CN104538563B - 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，其中制作方法包括在基板上形成有机发光二极管阳极的步骤，其特征在于，在形成所述有机发光二极管阳极的步骤之前，所述方法还包括：至少在阳极与基板之间形成微透镜层，所述微透镜层的材料为氮氧化锌。本发明通过在阳极和基板之间形成微透镜层，提高了出光效率，有利于实现低功耗显示。

Description

阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
在传统的有机电致发光器件中，其结构由下到上依次设置有基板、阳极、有机发光材料层和阴极。其中，有机发光材料层的折射率通常为1.7-2.0、阳极的折射率通常为1.8-1.9、基板的折射率通常约为1.5-1.5-1.7之间，由于捕获的光束在有机发光材料层/阳极、阳极/基板间、以及基板/空气间的折射率差异产生了反射及全反射现象，使得光束不得不被局限在阳极或基板内无法放射出来而造成发光的损失，从而影响外部量子的效率非常低，仅为20％。
由于阳极/基板间的折射率差异相对较大，所以对于光的提取效率也影响较大，使得器件的整体出光效率较低。
发明内容
为克服上述现有技术中的缺陷，本发明所要解决的技术问题为：一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，以解决现有技术中出光效率低的技术问题。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
本发明的第一方面提供了一种阵列基板的制作方法，包括在基板上形成有机发光二极管阳极的步骤，其特征在于，在形成所述有机发光二极管阳极的步骤之前，所述方法还包括：至少在阳极与基板之间形成微透镜层，所述微透镜层的材料为氮氧化锌。
可选的，形成的所述微透镜层对应覆盖整个基板表面。
可选的，所述在形成有机发光二极管的阳极之前形成微透镜层，包括：
通过成膜工艺在基板上形成氮氧化锌薄膜后进行退火工艺，然后利用酸或碱对氮氧化锌薄膜进行处理，使所述氮氧化锌薄膜表面形成具有球形或半球形的凸起，多个所述凸起构成所述微透镜层。可选的，所述退火工艺的退火温度范围为350～500摄氏度，退火时间范围为10分钟～3小时。
可选的，所述利用酸或碱对氮氧化锌薄膜进行处理，所述碱为质量浓度0.1％～5％氢氧化钠的水溶液、0.1％～5％氢氧化钾的水溶液或0.1％～5％碳酸钠的水溶液；所述酸为质量浓度0.1％～5％盐酸、质量浓度0.1％～5％醋酸、质量浓度0.1％～5％草酸或质量浓度0.1％～5％硝酸。
可选的，所述微透镜层的厚度范围为40～150nm。
可选的，在形成所述阳极之前所述方法还包括形成薄膜晶体管的步骤，所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
可选的，所述方法还包括：在所述薄膜晶体管表面形成钝化层；
在所述钝化层上形成所述微透镜层，对所述钝化层与所述微透镜层进行构图工艺形成暴露所述薄膜晶体管漏极的过孔；
在所述微透镜层上形成所述阳极，所述阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；
或者所述方法还包括：
在所述薄膜晶体管表面形成钝化层，在钝化层上形成平坦层；
在所述平坦层上形成所述微透镜层，对所述钝化层、平坦层和所述微透镜层进行构图工艺形成暴露所述薄膜晶体管漏极的过孔；
在所述微透镜层上形成所述阳极，所述阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
可选的，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，所述微透镜层直接形成在所述栅极绝缘层之上；或者，
所述微透镜层直接形成在所述基板之上；或者，
所述阵列基板还包括彩色树脂层，所述微透镜层直接形成在所述彩色树脂层之上。
可选的，所述阳极材料为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌、氧化铟镓锌中的一种或其组合；所述基板材料为玻璃或者塑料。
可选的，所述微透镜层为多个凸透镜。
本发明的第二方面提供了一种阵列基板，
所述阵列基板包括有机发光二极管阳极以及至少在所述阳极与基板之间设置的微透镜层，所述微透镜层的材料为氮氧化锌。
可选的，形成的所述微透镜层对应覆盖整个基板表面。
可选的，所述阳极材料为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌、氧化铟镓锌中的一种或其组合，所述基板材料为玻璃或者塑料。
可选的，所述微透镜层为多个凸透镜。
可选的，所述氮氧化锌表面具有球形或半球形的凸起，所述微透镜层的厚度范围为40～150nm。
可选的，所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述阳极所述薄膜晶体管的漏极电连接。
可选的，所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管之上的钝化层，所述微透镜层位于所述钝化层与所述阳极之间，所述钝化层与所述微透镜层具有暴露所述薄膜晶体管漏极的过孔，所述阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；或者
所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管之上的钝化层以及位于钝化层上的平坦层，所述微透镜层位于所述平坦化层和所述阳极之间，所述钝化层、所述平坦层与所述微透镜层具有暴露所述薄膜晶体管漏极的过孔，所述阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
可选的，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，所述微透镜层直接形成在所述栅极绝缘层之上；或者，
所述微透镜层直接形成在所述基板之上；或者，
所述阵列基板还包括彩色树脂层，所述微透镜层直接形成在所述彩色树脂层之上。
本发明的第三方面提供了一种显示面板，包括：以上所述的阵列基板。
本发明的第三方面提供了一种显示装置，包括：以上所述的显示面板。
本发明所提供的阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置中，在在形成所述有机发光二极管阳极的步骤之前，所述方法还包括：至少在阳极与基板之间形成微透镜层，所述微透镜层的材料为氮氧化锌。微透镜层可对从阳极射出的光线进行折射，使得从阳极射出的四面八方的光汇聚，经过微透镜层汇聚后的光其相对于基板的入射角将变小。相比于不设置微透镜层的阵列基板，本发明实施例提供的方法制作的阵列基板更不易发生全反射，因而具有更高的出光效率，有利于实现低功耗显示。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1～4为本发明实施例所提供的阵列基板及其方法的的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
为使本领域技术人员更好的理解本发明的技术方案，现对实施例中部分描述作如下规定：
第一：为更好的描述本发明实施例中阵列基板中各结构的位置关系，对实施方式中所用描述“上”、“下”、“在…之上”、“在…之下”做如下规定：对于所述阵列基板的结构，以靠近或面对基板的方向为“下”，以远离基板方向为上。
第二：本发明阵列基板及其制备方法的实施例的描述中，“电连接”是一种功能性的描述，应该理解的是，这样的描述涵盖了所述结构间的直接接触或通过其他的一个或多个中间导电结构间接电性连接的情形。本实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括在基板上形成有机发光二极管阳极的步骤，其特征在于，在形成有机发光二极管的阳极之前还包括：至少在阳极与基板之间形成微透镜层，所述微透镜层的材料为氮氧化锌。
如图1所示，阵列基板100的制作方法为在形成有机发光二极管阳极1021之前，至少在阳极1021与基板101之间形成微透镜层103，所述微透镜层103的材料为氮氧化锌。
上述阵列基板的制作方法中，通过在有机发光二极管阳极1021和基板101之间形成微透镜层103，微透镜层103可对从阳极1021射出的光线进行折射，如图2所示，使得从阳极射出的四面八方的光汇聚，经过微透镜层汇聚后的光，其相对于基板101的入射角将变小。相比于不设置微透镜层的阵列基板，本发明实施例提供制备方法制备的阵列基板更不易发生全反射，因而具有更高的出光效率，有利于实现低功耗显示。并且，本发明实施例中，所述微透镜层的材料为氮氧化锌，氮氧化锌材料透明，不影响阵列基板的透过率；氮氧化锌折射率在1.9-2之间，有机发光二极管的阳极ITO折射率为1.8，基板的折射率为1.5-1.7之间，将氮氧化锌设置于阳极1021和基板101之间，上述折射率的匹配使其汇聚效果更加突出；且申请人通过实验发现，氮氧化锌形成微透镜层的工艺简单易行，无需复杂的构图工艺即可形成微透镜层，制程简单，成本低，有利于实现大规模生产。
可以理解的是，本发明解决的是阳极1021与基板101之间的出光问题，即传统底发射结构的出光问题，因此本发明实施例所述在所述的阳极1021与基底101的之间形成微透镜层103可以理解为在阳极和基板之间且至少在对应阳极在基板上的投影区域内形成微透镜层103。
可选地，形成的所述微透镜层对应覆盖整个基板表面，此种微透镜层将极大提高出光效率，且无需单独的构图工艺，制作简单，成本低。
下面结合图3对本实施例所提供的阵列基板制作方法中的微透镜层形成工艺进行详细介绍。
步骤S1：通过成膜工艺在基板上形成氮氧化锌薄膜后进行退火工艺。
本步骤中，在基板上形成氮氧化锌薄膜包括：直接在基板上形成氮氧化锌薄膜和在基板上形成其他膜层后形成氮氧化锌薄膜，即氮氧化锌薄膜和基板直接接触或者氮氧化锌薄膜和基板之间隔有其他膜层。氮氧化锌的成膜工艺可采用PECVD(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)工艺或者磁控溅射工艺。氮氧化锌薄膜成膜工艺完成后，对氮氧化锌薄膜进行退火，在退火过程中，氮氧化锌将会结晶，形成结晶程度不一的多个结晶区域。
步骤S2：利用酸或碱对氮氧化锌薄膜进行处理，使所述氮氧化锌薄膜表面形成具有球形或半球形的凸起，多个所述凸起构成所述微透镜层。
在完成步骤S1后，利用酸或者碱对氮氧化锌薄膜表面进行处理，在此过程中，结晶度较好的区域将会被保留，结晶度低或者未结晶区域的氮氧化锌将会被酸或碱腐蚀并去除，经过酸碱处理后的氮氧化锌薄膜表面形成具有球形或半球形的凸起，多个所述凸起构成所述微透镜层103，如图2所示。
经过步骤S1和S2之后，所述微透镜层形成，本发明形成微透镜层的工艺简单，仅需成膜、退火和酸或碱处理等步骤，无需复杂的构图工艺，制造成本低，有利于大面积规模化生产。
可选地，在S1步骤中，所述退火工艺的退火温度范围为350～500摄氏度，退火时间范围为10分钟至3小时，发明人发现，在上述工艺条件下，形成的氮氧化锌薄膜结晶程度可控，且经后续酸或碱处理得到微透镜层形貌稳定均一，应用此方法制备的阵列基板其出光效率高。
可选地，所述利用酸或碱对氮氧化锌薄膜进行处理，所述碱为质量浓度0.1％～5％氢氧化钠的水溶液、0.1％～5％氢氧化钾的水溶液或0.1％～5％碳酸钠的水溶液；所述酸为质量浓度0.1％～5％盐酸、质量浓度0.1％～5％醋酸、质量浓度0.1％～5％草酸或质量浓度0.1％～5％硝酸。氮氧化锌对酸和碱都有一定的敏感度，尤其是结晶度低的氮氧化锌更容易被酸或碱腐蚀，经过上述酸或碱处理后的氮氧化锌薄膜表面形成具有球形或半球形的凸起，多个所述凸起构成所述微透镜层。
以上为本实施例中微透镜的形成工艺，即通过成膜工艺在基板上形成氮氧化锌薄膜后进行退火工艺，然后利用酸或碱对氮氧化锌薄膜进行处理，使所述氮氧化锌薄膜表面形成具有球形或半球形的凸起，多个所述凸起构成所述微透镜层。本发明实施例不对微透镜的形成工艺进行限定，其他形成此种结构的方法同样为本发明保护范围之内。
可选地，所述微透镜层的厚度范围为40～150nm，此厚度范围的微透镜层对从阳极出射的光有较好的汇聚作用，且不会影响阵列基板的整体厚度。
以上实施例中都是以阳极材料为ITO为例进行的介绍，但本发明对阳极材料不做限定，本发明实施例所述阳极材料为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌、氧化铟镓锌中的一种或其组合，所述基板材料为玻璃或者塑料。可以理解的是，上述阳极材料的折射率较为接近，基板材料的折射率同样较为接近，因此同样适合用本发明实施例提供的方法提高其出光效率。对于AMOLED而言，需要薄膜晶体管对有机发光二极管进行控制，因此，本发明实施例所述的方法中，在形成阳极前，在基板上形成薄膜晶体管，所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极电连接可实现有源驱动。因此，如图4所示，可选的，本发明实施例所述的方法还包括：在形成所述阳极1021之前所述方法还包括形成薄膜晶体管104的步骤，所述阳极1021与所述薄膜晶体管104的漏极1046电连接。本发明不对薄膜晶体管的类型和结构进行限定，现有已知的所有薄膜晶体管都为本发明保护范围之内。
当然，本发明实施例不对OLED的驱动类型做限定，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法同样适用于PMOLED的制备，因此，应用本发明实施例提供的方法制备PMOLED同样为本发明保护范围之内。
在一种实施例中，本发明实施例提供的阵列基板的方法还包括：在形成薄膜晶体管104之后形成覆盖薄膜晶体管104的钝化层105，在所述钝化层105上形成所述微透镜层103，对所述钝化层105与所述微透镜层103进行构图工艺形成暴露所述薄膜晶体管漏极的过孔；
在所述微透镜层103上形成所述阳极1021，所述阳极1021通过所述过孔与所述薄膜晶体管104的漏极1046电连接；
在另一种实施例中，所述方法还包括：
在所述薄膜晶体管104表面形成钝化层105，在钝化层105上形成平坦层107；
在所述平坦层107上形成所述微透镜层103，对所述钝化层105、平坦层107和所述微透镜层103进行构图工艺形成暴露所述薄膜晶体管104漏极1046的过孔；
在所述微透镜层103上形成所述阳极1021，所述阳极1021通过所述过孔与所述薄膜晶体管104的漏极1046电连接。
在其他实施例中，微透镜103还可以形成在其他结构膜层上，如
薄膜晶体管104还包括栅极绝缘层1042，所述微透镜层103直接形成在所述栅极绝缘层1042之上；或者，
所述微透镜层103直接形成在所述基板101之上；或者，
所述阵列基板还包括彩色树脂层106，所述微透镜层103直接形成在所述彩色树脂层106之上。
当然，本发明微透镜层103形成的位置可根据阵列基板具体结构而定，以上只是几种微透镜层形成位置的具体实施例，但是不发明不对微透镜层形成位置作限定，只要满足至少在阳极与基板之间形成微透镜层即为本发明保护范围。
以下以底栅结构薄膜晶体管为例，结合附图4对本发明具体实施例的制作方法作详细描述。
图4以微透镜层形成在所述平坦化层108和所述阳极之间为例，并且阵列基板包括彩色树脂层106。
S11、在基板上形成薄膜晶体管的栅极。
基板采用玻璃或者塑料，栅极图形102的形成材料例如可为Al、Mo、Cr、Cu、Ti等金属，保证栅极良好的导电性能。图形厚度可根据实际情况和需求进行设计，可选的可为200nm～1000nm。
制备包括栅极1041的图形的过程简单来说可为：采用溅射或淀积等工艺在衬底基板101上形成栅极1041材料层，使用构图工艺在该材料层上定义出具备栅极1041图形的光刻胶，利用干刻或湿刻该材料层，形成所需的栅极1041的图形，剥离光刻胶即可，构图过程中保证图形位置和尺寸的精确度，在形成栅极1041的同时还可以形成其他结构如栅极线(图中未示出)，在此不再一一赘述。
步骤S12：在形成完包括栅极1041图形的衬底基板101上形成栅极绝缘层1042。
栅极绝缘层1042的厚度可选的可设置为50nm～500nm，更可选为100nm～300nm，以保证栅极1041与后续形成的其它导电膜层良好的绝缘性能。栅极绝缘层1042例如可采用SiOx(氧化硅，如：SiO2)、SiNx(氮化硅，如：Si3N4)、SiOxNy(氮氧化硅)等至少一种有机或无机材料形成，其进一步可形成为单层或多层的薄膜结构，以对位于其上层或下层的膜层起到很好的保护作用。
本步骤中，栅极绝缘层1042的形成可选的可采用CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)，尤其是PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)工艺形成。
步骤S13：在栅极绝缘层1042上形成包括有源层1043的图形。
有源层1043的形成材料可选的可为IGZO、ITZO等氧化物半导体，使得TFT具有较高的电子迁移率。其厚度例如可为5nm～250nm，保证有源层具有很好的电性能。
形成包括有源层1043的图形的过程可选的可为：采用溅射或淀积工艺在栅极绝缘层1042上覆盖有源层材料，利用构图工艺对所覆盖的有源层材料进行刻蚀，形成包括有源层1043的图形。有源层1043具体位于栅极1041上方的区域。
步骤S14：在形成完包括有源层1043的图形的衬底基板101上形成刻蚀阻挡层1044，该刻蚀阻挡层1044上具有暴露出有源层1043表面的源极接触孔和漏极接触孔。
本步骤中，刻蚀阻挡层1044例如可为厚度为50nm～200nm的SiOx薄膜。
形成刻蚀阻挡层1044可选可采用PECVD工艺首先沉积刻蚀阻挡层材料，然后利用构图工艺，定义出源极接触孔和漏极接触孔图形，之后刻蚀该刻蚀阻挡层材料，直至暴露出有源层1043的表面。
步骤S15：在刻蚀阻挡层1044上形成包括漏极1046和源极1045的图形，其中源极1045通过源极接触孔与有源层1043电性相连，漏极1046通过漏极接触孔与有源层1043电性相连。
本步骤中，包括漏极1046和源极1045的图形的厚度可选的可为5nm～250nm，其材料可为Al、Mo、Cr、Cu、Ti等金属，以保证漏极1046和源极1045具有较小的传输电阻。
与漏极1046和源极1045同层形成的可选的还可包括连接金属层，用于电连接显示装置像素内的开关管的源极和驱动管的栅极。另外，同层形成的还包括数据线，数据线与源极1045电性相连，用于向像素施加数据电压信号。
形成包括漏极1046和源极1045的图形可采用溅射或淀积等工艺覆盖源/漏极金属材料，然后利用构图工艺定义出漏极1046和源极1045的图形，对源/漏极金属材料进行刻蚀，形成包括漏极1046和源极1045的图形。经过本步骤后，薄膜晶体管104制备完成。
步骤S16：在形成完包括漏极1046和源极1045的图形的衬底基板101上形成钝化层105。
本步骤中，钝化层105可选的可采用氧化硅、氮化硅等无机材料及有机材料等绝缘材料形成，钝化层105能够修复与自身相邻的膜层(如：包括漏极1046和源极1045的图形)表面和内部的缺陷，提升薄膜质量。钝化层105可选的可采用PECVD工艺制备。
步骤S17：在钝化层105上形成彩色树脂层106。
具体的，形成彩色树脂层106的过程可为：在钝化层105上形成彩色树脂层材料，彩色树脂层材料可选的可为红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色的树脂，或者为红、绿、蓝、白(W)四种颜色的树脂，以实现OLED显示装置的全彩显示。彩色树脂层106厚度例如可为2μm～3.5μm，具体可根据实际需要相应设计。
彩色树脂层106的垂直投影位于栅极线与数据线交错形成的网格内。
步骤S18：旋涂平坦化层材料，采用构图工艺形成平坦化层107。
本步骤中，平坦化层107的厚度可为1μm～2μm，平坦化层材料可为树脂，以使形成了彩色树脂层106的衬底基板101的表面平坦化。
步骤S19：在平坦层107上且至少在阳极与基板之间形成微透镜层，所述微透镜层的材料为氮氧化锌。
首先通过成膜工艺在平坦层107上形成氮氧化锌薄膜后进行退火工艺。
氮氧化锌的成膜工艺可采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)工艺或者磁控溅射工艺。氮氧化锌薄膜成膜工艺完成后，对氮氧化锌薄膜进行退火，在退火过程中，氮氧化锌将会结晶，形成结晶程度不一的多个结晶区域。退火工艺的退火温度范围为350～500摄氏度，退火时间范围为10分钟至3小时，在上述工艺条件下，形成的氮氧化锌薄膜经后续处理可以得到微透镜层。
然后利用酸或碱对氮氧化锌薄膜进行处理，使所述氮氧化锌薄膜表面形成具有球形或半球形的凸起，多个所述凸起构成所述微透镜层。
所述利用酸或碱对氮氧化锌薄膜进行处理，所述碱为质量浓度0.1％～5％氢氧化钠的水溶液、0.1％～5％氢氧化钾的水溶液或0.1％～5％碳酸钠的水溶液；所述酸为质量浓度0.1％～5％盐酸、质量浓度0.1％～5％醋酸、质量浓度0.1％～5％草酸或质量浓度0.1％～5％硝酸。氮氧化锌对酸和碱都有一定的敏感度，尤其是结晶度低的氮氧化锌更容易被酸或碱腐蚀，经过上述酸或碱处理后的氮氧化锌薄膜表面形成具有球形或半球形的凸起，多个所述凸起构成所述微透镜层。
利用酸或者碱对氮氧化锌薄膜表面进行处理，在此过程中，结晶度较好的区域将会被保留，结晶度低或者未结晶区域的氮氧化锌将会被酸或碱腐蚀并去除，经过酸碱处理后的氮氧化锌薄膜表面形成具有球形或半球形的凸起，多个所述凸起构成所述微透镜层103，如图2所示。
经过上述步骤后，所述微透镜层形成，本发明形成微透镜层的工艺简单，仅需成膜、退火和酸或碱处理等步骤，无需复杂的构图工艺，制造成本低，有利于大面积规模化生产。
可选地，所述微透镜层的厚度范围为40～150nm，此厚度范围的微透镜层对从阳极出射的光有较好的汇聚作用，且不会影响阵列基板的整体厚度。
步骤S110、在平坦层上形成采用构图工艺形成依次贯穿平坦化层107和钝化层105的过孔。
本步骤中，过孔可选的可由贯穿平坦化层107的平坦化层过孔与贯穿钝化层105的钝化层过孔构成，平坦化层过孔的孔径大于钝化层过孔，以提高后续形成于过孔内的阳极的薄膜质量，增强阳极的导电性。
过孔的形成过程可选的可为：利用构图工艺对平坦化层107上待形成平坦化层过孔的区域进行曝光和显影，形成暴露出钝化层105的平坦化层过孔；之后利用构图工艺在待形成钝化层过孔的区域形成具有钝化层过孔图形的光刻胶层，以该光刻胶层为掩膜刻蚀钝化层105，直至暴露出包括源极1045和漏极1046的图形的表面(即暴露出连接金属层的表面)，形成钝化层过孔，该钝化层过孔与平坦化层过孔共同构成过孔。
以上步骤中，若彩色树脂层105覆盖过孔区域，上述过孔还应当贯穿彩色树脂层，同样的，若形成微透镜层的区域覆盖过孔区域，上述过孔还应当贯穿微透镜层。
步骤S111、形成阵列基板的阳极，阳极通过过孔连接至漏极。
本步骤中，形成阳极的材料为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌、氧化铟镓锌中的一种或其组合。形成阳极材料层后通过构图工艺形成阳极图形。
需要指出的是，在步骤S110中，微透镜层形成后再制备过孔，本发明实施例还可以先制备过孔再形成微透镜层，也可以在平坦层和钝化层过孔形成后制备整层微透镜层，微透镜层材料填充过孔，后续形成的阳极1021通过微透镜层材料与漏极1046电连接，这里不对各种变形结构一一赘述。
S112、形成有机发光二极管102的有机发光材料层1022和阴极1023。
有机发光材料层1022可采用蒸镀工艺或者溶液制程工艺制备，阴极采用蒸镀工艺制备。需要说明的是，有机发光材料层1022可以为发出各种颜色光的材料，可选的，当有机发光材料层包括红、绿、蓝色发光材料时，步骤S17可以省略，另外，在形成阳极1021之后，形成有机发光材料层1022之前还可以制作像素界定层108。
另外，上述步骤S11～S112所形成的阵列基板为底栅ESL(Etch Stop Layer，刻蚀阻挡层)结构，在本发明的其它实施例中，阵列基板还可采用顶栅、BCE(Back ChannelEtching，背沟道刻蚀)结构。
本实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括有机发光二极管阳极以及至少在所述阳极与基板之间设置的微透镜层，所述微透镜层位于所述有机发光二极管阳极与所述基板之间，所述微透镜层的材料为氮氧化锌。
本实施例所提供的阵列基板中，如图1所示，在阳极1021和基板101之间且至少在所述阳极1021与基板101之间设置的微透镜层103，所述微透镜层103的材料为氮氧化锌，微透镜层103可对从阳极1021射出的光线进行折射，如图2所示，使得从阳极射出的四面八方的光汇聚，经过微透镜层汇聚后的光其相对于基板101的入射角将变小。相比于现有技术，本发明实施例提供的阵列基板更不易发生全反射，因而具有更高的出光效率，有利于实现低功耗显示。并且，本发明实施例中，所述微透镜层的材料为氮氧化锌，氮氧化锌材料透明，不影响阵列基板的透过率；氮氧化锌折射率在1.9-2之间，有机发光二极管的阳极1021(以ITO为例)折射率为1.8，基板的折射率为1.5-1.7之间，将氮氧化锌设置于阳极1021和基板101之间，上述折射率的匹配使其汇聚效果更加突出；且申请人通过实验发现，氮氧化锌形成微透镜层的工艺简单易行，无需复杂的构图工艺即可形成微透镜层103，制程简单，成本低，有利于实现大规模生产。使用氮氧化锌材料形成微透镜层的工艺已在阵列基板的制作方法上已经做过说明，在此不再过多赘述。
可选地，形成的所述微透镜层对应覆盖整个基板表面，此种微透镜层将极大提高出光效率。
本发明实施例中的阳极材料为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌、氧化铟镓锌中的一种或其组合；所述基板材料为玻璃或者塑料。
通过前述本发明实施例提供的方法制备的微透镜层为多个凸透镜，凸透镜对光可以起到较好的汇聚效果；当然通过酸或碱处理后，氮氧化锌表面形成有具有球形或半球形的凸起，这些凸起构成微透镜层同样对光具有汇聚作用，形成的所述微透镜层的厚度范围为40～150nm。
如图4所示，为实现有源驱动，本发明实施例提供的阵列基板100还包括薄膜晶体管104，所述阳极1021所述薄膜晶体管的漏极1046电连接。
以下将结合图4对本发明实施例提供的一种阵列基板作简要描述。
如图所示，所示阵列基板包括基板101，位于基板之上的薄膜晶体管104，薄膜晶体管包括栅极1041、栅极绝缘层1042、有源层1043、刻蚀阻挡层1044、源极1045和漏极1046。薄膜晶体管上形成有钝化层105，钝化层105上形成有彩色树脂层106，彩色树脂层106上形成有平坦层107，平坦层107上形成有微透镜层103，微透镜层位于所述有机发光二极管阳极1021与平坦层之间，所述微透镜层的材料为氮氧化锌，微透镜层的形成工艺采用本发明阵列基板的制作方法，在此不再赘述。阳极上方设置有有机发光材料层1022和阴极1023。图4所示的阵列基板，从阳极射出的四面八方的光汇聚，经过微透镜层汇聚后的光其相对于基板101的入射角将变小。相比于现有技术，本发明实施例提供的阵列基板更不易发生全反射，因而具有更高的出光效率，有利于实现低功耗显示。
图4所示阵列基板为底栅ESL(Etch Stop Layer，刻蚀阻挡层)结构，在本发明的其它实施例中，阵列基板还可采用顶栅、BCE(Back Channel Etching，背沟道刻蚀)结构。
当然，本发明微透镜层103形成的位置可根据阵列基板具体结构而定，以上只是一种微透镜层形成位置的具体实施例，但是不发明不对微透镜层形成位置作限定，只要满足至少在阳极与基板之间形成微透镜层即为本发明保护范围。
例如，本发明实施例提供的阵列基板中，参考前述阵列基板的制备方法中具体的微透镜层103的形成位置：
在一种实施例中，所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管104之上的钝化层105，所述微透镜层103位于所述钝化层105与所述阳极1021之间，所述钝化层105与所述微透镜层103具有暴露所述薄膜晶体管104漏极1046的过孔，所述阳极1021通过所述过孔与所述薄膜晶体管104的漏极1046电连接；
在另一种实施例中，所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管104之上的钝化层105以及位于钝化层105上的平坦层107，所述微透镜层103位于所述平坦化层107和所述阳极1021之间，所述钝化层105、所述平坦层107与所述微透镜层103具有暴露所述薄膜晶体管104漏极1046的过孔，所述阳极1021通过所述过孔与所述薄膜晶体管104的漏极1046电连接。
在其他实施例中，微透镜103还可以形成在其他结构膜层上，如
薄膜晶体管104还包括栅极绝缘层1042，所述微透镜层103直接形成在所述栅极绝缘层1042之上；或者，
所述微透镜层103直接形成在所述基板101之上；或者，
所述阵列基板还包括彩色树脂层106，所述微透镜层103直接形成在所述彩色树脂层106之上。
本发明阵列基板同样可以为PMOLED阵列基板。
本实施例还提供了一种显示面板，包括以上所述的阵列基板。本发明实施例提供的显示面板出光效率高，有利于实现低功耗显示。本发明实施例提供的显示面板除上述提及的结构，还可以包括其他结构，如封装层等，在此不做限定。
本实施例还提供了一种显示装置，包括以上所述的显示面板。本发明实施例提供的显示面板出光效率高，有利于实现低功耗显示。
需要说明的是，本实施例所提供的OLED显示装置可为WOLED(White OrganicLight-Emitting Diode，白光有机发光二极管)显示装置，也可为POLED(Polymer OrganicLight-Emitting Diode，聚合物有机发光二极管)显示装置等。
另外，本实施例中的OLED显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
基于本发明的技术方案，本领域技术人员能够很容易的得到，本发明的OLED显示装置还可为其他结构，不同结构所对应的制作方法可基于本实施例中的制作方法相应变形得到。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种阵列基板的制作方法，包括在基板上形成有机发光二极管阳极的步骤，其特征在于，在形成所述有机发光二极管阳极的步骤之前，所述方法还包括：至少在阳极与基板之间形成微透镜层，所述微透镜层的材料为氮氧化锌；
所述在形成有机发光二极管的阳极之前至少在阳极与基板之间形成微透镜层，包括：通过成膜工艺在基板上形成氮氧化锌薄膜后进行退火工艺，然后利用酸或碱对氮氧化锌薄膜进行处理，使所述氮氧化锌薄膜表面形成具有球形或半球形的凸起，多个所述凸起构成所述微透镜层；
所述退火工艺的退火温度范围为350～500摄氏度，退火时间范围为10分钟～3小时；
所述利用酸或碱对氮氧化锌薄膜进行处理，所述碱为质量浓度0.1％～5％氢氧化钠的水溶液、质量浓度0.1％～5％氢氧化钾的水溶液或质量浓度0.1％～5％碳酸钠的水溶液；所述酸为质量浓度0.1％～5％盐酸、质量浓度0.1％～5％醋酸、质量浓度0.1％～5％草酸或质量浓度0.1％～5％硝酸。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成的所述微透镜层对应覆盖整个基板表面。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述微透镜层的厚度范围为40～150nm。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述阳极之前所述方法还包括形成薄膜晶体管的步骤，所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述薄膜晶体管表面形成钝化层；
在所述钝化层上形成所述微透镜层，对所述钝化层与所述微透镜层进行构图工艺形成暴露所述薄膜晶体管漏极的过孔；
在所述微透镜层上形成所述阳极，所述阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；
或者所述方法还包括：
在所述薄膜晶体管表面形成钝化层，在钝化层上形成平坦层；
在所述平坦层上形成所述微透镜层，对所述钝化层、平坦层和所述微透镜层进行构图工艺形成暴露所述薄膜晶体管漏极的过孔；
在所述微透镜层上形成所述阳极，所述阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，
所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，所述微透镜层直接形成在所述栅极绝缘层之上；或者，
所述微透镜层直接形成在所述基板之上；或者，
所述阵列基板还包括彩色树脂层，所述微透镜层直接形成在所述彩色树脂层之上。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述阳极材料为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌、氧化铟镓锌中的一种或其组合；所述基板材料为玻璃或者塑料。
8.根据权利要求1-6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述微透镜层为多个凸透镜。
9.一种如权利要求1所述的制作方法制作的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括有机发光二极管阳极以及至少在所述阳极与基板之间设置的微透镜层，所述微透镜层的材料为氮氧化锌。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，形成的所述微透镜层对应覆盖整个基板表面。
11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极材料为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌、氧化铟镓锌中的一种或其组合，所述基板材料为玻璃或者塑料。
12.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述微透镜层为多个凸透镜。
13.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述氮氧化锌表面具有球形或半球形的凸起，所述微透镜层的厚度范围为40～150nm。
14.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
15.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管之上的钝化层，所述微透镜层位于所述钝化层与所述阳极之间，所述钝化层与所述微透镜层具有暴露所述薄膜晶体管漏极的过孔，所述阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；或者
所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管之上的钝化层以及位于钝化层上的平坦层，所述微透镜层位于所述平坦化层和所述阳极之间，所述钝化层、所述平坦层与所述微透镜层具有暴露所述薄膜晶体管漏极的过孔，所述阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
16.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，
所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，所述微透镜层直接形成在所述栅极绝缘层之上；或者，
所述微透镜层直接形成在所述基板之上；或者，
所述阵列基板还包括彩色树脂层，所述微透镜层直接形成在所述彩色树脂层之上。
17.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求9-16任一所述的阵列基板。
18.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求17所述的显示面板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10008697B2 (en) * 2015-08-31 2018-06-26 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device
CN106449719B (zh) * 2016-11-17 2019-08-23 广东聚华印刷显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、装置及制作方法
CN106531768A (zh) * 2016-12-07 2017-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法
CN106647031B (zh) * 2016-12-27 2023-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种发光模块、显示装置及发光模块的制作方法
CN107331684B (zh) * 2017-06-27 2020-05-26 联想(北京)有限公司 一种显示单元、方法及显示设备
CN111599932B (zh) * 2019-02-20 2023-02-03 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种oled显示面板及oled显示器
CN114994974A (zh) * 2022-05-30 2022-09-02 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4524843B2 (ja) * 2000-03-16 2010-08-18 ソニー株式会社 直視型表示装置
JP4340199B2 (ja) * 2004-07-09 2009-10-07 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
CN101533850B (zh) * 2008-03-13 2012-07-04 奇美电子股份有限公司 有机发光二极管显示装置及其显示系统
CN102544390B (zh) * 2010-12-07 2015-03-25 群康科技(深圳)有限公司 微透镜结构的制造方法及包含其的影像显示系统
CN103633251B (zh) * 2012-08-29 2016-12-21 固安翌光科技有限公司 光取出部件及应用其的有机电致发光器件及制备方法

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