以用与第一绝缘层111和/或第二绝缘层112分开的透明绝缘材料填充不透明层300的孔310。
尽管在图5中不透明层300可以定位或设置在缓冲层101上,但是本公开不限于此。例如,不透明层300可以定位或设置在衬底100的层之间或者衬底100和缓冲层101之间,或者可以具有包括定位或设置在不同位置处的层的多层结构。
返回参照图5,第一绝缘层111可以定位或设置在不透明层300上。第一绝缘层111可以包括无机材料(诸如,氧化物或氮化物)或有机材料或者无机材料和有机材料的组合,并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
第一绝缘层111上可以设置有包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示元件450的像素PX,其中像素电路PC包括薄膜晶体管(TFT)430和电容器470。显示元件450可以是有机发光二极管(OLED)。
TFT 430可以包括半导体层431、栅电极432、源电极433和漏电极434。半导体层431可以包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。源电极433和漏电极434可以分别接触半导体层431的源极区和漏极区。第二绝缘层112可以定位或设置在半导体层431和栅电极432之间。第三绝缘层113和第四绝缘层114可以定位或设置在栅电极432和源电极433之间以及栅电极432和漏电极434之间。第二绝缘层112、第三绝缘层113和第四绝缘层114中的每一个可以包括无机绝缘材料,诸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物或铪氧化物。包括无机绝缘材料的第二绝缘层112、第三绝缘层113和第四绝缘层114中的每一个可以具有包括上述一种或多种材料的单层或多层结构。
电容器470可以包括定位或设置在与TFT 430的栅电极432的层相同的层上的下电极471和覆盖下电极471的上电极472。
电容器470的下电极471可与TFT 430的栅电极432整体形成为一体。例如,TFT 430的栅电极432可以用作电容器470的下电极471。电容器470的下电极471可以与上电极472重叠,且第三绝缘层113位于它们之间。例如,第三绝缘层113可以用作电容器470的电介质层。
尽管在图5中电容器470与TFT 430重叠,但是本公开不限于此。可以进行各种修改;例如,电容器470可以定位或设置成不与TFT 430重叠。第四绝缘层114可以定位或设置在电容器470上。
覆盖TFT 430的第五绝缘层115可以包括平坦化绝缘层,并且可以具有包括有机绝缘材料的单层或多层结构。第五绝缘层115可以包括有机绝缘材料,诸如通用聚合物(例如,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、氟化聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物或其混合物。在实施方式中,第五绝缘层115可以包括聚酰亚胺(PI)。在实施方式中,第五绝缘层115可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
像素电极451可以电连接到TFT 430的源电极433或漏电极434。像素电极451可以包括反射膜,反射膜包括反射导电材料,诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。在实施方式中,像素电极451可以包括透明导电膜,透明导电膜包括选自由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)和铝锌氧化物(AZO)组成的组中的至少一种透明导电氧化物。在实施方式中,像素电极451可以具有其中可以堆叠反射膜和透明导电膜的结构。
像素电极451的边缘可以被定位或设置在第五绝缘层115上的第六绝缘层116覆盖。例如,第六绝缘层116可以是像素限定层,像素限定层通过具有开口OP来限定发光区域,其中像素电极451的一部分可以通过开口OP暴露。第六绝缘层116的定位或设置发光层的开口OP可以对应于像素PX的发光区域。第六绝缘层116可以包括有机绝缘膜。第六绝缘层116可以包括聚丙烯酸类化合物、基于PI的化合物、诸如TeflonTM的碳氟化合物或苯并环丁烯化合物。
中间层452可以定位或设置在像素电极451上,并且可以至少包括发光层(EML)。在实施方式中,中间层452可以包括至少一个EML,并且可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个功能层。EML可以是红色EML、绿色EML或蓝色EML。EML可以具有其中红色EML、绿色EML和蓝色EML可以堆叠以发射白光的多层结构,或者可以具有包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料的单层结构。所述功能层可以包括在像素电极451上整体形成的层,或者可以包括被图案化成对应于像素电极451中的每一个的层。
相对电极453可以定位或设置在中间层452上,并且可以由各种导电材料中的任何一种形成。例如,相对电极453可以包括半透射反射膜,该半透射反射膜包括选自由锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、Al、Mg和Ag组成的组中的至少一种,或者可以包括透明金属氧化物,诸如,ITO、IZO或ZnO,并且可以具有单层或多层结构。
封装层410可以定位或设置在相对电极453上,并且可以保护显示设备不受外界材料、湿气等的影响。在实施方式中,封装层410可以包括附接到衬底100的封装衬底。封装衬底可由诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料的各种材料中的任何一种形成。在实施方式中,封装层410可以包括薄膜封装层,该薄膜封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。
功能层500可以定位或设置在封装层410上。功能层500可以包括:用于感测触摸输入的输入感测构件;包括偏振器、延迟器、滤色器或黑矩阵的抗反射构件;以及透明窗。
传感器层200可以定位或设置在衬底100的后表面上。传感器层200可以形成为与像素层400分开的单元,并且可以联接到衬底100的后表面。
传感器层200可以包括设置在基底层201上的传感器SU。
基底层201可以与显示面板10的衬底100的形状对应,并且可以设置成具有与衬底100的形状基本上相同的形状。基底层201可以包括由诸如聚合物树脂的绝缘材料、金属材料或玻璃材料形成的衬底或膜。
缓冲层210可以设置在基底层201上。缓冲层210可以包括无机材料(诸如,硅氮化物或硅氧化物)或有机材料或者无机材料和有机材料的组合,并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。可以省略缓冲层210。
包括TFT 230、作为光接收器件的光电二极管250和电容器270的传感器SU可设置在缓冲层210上。传感器SU可以是光学传感器,其通过接收当从像素PX的显示元件450发射的光L被物体OB反射时获得的反射光RL来感测生物特征信息。
TFT 230可以包括半导体层231、栅电极232、源电极233和漏电极234。半导体层231可以包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。源电极233和漏电极234可以分别接触半导体层231的源极区和漏极区。第七绝缘层211可以定位或设置在半导体层231和栅电极232之间。第八绝缘层212和第九绝缘层213可以定位或设置在栅电极232和源电极233之间以及栅电极232和漏电极234之间。第七绝缘层211、第八绝缘层212和第九绝缘层213中的每一个可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
光电二极管250可以通过感测从物体OB反射并穿过不透明层300的孔310的反射光RL来获得生物特征信息。光电二极管250可以包括第一电极251、半导体层252、第二电极253和偏置电极254。第一电极251可以电连接到TFT 230的漏电极234。第二电极253可以包括透明电极。偏置电极254可以连接到第二电极253并且可以通过覆盖第二电极253的第九绝缘层213中的接触孔电连接到第二电极253。
电容器270可以包括定位或设置在与TFT 230的栅电极232相同的层上的下电极271和定位或设置在与光电二极管250的第一电极251相同的层上的上电极272。
作为覆盖TFT 230和光电二极管250的平坦化绝缘层的第十绝缘层214可以具有包括有机绝缘材料的单层或多层结构。在实施方式中,第十绝缘层214可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。用于将传感器层200附接到衬底100的粘合剂层(未示出)可以设置在第十绝缘层214和衬底100的后表面之间。
图6A和图6B是示出根据本公开的实施方式的显示面板的一个像素的等效电路的示意图。
参照图6A,像素PX包括像素电路PC和有机发光二极管OLED,有机发光二极管OLED是连接到像素电路PC的显示元件。像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和电容器Cst。每个像素PX可以从有机发光二极管OLED发射红光、绿光、蓝光或白光。
可以是开关晶体管的第二晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL,并且可以根据从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据信号传输到第一晶体管T1。电容器Cst可以连接到第二晶体管T2和电源电压线PL,并且可以存储与对应于从第二晶体管T2接收的数据信号的电压和提供给电源电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。电源电压线PL可以与扫描线SL或数据线DL隔开,以与扫描线SL或数据线DL平行。
可以是驱动晶体管的第一晶体管T1可以连接到电源电压线PL和电容器Cst,并且可以根据存储在电容器Cst中的电压的值来控制从电源电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流Ioled。由于驱动电流Ioled,有机发光二极管OLED可以发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如,阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
尽管在图6A中像素电路PC包括两个晶体管和一个电容器,但是本公开不限于此。可以根据像素电路PC的设计以各种方式来修改晶体管的数量和电容器的数量。
参照图6B,尽管对每个像素PX提供信号线(例如,SL1、SL2、EL和DL)、初始化电压线VIL和电源电压线PL,但是本公开不限于此。在实施方式中,信号线(例如,SL1、SL2、EL和DL)、初始化电压线VIL和/或电源电压线PL中的至少一个可以由相邻像素PX共享。
信号线可以包括传输第一扫描信号GW的第一扫描线SL1、传输第二扫描信号GI的第二扫描线SL2、传输发射控制信号EM的发射控制线EL以及与第一扫描线SL1相交并传输数据信号DATA的数据线DL。第二扫描线SL2可以连接到下一行或前一行的第一扫描线SL1,并且第二扫描信号GI可以是下一行或前一行的第一扫描信号GW。
电源电压线PL可将第一电源电压ELVDD传输到第一晶体管T1,并且初始化电压线VIL可将用于初始化像素电极(例如,图5中的像素电极451)和第一晶体管T1的初始化电压VINT传输到像素PX。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、发射控制线EL和初始化电压线VIL可以在第一方向D1上延伸,并且可以在每行中彼此间隔开。数据线DL和电源电压线PL可以在第二方向D2上延伸,并且可以在每列中彼此间隔开。
像素PX的像素电路PC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7和电容器Cst。
第一晶体管T1可以通过第五晶体管T5连接到电源电压线PL,并且可以通过第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。第一晶体管T1可以用作驱动晶体管,并且可以根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA,并且将驱动电流Ioled提供给有机发光二极管OLED。
第二晶体管T2可以连接到第一扫描线SL1和数据线DL,可以由通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号GW导通,并且可以执行将通过数据线DL传输的数据信号DATA传输到节点N的开关操作。
第三晶体管T3可以通过第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED。第三晶体管T3可以由通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号GW导通,并且将第一晶体管T1二极管连接。
第四晶体管T4可以由通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号GI导通,并且可以将初始化电压VINT从初始化电压线VIL传输到第一晶体管T1的栅电极并且初始化第一晶体管T1的栅电压。
第五晶体管T5和第六晶体管T6可以由通过发射控制线EL接收的发射控制信号EM同时导通,并且形成电流路径,驱动电流Ioled可以通过该电流路径从电源电压线PL流到有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7可以由通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号GI导通,并且可以将初始化电压VINT从初始化电压线VIL传输到有机发光二极管OLED,并且可以初始化有机发光二极管OLED。可以省略第七晶体管T7。
尽管在图6B中第四晶体管T4和第七晶体管T7可以连接到第二扫描线SL2,但是本公开不限于此。在另一实施方式中,第四晶体管T4可连接到第二扫描线SL2,并且第七晶体管T7可连接到单独的布线并且可根据传输到布线的信号来操作。
电容器Cst可以连接到电源电压线PL和第一晶体管T1的栅电极,并且可以存储或维持与其两个端子的电压之间的差对应的电压,以维持施加到第一晶体管T1的栅电极的电压。
像素电极可以接收来自第一晶体管T1的驱动电流Ioled,并且可以用作有机发光二极管OLED的第一电极。公共电极可以接收第二电源电压ELVSS并且可以用作有机发光二极管OLED的第二电极。
图6A和图6B的晶体管、电容器Cst和有机发光二极管OLED可以分别实现为图5的TFT 430、电容器470和显示元件450。
尽管在图6A和图6B中有机发光二极管OLED是显示元件,但是本公开的实施方式不限于此。图6A和图6B中的显示元件的示例可以包括发光二极管(LED)、微型LED、纳米发光二极管(NED)和量子点(QD)-LED。
图7A至图9B是示出根据本公开的实施方式的像素电路的布置的视图。
定位或设置在衬底100的显示区域DA中的像素PX可以包括发射第一颜色的光的第一像素PX1(参见图10)、发射第二颜色的光的第二像素PX2(参见图10)以及发射第三颜色的光的第三像素PX3(参见图10)。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以在第一方向D1和第二方向D2上以预定图案重复地布置。在实施方式中,第一像素PX1可以是红色像素R、第二像素PX2可以是绿色像素G并且第三像素PX3可以是蓝色像素B(如图10中所示)。在另一实施方式中,第一像素PX1可以是红色像素、第二像素PX2可以是蓝色像素并且第三像素PX3可以是绿色像素。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个可以包括如图6A和图6B中所示的像素电路PC和有机发光二极管OLED,其中有机发光二极管OLED是电连接到像素电路PC的显示元件。
衬底100的显示区域DA可以包括定位或设置像素PX的像素区域。像素区域可以包括第一像素区域PA1、第二像素区域PA2和第三像素区域PA3。第一像素PX1的第一像素电路PC1可以定位或设置在第一像素区域PA1中。第二像素PX2的第二像素电路PC2可以定位或设置在第二像素区域PA2中。第三像素PX3的第三像素电路PC3可以定位或设置在第三像素区域PA3中。
在实施方式中,如图7A中所示,在行iN中,第一列1M的第一像素区域PA1、基本上与第一像素区域PA1相邻的第二列2M的第二像素区域PA2以及基本上与第二像素区域PA2相邻的第三列3M的第三像素区域PA3可以在第一方向D1(行方向)上重复地布置。第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3可以重复地布置在第一像素区域PA1、第二像素区域PA2和第三像素区域PA3中。
在实施方式中,如图7B中所示,在行iN中,第一列1M的第一像素区域PA1、基本上与第一像素区域PA1相邻的第二列2M的第二像素区域PA2、基本上与第二像素区域PA2相邻的第三列3M的第三像素区域PA3以及基本上与第三像素区域PA3相邻的第四列4M的第二像素区域PA2可以在第一方向D1上重复地布置。第一像素电路PC1、第二像素电路PC2、第三像素电路PC3和第二像素电路PC2可以重复地布置在第一像素区域PA1、第二像素区域PA2、第三像素区域PA3和第二像素区域PA2中。
第一像素区域PA1、第二像素区域PA2和第三像素区域PA3中的每一个可以包括至少一个透光区域310’。透光区域310’可以是与像素区域中构成像素PX的电路器件和/或连接到电路器件的布线之间的间隙对应的区域。例如,透光区域310’可以是像素区域中没有定位或设置遮光元件的区域,遮光元件诸如为构成像素PX的电路器件和/或连接到电路器件的布线。
在本公开的实施方式中,不透明层300可以定位或设置在衬底100之上,并且可以定位或设置在包括第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3的电路层之下。不透明层300可以具有孔310。不透明层300的孔310的位置可以对应于第一像素区域PA1、第二像素区域PA2和第三像素区域PA3之中的定位或设置发射特定颜色的光的像素PX的像素区域的透光区域310’的位置。不透明层300的孔310可以与定位或设置发射特定颜色的光的像素PX的像素区域的透光区域310’重叠,并且可以不与剩余像素区域的透光区域310’重叠。即,不透明层300可以具有与定位或设置发射特定颜色的光的像素PX的像素区域的布置图案对应的孔图案。例如,不透明层300的孔310可以在显示区域DA中在第一方向D1和第二方向D2上以预定图案和规则间隔重复形成。
在实施方式中,如图7A和图7B中所示,不透明层300可以在与第一像素区域PA1的透光区域310’对应的位置处具有孔310。在另一实施方式中,如图8A和图8B中所示,不透明层300可以在与第二像素区域PA2的透光区域310’对应的位置处具有孔310。在另一实施方式中,如图9A和图9B中所示,不透明层300可以在与第三像素区域PA3的透光区域310’对应的位置处具有孔310。
当以规则的间隔形成不透明层300的孔310时,不透明层300的孔310可以对应于发射不同颜色的光的像素PX的透光区域。例如,不透明层300的孔310中的一些可以对应于第一像素区域PA1的透光区域,孔310中的一些可以对应于第二像素区域PA2的透光区域,以及孔310中的其它孔310可以对应于第三像素区域PA3的透光区域。在具有与孔310对应的透光区域的像素PX和具有不与孔310对应的透光区域的相邻像素PX之间可能发生亮度偏差和颜色偏差。这是因为,由于不透明层300的孔310,不透明层300对连接到TFT(例如,驱动TFT)的电极层的影响可能会改变。
然而,根据本公开的实施方式,因为不透明层300的孔310以规则间隔形成并且在与特定或预定像素区域的透光区域对应的位置处形成,所以可以防止或最小化像素PX之间的亮度偏差和颜色偏差。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的显示元件中的每一个可以定位或设置在像素电路之上。显示元件可以直接定位或设置在对应像素的像素电路上以与该像素电路重叠,或者可以定位或设置成与另一像素的像素电路部分重叠,该另一像素的像素电路可以与上述对应像素的像素电路偏离并且可以定位或设置在相邻的行或列中。即,显示元件可以定位或设置在对应的像素区域中,或者显示元件的一部分可以定位或设置在基本上与对应像素区域相邻的另一像素区域中。
图10是示出根据本公开的实施方式的显示设备的像素的发光区域的布置的视图。
图10示出了第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个的发光区域。发光区域是定位或设置显示元件的发光层(EML)的区域。像素限定层的开口或像素电极的通过像素限定层的开口暴露的部分可以被限定为发光区域。
第一像素PX1可以包括第一发光区域EA1,第二像素PX2可以包括第二发光区域EA2,并且第三像素PX3可以包括第三发光区域EA3。
第一像素PX1的第一发光区域EA1和第三像素PX3的第三发光区域EA3可以在第一方向D1上交替地布置在行1N、2N……中的每一行的第一子行1SN中,并且第二像素PX2的第二发光区域EA2可以在第一方向D1上重复地布置在第二子行2SN中。第一像素PX1的第一发光区域EA1、第二像素PX2的第二发光区域EA2、第三像素PX3的第三发光区域EA3以及第二像素PX2的第二发光区域EA2可以以之字形方式或图案重复地布置在行1N、2N……中的每一行中。这种方式或图案可以是如本领域普通技术人员将领会和理解的其它布置。
在奇数列中,第一像素PX1的第一发光区域EA1和第三像素PX3的第三发光区域EA3可以在第二方向D2上交替地布置。在偶数列中,第二像素PX2的第二发光区域EA2可以在第二方向D2上重复地布置。例如,在第一列1M中,第一像素PX1的第一发光区域EA1和第三像素PX3的第三发光区域EA3可以在第二方向D2上交替地布置。在基本上与第一列1M相邻的第二列2M中,第二像素PX2的第二发光区域EA2可以在第二方向D2上重复地布置。在基本上与第二列2M相邻的第三列3M中,第三像素PX3的第三发光区域EA3和第一像素PX1的第一发光区域EA1可以以与第一列1M的方式相反的方式在第二方向D2上交替地布置。
第一像素PX1的第一发光区域EA1、第二像素PX2的第二发光区域EA2以及第三像素PX3的第三发光区域EA3可以具有不同的尺寸。在实施方式中,第三像素PX3的第三发光区域EA3可以具有比第一像素PX1的第一发光区域EA1的尺寸大的尺寸。第三像素PX3的第三发光区域EA3可以具有比第二像素PX2的第二发光区域EA2的尺寸大的尺寸。第一像素PX1的第一发光区域EA1可以具有比第二像素PX2的第二发光区域EA2的尺寸大的尺寸。在实施方式中,第三像素PX3的第三发光区域EA3可以具有与第一像素PX1的第一发光区域EA1的尺寸相同或类似的尺寸。本公开不限于此。例如,可以进行各种修改;例如,第一像素PX1的第一发光区域EA1可以大于第二像素PX2的第二发光区域EA2和第三像素PX3的第三发光区域EA3中的每一个。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每一个可以具有多边形形状(诸如,四边形形状或八边形形状)、圆形形状或椭圆形形状,并且多边形形状的示例可以包括具有圆化拐角的形状。在符合本发明的精神和范围的情况下,如本领域普通技术人员将领会和理解的其它形状也是可行的。
第一像素PX1的第一发光区域EA1可以定位或设置在第一像素区域PA1中,或者第一发光区域EA1的一部分可以定位或设置在基本上与第一像素区域PA1相邻的第二像素区域PA2中或第三像素区域PA3中。第二像素PX2的第二发光区域EA2可以定位或设置在第二像素区域PA2中,或者第二发光区域EA2的一部分可以定位或设置在基本上与第二像素区域PA2相邻的第一像素区域PA1中或第三像素区域PA3中。第三像素PX3的第三发光区域EA3可以定位或设置在第三像素区域PA3中,或者第三发光区域EA3的一部分可以定位或设置在基本上与第三像素区域PA3相邻的第一像素区域PA1或第二像素区域PA2中。
图11是示出根据本公开的实施方式的像素电路中的晶体管和电容器的位置的视图。图12和图13是示出根据本公开的实施方式的不透明层的孔和发光区域的位置的平面图。
图11是示出定位或设置在像素区域中的像素电路PC的视图。图11的像素电路PC可以应用于第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3中的每一个。为了方便解释,在图11中未示出位于像素电路PC之上的显示元件。
像素PX的像素电路PC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7和电容器Cst。第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每一个可以包括半导体层和栅电极,所述栅电极定位或设置在对应于半导体层的沟道区并与半导体层绝缘的位置处。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以沿着半导体层1130布置。即,第一晶体管T1至第七晶体管T7的半导体层可以彼此连接,并且可以以各种形状中的任一种弯曲。
半导体层1130可以包括沟道区以及位于沟道区的两侧处的源极区和漏极区,并且源极区和漏极区可以分别对应于对应的晶体管的源电极和漏电极。
第一晶体管T1可以包括与沟道区重叠的栅电极G1以及位于栅电极G1的两侧处的第一电极E11和第二电极E12。与栅电极G1重叠的沟道区可以具有弯曲形状以在狭窄空间中形成长沟道。
第二晶体管T2可以包括与沟道区重叠的栅电极G2以及位于沟道区的两侧处的第一电极E21和第二电极E22。第二电极E22可以连接到第一晶体管T1的第一电极E11。
可以是双晶体管的第三晶体管T3可以包括与两个沟道区重叠的栅电极G3,并且可以包括定位或设置在沟道区的两侧处的第一电极E31和第二电极E32。第三晶体管T3可以通过节点连接线1174连接到第一晶体管T1的栅电极G1。
可以是双晶体管的第四晶体管T4可以包括与两个沟道区重叠的栅电极G4以及定位或设置在两侧处的第一电极E41和第二电极E42。
第五晶体管T5可以包括与沟道区重叠的栅电极G5以及定位或设置在沟道区的两侧处的第一电极E51和第二电极E52。第二电极E52可以连接到第一晶体管T1的第一电极E11。
第六晶体管T6可以包括与沟道区重叠的栅电极G6以及定位或设置在沟道区的两侧处的第一电极E61和第二电极E62。第一电极E61可以连接到第一晶体管T1的第二电极E12。
第七晶体管T7可以包括与沟道区重叠的栅电极G7以及定位或设置在沟道区的两侧处的第一电极E71和第二电极E72。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、发射控制线EL和第一晶体管T1的栅电极G1可以定位或设置在半导体层1130上,且绝缘层(或多个绝缘层)位于它们之间。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和发射控制线EL中的每一个可以在第一方向D1上延伸。第一扫描线SL1的部分可以对应于第二晶体管T2的栅电极G2和第三晶体管T3的栅电极G3。第二扫描线SL2的部分可以对应于第四晶体管T4的栅电极G4和第七晶体管T7的栅电极G7。发射控制线EL的部分可以对应于第五晶体管T5的栅电极G5和第六晶体管T6的栅电极G6。
第一晶体管T1的可以是岛电极的栅电极G1可以通过节点连接线1174连接到第三晶体管T3。
电极电压线HL可以定位或设置在第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、发射控制线EL和第一晶体管T1的栅电极G2上,且绝缘层(或多个绝缘层)位于它们之间。
电极电压线HL可以在第一方向D1上延伸以与数据线DL和电源电压线PL相交。电极电压线HL的一部分可以覆盖第一晶体管T1的栅电极G1的至少一部分,并且可以与第一晶体管T1的栅电极G1一起形成电容器Cst。例如,第一晶体管T1的栅电极G1可以变成电容器Cst的第一电极CE1,并且电极电压线HL的一部分可以变成电容器Cst的第二电极CE2。
电容器Cst的第二电极CE2可以电连接到电源电压线PL。电极电压线HL可以通过接触孔CNT连接到定位或设置在电极电压线HL上的电源电压线PL。电极电压线HL可以具有与电源电压线PL的电压电平相同的电压电平。电源电压线PL可以是第二方向D2的电源电压线,并且电极电压线HL可以是第一方向D1的电源电压线。
初始化电压线VIL可以在第一方向D1上延伸。初始化电压线VIL可以通过初始化连接线1173连接到第四晶体管T4和第七晶体管T7。
初始化电压线VIL和电极电压线HL可以定位或设置在相同的层上,并且可以包括相同的材料。尽管在图11中初始化电压线VIL和电极电压线HL可以定位或设置在相同的层上,但是在实施方式中,初始化电压线VIL和像素电极(例如,图5中的像素电极451)可以定位或设置在相同的层上。
数据线DL、电源电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以定位或设置在电极电压线HL上,且绝缘层(或多个绝缘层)位于它们之间。
数据线DL和电源电压线PL中的每一个可以在第二方向D2上延伸。
数据线DL可以通过接触孔1154连接到第二晶体管T2的第一电极E21。数据线DL的一部分可以对应于第二晶体管T2的第一电极E21。
电源电压线PL可以通过接触孔CNT连接到电极电压线HL。电源电压线PL可以通过接触孔1155连接到第五晶体管T5。电源电压线PL可以通过接触孔1155连接到第五晶体管T5的第一电极E51。尽管在图11中电源电压线PL具有单层结构并且可以定位或设置在与数据线DL相同的层上,但在实施方式中,电源电压线PL可以具有两层结构,其包括定位或设置在与数据线DL相同的层上的下电源电压线和定位或设置在下电源电压线之上的上电源电压线。绝缘层(或多个绝缘层)可以定位或设置在下电源电压线和上电源电压线之间。例如,绝缘层(或多个绝缘层)可以定位或设置在上电源电压线和像素电极之间。
初始化连接线1173的一端可以通过接触孔1152连接到第四晶体管T4和第七晶体管T7,并且初始化连接线1173的另一端可以通过接触孔1151连接到初始化电压线VIL。
节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156连接到第三晶体管T3的第二电极E32,并且节点连接线1174的另一端可以通过接触孔1157连接到第一晶体管T1的栅电极G1。
显示元件450(参见图5)的像素电极451可以定位或设置在数据线DL、电源电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174上,且绝缘层(或多个绝缘层)位于它们之间。像素电极451可以连接到第六晶体管T6并且可以连接到第一晶体管T1。像素电极451可以通过接触孔1163连接到连接金属1175,并且连接金属1175可以通过接触孔1153连接到第六晶体管T6的第二电极E62。像素电极451可以与第一晶体管T1至第七晶体管T7和电容器Cst中的至少一个重叠。包括EML的中间层452可以定位或设置在像素电极451上。如上所述,像素限定层的开口或像素电极451的定位或设置发光层的部分可以被限定为发光区域,其中像素限定层暴露像素电极451的一部分并覆盖像素电极451的边缘。
在图11中,在前一行的像素PX的像素电路PC中设置的第七晶体管T7可以电连接到当前行的像素PX的第二扫描线SL2。即,当前行的像素PX的第七晶体管T7可以连接到在下一行的像素PX的像素电路PC中设置的第二扫描线。在实施方式中,如图6B中所示,第七晶体管T7可以连接到在当前行的像素PX的像素电路PC中设置的第二扫描线SL2。
在像素区域中,像素的元件(例如,第一晶体管至第七晶体管、电容器和布线(例如,扫描线、发射控制线、电极电压线、数据线、初始化电压线、电源电压线和连接线))之间可以存在间隙。像素的元件可以不定位或不设置在间隙中。透光区域可以表示具有预定尺寸并允许足够量的光穿过其至间隙中的传感器的区域。一个或多个透光区域可以存在于像素区域中。可以根据像素区域中的晶体管、电容器和布线的布置来修改透光区域的位置、尺寸、形状和数量。图11示出了各自在像素区域中的间隙中具有预定尺寸的第一透光区域310a、第二透光区域310b、第三透光区域310c和第四透光区域310d。
根据本公开的实施方式的不透明层300可以具有与像素区域中的透光区域对应的孔310。不透明层300的孔310可以与像素区域中的至少一个透光区域重叠。不透明层300的孔310可以不与发光区域重叠,并且可以彼此隔开,或者彼此分开设置或者彼此偏离。根据本公开的实施方式的不透明层300的孔310的位置、尺寸、形状和数量可以根据像素区域中的透光区域的位置、尺寸和数量来确定。孔和透光区域的位置、尺寸、形状和数量不限于附图的图示,而是可以包括如本领域普通技术人员将领会和理解的任何位置、尺寸、形状和数量。
在实施方式中,不透明层300可以具有与发射特定颜色的光的像素PX中的每一个的一个透光区域的位置对应的孔310。例如,如图12中所示,不透明层300可以具有与第一像素区域PA1的第一透光区域310a重叠或者与仅第一像素区域PA1的第一透光区域310a重叠的孔310。孔310可以定位或设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3周围的非发光区域中,并且可以不与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3重叠或者可以与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3偏离。不透明层300可以具有以规则间隔布置成预定图案的孔310,以对应于第一像素区域PA1的第一透光区域310a。
在实施方式中,不透明层300可以具有与发射特定颜色的光的像素PX的透光区域的位置对应的孔310。例如,如图13中所示,不透明层300可以具有与第二像素区域PA2的第二透光区域310b、第三透光区域310c和第四透光区域310d重叠的孔310。在此示例和其它示例中,孔310可以与仅第二像素区域PA2的第二透光区域310b、第三透光区域310c和第四透光区域310d重叠。孔310可以定位或设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3周围的非发光区域中,并且可以不与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3重叠。不透明层300可以具有以规则间隔布置成预定图案的孔310,以对应于第二像素区域PA2的第二透光区域310b、第三透光区域310c和第四透光区域310d。
根据本公开的实施方式的显示设备可以通过使用设置在与显示区域DA重叠的感测区域SA中的传感器SU来在显示设备的前表面上提供指纹感测功能。根据本公开的实施方式的显示设备通过使用从像素PX发射的光来感测用户的指纹。因此,其中嵌入有指纹传感器的显示设备可以通过使用感测区域SA中的像素PX作为光源而不使用外部光源来实现。因此,可以降低其中嵌入有指纹传感器的显示设备的厚度和制造成本。
根据本公开的实施方式的显示设备可以通过在显示面板中定位具有孔的不透明层来使透光率最大化,并且可以通过使不透明层的孔对应于发射特定颜色的光的像素的透光区域来降低发射不同颜色的光的像素之间的亮度偏差和颜色偏差。根据本公开的实施方式的显示设备可以通过将传感器层定位在显示面板的后表面上来防止用户观察到传感器层等,从而防止显示设备的图像质量下降。根据本公开的实施方式的显示设备由于定位或设置在显示面板的整个表面上的不透明层的孔可以通过防止直接从像素的显示元件发射的光入射在传感器上并且使传感器对从人体反射的光作出反应来降低传感器的噪声并确保传感器的可靠性。
根据本公开的实施方式的显示设备可以是诸如智能电话、移动电话、导航系统、游戏控制台、TV、用于车辆的主单元、笔记本计算机、膝上型计算机、平板计算机、个人媒体播放器(PMP)或个人数字助理(PDA)的电子设备。而且,电子设备可以是柔性设备。
根据本公开的实施方式的显示设备可以通过在没有外部光源的情况下配置指纹传感器来降低厚度和制造成本。
虽然已经参考本发明的实施方式示出和描述了本发明,但是本领域的普通技术人员将显而易见的是,在不背离本发明的精神和范围的情况下,可以对其在形式和细节上形成各种变化。
Claims (17)
1.一种显示设备,包括:
传感器层,包括多个传感器;
像素层,设置在所述传感器层上并且包括多个像素区域和位于所述多个像素区域中的多个像素;以及
不透明层,设置在所述传感器层和所述像素层之间并且包括孔,所述孔与设置有发射特定颜色的光的特定像素的特定像素区域的透光区域对应。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述不透明层的所述孔在显示区域中以预定图案并且以预定方向重复地形成。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述透光区域中的每一个是与所述特定像素区域中的布线和构成所述特定像素的电路器件之间的间隙对应的区域。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述多个像素中的每一个包括设置在所述像素区域中的像素电路和连接到所述像素电路的像素电极,
其中,所述显示设备还包括绝缘层,所述绝缘层包括暴露所述像素电极的一部分的开口,并且所述绝缘层覆盖所述像素电极的边缘。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述绝缘层的所述开口与所述不透明层的所述孔偏离。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,发射所述特定颜色的所述光的所述特定像素是红色像素、绿色像素和蓝色像素中的一个。
7.根据权利要求1所述的显示设备,还包括位于所述不透明层和所述传感器层之间的衬底。
8.根据权利要求1所述的显示设备,还包括具有多个层的衬底,其中,所述不透明层设置在所述衬底的所述多个层之间。
9.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述像素层包括:
电路层,包括所述多个像素的像素电路;以及
显示元件层,设置在所述电路层上并且包括所述多个像素的显示元件,
其中,所述不透明层设置在所述衬底与所述电路层之间。
10.一种显示设备,包括:
衬底,包括位于显示区域中的多个像素区域;
不透明层,设置在所述衬底上;以及
多个像素,设置在所述不透明层上并且分别设置在所述多个像素区域中,
其中,所述不透明层包括孔,所述孔与设置有发射特定颜色的光的特定像素的特定像素区域的透光区域对应。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其中,所述透光区域中的每一个是与所述特定像素区域中的布线和构成所述特定像素的电路器件之间的间隙对应的区域。
12.根据权利要求10所述的显示设备,其中,所述多个像素包括发射红光的第一像素、发射绿光的第二像素和发射蓝光的第三像素。
13.根据权利要求10所述的显示设备,其中,所述不透明层包括分别与所述多个像素区域中的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域中的一个的透光区域对应的孔。
14.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括绝缘层,所述绝缘层包括暴露所述多个像素中的每一个的像素电极的一部分的开口,所述绝缘层的所述开口与所述不透明层的所述孔偏离。
15.根据权利要求10所述的显示设备,还包括多个传感器,所述多个传感器设置在所述衬底的与设置有所述多个像素的表面相反的表面上,并且所述多个传感器设置在与所述显示区域的至少一部分重叠的感测区域中。
16.根据权利要求15所述的显示设备,其中,所述多个传感器中的每一个与所述感测区域中的至少一个像素重叠。
17.根据权利要求16所述的显示设备,其中,所述多个传感器中的每一个设置在所述多个像素中的相邻像素之间的非发光区域中,并且与所述相邻像素偏离。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0070069 | 2019-06-13 | ||
KR1020190070069A KR20200143564A (ko) | 2019-06-13 | 2019-06-13 | 표시장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112086484A true CN112086484A (zh) | 2020-12-15 |
Family
ID=73735059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010521757.0A Pending CN112086484A (zh) | 2019-06-13 | 2020-06-10 | 显示设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11580319B2 (zh) |
KR (1) | KR20200143564A (zh) |
CN (1) | CN112086484A (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110534031B (zh) * | 2019-08-29 | 2021-12-28 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示装置及指纹识别方法 |
CN113901857A (zh) * | 2020-06-22 | 2022-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 纹路识别装置以及电子装置 |
TWI764449B (zh) * | 2020-12-18 | 2022-05-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
US11864433B2 (en) * | 2020-12-25 | 2024-01-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and display device |
CN113031816A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-06-25 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及其压感控制方法、装置和存储介质 |
US11900875B2 (en) * | 2021-04-30 | 2024-02-13 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate and preparation method thereof, and display device |
WO2022246757A1 (zh) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 纹路识别模组及显示装置 |
CN114863814B (zh) * | 2022-04-28 | 2024-04-16 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010094499A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-30 | Hitachi Maxell Ltd | 画像取得装置及び生体情報取得装置 |
JP6424456B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2018-11-21 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、受発光装置、電子機器 |
CN105989325A (zh) | 2015-01-29 | 2016-10-05 | 深圳印象认知技术有限公司 | 蜂窝结构的指纹掌纹图像采集器及终端设备 |
CN106875842B (zh) | 2015-12-11 | 2020-02-07 | 印象认知(北京)科技有限公司 | 具有指纹采集功能的显示屏 |
US10229316B2 (en) | 2016-01-29 | 2019-03-12 | Synaptics Incorporated | Compound collimating system using apertures and collimators |
US20180012069A1 (en) | 2016-07-06 | 2018-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Fingerprint sensor, fingerprint sensor package, and fingerprint sensing system using light sources of display panel |
KR20180005588A (ko) | 2016-07-06 | 2018-01-16 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 패널의 광원들을 이용한 지문 센서, 지문 센서 패키지 및 지문 센싱 시스템 |
KR20180051692A (ko) | 2016-11-07 | 2018-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 지문 센서, 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN111950529B (zh) | 2017-05-17 | 2023-05-16 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 具有非接触成像能力的光学指纹传感器 |
US10763296B2 (en) * | 2017-11-22 | 2020-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Biometric sensor and methods thereof |
CN110231892B (zh) * | 2018-03-05 | 2022-05-31 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 触控显示装置 |
US11210491B2 (en) * | 2019-05-30 | 2021-12-28 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Fingerprint sensor under a display module with tilted receiving optics |
-
2019
- 2019-06-13 KR KR1020190070069A patent/KR20200143564A/ko active Search and Examination
-
2020
- 2020-05-27 US US16/884,813 patent/US11580319B2/en active Active
- 2020-06-10 CN CN202010521757.0A patent/CN112086484A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200143564A (ko) | 2020-12-24 |
US11580319B2 (en) | 2023-02-14 |
US20200394371A1 (en) | 2020-12-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |