CN109411522A - 一种透明显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种透明显示面板及其制备方法、显示装置,用以提高透明显示面板透明区的透过率。本申请实施例提供的一种透明显示面板,该显示面板划分为多个子像素单元,所述子像素单元具有发光区和透光区,所述透光区中透明膜层的数量小于所述发光区中透明膜层的数量。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种透明显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前用于显示图像的显示装置越来越多地以各种形式出现在市场上,随着信息社会的发展,新颖的显示技术如透明显示装置,获得了良好的用户体验,具有广阔的市场前景。但现有技术中的透明显示面板和包括该面板的透明显示装置的透明度不佳,使得透明显示装置竞争力弱,阻碍透明显示装置的商品化,而现有技术中通常通过减少发光面积来增强显示面板的透明度,造成显示面板的发光效率低,影响用户体验。
发明内容
本申请实施例提供了一种透明显示面板及其制备方法、显示装置,用以提高透明显示面板透明区的透过率。
本申请实施例提供的一种透明显示面板,该显示面板划分为多个子像素单元,所述子像素单元具有发光区和透光区,所述透光区中透明膜层的数量小于所述发光区中透明膜层的数量。
本申请实施例提供的透明显示面板,透光区中透明膜层的数量小于发光区中透明膜层的数量,即本申请通过减少透光区中透明膜层的数量来提高透明区的透过率,并且,本申请减少透光区透明膜层的数量不会影响发光区的发光效率,即本申请实施例提供的透明显示面板可以在不影响发光区发光效率的同时提高透明区的透过率,从而可以在不影响发光效率的同时提升透明显示面板的透明度,提高透明显示的效果,提升用户体验。
可选地,所述显示面板包括第一基板,所述第一基板包括:第一衬底基板、位于所述第一衬底基板之上的缓冲层,位于所述缓冲层之上的像素电路;所述像素电路包括:薄膜晶体管、以及位于所述薄膜晶体管之上与所述薄膜晶体管电连接的电致发光器件;所述电致发光器件包括:阳极、位于所述阳极之上的发光功能层、以及位于所述发光层之上的透明阴极;其中,在所述透光区中包括下列之一或其组合:缓冲层、发光功能层、透明阴极。
可选地,所述第一基板仅包括一种发光功能层;所述显示面板还包括:位于所述第一基板之上的第二基板;所述第二基板包括:第二衬底基板、以及位于所述第二衬底基板面向所述第一基板一侧的彩色色阻;所述彩色色阻位于至少一种颜色的所述像素单元的所述发光区,所述彩色色阻用于:使得所述发光功能层发出的光经过所述彩色色阻后,出射与所述子像素单元颜色相对应的光。
可选地,所述子像素单元包括红色子像素单元、蓝色子像素单元以及绿色子像素单元;所述发光功能层为蓝光发光功能层;所述彩色色阻包括:位于红色子像素单元的红光量子点色阻,以及位于所述绿色子像素单元的绿光量子点色阻。
本申请实施例提供的透明显示面板,发光功能层为蓝光发光功能层,因此蓝色子像素对应的发光区无需设置彩色色阻便可以出射蓝光,从而可以提高透明显示面板的蓝光发光效率,同时还可以简化透明显示面板制程。红色子像素单元和绿色子像素单元彩色色阻添加了量子点,可以提高色彩纯度,能够拓宽显示面板的色域。
可选地,所述子像素单元包括红色子像素单元、蓝色子像素单元以及绿色子像素单元;所述发光功能层为白光发光功能层;所述彩色色阻包括:位于所述红色子像素单元的红色色阻,位于所述蓝色子像素单元的蓝色色阻,以及位于所述绿色子像素单元的绿色色阻。
本申请实施例提供的透明显示面板,发光功能层为白光发光功能层,从而可以提高显示面板的亮度以及寿命。
可选地,所述红色色阻包括红光量子点色阻,所述蓝色色阻包括绿光量子点色阻。
可选地,所述第二衬底基板还包括:与所述彩色色阻位于同一层的黑矩阵、位于所述彩色色阻和所述黑矩阵面向所述第一基板一侧的保护层、位于所述保护层面向所述第一基板一侧的隔垫物,以及位于所述隔垫物和所述保护层面向所述第一基板一侧的辅助电极,所述辅助电极与所述透明阴极接触。
由于辅助电极和透明阴极接触,从而可以减小透明阴极的电阻。
本申请实施例提供的一种透明显示面板的制备方法,该方法包括:形成具有发光区和透光区的像素单元;其中,所述透光区中透明膜层的数量小于所述发光区中透明膜层的数量。
可选地,所述形成具有发光区和透光区的像素单元具体包括:
在第一衬底基板之上形成缓冲层;
在所述缓冲层之上形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管之上形成电致发光器件以及定义出所述发光区的像素定义层;所述电致发光器件包括:阳极、位于所述阳极之上的发光功能层、以及位于所述发光层之上的透明阴极;
其中,在所述透光区中包括下列之一或其组合:缓冲层、发光功能层、透明阴极。
本申请实施例提供了一种显示装置,包括本申请实施例提供的上述透明显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种透明显示面板的示意图;
图2为本申请实施例提供的沿图1中AA’的截面示意图;
图3为本申请实施例提供的另一种透明显示面板中第一基板的示意图;
图4为本申请实施例提供的第二基板的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的另一种第二基板的结构示意图;
图6为本申请实施例提供的另一种透明显示面板的结构示意图;
图7为本申请实施例提供的一种透明显示面板的制备方法示意图;
图8为本申请实施例提供的另一种透明显示面板的制备方法示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了本申请实施例提供的一种透明显示面板,如图1、2所示,图2为沿图1中AA’的截面图,该显示面板划分为多个子像素单元1,所述子像素单元1具有发光区2和透光区3,所述透光区3中透明膜层的数量小于所述发光区2中透明膜层的数量。
本申请实施例提供的透明显示面板,透光区中透明膜层的数量小于发光区中透明膜层的数量,即本申请通过减少透光区中透明膜层的数量来提高透明区的透过率,并且,本申请减少透光区透明膜层的数量不会影响发光区的发光效率,即本申请实施例提供的透明显示面板可以在不影响发光区发光效率的同时提高透明区的透过率,从而可以在不影响发光效率的同时提升透明显示面板的透明度,提高透明显示的效果,提升用户体验。
可选地,所述显示面板包括第一基板,所述第一基板包括:第一衬底基板、位于所述第一衬底基板之上的缓冲层(Buffer),位于所述缓冲层之上的像素电路;所述像素电路包括:薄膜晶体管、以及位于所述薄膜晶体管之上与所述薄膜晶体管电连接的电致发光器件;所述电致发光器件包括:阳极、位于所述阳极之上的发光功能层、以及位于所述发光层之上的透明阴极;其中,在所述透光区中包括下列之一或其组合:缓冲层、发光功能层、透明阴极。
本申请实施例提供的透明显示面板中,透明膜层例如可以包括:缓冲层、发光功能层、透明阴极、以及其他绝缘层,绝缘层例如可以包括栅绝缘层、层间绝缘层、保护层、平坦化层等绝缘层。
本申请实施例提供的如图2所示的透明显示面板,第一基板4包括:第一衬底基板5、缓冲层6,薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:有源层7、栅绝缘层(GI)8、栅极9、层间绝缘层(ILD)10、源极11和漏极12;第一基板4还包括:保护层(PVX)13、平坦化层14、电致发光器件和像素定义层(PDL)15;所述电致发光器件包括:阳极16、发光功能层17、以及透明阴极18;在发光区2,第一基板中的透明膜层包括:GI 8、ILD 10、PVX 13、平坦化层14、发光功能层17、以及透明阴极18;在透光区3,第一基板4在透光区3中的透明膜层仅包括缓冲层6、发光功能层17以及透明阴极18;所述透光区3中透明膜层的数量小于所述发光区2中透明膜层的数量,从而可以提高透光区的透过率。
本申请实施例提供的如图2所示的透明显示面板,透明区保留缓冲层,从而可以保护第一衬底基板免受损伤。当然透光区透明膜层也可以根据实际需要以及工艺条件进行选择。第一基板的结构例如可以是如图3所示,透光区包括缓冲层6以及透明阴极18,从而可以进一步提高透光区的透过率。
需要说明的是,本申请实施例提供的透明显示面板,透明区占显示面板的总面积例如可以超过60%。图2中以顶栅薄膜晶体管的结构为例对本申请实施例提供的透明显示面板的结构进行举例说明,当然薄膜晶体管也可以是底栅结构,例如可以是背沟道刻蚀型结构(Back Channel Etch,BCE)、刻蚀阻挡层型结构(Etch Stop Layer,ESL)等结构。有源层的材料例如可以是氧化物、硅材料或有机物,具体的,有源层的材料例如可以包括:非晶态氧化铟镓锌材料(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON),IZTO,非晶硅(a-Si),低温多晶硅(p-Si),六噻吩,聚噻吩等。各电极及其引线的材料可以是常用的金属材料,如银(Ag),铜(Cu),铝(Al),钼(Mo)等,或上述金属的合金材料,如铝钕合金(AlNd)、钼铌合金(MoNb)等,或多层金属如MoNb/Cu/MoNb等,也可以是金属和透明导电氧化物如氧化铟锡(ITO)、掺铝的氧化锌(AZO)等形成的堆栈结构,例如Mo/AlNd/ITO、ITO/Ag/ITO等;作为透明膜层的Buffer、GI、ILD、PVX等层的材料例如可以是:氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等常规绝缘材料,或各种新型的有机绝缘材料,或高介电常数材料如铝的氧化物(AlOx),铪的氧化物(HfOx),钽的氧化物(TaOx)等;具有平坦化效果的平坦化层的材料例如可以是:聚硅氧烷系、亚克力系或聚酰亚胺系材料。
本申请实施例提供的如图2所示的透明显示面板还包括位于所述第一基板4之上的第二基板19。接下来对本申请实施例提供的透明显示面板中第二基板的结构进行举例说明。
可选地,本申请实施例提供的透明显示面板中,所述第一基板仅包括一种发光功能层;显示面板还包括:位于所述第一基板之上的第二基板;所述第二基板包括:第二衬底基板、以及位于所述第二衬底基板面向所述第一基板一侧的彩色色阻;所述彩色色阻位于至少一种颜色的所述像素单元的所述发光区,所述彩色色阻用于:使得所述发光功能层发出的光经过所述彩色色阻后,出射与所述子像素单元颜色相对应的光。即当第一基板仅包括一种发光功能层时,第二基板作为彩膜盖板。
可选地,第二基板沿图1中BB’的截面图如图4所示,所述子像素单元包括红色子像素单元R、蓝色子像素单元B以及绿色子像素单元G;所述发光功能层为蓝光发光功能层;所述第二基板19包括:第二衬底基板20、以及彩色色阻21;所述彩色色阻21包括:位于红色子像素单元R的红光量子点色阻22,以及位于所述绿色子像素单元G的绿光量子点色阻23。
本申请实施例提供的透明显示面板,发光功能层为蓝光发光功能层,因此蓝色子像素对应的发光区无需设置彩色色阻便可以出射蓝光,从而可以提高透明显示面板的蓝光发光效率,同时还可以简化透明显示面板制程。红色子像素单元和绿色子像素单元彩色色阻添加了量子点,可以提高色彩纯度,能够拓宽显示面板的色域。
当然,第一基板中的发光功能层也可以选择红光发光功能层或绿光发光功能层。相应的,当发光功能层为红光发光功能层时,彩色色阻包括:位于蓝色子像素单元的蓝光量子点色阻,以及位于所述绿色子像素单元的绿光量子点色阻。当发光功能层为绿光发光功能层时,彩色色阻包括:位于蓝色子像素单元的蓝光量子点色阻,以及位于所述红色子像素单元的红光量子点色阻。
可选地,第二基板沿图1中BB’的截面图如图5所示,所述子像素单元包括红色子像素单元R、蓝色子像素单元B以及绿色子像素单元G;所述发光功能层为白光发光功能层;所述彩色色阻21包括:位于所述红色子像素单元R的红色色阻28,位于所述蓝色子像素单元B的蓝色色阻29,以及位于所述绿色子像素单元G的绿色色阻30。
本申请实施例提供的透明显示面板,发光功能层为白光发光功能层,从而可以提高显示面板的亮度以及寿命。
可选地,图5中,所述红色色阻28包括红光量子点色阻22,所述蓝色色阻30包括绿光量子点色阻23。从而可以进一步提高色彩纯度,能够拓宽显示面板的色域。图5中,以红色色阻为红光量子点色阻、绿色色阻为绿光量子点色阻为例进行说明,当然,在具体实施中,也可以在未添加量子点材料的彩色色阻之上形成量子点色阻。蓝色子像素单元对应的蓝色色阻未添加量子点材料,从而可以保证蓝光效率。
可选地,图4、图5中,第二衬底基板还包括:黑矩阵24、保护层25、隔垫物26,以及辅助电极27。
以图4提供的第二基板的结构为例,沿图1中AA’的截面图如图6所示,子像素单元为红色子像素单元;所述第二衬底基板19包括:第二衬底基板20、以及彩色色阻21、与所述彩色色阻21位于同一层的黑矩阵24、位于所述彩色色阻21和所述黑矩阵24面向所述第一基板4一侧的保护层25、位于所述保护层25面向所述第一基板4一侧的隔垫物(图6中未示出),以及位于所述隔垫物和所述保护层25面向所述第一基板4一侧的辅助电极27,所述辅助电极27与所述透明阴极18接触。由于辅助电极和透明阴极接触,从而可以减小透明阴极的电阻。
图4~6以第一基板包括一种发光功能层为例对本申请实施例提供的透明显示面板进行举例说明,当然,第一基板也可包括多种发光功能层,例如子像素单元包括红色子像素单元、蓝色子像素单元以及绿色子像素单元,发光功能层包括:位于红色子像素单元的红光发光层、位于蓝色子像素单元的蓝光发光层、以及位于绿色子像素单元的绿光发光层,此种情况第二基板无需设置彩色色阻。
基于同一发明构思,本申请实施例提供的一种透明显示面板的制备方法,该方法包括:形成具有发光区和透光区的像素单元;其中,所述透光区中透明膜层的数量小于所述发光区中透明膜层的数量。
可选地,所述形成具有发光区和透光区的像素单元具体包括:
S101、在第一衬底基板之上形成缓冲层;
S102、在所述缓冲层之上形成薄膜晶体管;
S103、在所述薄膜晶体管之上形成电致发光器件以及定义出所述发光区的像素定义层;所述电致发光器件包括:阳极、位于所述阳极之上的发光功能层、以及位于所述发光层之上的透明阴极;
其中,在所述透光区中包括下列之一或其组合:缓冲层、发光功能层、透明阴极。
上述步骤S103之后形成所述透光区中透明膜层的数量小于所述发光区中透明膜层的数量的第一基板。
需要说明的是,透明显示面板中的透明膜层例如可以包括:缓冲层、发光功能层、透明阴极、以及其他绝缘层,绝缘层例如可以包括栅绝缘层、层间绝缘层、保护层、平坦化层等绝缘层。具体地,对于每一透明膜层,例如可以整层设置透明膜层的材料,之后再去掉该透明膜层在透光区的部分。透光区保留何种透明膜层可根据实际工艺进行选择。
接下来以在所述透光区中保留缓冲层、发光功能层、以及透明阴极为例进行举例说明,其中,薄膜晶体管为顶栅结构,第一基板包括一种发光功能层。如图7所示,形成第一基板包括:
S201、在第一衬底基板5之上沉积整面缓冲层材料形成缓冲层6;
S202、沉积有源层材料,并进行图形化工艺形成有源层7的图案;
S203、连续沉积GI以及栅极材料,通过自对准工艺形成栅极9以及GI8的图案;利用干刻等离子体对沟道区28以外的有源层材料完成导体化工艺;
S204、沉积ILD材料,刻蚀ILD10形成露出有源层导体化区域的过孔,并将透明区域的ILD材料刻蚀至Buffer层;
S205、沉积源极、漏极材料并图形化,形成源极11、漏极12、信号走线以及像素电容极板的图案;
S206、沉积PVX材料,刻蚀PVX13材料,形成露出漏极12的过孔,并刻蚀掉透明区域的PVX材料;
S207、涂覆整层平坦化层14的材料并图形化,形成露出漏极12的过孔,并使得透明区域无平坦化层的材料;
S208、沉积反射阳极材料,图形化后形成阳极16;
S209、涂覆PDL15材料,并定义出发光区,且透明区域无PDL材料;
S210、整面蒸镀蓝光发光功能层17中的各有机层;
S211、沉积整面透明阴极18材料;
可选地,该方法还包括形成第二基板以及将第一基板和第二基板压合的步骤。
对于第一基板仅包括一种发光功能层的情况,形成第二基板具体包括:
在第二衬底基板上形成彩色色阻;所述彩色色阻位于至少一种颜色的所述像素单元的所述发光区。
以透明显示面板的子像素单元包括:红色子像素单元、蓝色子像素单元以及绿色子像素单元为例,第一基板仅包括蓝光发光功能层,在第二衬底基板上形成彩色色阻具体包括:
在第二衬底基板上形成红光量子点色阻以及绿光量子点色阻,所述红光量子点色阻位于红色子像素单元的发光区,所述绿光量子点色阻位于绿色子像素单元的发光区。
第一基板仅包括白光发光功能层,在第二衬底基板上形成彩色色阻具体包括:
在第二衬底基板上形成红色色阻、蓝色色阻以及绿色色阻,所述红色色阻位于红色子像素单元的发光区,所述蓝色色阻位于蓝色子像素单元的发光区,所述绿色色阻位于绿色子像素单元的发光区。
可选地,在第二衬底基板上形成彩色色阻之前,该方法还包括:
在第二衬底基板上形成黑矩阵的图案;
在第二衬底基板上形成彩色色阻之后,该方法还包括:
整面涂覆保护层材料,形成保护层;
形成隔垫物;
沉积辅助电极材料。
接下来以第一基板仅包括蓝光发光功能层为例,对形成第二衬底进行举例说明,如图8所示,形成第二基板包括:
S301、在第二衬底基板20上形成黑矩阵24的图案;
S302、在红色子像素单元R的发光区形成红光量子点色阻22,在绿色子像素单元G的发光区形成绿色量子点色阻23;
量子点色阻例如可以采用掺入量子点材料的光刻胶;
S303、整面涂覆保护层材料,形成保护层25;
S304、形成隔垫物26;
S305、沉积辅助电极材料27;
例如形成辅助电极和形成黑矩阵可以采用同一道掩膜板(mask)。
本申请实施例提供了一种显示装置,包括本申请实施例提供的上述透明显示面板。
综上所述,本申请实施例提供的透明显示面板及其制备方法、显示装置,透光区中透明膜层的数量小于发光区中透明膜层的数量,即本申请通过减少透光区中透明膜层的数量来提高透明区的透过率,并且,本申请减少透光区透明膜层的数量不会影响发光区的发光效率,即本申请实施例提供的透明显示面板可以在不影响发光区发光效率的同时提高透明区的透过率,从而可以在不影响发光效率的同时提升透明显示面板的透明度,提高透明显示的效果,提升用户体验。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种透明显示面板,其特征在于,该显示面板划分为多个子像素单元,所述子像素单元具有发光区和透光区,所述透光区中透明膜层的数量小于所述发光区中透明膜层的数量。
2.根据权利要求1所述的透明显示面板,其特征在于,所述显示面板包括第一基板,所述第一基板包括:第一衬底基板、位于所述第一衬底基板之上的缓冲层,位于所述缓冲层之上的像素电路;所述像素电路包括:薄膜晶体管、以及位于所述薄膜晶体管之上与所述薄膜晶体管电连接的电致发光器件;所述电致发光器件包括:阳极、位于所述阳极之上的发光功能层、以及位于所述发光层之上的透明阴极;其中,在所述透光区中包括下列之一或其组合:缓冲层、发光功能层、透明阴极。
3.根据权利要求1所述的透明显示面板,其特征在于,所述第一基板仅包括一种发光功能层;所述显示面板还包括:位于所述第一基板之上的第二基板;所述第二基板包括:第二衬底基板、以及位于所述第二衬底基板面向所述第一基板一侧的彩色色阻;所述彩色色阻位于至少一种颜色的所述像素单元的所述发光区,所述彩色色阻用于:使得所述发光功能层发出的光经过所述彩色色阻后,出射与所述子像素单元颜色相对应的光。
4.根据权利要求3所述的透明显示面板,其特征在于,所述子像素单元包括红色子像素单元、蓝色子像素单元以及绿色子像素单元;所述发光功能层为蓝光发光功能层;所述彩色色阻包括:位于红色子像素单元的红光量子点色阻,以及位于所述绿色子像素单元的绿光量子点色阻。
5.根据权利要求3所述的透明显示面板,其特征在于,所述子像素单元包括红色子像素单元、蓝色子像素单元以及绿色子像素单元;所述发光功能层为白光发光功能层;所述彩色色阻包括:位于所述红色子像素单元的红色色阻,位于所述蓝色子像素单元的蓝色色阻,以及位于所述绿色子像素单元的绿色色阻。
6.根据权利要求5所述的透明显示面板,其特征在于,所述红色色阻包括红光量子点色阻,所述蓝色色阻包括绿光量子点色阻。
7.根据权利要求3所述的透明显示面板,其特征在于,所述第二衬底基板还包括:与所述彩色色阻位于同一层的黑矩阵、位于所述彩色色阻和所述黑矩阵面向所述第一基板一侧的保护层、位于所述保护层面向所述第一基板一侧的隔垫物,以及位于所述隔垫物和所述保护层面向所述第一基板一侧的辅助电极,所述辅助电极与所述透明阴极接触。
8.一种透明显示面板的制备方法,其特征在于,该方法包括:形成具有发光区和透光区的像素单元;其中,所述透光区中透明膜层的数量小于所述发光区中透明膜层的数量。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述形成具有发光区和透光区的像素单元具体包括:
在第一衬底基板之上形成缓冲层;
在所述缓冲层之上形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管之上形成电致发光器件以及定义出所述发光区的像素定义层;所述电致发光器件包括:阳极、位于所述阳极之上的发光功能层、以及位于所述发光层之上的透明阴极;
其中,在所述透光区中包括下列之一或其组合:缓冲层、发光功能层、透明阴极。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~7任一项所述的透明显示面板。
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---|---|
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109859644A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-06-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示模组 |
CN110021644A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-07-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板和电子设备 |
CN110441953A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-12 | 上海天马微电子有限公司 | 显示模组及显示装置 |
CN111048688A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-04-21 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN115020618A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-09-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种透明显示面板 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108735791A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-02 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制造方法和显示终端 |
KR20210078129A (ko) * | 2019-12-18 | 2021-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111650787B (zh) * | 2020-06-11 | 2023-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
KR20220008990A (ko) * | 2020-07-14 | 2022-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN113013357B (zh) * | 2021-02-23 | 2022-04-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130313539A1 (en) * | 2010-03-09 | 2013-11-28 | Jae-Heung Ha | Organic light-emitting display device |
CN104269494A (zh) * | 2014-09-15 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
CN104362169A (zh) * | 2014-11-26 | 2015-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN104536198A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板和显示装置 |
CN105097878A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 |
CN105575997A (zh) * | 2014-10-30 | 2016-05-11 | 三星显示有限公司 | 透明显示基板和透明显示设备 |
CN107342372A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顶发射有机电致发光二极管显示器件及其制造方法 |
CN107394052A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置 |
CN107731877A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种彩膜基板、其制作方法及显示装置 |
CN108011052A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-05-08 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN108172605A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管基板及其制备方法、显示面板 |
CN108198838A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN108461527A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN108539043A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制造方法、显示装置 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100936953B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2010-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 컬러필터 기판과 그 제조방법 |
KR100940909B1 (ko) * | 2003-06-10 | 2010-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 |
KR101029944B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2011-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 |
KR100708644B1 (ko) * | 2004-02-26 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 표시장치, 박막트랜지스터의 제조방법, 평판 표시장치의 제조방법, 및도너 시트의 제조방법 |
KR20070047609A (ko) * | 2005-11-02 | 2007-05-07 | 삼성전자주식회사 | 몰드와 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
US7821613B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
KR100936881B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2010-01-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101811027B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101521676B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2015-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR102038075B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2019-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
US9825253B2 (en) * | 2013-06-28 | 2017-11-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
KR102081288B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102155736B1 (ko) * | 2013-09-13 | 2020-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102227455B1 (ko) * | 2013-10-08 | 2021-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102242078B1 (ko) * | 2014-08-05 | 2021-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN104201292B (zh) * | 2014-08-27 | 2019-02-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
KR102253445B1 (ko) * | 2014-08-28 | 2021-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시장치 |
US10083990B2 (en) * | 2014-08-29 | 2018-09-25 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor substrate and display device using the same |
KR102327085B1 (ko) * | 2014-10-20 | 2021-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9647044B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-05-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode array substrate and manufacturing method thereof, and display device |
KR102370035B1 (ko) * | 2015-02-05 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
KR102378460B1 (ko) * | 2015-02-09 | 2022-03-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102537989B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2023-05-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102399416B1 (ko) * | 2015-05-26 | 2022-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102411543B1 (ko) * | 2015-06-29 | 2022-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102478471B1 (ko) * | 2015-07-03 | 2022-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN104965338A (zh) * | 2015-07-20 | 2015-10-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
KR20170029037A (ko) * | 2015-09-04 | 2017-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
KR102389622B1 (ko) * | 2015-09-17 | 2022-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
KR102435391B1 (ko) * | 2015-09-25 | 2022-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102435156B1 (ko) * | 2015-10-13 | 2022-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 기판 및 투명 표시 장치 |
KR102471111B1 (ko) * | 2015-11-23 | 2022-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102523344B1 (ko) * | 2015-11-25 | 2023-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102490891B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2023-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102447451B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2022-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102485707B1 (ko) * | 2016-01-29 | 2023-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102642369B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2024-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102483956B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2023-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102547686B1 (ko) * | 2016-04-11 | 2023-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
WO2017200023A1 (ja) * | 2016-05-18 | 2017-11-23 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
WO2017213012A1 (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
KR102610024B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2023-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102561709B1 (ko) * | 2016-07-25 | 2023-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20180041796A (ko) * | 2016-10-14 | 2018-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20180056446A (ko) * | 2016-11-18 | 2018-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102315502B1 (ko) * | 2017-04-14 | 2021-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 |
CN106952941B (zh) * | 2017-05-26 | 2020-10-09 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、制作方法及电子设备 |
KR102396253B1 (ko) * | 2017-06-09 | 2022-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 |
KR102465376B1 (ko) * | 2017-06-16 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR102382487B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2022-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 |
KR102427667B1 (ko) * | 2017-09-26 | 2022-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
-
2018
- 2018-11-06 CN CN201811311226.8A patent/CN109411522A/zh active Pending
-
2019
- 2019-06-27 US US16/454,359 patent/US11380747B2/en active Active
-
2022
- 2022-06-03 US US17/831,557 patent/US20220293706A1/en active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130313539A1 (en) * | 2010-03-09 | 2013-11-28 | Jae-Heung Ha | Organic light-emitting display device |
CN104269494A (zh) * | 2014-09-15 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
CN105575997A (zh) * | 2014-10-30 | 2016-05-11 | 三星显示有限公司 | 透明显示基板和透明显示设备 |
CN104362169A (zh) * | 2014-11-26 | 2015-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN104536198A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板和显示装置 |
CN105097878A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 |
CN107342372A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顶发射有机电致发光二极管显示器件及其制造方法 |
CN107394052A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置 |
CN107731877A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种彩膜基板、其制作方法及显示装置 |
CN108198838A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN108172605A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管基板及其制备方法、显示面板 |
CN108011052A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-05-08 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN108461527A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN108539043A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制造方法、显示装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109859644A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-06-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示模组 |
CN110021644A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-07-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板和电子设备 |
CN110021644B (zh) * | 2019-03-26 | 2020-12-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板和电子设备 |
US11647659B2 (en) | 2019-03-26 | 2023-05-09 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and electronic device |
CN110441953A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-12 | 上海天马微电子有限公司 | 显示模组及显示装置 |
CN111048688A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-04-21 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111048688B (zh) * | 2019-11-22 | 2022-07-29 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN115020618A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-09-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种透明显示面板 |
CN115020618B (zh) * | 2022-06-23 | 2024-03-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种透明显示面板 |
Also Published As
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