CN110767660A - 阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板及其制备方法、显示面板。该阵列基板包括透明的衬底基板和电极结构，衬底基板包括第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，电极结构设置于第一主表面上，电极结构包括层叠的减反射层和第一电极层，减反射层位于第一电极层和衬底基板之间，以减小电极结构对从衬底基板的第二主表面入射到电极结构上的光的反射。电极结构可以减少阵列基板对光的反射，提高显示效果。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着社会的发展和进步，电子显示产品的应用越来越广泛，用户对电子显示产品的显示效果的要求也越来越高。然而，当前的电子显示产品在实际应用过程中，电子显示产品中的电极等构件会反射从外界入射的光线，而且因为不同的构件位于电子显示产品中的不同位置，使得电子显示产品的反射光的分布不均匀，从而对显示图像的对比度造成不良影响，降低电子显示产品的显示效果。
发明内容
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括透明的衬底基板和电极结构，所述衬底基板包括第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述电极结构设置于所述第一主表面上，所述电极结构包括层叠的减反射层和第一电极层，所述减反射层位于所述第一电极层和所述衬底基板之间，以减小所述电极结构对从所述衬底基板的第二主表面入射到所述电极结构上的光的反射。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，所述减反射层包括彼此层叠的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层位于所述第一电极层和所述第二膜层之间，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率不同，并且所述第一膜层的厚度设置来使得预定波长的光在所述第一膜层和所述第二膜层的界面处的反射光和所述第一电极层的面向所述减反射层的表面的反射光干涉相消。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，所述减反射层包括在所述第一电极层的面向所述衬底基板的一侧依次排布的多个减反射膜组，每个所述减反射膜组包括更靠近所述第一电极层的第一膜层和更靠近所述衬底基板的第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率不同，所述第一膜层的厚度设置来使得预定波长的光在所述第一膜层和所述第二膜层的界面处的反射光和所述第一电极层的面向所述减反射层的表面的反射光干涉相消。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，所述减反射层包括彼此层叠的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层位于所述第一电极层和所述第二膜层之间，所述第二膜层为部分透明金属层，所述第一膜层为透明层，且所述第一膜层和所述第二膜层的厚度设置为使得预定波长的光在所述第一电极层的面向所述减反射层的表面的反射光和所述部分透明金属层的远离所述第一电极层的表面的反射光干涉相消。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一电极层的反射率大于所述第二膜层的反射率。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一膜层的材料包括氧化钼；以及所述第二膜层的材料包括钼和铌钼合金中的至少一种。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影位于所述减反射层在所述衬底基板上的正投影之内或与所述减反射层在所述衬底基板上的正投影重合。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板，包括前述任一实施例中的阵列基板。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示面板还包括与所述阵列基板相对设置的对置基板，所述阵列基板的第二主表面位于所述显示面板的显示侧，所述阵列基板的第一主表面朝向所述对置基板。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，所述阵列基板包括多条信号线和多个薄膜晶体管，所述信号线和所述薄膜晶体管中的至少一个至少部分设置为所述电极结构中的所述第一电极层。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示面板还包括黑矩阵，其中，所述黑矩阵位于所述对置基板上；或者所述黑矩阵位于所述阵列基板上，以在所述显示侧至少遮挡所述信号线和所述薄膜晶体管的未设置为所述电极结构中的所述第一电极层的部分。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上构图形成减反射层和第一电极层以获得电极结构，其中，所述减反射层形成在所述第一电极层和所述衬底基板之间，以减小所述电极结构对从所述衬底基板的第二主表面入射到所述电极结构上的光的反射。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板的制备方法中，形成所述减反射层包括：在所述衬底基板上形成第二膜层；以及在所述第二膜层的远离衬底基板的一侧形成透明的第一膜层；其中，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率不同，所述第一膜层形成为使得预定波长的光在所述第一膜层和所述第二膜层的界面处的反射光和所述第一电极层表面的反射光干涉相消。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板的制备方法中，形成所述减反射层包括：在所述衬底基板上依次形成多个层叠的所述减反射模组以获得所述减反射层；其中，对于每个减反射模组，在所述衬底基板上形成第二膜层，在所述第二膜层的远离衬底基板的一侧形成第一膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率不同，所述第一膜层形成为使得预定波长的光在所述第一膜层和所述第二膜层的界面处的反射光和所述第一电极层表面的反射光干涉相消。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板的制备方法中，形成所述减反射层包括：在所述衬底基板上形成部分透明的金属材料薄膜作为第二膜层；以及在所述第二膜层的远离所述衬底基板的一侧上形成透明的材料薄膜作为第一膜层；其中，所述减反射层包括所述第一膜层和所述第二膜层，且所述第一膜层和所述第二膜层的厚度形成为使得预定波长的光在所述第一电极层表面的反射光和所述部分透明金属层表面的反射光干涉相消。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板的制备方法中，所述第一膜层的材料包括氧化钼，形成所述第一膜层的方法包括：提供氧化钼靶材，利用磁控溅射在所述衬底基板上形成氧化钼薄膜作为所述第一膜层；或者提供钼靶材和氧气，利用磁控溅射在所述衬底基板上形成氧化钼薄膜作为所述第一膜层。
在本公开至少一个实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板中，电极结构中的减反射层可以降低从衬底基板的第二主表面入射的光的反射，从而减少阵列基板对光的反射，提高阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为本公开一实施例提供的一种阵列基板的局部结构的截面图；
图2A为图1所示阵列基板中的电极结构的一种结构的截面图；
图2B为图1所示阵列基板中的电极结构的另一种结构的截面图；
图2C为图1所示阵列基板中的电极结构的另一种结构的截面图；
图3A为本公开一个实施例提供的反映铜、钼的反射率的光谱图；
图3B为本公开一个实施例提供的一种电极结构的反射率的光谱图；
图4为本公开一实施例提供的另一种阵列基板的局部结构的截面图；
图5A为本公开一个实施例提供的一种显示面板的局部结构的截面图；
图5B为本公开一个实施例提供的另一种显示面板的局部结构的截面图；
图6为本公开一个实施例提供的另一种显示装置的局部结构的截面图；以及
图7A～图7E为本公开一个实施例提供的一种阵列基板的制造方法的过程图。
附图标记：
10-阵列基板；20-对置基板；30-柔性电路板；40-背光源；100-衬底基板；101-第一主表面；102-第二主表面；110-显示区域；120-非显示区域；200-电极结构；210-减反射层；211-第一膜层；212-第二膜层；220-第一电极层；300-信号线；400-薄膜晶体管；500-黑矩阵；700-像素电极；800-公共电极；900-有机发光功能层。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的构件或者物件涵盖出现在该词后面列举的构件或者物件及其等同，而不排除其他构件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括透明的衬底基板和电极结构，衬底基板包括第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，电极结构设置于第一主表面上，电极结构包括层叠的减反射层和第一电极层，减反射层位于第一电极层和衬底基板之间，减反射层减小电极结构对从衬底基板的第二主表面入射到电极结构上的光的反射。
在本公开的实施例中，电极结构中的减反射层可以降低从衬底基板的第二主表面入射的光的反射，从而使得该电极结构对光的反射减小或者不会反射光线，从而当所述阵列基板被至于显示面板的显示侧时可减少阵列基板对光的反射，提高阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板的显示图像的对比度，从而提高显示效果。
下面，结合附图说明对根据本公开至少一个实施例中的阵列基板及其制备方法、显示面板进行说明。
图1为本公开一实施例提供的一种阵列基板的局部结构的截面图。
在本公开至少一个实施例中，如图1所示，阵列基板10包括透明的衬底基板100和电极结构200，衬底基板100包括第一主表面101和与第一主表面101相对的第二主表面102，电极结构200设置于第一主表面101上，电极结构200包括层叠的减反射层210和第一电极层220。减反射层210位于第一电极层220和衬底基板100之间，减反射层210减小电极结构200对从衬底基板100的第二主表面102入射到电极结构200上的光的反射。
在本公开至少一个实施例中，对第一电极层的材料不做限制。例如，第一电极层的材料可以包括铜、铝、钼、铬等金属及其合金。
下面，以第一电极层为具有一定反射率的铜或铝的金属膜为例，对本公开下述至少一个实施例中的技术方案进行说明。在第一电极层220具有一定反射率的情况下，减反射层210可以减小第一电极层220对从衬底基板100的第二主表面102入射到第一电极层220上的光的反射。需要说明的是，铜、铝等金属的反射率与厚度相关，所以第一电极层的反射率可以根据材料和厚度确定。例如，在本公开至少一个实施例中，在垂直于衬底基板所在面的方向上，第一电极层的厚度可以为1000埃～3000埃。
需要说明的是，在本公开下述至少一个实施例中，以衬底基板为基准建立空间直角坐标系，以对阵列基板以及显示面板中的各个结构的位置进行说明。如图1所示，在该空间直角坐标系中，X轴、Y轴(未示出，与X轴垂直)与衬底基板100的第一主表面101平行，Z轴与第一主表面101垂直。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，第一电极层在透明的衬底基板上的正投影位于减反射层在透明的衬底基板上的正投影之内或与减反射层在透明的衬底基板上的正投影重合。示例性的，如图1所示，在Z轴的方向上，第一电极层220在衬底基板100上的正投影位于减反射层210在衬底基板100上的正投影之内或与减反射层210在衬底基板100上的正投影重合。如此，在Z轴的方向上，减反射层210可以完全遮挡第一电极层220，进一步减小电极结构对光的反射率，进一步提高阵列基板的显示效果。
需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，对减反射层的结构不做限制，只要该减反射层可以减小电极结构对光的反射即可。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，减反射层包括彼此层叠的第一膜层和第二膜层，第一膜层位于第一电极层和第二膜层之间，第一膜层和第二膜层的折射率不同，并且第一膜层的厚度设置可以使得预定波长的光在第一膜层和第二膜层的界面处的反射光和第一电极层的面向减反射层的表面的反射光干涉相消。由于第一膜层和第二膜层之间的折射率存在差异，射入的光线在第一膜层和第二膜层的界面处会发生反射，如此，调节第一膜层的厚度，可以使得在第一膜层和第二膜层的界面以及第一膜层和第一电极层的界面处反射的至少部分光线发生干涉相消，从而降低电极结构对光的反射。
图2A为图1所示阵列基板中的电极结构的一种结构的截面图。示例性的，如图2A所示，减反射层210包括层叠的第一膜层211和第二膜层212，第一膜层211位于第二膜层212和第一电极层220之间。对于由衬底基板100一侧射入电极结构200中的入射光R，在第一膜层211和第二膜层212的界面处，该入射光R的第一部分光线R1被反射，第二部分光线R2射入第一膜层211中，射入第一膜层211中的第二部分光线R2被第一电极层220的面向第一膜层211的表面反射后传播至第一膜层211和第二膜层212的界面处。需要说明的是，在实现干涉相消的条件下，第一膜层的厚度由第一膜层和第二膜层之间的折射率关系决定，下面分别进行说明。
例如，在本公开至少一个实施例提供中，减反射层中的第二膜层的折射率大于第一膜层的折射率。如此，如图2A所示，在第一膜层211和第二膜层212的界面处被反射的第一部分光线R1不会产生相位突变(半波损失)，不会产生附加的光程差。如果设计第一膜层211的光学厚度，使得第二部分光线R2经第一电极层220反射且到达至第一膜层211和第二膜层212的界面处时，该第二部分光线R2与第一部分光线R1之间的相位差为180度，则第一部分光线R1与第二部分光线R2之间产生干涉相消。例如，第一部分光线R1与第二部分光线R2的相位差可以根据第一膜层211的光学厚度(折射率和厚度的乘积)进行调节。
例如，在本公开至少一个实施例中提供的阵列基板中，在减反射层中的第二膜层的折射率大于第一膜层的折射率的情况下，电极结构中的第一膜层设置为消除预定波长的光，第一膜层的光学厚度设置为该预定波长的四分之一的奇数倍。如此，在第一膜层和第二膜层的界面处，该预定波长的光的被第一膜层反射的部分(图2A中的第一部分光线R1)与被第一电极层反射的部分(图2A中的第二部分光线R2)的光程差为半波长的奇数倍，相应地，该两部分光线的相位相反，该两部分光线之间产生干涉相消。如此，具有上述结构的减反射层可以减少或者消除电极结构对该预定波长的光的反射，从而提高阵列基板的显示效果。
例如，在本公开至少一个实施例提供中，减反射层中的第二膜层的折射率小于第一膜层的折射率。如此，如图2A所示，在第一膜层211和第二膜层212的界面处被反射的第一部分光线R1会产生相位突变(半波损失)，会产生附加的预定波长的光的半波长的光程差。例如，将第一膜层211设置为消除预定波长的光，第一膜层211的光学厚度为该预定波长的二分之一的整数倍。如此，在第一膜层211和第二膜层212的界面处，第一部分光线R1与第二部分光线R2的光程差为半波长的奇数倍，相应地，第一部分光线R1与第二部分光线R2的相位相反，第一部分光线R1与第二部分光线R2之间产生干涉相消。如此，具有上述结构的减反射层210可以减少或者消除电极结构200对该预定波长的光的反射，从而提高阵列基板的显示效果。
在本公开至少一个实施例中，对上述预定波长的光的波长的范围不做限制。例如，该预定波长为特定波长范围的光的中心波长。例如，该特定波长范围的光为可见光。例如，该预定波长可以为430～700纳米，例如进一步为460纳米、550纳米、620纳米等。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，减反射层包括在第一电极层的面向透明的衬底基板的一侧依次排布的多个减反射膜组，每个减反射膜组包括更靠近第一电极层的第一膜层和更靠近透明的衬底基板的第二膜层，第一膜层和第二膜层的折射率不同，并且第一膜层的厚度设置可以使得预定波长的光在第一膜层和第二膜层的界面处的反射光和第一电极层的面向减反射层的表面的反射光干涉相消。如此，每个减反射膜组都可以设置为使得预定波长的光干涉相消，使得减反射层可以进一步降低预定波长的光的反射，或者使得减反射层可以使得多种不同波长的光产生干涉相消，从而进一步减小电极结构对光的反射，提高阵列基板的显示效果。需要说明的是，每个减反射组中的第一膜层和第二膜层的折射率关系、第一膜层的厚度可以参考前述实施例(例如与图2A相关的实施例)中的相关说明，在此不做赘述。
下面，以减反射层中的第一膜层的折射率小于第二膜层的折射率为例，对本公开下述至少一个实施例中的技术方案进行说明。
图2B为图1所示阵列基板中的电极结构的另一种结构的截面图。示例性的，如图2B所示，减反射层200包括多个减反射膜组213，每个减反射膜组213包括第一膜层211和第二膜层212，第一膜层211的折射率小于第二膜层212的折射率。多个减反射膜组213在第一电极层220和衬底基板100之间层叠设置，而且在每个减反射膜组213中，第一膜层211位于第一电极层220和第二膜层212之间。例如，每个减反射膜组213中的第一膜层211和第二膜层212的结构可以参考对图2A所示的实施例中的第一膜层211和第二膜层212的说明，在此不作赘述。
例如，在本公开至少一个实施例中，电极结构中的所有减反射膜组中的第一膜层的光学厚度设置为相同。如此，可以进一步降低电极结构对该预定波长的光的反射，进一步提高阵列基板的显示效果。
例如，在本公开至少一个实施例中，电极结构中的至少两个减反射膜组中的第一膜层的光学厚度设置为不相同。如此，电极结构可以减少至少两种预定波长的光的反射，从而提高在电极结构中可以被减反射的波长的光的范围，进一步提高阵列基板的显示效果。
示例性的，如图2B所示，电极结构200包括三个层叠的减反射膜组213。在该三个减反射膜组213中，一个减反射膜组213中的第一膜层211设置为消除预定波长的红光，第一膜层211的光学厚度为该红光的中心波长的四分之一，例如该红光的中心波长为620纳米；另一个减反射膜组213中的第一膜层211设置为消除预定波长的绿光，第一膜层211的光学厚度为该绿光的中心波长的四分之一，例如该绿光的中心波长为550纳米；再一个减反射膜组213中的第一膜层211设置为消除预定波长的蓝光，第一膜层211的光学厚度为该蓝光的中心波长的四分之一，例如该蓝光的中心波长为460纳米。如此，电极结构200可以使得部分红光、绿光、蓝光产生干涉相消，从而降低或者消除电极结构200对该部分红光、绿光、蓝光的反射，进一步提高阵列基板的显示效果。
在本公开至少一个实施例中，对减反射层的第二膜层的结构不做限制，只要第二膜层使得部分光透过并使得部分光被反射即可。例如，光线可以在第二膜层的远离第一膜层的表面上被反射，也可以在第二膜层和第一膜层的界面处反射。例如，在本公开一些实施例中，如前述实施例所述，第二膜层的折射率与第一膜层的折射率不同，使得光线在第一膜层和第二膜层的界面处发生反射。例如，在本公开另一些实施例中，第二膜层可以设置为至少部分透明的高反射膜层，从而使得入射光线中的一部分透过第二膜层，另一部分被第二膜层反射。下面，以第二膜层为至少部分透明的高反射膜层为例，对减反射层的结构进行说明。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，减反射层包括彼此层叠的第一膜层和第二膜层，第一膜层位于第一电极层和第二膜层之间，第二膜层为部分透明金属层，第一膜层为透明层，且该第一膜层和第二膜层的厚度设置可以使得预定波长的光在第一电极层的面向减反射层的表面的反射光和部分透明金属层(第二膜层)的远离第一膜层的表面的反射光干涉相消。
图2C为图1所示阵列基板中的电极结构的另一种结构的截面图。示例性的，如图2C所示，在不考虑电极结构中的膜层对光的吸收的情况下，对于由衬底基板100一侧射入电极结构200中的入射光L，在第二膜层212的远离第一膜层211的表面上，该入射光L的第一部分光线L1被反射，入射光L的第二部分光线L2射入第一膜层211中，射入第一膜层211中的第二部分光线L2被第一电极层220的面向第一膜层211的表面反射后透过第二膜层212。在上述过程中，如果在第二膜层212的远离第一膜层211的表面处，第一部分光线L1和第二部分光线L2的相位差为180度，则第一部分光线L1和第二部分光线L2之间产生干涉相消。例如，减反射层210设置为消除预定波长的光线，第一膜层211和第二膜层212的光学厚度之和为该预定波长的四分之一的奇数倍。
例如，在本公开至少一个实施例中的阵列基板中，在电极结构中的第二膜层为金属层的情况下，金属层对光的吸收较大，光线在透过金属层之后的峰值降低，使得光线在射入第一膜层之后难以再从该金属层(第二膜层)射出，从而降低射入第一膜层中的光线从第二膜层出射的量，结合干涉相消，可以减小电极结构对光的反射。
在本公开至少一个实施例中，在第二膜层为部分透明金属层的条件下，对第二膜层的厚度不做限制，只要第二膜层可以使得光透过即可。例如，在本公开至少一个实施例中，第二膜层(金属层)的厚度不大于100纳米，例如进一步为50纳米、30纳米、15纳米、5纳米等。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，第一电极层的反射率大于第二膜层的反射率。如此，可以防止在第一膜层中的光线透过第一电极层射出，防止光线射入阵列基板的内部而对其它构件产生不良影响或者在阵列基板内部反射并射出后对显示效果产生不良影响。例如，第一电极层的厚度设置为大于第二膜层的厚度。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，第一膜层为无机透明层或有机透明层。例如，第一膜层中可以掺杂吸收可见光(例如红光、绿光、蓝光等)的吸光材料，例如酞菁铜(CuPc)、Alq3(8-羟基喹啉铝)等。例如，无机透明层的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氧化铜、氧化钼等；有机透明层的材料可以包括NPB(N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺)、红荧烯(Rubrence)或其它透明的有机高分子树脂等。例如，在本公开至少一个实施例中，第一膜层的材料为氧化钼。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，第二膜层的材料可以为钼、铬、铜、铝、银、铌钼合金等金属。
金属例如钼、金属氧化物例如氧化钼等的反射率低，对光的吸收大(例如消光系数大)。在本公开至少一个实施例中，第一膜层为金属氧化物例如氧化钼并且第二膜层为金属例如钼，可以对入射的光线进行吸收，从而进一步降低电极结构对光的反射。
图3A为本公开一个实施例提供的反映铜、钼的反射率的光谱图。如图3A所示，在金属层(第二膜层)的面向衬底基板的一侧，与材料为铜的第二膜层相比，材料为钼的第二膜层对可见光范围的光的反射率更小，可以降低光线的反射。
需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，对第一膜层和第二膜层的材料不做限制，只要第一膜层和第二膜层可以使得光线在第一膜层中产生干涉相消即可。下面，以第一膜层的材料为氧化钼且第二膜层的材料为钼或铌钼合金为例，对本公开下述至少一个实施例中的技术方案进行说明。
图3B为本公开一个实施例提供的一种电极结构的反射率的光谱图，曲线A、B、C分别反映由不同厚度的第一膜层和第二膜层构成的减反射层对光的反射率，并且第一膜层的材料为氧化钼，第二膜层的材料为钼或铌钼合金。如图3B所示，曲线A中的第一膜层的厚度为50纳米，第二膜层的厚度为5纳米；曲线B中的第一膜层的厚度为40纳米，第二膜层的厚度为15纳米；以及曲线C中的第一膜层的厚度为5纳米，第二膜层的厚度为30纳米。如图3B所示，与曲线B、C表示的减反射层相比，在曲线A中，在第一膜层的厚度为50纳米的情况下，波长在600纳米左右的光线在第一膜层中产生干涉相消；而且第一膜层的厚度大，可以增加对光的吸收；此外，第一膜层的厚度小，对由衬底基板的一侧射入的光的反射率低，对光的吸收大。如此，曲线A中的减反射层在减小光的反射的效果上优于曲线B、C中的减反射层。示例性的，如图3B所示，在450纳米～700纳米的波段，具有曲线A中的减反射层的电极结构对光的反射率可以达到5％之下。
例如，在本公开至少一个实施例中，阵列基板包括多条信号线和多个薄膜晶体管，信号线和薄膜晶体管中的至少一个的至少部分设置为电极结构中的第一电极层。例如，信号线中只有部分区域上设置有减反射层，如此，该信号线的覆盖有减反射层的部分作为电极结构中的第一电极层，并且该减反射层以及信号线中被该减反射层覆盖的部分构成电极结构。例如，信号线的全部区域上都设置有减反射层，如此，该信号线及其上的减反射层构成电极结构，该信号线的全部作为电极结构中的第一电极层。在设置有包括前述实施例中的电极结构中的第一电极层的信号线和薄膜晶体管的区域，阵列基板对光(例如环境光)的反射率低，从而提高显示图像的对比度，提高阵列基板(或者包括该阵列基板的显示面板)的显示效果。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，对薄膜晶体管的类型不做限制。薄膜晶体管可以为顶栅型、底栅型、双栅型或其它类型。
例如，薄膜晶体管可以包括栅电极、源电极、漏电极等，栅电极、源电极、漏电极中的至少一个可以设置为至少部分包括前述实施例中的电极结构中的第一电极层。例如，在薄膜晶体管为顶栅型的情况下，薄膜晶体管的有源层和衬底基板之间可以设置遮光层(例如金属层)，该遮光层用于遮挡从衬底基板一侧照向有源层的光线。例如，遮光层为金属层，虽然遮光层可以对有源层遮光，但是在单独遮光层的情况下，遮光层对入射光的反射率高，对显示图像的显示效果造成不良影响。例如，在本公开至少一个实施中，遮光层可以设置为上述实施例中的电极结构中的第一电极层，如此，该遮光层的面向衬底基板的一侧覆盖有减反射层，即该遮光层和该减反射层共同构成电极结构，从而减少对入射光的反射，提高阵列基板(或者包括该阵列基板的显示面板)的显示效果。
例如，在本公开至少一个实施例中，对可以包括上述电极结构的信号线的类型不做限制。例如，该信号线可以为栅线、数据线、公共电极线、帧扫描线等。
在本公开至少一个实施例中，对阵列基板的具体结构不做限制，可以根据阵列基板的应用需求来确定。
例如，在本公开至少一个实施例中，如图1所示，阵列基板10包括设置于衬底基板100上的像素电极700。像素电极700与薄膜晶体管400中的漏电极电连接。例如，在本公开至少一个实施例中，阵列基板还可以包括公共电极800。
例如，在本公开至少一个实施例中的阵列基板中，像素电极700和公共电极800可以同层设置，或者如图1所示，公共电极800位于像素电极700和衬底基板100之间。例如，该阵列基板10可以应用于液晶显示领域。
例如，在本公开至少一个实施例中，如图1所示，像素电极700、公共电极800为透明电极或者半透明电极。例如，像素电极700、公共电极800的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。
例如，在本公开至少一个实施例中，透明可以表示光的透过率为75％～100％，半透明可以表示光的透过率为50％～75％。
图4为本公开一实施例提供的另一种阵列基板的局部结构的截面图。
例如，在本公开至少一个实施例中，阵列基板可以为有机发光二极管(OLED)基板。例如，如图4所示，阵列基板10中可以设置有机发光器件，该有机发光器件包括第一驱动电极710、有机发光功能层900和第二驱动电极810，有机发光功能层900位于第一驱动电极710和第二驱动电极810之间。例如，第二驱动电极810可以设置为反射电极，使得有机发光功能层900发出的光线都可以从衬底基板100一侧射出，提高光的利用率。
例如，在本公开至少一个实施例中，有机发光功能层包括有机发光层。例如，有机发光功能层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等中的一种或组合。例如，在有机发光器件中，第一驱动电极710和第二驱动电极810的一方可以为阳极，第一驱动电极710和第二驱动电极810的另一方为阴极。例如，在有机发光器件中，阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极依次叠置。例如，有机发光功能层中还可以设置电子阻挡层和空穴阻挡层，电子阻挡层位于阳极和有机发光层之间，空穴阻挡层位于阴极和有机发光层之间，但不限于此。例如，空穴阻挡层或电子阻挡层可采用有机材料制作。
例如，在有机发光功能层中，有机发光层根据所使用的有机发光材料的不同，可以发射红光、绿光、蓝光、黄光等。本实施例不限于有机发光层所发射的光的颜色。另外，根据需要，本实施例的有机发光层的有机发光材料包括荧光发光材料或磷光发光材料。例如，有机发光层可以采用掺杂体系，即在主体发光材料中混入掺杂材料得到可用的发光材料。例如，主体发光材料可以采用金属配合物材料、蒽的衍生物、芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、或三芳胺聚合物等。
在本公开至少一个实施例中，衬底基板可以为刚性基板；或者阵列基板也可以为柔性基板，从而使得阵列基板可以应用于柔性显示领域。在本公开至少一个实施例中，对衬底基板的类型以及材料不做限制，只要衬底基板为透明的基板即可。例如，在阵列基板为刚性基板的情况下，衬底基板可以为玻璃板、石英板或树脂板等。例如，在阵列基板为柔性基板的情况下，衬底基板的材料可以包括有机材料，例如该有机材料可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板，包括前述任一实施例中的阵列基板。例如，在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，可以在显示面板的显示侧设置触控基板以使得显示面板获得触控显示功能。例如，触控基板位于衬底基板的远离电极结构的一侧。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示面板还包括与阵列基板相对设置的对置基板，阵列基板的第二主表面位于显示面板的显示侧，阵列基板的第一主表面朝向对置基板。
图5A为本公开一个实施例提供的一种显示面板的局部结构的截面图；图5B为本公开一个实施例提供的另一种显示面板的局部结构的截面图。
示例性的，如图5A和图5B所示，显示面板包括相对的阵列基板10和对置基板20。阵列基板10的第二侧表面102位于显示面板的显示侧。具有上述结构的显示面板有利于实现窄边框或无边框设计。
例如，在本公开至少一个实施例中，显示面板还包括柔性电路板30，阵列基板包括显示区110和非显示120，非显示120中设置有邦定区(Bonding)，柔性电路板30固定在阵列基板10的邦定区上，以与阵列基板10中的信号线电连接。例如，如图5A和图5B所示，将柔性电路板30弯曲，使得柔性电路板30的远离阵列基板10的一端移动至对置基板20的远离阵列基板10的一侧。如此，柔性电路板30的安装不需要绕过阵列基板10的侧表面，在X-Y确定的平面上，柔性电路板30额外占用的空间减小，或者不需要为柔性电路板30预留额外的空间，使得显示面板有利于实现窄边框或无边框设计。
在本公开至少一个实施例中，对显示面板的类型不做限制，显示面板的具体结构可以根据显示面板的类型进行设计。下面，以显示面板为液晶显示面板或OLED显示面板为例，对本公开至少一个实施例中的显示面板的结构进行说明。
例如，在本公开至少一个实施例中，显示面板为液晶显示面板，对置基板可以为彩膜基板。在显示面板为液晶显示面板的情况下，阵列基板可以参考如图1所示的实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在本公开至少一个实施例中，显示面板为OLED显示面板，对置基板可以为封装盖板。在显示面板为OLED显示面板的情况下，阵列基板可以参考如图4所示的实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示面板还包括黑矩阵，该黑矩阵位于对置基板上；或者黑矩阵位于阵列基板上，以在显示侧至少遮挡信号线和薄膜晶体管的未包括电极结构中的第一电极层的部分。例如，黑矩阵的可以为黑色涂料。在阵列基板的预定区域设置黑矩阵，可以对该预定区域进行遮光，避免外界光从该预定区域射入显示面板内部或者显示面板中的光从该预定区域出射，从而提高显示面板的显示图像的对比度，提高显示面板的显示效果。对于上述的显示面板，信号线和薄膜晶体管的包括第一电极层的部分被减反射层覆盖，对光的反射率低，该部分也可以不再需要设置黑矩阵，可以降低黑矩阵的覆盖面积，减少黑矩阵的用量，降低成本。
黑矩阵的设置方式与显示面板的类型相关，下面，结合显示面板的类型对黑矩阵的不同设置方式进行说明。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，黑矩阵位于阵列基板上，以在显示侧至少遮挡未包括电极结构中的第一电极层的信号线和薄膜晶体管的部分。如此，在设置有包括上述实施例中的电极结构的信号线和薄膜晶体管的部分，不需要再额外设置黑矩阵，可以减少黑矩阵的设置面积，从而减少黑矩阵的用量，降低成本。例如，该显示面板可以为OLED显示面板，也可以为液晶显示面板。
示例性的，如图5A所示，阵列基板10的位于非显示区域120的信号线设置为包括前述实施例中的电极结构中的第一电极层。如此，非显示区域120中的信号线上都覆盖有减反射层，由该信号线和减反射层构成的电极结构不会对外界环境光进行反射(或者反射程度降低)，非显示区域120中可以不需要再设置黑矩阵500，可以减小黑矩阵的设置面积。
示例性的，如图5A所示，阵列基板中的薄膜晶体管(例如栅电极等)也可以设置为包括前述实施例中的电极结构的第一电极层，使得薄膜晶体管不会对外界环境光进行反射(或者对环境光的反射率低)。例如，薄膜晶体管中可以反射光的栅电极、源漏电极层等结构都设置为电极结构中的第一电极层，即，栅电极、源漏电极层、遮光层等结构上都覆盖有减反射层。如此，在显示区域110中，在薄膜晶体管所在的区域，可以不需要再设置黑矩阵500，从而进一步减小黑矩阵的设置面积。例如，阵列基板10的显示区域110中设置有多个子像素区域111，黑矩阵500位于显示区域110中，并且位于多个子像素区域111的间隔区域中。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，黑矩阵位于对置基板上。例如，阵列基板上的薄膜晶体管、信号线等可以对光进行反射的构件都设置为前述实施例中的电极结构中的第一电极层。示例性的，如图5B所示，黑矩阵500位于对置基板20上，薄膜晶体管400中的栅电极、源漏电极层以及信号线300都设置为前述实施例中的电极结构的第一电极层。如此，在阵列基板10上，可以不需要再设置黑矩阵500来对薄膜晶体管400、信号线300进行遮光，减小黑矩阵的用量。例如，该显示面板为液晶显示面板。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置，该显示装置包括前述任一实施例中的显示面板。
图6为本公开一个实施例提供的另一种显示装置的局部结构的截面图。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示装置中，显示面板为前述任一实施例中的液晶显示面板，显示装置还包括背光源。示例性的，如图6所示，显示装置包括显示面板(包括阵列基板10和对置基板20)和背光源40，并且背光源40位于对置基板30的远离阵列基板10的一侧。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示装置中，背光源为面光源，可以为光源和导光板等构成的模组。例如，该背光源可以为直下式背光模组，也可以为侧入式背光模组。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示装置中，在背光源为侧入式背光模组的情况下，如图6所示，柔性电路板30的远离阵列基板10的一端可以位于背光源40的远离阵列基板10的一侧。如此，柔性电路板30的设置不会对背光源的出光造成不良影响，而且整个显示装置的设计厚度降低。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供透明的衬底基板；在透明的衬底基板上构图形成减反射层和第一电极层以获得电极结构，其中，减反射层形成在第一电极层和透明的衬底基板之间，以减小电极结构对从透明的衬底基板的第二主表面入射到电极结构上的光的反射。在利用上述制备方法获得的阵列基板中，电极结构中的减反射层可以降低从衬底基板的第二主表面入射的光的反射，从而使得该电极结构对光的反射减小或者不会反射光线，从而减少阵列基板对光的反射，提高阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板的显示图像的对比度，从而提高显示效果。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板的制备方法中，形成减反射层包括：在衬底基板上形成第二膜层；以及在第二膜层的远离衬底基板的一侧形成透明的第一膜层，第一膜层和第二膜层的折射率不同；其中，第一膜层形成为使得预定波长的光在第一膜层和第二膜层的界面处的反射光和第一电极层的面向第一膜层的表面的反射光干涉相消。示例性的，在衬底基板上沉积透明材料薄膜并对其进行构图工艺以形成第二膜层；以及在第二膜层的远离衬底基板的一侧沉积透明材料薄膜并对其进行构图工艺以形成第一膜层。对于由该制备方法获得的阵列基板，由于第一膜层和第二膜层之间的折射率差异，射入的光线在第一膜层和第二膜层的界面处会发生反射，如此，通过控制形成条件，可以调节第一膜层的厚度，可以使得第一膜层中的至少部分光线发生干涉相消，从而降低电极结构对光的反射。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板的制备方法中，形成减反射层包括：在衬底基板上依次形成多个层叠的减反射模组以获得减反射层；其中，对于每个减反射模组，在衬底基板上形成第二膜层，在第二膜层的远离衬底基板的一侧形成第一膜层，第一膜层和第二膜层的折射率不同，第一膜层形成为使得预定波长的光在第一膜层和第二膜层的界面处的反射光和第一电极层的面向第一膜层的表面的反射光干涉相消。示例性的，在衬底基板上沉积透明材料薄膜并对其进行构图工艺以形成第二膜层；在第二膜层的远离衬底基板的一侧沉积透明材料薄膜并对其进行构图工艺以形成第一膜层，第一膜层和第二膜层形成为一个减反射模组。对于由该制备方法获得的阵列基板，每个减反射膜组都可以形成为使得预定波长的光干涉相消，使得减反射层可以进一步降低预定波长的光的反射，或者使得减反射层可以使得多种不同波长的光产生干涉相消，从而进一步减小电极结构对光的反射，提高阵列基板的显示效果。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板的制备方法中，形成减反射层包括：在衬底基板上形成部分透明的金属材料薄膜作为第二膜层；以及在第二膜层的远离衬底基板的一侧上形成透明的材料薄膜作为第一膜层；其中，减反射层包括第一膜层和第二膜层，且第一膜层和第二膜层的厚度形成为使得预定波长的光在第一电极层的面向第一膜层的表面的反射光和部分透明金属层的远离第一膜层的表面的反射光干涉相消。示例性的，在衬底基板上沉积部分透明的金属材料薄膜并对其进行构图工艺以形成第二膜层；以及在第二膜层的远离衬底基板的一侧上沉积透明材料薄膜并对其进行构图工艺以形成第一膜层。对于由该制备方法获得的阵列基板，在金属层(第二膜层)的面向第一膜层的一侧，金属层的反射率高，提高第一膜层的光线在金属层处的反射率，从而降低第一膜层中的光线从第二膜层出射的量，在干涉相消的基础上，进一步减小电极结构对光的反射。
例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板的制备方法中，第一膜层的材料包括氧化钼，形成第一膜层的方法包括：提供预制的氧化钼靶材，利用磁控溅射在衬底基板上形成氧化钼薄膜作为第一膜层；或者提供预制的钼靶材和氧气，利用磁控溅射在衬底基板上形成氧化钼薄膜作为第一膜层。例如，形成氧化钼薄膜之后，对该氧化钼薄膜进行构图工艺以形成第一膜层。例如，第二膜层的材料包括钼和铌钼合金中的至少一种。钼、氧化钼对光的吸收大，呈现的反射率低，从而进一步降低电极结构对光的反射。
根据上述制备方法获得的阵列基板的结构可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
图7A～图7E为本公开一个实施例提供的一种阵列基板的制造方法的过程图。下面，以制造如图1所示的阵列基板为例，结合7A～图7E和图1，对一种阵列基板的制备过程进行详细的说明，其中，在将形成的阵列基板中的电极结构中，第一膜层的材料包括氧化钼，第二膜层的材料包括钼。
如图7A所示，提供透明的衬底基板100，并且在衬底基板7A上沉积铜或钼等金属材料以形成第二薄膜212a，在第二薄膜212a上沉积氧化钼以形成第一薄膜211a，在第一薄膜211a上沉积导电材料以形成导电薄膜220a。例如，沉积第二薄膜212a、第一薄膜211a和导电薄膜220a的方式包括磁控溅射。
在本公开至少一个实施例中，第一薄膜211a的形成方式有多种，在此不做限制。
例如，在本公开至少一个实施例中，在衬底基板100上形成第二薄膜212a后，采用预制的钼靶材，在磁控溅射过程中通入适量的氧气，使得钼被氧化从而形成氧化钼，从而形成第一薄膜211a。例如，该制备工艺可以在PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)设备中进行。
例如，在本公开至少一个实施例中，在衬底基板100上形成第二薄膜212a后，采用预制的氧化钼靶材，利用磁控溅射形成第一薄膜211a。例如，该制备工艺可以在PVD设备中进行。例如，在该PVD设备中，Ar气流量1350sccm，沉积气压0.5-1pa，功率11-13kw，沉积速率82nm/min。例如，在上述PVD设备中，温度可以控制在200～300摄氏度。利用上述条件制备的氧化钼薄膜(第二薄膜212a)的均一性程度高，而且在利用上述方法制备第一薄膜211a的过程中，PVD设备中可以不需要通入氧气，可以避免对阵列基板中的其它结构被氧化，有利于提升阵列基板的良率。
例如，在本公开至少一个实施例中，在沉积第二薄膜212a之间，可以在衬底基板100上沉积绝缘材料薄膜以形成缓冲层。该缓冲层为透明或半透明材料。例如，缓冲层的材料可以为有机物也可以为无机物。例如，缓冲层材料为无机物，例如进一步为金属氧化物，如此，缓冲层和第二薄膜212a之间结合紧密，可以防止第二薄膜212a从衬底基板100上分离。
如图7B所示，对第二薄膜212a、第一薄膜211a和导电薄膜220a的叠层进行构图工艺，形成包括第一膜层211、第二膜层212和第一电极层220的电极结构200，并且第二薄膜212a形成为第二膜层212，第一薄膜211a形成为第一膜层211，导电薄膜220a形成为第一电极层220。例如，显示区域110中的第一电极层220可以形成为栅电极，非显示区域120中的第一电极层220形成信号线300。需要说明的是，显示区域110中的第一电极层220还可以形成为公共电极线等信号线。
例如，在本公开至少一个实施例中，构图工艺可以为光刻构图工艺，例如可以包括：在需要被构图的结构层上涂覆光刻胶层，使用掩模板对光刻胶层进行曝光，对曝光的光刻胶层进行显影以得到光刻胶图案，使用光刻胶图案对结构层进行蚀刻，然后可选地去除光刻胶图案。
需要说明的是，第二薄膜212a、第一薄膜211a和导电薄膜220a可以在不同的构图工艺中电极结构200，也可以在上述的同一构图工艺中形成电极结构200，从而简化阵列基板的制备工艺。
例如，在本公开至少一个实施例中，具有氧化钼的第一薄膜211a中可以掺杂钽(Ta)等抗腐蚀材料，在构图工艺中，可以用于控制刻蚀速率，有利于控制形成的电极结构的形状，提高形成的电极结构的良率。
如图7C所示，在所述衬底基板100上沉积透明或半透明的导电材料薄膜，对该导电材料薄膜进行构图工艺之后形成公共电极800。
例如，可以利用磁控溅射，并利用掩模板形成公共电极800，从而不需要进行构图工艺，简化阵列基板的制备工艺。
例如，如图7D所示，在衬底基板100上进行薄膜晶体管400的相关制造工艺。例如，在电极结构200上依次形成栅绝缘层401、有源层402和源漏电极层403。例如，在形成有源层402之后，可以有源层402之上沉积层间介质层，然后在该层间介质层上形成源漏电极层403。例如在形成源漏电极层403的过程中，也可以同步形成数据线。例如，数据线、源漏电极层403中的源电极和漏电极也可以形成为上述的电极结构的第一电极层，即，数据线、源漏电极层403上也形成有减反射层，形成方式可以参考上述实施例中的制备方法，在此不做赘述。
如图7E所示，在形成有薄膜晶体管400的衬底基板100上沉积绝缘材料薄膜以形成钝化层404。例如，在形成钝化层404的过程中，可以调整钝化层404的厚度以对阵列基板的表面进行平坦化处理，例如，可以利用旋涂方式形成钝化层404。如此，在阵列基板的后续制备过程中，可以不需要再形成平坦层，简化阵列基板的制造工艺，降低成本，并降低阵列基板的设计厚度。
如图1所示，在钝化层404中形成过孔，然后在形成有钝化层404的衬底基板100上沉积导电材料薄膜，对该导电材料薄膜进行构图工艺后获得像素电极700，像素电极700通过过孔与薄膜晶体管400的漏电极电连接。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，并且可以具有以下至少一项有益效果：
(1)在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，电极结构中的减反射层可以降低从衬底基板的第二主表面入射的光的反射，从而使得该电极结构对光的反射减小或者不会反射光线，从而减少阵列基板对光的反射，提高阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板的显示图像的对比度，从而提高显示效果。
(2)在本公开至少一个实施例提供的显示面板中，黑矩阵的设置面积减小，从而减少黑矩阵的用量，降低成本。
对于本公开，还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种阵列基板，包括：
透明的衬底基板，包括第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；以及
设置于所述第一主表面上的电极结构；
其中，所述电极结构包括层叠的减反射层和第一电极层，所述减反射层位于所述第一电极层和所述衬底基板之间，以减小所述电极结构对从所述衬底基板的第二主表面入射到所述电极结构上的光的反射。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，
所述减反射层包括彼此层叠的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层位于所述第一电极层和所述第二膜层之间，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率不同，并且所述第一膜层的厚度设计为使得预定波长的光在所述第一膜层和所述第二膜层的界面处的反射光和所述第一电极层的面向所述减反射层的表面的反射光干涉相消。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，
所述减反射层包括在所述第一电极层的面向所述衬底基板的一侧依次排布的多个减反射膜组，
每个所述减反射膜组包括更靠近所述第一电极层的第一膜层和更靠近所述衬底基板的第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率不同，并且所述第一膜层的厚度设置来使得预定波长的光在所述第一膜层和所述第二膜层的界面处的反射光和所述第一电极层的面向所述减反射层的表面的反射光干涉相消。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，
所述减反射层包括彼此层叠的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层位于所述第一电极层和所述第二膜层之间，所述第二膜层为部分透明金属层，所述第一膜层为透明层，且所述第一膜层和所述第二膜层的厚度设置来使得预定波长的光在所述第一电极层的面向所述减反射层的表面的反射光和所述第二金属膜层的远离所述第一电极层的表面的反射光干涉相消。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述第一电极层的反射率大于所述第二膜层的反射率。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，
所述第一膜层的材料包括氧化钼；以及
所述第二膜层的材料包括钼和铌钼合金中的至少一种。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其中，
所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影位于所述减反射层在所述衬底基板上的正投影之内或与所述减反射层在所述衬底基板上的正投影重合。
8.一种显示面板，包括权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
9.根据权利要求8所述的显示面板，还包括：
对置基板，与所述阵列基板相对设置；
其中，所述阵列基板的第二主表面位于所述显示面板的显示侧，所述阵列基板的第一主表面朝向所述对置基板。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，
所述阵列基板包括多条信号线和多个薄膜晶体管，所述信号线和所述薄膜晶体管中的至少一个的至少部分设置为所述电极结构中的所述第一电极层。
11.根据权利要求9所述的显示面板，还包括黑矩阵，其中，
所述黑矩阵位于所述对置基板上；或者
所述黑矩阵位于所述阵列基板上，以在所述显示侧至少遮挡所述信号线和所述薄膜晶体管的未包括所述电极结构中的所述第一电极层的部分。
12.一种阵列基板的制备方法，包括：
提供透明的衬底基板；
在所述衬底基板上构图形成减反射层和第一电极层以获得电极结构，
其中，所述减反射层形成在所述第一电极层和所述衬底基板之间，以减小所述电极结构对从所述衬底基板的第二主表面入射到所述电极结构上的光的反射。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其中，形成所述减反射层包括：
在所述衬底基板上形成第二膜层；以及
在所述第二膜层的远离所述衬底基板的一侧形成透明的第一膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率不同；
其中，所述第一膜层形成为使得预定波长的光在所述第一膜层和所述第二膜层的界面处的反射光和所述第一电极层的面向所述减反射层的表面的反射光干涉相消。
14.根据权利要求12所述的制备方法，其中，形成所述减反射层包括：
在所述衬底基板上依次形成多个层叠的减反射模组以获得所述减反射层；
其中，对于每个减反射模组，在所述衬底基板上形成第二膜层，在所述第二膜层的远离衬底基板的一侧形成第一膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率不同；
所述第一膜层形成为使得预定波长的光在所述第一膜层和所述第二膜层的界面处的反射光和所述第一电极层的面向所述减反射层的表面的反射光干涉相消。
15.根据权利要求12所述的制备方法，其中，形成所述减反射层包括：
在所述衬底基板上形成部分透明的金属材料薄膜作为第二膜层；以及
在所述第二膜层的远离所述衬底基板的一侧上形成透明的材料薄膜作为第一膜层；
其中，所述减反射层包括所述第一膜层和所述第二膜层，且所述第一膜层和所述第二膜层的厚度形成为使得预定波长的光在所述第一电极层的面向所述减反射层的表面的反射光和所述部分透明金属层表面的反射光干涉相消。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述第一膜层的材料包括氧化钼，形成所述第一膜层的方法包括：
提供氧化钼靶材，利用磁控溅射在所述衬底基板上形成氧化钼薄膜作为所述第一膜层；或者
提供钼靶材和氧气，利用磁控溅射在所述衬底基板上形成氧化钼薄膜作为所述第一膜层。
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