CN115268156A - 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置 - Google Patents

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CN115268156A CN202211032180.2A CN202211032180A CN115268156A CN 115268156 A CN115268156 A CN 115268156A CN 202211032180 A CN202211032180 A CN 202211032180A CN 115268156 A CN115268156 A CN 115268156A
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Abstract

本发明提供一种阵列基板，包括：第一衬底；第一金属层，形成在第一衬底上，包括第一遮挡层和叠置在第一遮挡层上的第一导电层，第一导电层包括栅极、扫描线和第一周边连线，栅极和扫描线相连并位于显示区域，第一周边连线位于非显示区域；栅极绝缘层，形成在第一衬底上并覆盖第一金属层层；半导体材料层，形成在栅极绝缘层上，包括位于栅极上方的有源层和与有源层间隔设置的底层图案；第二遮挡层，形成在底层图案上；第二金属层，形成在第二遮挡层上，第二金属层包括源极，漏极和数据线。本发明的阵列基板可降低内部的金属材料反射光的问题，提高显示品质。

Description

阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置。
背景技术
在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示装置市场占据了主导地位。随着显示技术的不断进步，触控装置已经逐渐遍及人们的生活中，由于近年来液晶显示技术的成熟发展，将触控技术结合于液晶显示面板逐渐成为一种趋势。
现有的触控技术主要有外挂式、单玻璃触控式(One Glass Solution，OGS)、内嵌式(In cell)和外嵌式(On cell)等触控技术。On Cell触控技术是将触控感测层设置在液晶显示面板的彩色滤光基板外侧，是目前液晶显示装置中的主流触控技术之一。为了进一步提高具有On Cell触控技术的液晶显示装置的窄边框甚至无边框设计，提高产品竞争力，On Cell触控技术进一步设计了将触控感测层设置在液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板一侧的架构，这样可以大幅度窄化印刷电路板绑定区占用的边框面积，实现窄边框或无边框。但该架构还存在一些问题，当薄膜晶体管阵列基板面朝上时，因为薄膜晶体管阵列基板内的形成薄膜晶体管阵列的金属材料多为铝或铜，反光效应比较剧烈，最后造成反射率奇高，最终导致产品画面品质太差、色域太低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置，可降低薄膜晶体管阵列基板内部的金属材料反射光的问题，提高显示品质。
发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：
提供第一衬底，所述第一衬底具有显示区域和非显示区域；
在第一衬底上依次整面沉积第一遮光层薄膜和第一导电层薄膜；利用第一道黄光制程对所述第一遮光层薄膜和所述第一导电层薄膜进行图形化以形成第一金属层，所形成的所述第一金属层包括第一遮挡层和叠置在所述第一遮挡层上的第一导电层；其中，所述第一导电层包括栅极、扫描线和第一周边连线，所述栅极和所述扫描线相连并位于所述显示区域，所述第一周边连线位于非显示区域；
在形成所述第一金属层的所述第一衬底上依次沉积一层栅极绝缘层薄膜、一层半导体材料层薄膜和一层第二遮挡层薄膜；利用第二道黄光制程对所述第二遮挡层薄膜进行图案化形成第二遮挡层；
利用第三道黄光制程所述半导体材料层薄膜进行图案化形成半导体材料层；所形成的所述半导体材料层包括位于所述栅极上方的有源层和与所述有源层间隔设置的底层图案；以及
沉积第二金属层薄膜，利用第四道黄光制程对所述第二金属层薄膜进行图案化形成第二金属层；所形成的所述第二金属层包括源极、漏极和数据线，所述源极和所述漏极相互间隔并部分覆盖在所述有源层上与所述有源层接触连接。
进一步地，该制作方法还包括：
形成覆盖所述源极、所述漏极和所述数据线的第一钝化层；
形成覆盖所述第一钝化层的平坦层；
形成位于所述平坦层上的公共电极；
形成覆盖所述公共电极的第二钝化层；
形成位于所述第二钝化层上的像素电极和第二周边连线，其中，所述像素电极位于所述显示区域，所述第二周边连线位于非显示区域；所述第二钝化层、所述平坦层和所述第一钝化层中与所述漏极相对应的位置形成有第一接触孔，所述像素电极填入所述第一接触孔中并与所述漏极导电连接；所述第二钝化层、所述平坦层、所述第一钝化层和所述栅极绝缘层中与所述第一周边连线相对应的位置形成有所述第二接触孔，所述第二周边连线填入所述第二接触孔中并与所述第一周边连线导电连接。
本发明提供一种阵列基板，包括：第一衬底，所述第一衬底具有显示区域和非显示区域；第一金属层，形成在所述第一衬底上，包括第一遮挡层和叠置在所述第一遮挡层上的第一导电层，所述第一导电层包括栅极、扫描线和第一周边连线，所述栅极和所述扫描线相连并位于所述显示区域，所述第一周边连线位于所述非显示区域；栅极绝缘层，形成在所述第一衬底上并覆盖第所述一金属层层；半导体材料层，形成在所述栅极绝缘层上，包括位于所述栅极上方的有源层和与所述有源层间隔设置的底层图案；第二遮挡层，形成在所述底层图案上；第二金属层，形成在所述第二遮挡层上，所述第二金属层包括源极，漏极和数据线，所述源极和所述漏极相互间隔并部分覆盖在所述有源层上与所述有源层接触连接。
进一步地，所述第一遮挡层和所述第一导电层在一个黄光制程中图案化形成；所述第二遮挡层先于所述半导体材料层图案化形成。
进一步地，所述第一遮挡层和所述第二遮挡层由低反射率的材料形成。
进一步地，所述第一遮挡层和所述第二遮挡层的材料为氧化钼；所述第一导电层的材料由铝/钼二层金属堆叠形成；所述第二金属层的材料由钼/铝/钼三层金属堆叠形成。
进一步地，还包括：覆盖所述源极、所述漏极和所述数据线的第一钝化层；覆盖所述第一钝化层的平坦层；位于所述平坦层上的公共电极；覆盖所述公共电极的第二钝化层；位于所述第二钝化层上的像素电极和第二周边连线，其中，所述像素电极位于所述显示区域，所述第二周边连线位于所述非显示区域；所述第二钝化层、所述平坦层和所述第一钝化层中与所述漏极相对应的位置形成有第一接触孔，所述像素电极填入所述第一接触孔中并与所述漏极导电连接；所述第二钝化层、所述平坦层、所述第一钝化层和所述栅极绝缘层中与所述第一周边连线相对应的位置形成有第二接触孔，所述第二周边连线填入所述第二接触孔中并与所述第一周边连线导电连接。
本发明还提供一种液晶显示面板，包括上述的阵列基板和与所述薄膜晶体管阵列基板对置的彩色滤光基板，所述阵列基板与所述彩色滤光基板之间夹设有液晶层。
本发明还提供一种触控显示装置，包括上述的液晶显示面板，所述触控显示装置还包括触控感测层，所述触控感测层设置在所述阵列基板的所述第一衬底的背离所述彩色滤光基板的表面上。
进一步地，所述触控感测层包括绝缘设置第一触控电极层和第二触控电极层，以及与所述第一触控电极层和所述第二触控电极层相连的触控绑定端；所述触控绑定端设置在所述非显示区域。
本发明提供的阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置，利用第一遮挡层和第二遮挡层，将形成薄膜晶体管开关、扫描线和数据线的反光金属材料覆盖，在实现了窄边框或无边框基础上，有效地解决了薄膜晶体管阵列基板内部的金属材料反光导致的产品画面品质太差、色域太低的问题，提高了显示品质。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置的其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明。
附图说明
图1为本发明较佳实施例的阵列基板的局部截面结构示意图；
图2为本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的局部结构示意图；
图3a至图3g为本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的制作过程的局部截面结构示意图；
图4为本发明较佳实施例的液晶显示面板的局部截面结构示意图；
图5为本发明较佳实施例的触控显示装置的局部截面结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：
有关本发明的前述及其它技术内容、特点及功效，在以下配合参考图的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
图1为本发明较佳实施例的阵列基板的局部截面结构示意图，图2为本发明较佳实施例的阵列基板的局部结构示意图，请一并参阅图1和图2所示，本发明实施例提供的阵列基板100包括：
第一衬底110，该第一衬底110具有显示区域101和非显示区域102。第一金属层120，形成在第一衬底110上，包括第一遮挡层121和叠置在第一遮挡层121上的第一导电层122，其中，第一遮挡层121和第一导电层122在一个黄光制程中图案化形成。第一导电层122包括栅极1221、扫描线1222和第一周边连线1223，栅极1221和扫描线1222相连并位于显示区域101，第一周边连线123位于非显示区域102。栅极绝缘层130，形成在第一衬底110上并覆盖第一金属层120层。半导体材料层140，形成在栅极绝缘层130上，包括位于栅极1221上方的有源层141和与有源层141间隔设置的底层图案142。第二遮挡层150，形成在底层图案142上。第二遮挡层150未覆盖有源层141。第二金属层160，形成在第二遮挡层150上，第二金属层160包括源极161、漏极162和数据线163，源极161和漏极162相互间隔并部分覆盖在有源层141上与该有源层141接触连接。
本发明的阵列基板100中，由栅极1221、有源层141、源极161和漏极162形成薄膜晶体管开关103。
进一步地，第二遮挡层150先于半导体材料层140图案化形成。第二遮挡层150的图案化完成后，再进行半导体材料层140的图案化制作，这样可有效防止先形成有源层141时有源层141多次被液体冲刷造成的缺失。
具体地，在图案化形成第二遮挡层150和半导体材料层140前，先依次整面形成栅极绝缘层薄膜、半导体材料层薄膜和第二遮挡层薄膜，然后利用黄光制程对第二遮挡层薄膜图案化形成第二遮挡层150，之后再利用另一黄光制程对半导体材料层薄膜图案化形成半导体材料层140(有源层141)。
进一步地，第一遮挡层121和第二遮挡层150由低反射率的不透光材料形成。
进一步地，第一遮挡层121和第二遮挡层150的材料为氧化钼(MoOx)。
进一步地，第一导电层122的材料由铝/钼(Al/Mo)二层金属堆叠形成。
进一步地，第二金属层160的材料由钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)三层金属堆叠形成。
本实施例中，由于形成栅极1221、扫描线1222和第一周边连线123靠近第一衬底110一侧设有第一遮挡层121，源极161、漏极162和数据线163靠近第一衬底110一侧设有第二遮挡层150，当光线从第一衬底110一侧入射至阵列基板100时，用于形成薄膜晶体管开关103、扫描线1222和数据线163的反光金属材料均被反射率较低的第一遮挡层121和第二遮挡层150覆盖，有效地防止了因金属材料反光导致的产品画面品质太差、色域太低的问题，提高了显示品质。
进一步地，阵列基板100还包括：
覆盖源极161、漏极162和数据线163的第一钝化层171；
覆盖第一钝化层171的平坦层172；
位于平坦层172上的公共电极173；
覆盖公共电极173的第二钝化层174；
位于第二钝化层174上的像素电极175和第二周边连线176，其中，像素电极175位于显示区域101，第二周边连线176位于非显示区域102。第二钝化层174、平坦层172和第一钝化层171中与漏极162相对应的位置形成有第一接触孔181，像素电极175填入第一接触孔181中并与漏极162导电连接。第二钝化层174、平坦层172、第一钝化层171和栅极绝缘层130中与第一周边连线1223相对应的位置形成有第二接触孔182，第二周边连线176填入第二接触孔182中并与第一周边连线1223导电连接。
本发明还提供一种阵列基板的制作方法，图3a至图3e为本发明较佳实施例的阵列基板的制作过程的局部截面结构示意图，该制作方法包括：
提供第一衬底110。第一衬底110为透明基底。该第一衬底110具有显示区域101和非显示区域102。
在第一衬底110上形成第一金属层120。如图3a所示，在第一衬底110上依次整面沉积第一遮光层薄膜和第一导电层薄膜。本实施例中，第一遮光层薄膜由低反射率的不透光材料形成，具体材料例如是氧化钼(MoOx)；第一导电层薄膜的材料例如是铝/钼(Al/Mo)二层金属，可先沉积一层铝层再沉积一层钼层，也即是说本步骤是先在第一衬底110依次整面沉积一层氧化钼层、一层铝层和一层钼层。
如图3b所示，利用第一道黄光制程对第一遮光层薄膜和第一导电层薄膜进行图形化以形成第一金属层120，并使所形成的第一金属层120包括第一遮挡层121和叠置在第一遮挡层121上的第一导电层122。其中，第一导电层122包括栅极1221、扫描线1222(如图2所示)和第一周边连线1223，栅极1221和扫描线1222相连并位于显示区域101，第一周边连线123位于非显示区域102。
如图3c所示，在形成第一金属层120的第一衬底110上依次沉积一层栅极绝缘层薄膜、一层半导体材料层薄膜和一层第二遮挡层薄膜。
第二遮挡层薄膜由低反射率的不透光材料形成，具体例如是氧化钼(MoOx)。
如图3d所示，利用第二道黄光制程对该第二遮挡层薄膜进行图案化形成第二遮挡层150。第二遮挡层150在第一遮挡层121上方的位置为镂空区域，以便于后期形成有源层141时暴露出来。
如图3e所示，利用第三道黄光制程该半导体材料层薄膜进行图案化形成半导体材料层140，所形成的半导体材料层140包括位于栅极1221上方的有源层141和与有源层141间隔设置的底层图案142，底层图案142即是被第二遮挡层150遮挡的区域，即底层图案142与第二遮挡层150的图案相同。
栅极绝缘层薄膜形成栅极绝缘层130，栅极绝缘层130覆盖第一金属层120。
如图3f所示，沉积第二金属层薄膜，第二金属层薄膜的材料由钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)三层金属堆叠形成，即依次沉积一层钼层、一层铝层和一层钼层。
如图3g所示，利用第四道黄光制程对第二金属层薄膜进行图案化形成第二金属层160，所形成的第二金属层160包括源极161、漏极162和数据线163(如图2所示)，源极161和漏极162相互间隔并部分覆盖在有源层141上与该有源层141接触连接。
上述步骤即完成了阵列基板100中薄膜晶体管开关103、扫描线1222、数据线163和部分的周边连线等的制作。由于形成栅极1221、扫描线1222和第一周边连线123靠近第一衬底110一侧设有第一遮挡层121，源极161、漏极162和数据线163靠近第一衬底110一侧设有第二遮挡层150，当光线从第一衬底110一侧入射至薄膜晶体管阵列基板100时，用于形成薄膜晶体管开关103、扫描线1222和数据线163的反光金属材料均被反射率较低的第一遮挡层121和第二遮挡层150覆盖，有效地防止了因金属材料反光导致的产品画面品质太差、色域太低的问题，提高了显示品质。
请再参阅图1，阵列基板100的制作方法还包括：
形成覆盖源极161、漏极162和数据线163的第一钝化层171；
形成覆盖第一钝化层171的平坦层172；
形成位于平坦层172上的公共电极173；
形成覆盖公共电极173的第二钝化层174；
形成位于第二钝化层174上的像素电极175和第二周边连线176，其中，像素电极175位于显示区域101，第二周边连线176位于非显示区域102。第二钝化层174、平坦层172和第一钝化层171中与漏极162相对应的位置形成有第一接触孔181，像素电极175填入第一接触孔181中并与漏极162导电连接。第二钝化层174、平坦层172、第一钝化层171和栅极绝缘层130中与第一周边连线1223相对应的位置形成有第二接触孔182，第二周边连线176填入第二接触孔182中并与第一周边连线1223导电连接。
本发明还提供一种液晶显示面板，图4为本发明较佳实施例的液晶显示面板的局部截面结构示意图，请一并参阅图2和图4，该液晶显示面板包括上述的阵列基板100和与该阵列基板100对置的彩色滤光基板200，阵列基板100与彩色滤光基板200之间夹设有液晶层400。
彩色滤光基板200包括第二衬底210和设置在第二衬底210上的有彩色色阻层220和黑矩阵层230，黑矩阵层230对应薄膜晶体管阵列基板100上薄膜晶体管开关103、扫描线1222和数据线163等不透光的位置。
本发明还提供一种触控显示装置，图5为本发明较佳实施例的触控显示装置的局部截面结构示意图，如图5所示，触控显示装置包括上述的液晶显示面板。触控显示装置还包括触控感测层300，触控感测层300设置在阵列基板100的第一衬底110的背离彩色滤光基板200的表面上。即，阵列基板100的第一衬底110具有相背离的第一表面和第二表面，第一表面面向彩色滤光基板200并设有薄膜晶体管阵列(即薄膜晶体管开关103)，第二表面背离彩色滤光基板200，触控感测层300设置在第一衬底110未设置薄膜晶体管阵列的第二表面上。
具体地，触控感测层300包括绝缘设置第一触控电极层310和第二触控电极层330，以及设置在非显示区域102并与第一触控电极层310和第二触控电极层330相连的触控绑定端350。本实施例中，触控绑定端350设置在非显示区域102，触控绑定端350与阵列基板100的印刷电路板绑定区分别位于第一衬底110的两侧，大幅度减小了非显示区域的面积，实现更窄的边框或无边框结构。
本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示面板及触控显示装置中，在实现了窄边框或无边框基础上，有效地解决了薄膜晶体管阵列基板内金属材料反光导致的产品画面品质太差、色域太低的问题，提高了显示品质。
以上对本发明所提供的阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底(110)，所述第一衬底(110)具有显示区域(101)和非显示区域(102)；
在第一衬底(110)上依次整面沉积第一遮光层薄膜和第一导电层薄膜；利用第一道黄光制程对所述第一遮光层薄膜和所述第一导电层薄膜进行图形化以形成第一金属层(120)，所形成的所述第一金属层(120)包括第一遮挡层(121)和叠置在所述第一遮挡层(121)上的第一导电层(122)；其中，所述第一导电层(122)包括栅极(1221)、扫描线(1222)和第一周边连线(1223)，所述栅极(1221)和所述扫描线(1222)相连并位于所述显示区域(101)，所述第一周边连线(123)位于非显示区域(102)；
在形成所述第一金属层(120)的所述第一衬底(110)上依次沉积一层栅极绝缘层薄膜、一层半导体材料层薄膜和一层第二遮挡层薄膜；利用第二道黄光制程对所述第二遮挡层薄膜进行图案化形成第二遮挡层(150)；
利用第三道黄光制程所述半导体材料层薄膜进行图案化形成半导体材料层(140)；所形成的所述半导体材料层(140)包括位于所述栅极(1221)上方的有源层(141)和与所述有源层(141)间隔设置的底层图案(142)；以及
沉积第二金属层薄膜，利用第四道黄光制程对所述第二金属层薄膜进行图案化形成第二金属层(160)；所形成的所述第二金属层(160)包括源极(161)、漏极(162)和数据线(163)，所述源极(161)和所述漏极(162)相互间隔并部分覆盖在所述有源层(141)上与所述有源层(141)接触连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：
形成覆盖所述源极(161)、所述漏极(162)和所述数据线(163)的第一钝化层(171)；
形成覆盖所述第一钝化层(171)的平坦层(172)；
形成位于所述平坦层(172)上的公共电极(173)；
形成覆盖所述公共电极(173)的第二钝化层(174)；
形成位于所述第二钝化层(174)上的像素电极(175)和第二周边连线(176)，其中，所述像素电极(175)位于所述显示区域(101)，所述第二周边连线(176)位于非显示区域(102)；所述第二钝化层(174)、所述平坦层(172)和所述第一钝化层(171)中与所述漏极(162)相对应的位置形成有第一接触孔(181)，所述像素电极(175)填入所述第一接触孔(181)中并与所述漏极(162)导电连接；所述第二钝化层(174)、所述平坦层(172)、所述第一钝化层(171)和所述栅极绝缘层(130)中与所述第一周边连线(1223)相对应的位置形成有所述第二接触孔(182)，所述第二周边连线(176)填入所述第二接触孔(182)中并与所述第一周边连线(1223)导电连接。
3.一种阵列基板(100)，其特征在于，包括：
第一衬底(110)，所述第一衬底(110)具有显示区域(101)和非显示区域(102)；
第一金属层(120)，形成在所述第一衬底(110)上，包括第一遮挡层(121)和叠置在所述第一遮挡层(121)上的第一导电层(122)，所述第一导电层(122)包括栅极(1221)、扫描线(1222)和第一周边连线(1223)，所述栅极(1221)和所述扫描线(1222)相连并位于所述显示区域(101)，所述第一周边连线(123)位于所述非显示区域(102)；
栅极绝缘层(130)，形成在所述第一衬底(110)上并覆盖第所述一金属层(120)层；
半导体材料层(140)，形成在所述栅极绝缘层(130)上，包括位于所述栅极(1221)上方的有源层(141)和与所述有源层(141)间隔设置的底层图案(142)；
第二遮挡层(150)，形成在所述底层图案(142)上；
第二金属层(160)，形成在所述第二遮挡层(150)上，所述第二金属层(160)包括源极(161)，漏极(162)和数据线(163)，所述源极(161)和所述漏极(162)相互间隔并部分覆盖在所述有源层(141)上与所述有源层(141)接触连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板(100)，其特征在于，
所述第一遮挡层(121)和所述第一导电层(122)在一个黄光制程中图案化形成；
所述第二遮挡层(150)先于所述半导体材料层(140)图案化形成。
5.如权利要求4所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述第一遮挡层(121)和所述第二遮挡层(150)由低反射率的材料形成。
6.如权利要求5所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述第一遮挡层(121)和所述第二遮挡层(150)的材料为氧化钼；
所述第一导电层(122)的材料由铝/钼二层金属堆叠形成；
所述第二金属层(160)的材料由钼/铝/钼三层金属堆叠形成。
7.如权利要求3所述的阵列基板(100)，其特征在于，还包括：
覆盖所述源极(161)、所述漏极(162)和所述数据线(163)的第一钝化层(171)；
覆盖所述第一钝化层(171)的平坦层(172)；
位于所述平坦层(172)上的公共电极(173)；
覆盖所述公共电极(173)的第二钝化层(174)；
位于所述第二钝化层(174)上的像素电极(175)和第二周边连线(176)，其中，所述像素电极(175)位于所述显示区域(101)，所述第二周边连线(176)位于所述非显示区域(102)；所述第二钝化层(174)、所述平坦层(172)和所述第一钝化层(171)中与所述漏极(162)相对应的位置形成有第一接触孔(181)，所述像素电极(175)填入所述第一接触孔(181)中并与所述漏极(162)导电连接；所述第二钝化层(174)、所述平坦层(172)、所述第一钝化层(171)和所述栅极绝缘层(130)中与所述第一周边连线(1223)相对应的位置形成有第二接触孔(182)，所述第二周边连线(176)填入所述第二接触孔(182)中并与所述第一周边连线(1223)导电连接。
8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求3至7任一项所述的阵列基板(100)和与所述阵列基板(100)对置的彩色滤光基板(200)，所述阵列基板(100)与所述彩色滤光基板(200)之间夹设有液晶层(400)。
9.一种触控显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的液晶显示面板，所述触控显示装置还包括触控感测层(300)，所述触控感测层(300)设置在所述阵列基板(100)的所述第一衬底(110)未设置薄膜晶体管阵列的表面上。
10.如权利要求9所述的触控显示装置，其特征在于，所述触控感测层(300)包括绝缘设置第一触控电极层(310)和第二触控电极层(330)，以及与所述第一触控电极层(310)和所述第二触控电极层(330)相连的触控绑定端(350)；所述触控绑定端(350)设置在所述非显示区域(102)。
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