CN104952791A - Amoled显示器件的制作方法及其结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种AMOLED显示器件的制作方法及其结构。该AMOLED显示器件的制作方法通过在制作栅极(3)之前沉积一层无机膜，并进行等离子轰击处理，形成栅极防反层(2)，以及在制作源/漏极(71)与数据线(72)之前沉积一层无机膜，并进行等离子轰击处理，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)，能够使得AMOLED显示器件具有良好的防止外部环境光反射的作用，提高AMOLED显示器件的显示亮度，延长AMOLED显示器件的使用寿命，降低AMOLED显示器件的厚度和制作成本。该AMOLED显示器件结构，通过设置栅极金属防反层(2)与蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)，具有良好的防止外部环境光反射的作用，具有较高的显示亮度与使用寿命，厚度较小、制作成本较低。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED显示器件的制作方法及其结构。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示器件按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive MatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
主动有机发光显示器(AMOLED)是一种利用直流电压驱动的薄膜发光器件，AMOLED显示技术与传统的LCD显示方式不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光，而且AMOLED显示器件可以做得更轻薄，可视角度更大，并且能够显著节省电能。
如图1所示，现有的AMOLED显示器件通常自下而上依次设置：玻璃基板100、薄膜晶体管(TFT)阵列层200、像素电极层即阳极层300、有机发光层400、阴极层500、及封装盖板600。其中，TFT阵列层200内的栅极、数据线、与源/漏极均为金属层，金属的反光能力较强，而且分别设于有机发光层400上、下两侧的阳极层300与阴极层500一般都采用反光或半反光材料，同时，AMOLED显示器件内与有机发光层400相对的区域均为开口区域，使得外部环境光可以进入AMOLED显示器件并发生强烈的反射，影响AMOLED显示器件的显示效果。目前，解决AMOLED显示器件光反射的方法通常采用在玻璃基板100或封装盖板600上贴合一片圆偏光片，如图1示意出了将原偏光片700贴合在玻璃基板100下表面，利用圆偏光片700起到防反作用。但贴合圆偏光片带来的负面影响是：OLED显示器件的显示亮度降低明显，为实现OLED显示器件与贴片前有同等的显示亮度，则功耗会相应增加，功耗的增加又会带来AMOLED显示器件寿命的大幅缩短，整个AMOLED显示器件的厚度也增加了约160μm甚至更多，另外，增加圆偏光片也会拉高AMOLED显示器件的制作成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED显示器件的制作方法，能够在不增加圆偏光片的前提下，使得AMOLED显示器件具有良好的防止外部环境光反射的作用，提高AMOLED显示器件的显示亮度，延长AMOLED显示器件的使用寿命，降低AMOLED显示器件的厚度和制作成本。
本发明的目的还在于提供一种MOLED显示器件结构，具有良好的防止外部环境光反射的作用，具有较高的显示亮度与使用寿命，厚度较小、制作成本较低。
为实现上述目的，本发明提供了一种AMOLED显示器件的制作方法，包括：
在制作栅极之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层的步骤；
以及在制作源/漏极与数据线之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层的步骤。
所述AMOLED显示器件的制作方法包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层；
步骤2、在所述栅极防反层上沉积第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理，形成栅极；
步骤3、在所述栅极及栅极防反层上沉积栅极绝缘层；
步骤4、在所述栅极绝缘层上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层；
步骤5、在所述岛状有源层与栅极绝缘层上沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层，再对所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层进行图案化处理，制得分别暴露出所述岛状有源层两侧的第一过孔与第二过孔；
步骤6、在所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层上沉积第二金属层，并对该第二金属层进行图案化处理，形成源/漏极与数据线，所述源/漏极分别通过第一过孔与第二过孔接触所述岛状有源层；
步骤7、在所述源/漏极、数据线及蚀刻阻挡与源/漏极防反层上沉积钝化保护膜，并对该钝化保护膜进行图案化处理，形成暴露出部分源/漏极的第三过孔；
步骤8、在所述钝化保护膜上沉积透明电极层，并对该透明电极层进行图案化处理，形成像素电极层，所述像素电极层通过第三过孔接触部分源/漏极；
步骤9、在所述像素电极层与钝化保护膜上沉积像素隔离层，并对该像素隔离层进行图案化处理，形成暴露出部分像素电极层的开口；
步骤10、采用蒸镀工艺在所述开口内形成有机发光层；
步骤11、在所述有机发光层与像素隔离层上溅射一层金属阴极层；
步骤12、使用封装盖板进行封装。
所述步骤1中的无机膜的材料为二氧化硅，厚度为
所述步骤2中的第一金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度为
所述步骤3中的栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合，厚度为
所述步骤4中半导体膜的材料为锌氧化物、铟锌氧化物、锌锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锆锌氧化物中的一种，厚度为
所述步骤5中的无机膜的材料为氧化硅，厚度为
所述步骤1与步骤5中进行等离子轰击处理所使用的气体为氮气、氧气、或二氧化氮；
所述步骤6中第二金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度为
所述步骤7中钝化保护膜的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合，厚度为
所述步骤8中透明电极层的材料为氧化铟锡、或氧化铟锌，厚度为
所述步骤9中的像素隔离层的材料为氧化硅，厚度为
所述步骤10有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。
本发明还提供了一种AMOLED显示器件结构，包括阵列基板、及自下而上依次设于所述阵列基板上的钝化保护膜、像素电极层、像素隔离层、有机发光层、金属阴极层、及封装盖板；
所述阵列基板在栅极下设有表面粗糙的栅极金属防反层，在源/漏极与数据线下设有表面粗糙的蚀刻阻挡与源/漏极防反层。
所述阵列基板包括基板、设于所述基板上的栅极防反层、设于所述栅极防反层上的栅极、设于所述栅极及栅极防反层上的栅极绝缘层、于所述栅极上方设于所述栅极绝缘层上的岛状有源层、设于所述岛状有源层与栅极绝缘层上的蚀刻阻挡与源/漏极防反层、及设于所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层上的源/漏极与数据线；所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层具有分别暴露出所述岛状有源层两侧的第一过孔与第二过孔；所述源/漏极分别通过第一过孔与第二过孔接触所述岛状有源层；
所述钝化保护膜设于源/漏极、数据线及蚀刻阻挡与源/漏极防反层上，并具有暴露出部分源/漏极的第三过孔；
所述像素电极层设于所述钝化保护膜上，并通过第三过孔接触部分源/漏极；
所述像素隔离层设于像素电极层上，并具有暴露出部分像素电极层的开口；
所述有机发光层设于所述像素电极层上的开口内；
所述金属阴极层设于所述有机发光层与像素隔离层上。
所述栅极金属防反层的材料为二氧化硅，厚度为
所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层的材料为氧化硅，厚度为
本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED显示器件的制作方法，通过在制作栅极之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层，以及在制作源/漏极与数据线之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层，能够在不增加圆偏光片的前提下，使得AMOLED显示器件具有良好的防止外部环境光反射的作用，提高AMOLED显示器件的显示亮度，延长AMOLED显示器件的使用寿命，降低AMOLED显示器件的厚度和制作成本。本发明提供的一种AMOLED显示器件结构，其阵列基板在栅极下设置表面粗糙的栅极金属防反层，在源/漏极与数据线下设有表面粗糙的蚀刻阻挡与源/漏极防反层，具有良好的防止外部环境光反射的作用，具有较高的显示亮度与使用寿命，厚度较小、制作成本较低。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的AMOLED显示器件的结构示意图；
图2为本发明AMOLED显示器件的制作方法的流程图；
图3为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤1的示意图；
图4为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤2的示意图；
图5为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤3的示意图；
图6为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤4的示意图；
图7为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤5的示意图；
图8为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤6的示意图；
图9为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤7的示意图；
图10为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤8的示意图；
图11为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤9的示意图；
图12为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤10的示意图；
图13为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤11的示意图；
图14为本发明AMOLED显示器件的制作方法的步骤12的示意图暨本发明AMOLED显示器件的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明首先提供一种AMOLED显示器件的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图3所示，提供一基板1，在所述基板1上沉积一层膜质疏松的无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层2。
具体地，该步骤1中的所述基板1优选为玻璃基板；所述无机膜的材料为二氧化硅(SiO2)，厚度为进行等离子轰击处理所使用的气体为氮气(N2)、氧气(O2)、或二氧化氮(NO2)。
步骤2、如图4所示，在所述栅极防反层2上沉积第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理，形成栅极3。
具体地，该步骤2中的第一金属层的材料为铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的组合，厚度为所述图案化处理由涂光刻胶(PR)、曝光、显影、湿蚀刻、与剥离光刻胶的工艺过程实现。
步骤3、如图5所示，在所述栅极3及栅极防反层2上沉积栅极绝缘层4。
具体地，该步骤3中所述栅极绝缘层4的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或二者的组合，厚度为
步骤4、如图6所示，在所述栅极绝缘层4上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层5。
具体地，该步骤4中所述半导体膜的材料为锌氧化物(ZnO)、铟锌氧化物(InZnO)、锌锡氧化物(ZnSnO)、铟镓锌氧化物(CaInZnO)、铟锆锌氧化物(ZrInZnO)中的一种，厚度为所述图案化处理由涂光刻胶、曝光、显影、湿蚀刻、与剥离光刻胶的工艺过程实现。
步骤5、如图7所示，在所述岛状有源层5与栅极绝缘层4上沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层6，再对所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层6进行图案化处理，制得分别暴露出所述岛状有源层5两侧的第一过孔61与第二过孔62。
具体地，该步骤5中无机膜的材料为氧化硅，厚度为进行等离子轰击处理所使用的气体为氮气、氧气、或二氧化氮。
对所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层6进行图案化处理由涂光刻胶、曝光、显影、干蚀刻、与剥离光刻胶的工艺过程实现。
步骤6、如图8所示，在所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层6上沉积第二金属层，并对该第二金属层进行图案化处理，形成源/漏极71与数据线72，所述源/漏极71分别通过第一过孔61与第二过孔62接触所述岛状有源层5。
具体地，该步骤6中第二金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度为所述图案化处理由涂光刻胶、曝光、显影、湿蚀刻、与剥离光刻胶的工艺过程实现。
步骤7、如图9所示，在所述源/漏极71、数据线72及蚀刻阻挡与源/漏极防反层6上沉积钝化保护膜8，并对该钝化保护膜8进行图案化处理，形成暴露出部分源/漏极71的第三过孔81。
具体地，该步骤7中钝化保护膜8的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合，厚度为所述图案化处理由涂光刻胶、曝光、显影、干蚀刻、与剥离光刻胶的工艺过程实现。
步骤8、如图10所示，在所述钝化保护膜8上沉积透明电极层，并对该透明电极层进行图案化处理，形成像素电极层9，所述像素电极层9通过第三过孔81接触部分源/漏极71。
具体地，该步骤8中透明电极层的材料为氧化铟锡(ITO)、或氧化铟锌(IZO)，厚度为对所述透明电极层进行图案化处理，形成像素电极层9的工艺过程为：涂光刻胶、曝光、显影、湿蚀刻、与剥离光刻胶。
步骤9、如图11所示，在所述像素电极层9与钝化保护膜8上沉积像素隔离层10，并对该像素隔离层10进行图案化处理，形成暴露出部分像素电极层9的开口101。
具体地，该步骤9中的像素隔离层10的材料为氧化硅，厚度为所述图案化处理由涂光刻胶、曝光、显影、湿蚀刻、与剥离光刻胶的工艺过程实现。
步骤10、如图12所示，采用蒸镀工艺在所述开口101内形成有机发光层11。
具体地，所述有机发光层11又包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。
步骤11、如图13所示，在所述有机发光层11与像素隔离层10上溅射一层金属阴极层12。
步骤12、如图14所示，使用封装盖板13进行封装。
本发明的AMOLED显示器件的制作方法由于制作了栅极防反层2与蚀刻阻挡与源/漏极防反层6，二者粗糙的表面能够对由外部环境进入到AMOLED显示器件内的光进行散射，防止栅极3、源/漏极71、数据线72、像素电极层9与金属阴极层12对外部环境光的反射，从而使得AMOLED显示器件具有较高的显示亮度与使用寿命，厚度较小、制作成本较低。
在上述AMOLED显示器件的制作方法的基础上，本发明还提供一种AMOLED显示器件的结构，如图14所示，包括阵列基板、及自下而上依次设于所述阵列基板上的钝化保护膜8、像素电极层9、像素隔离层10、有机发光层11、金属阴极层12、及封装盖板13。所述阵列基板在栅极3下设有表面粗糙的栅极金属防反层2，在源/漏极71与数据线72下设有表面粗糙的蚀刻阻挡与源/漏极防反层6。
具体地，所述阵列基板包括基板1、设于所述基板1上的栅极防反层2、设于所述栅极防反层2上的栅极3、设于所述栅极3及栅极防反层2上的栅极绝缘层4、于所述栅极3上方设于所述栅极绝缘层4上的岛状有源层5、设于所述岛状有源层5与栅极绝缘层4上的蚀刻阻挡与源/漏极防反层6、及设于所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层6上的源/漏极71与数据线72；所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层6具有分别暴露出所述岛状有源层5两侧的第一过孔61与第二过孔62；所述源/漏极71分别通过第一过孔61与第二过孔62接触所述岛状有源层5。
所述钝化保护膜8设于源/漏极71、数据线72及蚀刻阻挡与源/漏极防反层6上，并具有暴露出部分源/漏极71的第三过孔81；所述像素电极层9设于所述钝化保护膜8上，并通过第三过孔81接触部分源/漏极71；所述像素隔离层10设于像素电极层9上，并具有暴露出部分像素电极层9的开口101；所述有机发光层11设于所述像素电极层9上的开口101内；所述金属阴极层12设于所述有机发光层11与像素隔离层10上。
所述栅极金属防反层2的材料为二氧化硅，厚度为
所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层6的材料为氧化硅，厚度为
本发明的AMOLED显示器件，由于设置了栅极防反层2与蚀刻阻挡与源/漏极防反层6，二者粗糙的表面能够对由外部环境进入到AMOLED显示器件内的光进行散射，防止栅极3、源/漏极71、数据线72、像素电极层9与金属阴极层12对外部环境光的反射，从而使得AMOLED显示器件具有较高的显示亮度与使用寿命，厚度较小、制作成本较低。
综上所述，本发明的AMOLED显示器件的制作方法，通过在制作栅极之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层，以及在制作源/漏极与数据线之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层，能够在不增加圆偏光片的前提下，使得AMOLED显示器件具有良好的防止外部环境光反射的作用，提高AMOLED显示器件的显示亮度，延长AMOLED显示器件的使用寿命，降低AMOLED显示器件的厚度和制作成本。本发明的AMOLED显示器件结构，其阵列基板在栅极下设置表面粗糙的栅极金属防反层，在源/漏极与数据线下设有表面粗糙的蚀刻阻挡与源/漏极防反层，具有良好的防止外部环境光反射的作用，具有较高的显示亮度与使用寿命，厚度较小、制作成本较低。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种AMOLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括：
在制作栅极(3)之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层(2)的步骤；
以及在制作源/漏极(71)与数据线(72)之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)的步骤。
2.如权利要求1所述的AMOLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层(2)；
步骤2、在所述栅极防反层(2)上沉积第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理，形成栅极(3)；
步骤3、在所述栅极(3)及栅极防反层(2)上沉积栅极绝缘层(4)；
步骤4、在所述栅极绝缘层(4)上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层(5)；
步骤5、在所述岛状有源层(5)与栅极绝缘层(4)上沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)，再对所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)进行图案化处理，制得分别暴露出所述岛状有源层(5)两侧的第一过孔(61)与第二过孔(62)；
步骤6、在所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)上沉积第二金属层，并对该第二金属层进行图案化处理，形成源/漏极(71)与数据线(72)，所述源/漏极(71)分别通过第一过孔(61)与第二过孔(62)接触所述岛状有源层(5)；
步骤7、在所述源/漏极(71)、数据线(72)及蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)上沉积钝化保护膜(8)，并对该钝化保护膜(8)进行图案化处理，形成暴露出部分源/漏极(71)的第三过孔(81)；
步骤8、在所述钝化保护膜(8)上沉积透明电极层，并对该透明电极层进行图案化处理，形成像素电极层(9)，所述像素电极层(9)通过第三过孔(81)接触部分源/漏极(71)；
步骤9、在所述像素电极层(9)与钝化保护膜(8)上沉积像素隔离层(10)，并对该像素隔离层(10)进行图案化处理，形成暴露出部分像素电极层(9)的开口(101)；
步骤10、采用蒸镀工艺在所述开口(101)内形成有机发光层(11)；
步骤11、在所述有机发光层(11)与像素隔离层(10)上溅射一层金属阴极层(12)；
步骤12、使用封装盖板(13)进行封装。
3.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤1中的无机膜的材料为二氧化硅，厚度为
4.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤5中的无机膜的材料为氧化硅，厚度为
5.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤1与步骤5中进行等离子轰击处理所使用的气体为氮气、氧气、或二氧化氮。
6.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤2中的第一金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度为
所述步骤3中的栅极绝缘层(4)的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合，厚度为
所述步骤4中半导体膜的材料为锌氧化物、铟锌氧化物、锌锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锆锌氧化物中的一种，厚度为
所述步骤6中第二金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度为
所述步骤7中钝化保护膜(8)的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合，厚度为
所述步骤8中透明电极层的材料为氧化铟锡、或氧化铟锌，厚度为
所述步骤9中的像素隔离层(10)的材料为氧化硅，厚度为
所述步骤10有机发光层(11)包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。
7.一种AMOLED显示器件结构，其特征在于，包括阵列基板、及自下而上依次设于所述阵列基板上的钝化保护膜(8)、像素电极层(9)、像素隔离层(10)、有机发光层(11)、金属阴极层(12)、及封装盖板(13)；
所述阵列基板在栅极(3)下设有表面粗糙的栅极金属防反层(2)，在源/漏极(71)与数据线(72)下设有表面粗糙的蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)。
8.如权利要求7所述的AMOLED显示器件结构，其特征在于，所述阵列基板包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极防反层(2)、设于所述栅极防反层(2)上的栅极(3)、设于所述栅极(3)及栅极防反层(2)上的栅极绝缘层(4)、于所述栅极(3)上方设于所述栅极绝缘层(4)上的岛状有源层(5)、设于所述岛状有源层(5)与栅极绝缘层(4)上的蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)、及设于所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)上的源/漏极(71)与数据线(72)；所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)具有分别暴露出所述岛状有源层(5)两侧的第一过孔(61)与第二过孔(62)；所述源/漏极(71)分别通过第一过孔(61)与第二过孔(62)接触所述岛状有源层(5)；
所述钝化保护膜(8)设于源/漏极(71)、数据线(72)及蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)上，并具有暴露出部分源/漏极(71)的第三过孔(81)；
所述像素电极层(9)设于所述钝化保护膜(8)上，并通过第三过孔(81)接触部分源/漏极(71)；
所述像素隔离层(10)设于像素电极层(9)上，并具有暴露出部分像素电极层(9)的开口(101)；
所述有机发光层(11)设于所述像素电极层(9)上的开口(101)内；
所述金属阴极层(12)设于所述有机发光层(11)与像素隔离层(10)上。
9.如权利要求8所述的AMOLED显示器件结构，其特征在于，所述栅极金属防反层(2)的材料为二氧化硅，厚度为
10.如权利要求8所述的AMOLED显示器件结构，其特征在于，所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)的材料为氧化硅，厚度为
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| US14/777,741 US20160380239A1 (en) | 2015-06-26 | 2015-07-23 | Method for manufacturing amoled display device and structure thereof |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106292102A (zh) * | 2016-08-12 | 2017-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示器 |
| CN106684095A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN106953025A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-07-14 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 有机发光显示装置的制造方法 |
| WO2018032918A1 (zh) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及显示装置 |
| WO2018153036A1 (zh) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示屏及其制造方法和显示装置 |
| CN109103205A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
| CN109148484A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| WO2019095214A1 (zh) * | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 深圳市柔宇科技有限公司 | Tft阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法 |
| CN109873002A (zh) * | 2019-02-26 | 2019-06-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板和阵列基板的制造方法 |
| CN110993622A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-10 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN111026289A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-04-17 | 北京空间技术研制试验中心 | 用于载人航天器的人机交互终端 |
| US11342540B2 (en) | 2017-01-24 | 2022-05-24 | Huawei Technologies Co., Ltd. | AMOLED display panel that includes a diffusion film, display panel production method, and display apparatus |
| CN115268156A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-01 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107390444B (zh) * | 2017-09-06 | 2024-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1646977A (zh) * | 2002-04-12 | 2005-07-27 | 西铁城时计株式会社 | 液晶显示板 |
| CN1779922A (zh) * | 2004-11-26 | 2006-05-31 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法 |
| CN1826541A (zh) * | 2003-07-24 | 2006-08-30 | 日本瑞翁株式会社 | 抗反射模塑制品及其制造方法 |
| CN101487904A (zh) * | 2008-01-15 | 2009-07-22 | 财团法人工业技术研究院 | 抗反射板及其抗反射结构的制造方法 |
| CN101728447A (zh) * | 2008-10-14 | 2010-06-09 | 新日光能源科技股份有限公司 | 太阳能装置及其制造方法 |
| CN103633112A (zh) * | 2012-08-22 | 2014-03-12 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示设备 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2822983B2 (ja) * | 1996-06-27 | 1998-11-11 | 日本電気株式会社 | 透過型液晶表示装置 |
| KR100845557B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2008-07-10 | 삼성전자주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| US20080064131A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-13 | Mutual-Tek Industries Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for the same |
| US8119490B2 (en) * | 2008-02-04 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| KR20110057985A (ko) * | 2009-11-25 | 2011-06-01 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조방법 |
| US9155158B2 (en) * | 2011-04-01 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic complex, light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| KR101221921B1 (ko) * | 2011-07-05 | 2013-01-15 | 엘지전자 주식회사 | 이동 단말기 |
| US9000665B2 (en) * | 2012-03-20 | 2015-04-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same |
| KR102086805B1 (ko) * | 2013-11-19 | 2020-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| JP6227396B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2017-11-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
| KR102193091B1 (ko) * | 2014-05-22 | 2020-12-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 낮은 반사율을 갖는 블랙 매트릭스를 구비한 평판 표시장치 및 그 제조 방법 |
| CN104637874A (zh) * | 2015-03-16 | 2015-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
-
2015
- 2015-06-26 CN CN201510366825.XA patent/CN104952791A/zh active Pending
- 2015-07-23 US US14/777,741 patent/US20160380239A1/en not_active Abandoned
- 2015-07-23 WO PCT/CN2015/084866 patent/WO2016206150A1/zh active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1646977A (zh) * | 2002-04-12 | 2005-07-27 | 西铁城时计株式会社 | 液晶显示板 |
| CN1826541A (zh) * | 2003-07-24 | 2006-08-30 | 日本瑞翁株式会社 | 抗反射模塑制品及其制造方法 |
| CN1779922A (zh) * | 2004-11-26 | 2006-05-31 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法 |
| CN101487904A (zh) * | 2008-01-15 | 2009-07-22 | 财团法人工业技术研究院 | 抗反射板及其抗反射结构的制造方法 |
| CN101728447A (zh) * | 2008-10-14 | 2010-06-09 | 新日光能源科技股份有限公司 | 太阳能装置及其制造方法 |
| CN103633112A (zh) * | 2012-08-22 | 2014-03-12 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示设备 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106292102A (zh) * | 2016-08-12 | 2017-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示器 |
| WO2018032918A1 (zh) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及显示装置 |
| US10707353B2 (en) | 2016-08-19 | 2020-07-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor, method for fabricating the same, display substrate and display device |
| CN106684095B (zh) * | 2016-10-31 | 2020-02-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN106684095A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| US11342540B2 (en) | 2017-01-24 | 2022-05-24 | Huawei Technologies Co., Ltd. | AMOLED display panel that includes a diffusion film, display panel production method, and display apparatus |
| US10665822B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-05-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display screen and manufacturing method thereof and display device |
| CN106953025B (zh) * | 2017-02-22 | 2018-10-12 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 有机发光显示装置的制造方法 |
| WO2018153036A1 (zh) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示屏及其制造方法和显示装置 |
| CN106953025A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-07-14 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 有机发光显示装置的制造方法 |
| WO2019095214A1 (zh) * | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 深圳市柔宇科技有限公司 | Tft阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法 |
| CN109103205B (zh) * | 2018-08-21 | 2020-12-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
| WO2020037733A1 (zh) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
| CN109103205A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
| CN109148484A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN109873002A (zh) * | 2019-02-26 | 2019-06-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板和阵列基板的制造方法 |
| CN111026289A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-04-17 | 北京空间技术研制试验中心 | 用于载人航天器的人机交互终端 |
| CN110993622A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-10 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| WO2021114385A1 (zh) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN115268156A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-01 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置 |
| CN115268156B (zh) * | 2022-08-26 | 2023-08-29 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置 |
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