CN111477762A - 显示面板及其制备方法、电致发光显示装置 - Google Patents

显示面板及其制备方法、电致发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111477762A
CN111477762A CN202010334639.9A CN202010334639A CN111477762A CN 111477762 A CN111477762 A CN 111477762A CN 202010334639 A CN202010334639 A CN 202010334639A CN 111477762 A CN111477762 A CN 111477762A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film layer
thin film
display panel
layer
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010334639.9A
Other languages
English (en)
Inventor
江玉
杨忠正
胡迎宾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010334639.9A priority Critical patent/CN111477762A/zh
Publication of CN111477762A publication Critical patent/CN111477762A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、电致发光显示装置,涉及显示技术领域,可以解决显示面板的反射率高的问题,该显示面板包括多个呈阵列排布的发光器件以及设置于所述发光器件的出光侧的减反膜层;所述减反膜层包括至少一组复合层;所述复合层包括依次远离所述盖板的第一薄膜层和第二薄膜层;所述第一薄膜层用于对依次入射至所述第二薄膜层和所述第一薄膜层的光线进行反射,形成第一反射光;所述第二薄膜层用于对入射至所述第二薄膜层的光线进行反射,形成第二反射光,所述第一反射光与所述第二反射光干涉相消。

Description

显示面板及其制备方法、电致发光显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、电致发光显示装置。
背景技术
电致发光显示装置由于具有自发光、低功耗、宽视角、响应速度快以及高对比度等优点,因而成为目前显示装置的主流发展趋势。
目前,TFT-LCD(Thin film transistor liquid crystal display,薄膜晶体管液晶显示器)中的反射率及透过率直接影响可视效果,当透过率较小时,显示装置所呈现的画面较暗;当反射率较高时,显示装置所呈现的画面容易被外界光干涉。另外,在电致发光显示装置技术领域,对显示装置的反射率要求更加严格,要求显示装置具有较低的反射率的同时,还要求显示装置能够实现轻薄化。
发明内容
本申请的实施例采用如下技术方案:
第一方面、提供一种显示面板,包括:多个呈阵列排布的发光器件;减反膜层,设置于所述发光器件的出光侧;所述减反膜层包括至少一组复合层;所述复合层包括依次远离所述盖板的第一薄膜层和第二薄膜层;所述第一薄膜层用于对依次入射至所述第二薄膜层和所述第一薄膜层的光线进行反射,形成第一反射光;所述第二薄膜层用于对入射至所述第二薄膜层的光线进行反射,形成第二反射光,所述第一反射光与所述第二反射光干涉相消。
在一些实施例中,所述第一反射光和所述第二反射光的光程差满足:
Figure BDA0002466139230000011
其中,n1为所述第一薄膜层的折射率,d1为所述第一薄膜层的厚度,n2为所述第二薄膜层的折射率,d2为所述第二薄膜层的厚度。
在一些实施例中,所述第一薄膜层的折射率和所述第二薄膜层的折射率小于或等于10。
在一些实施例中,所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的厚度小于或等于200nm。
在一些实施例中,所述显示面板包括三组复合层,分别为第一组复合层、第二组复合层以及第三组复合层;所述三组复合层中所述第一薄膜层和所述第二薄膜层交替层叠设置;所述第一组复合层中,第一薄膜层的厚度为15nm,第二薄膜层的厚度为35nm;所述第二组复合层中,第一薄膜层的厚度为120nm,第二薄膜层的厚度为60nm;所述第三组复合层中,第一薄膜层的厚度为100nm,第二薄膜层的厚度为50nm。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:透明保护层,设置于所述减反膜层远离所述发光器件一侧的表面上;所述透明保护层的折射率范围为1.5~2.0,且厚度小于或等于20nm。
在一些实施例中,所述透明保护层的材料包括透明金属氧化物。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:盖板,设置于所述发光器件上,所述减反膜层设置于所述盖板远离所述发光器件一侧的表面。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:衬底,承载所述发光器件,所述减反膜层设置于所述衬底远离所述发光器件一侧的表面。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:彩色滤光层,所述彩色滤光层设置于所述盖板靠近所述发光器件的一侧表面。
第二方面、提供一种电致发光显示装置,包括如上述的显示面板。
第三方面、提供一种显示面板的制备方法,包括:形成多个呈阵列排布的发光器件;采用溅射工艺在盖板上形成减反膜层;所述减反膜层包括至少一组复合层;所述复合层包括依次远离所述盖板的第一薄膜层和第二薄膜层;所述第一薄膜层用于对依次入射至所述第二薄膜层和所述第一薄膜层的光线进行反射,形成第一反射光;所述第二薄膜层用于对入射至所述第二薄膜层的光线进行反射,形成第二反射光,所述第一反射光与所述第二反射光干涉相消;将形成有所述减反膜层的所述盖板与多个呈阵列排布的所述发光器件贴附在一起。
在一些实施例中,还包括:采用溅射工艺在所述减反膜层上形成透明保护层。
本发明实施例中,由于减反膜层包括至少一组复合层;而复合层包括依次远离发光器件的第一薄膜层和第二薄膜层;第一薄膜层3101用于对依次入射至第二薄膜层和第一薄膜层的光线进行反射,形成第一反射光;第二薄膜层用于对入射至第二薄膜层的光线进行反射,形成第二反射光,第一反射光与第二反射光干涉相消,从而能够降低反射率。在显示面板包括设置在发光器件上的盖板,减反膜层设置在盖板远离发光器件一侧的表面时,能够降低盖板表面的反射率,提高显示面板的透过率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种电致发光显示装置的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种显示面板的区域划分示意图;
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种干涉相消原理示意图;
图7为本发明实施例提供的另一种干涉相消原理示意图;
图8为本发明实施例提供的一种外界光在第一薄膜层和第二薄膜层的表面反射的结构示意图;
图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图11为本发明实施例提供的一种在减反膜层上形成不同厚度的氧化铟锡时,反射率的模拟结果示意图;
图12为本发明实施例提供的一种形成阵列基板的结构示意图;
图13为本发明实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图;
图14为本发明实施例提供的一种将阵列基板与彩膜基板贴附的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本发明实施例中,需要理解的是,术语“上”、“下”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为本发明的限制。
本发明实施例提供一种电致发光显示装置,电致发光显示装置可以是有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)或量子点电致发光显示装置(Quantum Dot Light Emitting Diodes,简称QLED)。
此处,电致发光显示装置可以为电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
如图1所示,电致发光显示装置的主要结构包括框架1、盖板2(例如可以是盖板玻璃,Cover glass)、显示面板3以及线路板4等其它配件。此处,显示面板3可以为柔性显示面板,也可以为刚性显示面板。在显示面板3为柔性显示面板的情况下,电致发光显示装置为柔性电致发光显示装置。
其中,框架1的纵截面呈U型,显示面板3、线路板4以及其它配件均设置于框架1内,线路板4置于显示面板3的下方(即背面,背离显示面板3的显示面的一面),盖板2设置于电致发光显示面板3远离线路板4的一侧。
本发明实施例还提供一种显示面板3,可以应用于上述的电致发光显示装置中。如图2所示,该显示面板3包括多个呈阵列排布的发光器件30以及设置于发光器件30的出光侧的减反膜层31。减反膜层31包括至少一组复合层310;复合层310包括依次远离发光器件30的第一薄膜层3101和第二薄膜层3102;第一薄膜层3101用于对依次入射至第二薄膜层3102和第一薄膜层3101的光线进行反射,形成第一反射光a;第二薄膜层3102用于对入射至第二薄膜层3102的光线进行反射,形成第二反射光b,第一反射光a与第二反射光b干涉相消。
如图3所示,显示面板3具有显示区A1(Active Area,简称为AA区)和位于显示区A1至少一侧的周边区A2,附图3以周边区A2包围显示区A1为例进行示意。显示区A1包括多个呈阵列排布的亚像素P,一个发光器件30位于一个亚像素P内。周边区A2用于布线,此外,也可以将栅极驱动电路设置于周边区A2。
在此基础上,如图4所示,发光器件30包括第一电极301和第二电极302,第一电极301和第二电极302用于形成驱动发光器件30发光的电场。如图4所示,显示面板3还包括设置在衬底32上,且位于第一电极301和第二电极302之间的像素界定层33,参考图4,第二电极302包括多个第二电极图案302a,像素界定层33包括多个开口部,一个开口部露出一个第二电极图案302a。
在一些实施例中,发光器件30还包括发光层303。在另一些实施例中,发光器件30除包括发光层303外,还包括电子传输层(election transporting layer,简称ETL)、电子注入层(election injection layer,简称EIL)、空穴传输层(hole transporting layer,简称HTL)以及空穴注入层(hole injection layer,简称HIL)中的一层或多层。
在一些实施例中,第一电极301为阴极(Cathode),第二电极302为阳极(Anode)。在另一些实施例中,第一电极301为阳极,第二电极302为阴极。本发明实施例对此不作限定。
在第一电极301为阴极,第二电极302为阳极的情况下,电子注入层和电子传输层设置在第一电极301和发光层303之间,空穴注入层和空穴传输层设置在第二电极302和发光层303之间。在第一电极301为阳极,第二电极302为阴极的情况下,电子注入层和电子传输层设置在第二电极302和发光层303之间,空穴注入层和空穴传输层设置在第一电极301和发光层303之间。
此外,可以是电子注入层、电子传输层、空穴注入层以及空穴传输层仅位于像素界定层33的开口部内;也可以是电子注入层、电子传输层、空穴注入层以及空穴传输层不仅位于像素界定层33的开口部内,而且覆盖像素界定层33靠近第一电极301的表面,即电子注入层、电子传输层、空穴注入层以及空穴传输层为一整层。
如图4所示,显示面板3还包括设置在衬底32上的多个驱动电路。驱动电路包括多个薄膜晶体管34,多个薄膜晶体管中作为驱动晶体管的薄膜晶体管34的漏极与第二电极图案302a电连接。如图4所示,显示面板3还包括设置在驱动电路和第二电极302之间的平坦层35,第二电极图案302a通过平坦层35上的过孔与多个薄膜晶体管34中作为驱动晶体管的薄膜晶体管34的漏极电连接。
基于上述,在一些实施例中,第一电极301呈透明或半透明,第二电极302呈不透明,在此情况下,电致发光显示装置为顶发光型显示装置。在另一些实施例中,第一电极301呈不透明,第二电极302呈透明或半透明,在此情况下,电致发光显示装置为底发光型显示装置。在另一些实施例中,第一电极301呈透明或半透明,第二电极302呈透明或半透明,在此情况下,显示装置为双面发光型显示装置。
在电致发光显示装置为顶发光型显示装置的情况下,显示面板3还包括设置于发光器件30上的盖板2,减反膜层31设置于盖板2远离发光器件30一侧的表面。在电致发光显示装置为底发光型显示装置的情况下,显示面板3包括承载发光器件30的衬底32,减反膜层设置于衬底32远离发光器件30一侧的表面。
在电致发光显示装置为顶发光型显示装置的情况下,即显示面板3还包括设置于发光器件30上的盖板2时,可选的,如图5所示,显示面板3还包括设置于盖板2靠近发光器件30的一侧表面的彩色滤光层36(Color filter,简称CF)。
如图5所示,彩色滤光层36至少包括红色光阻单元361、绿色光阻单元362以及蓝色光阻单元363;红色光阻单元361、绿色光阻单元362以及蓝色光阻单元363分别与显示面板3上的亚像素P一一正对。彩色滤光层36还包括黑矩阵图案364,黑矩阵图案364用于将红色光阻单元361、绿色光阻单元362以及蓝色光阻单元363间隔开。
本发明实施例中,在减反膜层31包括至少一组复合层310情况下,可以是减反膜层11仅包括一组复合层310,也可以是减反膜层31包括两组或两组以上的复合层310。即,减反膜层31至少包括第一薄膜层3101和第二薄膜层3102。图2和图5均以减反膜层31包括一组复合层310为例进行示意。
例如,在减反膜层31仅包括一组复合层310的情况下,即减反膜层31包括两层薄膜层(第一薄膜层3101和第二薄膜层3102);又例如,减反膜层31包括两组复合层310的情况下,即减反膜层31包括四层薄膜层(依次远离发光器件30的第一薄膜层3101、第二薄膜层3102、第一薄膜层3101以及第二薄膜层1102)。此外,减反膜层31包括三组及三组以上的复合层310的结构可以参考上述实施例,此处不再一一赘述。
结合图6所示,本发明实施例提供一种干涉相消原理:
当外界光(例如环境光)照射到薄膜层,薄膜层的上下表面同时反射光线,总反射光是两部分反射光的总和。由于光的波动性,两个界面的反射光干涉相消取决于它们的相位关系,相位关系取决于两个反射光不同的光程,而光程取决于薄膜层的厚度、折射率(光学常数)和波长。当两个反射光的光程差满足2nd=iλ时(n为薄膜层的折射率,d为薄膜层的厚度,λ为波长),如图7所示,两个反射光的相位相反(即一个反射光的波峰与另一个反射光的波谷抵达同一地点),因而会发生干涉相消。
如图6所示,两个界面的反射光到C点的光程差为:δ=n(AB+BC)-n0DC,而
Figure BDA0002466139230000071
其中,n为薄膜层的折射率,n0为空气折射率;DC=AC sinθ=2d tanγ·sinθ;根据折射定律:n0sinθ=nsinγ;则光程差
Figure BDA0002466139230000081
考虑到半波损失,则光程差为:
Figure BDA0002466139230000082
当外界光垂直入射时,θ=γ=0,因此光程差为
Figure BDA0002466139230000083
在此基础上,当δ等于半个波长(λ/2)的奇数倍时,两个反射光发生干涉相消。
同理,如图8所示,当复合层310包括依次远离盖板2的第一薄膜层3101和第二薄膜层3102时,外界光从第一薄膜层3101的下表面反射形成第一反射光a,从第二薄膜层3102的上表面反射形成第二反射光b。
需要说明的是,第一反射光a包括光线从第一薄膜层3101的下表面反射形成的反射光和从第二薄膜层3102的下表面反射形成的反射光,即光线从第一薄膜层3101的下表面反射形成的反射光与光线从第二薄膜层3102的下表面反射形成的反射光干涉相消从而形成第一反射光a。也即,当减反膜层31包括多组复合层310(减反膜层包括多个层叠设置的薄膜层)时,外界光会在每一层薄膜层的表面均发生反射,为了便于理解,本发明实施例中的附图,仅以外界光从最靠近盖板2的薄膜层的下表面反射的反射光以及最外层的薄膜层的上表面反射的反射光为例进行示意。
基于上述的原理可知,当第一反射光a和第二反射光b的光程差满足半个波长的奇数倍时,第一反射光a和第二反射光b干涉相消。即第一反射光a和第二反射光b的光程差满足
Figure BDA0002466139230000084
其中,n1为所述第一薄膜层3101的折射率,d1为所述第一薄膜层3101的厚度,n2为所述第二薄膜层3102的折射率,d2为所述第二薄膜层3102的厚度。由上述公式可知,通过调整第一薄膜层3101和第二薄膜层3102的折射率和厚度使得第一反射光a和第二反射光b的光程差满足半个波长的奇数倍;此时,第一反射光a和第二反射光b干涉相消。
这里需要说明的是,为了区分外界光、第一反射光a和第二反射光b,图8中将上述三种光线单独示出,以便于说明;但是实际中,外界光垂直入射至减反膜层31时,第一反射光a和第二反射光b均会沿着外界光的相反路径射出,即图8中三种光线应在同一直线上。在减反膜层31包括多组复合层310的情况下,附图的情况类似,具体不再赘述。
本发明实施例中,由于减反膜层31包括至少一组复合层310;而复合层310包括依次远离发光器件30的第一薄膜层3101和第二薄膜层3102;第一薄膜层3101用于对依次入射至第二薄膜层3102和第一薄膜层3101的光线进行反射,形成第一反射光;第二薄膜层3102用于对入射至第二薄膜层3102的光线进行反射,形成第二反射光,第一反射光与第二反射光干涉相消,从而能够降低反射率。在显示面板3包括设置在发光器件30上的盖板2,减反膜层31设置在盖板2远离发光器件30一侧的表面时,能够降低盖板2表面的反射率,提高显示面板3的透过率。
在一些实施例中,第一薄膜层3101的折射率和第二薄膜层3102的折射率小于或等于10。应当理解到,折射率越小,第一薄膜层3101和第二薄膜层3102的透过率越高。示例的,第一薄膜层3101的折射率为2.35,第二薄膜层3102的折射率为1.47。
对于第一薄膜层3101和第二薄膜层3102的材料不进行限定,以其折射率小于等于10,并且为透明材料为准。此处,透明材料指的是第一薄膜层3101和第二薄膜层3102的材料具有一定的透过率,例如具有40%~70%的透过率。示例的,第一薄膜层3101的材料为五氧化二铌(Nb2O5),第二薄膜层3102的材料为二氧化硅(SiO2)。
在一些实施例中,第一薄膜层3101和第二薄膜层3102的厚度小于或等于200nm。
由于本发明实施例中,第一薄膜层3101和第二薄膜层3102的厚度小于或等于200nm,因此不仅可以降低盖板2表面的反射率,提高显示面板3的透过率,还能够使得显示面板3的厚度较薄,从而实现电致发光显示装置的轻薄化。
在一些实施例中,如图9所示,显示面板3包括三组复合层310,分别为第一组复合层310a、第二组复合层310b以及第三组复合层310c;三组复合层中第一薄膜层3101和第二薄膜层3102交替层叠设置。
例如,在第一薄膜层1101的折射率为2.35,第二薄膜层1102的折射率为1.47(也即第一薄膜层1101的材料为Nb2O5,第二薄膜层1102的材料为SiO2)的情况下,显示面板3包括三组复合层310,三组复合层中第一薄膜层3101和第二薄膜层3102交替层叠设置,即形成一种高低折射率的材料交替排列的减反膜层31(类似于光子晶体结构)。
在此基础上,第一组复合层310a中,第一薄膜层3101的厚度为15nm,第二薄膜层1102的厚度为35nm;第二组复合层310b中,第一薄膜层3101的厚度为120nm,第二薄膜层3102的厚度为60nm;第三组复合层310c中,第一薄膜层3101的厚度为100nm,第二薄膜层3102的厚度为50nm。
本发明实施例中,由于显示面板3包括三组复合层310,三组复合层中第一薄膜层3101和第二薄膜层3102交替层叠设置,且第一薄膜层3101的折射率为2.35,第二薄膜层3102的折射率为1.47,在此基础上,通过改变三组复合层310中第一薄膜层3101和第二薄膜层3102的厚度,使得第一组复合层310a中,第一薄膜层3101的厚度为15nm,第二薄膜层3102的厚度为35nm;第二组复合层310b中,第一薄膜层3101的厚度为120nm,第二薄膜层3102的厚度为60nm;第三组复合层310c中,第一薄膜层3101的厚度为100nm,第二薄膜层3102的厚度为50nm,能够进一步降低盖板2的反射率,从而进一步提高显示面板3的透过率。
在一些实施例中,如图10所示,显示面板3还包括设置于减反膜层31远离盖板2一侧的表面上的透明保护层37,透明保护层37的折射率范围为1.5~2.0,且透明保护层37的厚度小于或等于20um。
此处,透明保护层37的厚度例如可以为0um、5um、10um、15um、20um。其中,当透明保护层37的厚度为0um时,即显示面板3不包括透明保护层37。
在一些实施例中,透明保护层37的材料包括金属氧化物。金属氧化物例如可以为氧化铟锡(Indium tin oxide,简称ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,简称IZO)、氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide,简称IGZO)中的一种;或者为其它合适的材料,本发明实施例对此不作限定。
参考图11,图11为显示面板3包括不同厚度的透明保护层37时,对盖板2的反射率进行测量的结果。由图11可以看出,当透明保护层37的厚度为10um时,盖板2的反射率最低,例如在可见光区(380nm~780nm),盖板2的反射率的平均值为1.11%。
由于ITO本身具有提高透过率的作用,因此在透明保护层37的材料为ITO时,将透明保护层37设置在减反膜层31远离盖板2一侧的表面,更有利于降低反射率,以提高透过率;并且,由于ITO的硬度较大,因此还可以保护减反膜层31不被划伤,以进一步保护显示面板3不被损伤。
本发明实施例还提供一种显示面板3的制备方法,用于制备上述的显示面板3。显示面板3的制备方法包括:
S100、形成多个呈阵列排布的发光器件30。
应当理解到,在形成多个阵列排布的发光器件30之前,显示面板3的制备方法还包括在衬底32上形成驱动电路,在驱动电路上形成平坦层35。
形成多个呈阵列排布的发光器件30包括在平坦层35上形成多个第二电极图案302a,以得到第二电极层302;此外在第二电极层302上形成像素界定层33,像素界定层33包括多个开口部,在每个开口部中利用喷墨打印的方式形成发光功能层。
在一些实施例中,发光功能层仅包括发光层303。在另一些实施例中,发光功能层除包括发光层303外,还包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的一层或多层。
此处,利用喷墨打印形成电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层时,形成的电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层可以是一整层;也可以是仅位于像素界定层33的开口部内。
基于上述步骤,如图12所示,即完成了阵列基板10(Array Substrate)的制备。
需要说明的是,完成阵列基板10后,还包括在阵列基板10上形成封装层38,以封装阵列基板10。此处,封装层38可以为封装薄膜;也可以为封装基板。
S101、采用溅射工艺在盖板2上形成减反膜层31;减反膜层31包括至少一组复合层310;复合层310包括依次远离发光器件30的第一薄膜层3101和第二薄膜层3102;第一薄膜层3101用于对依次入射至第二薄膜层3102和第一薄膜层3101的光线进行反射,形成第一反射光a;第二薄膜层3102用于对入射至第二薄膜层3102的光线进行反射,形成第二反射光b,第一反射光a与第二反射光b干涉相消。
第一反射光a与第二反射光b干涉相消的原理可以参考上述实施例,此处不再一一赘述。
需要说明的是,本发明实施例的显示面板3的制备方法以电致发光显示装置为顶发光型显示装置为例进行示意,当电致发光显示装置为底发光型显示装置时,显示面板3的制备方法可以参考顶发光型的显示装置,此处不再赘述。
例如,在减反膜层31包括一组复合层310的情况下,在盖板2上采用溅射工艺(Sputter)依次形成第一薄膜层3101和第二薄膜层3102。
需要说明的是,在减反膜层31包括多组复合层310的情况下(例如三组复合层310),只需重复三次上述步骤(即重复三次形成第一薄膜层3101和第二薄膜层3102的过程),也即进行3轮溅射工艺。
在一些实施例中,显示面板3的制备方法还包括:
S102、采用溅射工艺在减反膜层31上形成透明保护层37。
此处,透明保护层37的材料例如可以为ITO,在此基础上,即采用溅射工艺在减反膜层31上形成ITO膜层。ITO膜层的厚度例如可以为10um。
由于本发明实施例中,采用溅射工艺在减反膜层31上形成ITO膜层,而ITO不仅具有较高的透过率,而且硬度较大;此外,由于ITO膜层的厚度为10um,因此可以更好的降低盖板2表面的反射率,以提高透过率;并且还能够保护显示面板3不被损坏。
在一些实施例中,显示面板3的制备方法还包括在盖板2远离减反膜层31的一侧表面上形成彩色滤光层36。如图13所示,此时盖板2、减反膜层31、透明保护层37以及彩色滤光层36也可以称为彩膜基板20。
S103、如图14所示,将形成有减反膜层31的盖板2与多个呈阵列排布的发光器件30贴附在一起(也可称为对合)。基于上述,即完成阵列基板10和彩膜基板20后,将阵列基板10与彩膜基板20贴附在一起。
需要说明的是,在将阵列基板10与彩膜基板20贴附时,还包括设置在彩色滤光层36远离盖板2一侧表面的缓冲层39,缓冲层39可以使得彩膜基板20平坦,从而便于阵列基板10与彩膜基板20更好的贴附在一起。
本发明实施例中,由于采用溅射工艺形成减反膜层31和透明保护层37,不仅可以降低盖板2的反射率,以提高显示面板3的透过率,还可以使得形成的减反膜层31和透明保护层37的厚度较薄,即彩膜基板20的厚度较薄,从而可以使得显示面板3的厚度较薄,以实现电致发光显示装置的轻薄化;并且,本发明实施例中,将阵列基板10与彩膜基板20分开制备,这样一来,若在形成减反膜层31和透明保护层37的过程中,损坏了彩膜基板20,则只需要重新制备彩膜基板20即可,不需要重新制备阵列基板10,从而可以减少制备显示面板3的制成以及降低成本。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
多个呈阵列排布的发光器件;
减反膜层,设置于所述发光器件的出光侧;所述减反膜层包括至少一组复合层;所述复合层包括依次远离所述发光器件的第一薄膜层和第二薄膜层;所述第一薄膜层用于对依次入射至所述第二薄膜层和所述第一薄膜层的光线进行反射,形成第一反射光;所述第二薄膜层用于对入射至所述第二薄膜层的光线进行反射,形成第二反射光,所述第一反射光与所述第二反射光干涉相消。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一反射光和所述第二反射光的光程差满足:
Figure FDA0002466139220000011
其中,n1为所述第一薄膜层的折射率,d1为所述第一薄膜层的厚度,n2为所述第二薄膜层的折射率,d2为所述第二薄膜层的厚度。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第一薄膜层的折射率和所述第二薄膜层的折射率小于或等于10。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,
所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的厚度小于或等于200nm。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括三组复合层,分别为第一组复合层、第二组复合层以及第三组复合层;所述三组复合层中所述第一薄膜层和所述第二薄膜层交替层叠设置;
所述第一组复合层中,第一薄膜层的厚度为15nm,第二薄膜层的厚度为35nm;
所述第二组复合层中,第一薄膜层的厚度为120nm,第二薄膜层的厚度为60nm;
所述第三组复合层中,第一薄膜层的厚度为100nm,第二薄膜层的厚度为50nm。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
透明保护层,设置于所述减反膜层远离所述发光器件一侧的表面上;所述透明保护层的折射率范围为1.5~2.0,且厚度小于或等于20nm。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述透明保护层的材料包括透明金属氧化物。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
盖板,设置于所述发光器件上,所述减反膜层设置于所述盖板远离所述发光器件一侧的表面。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
衬底,承载所述发光器件,所述减反膜层设置于所述衬底远离所述发光器件一侧的表面。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
彩色滤光层,所述彩色滤光层设置于所述盖板靠近所述发光器件的一侧表面。
11.一种电致发光显示装置,其特征在于,包括权利要求1-10任一项所述的显示面板。
12.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
形成多个呈阵列排布的发光器件;
采用溅射工艺在盖板上形成减反膜层;所述减反膜层包括至少一组复合层;所述复合层包括依次远离所述盖板的第一薄膜层和第二薄膜层;所述第一薄膜层用于对依次入射至所述第二薄膜层和所述第一薄膜层的光线进行反射,形成第一反射光;所述第二薄膜层用于对入射至所述第二薄膜层的光线进行反射,形成第二反射光,所述第一反射光与所述第二反射光干涉相消;
将形成有所述减反膜层的所述盖板与多个呈阵列排布的所述发光器件贴附在一起。
13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,还包括:
采用溅射工艺在所述减反膜层上形成透明保护层。
CN202010334639.9A 2020-04-24 2020-04-24 显示面板及其制备方法、电致发光显示装置 Pending CN111477762A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010334639.9A CN111477762A (zh) 2020-04-24 2020-04-24 显示面板及其制备方法、电致发光显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010334639.9A CN111477762A (zh) 2020-04-24 2020-04-24 显示面板及其制备方法、电致发光显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111477762A true CN111477762A (zh) 2020-07-31

Family

ID=71755562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010334639.9A Pending CN111477762A (zh) 2020-04-24 2020-04-24 显示面板及其制备方法、电致发光显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111477762A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113194166A (zh) * 2021-04-14 2021-07-30 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN113703075A (zh) * 2021-09-17 2021-11-26 上海天马微电子有限公司 显示模组以及显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1753593A (zh) * 2004-09-24 2006-03-29 财团法人工业技术研究院 一种上发光有机发光元件
US20080049431A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Heather Debra Boek Light emitting device including anti-reflection layer(s)
CN102160101A (zh) * 2008-09-25 2011-08-17 夏普株式会社 显示装置
US20140117330A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
CN105098095A (zh) * 2015-07-27 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置
CN105510999A (zh) * 2016-01-28 2016-04-20 京东方科技集团股份有限公司 减反射结构及其制造方法、显示器及其制造方法
CN107331688A (zh) * 2017-07-14 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法
CN108666438A (zh) * 2017-04-01 2018-10-16 上海和辉光电有限公司 显示面板以及显示装置
CN208173633U (zh) * 2018-06-05 2018-11-30 信利光电股份有限公司 一种有机发光二极管显示屏

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1753593A (zh) * 2004-09-24 2006-03-29 财团法人工业技术研究院 一种上发光有机发光元件
US20080049431A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Heather Debra Boek Light emitting device including anti-reflection layer(s)
CN102160101A (zh) * 2008-09-25 2011-08-17 夏普株式会社 显示装置
US20140117330A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
CN105098095A (zh) * 2015-07-27 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置
CN105510999A (zh) * 2016-01-28 2016-04-20 京东方科技集团股份有限公司 减反射结构及其制造方法、显示器及其制造方法
CN108666438A (zh) * 2017-04-01 2018-10-16 上海和辉光电有限公司 显示面板以及显示装置
CN107331688A (zh) * 2017-07-14 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法
CN208173633U (zh) * 2018-06-05 2018-11-30 信利光电股份有限公司 一种有机发光二极管显示屏

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113194166A (zh) * 2021-04-14 2021-07-30 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN113703075A (zh) * 2021-09-17 2021-11-26 上海天马微电子有限公司 显示模组以及显示装置
CN113703075B (zh) * 2021-09-17 2022-08-26 上海天马微电子有限公司 显示模组以及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110767660B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板
US7250634B2 (en) Light-emitting device, method of manufacturing the same, and display unit
US11329104B2 (en) Display panel and display device
CN110968218B (zh) 触控显示面板及其制备方法
KR20060050803A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111722757B (zh) 一种显示装置及其制作方法
CN111490081B (zh) 显示面板及显示装置
KR20210032599A (ko) 표시 장치
US20210043690A1 (en) Light emitting display apparatus
US20240008303A1 (en) Display device
CN113764471A (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示装置
CN111200080B (zh) 电致发光显示设备
CN111477762A (zh) 显示面板及其制备方法、电致发光显示装置
CN112864188A (zh) 发光显示设备
US11616215B2 (en) Display apparatus
CN114093915A (zh) 显示面板和显示设备
CN114695482A (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示装置
CN113299713A (zh) 显示面板和显示装置
KR20200079977A (ko) 커버 윈도우 및 이를 포함한 플렉서블 표시 장치
CN219288075U (zh) 显示设备
CN220545415U (zh) 显示设备
US20220199722A1 (en) Display panel
US20230116076A1 (en) Electronic device
CN117835754A (zh) 显示面板及显示装置
CN116390587A (zh) 显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination