CN220545415U - 显示设备 - Google Patents
显示设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220545415U CN220545415U CN202321930574.XU CN202321930574U CN220545415U CN 220545415 U CN220545415 U CN 220545415U CN 202321930574 U CN202321930574 U CN 202321930574U CN 220545415 U CN220545415 U CN 220545415U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- display
- disposed
- display device
- upper substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 168
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 108
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 65
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 25
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 411
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001045 blue dye Substances 0.000 description 2
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000001046 green dye Substances 0.000 description 2
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000001044 red dye Substances 0.000 description 2
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QHMGFQBUOCYLDT-RNFRBKRXSA-N n-(diaminomethylidene)-2-[(2r,5r)-2,5-dimethyl-2,5-dihydropyrrol-1-yl]acetamide Chemical compound C[C@@H]1C=C[C@@H](C)N1CC(=O)N=C(N)N QHMGFQBUOCYLDT-RNFRBKRXSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
提出了一种显示设备。所述显示设备包括:下部基底;上部基底,设置在所述下部基底上;显示层,所述显示层设置在所述下部基底上并且包括多个显示元件和堤层,所述堤层包括针对所述多个显示元件中的每一个限定发射区域的第一开口;第一抗反射层,所述第一抗反射层设置在所述上部基底与所述显示层之间,所述第一抗反射层包括定位为分别对应于所述多个显示元件的多个发射区域的多个滤色器;以及第二抗反射层,设置在所述第一抗反射层上并且包括至少一个高折射率层和至少一个低折射率层,所述至少一个低折射率层具有比所述至少一个高折射率层的折射率小的折射率。
Description
相关申请的交叉引用
本申请基于2022年7月28日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0094027号韩国专利申请并且要求该韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于本文中。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示设备的结构。
背景技术
显示设备在视觉上显示数据。显示设备可以包括被划分为显示区域和外围区域的基底。在显示区域中扫描线和数据线彼此绝缘,并且在显示区域中可以包括多个像素。此外,可以在显示区域中提供薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极,以对应于多个像素中的每一个。此外,在显示区域中可以提供公共地提供在多个像素中的相对电极。可以在外围区域中提供配置为传输电信号的各种线、扫描驱动器、数据驱动器、控制器或焊盘单元等。
随着显示设备的使用已经多样化,已经尝试了各种设计来改善显示设备的质量。
实用新型内容
公开了一种显示设备,所述显示设备提供了减小的厚度以及简化的制造工艺。显示设备具有减小的反射率和提高的强度,使得可以省略单独的光学功能构件和覆盖构件。提出的实施例仅是示例,并且本公开的范围不限于此。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将根据描述是明显的,或者可以通过本公开的实施例的实践而获知。
根据一方面,一种显示设备包括:下部基底;上部基底,设置在所述下部基底上;显示层,所述显示层设置在所述下部基底上并且包括多个显示元件和堤层,所述堤层包括针对所述多个显示元件中的每一个限定发射区域的第一开口;第一抗反射层,所述第一抗反射层设置在所述上部基底与所述显示层之间,所述第一抗反射层包括定位为分别对应于所述多个显示元件的多个发射区域的多个滤色器;以及第二抗反射层,设置在所述第一抗反射层上并且包括至少一个高折射率层和至少一个低折射率层,所述至少一个低折射率层具有比所述至少一个高折射率层的折射率小的折射率。
所述下部基底可以包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域围绕所述显示区域;所述显示设备还可以包括:封装层,设置在所述显示区域中以覆盖所述多个显示元件,并且连续地延伸到所述非显示区域中;以及密封构件,在所述非显示区域中位于所述下部基底与所述上部基底之间并且将所述下部基底和所述上部基底接合在一起,其中,所述密封构件可以设置在所述封装层上。
所述封装层可以包括:第一无机封装层,在所述显示区域和所述非显示区域中设置在所述多个显示元件上;第一有机封装层,在所述显示区域中设置在所述第一无机封装层上;以及第二无机封装层,在所述显示区域和所述非显示区域中连续地覆盖所述第一有机封装层,其中,所述第一无机封装层和所述第二无机封装层可以在所述非显示区域中彼此接触,并且所述密封构件可以布置在所述第一无机封装层和所述第二无机封装层可以彼此接触的区域上。
所述显示设备还可以包括填料,所述填料位于所述上部基底与所述封装层之间并且在由所述密封构件包围的区域中,并且其中,所述第一抗反射层还可以包括在所述多个滤色器与所述填料之间的至少一个外涂层。
所述第二抗反射层可以包括两个或更多个高折射率层以及两个或更多个低折射率层,并且所述高折射率层和所述低折射率层可以彼此交替地堆叠。
所述第一抗反射层可以设置在所述上部基底的内表面上,并且所述第二抗反射层可以设置在所述上部基底的与所述内表面背对的外表面之上。
所述第一抗反射层还可以包括在所述上部基底的所述内表面上的上部基体层,所述上部基体层可以包括与所述第一开口对应的第二开口,并且所述第二开口可以被所述多个滤色器中的相应滤色器填充。
所述第二抗反射层可以设置在所述上部基底的内表面上,并且所述第二抗反射层可以位于所述上部基底与所述第一抗反射层之间。
密封构件在所述非显示区域中可以设置在所述第二抗反射层上,所述密封构件将所述下部基底和所述上部基底接合在一起。
所述下部基底可以包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域围绕所述显示区域,所述显示设备还可以包括:封装层,连续地形成在所述显示区域和所述非显示区域中,所述封装层在所述显示区域中设置在所述多个显示元件与所述上部基底之间;以及密封构件,所述密封构件在所述非显示区域中位于所述下部基底与所述上部基底之间并且将所述下部基底和所述上部基底接合在一起,其中,所述密封构件可以设置在所述封装层上。
根据一方面,一种显示设备包括:下部基底,包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域围绕所述显示区域;上部基底,设置在所述下部基底上;显示层,所述显示层设置在所述下部基底上并且包括多个显示元件和堤层,所述堤层包括针对所述多个显示元件中的每一个限定发射区域的第一开口;第一抗反射层,所述第一抗反射层设置在所述上部基底与所述显示层之间,所述第一抗反射层包括定位为分别对应于所述多个显示元件的多个发射区域的多个滤色器;以及第二抗反射层,设置在所述第一抗反射层上并且包括至少一个高折射率层和至少一个低折射率层,所述至少一个低折射率层具有比所述至少一个高折射率层的折射率小的折射率。
所述显示设备还可以包括:封装层,设置在所述显示区域中以覆盖所述多个显示元件,并且连续地延伸到所述非显示区域中;以及密封构件,所述密封构件在所述非显示区域中位于所述下部基底与所述上部基底之间并且将所述下部基底和所述上部基底接合在一起,其中,所述密封构件设置在所述封装层上。
所述封装层可以包括:第一无机封装层,在所述显示区域和所述非显示区域中设置在所述多个显示元件上;第一有机封装层,在所述显示区域中设置在所述第一无机封装层上;以及第二无机封装层,覆盖所述第一有机封装层并且在所述显示区域和所述非显示区域中,其中,所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述非显示区域中彼此接触,并且所述密封构件布置在所述第一无机封装层和所述第二无机封装层彼此接触的区域上。
所述显示设备还可以包括填料,所述填料位于所述上部基底与所述封装层之间并且在由所述密封构件包围的区域中。
所述填料可以包括基于硅树脂的树脂材料。
所述第一抗反射层还可以包括在所述多个滤色器与所述填料之间的至少一个外涂层。
所述堤层可以包括遮光绝缘材料。
所述第二抗反射层可以包括两个或更多个高折射率层以及两个或更多个低折射率层,并且所述高折射率层和所述低折射率层可以彼此交替地堆叠。
所述第一抗反射层可以设置在所述上部基底的内表面上,并且所述第二抗反射层可以设置在所述上部基底的与所述内表面背对的外表面上(或之上)。
所述第一抗反射层还可以包括在所述上部基底的所述内表面上的上部基体层,所述上部基体层可以包括与所述第一开口对应的第二开口,并且所述第二开口可以被所述多个滤色器中的相应滤色器填充。
所述第二抗反射层可以设置在所述上部基底的内表面上,并且所述第二抗反射层可以位于所述上部基底与所述第一抗反射层之间。
密封构件可以在所述非显示区域中设置在所述第二抗反射层上,所述密封构件将所述下部基底和所述上部基底接合在一起。
根据另一方面,一种显示设备包括:下部基底,包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域围绕所述显示区域;上部基底,设置在所述下部基底上;显示层,所述显示层设置在所述下部基底上并且包括多个显示元件和堤层,所述堤层包括针对所述多个显示元件中的每一个限定发射区域的第一开口;第一抗反射层,所述第一抗反射层设置在所述上部基底与所述显示层之间,所述第一抗反射层包括分别对应于所述多个显示元件的多个发射区域的多个滤色器;封装层,连续地形成在所述显示区域和所述非显示区域中,所述封装层在所述显示区域中设置在所述多个显示元件与所述上部基底之间;以及密封构件,所述密封构件在所述非显示区域中位于所述下部基底与所述上部基底之间并且将所述下部基底和所述上部基底接合在一起,其中,所述密封构件设置在所述封装层上。
所述显示设备还可以包括第二抗反射层,所述第二抗反射层设置在所述第一抗反射层上,其中,所述第二抗反射层包括至少一个高折射率层和至少一个低折射率层,所述至少一个低折射率层具有比所述至少一个高折射率层的折射率小的折射率。
所述封装层可以包括:第一无机封装层,设置在所述多个显示元件上并且在所述显示区域和所述非显示区域中;第一有机封装层,设置在所述第一无机封装层之上并且在所述显示区域中;以及第二无机封装层,设置在所述第一有机封装层上并且在所述显示区域和所述非显示区域中,其中,所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述非显示区域中彼此接触,并且所述密封构件布置在所述第一无机封装层和所述第二无机封装层彼此接触的区域上。
所述显示设备还可以包括填料,所述填料位于所述上部基底与所述封装层之间并且在由所述密封构件包围的区域中。
所述填料可以包括基于硅树脂的树脂材料。
所述第一抗反射层还可以包括在所述多个滤色器与所述填料之间的至少一个外涂层。
所述堤层可以包括遮光绝缘材料。
所述第二抗反射层可以包括两个或更多个高折射率层以及两个或更多个低折射率层,并且所述高折射率层和所述低折射率层可以彼此交替地堆叠。
所述第一抗反射层可以设置在所述上部基底的内表面上,并且所述第二抗反射层可以设置在所述上部基底的与所述内表面背对的外表面上。
所述第一抗反射层还可以包括在所述上部基底的所述内表面上的上部基体层,所述上部基体层可以包括与所述第一开口对应的第二开口,并且所述第二开口可以被所述多个滤色器中的相应滤色器填充。
所述第二抗反射层可以设置在所述上部基底的内表面上,并且所述第二抗反射层可以位于所述上部基底与所述第一抗反射层之间。
附图说明
根据以下结合附图的描述,本公开的特定实施例的上面和其它方面、特征和优点将更明显,在附图中:
图1是示意性地示出根据实施例的显示设备的透视图;
图2是示意性地示出显示设备的沿图1中的线A-A'截取的截面图;
图3是示意性地示出图1中的显示设备的平面图;
图4是示意性地示出根据实施例的显示设备的像素的等效电路图;
图5A是示意性地示出根据实施例的显示设备的沿图3中的线V-V'截取的截面图;
图5B是示意性地示出根据另一实施例的显示设备的沿图3中的线V-V'截取的截面图;
图6是示意性地示出图5A中的第二抗反射层的放大截面图;
图7是示意性地示出根据另一实施例的显示设备的截面图;以及
图8是示意性地示出根据另一实施例的显示设备的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考在附图中示出了其示例的实施例,在附图中,同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面,本实施例可以具有不同的形式,并且不应当被解释为限于本文中所阐述的描述。因此,下面仅通过参考附图描述实施例以说明本描述的各方面。如本文中所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。在整个本公开中,表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部、或者它们的任意变体。
尽管本公开允许各种改变和众多实施例,但是将在附图中示出并在书面描述中详细描述特定实施例。在下文中,将参照其中示出了本公开的实施例的附图更充分地描述本公开的效果和特征以及用于实现它们的方法。然而,本公开可以以许多不同的形式实施并且不应当被解释为限于本文中所阐述的实施例。
下面将参照附图更详细地描述一个或多个实施例。相同或对应的那些元件被呈现为相同的附图标记而不论图号如何,并且省略其的冗余描述。
在下面的实施例中,诸如“第一”和“第二”的术语在本文中仅用于描述各种元件,但是所述元件不受这些术语的限制。这样的术语仅用于将一个元件与另一元件区分开的目的。
在下面的实施例中,以单数形式使用的表述涵盖复数形式的表述,除非它在上下文中具有明显不同的含义。
在下面的实施例中,还将理解的是,本文中使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或元件,但不排除存在或添加一个或多个其它特征或元件。
将理解的是,当层、区或元件被称为“形成在”另一层、区或元件“上”时,所述层、区或元件可以直接或间接形成在所述另一层、区或元件上。也就是说,例如,可以存在居间层、区或元件。
为了便于说明,附图中的元件的尺寸可能被夸大或缩小。换句话说,由于为了便于说明而任意地示出了附图中元件的尺寸和厚度,因此以下实施例不限于此。
当可以不同地实现特定实施例时,可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如,两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与它们被提出的顺序相反的顺序执行。
将理解的是,当层、区或元件被称为“连接”到另一层、区或元件时,所述层、区或元件可以“直接连接”到所述另一层、区或元件,或者可以“间接连接”到所述另一层、区或元件且其它层、区或元件在它们之间。例如,将理解的是,当层、区或元件被称为“电连接”到另一层、区或元件时,所述层、区或元件可以“直接电连接”到所述另一层、区或元件,或者可以“间接电连接”到所述另一层、区或元件且其它层、区或元件在它们之间。
图1是示意性地示出根据实施例的显示设备1的透视图。
参考图1,显示设备1可以显示图像。显示设备1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。可以在显示区域DA中布置像素PX。非显示区域NDA可以至少部分地围绕显示区域DA。可以在非显示区域NDA中不布置像素PX。可以在非显示区域NDA中布置焊盘。
在图1中,显示设备1包括具有矩形形状的显示区域DA。然而,在另一实施例中,显示区域DA可以具有圆形形状、椭圆形形状或者诸如三角形或五边形的其他多边形形状。此外,在图1中,显示设备1是具有平面形状的平板显示设备。然而,显示设备1可以实现为各种柔性的(例如,可折叠的或可卷曲的)显示设备。
多个像素PX可以布置在显示区域DA中。多个像素PX可以发射光,并且显示设备1可以在显示区域DA中显示图像。在实施例中,像素PX可以包括多个子像素。在实施例中,多个子像素中的任意一个可以发射红光、绿光和蓝光中的一种。在另一实施例中,多个子像素中的任意一个可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。
根据实施例的显示移动图像或静止图像的显示设备1可以用作各种产品(诸如电视机、笔记本计算机、物联网(IoT)装置)以及便携式电子设备(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航仪和超移动PC(UMPC))的显示屏幕。此外,根据实施例的显示设备1可以用于可穿戴装置,诸如智能手表、手表电话、眼镜式显示器和头戴式显示器(HMD)。此外,根据实施例的显示设备1可以用作布置在用于汽车的仪表面板、用于汽车的中央仪表盘或仪表板上的中央信息显示器(CID)、汽车的替代侧视镜的车内后视镜显示器、以及汽车的布置在前排座椅的后侧上作为用于后排座椅的娱乐的显示器。
图2是示意性地示出显示设备1的沿图1中的线A-A'截取的截面图。在图2中,与图1的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且省略其的冗余描述。
参考图2,显示设备1可以包括下部基底100、显示层200、第一抗反射层300、密封构件500、填料510和上部基底600。显示区域DA和非显示区域NDA可以限定在下部基底100中。换句话说,下部基底100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。在实施例中,显示区域DA可以是其中下部基底100和显示层200彼此重叠的区域。非显示区域NDA可以是其中下部基底100和显示层200彼此不重叠的区域。
下部基底100可以包括玻璃。在另一实施例中,下部基底100可以包括聚合物树脂,诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和醋酸丙酸纤维素。在实施例中,下部基底100可以具有包括基体层和屏障层(未示出)的多层结构,所述基体层包括上面描述的聚合物树脂。下面主要详细地描述下部基底100包括玻璃的情况。
显示层200可以设置在下部基底100上。在实施例中,显示层200可以与显示区域DA重叠。在实施例中,显示层200可以包括像素电路层和显示元件层。像素电路层可以包括像素电路和绝缘层。显示元件层可以包括将由像素电路驱动的显示元件。在实施例中,显示元件可以是包括有机发射层的有机发光二极管。在一些实施例中,显示元件可以是包括无机发射层的发光二极管(LED)。LED的尺寸可以是微米级或纳米级。例如,LED可以是微型LED。在一些实施例中,LED可以是纳米棒LED。纳米棒LED可以包括氮化镓(GaN)。在实施例中,可以在纳米棒LED上设置颜色转换层。颜色转换层可以包括量子点。在一些实施例中,显示元件可以是包括量子点发射层的量子点LED。
尽管在图2中未示出,但是可以在显示层200上设置封装层(未示出)。封装层可以布置为覆盖显示区域DA中的多个显示元件,并且朝向非显示区域NDA延伸。封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层,至少一个无机封装层和至少一个有机封装层两者覆盖显示层200。封装层在下面参照图5A和图5B详细地描述。
上部基底600可以设置在显示层200上。换句话说,显示层200可以位于下部基底100与上部基底600之间。上部基底600可以是透明构件。在实施例中,上部基底600可以包括玻璃。
第一抗反射层300可以设置在上部基底600下面以及显示层200上。换句话说,显示层200和第一抗反射层300可以位于下部基底100与上部基底600之间。第一抗反射层300可以包括滤色器。可以通过考虑由显示设备1的显示元件发射的光的颜色来布置滤色器。多个滤色器中的每一个可以包括红色颜料、绿色颜料或蓝色颜料或者包括红色染料、绿色染料或蓝色染料。在一些实施例中,除了上面描述的颜料或染料外,多个滤色器中的每一个还可以包括量子点。在一些实施例中,多个滤色器中的一些可以不包括上面描述的颜料或染料,但是可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。
密封构件500可以位于下部基底100与上部基底600之间。在实施例中,密封构件500可以围绕显示区域DA并且可以布置在非显示区域NDA中。密封构件500可以将下部基底100和上部基底600接合在一起。在实施例中,密封构件500可以将覆盖显示层200的封装层(未示出)和上部基底600接合在一起。因此,下部基底100与上部基底600之间的内部空间可以被密封,并且吸收剂和/或填料510可以布置在内部空间中。
在实施例中,密封构件500可以是密封剂。例如,密封构件500可以包括作为有机密封剂的氨基甲酸酯基树脂、环氧基树脂和丙烯酸基树脂、无机密封剂、有机/无机复合密封剂或者它们的任意组合。例如,氨基甲酸酯基树脂可以包括氨基甲酸酯丙烯酸酯等。例如,丙烯酸基树脂可以包括丙烯酸丁酯或丙烯酸乙基己酯等。无机密封剂可以包括诸如铝、钛和锆的金属材料的金属氧化物或者诸如硅的非金属材料的非金属氧化物。例如,无机密封剂可以包括二氧化钛、氧化硅、氧化锆、氧化铝和它们的前体中的至少一种。同时,密封构件500可以包括将通过热量固化的材料。密封构件500可以替代将通过激光固化的材料(诸如玻璃料(frit))。
在实施例中,填料510可以布置在由下部基底100、上部基底600和密封构件500围绕的内部空间中。换句话说,填料510可以与下部基底100、上部基底600和密封构件500直接接触。填料510可以包括诸如基于硅树脂的粘合材料的透明材料。例如,填料510可以包括基于硅树脂的树脂材料。填料510可以通过使用上面描述的基于硅树脂的材料并将上面描述的基于硅树脂的材料热固化而形成。
图3是示意性地示出图1中的显示设备1的平面图。图3是其中从图2中的显示设备1省略了上部基底600的平面图。在图3中,与图2的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且省略其的冗余描述。
参考图3,显示设备1可以包括下部基底100、像素PX、扫描线SL、数据线DL和密封构件500。下部基底100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是显示设备1的其中显示图像的区域。像素PX可以布置在显示区域DA中。非显示区域NDA可以是显示设备1的其中不显示图像的区域。显示设备1的驱动电路和/或电源线可以布置在非显示区域NDA中。在实施例中,非显示区域NDA可以至少部分地围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以完全地围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以包括焊盘区域(未示出)。所述焊盘区域可以布置在显示区域DA外部,并且焊盘可以布置在所述焊盘区域中。
像素PX可以布置在显示区域DA中。像素PX可以发射光。在实施例中,像素PX可以以复数提供,并且显示设备1可以通过使用从多个像素PX发射的光来显示图像。
像素PX可以电连接到扫描线SL和数据线DL,其中,扫描线SL配置为传输扫描信号,并且数据线DL配置为传输数据信号。像素PX可以接收扫描信号和数据信号并且发射光。
扫描线SL可以配置为传输扫描信号。在实施例中,扫描线SL可以在第一方向(例如,x方向或-x方向)上延伸。扫描线SL可以电连接到像素PX。在实施例中,扫描线SL可以从驱动电路(未示出)接收扫描信号。
数据线DL可以传输数据信号。在实施例中,数据线DL可以在第二方向(例如,y方向或-y方向)上延伸。数据线DL可以电连接到像素PX。
密封构件500可以布置在非显示区域NDA中。在实施例中,密封构件500可以围绕显示区域DA。在平面图中,密封构件500可以与布置在非显示区域NDA中的线部分地重叠。
图4是示意性地示出根据实施例的显示设备的像素PX的等效电路图。
参考图4,像素PX可以包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的显示元件DPE。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。例如,像素PX可以通过显示元件DPE发射红光、绿光和蓝光中的一种或者红光、绿光、蓝光和白光中的一种。
开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL,并且可以响应于经由扫描线SL接收的扫描电压或扫描信号Sn将经由数据线DL接收的数据电压或数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL,并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和施加到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的电压差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且将从驱动电压线PL流动到显示元件DPE的驱动电流控制为对应于存储在存储电容器Cst中的电压值。显示元件DPE可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。显示元件DPE的相对电极(例如,阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
在图4的实施例中,像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器。然而,在另一实施例中,像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管。
图5A是示意性地示出根据实施例的显示设备的沿图3中的线V-V'截取的截面图,图5B是示意性地示出根据另一实施例的显示设备的沿图3中的线V-V'截取的截面图,并且图6是示意性地示出图5A中的第二抗反射层700的放大截面图。在图5A和图5B中,与图3的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且省略其的冗余描述。
参考图5A和图5B,根据实施例的显示设备可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。至少一个驱动薄膜晶体管T1和连接到驱动薄膜晶体管T1的显示元件可以设置在显示区域DA中。密封构件500或坝(未示出)等可以设置在非显示区域NDA中。下面根据图5A和图5B中示出的堆叠顺序详细地描述根据实施例的显示设备。
下部基底100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者可弯折的柔性材料。当下部基底100是柔性的(例如,可弯折的)时,下部基底100可以包括聚合物树脂,诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。下部基底100可以具有上面描述的材料的单层或多层结构,并且当下部基底100具有多层结构时,下部基底100还可以包括无机层。在一些实施例中,下部基底100可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。
在下部基底100与第一缓冲层111之间还可以包括屏障层(未示出)。所述屏障层可以防止杂质从下部基底100等到半导体层A1中的渗透或使杂质从下部基底100等到半导体层A1中的渗透最小化。所述屏障层可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料、或者有机和无机化合物,并且可以具有无机材料和有机材料的单层或多层结构。
偏置电极(bias electrode)BSM可以设置在第一缓冲层111上,以对应于驱动薄膜晶体管T1。电压可以被施加到偏置电极BSM。此外,偏置电极BSM可以防止外部光到达半导体层A1。因此,驱动薄膜晶体管T1的特性可以被稳定。在一些情况下,偏置电极BSM可以被省略。
第二缓冲层112可以覆盖偏置电极BSM并且形成在下部基底100的整个表面上。第二缓冲层112可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、或氧化锌(ZnOx)(诸如ZnO或ZnO2)。
半导体层A1可以设置在第二缓冲层112上。半导体层A1可以包括非晶硅或多晶硅。在另一实施例中,半导体层A1可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。在一些实施例中,半导体层A1可以包括基于Zn氧化物的材料,诸如Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物。在另一实施例中,半导体层A1可以包括其中诸如铟(In)、镓(Ga)或锡(Sn)的金属被包括在ZnO中的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。半导体层A1可以包括沟道区、源极区和漏极区,所述源极区和所述漏极区在所述沟道区的相反两侧处。半导体层A1可以包括一个或多个层。
栅极电极G1可以设置在半导体层A1上,以与半导体层A1至少部分地重叠且第一绝缘层113在栅极电极G1和半导体层A1之间。栅极电极G1可以包括钼(Mo)、Al、铜(Cu)或Ti等,并且可以包括一个层或多个层。例如,栅极电极G1可以是单个Mo层。存储电容器Cst的第一电极CE1可以与栅极电极G1设置在同一层上。第一电极CE1可以与栅极电极G1包括相同的材料。
第二绝缘层114可以设置为覆盖栅极电极G1和存储电容器Cst的第一电极CE1。第一绝缘层113和第二绝缘层114可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如,第一绝缘层113和第二绝缘层114可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx(诸如ZnO或ZnO2)。
存储电容器Cst的第二电极CE2可以设置在第二绝缘层114上,以与存储电容器Cst的第一电极CE1重叠。第二电极CE2可以包括Mo、Cu或Ti等,并且可以包括一个层或多个层。
层间绝缘层115可以被提供为覆盖存储电容器Cst的第二电极CE2。层间绝缘层115可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx(诸如ZnO或ZnO2)等。
源极电极S1和漏极电极D1可以设置在层间绝缘层115上。
源极电极S1和漏极电极D1可以包括包含Mo、Al、Cu、或Ti等的导电材料,并且可以包括包含上面描述的材料的一个层或多个层。例如,源极电极S1和漏极电极D1可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的多层结构。源极电极S1和漏极电极D1可以分别通过接触孔连接到半导体层A1的源极区和漏极区。
源极电极S1和漏极电极D1可以被平坦化层118覆盖,并且有机发光二极管OLED可以设置在平坦化层118上。
平坦化层118可以包括有机材料的一个层或多个层并且提供平坦的上表面。平坦化层118可以包括通用聚合物(例如,聚苯乙烯(PS))、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、具有苯酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物以及它们的任意混合物。
在下部基底100的显示区域DA中,有机发光二极管OLED可以设置在平坦化层118上。有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、包括有机发射层的中间层220、以及相对电极230。
像素电极210可以是(半)透射电极或反射电极。在一些实施例中,像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、Cr或它们的任意化合物的反射层以及形成在所述反射层上的透明或半透明的电极层。透明或半透明的电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。在一些实施例中,像素电极210可以包括ITO层、Ag层和另一ITO层。
在显示区域DA中,堤层119可以设置在平坦化层118上,并且堤层119可以包括与多个子像素中的每一个对应的开口(即,至少暴露像素电极210的中央部分的第一开口),从而限定像素的发射区域。此外,堤层119可以通过增加像素电极210的边缘与像素电极210之上的相对电极230之间的距离来防止在像素电极210的边缘处发生电弧等。
堤层119可以包括有机绝缘层。在一些实施例中,堤层119可以包括无机绝缘材料,诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。在一些实施例中,堤层119可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在实施例中,堤层119可以包括诸如遮光绝缘材料的遮光材料,并且可以被提供为黑色。遮光材料可以包括包含炭黑、碳纳米管或黑色染料的树脂或浆料、诸如Ni、Al、Mo和它们的任意合金的金属颗粒、金属氧化物颗粒(例如,氧化铬)或者金属氮化物颗粒(诸如,氮化铬)。当堤层119包括遮光材料时,可以减少由于设置在堤层119下面的金属结构的外部光反射。
有机发光二极管OLED的中间层220可以包括有机发射层。所述有机发射层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料的有机材料。所述有机发射层可以是低分子量有机材料或聚合物有机材料,并且诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层可以选择性地进一步设置在所述有机发射层下面和所述有机发射层之上。中间层220可以布置为与多个像素电极210中的每一个对应。然而,本公开不限于此。中间层220可以包括跨多个像素电极210的整体的层,并且可以进行各种修改。
相对电极230可以包括透射电极或反射电极。在一些实施例中,相对电极230可以是透明电极或半透明电极,并且可以包括包含Li、Ca、LiF、Al、Ag、Mg和它们的任意化合物或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料的、具有低功函数的金属薄膜。此外,诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电氧化物(TCO)层可以进一步设置在金属薄膜上。相对电极230可以跨显示区域DA布置,并且可以设置在中间层220和堤层119上。相对电极230可以在多个有机发光二极管OLED中整体地形成为单体,以对应于多个像素电极210。
间隔件119S可以被进一步形成在堤层119上,以便于防止掩模凹痕(mask dent)。间隔件119S可以与堤层119整体地形成为单体。例如,间隔件119S和堤层119可以通过使用半色调掩模工艺在同一工艺中同时地形成。
有机发光二极管OLED可能容易被来自外部的湿气或氧气损坏,并且因此可以通过被薄膜封装层400覆盖来保护有机发光二极管OLED。薄膜封装层400可以覆盖显示区域DA并且延伸超过显示区域DA。薄膜封装层400可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。例如,薄膜封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层(也被称为第一有机封装层)420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410可以覆盖相对电极230,并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或三氮氧化硅。尽管未示出,但是当必要时,诸如包覆层的其它层可以在第一无机封装层410与相对电极230之间。因为第一无机封装层410沿第一无机封装层410的底层结构形成,所以第一无机封装层410的上表面可能是不平坦的。有机封装层420可以覆盖第一无机封装层410,并且与第一无机封装层410不同,有机封装层420的上表面可以是大致平坦的。例如,有机封装层420的与显示区域DA对应的部分可以具有大致平坦的上表面。有机封装层420可以包括PET、PEN、PC、磺酸聚乙烯、聚甲醛、聚芳酯和HMDSO中的至少一种材料。第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420,并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或三氮氧化硅。
在这种情况下,上面描述的第一无机封装层410和第二无机封装层430中的至少一者的端部的下表面可以与下部基底100或层间绝缘层115直接接触。例如,第一无机封装层410和第二无机封装层430中的至少一者可以在非显示区域NDA中与下部基底100或层间绝缘层115直接接触。
由于上面描述的薄膜封装层400的多层结构,即使当薄膜封装层400破裂时,裂缝也可以不在第一无机封装层410和有机封装层420之间或者有机封装层420和第二无机封装层430之间连接。因此,可以防止外部湿气或氧气通过其渗透到显示区域DA中的路径的形成或使外部湿气或氧气通过其渗透到显示区域DA中的路径的形成最小化。
如在根据实施例的图5A中的显示设备中,触摸检测层440可以设置在薄膜封装层400上。触摸检测层440可以包括具有导电性的多个触摸电极。例如,触摸检测层440可以使用电容法。触摸检测层440可以通过使用当诸如用户的手指的物体接近或接触触摸检测层440的表面时的电容变化来输出发生物体的接近或接触所在的位置的坐标。如在根据另一实施例的图5B中的显示设备中,触摸检测层600-2可以设置在上部基底600-1上以构成触摸基底600'。
上部基底600可以设置在下部基底100和薄膜封装层400上并且面对下部基底100。上部基底600可以包括柔性塑料材料(诸如聚酰亚胺、树脂材料)或玻璃。
第一抗反射层300可以布置在上部基底600的内表面上。第一抗反射层300可以减小从外部朝向显示设备1入射的光(外部光)的反射率。在实施例中,第一抗反射层300可以包括多个滤色器310和覆盖滤色器310的外涂层320(至少一个外涂层320)。
滤色器310可以与有机发光二极管OLED重叠。在实施例中,滤色器310可以与堤层119的第一开口重叠。在实施例中,滤色器310可以以复数提供。可以通过考虑由有机发光二极管OLED发射的光的颜色来布置滤色器310。滤色器310可以包括红色颜料、绿色颜料或蓝色颜料或者包括红色染料、绿色染料或蓝色染料。在一些实施例中,除了上面描述的颜料或染料外,滤色器310还可以包括量子点。在一些实施例中,滤色器310可以不包括上面描述的颜料或染料,而是可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。例如,布置为对应于发射红光的像素的发射区域的滤色器310可以是红色滤色器,布置为对应于发射绿光的像素的发射区域的滤色器310可以是绿色滤色器,并且布置为对应于发射蓝光的像素的发射区域的滤色器310可以是蓝色滤色器。
滤色器310可以防止或减少显示设备中的光的反射。例如,当外部光到达滤色器310时,仅预设波长的光穿过滤色器310,并且其它波长的光被滤色器310吸收。因此,仅来自入射在显示设备上的外部光之中的预设波长的光穿过滤色器310,并且光的穿过滤色器310的部分被滤色器310下面的相对电极230和像素电极210反射并且再次发射到外部。结果,仅外部光的入射在定位有像素的地方上的部分被反射到外部,从而减少外部光反射。
外涂层320可以设置在多个滤色器310上。外涂层320可以使上部基底600的其上形成多个滤色器310的内表面平坦化,并且可以包括具有绝缘性质的透明树脂以防止颜料离子的洗脱。特别地,外涂层320可以包括有机绝缘材料,诸如基于硅树脂的树脂、丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。在本公开中,是透明的可以表示具有透光性质并且不具有与可见光的波长带对应的颜色。
下部基底100和上部基底600可以通过密封构件500彼此连接。在这种情况下,密封构件500可以布置为围绕显示设备1的显示区域DA。例如,在平面图中,密封构件500可以布置在显示区域DA外部并且形成闭环。在实施例中,密封构件500可以被提供为密封剂。在将下部基底100和上部基底600接合在一起的工艺中,密封构件500可以设置在薄膜封装层400上。例如,第一无机封装层410和第二无机封装层430可以在非显示区域NDA中彼此接触,并且密封构件500可以设置在其中第一无机封装层410和第二无机封装层430彼此接触的区域上。在一些实施例中,密封构件500可以设置在第一无机封装层410上,并且第一无机封装层410和密封构件500可以在密封构件500内部彼此接触。在这种情况下,密封构件500和上部基底600可以从外部完全地阻挡显示区域DA。
在实施例中,填料510可以位于下部基底100与上部基底600之间。例如,填料510可以位于上部基底600与薄膜封装层400之间,并且布置于在平面图中具有闭环形状的密封构件500内部。因此,在显示区域DA的一侧的空间被下部基底100、上部基底600、密封构件500和填料510从外部阻挡,从而防止外部湿气或杂质渗透到显示设备中。
填料510可以包括基于硅树脂的树脂材料。例如,填料510可以包括有机材料,诸如甲基硅树脂、苯基硅树脂和聚酰亚胺。然而,本公开不限于此,并且填料510可以包括作为有机密封剂的氨基甲酸酯基树脂、环氧基树脂和丙烯酸基树脂或者作为无机密封剂的硅树脂。因此,填料510可以具有高冲击吸收系数,并且因此可以缓冲外部压力等。此外,因为填料510和密封构件500可以保护显示设备免受内部冲击和外部冲击,所以可以提高显示设备的机械强度。
在相关技术中,因为密封构件被提供为玻璃料并且密封构件未用填料填充,所以用真空或气体填充的分离空间可以位于薄膜封装层400与上部基底600之间。然而,这样的气隙的存在可能影响行进到外部的从有机发光二极管OLED产生的光的光路。光路中的这种变化可能引起从外部被识别为污点的缺陷(例如,彩虹现象),并且显示设备的机械强度可能是相对弱的。然而,当如在根据实施例的显示设备中,薄膜封装层400和上部基底600通过密封构件500接合在一起,并且密封构件500的内部空间用填料510填充时,光路可以是均匀的并且可以实现均匀质量的图像,并且可以提高显示设备的机械强度。此外,当显示设备的机械强度提高时,可以消除从外部施加的冲击,并且因此,可以不设置诸如覆盖窗的覆盖构件。因此,除了简化显示设备的制造工艺和减少制造成本外,还存在减小显示设备自身的厚度的效果。
第二抗反射层700可以设置在上部基底600上。第二抗反射层700可以设置在第一抗反射层300上。例如,第一抗反射层300可以布置在上部基底600的内表面上,并且第二抗反射层700可以布置在上部基底600的与内表面背对的外表面上(或之上)。与第一抗反射层300类似,第二抗反射层700可以减小从外部朝向显示设备入射的光(外部光)的反射率。
在实施例中,可以通过堆叠具有不同的折射率的多个层来提供第二抗反射层700。参考图6,第二抗反射层700可以包括至少一个高折射率层700-1和至少一个低折射率层700-2,低折射率层700-2具有比高折射率层700-1的折射率低的折射率。例如,第二抗反射层700可以包括多个高折射率层700-1和多个低折射率层700-2,并且高折射率层700-1和低折射率层700-2可以彼此交替地堆叠。
第二抗反射层700可以包括抗反射(AR)涂层结构。AR涂层结构是通过控制光路长度来减小反射率的结构。AR涂层结构可以通过允许从薄膜的上边界和下边界反射的光之间的相对相位偏移为180度来引起相消干涉活跃地发生。在AR涂层中,薄膜的光路长度优选为λ/4的奇数整数倍。这里,λ可以表示为了最大性能而优化的波长或用于允许反射光束之间的路径差为λ/2的设计波长。此外,有效地抵消反射光所必需的薄膜的折射率可以通过使用所述薄膜的上层的折射率和所述薄膜的下层的折射率来计算。例如,高折射率层700-1可以包括具有大约2.3的折射率的材料(诸如氧化铌(V)(Nb2O5)),并且低折射率层700-2可以包括具有大约1.5的折射率的材料(诸如SiO2)。然而,高折射率层700-1和低折射率层700-2的折射率不限于此,并且可以被自由地设计,使得在逐层界面(layer-by-layer interface)处产生的反射光之间可以发生相消干涉。
因此,当提供第二抗反射层700时,可以减少在上部基底600的上界面处可能发生的光反射。此外,在根据实施例的显示设备中,通过将第一抗反射层300设置在上部基底600下面并且将第二抗反射层700设置在上部基底600上,可以进一步最小化光反射率。在相关技术中,可以设置包括偏振器等的光学功能构件以减少外部光反射。然而,滤色器310可以替代光学功能构件设置在上部基底600下面以减小反射率,并且因此,可以不设置光学功能构件。结果,当可以移除光学功能构件时,显示设备的厚度可以减小,并且显示设备的制造成本也可以减少。
图7是示意性地示出根据另一实施例的显示设备的截面图。参考图7,除第二抗反射层700'和保护膜800的特征之外的特征如参照图5A至图6所述。在图7中,与图5A和图6的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且因此,仅主要描述不同之处。
参考图7,第二抗反射层700'可以位于上部基底600与第一抗反射层300之间。例如,第二抗反射层700'可以设置在上部基底600的内表面上,使得第二抗反射层700'的上表面与上部基底600的内表面接触,并且第二抗反射层700'的下表面与第一抗反射层300接触。因此,将上部基底600和下部基底100接合在一起的密封构件500可以在非显示区域NDA中与第二抗反射层700'接触。
也可以通过堆叠具有不同的折射率的多个层来提供根据另一实施例的显示设备的第二抗反射层700'。第二抗反射层700'可以包括至少一个高折射率层700-1(见图6)和至少一个低折射率层700-2(见图6),并且高折射率层700-1和低折射率层700-2可以彼此交替地堆叠。换句话说,因为第二抗反射层700'包括AR涂层结构,所以在第二抗反射层700'中的逐层界面处的反射光之间可以发生相消干涉,从而减少外部光反射。在根据另一实施例的显示设备中,第二抗反射层700'主要地减少外部光反射,并且第一抗反射层300次要地减少外部光反射,使得可以减小光反射率,并且因此,可以移除光学功能构件。
此外,根据另一实施例的显示设备的第二抗反射层700'可以位于上部基底600与第一抗反射层300之间。换句话说,当第二抗反射层700'布置在显示设备内时,在上部基底600上执行高折射率层700-1和低折射率层700-2的薄膜工艺之后可以不执行单独的层压工艺。因此,在根据另一实施例的显示设备中,可以减少外部光反射,并且同时,可以简化工艺,并且可以减少制造工艺时间和制造成本。
当第二抗反射层700'设置在上部基底600的内表面上时,保护膜800可以设置在上部基底600的外表面上。保护膜800可以被附接为保护上部基底600和显示设备的内部部分免受外部冲击或外部物体的影响。保护膜800可以附接到整个上部基底600,以完全地覆盖显示区域DA和非显示区域NDA。保护膜800可以包括透明材料,使得即使在保护膜800被附接的状态下也可以识别提供在显示设备的显示面板上的图像。
当保护膜800设置在上部基底600的外表面上时,显示设备可以进一步被安全地保护免受外部冲击。特别地,在根据另一实施例的显示设备中,密封构件500将上部基底600和薄膜封装层400接合在一起,并且密封构件500的内表面用填料510填充,使得可以提高机械强度,并且通过进一步添加保护膜800,可以最大化机械强度。换句话说,在根据另一实施例的显示设备中,可以确保显示设备的足够的机械强度,并且因此,可以不设置覆盖构件。因此,除了简化制造工艺和减少制造成本外,还存在减小显示设备自身的厚度的效果。
图8是示意性地示出根据另一实施例的显示设备的截面图。参考图8,除第一抗反射层300'的特征之外的特征如参照图5A至图6所述。在图8中,与图5A和图6的附图标记相同的附图标记表示相同的构件,并且因此,描述将集中于与图5A和图6的实施例的元件不同的元件。
参考图8,第一抗反射层300'可以布置在上部基底600的内表面上。第一抗反射层300'可以包括多个滤色器310、外涂层320(至少一个外涂层320)和上部基体层330,外涂层320覆盖滤色器310。
上部基体层330可以设置在上部基底600的内表面上,并且位于上部基底600与外涂层320之间。上部基体层330可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB和酚醛树脂中的至少一种有机绝缘材料。然而,上部基体层330可以包括选自SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5和Pr2O3之中的无机绝缘材料以及上面描述的有机绝缘材料。如图8中所示,上部基体层330可以以单层结构提供。然而,本公开不限于此,并且上部基体层330可以以两个层或更多个层的多层结构提供。当上部基体层330以多层结构提供时,上部基体层330可以通过将有机绝缘材料和无机绝缘材料彼此交替来形成。
此外,上部基体层330可以被提供有与堤层119的第一开口对应的第二开口330OP。滤色器310可以布置为填充第二开口330OP并且与有机发光二极管OLED的发射区域和堤层119的第一开口重叠。换句话说,由于上部基体层330,多个滤色器310可以在被形成在上部基体层330上的工艺中具有台阶差。因此,滤色器310的在上部基体层330的与第二开口330OP重叠的区域中的厚度可以大于滤色器310的在上部基体层330的不与第二开口330OP重叠的区域中的厚度。结果,滤色器310的在与显示元件的发射区域重叠的区域中的厚度可以增加。
与根据另一实施例的显示设备类似,当滤色器310的厚度由于上部基体层330而增加时,对于入射在显示设备上的外部光来说穿过滤色器310的光路增加,并且因此,外部光的光透射率降低。这种光透射率的降低减小了外部光的光反射率。此外,当滤色器310的厚度增大时,滤色器310仅允许预设波长的光穿过滤色器310,并且因此,可以提高由有机发光二极管OLED发射的光的色纯度。因此,在根据另一实施例的显示设备中,可以存在这样的效果:减小外部光反射率,并且同时改善颜色匹配性和颜色再现性。
如上所述地配置的根据实施例的显示设备减小反射率并且确保显示面板的足够强度,允许光学功能构件和覆盖构件被移除或省略。因此,可以简化显示设备的工艺,并且可以减少显示设备的制造成本并减小显示设备的厚度。然而,一个或多个实施例仅是示例,并且本公开的范围不限于此。
应当理解的是,本文中所描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑,而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是,可以在不脱离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下在其中进行形式和细节上的各种改变。
Claims (10)
1.一种显示设备,其特征在于,所述显示设备包括:
下部基底;
上部基底,设置在所述下部基底上;
显示层,所述显示层设置在所述下部基底上并且包括多个显示元件和堤层,所述堤层包括针对所述多个显示元件中的每一个限定发射区域的第一开口;
第一抗反射层,所述第一抗反射层设置在所述上部基底与所述显示层之间,所述第一抗反射层包括定位为分别对应于所述多个显示元件的多个发射区域的多个滤色器;以及
第二抗反射层,设置在所述第一抗反射层上并且包括至少一个高折射率层和至少一个低折射率层,所述至少一个低折射率层具有比所述至少一个高折射率层的折射率小的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其特征在于,所述下部基底包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域围绕所述显示区域;
所述显示设备还包括:
封装层,设置在所述显示区域中以覆盖所述多个显示元件,并且连续地延伸到所述非显示区域中;以及
密封构件,在所述非显示区域中位于所述下部基底与所述上部基底之间并且将所述下部基底和所述上部基底接合在一起,
其中,所述密封构件设置在所述封装层上。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其特征在于,所述封装层包括:
第一无机封装层,在所述显示区域和所述非显示区域中设置在所述多个显示元件上;
第一有机封装层,在所述显示区域中设置在所述第一无机封装层上;以及
第二无机封装层,在所述显示区域和所述非显示区域中连续地覆盖所述第一有机封装层,
其中,所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述非显示区域中彼此接触,并且所述密封构件布置在所述第一无机封装层和所述第二无机封装层彼此接触的区域上。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其特征在于,所述显示设备还包括填料,所述填料位于所述上部基底与所述封装层之间并且在由所述密封构件包围的区域中,并且
其中,所述第一抗反射层还包括在所述多个滤色器与所述填料之间的至少一个外涂层。
5.根据权利要求1或2所述的显示设备,其特征在于,所述第二抗反射层包括两个或更多个高折射率层以及两个或更多个低折射率层,并且
所述高折射率层和所述低折射率层彼此交替地堆叠。
6.根据权利要求1或2所述的显示设备,其特征在于,所述第一抗反射层设置在所述上部基底的内表面上,并且
所述第二抗反射层设置在所述上部基底的与所述内表面背对的外表面之上。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其特征在于,所述第一抗反射层还包括在所述上部基底的所述内表面上的上部基体层,
所述上部基体层包括与所述第一开口对应的第二开口,并且
所述第二开口被所述多个滤色器中的相应滤色器填充。
8.根据权利要求2所述的显示设备,其特征在于,所述第二抗反射层设置在所述上部基底的内表面上,并且
所述第二抗反射层位于所述上部基底与所述第一抗反射层之间。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其特征在于,密封构件在所述非显示区域中设置在所述第二抗反射层上,所述密封构件将所述下部基底和所述上部基底接合在一起。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其特征在于,
所述下部基底包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域围绕所述显示区域,
所述显示设备还包括:
封装层,连续地形成在所述显示区域和所述非显示区域中,所述封装层在所述显示区域中设置在所述多个显示元件与所述上部基底之间;以及
密封构件,所述密封构件在所述非显示区域中位于所述下部基底与所述上部基底之间并且将所述下部基底和所述上部基底接合在一起,
其中,所述密封构件设置在所述封装层上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220094027A KR20240017213A (ko) | 2022-07-28 | 2022-07-28 | 표시 장치 |
KR10-2022-0094027 | 2022-07-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220545415U true CN220545415U (zh) | 2024-02-27 |
Family
ID=89628140
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310900347.0A Pending CN117479724A (zh) | 2022-07-28 | 2023-07-21 | 显示设备 |
CN202321930574.XU Active CN220545415U (zh) | 2022-07-28 | 2023-07-21 | 显示设备 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310900347.0A Pending CN117479724A (zh) | 2022-07-28 | 2023-07-21 | 显示设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240040842A1 (zh) |
KR (1) | KR20240017213A (zh) |
CN (2) | CN117479724A (zh) |
-
2022
- 2022-07-28 KR KR1020220094027A patent/KR20240017213A/ko unknown
-
2023
- 2023-03-24 US US18/126,171 patent/US20240040842A1/en active Pending
- 2023-07-21 CN CN202310900347.0A patent/CN117479724A/zh active Pending
- 2023-07-21 CN CN202321930574.XU patent/CN220545415U/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240017213A (ko) | 2024-02-07 |
CN117479724A (zh) | 2024-01-30 |
US20240040842A1 (en) | 2024-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11832502B2 (en) | Display device including dummy pixels in a non-display area | |
US11730018B2 (en) | Display panel having photorefractive portion and electronic device including the same | |
KR20210032599A (ko) | 표시 장치 | |
CN112951878A (zh) | 显示设备 | |
US11737322B2 (en) | Display apparatus including a dummy light-emitting unit | |
CN112349751B (zh) | 发光显示设备 | |
CN221510179U (zh) | 显示设备 | |
US11616215B2 (en) | Display apparatus | |
CN113690275A (zh) | 显示设备及其制造方法 | |
CN113394248A (zh) | 显示设备 | |
US20230309344A1 (en) | Display panel, electronic apparatus, and method of manufacturing display panel | |
CN220545415U (zh) | 显示设备 | |
US11637148B2 (en) | Display apparatus | |
CN219288075U (zh) | 显示设备 | |
CN221488229U (zh) | 显示设备 | |
US20240324423A1 (en) | Display apparatus | |
US20240284724A1 (en) | Display device and method of manufacturing the display device | |
US20240324419A1 (en) | Display apparatus | |
US20240324425A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
US20240324415A1 (en) | Display apparatus | |
KR20240144587A (ko) | 표시 장치 | |
KR20220111762A (ko) | 표시 장치 | |
KR20240137157A (ko) | 표시 장치 | |
KR20230096218A (ko) | 윈도우, 이를 포함하는 표시 패널, 및 전자 기기 | |
KR20240139112A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |