CN112928225B - 显示基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板，包括：第一显示区域和至少一个第二显示区域，第二显示区域的透光率大于第一显示区域的透光率。显示基板的第二显示区域设置有光调节层，光调节层配置为调节第二显示区域的光线传输效果。

Description

显示基板和显示装置
技术领域
本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，全面屏显示装置不断普及，逐渐成为主流显示产品。全面屏显示装置的屏占比较高(一般能够达到80％甚至90％以上)，可以在不增加显示装置的整体尺寸的前提下，提供更大尺寸的显示屏幕。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供了一种显示基板和显示装置。
一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括：第一显示区域和至少一个第二显示区域，所述第二显示区域的透光率大于第一显示区域的透光率。所述显示基板的第二显示区域设置有光调节层，所述光调节层配置为调节第二显示区域的光线传输效果。
在一些示例性实施方式中，所述第二显示区域包括：第一子显示区域和第二子显示区域。当远离所述显示基板的出光面一侧设置包括发射传感器和接收传感器的TOF元件，所述发射传感器在所述显示基板上的正投影位于所述第一子显示区域，所述接收传感器在所述显示基板上的正投影位于所述第二子显示区域。所述光调节层设置在所述第一子显示区域，所述光调节层靠近所述显示基板的出光面的表面为凸面。
在一些示例性实施方式中，所述显示基板的第一子显示区域包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的发光元件，所述光调节层位于所述发光元件靠近所述衬底基板的一侧。
在一些示例性实施方式中，所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的有机功能层；所述第一电极位于所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧。所述第一电极在所述衬底基板上的正投影包含所述光调节层在所述衬底基板上的正投影。
在一些示例性实施方式中，所述光调节层包括：依次设置在所述衬底基板上的第一调节层和反光层；所述反光层在所述衬底基板上的正投影包含所述第一调节层在所述衬底基板上的正投影。
在一些示例性实施方式中，所述第一调节层包括多个第一调节块；所述反光层包括多个反光块，所述多个反光块与多个第一调节块一一对应。在垂直于所述显示基板的平面内，所述第一调节块的截面具有第一长度沿着远离所述衬底基底表面的方向逐渐减小的形状，所述第一长度为所述第一调节块在平行于所述衬底基板表面的方向上的长度。
在一些示例性实施方式中，在垂直于所述显示基板的平面内，所述第一调节块的截面约为三角形或半圆形。
在一些示例性实施方式中，所述第一调节层的材料为有机材料。
在一些示例性实施方式中，所述显示基板的第一显示区域包括：衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的光遮挡层、驱动结构层和发光元件；所述反光层与所述光遮挡层为同层结构。
在一些示例性实施方式中，所述显示基板包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个像素单元；至少一个像素单元包括多个子像素，至少一个子像素包括发光元件和驱动所述发光元件发光的像素驱动电路；所述发光元件包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机功能层，所述第一电极位于所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧。所述光调节层包括第二调节层，所述第二调节层位于所述第二电极远离所述显示基板的出光面的一侧。
在一些示例性实施方式中，所述第二调节层包括多个第二调节块；至少一个第二调节块在所述衬底基板上的正投影位于相邻像素单元的第一电极在所述衬底基板上的正投影之间，且所述相邻像素单元的第一电极之间的所述至少一个第二调节块的正投影面积，约占所述相邻像素单元的第一电极之间的第二电极的正投影面积的一半。
在一些示例性实施方式中，所述相邻像素单元的第一电极在所述衬底基板上的正投影之间具有一个第二调节块在所述衬底基板上的正投影，且所述第二调节块在所述衬底基板上的正投影位于所述相邻像素单元的第一电极的中间，或者，与其中一个像素单元的第一电极邻近；或者，所述相邻像素单元的第一电极在所述衬底基板上的正投影之间具有两个第二调节块在所述衬底基板上的正投影，且所述两个第二调节块在所述衬底基板上的正投影各自与其中一个像素单元的第一电极邻近。
在一些示例性实施方式中，所述第二调节层的材料为无机材料，且所述第二调节层的厚度约为1.8微米至3.8微米。
在一些示例性实施方式中，所述第一显示区域包括：衬底基板、依次设置在所述衬底基板上的显示结构层和发光元件；所述第二显示区域包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的发光元件。所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机功能层，所述第一电极位于所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧。所述光调节层位于所述第一电极靠近所述衬底基板的一侧，所述第一电极通过所述光调节层与所述第一显示区域的显示结构层电性连接。
在一些示例性实施方式中，所述光调节层包括：至少一个透明走线层，所述至少一个透明走线层包括多条沿同一方向延伸的透明走线；所述至少一条透明走线具有波浪形状。
在一些示例性实施方式中，所述光调节层包括：叠设的第一透明走线层和第二透明走线层；所述第一透明走线层包括多条第一透明走线，所述第二透明走线包括多条第二透明走线，所述多条第一透明走线和多条第二透明走线的延伸方向相同。所述第一透明走线层的多条第一透明走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二透明走线层的多条第二透明走线在所述衬底基板上的正投影交错。
在一些示例性实施方式中，所述光调节层包括：至少一个透明走线层和第三调节层；所述至少一个透明走线层包括沿同一方向延伸的多条透明走线，所述第三调节层填充所述多条透明走线的间隙。
在一些示例性实施方式中，所述第三调节层的厚度约为1.3微米至1.7微米。
另一方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板、以及位于远离所述显示基板的出光面的一侧的光学器件，所述光学器件在所述显示基板上的正投影与第二显示区域交叠。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为本公开至少一实施例的显示基板的显示区域的平面示意图；
图2为本公开至少一实施例的显示基板的局部剖面示意图；
图3为本公开至少一实施例的显示基板的光线传输示意图；
图4为本公开至少一实施例的显示基板的一部分制备流程的示意图；
图5为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图；
图6为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图；
图7为本公开至少一实施例的第二显示区域的局部俯视示意图；
图8为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图；
图9为本公开至少一实施例的第二显示区域的局部俯视示意图；
图10为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图；
图11为本公开至少一实施例的第二显示区域的局部俯视示意图；
图12为一种显示基板产生的星芒眩光的示意图；
图13为一种显示基板产生的星芒眩光的仿真数据示意图；
图14为本公开至少一实施例的显示基板的一种剖面示意图；
图15为本公开至少一实施例的第二显示区域的局部俯视示意图；
图16为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图；
图17为本公开至少一实施例的第二显示区域的局部俯视示意图；
图18为本公开至少一实施例的显示基板的圈入衍射能量的仿真结果示意图；
图19为本公开至少一实施例的第二显示区域的局部俯视示意图；
图20为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图；
图21为本公开至少一实施例的显示基板的显示区域的另一平面示意图；
图22为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为一种或多种形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。
在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。其中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。
在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本公开中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一个电极称为第一极，另一电极称为第二极，第一极可以为源电极或者漏电极，第二极可以为漏电极或源电极，另外，将晶体管的栅极称为控制极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，可以包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，可以包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“厚度”是指膜层远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面之间的垂直距离。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
本公开实施例提供一种显示基板，包括：第一显示区域和至少一个第二显示区域，第二显示区域的透光率大于第一显示区域的透光率。显示基板的第二显示区域设置有光调节层，光调节层配置为调节第二显示区域的光线传输效果。
本实施例提供的显示基板，通过在第二显示区域设置光调节层，可以改善显示基板内部的光线传输效果，例如改变红外线的反射方向或者改善显示基板的眩光，从而提升设置在远离显示基板的出光面一侧的光学器件的使用性能。
在一些示例性实施方式中，第二显示区域包括：第一子显示区域和第二子显示区域。当远离显示基板的出光面一侧设置包括发射传感器和接收传感器的TOF元件，发射传感器在显示基板上的正投影位于第一子显示区域，接收传感器在显示基板上的正投影位于第二子显示区域。光调节层设置在第一子显示区域，且光调节层靠近显示基板的出光面的表面为凸面。本示例性实施方式中，通过将位于第一子显示区域的光调节层靠近显示基板的出光面的表面设置为凸面，可以改变TOF元件的发射传感器发出的红外线在显示基板内部的反射方向，从而减少进入接收传感器的干扰红外线。
在一些示例性实施方式中，显示基板的第一子显示区域包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的发光元件，光调节层位于发光元件靠近衬底基板的一侧。
在一些示例性实施方式中，发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机功能层。第一电极位于第二电极靠近衬底基板的一侧。第一电极在衬底基板上的正投影包含光调节层在衬底基板上的正投影。在一些示例中，第一电极为阳极，第二电极为阴极。
在一些示例性实施方式中，光调节层包括：依次设置在衬底基板上的第一调节层和反光层。反光层在衬底基板上的正投影包含第一调节层在衬底基板上的正投影。本示例性实施方式中，通过第一调节层来调节反光层靠近显示基板的出光面一侧的表面，以通过反光层改变显示基板内部的红外线的反射方向。
在一些示例性实施方式中，第一调节层包括多个第一调节块；反光层包括多个反光块，多个反光块与多个第一调节块一一对应。在垂直于显示基板的平面内，第一调节块的截面具有第一长度沿着远离衬底基底表面的方向逐渐减小的形状，第一长度为第一调节块在平行于衬底基板表面的方向上的长度。例如，在垂直于显示基板的平面内，第一调节块的截面约为三角形或半圆形。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，第一调节层的材料为有机材料。例如，第一调节层的材料可以为亚克力材料。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，显示基板的第一显示区域包括：衬底基板以及依次设置在衬底基板上的光遮挡层、驱动结构层和发光元件。反光层与光遮挡层为同层结构。然而，本实施例对此并不限定。例如，反光层可以与驱动结构层中的第一栅金属层为同层结构。
在一些示例性实施方式中，显示基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的多个像素单元。至少一个像素单元包括多个子像素，至少一个子像素包括发光元件和驱动发光元件发光的像素驱动电路。发光元件包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机功能层，第一电极位于第二电极靠近衬底基板的一侧。光调节层包括第二调节层，第二调节层位于第二电极远离显示基板的出光面的一侧。在一些示例中，当显示基板为顶发射结构，第二调节层可以位于第二电极靠近衬底基板的一侧。当显示基板为底发射结构，第二调节层可以位于第二电极远离衬底基板的一侧，即靠近封装层的一侧。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，第二调节层包括多个第二调节块。至少一个第二调节块在衬底基板上的正投影位于相邻像素单元的第一电极在衬底基板上的正投影之间，且相邻像素单元的第一电极之间的至少一个第二调节块的正投影面积，约占相邻像素单元的第一电极之间的第二电极的正投影面积的一半。
在一些示例性实施方式中，相邻像素单元的第一电极在衬底基板上的正投影之间具有一个第二调节块在衬底基板上的正投影，且该第二调节块在衬底基板上的正投影位于相邻像素单元的第一电极的中间，或者，与其中一个像素单元的第一电极邻近。或者，相邻像素单元的第一电极在衬底基板上的正投影之间具有两个第二调节块在衬底基板上的正投影，且这两个第二调节块在衬底基板上的正投影各自与其中一个像素单元的第一电极邻近。
在一些示例性实施方式中，第二调节层的材料为无机材料，且第二调节层的厚度约为1.8微米至3.8微米。例如，第二调节层的材料可以包括SiNx、SiO2。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，第一显示区域包括：衬底基板、依次设置在衬底基板上的显示结构层和发光元件。第二显示区域包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的发光元件。发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机功能层，第一电极位于第二电极靠近衬底基板的一侧。光调节层位于第一电极靠近衬底基板的一侧，第一电极通过光调节层与第一显示区域的显示结构层电性连接。
在一些示例性实施方式中，光调节层包括：至少一个透明走线层，至少一个透明走线层包括多条沿同一方向延伸的透明走线；至少一条透明走线具有波浪形状。本示例性实施方式通过设置具有波浪形状的透明走线，可以减小透明走线层的衍射，从而改善眩光。
在一些示例性实施方式中，光调节层包括：叠设的第一透明走线层和第二透明走线层。第一透明走线层包括多条第一透明走线，第二透明走线包括多条第二透明走线，多条第一透明走线和多条第二透明走线的延伸方向相同。第一透明走线层的多条第一透明走线在衬底基板上的正投影与第二透明走线层的多条第二透明走线在衬底基板上的正投影交错。本示例性实施方式通过设置具有波浪形状的双层透明走线，可以减小透明走线层的衍射，从而改善眩光。
在一些示例性实施方式中，光调节层包括：至少一个透明走线层和第三调节层。至少一个透明走线层包括沿同一方向延伸的多条透明走线，第三调节层填充多条透明走线的间隙。本示例性实施方式通过第三调节层减小透明走线层的衍射，改善眩光。
在一些示例性实施方式中，第三调节层的厚度约为1.3微米至1.7微米。在一些示例中，第三调节层的材料为无机材料，例如，SiOx，第三调节层的厚度约为1.4微米至1.5微米。在一些示例中，第三调节层的材料为有机材料，第三调节层的厚度约为1.5微米至1.6微米。然而，本实施例对此并不限定。
下面通过多个示例对本实施例的显示基板进行举例说明。
图1为本公开至少一实施例的显示基板的显示区域的平面示意图。如图1所示，本示例性实施例的显示基板包括：第一显示区域100和第二显示区域200。在本示例中，第二显示区域200位于第一显示区域100的上半部分的中间。然而，本实施例对此并不限定。例如，第二显示区域200可以位于第一显示区域100的下半部分的中间，或者，位于第一显示区域100的左半部分，或者，位于第一显示区域100的右半部分。又如，第二显示区域200可以位于第一显示区域100的上边缘处，或者，位于第一显示区域100的左边缘处，或者，位于第一显示区域100的右边缘处，或者，位于第一显示区域100的下边缘处。
在本示例性实施方式中，第二显示区域200的透光率大于第一显示区域100的透光率。在一些示例中，可以通过设置第二显示区域200内的像素单元的密度小于第一显示区域100内的像素单元的密度，来实现第二显示区域200的透光率大于第一显示区域100的透光率。例如，第二显示区域200内的像素单元的间隔大于第一显示区域100内的像素单元的间隔。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，第一显示区域100和第二显示区域200设置有规则排布的多个像素单元。多个像素单元中的至少一个可以包括：多个子像素。例如，至少一个像素单元可以包括：出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素。每个子像素可以包括发光元件和用于驱动发光元件发光的像素驱动电路。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的像素驱动电路可以分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光元件输出相应的电流。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的发光元件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光元件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在一些示例性实施方式中，至少一个像素单元可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，或者，可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，像素单元中的子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。单个像素单元包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列；单个像素单元包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列。然而，本实施例在此不做限定。
在一些示例性实施方式中，在远离显示基板的出光面的一侧可以设置光学器件，且光学器件在显示基板上的正投影与第二显示区域交叠。例如，光学器件在显示基板上的正投影位于第二显示区域内。在一些示例中，光学器件可以包括以下至少之一：摄像头、TOF(Time of Flight)元件、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器、点阵投影器。例如，在远离显示基板的第二显示区域的出光面的一侧可以设置摄像头和TOF元件。由于第二显示区域的透光率大于第一显示区域的透光率，光学器件可以通过第二显示区域实现光线传输，以增强光学器件的使用性能。
以设置在远离显示基板的出光面一侧的光学器件为TOF元件为例，TOF元件包括：发射传感器和接收传感器。TOF元件可以利用光的飞行时间来测量距离，例如可以应用在人脸识别中。其中，TOF元件的发射传感器可以发出红外线(IR，Infrared Radiation)，红外线通过第二显示区域照射到被测物体后，由被测物体反射经过第二显示区域由接收传感器接收。然而，发射传感器发出的红外线在经过显示基板的过程中存在反射效应，例如在顶发射结构的显示基板内，通过仿真可知显示基板的发光元件的阴极对红外线的反射率约为63％，衬底基板对红外线的反射率约为15％。如此一来，显示基板内部的红外线反射效应，会导致接收传感器接收到显示基板内部反射的干扰红外线，从而导致测距不准确，甚至出现距离反转现象。
图2为本公开至少一实施例的显示基板的局部剖面示意图。图2为图1中沿P-P方向的局部剖面示意图。在图2中仅示意出第二显示区域200的若干发光元件，在第一显示区域100仅示意了四个子像素的局部结构。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，在垂直于显示基板的平面上，第一显示区域100可以包括：衬底基板10、依次设置在衬底基底10上的阻挡层11、光遮挡(LS，LightShielding)层12、驱动结构层20、发光元件30以及封装层40。发光元件30位于驱动结构层20远离衬底基板10的一侧，封装层40位于发光元件30远离衬底基板10的一侧。光遮挡层12可以屏蔽外部电荷，以保护驱动结构层20内的晶体管。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。
在一些示例性实施方式中，衬底基底10可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。驱动结构层20包括多个像素驱动电路。像素驱动电路包括多个晶体管和至少一个存储电容，例如，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。图2中以每个子像素中包括的一个第一薄膜晶体管101和一个存储电容102为例进行示意。在一些示例中，在垂直于显示基板的平面内，驱动结构层20包括：依次设置在衬底基板10上的第一绝缘层21、半导体层、第二绝缘层22、第一栅金属层、第三绝缘层23、第二栅金属层、第四绝缘层24、源漏金属层以及第五绝缘层25。半导体层至少包括第一薄膜晶体管101的有源层，第一栅金属层至少包括第一薄膜晶体管101的栅极和存储电容102的第一电极，第二栅金属层至少包括存储电容102的第二电极，源漏金属层至少包括第一薄膜晶体管101的源电极和漏电极。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，发光元件30可以包括第一电极301、像素定义层302、有机功能层303和第二电极304。第一电极301位于第二电极304靠近衬底基板10的一侧。第一电极301通过第一过孔与第一薄膜晶体管101的漏电极连接，有机功能层303与第一电极301连接，第二电极304与有机功能层303连接，有机功能层303在第一电极301和第二电极304驱动下出射相应颜色的光线。在本示例中，显示基板可以为顶发射结构，显示基板的出光面远离衬底基板10一侧。第一电极301可以为反射阳极，第二电极302可以为半透半反阴极。
在一些示例性实施方式中，封装层40可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光元件30。
在一些示例性实施方式中，有机功能层303可以包括叠设的空穴注入层(HIL，HoleInjection Layer)、空穴传输层(HTL，Hole Transport Layer)、电子阻挡层(EBL，ElectronBlock Layer)、发光层(EML，Emitting Layer)、空穴阻挡层(HBL，Hole Block Layer)、电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)和电子注入层(EIL，Electron InjectionLayer)。在一些示例中，所有子像素的空穴注入层和电子注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴传输层和电子传输层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴阻挡层可以是连接在一起的共通层，相邻子像素的发光层和电子阻挡层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，第二显示区域200包括：第一子显示区域201和第二子显示区域202。在远离第一子显示区域201的出光面一侧可以设置发射传感器，在远离第二子显示区域202的出光面一侧可以设置接收传感器。发射传感器在衬底基板10上的正投影可以位于第一子显示区域201内，接收传感器在衬底基板10上的正投影可以位于第二子显示区域202内。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，在垂直于显示基板的平面内，第一子显示区域201包括：衬底基板10、依次设置在衬底基板10上的阻挡层11、光调节层、多个绝缘层、发光元件30和封装层40。光调节层包括：依次设置在阻挡层11上的第一调节层51和反光层52。反光层52覆盖第一调节层51远离衬底基板10的表面。通过设置第一调节层51远离衬底基板10的表面为凸面，实现光调节层靠近显示基板的出光面的表面为凸面。发光元件30可以包括第一电极301、像素定义层302、有机功能层303和第二电极304。第一电极301位于第二电极304靠近衬底基板10的一侧。发光元件30的第一电极301在衬底基板10上的正投影覆盖光调节层在衬底基板10上的正投影。第一电极301可以通过走线与设置在第一显示区域100内的像素驱动电路连接。在本示例中，通过将第二显示区域的子像素的像素驱动电路设置在第一显示区域有利于提高第二显示区域的透光率。
在一些示例性实施方式中，第一子显示区域201的多个绝缘层包括：叠设的第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23、第四绝缘层24和第五绝缘层25。其中，第一绝缘层21至第四绝缘层24可以为无机绝缘层，第五绝缘层25可以为有机绝缘层。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，第一调节层51包括多个第一调节块510，反光层52包括多个反光块520。多个反光块520与多个第一调节块510一一对应。反光块520覆盖对应的第一调节块510。第一调节块510的截面具有第一长度沿远离衬底基板10表面的方向逐渐减小的形状，第一长度为第一调节块510在平行于衬底基板10表面方向上的长度。例如，第一调节块510的截面大致呈三角形，且三角形的一个顶角远离衬底基板10的表面。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，第一调节层51的材料可以为有机材料，反光层52可以采用金属材料。通过在第一子显示区域201设置第一调节层51，形成凸起形貌，通过在第一调节层51远离衬底基板10的一侧设置反光层52，使得反光层52同样具有凸起形貌，以改变显示基板内部红外线的反射方向。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，反光层52可以与第一显示区域100的光遮挡层12为同层结构。然而，本实施例对此并不限定。例如，反光层52可以与第一显示区域100的驱动结构层20的第一栅金属层为同层结构。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，在垂直于显示基板的平面内，第二子显示区域202包括：衬底基板10、依次设置在衬底基板10上的阻挡层11、多个绝缘层、发光元件30和封装层40。多个绝缘层例如包括叠设的第一绝缘层21至第五绝缘层25。发光元件30的第一电极301可以通过走线与设置在第一显示区域100内的像素驱动电路连接。
图3为本公开至少一实施例的显示基板的光线传输示意图。图3中带箭头的虚线表示红外光传输方向。如图3所示，在本示例性实施方式中，在第一子显示区域201设置第一调节层51可以形成凸起形貌，在第一调节层51远离衬底基板10的一侧设置反光层52，使得反光层52同样具有凸起形貌。发射传感器发出的红外线在显示基板内部被第二电极304反射后，会被具有凸起形貌的反光层52继续反射，从而改变显示基板内部的干扰红外线的反射方向，防止接收传感器接收到干扰红外线，进而提高TOF元件的测距精准性，提升TOF元件的使用性能。
图4为本公开至少一实施例的显示基板的一部分制备流程的示意图。下面参照图2和图4通过显示基板的制备过程的示例说明本公开显示基板的结构。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
本公开中所说的“A和B为同层结构”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“相同层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。
在一些示例性实施方式中，本实施例的显示基板的制备过程可以包括以下步骤(1)至步骤(6)。
(1)、提供衬底基板，并在衬底基板上制备阻挡层。
在一些示例性实施方式中，衬底基板10为刚性基板，例如玻璃基板。然而，本实施例对此并不限定。例如，衬底基板10可以为柔性基板。
在一些示例性实施方式中，在衬底基板10上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖衬底基板10的阻挡(Barrier)层11，如图4所示。阻挡层11可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等无机材料，用于提高衬底基板10的抗水氧能力。
(2)、在衬底基板制备第一调节层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板10上涂覆一层第一调节薄膜，通过构图工艺在第一子显示区域201形成第一调节层51，如图2和图4所示。第一调节层52包括相互隔离且规则排布的多个第一调节块510。第一调节块510的截面形状为三角形，从而形成具有凸起表面的第一调节层51。在一些示例中，第一调节薄膜可以采用亚克力等有机材料。
在本次构图工艺之后，第一显示区域100和第二子显示区域202的膜层结构没有变化。
(3)、在衬底基板上制备光遮挡层和反光层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板10上，沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成光遮挡层12和反光层52，如图2和图4所示。光遮挡层12位于第一显示区域100，反光层52位于第一子显示区域201。反光层52包括与多个第一调节块510一一对应的多个反光块520。反光块520覆盖对应的第一调节块510的表面。
在本次构图工艺之后，第二子显示区域202的膜层结构没有变化。
(4)、在衬底基板上制备驱动结构层。
在一些示例性实施方式中，驱动结构层20包括多个像素驱动电路，至少一个像素驱动电路包括多个晶体管和至少一个存储电容。下面以一个像素驱动电路包括的第一薄膜晶体管101和存储电容102为例对驱动结构层的制备过程进行说明。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基底10上形成第一绝缘层21，以及设置在第一绝缘层21上的半导体层图案。如图2所示，半导体层形成在第一显示区域100，至少包括第一薄膜晶体管101的有源层。
随后，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层22；在第二绝缘层22上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成设置在第二绝缘层22上的第一栅金属层图案。如图2所示，第一栅金属层位于第一显示区域100，第一栅金属层至少包括第一薄膜晶体管101的栅电极以及存储电容102的第一电极。
随后，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层23；在第三绝缘层23上沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成设置在第三绝缘层23上的第二栅金属层图案。如图2所示，第二栅金属层位于第一显示区域100，第二栅金属层至少包括存储电容102的第二电极。
随后，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层24，在第四绝缘层24上开设有多个第一过孔。在第四绝缘层24上沉积第四金属薄膜，通过构图工艺对第四金属薄膜进行构图，形成源漏金属层图案，如图2所示。源漏金属层位于第一显示区域100，至少包括第一薄膜晶体管101的源电极和漏电极。第一薄膜晶体管101的源电极和漏电极分别通过第一过孔与有源层连接。
随后，形成覆盖源漏金属层的第五绝缘层25，在第五绝缘层25上开设有多个第二过孔，至少一个第二过孔暴露出第一薄膜晶体管101的源电极表面。第五绝缘层25可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。
至此，在衬底基板10上制备完成第一显示区域100的驱动结构层，如图2所示。在本次工艺之后，第一子显示区域201包括：依次设置在反光层52上的第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23、第四绝缘层24和第五绝缘层25。第二子显示区域202包括：依次设置在阻挡层11上的第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23、第四绝缘层24和第五绝缘层25。
在一些示例性实施方式中，第一金属薄膜、第二金属薄膜、第三金属薄膜和第四金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23和第四绝缘层24可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层21还称为缓冲层，可以用于提高衬底基板10的抗水氧能力。第二绝缘层22还称为第一栅绝缘层，第三绝缘层23还称为第二栅绝缘层，第四绝缘层24还称为层间绝缘层。半导体层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等一种或多种材料，即本公开适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
(5)、在衬底基板上制备发光元件。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板10上，沉积第一导电薄膜，通过构图工艺对第一导电薄膜进行构图，形成第一电极301图案，如图2所示。第一电极301图案形成在第一显示区域100和第二显示区域200。第一显示区域100内的第一电极301通过第五绝缘层25上的第二过孔与第一薄膜晶体管101的漏电极连接。第二显示区域200内的第一电极301通过连接走线与第一显示区域100内的像素驱动电路连接。连接走线可以与第一电极同层制备。随后，涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义层302图案。像素定义层302形成在第一显示区域100和第二显示区域200。第一显示区域100和第二显示区域200的像素定义层302上开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出第一电极301的表面。随后，在形成前述图案的衬底基板10上依次形成有机功能层303和第二电极304。例如，有机功能层303包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，形成在第一显示区域100和第二显示区域200的像素开口内，实现有机功能层303与第一电极301连接。由于第一电极301与像素驱动电路的第一薄膜晶体管的漏电极连接，实现有机功能层303的发光控制。第二电极304的一部分形成在有机功能层303上，实现与有机功能层303的连接。
(6)、在衬底基板上制备封装层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板10上，形成封装层40。封装层40可以形成在第一显示区域100和第二显示区域200，可以采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。有机材料层设置在两个无机材料层之间。
本示例性实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本示例性实施例的显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在一些示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，第一子显示区域的反光层可以与第一显示区域的第一栅金属层为同层结构，或者，与第一显示区域的第二栅金属层为同层结构。然而，本实施例对此并不限定。
本示例性实施例提供的显示基板，通过在第一子显示区域设置光调节层，改变显示基板内部的干扰红外线的反射方向，防止TOF元件的接收传感器接收到干扰红外线，进而提高TOF元件的测距精准性，提升TOF元件的使用性能。
本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图5为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图。在一些示例性实施方式中，如图5所示，在垂直于显示基板的平面内，第一子显示区域201内设置的光调节层包括第一调节层51和反光层52。第一调节层51包括多个第一调节块510，反光层包括多个反光块520。多个第一调节块510和多个反光块520一一对应。第一调节块510的截面具有圆弧形的顶面。例如，第一调节块510的截面为半圆形。本示例性实施例中，通过设置截面为具有圆弧形顶面形状的第一调节块，使得反光层同样具有凸起形貌，以改变显示基板内部干扰红外线的反射方向，防止TOF元件的接收传感器接收到干扰红外线，进而提高TOF元件的测距精准性，提升TOF元件的使用性能。
关于本实施例的显示区域的其它结构的说明可以参照上一实施例的描述，故于此不再赘述。
本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图6为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图。图7为本公开至少一实施例的第二显示区域的局部俯视图。如图6所示，在垂直于显示基板的平面内，第二显示区域200包括：衬底基板10、设置在衬底基板10上的阻挡层11、多个绝缘层、光调节层、发光元件30和封装层40。光调节层包括第二调节层53，第二调节层53包括多个第二调节块530。发光元件30包括：第一电极301、像素定义层302、有机功能层303和第二电极304。第一电极301位于第二电极304靠近衬底基板10的一侧。第二调节层53位于第二电极304靠近衬底基板10的一侧。第一电极301可以通过走线与设置在第一显示区域100内的像素驱动电路连接。在本示例中，通过将第二显示区域200的子像素的像素驱动电路设置在第一显示区域100，有利于提高第二显示区域200的透光率。
在一些示例性实施方式中，显示基板为顶发射结构。发光元件30的第一电极301为反射阳极，第二电极304为半透半反阴极。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，显示基板可以为底发射结构，显示基板的出光面远离封装层一侧。第一电极可以为透光阳极，第二电极可以为反射阴极。此时，第二调节层可以位于第二电极远离衬底基板的一侧。例如，第二调节层可以位于第二电极和封装层之间。
在一些示例性实施方式中，如图6和图7所示，第二调节层53包括多个第二调节块530。在相邻像素单元的第一电极301之间设置有一个第二调节块530。第二调节块530在衬底基板10上的正投影位于相邻像素单元的第一电极的间隔内且邻近其中一个像素单元的第一电极301。在本示例中，一个像素单元可以包括三个不同颜色的子像素。在一些示例中，第一显示区域100和第二显示区域200内的多个子像素可以按照以下方式排布：在每一行上按照两个第一子像素、一个第二子像素以及一个第三子像素的重复单元排布，重复单元中的两个第一子像素在列方向上排布，且相同颜色的子像素在行方向上错位。例如，第一子像素可以呈五边形，第二子像素和第三子像素均可以呈六边形。第一子像素可以为绿色子像素，第二子像素可以为蓝色子像素，第三子像素可以为红色子像素。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例中，如图7所示，第二调节块53可以为不规则形状。例如，位于相邻像素单元的第一电极301之间的第二调节块530的边缘可以与邻近的第一电极301的边缘匹配。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图6和图7所示，显示基板的第二电极304在衬底基板10上的正投影可以覆盖多个第一电极301在衬底基板10上的正投影。位于相邻像素单元的第一电极301之间的第二调节块530的正投影面积可以约占相邻像素单元的第一电极301之间的第二电极304的正投影面积的一半。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，在显示基板的制备过程中，可以在衬底基板10上形成发光元件30的第一电极301之后，在第二显示区域200沉积第二调节薄膜，通过构图工艺对第二调节薄膜进行构图，形成第二调节层53。第二调节层53位于第二显示区域200。随后，在第一显示区域100和第二显示区域200依次形成像素定义层302、有机功能层303和第二电极304。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，可以在形成像素定义层304之后，再制备第二调节层54，或者，在形成有机功能层303后，再制备第二调节层53。
在一些示例性实施方式中，第二调节层53的材料为无机材料，例如，SiNx或者SiO2等。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，第二调节层的材料可以为有机材料，例如消光系数接近0的有机材料。
在一些示例性实施方式中，第二调节层的材料可以包括：SiNx。以顶发射结构的显示基板为例，像素定义层在940nm的折射率n1约为1.624，第二电极在940nm的折射率n2约为0.346，在两者界面发生全反射的临界角arcsin n2/n1＝12.3°，通过消除全反射角度的红外线反射即可最大程度减轻显示基板内的串扰。SiNx在940nm的折射率n3约为1.806。当第二调节层的厚度d满足(n3-n1)d/cos12.3°＝940/2，即可实现完全干涉相消。通过计算可知d＝2491.3nm，即2.49um。基于此，通过设置第二调节层的厚度d约为2um至3um，即可较大程度地实现干涉相消，减小显示基板内第二电极对红外线的反射。
在一些示例性实施方式中，第二调节层的材料可以包括：SiO2。以顶发射结构的显示基板为例，像素定义层在940nm的折射率n1约为1.624，第二电极在940nm的折射率n2约为0.346，在两者界面发生全反射的临界角arcsin n2/n1＝12.3°，通过消除全反射角度的红外线反射即可最大程度减轻显示基板内的串扰。SiO2在940nm的折射率n3约为1.454。当第二调节层的厚度d满足(n1-n3)d/cos12.3°＝940/2，即可实现完全干涉相消。通过计算可知d＝2667.1nm，即2.67um。基于此，通过设置第二调节层的厚度d约为2.5um至3.5um，即可较大程度地实现干涉相消，减小显示基板内第二电极对红外线的反射。
在本示例性实施方式中，通过在第二电极靠近衬底基板的一侧设置第二调节层，可以利用干涉原理减少第二电极对红外光的反射，从而改善TOF元件的串扰问题，提高TOF元件的测距精准性，提升TOF元件的使用性能。
关于本实施例的显示区域的其它结构的说明可以参照上述实施例的描述，故于此不再赘述。
本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图8为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图。图9为本公开至少一实施例的第二显示区域的局部俯视图。如图8和图9所示，第二显示区域200的第二调节层53包括：多个第二调节块530。在相邻像素单元的第一电极301之间设置有一个第二调节块530。第二调节块530在衬底基板10上的正投影位于相邻像素单元的第一电极301的中间。显示基板的第二电极304在衬底基板10上的正投影可以覆盖多个第一电极301在衬底基板10上的正投影。位于相邻像素单元的第一电极301之间的第二调节块530的正投影面积可以约占相邻像素单元的第一电极301之间的第二电极304的正投影面积的一半。然而，本实施例对此并不限定。
在本示例性实施方式中，通过在第二电极靠近衬底基板的一侧设置第二调节层，可以利用干涉原理减少第二电极对红外光的反射，从而改善TOF元件的串扰问题，提高TOF元件的测距精准性，提升TOF元件的使用性能。
关于本实施例的显示区域的其它结构的说明可以参照上述实施例的描述，故于此不再赘述。
本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图10为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图。图11为本公开至少一实施例的第二显示区域的局部俯视图。如图10和图11所示，第二显示区域200的第二调节层53包括多个第二调节块530。在相邻像素单元的第一电极301之间设置有两个第二调节块530。两个第二调节块530在衬底基板10上的正投影位于相邻像素单元的第一电极301之间，且各自与一个像素单元的第一电极301邻近。显示基板的第二电极304在衬底基板10上的正投影可以覆盖多个第一电极301在衬底基板10上的正投影。位于相邻像素单元的第一电极301之间的两个第二调节块530的正投影面积之和可以约占相邻像素单元的第一电极301之间的第二电极304的正投影面积的一半。然而，本实施例对此并不限定。
在本示例性实施方式中，通过在第二电极靠近衬底基板的一侧设置第二调节层，可以利用干涉原理减少第二电极对红外光的反射，从而改善TOF元件的串扰问题，提高TOF元件的测距精准性，提升TOF元件的使用性能。
关于本实施例的显示区域的其它结构的说明可以参照上述实施例的描述，故于此不再赘述。
本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
在一些示例性实施方式中，以在远离第二显示区域的显示基板的出光面一侧设置摄像头为例。为了提高第二显示区域的透光率，第二显示区域的子像素的像素驱动电路可以设置在第一显示区域，第二显示区域的子像素的发光元件可以通过排布在第二显示区域的透明走线连接至第一显示区域的像素驱动电路。然而，在第二显示区域设置多条并行排布的直线透明走线之后，透明走线形成的光栅对光线会产生衍射作用，例如会产生彩虹状的星芒眩光，如图12所示。按照衍射艾里斑直径r＝1.22λf/s，其中，r为埃里斑直径，s为狭缝宽度，f为镜头焦距，λ为波长；由上述式子可以看出，波长越长，衍射半径越大。因此，红色(波长约为620nm)眩光在最外侧，绿色(波长约为550nm)眩光在中间，蓝色(波长约为460nm)眩光在最内侧。图13为一种显示基板的星芒眩光的仿真数据，其中，右侧标尺的单位为微米。
图14为本公开至少一实施例的显示基板的剖面示意图。图15为本公开至少一实施例的第二显示区域的局部俯视示意图。如图14和图15所示，在一些示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，第二显示区域200包括：衬底基板10、设置在衬底基板10上的阻挡层11、多个绝缘层、光调节层、发光元件30和封装层40。光调节层包括：第一透明走线层54，第一透明走线层54包括多条沿同一方向延伸的第一透明走线540。多个绝缘层包括依次叠设的第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23、第四绝缘层24和第五绝缘层25。光调节层和发光元件30的第一电极301之间设置有第六绝缘层26。在一些示例中，第一绝缘层21至第四绝缘层24为无机绝缘层，第五绝缘层25和第六绝缘层26为有机绝缘层。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，发光元件30包括：第一电极301、像素定义层302、有机功能层303和第二电极304。第一电极301位于第二电极304靠近衬底基板10的一侧。第一透明走线层54位于第一电极301靠近衬底基板10的一侧。第一透明走线540可以从第二显示区域200延伸到第一显示区域100，以连接第一显示区域100内驱动第二显示区域200的发光元件的像素驱动电路。例如，第一透明走线540可以通过第五绝缘层25上形成的第二过孔与第一显示区域100内的像素驱动电路连接。第二显示区域200内的发光元件30的第一电极301可以通过第六绝缘层26上形成的第三过孔K3与第一透明走线540连接。在本示例中，第二显示区域200内的发光元件30的第一电极301可以通过至少一条第一透明走线540与设置在第一显示区域100内的像素驱动电路连接。然而，本实施例对此并不限定。
在本示例性实施方式中，如图15所示，在平行于显示基板的平面内，多条第一透明走线540具有波浪形状。波浪形状可以具有任意曲率和弧度，本实施例对此并不限定。在一些示例中，第一透明走线层54可以采用ITO等透明导电材料。
在一些示例性实施方式中，显示基板可以为顶发射结构。然而，本实施例对此并不限定。
本示例性实施方式中，通过将连接第一电极和像素驱动电路的透明走线设置为波浪形状，可以减小第二显示区域内的衍射，从而改善眩光。
关于本实施例的显示区域的其它结构的说明可以参照上述实施例的描述，故于此不再赘述。
本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图16为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图。图17为本公开至少一实施例的显示基板的第二显示区域的局部俯视示意图。在一些示例性实施方式中，如图16和图17所示，在一些示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，第二显示区域200包括：衬底基板10、设置在衬底基板10上的阻挡层11、多个绝缘层、光调节层、发光元件30和封装层40。第二显示区域200的光调节层包括：依次设置在衬底基板10上的第一透明走线层54和第二透明走线层55。第一透明走线层54包括多条第一透明走线540，第二透明走线层55包括多条第二透明走线550。多条第一透明走线540和多条第二透明走线550的延伸方向相同。多个绝缘层包括依次叠设的第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23、第四绝缘层24和第五绝缘层25。第一透明走线层54和第二透明走线层55之间设置有第六绝缘层26。第二透明走线层55和发光元件30的第一电极301之间设置有第七绝缘层27。在一些示例中，第一绝缘层21至第四绝缘层24为无机绝缘层，第五绝缘层25、第六绝缘层26和第七绝缘层27为有机绝缘层。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，发光元件30包括：第一电极301、像素定义层302、有机功能层303和第二电极304。第一电极301位于第二电极304靠近衬底基板10的一侧。第二透明走线层55位于第一电极301靠近衬底基板10的一侧，第一透明走线层54位于第二透明走线层55靠近衬底基板10的一侧。第一透明走线540和第二透明走线550可以各自从第二显示区域200延伸到第一显示区域100，以连接第一显示区域100内驱动第二显示区域200的发光元件的像素驱动电路。例如，第一透明走线540可以通过第五绝缘层25上形成的第二过孔与第一显示区域100内的像素驱动电路连接，第二透明走线550可以通过第六绝缘层26上形成的第四过孔与第一显示区域100内的像素驱动电路连接。第二显示区域200内的发光元件30的第一电极301可以通过第七绝缘层27上形成的第三过孔K3与第二透明走线550连接，或者，可以通过第七绝缘层27和第六绝缘层26上形成的第五过孔K5与第一透明走线540连接。在本示例中，第二显示区域200内的发光元件30的第一电极301可以通过至少一条第一透明走线540或至少一条第二透明走线550与设置在第一显示区域100内的像素驱动电路连接。然而，本实施例对此并不限定。
在本示例性实施方式中，如图17所示，在平行于显示基板的平面内，多条第一透明走线540具有波浪形状。多条第二透明走线550具有波浪形状，且多条第一透明走线540和多条第二透明走线550在衬底基板10上的正投影交错。波浪形状可以具有任意曲率和弧度，本实施例对此并不限定。在一些示例中，第一透明走线层54和第二透明走线层55可以采用ITO等透明导电材料。
在本示例性实施方式中，如图16所示，第一显示区域100内的发光元件30的第一电极301可以通过贯穿第七绝缘层27、第六绝缘层26和第五绝缘层25的过孔与像素驱动电路的第一薄膜晶体管101的漏电极连接。然而，本实施例对此并不限定。例如，第一显示区域可以设置连接电极，连接电极位于第一电极靠近衬底基板的一侧，且位于像素驱动电路远离衬底基板的一侧，第一电极可以通过连接电极实现与对应像素驱动电路的电连接。
在本示例性实施方式中，通过将连接第一电极和像素驱动电路的透明走线设置为双层、且为正投影交错的波浪走线，可以减小第二显示区域内的衍射，从而改善眩光。
关于本实施例的显示区域的其它结构的说明可以参照上述实施例的描述，故于此不再赘述。
本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图18为本公开至少一实施例的显示基板的圈入衍射能量的仿真结果示意图。在图18中，对比例提供的显示基板设置有单个透明走线层，且透明走线层包括延伸方向相同的多条直线状的透明走线。示例一为图15所示的实施例，示例二为图17所示的实施例。由图18可知，示例二提供的显示基板在相同光斑直径范围内的光强占比高于示例一，且示例一和示例二提供的显示基板在相同光斑直径范围内的光强占比均高于对比例。由此可见，本实施例提供的显示基板可以减小第二显示区域内的衍射，从而改善眩光。
图19为本公开至少一实施例的显示基板的第二显示区域的局部俯视示意图。图20为本公开至少一实施例的显示基板的另一剖面示意图。如图19和图20所示，在一些示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，第二显示区域200包括：衬底基板10、设置在衬底基板10上的阻挡层11、多个绝缘层、光调节层、发光元件30和封装层40。第二显示区域200的光调节层包括：依次设置在衬底基板10上的第三透明走线层56和第三调节层57。第三透明走线层56包括多条沿相同方向延伸的第三透明走线560。第三调节层57位于多条第一透明走线560的间隙处。在一些示例中，第三调节层57在衬底基板10上的正投影与第三透明走线层56没有交叠。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图19所示，多条第三透明走线560为直线。第三透明走线层56可以采用ITO等透明导电材料。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，第三透明走线可以具有波浪形状。
在一些示例性实施方式中，在显示基板的制备过程中，可以在第五绝缘层25上形成第三透明走线层56之后，先形成第三调节层57，随后形成第六绝缘层26，然后在第六绝缘层26上形成第一电极301。其中，第五绝缘层25和第六绝缘层26可以为有机绝缘层。
在一些示例性实施方式中，第三调节层的材料为无机材料，例如SiOx。以第三透明走线层采用ITO为例，SiOx的折射率n1约为1.473、消光系数约为0.0001；ITO(例如厚度为30nm)的折射率n2约为2.001、消光系数约为0.0031；有机绝缘层的折射率n3约为1.658、消光系数约为0.002。为使ITO和第三调节层交界处的光程差为二分之一波长以便实现完全干涉相消，第三调节层的厚度d需满足如下式子：n2*30+n3*(d-30)-n1*d＝550/2(以人眼最敏感的550nm波长来计算)，代入相关数值计算得d＝1430.9nm，即1.43um。在一些示例中，可以设置第三调节层的厚度约为1.4um至1.5um，即可较大程度实现干涉相消，减小衍射。
在一些示例性实施方式中，第三调节层的材料可以为有机材料。以第三透明走线层采用ITO为例，第三调节层的有机材料的折射率n1约为1.489、消光系数约为0.0001；ITO(厚度为30nm)的折射率n2约为2.001消光系数约为0.0031；有机绝缘层的折射率n3约为1.658、消光系数约为0.002。为使ITO和第三调节层的交界处的光程差为二分之一波长以便实现完全干涉相消，第三调节层的厚度d需满足如下式子：n2*30+n3*(d-30)-n1*d＝550/2(以人眼最敏感的550nm波长来计算)，代入相关数值计算得d＝1566.3nm，即1.57um。在一些示例中，可以设置第三调节层的厚度约为1.5um至1.6um，即可较大程度实现干涉相消，减少衍射。
本示例性实施方式中，通过在透明走线的间隙设置第三调节层，可以利用干涉相消原理，减小透明走线的衍射，从而改善眩光。
关于本实施例的显示区域的其它结构的说明可以参照上述实施例的描述，故于此不再赘述。
本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图21为本公开至少一实施例的显示基板的另一示意图。在一些示例性实施方式中，如图21所示，显示基板包括第一显示区域100和两个相互隔离的第二显示区域(例如，第二显示区域200a和200b)。例如，第二显示区域200a和200b均位于第一显示区域100的上半部分。然而，本实施例对于两个第二显示区域的位置并不限定。
在一些示例性实施方式中，可以在远离第二显示区域200a的出光面一侧设置TOF元件，在远离第二显示区域200b的出光面一侧设置摄像头。第二显示区域200a的结构可以参照图2所示，第二显示区域200b的结构可以参照17所示。然而，本实施例对此并不限定。
关于本实施例的显示区域的结构可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。
本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图22为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。在一些示例性实施方式中，如图22所示，显示装置可以包括：显示基板71、以及位于远离显示基板71的出光面710一侧的光学器件72，光学器件72在显示基板71上的正投影与显示基板的第二显示区域交叠。例如，光学器件72在显示基板71上的正投影位于第二显示区域内。
关于本实施例的显示基板的结构可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。
本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。

Claims (16)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：第一显示区域和至少一个第二显示区域，所述第二显示区域的透光率大于第一显示区域的透光率；
所述显示基板的第二显示区域设置有光调节层，所述光调节层配置为调节所述第二显示区域的光线传输效果；
所述第二显示区域包括：第一子显示区域和第二子显示区域；
当远离所述显示基板的出光面一侧设置包括发射传感器和接收传感器的TOF元件，所述发射传感器在所述显示基板上的正投影位于所述第一子显示区域，所述接收传感器在所述显示基板上的正投影位于所述第二子显示区域；
所述光调节层包括：设置在所述第一子显示区域的第一调节层，所述第一调节层靠近所述显示基板的出光面的表面为凸面；
所述显示基板的第一子显示区域包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的发光元件，所述光调节层的第一调节层位于所述发光元件靠近所述衬底基板的一侧；所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的有机功能层；所述第一电极位于所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧；
所述第一电极在所述衬底基板上的正投影包含所述光调节层的第一调节层在所述衬底基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光调节层还包括：设置在衬底基板上的反光层；所述反光层在所述衬底基板上的正投影包含所述第一调节层在所述衬底基板上的正投影。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一调节层包括多个第一调节块；所述反光层包括多个反光块，所述多个反光块与多个第一调节块一一对应；
在垂直于所述显示基板的平面内，所述第一调节块的截面具有第一长度沿着远离所述衬底基板表面的方向逐渐减小的形状，所述第一长度为所述第一调节块在平行于所述衬底基板表面的方向上的长度。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述显示基板的平面内，所述第一调节块的截面为三角形或半圆形。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一调节层的材料为有机材料。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板的第一显示区域包括：衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的光遮挡层、驱动结构层和发光元件；所述反光层与所述光遮挡层为同层结构。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个像素单元；至少一个像素单元包括多个子像素，至少一个子像素包括发光元件和驱动所述发光元件发光的像素驱动电路；所述发光元件包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机功能层，所述第一电极位于所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧；
所述光调节层还包括第二调节层，所述第二调节层位于所述第二电极远离所述显示基板的出光面的一侧。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第二调节层包括多个第二调节块；至少一个第二调节块在所述衬底基板上的正投影位于相邻像素单元的第一电极在所述衬底基板上的正投影之间，且所述相邻像素单元的第一电极之间的所述至少一个第二调节块的正投影面积，占所述相邻像素单元的第一电极之间的第二电极的正投影面积的一半。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述相邻像素单元的第一电极在所述衬底基板上的正投影之间具有一个第二调节块在所述衬底基板上的正投影，且所述第二调节块在所述衬底基板上的正投影位于所述相邻像素单元的第一电极的中间，或者，与其中一个像素单元的第一电极邻近；或者，所述相邻像素单元的第一电极在所述衬底基板上的正投影之间具有两个第二调节块在所述衬底基板上的正投影，且所述两个第二调节块在所述衬底基板上的正投影各自与其中一个像素单元的第一电极邻近。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二调节层的材料为无机材料，且所述第二调节层的厚度为1.8微米至3.8微米。
11.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一显示区域包括：衬底基板、依次设置在所述衬底基板上的显示结构层和发光元件；所述第二显示区域包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的发光元件；
所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机功能层，所述第一电极位于所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧；
所述光调节层还包括：位于所述第一电极靠近所述衬底基板的一侧的至少一个透明走线层，所述第一电极通过所述光调节层的至少一个透明走线层与所述第一显示区域的显示结构层电性连接。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个透明走线层包括多条沿同一方向延伸的透明走线；所述至少一条透明走线具有波浪形状。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述光调节层包括：叠设的第一透明走线层和第二透明走线层；所述第一透明走线层包括多条第一透明走线，所述第二透明走线包括多条第二透明走线，所述多条第一透明走线和多条第二透明走线的延伸方向相同；
所述第一透明走线层的多条第一透明走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二透明走线层的多条第二透明走线在所述衬底基板上的正投影交错。
14.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述光调节层还包括：第三调节层；所述至少一个透明走线层包括沿同一方向延伸的多条透明走线，所述第三调节层填充所述多条透明走线的间隙。
15.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述第三调节层的厚度为1.3微米至1.7微米。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至15中任一项所述的显示基板、以及位于远离所述显示基板的出光面的一侧的光学器件，所述光学器件在所述显示基板上的正投影与第二显示区域交叠。
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