CN104201292B - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，有机电致发光器件包括多个像素单元；每一个像素单元包括发光区域和透明区域，且每一个像素单元包括：衬底基板；形成于衬底基板上的TFT薄膜晶体管开关；依次设置于薄膜晶体管开关背离衬底基板一侧的平坦层、第一电极、像素界定层、有机层、以及第二电极；第一电极位于像素单元的发光区域；平坦层和像素界定层中的至少一层仅设置在像素单元的发光区域内。上述有机电致发光器件中，用于形成发光结构的平坦层，和/或，像素界定层不会对像素单元的透明区域透光率造成影响，进而提高了每一个像素单元的透光区域的透光率。进而提高了有机电致发光器件透明显示时的显示效果。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
透明显示作为一种全新的显示技术，可以让观察者透过显示器件的屏幕看到屏幕后方的背景；其中，有机电致发光器件是一种便于实现透明显示的显示器件。
在有机电致发光器件中，为便于实现透明显示，有机电致发光器件中的每一个像素单元具有发光区域和透明区域，每一个像素单元的发光区域内形成电致发光结构，而每一个像素单元的透明区域用于实现透明显示。
但是，现有技术中的电致发光器件中，每一个像素单元内透明区域的透光率较差，进而导致有机电致发光器件的透明显示效果较差。
发明内容
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件中各像素单元的透明区域的透光率较高，从而提高了有机电致发光器件透明显示时的显示效果。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种有机电致发光器件，包括多个阵列分布的像素单元；每一个所述像素单元包括发光区域和透明区域，且每一个所述像素单元包括：
衬底基板；
形成于所述衬底基板上的TFT薄膜晶体管开关；
依次设置于所述薄膜晶体管开关背离衬底基板一侧的平坦层、第一电极、像素界定层、有机层、以及第二电极；所述第一电极位于所述像素单元的发光区域；所述平坦层和所述像素界定层中的至少一层仅设置在所述像素单元的发光区域内。
在有机电致发光器件中，虽然用于形成发光结构的平坦层和像素界定层为透明材质，但是平坦层和像素界定层依然会对像素单元中透明区域的透光率造成影响。
而上述有机电致发光器件中，每一个像素单元中用于形成位于发光区域内的发光结构的平坦层和像素界定层中的至少一层仅设置在像素单元的发光区域内；所以，相对于现有技术中用于透明显示的有机电致发光器件而言，用于形成发光结构的平坦层和像素界定层中，当平坦层仅设置在像素单元的发光区域内时，平坦层不会对像素单元的透明区域透光率造成影响，当像素界定层仅设置在像素单元的发光区域时，像素界定层不会对像素单元的透明区域透光率造成影响，进而提高了每一个像素单元的透光区域的透光率。
所以，本发明提供的有机电致发光器件中，每一个像素单元的透明区域的透光率较高，进而提高了有机电致发光器件透明显示时的显示效果。
优选地，所述平坦层和所述像素界定层仅设置在所述像素单元的发光区域内。
优选地，所述薄膜晶体管开关包括：
设置于所述衬底基板上的半导体有源层，所述半导体有源层位于所述像素单元的发光区域内；
设置于所述半导体有源层上的栅绝缘层；
设置于所述栅绝缘层上的栅极，所述栅极位于所述像素单元的发光区域内；
设置于所述栅极上的层间绝缘层；
设置于所述层间绝缘层上的源漏极，所述源漏极位于所述像素单元的发光区域内；
设置于所述源漏极上的钝化层。
优选地，所述缓冲层仅设置在所述像素单元的发光区域。
优选地，所述栅绝缘层仅设置在所述像素单元的发光区域。
优选地，所述层间绝缘层仅设置在所述像素单元的发光区域。
优选地，所述钝化层仅设置在所述像素单元的发光区域。
优选地，所述半导体有源层与所述衬底基板之间还设有缓冲层，且所述缓冲层仅设置在所述像素单元的发光区域。
本发明还提供了一种如上述技术方案中提供的任一种有机电致发光器的制备方法，包括：
在衬底基板上制备薄膜晶体管器件；
在薄膜晶体管器件背离所述衬底基板的一侧形成平坦层，并通过构图工艺将位于像素单元的透明区域内的部分去除；
在所述平坦层上形成第一电极层，并通过构图工艺形成第一电极的图形；
在所述第一电极上形成像素界定层，并通过构图工艺形成像素界定层位于像素单元透明区域内的部分去除；
在像素界定层上形成有机层；
在有机层上形成第二电极。
优选地，所述在衬底基板上制备薄膜晶体管器件，具体包括：
在衬底基板上形成半导体有源层，并通过构图工艺形成半导体有源层的图案，所述半导体有源层位于所述像素单元的发光区域内；
在所述半导体有源层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅极金属层，并通过构图工艺形成栅极的图案，所述栅极位于所述像素单元的发光区域内；
在所述栅极上形成层间绝缘层；
在层间绝缘层上形成源漏极金属层，并通过构图工艺形成源漏极的图案，所述源漏极位于所述像素单元的发光区域内；
在所述源漏极上形成钝化层。
优选地，在所述在衬底基板上形成半导体有源层之前，还包括：
在衬底基板上形成缓冲层，并通过构图工艺将所述缓冲层位于像素单元的透明区域内的部分去除。
优选地，所述在所述半导体有源层上形成栅绝缘层，具体包括：
在所述半导体有源层上形成栅绝缘层，并通过构图工艺将所述缓冲层位于像素单元的透明区域内的部分去除。
优选地，所述在所述栅极上形成层间绝缘层，具体包括：
在所述栅极上形成层间绝缘层，并通过构图工艺将所述层间绝缘层位于像素单元的透明区域内的部分去除；
优选地，所述在所述源漏极上形成钝化层，具体包括：
在所述源漏极上形成钝化层，并通过构图工艺将所述钝化层位于像素单元的透明区域内的部分去除。
附图说明
图1为本发明一种实施例提供的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明一种实施例提供的有机电致发光器件的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，本发明实施例提供的有机电致发光器件，包括多个阵列分布的像素单元；每一个像素单元包括发光区域A和透明区域B，且每一个像素单元包括：
衬底基板1；
形成于衬底基板1上的TFT薄膜晶体管开关2；
依次设置于薄膜晶体管开关2背离衬底基板1一侧的平坦层3、第一电极4、像素界定层5、有机层6、以及第二电极7；第一电极4位于像素单元的发光区域A；平坦层3和像素界定层5中的至少一层仅设置在像素单元的发光区域A内。
在有机电致发光器件中，虽然用于形成发光结构的平坦层和像素界定层为透明材质，但是平坦层和像素界定层依然会对像素单元中透明区域的透光率造成影响。
而上述有机电致发光器件中，每一个像素单元中用于形成位于发光区域A内的发光结构的平坦层3和像素界定层5中的至少一层仅设置在像素单元的发光区域A内；所以，相对于现有技术中用于透明显示的有机电致发光器件而言，用于形成发光结构的平坦层3和像素界定层5中，当平坦层3仅设置在像素单元的发光区域A内时，平坦层3不会对像素单元的透明区域B透光率造成影响，当像素界定层5仅设置在像素单元的发光区域A时，像素界定层5不会对像素单元的透明区域B透光率造成影响，进而提高了每一个像素单元的透光区域B的透光率。
所以，本发明提供的有机电致发光器件中，每一个像素单元的透明区域B的透光率较高，进而提高了有机电致发光器件透明显示时的显示效果。
如图1所示，一种优选实施方式中，平坦层3和像素界定层5均仅设置在像素单元的发光区域A内。
上述实施例提供的有机电致发光器件中，薄膜晶体管开关2可以有多种设置形式，可以为顶栅型，还可以为底栅型。
请继续参考图1，一种实施方式中，薄膜晶体管开关2包括：
设置于衬底基板1上的半导体有源层22，半导体有源层22位于像素单元的发光区域A内；
设置于半导体有源层22上的栅绝缘层23；
设置于栅绝缘层23上的栅极24，栅极位于像素单元的发光区域A内；
设置于栅极24上的层间绝缘层25；
设置于层间绝缘层25上的源漏极26，源漏极26位于像素单元的发光区域A内；
设置于源漏极26上的钝化层27。
为了进一步地提高上述有机电致发光器件每一个像素单元的透明区域B的透光率，上述结构的薄膜晶体管开关2至少满足下述条件之一：
栅绝缘层23仅设置在像素单元的发光区域A。
层间绝缘层25仅设置在像素单元的发光区域A。
钝化层27仅设置在像素单元的发光区域A。
在半导体有源层22和衬底基板1之间还设有缓冲层21，且缓冲层21仅设置在像素单元的发光区域A。
另外，本发明的一种实施例还提供了一种上述有机电致发光器的制备方法，如图2所示，该制备方法包括：
步骤S201：在衬底基板上制备薄膜晶体管器件；
步骤S202：在薄膜晶体管器件背离衬底基板的一侧形成平坦层，并通过构图工艺将位于像素单元的透明区域内的部分去除；步骤S202中的构图工艺可以为刻蚀工艺；
步骤S203：在平坦层上形成第一电极层，并通过构图工艺形成第一电极的图形；
步骤S204：在第一电极上形成像素界定层，并通过构图工艺形成像素界定层位于像素单元透明区域内的部分去除；优选地，步骤S204中的构图工艺可以为刻蚀工艺；
步骤S205：在像素界定层上形成有机层；
步骤S206：在有机层上形成第二电极。
上述制备方法中，步骤S202在制备平坦层时将平坦层位于透明区域内的部分去除，同时步骤S204中在制备像素界定层时将像素界定层位于透明区域内的部分去除，进而能够防止平坦层和像素界定层对像素单元的透明区域的透光率造成影响。
上述步骤S201在衬底基板上制备薄膜晶体管器件，具体可以包括：
在衬底基板上形成半导体有源层，并通过构图工艺形成半导体有源层的图案，半导体有源层位于像素单元的发光区域内；
在半导体有源层上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成栅极金属层，并通过构图工艺形成栅极的图案，栅极位于像素单元的发光区域内；
在栅极上形成层间绝缘层；
在层间绝缘层上形成源漏极金属层，并通过构图工艺形成源漏极的图案，源漏极位于像素单元的发光区域内；
在源漏极上形成钝化层。
上述步骤S201中，在衬底基板上形成半导体有源层之前，还包括：
在衬底基板上形成缓冲层，并通过构图工艺将缓冲层位于像素单元的透明区域内的部分去除。通过此步骤形成的缓冲层仅仅设置在像素单元的发光区域，缓冲层不会对像素单元中透明区域的透光率造成影响，提高了像素单元中透明区域的透光率。
上述步骤S201中，在半导体有源层上形成栅绝缘层时可以具体包括：
在半导体有源层上形成栅绝缘层，并通过构图工艺将缓冲层位于像素单元的透明区域内的部分去除。通过此步骤形成的栅绝缘层仅仅设置在像素单元的发光区域，栅绝缘层不会对像素单元中透明区域的透光率造成影响，提高了像素单元中透明区域的透光率。
上述步骤S201中，在栅极上形成层间绝缘层时可以具体包括：
在栅极上形成层间绝缘层，并通过构图工艺将层间绝缘层位于像素单元的透明区域内的部分去除。通过此步骤形成的层间绝缘层仅仅设置在像素单元的发光区域，层间绝缘层不会对像素单元中透明区域的透光率造成影响，提高了像素单元中透明区域的透光率。
上述步骤S201中，在源漏极上形成钝化层时可以具体包括：
在源漏极上形成钝化层，并通过构图工艺将钝化层位于像素单元的透明区域内的部分去除。通过此步骤形成的钝化层仅仅设置在像素单元的发光区域，钝化层不会对像素单元中透明区域的透光率造成影响，提高了像素单元中透明区域的透光率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种有机电致发光器件，包括多个阵列分布的像素单元；每一个所述像素单元包括发光区域和透明区域，且每一个所述像素单元包括：
衬底基板；
形成于所述衬底基板上的TFT薄膜晶体管开关；
依次设置于所述薄膜晶体管开关背离衬底基板一侧的平坦层、第一电极、像素界定层、有机层、以及第二电极；所述第一电极位于所述像素单元的发光区域；其特征在于，所述平坦层和所述像素界定层中的至少一层仅设置在所述像素单元的发光区域内；所述有机层和所述第二电极设置在所述像素单元的发光区域和透明区域；所述像素界定层覆盖所述平坦层的侧壁；
其中，所述薄膜晶体管开关包括：
设置于所述衬底基板上的半导体有源层，所述半导体有源层位于所述像素单元的发光区域内；
设置于所述半导体有源层上的栅绝缘层；
设置于所述栅绝缘层上的栅极，所述栅极位于所述像素单元的发光区域内；
设置于所述栅极上的层间绝缘层；
设置于所述层间绝缘层上的源漏极，所述源漏极位于所述像素单元的发光区域内；
设置于所述源漏极上的钝化层；
所述半导体有源层与所述衬底基板之间还设有缓冲层，且所述缓冲层仅设置在所述像素单元的发光区域。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述平坦层和所述像素界定层仅设置在所述像素单元的发光区域内。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述栅绝缘层仅设置在所述像素单元的发光区域。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述层间绝缘层仅设置在所述像素单元的发光区域。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述钝化层仅设置在所述像素单元的发光区域。
6.一种如权利要求1～5任一项所述的有机电致发光器件 的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上制备薄膜晶体管器件；
在薄膜晶体管器件背离所述衬底基板的一侧形成平坦层，并通过构图工艺将位于像素单元的透明区域内的部分去除；
在所述平坦层上形成第一电极层，并通过构图工艺形成第一电极的图形；
在所述第一电极上形成像素界定层，并通过构图工艺形成像素界定层位于像素单元透明区域内的部分去除；
在像素界定层上形成有机层；
在有机层上形成第二电极；
其中，所述在衬底基板上制备薄膜晶体管器件，具体包括：
在衬底基板上形成缓冲层，并通过构图工艺将所述缓冲层位于像素单元的透明区域内的部分去除；
在衬底基板的缓冲层上形成半导体有源层，并通过构图工艺形成半导体有源层的图案，所述半导体有源层位于所述像素单元的发光区域内；
在所述半导体有源层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅极金属层，并通过构图工艺形成栅极的图案，所述栅极位于所述像素单元的发光区域内；
在所述栅极上形成层间绝缘层；
在层间绝缘层上形成源漏极金属层，并通过构图工艺形成源漏极的图案，所述源漏极位于所述像素单元的发光区域内；
在所述源漏极上形成钝化层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体有源层上形成栅绝缘层，具体包括：
在所述半导体有源层上形成栅绝缘层，并通过构图工艺将所述缓冲层位于像素单元的透明区域内的部分去除。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极上形成层间绝缘层，具体包括：
在所述栅极上形成层间绝缘层，并通过构图工艺将所述层间绝缘层位于像素单元的透明区域内的部分去除。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏极上形成钝化层，具体包括：
在所述源漏极上形成钝化层，并通过构图工艺将所述钝化层位于像素单元的透明区域内的部分去除。
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