CN109638020A - 显示面板及其制作方法、显示模组 - Google Patents
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Abstract
本申请提出了一种显示面板及其制作方法、显示模组，包括：基板；位于所述基板上的薄膜晶体管层；位于所述薄膜晶体管层上的平坦层；位于所述平坦层上的发光器件层；位于所述发光器件层上的封装层；其中，所述平坦层包括第一凸起，所述发光器件层在所述第一凸起的正投影位于所述第一凸起内。本申请通过在平坦层上增加第一凸起，降低像素定义层与阳极层的垂直间距，减少利用金属掩膜版形成发光层时产生的内阴影面积，降低显示面板像素缺色的风险，提高显示面板的良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法、显示模组。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。
在现有OLED显示面板发光层的蒸镀工艺中，由于金属掩模板开口的不规则特性、及基板与金属掩模板之间的间隙等原因，在镀膜时会形成内阴影，导致发光单元蒸镀不完全，使得显示面板中像素缺色，降低显示面板的良率。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制作方法、显示模组，以解决现有显示面板像素却色的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种显示面板，其包括：
基板；
位于所述基板上的薄膜晶体管层；
位于所述薄膜晶体管层上的平坦层；
位于所述平坦层上的发光器件层；
位于所述发光器件层上的封装层；
其中，所述平坦层包括第一凸起，所述发光器件层在所述第一凸起的正投影位于所述第一凸起内。
在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括像素定义层；
所述第一凸起与所述发光器件层中阳极层的厚度之和小于所述像素定义层的厚度。
在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括第一过孔，所述发光器件层中阳极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管中的源漏极层电连接；
所述第一过孔贯穿所述第一凸起、及位于所述第一凸起与所述源漏极之间的所述平坦层。
在本申请的显示面板中，所述平坦层通过一多段式掩摸版形成，所述多段式掩摸版包括光穿透率依次增加的第一区、第二区及第三区；
所述第一区对应所述平坦层的所述第一凸起，所述第三区对应所述平坦层上的第一过孔，所述第二区对应所述平坦层上除所述第一凸起及所述第一过孔以外的区域。
本申请还提出了一种显示面板的制作方法，其包括步骤：
S10、提供一基板，在所述基板上形成薄膜晶体管层；
S20、在所述薄膜晶体管层上形成第一膜层，使用第一光罩，使所述第一膜层形成包括第一凸起的平坦层；
S30、在所述平坦层上形成发光器件层；
S40、在所述发光器件层上形成封装层；
其中，所述发光器件层在所述第一凸起的正投影位于所述第一凸起内。
在本申请的制作方法中，在所述步骤S30之前，还包括：
在所述平坦层上形成像素定义层；
其中，所述第一凸起与所述发光器件层中阳极层的厚度之和小于所述像素定义层的厚度。
在本申请的制作方法中，所述步骤S20包括：
S201、在所述薄膜晶体管层上形成第一膜层；
S202、利用一多段式掩摸版，对所述第一膜层图案化处理，使所述第一膜层形成包括第一凸起及第一过孔的平坦层；
其中，所述发光器件层中阳极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管中的源漏极层电连接。
在本申请的制作方法中，所述第一过孔贯穿所述第一凸起、及位于所述第一凸起与所述源漏极之间的所述平坦层。
在本申请的制作方法中，所述多段式掩摸版包括光穿透率依次增加的第一区、第二区及第三区；
所述第一区对应所述平坦层的所述第一凸起，所述第三区对应所述平坦层上的所述第一过孔，所述第二区对应所述平坦层上除所述第一凸起及所述第一过孔以外的区域。
本申请还提出了一种显示模组，所述显示模组包括偏光层、盖板层以及上述的显示面板；
其中，所述偏光层及所述盖板层设置于所述显示面板上。
有益效果：本申请通过在平坦层上增加第一凸起，降低像素定义层与阳极层的垂直间距，减少利用金属掩膜版形成发光层时产生的内阴影面积，降低显示面板像素缺色的风险，提高显示面板的良率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请显示面板的膜层结构图；
图2为本申请显示面板制作方法的步骤图；
图3A～3H为本申请显示面板制作方法的工艺图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
请参阅图1，图1为本申请显示面板的膜层结构图。
所述显示面板100包括：
基板101，所述基板101的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。在一种实施例中，所述基板101还可以为柔性基板。所述柔性基板的材料可以为PI(聚酰亚胺)。
位于所述基板上的薄膜晶体管层200。
所述薄膜晶体管层200包括蚀刻阻挡层型、背沟道蚀刻型或顶栅薄膜晶体管型等结构，具体没有限制。例如顶栅薄膜晶体管型的所述薄膜晶体管层200包括：阻挡层102、缓冲层103、有源层104、第一栅绝缘层105、栅极106、第二栅绝缘层107、第二金属层108、间绝缘层109、源漏极110。
在一种实施例中，所述基板101柔性基板。所述柔性基板的材料可以包括聚酰亚胺。
所述阻挡层102形成于所述基板101上。在一种实施例中，所述阻挡层102的材料包括氧化硅。
所述缓冲层103形成于所述阻挡层102上，主要用于缓冲膜层质结构之间的压力，并且还可以具有一定阻水氧的功能。
在一种实施例中，所述缓冲层103的材料包括氮化硅或氧化硅中的一种或一种以上的组合物。
所述有源层104形成于所述缓冲层103上，所述有源层104包括经离子掺杂的掺杂区114。
所述第一栅绝缘层105形成于所述有源层104上。所述第一栅绝缘层105将所述有源层104覆盖，所述第一栅绝缘层105主要用于将所述有源层104与位于所述有源层104上的金属层隔离。
所述栅极106形成于所述第一绝缘层304上。所述栅极106的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
在一种实施例中，所述栅极106的金属材料可以为钼。
第二栅绝缘层107形成于所述栅极106上。所述第二栅绝缘层107主要用于将所述栅极106与第二金属层108隔离。
在一种实施例中，所述第一栅绝缘层105和所述第二栅绝缘层107的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
所述第二金属层108形成于所述第二栅绝缘层107上。在一种实施例中，所述第二金属层108的金属材料与所述栅极106相同。
所述间绝缘层109形成于所述第二金属层108上，所述间绝缘层109将所述第二金属层108覆盖，主要用于将所述第二金属层108和源漏极110隔离。
在一种实施例中，所述间绝缘层109的材料可以与所述第一栅绝缘层105和所述第二栅绝缘层107相同。
所述源漏极110形成于所述间绝缘层109上。所述源漏极110的金属材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
所述源漏极110通过过孔与所述掺杂区114电连接。在一种实施例中，所述源漏极110的金属材料为钛铝合金。
位于所述薄膜晶体管层上的平坦层111。
在一种实施例中，所述平坦层111可以由一有机膜层形成，以增加所述显示面板100的柔性。
所述平坦层111包括第一凸起112和第一过孔113。
在一种实施例中，请参阅图3C，所述平坦层111通过一多段式掩摸版300形成，所述多段式掩摸版300包括光穿透率依次增加的第一区301、第二区302及第三区303。所述第一区301对应所述平坦层111的所述第一凸起112，所述第三区303对应所述平坦层111上的第一过孔113，所述第二区302对应所述平坦层111上除所述第一凸起112及所述第一过孔113以外的区域。
在一种实施例中，所述第一区301的光透过率为0％。所述第三区303的光透过率为100％。所述第二区302的光透过率位于所述第一区301及所述第三区303之间，具体数值可以根据实际情况进行设置。
在一种实施例中，所述第一过孔113贯穿所述第一凸起112、及位于所述第一凸起112与所述源漏极之间的所述平坦层111。
在一种实施例中，所述第一过孔113可以仅贯穿所述平坦层111。
发光器件层400，包括形成于所述平坦层111上的阳极层401、发光层402及阴极层403。
在一种实施例中，发光器件(OLED)为顶发射型OLED器件。所述阳极层401为非透明的金属电极。
在一种实施例中，所述阳极层401在所述第一凸起112上的正投影位于所述第一凸起112内。所述阳极层401通过所述第一过孔113与所述薄膜晶体管200中的源漏极210电连接。
请参阅图1，所述显示面板100还包括位于所述阳极层401上的像素定义层404及支撑层405。
所述像素定义层404包括第一开口406，所述第一开口406位于所述阳极层401上。所述第一凸起112与所述发光器件层400中阳极层401的厚度之和小于所述像素定义层404的厚度。
在一种实施例中，所述像素定义层404和所述支撑层405的材料可以为感光型光阻材料。
所述发光层402被像素定义层404分隔成多个发光单元，每一所述发光单元对应一所述阳极层401中的阳极单元。
所述阴极层403覆盖所述发光层402及位于所述平坦层111上的像素定义层404。
在一种实施例中，所述阴极层403为透明材料。
在一种实施例中，所述阴极层403的材料可选为铟锡氧化物(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或氧化锌铝(AZO)中的至少一种。
位于所述发光器件层400上的封装层500。
在一种实施例中，所述封装层500可以为一硬质玻璃盖板。
本申请通过在平坦层上增加第一凸起，降低像素定义层与阳极层的垂直间距，减少利用金属掩膜版形成发光层时产生的内阴影面积，降低显示面板像素缺色的风险，提高显示面板的良率。
请参阅图2，图2为本申请显示面板制作方法的步骤图。
请参阅图3A～3H，图3A～3H为本申请显示面板制作方法的工艺图。
本申请还提出了一种显示面板的制作方法，其包括步骤：
S10、提供一基板101，在所述基板101上形成薄膜晶体管层200；
请参阅图3A，所述基板101的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。在一种实施例中，所述基板101还可以为柔性基板。所述柔性基板的材料可以为PI(聚酰亚胺)。
所述薄膜晶体管层200包括蚀刻阻挡层型、背沟道蚀刻型或顶栅薄膜晶体管型等结构，具体没有限制。例如顶栅薄膜晶体管型的所述薄膜晶体管层200包括：阻挡层102、缓冲层103、有源层104、第一栅绝缘层105、栅极106、第二栅绝缘层107、第二金属层108、间绝缘层109、源漏极110。
在一种实施例中，所述基板101柔性基板。所述柔性基板的材料可以包括聚酰亚胺。
所述阻挡层102形成于所述基板101上。在一种实施例中，所述阻挡层102的材料包括氧化硅。
所述缓冲层103形成于所述阻挡层102上，主要用于缓冲膜层质结构之间的压力，并且还可以具有一定阻水氧的功能。
在一种实施例中，所述缓冲层103的材料包括氮化硅或氧化硅中的一种或一种以上的组合物。
所述有源层104形成于所述缓冲层103上，所述有源层104包括经离子掺杂的掺杂区114。
所述第一栅绝缘层105形成于所述有源层104上。所述第一栅绝缘层105将所述有源层104覆盖，所述第一栅绝缘层105主要用于将所述有源层104与位于所述有源层104上的金属层隔离。
所述栅极106形成于所述第一绝缘层304上。所述栅极106的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
在一种实施例中，所述栅极106的金属材料可以为钼。
第二栅绝缘层107形成于所述栅极106上。所述第二栅绝缘层107主要用于将所述栅极106与第二金属层108隔离。
在一种实施例中，所述第一栅绝缘层105和所述第二栅绝缘层107的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
所述第二金属层108形成于所述第二栅绝缘层107上。在一种实施例中，所述第二金属层108的金属材料与所述栅极106相同。
所述间绝缘层109形成于所述第二金属层108上，所述间绝缘层109将所述第二金属层108覆盖，主要用于将所述第二金属层108和源漏极110隔离。
在一种实施例中，所述间绝缘层109的材料可以与所述第一栅绝缘层105和所述第二栅绝缘层107相同。
所述源漏极110形成于所述间绝缘层109上。所述源漏极110的金属材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
所述源漏极110通过过孔与所述掺杂区114电连接。在一种实施例中，所述源漏极110的金属材料为钛铝合金。
S20、在所述薄膜晶体管层200上形成第一膜层115，使用第一光罩，使所述第一膜层115形成包括第一凸起112的平坦层111；
所述步骤S20具体包括：
S201、在所述薄膜晶体管层200上形成第一膜层115；
请参阅图3B，所述第一膜层115可以为有机膜层，以增加所述显示面板的柔性。
S202、利用一多段式掩摸版300，对所述第一膜层115图案化处理，使所述第一膜层115形成包括第一凸起112及第一过孔113的平坦层111；
请参阅图3C，在本步骤中，利用一多段式掩摸版300使所述第一膜层115形成包括第一凸起112及第一过孔113的平坦层111。
在一种实施例中，所述第一过孔113贯穿所述第一凸起112、及位于所述第一凸起112与所述源漏极110之间的所述平坦层111。
请参阅图3D，所述第一过孔113贯穿所述平坦层111。
所述多段式掩摸版300包括光穿透率依次增加的第一区301、第二区302及第三区303。所述第一区301对应所述平坦层111的所述第一凸起112，所述第三区303对应所述平坦层111上的所述第一过孔113，所述第二区302对应所述平坦层111上除所述第一凸起112及所述第一过孔113以外的区域。
在一种实施例中，所述第一区301的光透过率为0％。所述第三区303的光透过率为100％。所述第二区302的光透过率位于所述第一区301及所述第三区303之间，具体数值可以根据实际情况进行设置。
S30、在所述平坦层111上形成发光器件层400；
所述发光器件层400包括形成于所述平坦层111上的阳极层401、发光层402及阴极层403。
所述步骤S30具体包括：
S301、在所述平坦层111上形成阳极层401；
请参阅图3E，所述阳极层401主要用于提供吸收电子的空穴。
在一种实施例中，发光器件(OLED)为顶发射型OLED器件。所述阳极层401为非透明的金属电极。
在一种实施例中，所述阳极层401在所述第一凸起112上的正投影位于所述第一凸起112内。所述阳极层401通过所述第一过孔113与所述薄膜晶体管200中的源漏极110电连接。
S302、在所述阳极层401上形成像素定义层404及支撑层405；
请参阅图3F，所述像素定义层404包括第一开口406，所述第一开口406位于所述阳极层401上。所述第一凸起112与所述发光器件层400中阳极层401的厚度之和小于所述像素定义层404的厚度。
在一种实施例中，所述像素定义层404和所述支撑层405的材料可以为感光型光阻材料。
S303、在所述第一开口406内形成发光层403；
请参阅图3F，所述发光层402被像素定义层404分隔成多个发光单元，每一所述发光单元对应一所述阳极层401中的阳极单元。
S304、在所述发光层402上形成阴极层403；
请参阅图3G，所述阴极层403覆盖所述发光层402及位于所述平坦层111上的像素定义层404。
在一种实施例中，所述阴极层403为透明材料。
在一种实施例中，所述阴极层403的材料可选为铟锡氧化物(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或氧化锌铝(AZO)中的至少一种。
S40、在所述发光器件层400上形成封装层500；
请参阅图3H，所述封装层500可以为一硬质玻璃盖板。
本申请通过在平坦层上增加第一凸起，降低像素定义层与阳极层的垂直间距，减少利用金属掩膜版形成发光层时产生的内阴影面积，降低显示面板像素缺色的风险，提高显示面板的良率。
本申请还提出了一种显示模组，所述显示模组包括显示面板及位于所述显示面板上的触控层、偏光层和盖板层。所述封装层通过第一光学胶层与所述触控层粘接，所述偏光层通过第二光学胶层与所述盖板层粘接。
所述显示模组的工作原理与所述显示面板的工作原理相似，所述显示模组的工作原理具体可以参考所述显示面板的工作原理，这里不做赘述。
本申请提出了一种显示面板及其制作方法、显示模组，包括：基板；位于所述基板上的薄膜晶体管层；位于所述薄膜晶体管层上的平坦层；位于所述平坦层上的发光器件层；位于所述发光器件层上的封装层；其中，所述平坦层包括第一凸起，所述发光器件层在所述第一凸起的正投影位于所述第一凸起内。本申请通过在平坦层上增加第一凸起，降低像素定义层与阳极层的垂直间距，减少利用金属掩膜版形成发光层时产生的内阴影面积，降低显示面板像素缺色的风险，提高显示面板的良率。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上的薄膜晶体管层；
位于所述薄膜晶体管层上的平坦层；
位于所述平坦层上的发光器件层；
位于所述发光器件层上的封装层；
其中，所述平坦层包括第一凸起，所述发光器件层在所述第一凸起上的正投影位于所述第一凸起内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括像素定义层；
所述第一凸起与所述发光器件层中阳极层的厚度之和小于所述像素定义层的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一过孔，所述发光器件层中阳极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管中的源漏极层电连接；
所述第一过孔贯穿所述第一凸起、及位于所述第一凸起与所述源漏极之间的所述平坦层。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层通过一多段式掩摸版形成，所述多段式掩摸版包括光穿透率依次增加的第一区、第二区及第三区；
所述第一区对应所述平坦层的所述第一凸起，所述第三区对应所述平坦层上的第一过孔，所述第二区对应所述平坦层上除所述第一凸起及所述第一过孔以外的区域。
5.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括步骤：
S10、提供一基板，在所述基板上形成薄膜晶体管层；
S20、在所述薄膜晶体管层上形成第一膜层，使用第一光罩，使所述第一膜层形成包括第一凸起的平坦层；
S30、在所述平坦层上形成发光器件层；
S40、在所述发光器件层上形成封装层；
其中，所述发光器件层在所述第一凸起上的正投影位于所述第一凸起内。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S30之前，还包括：
在所述平坦层上形成像素定义层；
其中，所述第一凸起与所述发光器件层中阳极层的厚度之和小于所述像素定义层的厚度。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S20包括：
S201、在所述薄膜晶体管层上形成第一膜层；
S202、利用一多段式掩摸版，对所述第一膜层图案化处理，使所述第一膜层形成包括第一凸起及第一过孔的平坦层；
其中，所述发光器件层中阳极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管中的源漏极层电连接。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一过孔贯穿所述第一凸起、及位于所述第一凸起与所述源漏极之间的所述平坦层。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述多段式掩摸版包括光穿透率依次增加的第一区、第二区及第三区；
所述第一区对应所述平坦层的所述第一凸起，所述第三区对应所述平坦层上的所述第一过孔，所述第二区对应所述平坦层上除所述第一凸起及所述第一过孔以外的区域。
10.一种显示模组，其特征在于，所述显示模组包括偏光层、盖板层以及如权利要求1～4任一项所述的显示面板；
其中，所述偏光层及所述盖板层设置于所述显示面板上。
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