CN114093915A - 显示面板和显示设备 - Google Patents

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CN114093915A CN202110971932.0A CN202110971932A CN114093915A CN 114093915 A CN114093915 A CN 114093915A CN 202110971932 A CN202110971932 A CN 202110971932A CN 114093915 A CN114093915 A CN 114093915A
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朴亨根
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丁善英
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Abstract

本发明提供一种显示面板和一种显示设备。显示面板包括：基底，包括主显示区域、组件区域和外围区域；辅助显示元件，位于组件区域中；辅助像素电路，位于外围区域中并且包括辅助薄膜晶体管和辅助存储电容器；透明连接线，将辅助显示元件连接到辅助像素电路；以及第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，在组件区域中堆叠在基底和辅助显示元件之间，其中，第一有机绝缘层位于透明连接线和辅助显示元件之间，并且第一有机绝缘层的折射率在透明连接线的折射率与第二有机绝缘层的折射率之间。

Description

显示面板和显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年8月24日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0106430号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本文。
技术领域
一个或多个实施例的各方面涉及显示面板和包括该显示面板的显示设备。
背景技术
显示设备的使用已经稳定地变得更加多样化和扩展，同时技术的发展允许显示设备随时间而变得相对更薄且更轻。
因为以各种方式使用显示设备，所以存在设计显示设备的形状的各种方法，并且另外，可以与显示设备组合或者链接到显示设备的功能已经增多。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅是为了加强对技术背景的理解，并且因此，在该背景技术部分中讨论的信息未必构成现有技术。
发明内容
一个或多个实施例的各方面涉及显示面板和包括该显示面板的显示设备，并且例如，涉及具有扩展的显示区域的显示面板，从而即使在其中布置作为电子元件的组件的区域中仍可以显示图像，并且涉及包括该显示面板的显示设备。
一个或多个实施例的各方面包括具有扩展的显示区域的显示面板，从而即使在其中布置作为电子元件的组件的区域中仍可以显示图像，并且涉及包括该显示面板的显示设备。然而，以上特性仅是示例，并且因此不限制根据本公开的实施例的范围。
附加方面将部分地在下面的描述中进行阐述，并部分地根据该描述将是明显的，或者可以由本公开的实施例的实施来获知。
根据本公开的一些实施例，一种显示面板包括：基底，包括主显示区域、组件区域和外围区域；辅助显示元件，布置在组件区域中；辅助像素电路，布置在外围区域中并且包括辅助薄膜晶体管和辅助存储电容器；透明连接线，将辅助显示元件连接到辅助像素电路；以及第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，在组件区域中堆叠在基底和辅助显示元件之间，其中，第一有机绝缘层布置在透明连接线和辅助显示元件之间，并且第一有机绝缘层的折射率具有在透明连接线的折射率与第二有机绝缘层的折射率之间的值。
根据一些实施例，透明连接线的折射率与第一有机绝缘层的折射率之间的差可以为0.45或更小。
根据一些实施例，第一有机绝缘层的折射率可以大于第二有机绝缘层的折射率。
根据一些实施例，第一有机绝缘层可以包括光敏聚酰亚胺，并且第二有机绝缘层可以包括硅氧烷基树脂。
根据一些实施例，显示面板还可以包括将透明连接线和辅助像素电路彼此连接的金属连接线。金属连接线和透明连接线可以布置在同一层上。
根据一些实施例，显示面板还可以包括将透明连接线和辅助像素电路彼此连接的金属连接线。金属连接线和辅助存储电容器的上电极可以布置在同一层上。
根据一些实施例，显示面板还可以包括布置在基底上的无机绝缘层。无机绝缘层可以包括与组件区域对应的孔或凹槽。
根据一些实施例，透明连接线可以布置在无机绝缘层的孔或凹槽的内部。第一有机绝缘层可以填充无机绝缘层的孔或凹槽，并且可以布置在基底的整个表面上。
根据一些实施例，第一有机绝缘层可以布置在无机绝缘层的孔或凹槽的内部，并且第一有机绝缘层的厚度可以小于无机绝缘层的孔或凹槽的深度。
根据一些实施例，第二有机绝缘层可以填充无机绝缘层的孔或凹槽，并且透明连接线可以布置在第二有机绝缘层上。
根据一些实施例，显示面板还可以包括薄膜封装层，薄膜封装层布置在辅助显示元件上方，并且在薄膜封装层中，第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层堆叠。
根据一些实施例，显示面板还可以包括位于第一无机封装层和有机封装层之间的第一附加无机封装层。第一附加无机封装层的折射率可以具有在第一无机封装层的折射率与有机封装层的折射率之间的值。
根据一些实施例，显示面板还可以包括：缓冲层，布置在基底和辅助薄膜晶体管之间；以及补偿层，布置在基底和缓冲层之间。缓冲层可以包括氮化硅，并且补偿层可以包括氮氧化硅。
根据一些实施例，显示面板还可以包括布置在基底的下表面上的防反射膜。
根据本公开的一些实施例，一种显示设备包括：显示面板，包括主显示区域、组件区域和外围区域，主显示区域包括多个主子像素，组件区域包括多个辅助子像素；以及组件，在显示面板下方布置为对应于组件区域，其中，显示面板包括：基底；辅助显示元件，在基底上布置在组件区域中；辅助像素电路，布置在基底上在外围区域中，并且包括辅助薄膜晶体管和辅助存储电容器；透明连接线，将辅助显示元件和辅助像素电路彼此连接；以及第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，在组件区域中堆叠在基底和辅助显示元件之间，其中，第一有机绝缘层布置在透明连接线和辅助显示元件之间，并且第一有机绝缘层的折射率具有在透明连接线的折射率与第二有机绝缘层的折射率之间的值。
根据一些实施例，透明连接线的折射率与第一有机绝缘层的折射率之间的差可以为0.45或更小。
根据一些实施例，第一有机绝缘层的折射率可以大于第二有机绝缘层的折射率。
根据一些实施例，第一有机绝缘层可以包括光敏聚酰亚胺，并且第二有机绝缘层可以包括硅氧烷基树脂。
根据一些实施例，显示设备还可以包括布置在基底上的无机绝缘层。无机绝缘层可以包括与组件区域对应的孔或凹槽。
根据一些实施例，组件可以包括图像拾取装置。
附图说明
根据以下结合附图进行的描述，本公开的一些实施例的以上以及其他方面、特征和特性将更加明显，在附图中：
图1是示意性地示出了根据一些实施例的显示设备的透视图；
图2A是示意性地示出了根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图；
图2B是示意性地示出了根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图；
图3A和图3B是示意性地示出了根据一些实施例的可以包括在图1的显示设备中的显示面板的平面图；
图4是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；
图5是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；
图6是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；
图7是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；
图8是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；
图9是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；
图10是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；
图11是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；以及
图12是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图。
具体实施方式
现在将更详细地参考在附图中示出的一些实施例的各方面，其中，同样的附图标记贯穿本公开指代同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施例，以解释本公开的各方面。如本文使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个项的任何组合和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个(种)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、全部a、b和c或其任何变型。
因为本公开具有各种修改的实施例，所以在附图中示出了实施例并且关于实施例进行了描述。通过参考参照附图描述的实施例，根据本公开的实施例的效果和特性以及实现它们的方法将是明显的。然而，本公开可以以许多不同的形式和结构来实施，并且本公开不应当被解释为限于在此提出的实施例。
下面将参照附图更详细地描述本公开的一个或多个实施例。彼此相同或对应的组件被赋予相同的附图标记而与附图编号无关，并且省略多余的说明。
将理解的是，当层、区域或元件被称作“形成在”另一层、区域或元件“上”时，其可以直接或间接形成在另一层、区域或元件上。即，例如，可以在它们之间存在一个或多个居间层、区域或元件。为了便于说明，可能夸大了附图中的元件的尺寸。换言之，因为为了便于说明而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的意思解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是示意性地示出了根据一些实施例的显示设备1的透视图。
参照图1，显示设备1可以包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域DPA。显示区域DA可以包括组件区域CA和至少部分地包围组件区域CA的主显示区域MDA。换言之，组件区域CA和主显示区域MDA均可以单独地或一起显示图像。外围区域DPA可以是其中未布置显示元件的非显示区域(例如，边框区域)的类型。显示区域DA可以完全地被外围区域DPA包围。
图1示出了一个组件区域CA位于主显示区域MDA中。根据一些实施例，显示设备1可以包括两个或更多个组件区域CA，并且多个组件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同。当从基本上垂直于显示设备1的上表面的方向观察时(例如，当在平面图中观察时或当在与显示表面的平面正交的方向上观察时)，组件区域CA可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形、诸如正方形、星形或菱形的多边形。即，组件区域CA的形状可以改变，并且可以根据显示设备1的设计具有任何合适的形状。在图1中，当从基本上垂直于显示设备1的上表面的方向观察时，组件区域CA布置在具有基本上矩形形状的主显示区域MDA的上中心(在+y方向上)中。然而，组件区域CA可以布置在具有基本上矩形形状的主显示区域MDA的一侧上，例如，布置在右上侧上或左上侧上。
显示设备1可以使用布置在主显示区域MDA中的多个主子像素Pm和布置在组件区域CA中的多个辅助子像素Pa显示图像。
如下面将参照图2A和图2B更详细地描述的，作为电子元件的组件40可以对应于组件区域CA布置在显示面板10下方。组件40可以包括使用红外光或可见光的相机，并且可以包括图像拾取装置。在一些实施例中，组件40可以包括太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器和虹膜传感器。在一些实施例中，组件40可以具有接收声音的功能。为了使组件40的功能的限制最小化，组件区域CA可以包括透射区域TA，其中，从组件40输出到外部或从外部朝向组件40行进的光和/或声音可以穿过透射区域TA。即，组件区域CA可以包括被配置为能够使诸如光、声音或其他无线频谱的信号(例如，从显示设备1内部或从外部装置)透射穿过透射区域TA的透射区域TA。在根据一些实施例的显示面板10和包括该显示面板10的显示设备1的情况下，当光透射穿过组件区域CA时，透光率可以为大约10％或更大，例如，40％或更大，25％或更大，50％或更大，85％或更大，或90％或更大。
多个辅助子像素Pa可以布置在组件区域CA中。多个辅助子像素Pa中的每一个可以发射光，以显示图像。在组件区域CA中显示的图像可以是辅助图像，并且可以比在主显示区域MDA中显示的图像具有更低的分辨率。换言之，组件区域CA可以包括光和声音可以透射穿过的透射区域TA，并且当在透射区域TA中未布置子像素时，在组件区域CA中每单位面积可以布置的辅助子像素Pa的数目可以少于在主显示区域MDA中每单位面积布置的主子像素Pm的数目。
图2A和图2B是示意性示出了根据一些实施例的显示设备1的一部分的截面图。
参照图2A，显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10重叠的组件40。盖窗可以进一步布置在显示面板10上，以保护显示面板10(例如，免受外部冲击等的影响)。
显示面板10可以包括作为与组件40重叠的区域的组件区域CA和其中显示主图像的主显示区域MDA。显示面板10可以包括基底100、位于基底100上的显示层DISL、触摸屏幕层TSL、光学功能层OFL和布置在基底100下方的面板保护构件PB。
显示层DISL可以包括：电路层PCL，包括薄膜晶体管TFTm和TFTa；显示元件层EDL，包括作为显示元件的发光元件EDm和EDa；以及封装构件ENCM，诸如薄膜封装层TFEL或封装基底。绝缘层IL可以布置在显示层DISL内，并且绝缘层IL'可以布置在基底100与显示层DISL之间。
基底100可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以为刚性基底或者可弯曲的、可折叠的或可卷曲的柔性基底。
主像素电路PCm和连接到其的主发光元件EDm可以布置在显示面板10的主显示区域MDA中。主像素电路PCm可以包括至少一个薄膜晶体管TFTm，并且可以控制主发光元件EDm的发射。主子像素Pm可以通过主发光元件EDm的发射来实现。
辅助发光元件EDa可以布置在显示面板10的组件区域CA中，以实现辅助子像素Pa。根据一些实施例，用于驱动辅助发光元件EDa的辅助像素电路PCa可以不布置在组件区域CA中，但是可以布置在作为非显示区域的外围区域DPA中。根据一些实施例，辅助像素电路PCa可以布置在主显示区域MDA的一部分中或者主显示区域MDA与组件区域CA之间，并且可以进行各种修改。换言之，可以布置辅助像素电路PCa，使得其与辅助发光元件EDa不重叠。
辅助像素电路PCa可以包括至少一个薄膜晶体管TFTa，并且可以通过透明连接线TWL电连接到辅助发光元件EDa。透明连接线TWL可以包括透明导电材料。辅助像素电路PCa可以控制辅助发光元件EDa的发射。辅助子像素Pa可以通过辅助发光元件EDa的发射来实现。其中辅助发光元件EDa布置在组件区域CA中的区域可以被称为辅助显示区域ADA。
另外，在组件区域CA中的未布置作为显示元件的辅助发光元件EDa的区域可以被称为透射区域TA。透射区域TA可以是从与组件区域CA对应的组件40发射的光/信号或入射到组件40的光/信号可以透射穿过的区域。辅助显示区域ADA和透射区域TA可以交替地布置在组件区域CA中。将辅助像素电路PCa连接到辅助发光元件EDa的透明连接线TWL可以布置在透射区域TA中。因为透明连接线TWL可以包括具有高透射率的透明导电材料，所以即使透明连接线TWL布置在透射区域TA中，仍可以确保透射区域TA的透射率。
根据一些实施例，因为辅助像素电路PCa不布置在组件区域CA中，所以可以确保透射区域TA的面积，并且因此，可以进一步改善透光率。
显示元件层EDL可以被薄膜封装层TFEL或封装基底覆盖。如图2A和图2B中所示，在一些实施例中，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据一些实施例，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及位于它们之间的有机封装层132。
第一无机封装层131和第二无机封装层133中的每一者可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx，其可以是ZnO和/或ZnO2)的一种或多种无机绝缘材料，并且或者可以通过化学气相沉积(CVD)等来形成。有机封装层132可以包括聚合物基材料。聚合物类材料可以包括硅基树脂、丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。
第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以一体地形成，以覆盖主显示区域MDA和组件区域CA。
当显示元件层EDL用封装基底密封时，封装基底可以布置为面对基底100，同时显示元件层EDL位于它们之间。间隙可以在封装基底和显示元件层EDL之间。封装基底可以包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可以布置在基底100和封装基底之间，并且密封剂可以布置在前述外围区域DPA中。布置在外围区域DPA中的密封剂可以包围显示区域DA(参见图1)，并且防止湿气渗透穿过侧面。
触摸屏幕层TSL可以根据外部输入例如触摸事件来获得坐标信息。触摸屏幕层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏幕层TSL可以使用自电容方案或互电容方法检测外部输入。
触摸屏幕层TSL可以形成在薄膜封装层TFEL上。在一些实施例中，触摸屏幕层TSL可以单独地形成在触摸基底上，并且然后经由诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层接合到薄膜封装层TFEL。根据一些实施例，触摸屏幕层TSL可以直接地形成在薄膜封装层TFEL上，并且在这种情况下，粘合层可以不布置在触摸屏幕层TSL和薄膜封装层TFEL之间。
光学功能层OFL可以包括防反射层。防反射层可以减小从外部朝向显示设备1入射的光(外部光)的反射率。
在一些实施例中，光学功能层OFL可以是偏振膜。光学功能层OFL可以包括与透射区域TA对应的开口OFL_OP。因此，可以显著地改善透射区域TA的透光率。诸如光学透明树脂(OCR)的透明材料可以填充在开口OFL_OP中。
在一些实施例中，光学功能层OFL可以被提供为包括黑色矩阵和滤色器的滤色器板。
面板保护构件PB可以附接到基底100的下部，并且可以支撑和保护基底100。面板保护构件PB可以具有与组件区域CA对应的开口PB_OP。因此，可以改善组件区域CA的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
组件区域CA的面积可以大于其中布置组件40的面积。因此，提供在面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可以与组件区域CA的面积不匹配。
另外，多个组件40可以布置在组件区域CA中。多个组件40可以具有不同的功能。例如，多个组件40可以包括相机(图像拾取装置)、太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器和虹膜传感器中的至少两种。
在图2A中，底金属层BML(参见图2B)不布置在组件区域CA的辅助发光器件EDa下方，但是如图2B中所示，根据一些实施例的显示设备1可以包括底金属层BML。
在图2B中，底金属层BML可以布置在基底100和辅助发光器件EDa之间，从而与辅助发光器件EDa重叠。底金属层BML可以阻挡外部光到达辅助发光器件EDa。同时，底金属层BML可以形成为对应于整个组件区域CA，并且可以包括与透射区域TA对应的下孔。在这种情况下，下孔可以提供为诸如多边形、圆形或无定形的各种形状，并且可以调整外部光的衍射特性。
图3A和图3B是示意性地示出了根据一些实施例的可以包括在图1的显示设备1中的显示面板10的平面图。
参照图3A，显示面板10的各种元件可以布置在基底100上。基底100可以包括显示区域DA和包围显示区域DA的外围区域DPA。显示区域DA可以包括主显示区域MDA和组件区域CA，在主显示区域MDA处显示主图像，组件区域CA具有透射区域TA并且可以在组件区域CA处显示辅助图像。辅助图像可以与主图像一起形成一幅完整图像，并且辅助图像可以是独立于主图像的图像。即，根据显示设备1(参见图1)的设计和用途，主显示区域MDA和组件区域CA可以共同地显示单个图像的相应部分，或者它们可以被配置为显示彼此分开或彼此独立的图像。在本公开中，诸如像素、电路或线等元件设置在某区域(例如，显示区域DA、外围区域DPA、主显示区域MDA、组件区域CA)中的表述表示元件设置在基底100上在与某区域对应的范围内。
多个主子像素Pm可以布置在主显示区域MDA中。主子像素Pm中的每一个可以被实现为诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件。驱动主子像素Pm的主像素电路PCm可以布置在主显示区域MDA中，并且主像素电路PCm可以布置为与主子像素Pm重叠。例如，每个主子像素Pm可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。主显示区域MDA可以被封装构件覆盖，并且被保护以免受到环境空气或湿气的影响。
如上所述，组件区域CA可以位于主显示区域MDA的一侧处，或者可以布置在显示区域DA内部并且被主显示区域MDA包围。多个辅助子像素Pa可以布置在组件区域CA中。多个辅助子像素Pa中的每一个可以由诸如有机发光二极管的显示元件来实现。驱动辅助子像素Pa的辅助像素电路PCa可以布置在靠近组件区域CA的外围区域DPA中。例如，当组件区域CA布置在显示区域DA的上侧处时，辅助像素电路PCa可以布置在外围区域DPA的上侧处。辅助像素电路PCa和实现辅助子像素Pa的显示元件可以通过在y方向上延伸的透明连接线TWL(参见图3B)彼此连接。
例如，每个辅助子像素Pa可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。组件区域CA可以被封装构件覆盖，并且被保护以免受到环境空气、湿气或其他污染物的影响。
同时，组件区域CA可以具有透射区域TA。透射区域TA可以布置为包围多个辅助子像素Pa。在一些实施例中，透射区域TA可以以网格形状布置有多个辅助子像素Pa。
因为组件区域CA具有透射区域TA，所以组件区域CA的分辨率可能低于主显示区域MDA的分辨率。例如，组件区域CA的分辨率可以为主显示区域MDA的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。例如，主显示区域MDA的分辨率可以为大约400ppi或更大，并且组件区域CA的分辨率可以为大约200ppi或大约100ppi。
驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路可以分别电连接到布置在外围区域DPA中的外电路。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子部分PAD、驱动电压供应线11和公共电压供应线13可以布置在外围区域DPA中。
第一扫描驱动电路SDRV1可以通过主扫描线SL将扫描信号施加到驱动主子像素Pm的主像素电路PCm中的每一个。第一扫描驱动电路SDRV1可以通过主发射控制线EL将发射控制信号施加到每个像素电路。第二扫描驱动电路SDRV2可以相对于主显示区域MDA位于第一扫描驱动电路SDRV1的相对侧处，并且可以大致平行于第一扫描驱动电路SDRV1。主显示区域MDA的主子像素Pm的一些主像素电路PCm可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，并且其他主像素电路PCm可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。
端子部分PAD可以布置在基底100的一侧处。端子部分PAD可以通过不被绝缘层覆盖而暴露，并且可以连接到显示电路板30。显示驱动器32可以布置在显示电路板30上。
显示驱动器32可以产生将传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可以产生数据信号，并且产生的数据信号可以经由扇出线FW和连接到扇出线FW的主数据线DL传输到主像素电路PCm。
显示驱动器32可以将驱动电压施加到驱动电压供应线11，并且将公共电压施加到公共电压供应线13。驱动电压可以经由连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PCm和PCa，并且公共电压可以连接到公共电压供应线13并且施加到显示元件的相对电极。
驱动电压供应线11可以从主显示区域MDA的下侧在x方向上延伸。公共电压供应线13可以具有其一侧是敞开的环形状，并且可以部分地包围主显示区域MDA。
图3A示出了存在一个组件区域CA的情况。然而，可以提供多个组件区域CA。在这种情况下，多个组件区域CA可以彼此间隔开，第一相机可以布置为对应于一个组件区域CA，并且第二相机可以布置为对应于另一组件区域CA。在一些实施例中，相机可以布置为对应于一个组件区域CA，并且一个或多个其他传感器或发射器(例如，红外传感器)可以布置为对应于其他组件区域CA。多个组件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同。
同时，组件区域CA可以具有圆形、椭圆形、多边形或不规则形状。在一些实施例中，组件区域CA可以具有八角形形状。组件区域CA可以以诸如正方形或六边形的各种多边形来提供。组件区域CA可以被主显示区域MDA包围。
在图3A中，辅助像素电路PCa布置为相邻于组件区域CA的外侧，但是本公开不限于此。如图3B中所示，辅助像素电路PCa可以布置为相邻于主显示区域MDA的外侧。在一些实施例中，透明连接线TWL可以经由金属连接线TWL'连接到辅助像素电路PCa。在这种情况下，透明连接线TWL可以布置在组件区域CA中，并且金属连接线TWL'可以布置在外围区域DPA中。透明连接线TWL可以包括透明导电材料，并且金属连接线TWL'可以包括高导电金属。在一些实施例中，金属连接线TWL'和透明连接线TWL可以布置在同一层上。根据一些实施例，金属连接线TWL'和透明连接线TWL可以布置在不同的层上并且经由接触孔彼此连接。
图4是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板10的一部分的截面图。
参照图4，主子像素Pm布置在主显示区域MDA中，并且组件区域CA包括辅助子像素Pa和透射区域TA。在主显示区域MDA中，可以布置包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的主像素电路PCm以及连接到主像素电路PCm的作为主显示元件的主有机发光二极管OLED。辅助有机发光二极管OLED'可以作为辅助显示元件布置在组件区域CA中。包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以布置在外围区域DPA中。同时，将辅助像素电路PCa和辅助有机发光二极管OLED'彼此连接的透明连接线TWL可以布置在组件区域CA和外围区域DPA中。
在组件区域CA中，第一有机绝缘层116和第二有机绝缘层117可以堆叠在基底100和辅助有机发光二极管OLED'之间，并且第一有机绝缘层116可以布置在透明连接线TWL上。
根据一些实施例，第一有机绝缘层116的折射率(n1)可以具有在透明连接线TWL的折射率(n0)与第二有机绝缘层117的折射率(n2)之间的值。例如，第一有机绝缘层116的折射率(n1)可以大于第二有机绝缘层117的折射率(n2)并且小于透明连接线TWL的折射率(n0)(n0>n1>n2)。
在一些实施例中，对于550nm的波长，透明连接线TWL的折射率(n0)可以提供在大约1.9至大约2.1。对于550nm的波长，第一有机绝缘层116的折射率(n1)可以提供在大约1.6至大约1.9。第二有机绝缘层117的折射率(n2)可以提供在大约1.4至大约1.6。在一些实施例中，透明连接线TWL的折射率(n0)与第一有机绝缘层116的折射率(n1)之间的差可以为大约0.45或更小。
在一些实施例中，第二有机绝缘层117的透光率可以大于第一有机绝缘层116的透光率。在一些实施例中，第二有机绝缘层117的上表面的平坦度可以相对优于第一有机绝缘层116的上表面的平坦度。即，第二有机绝缘层117的上表面可以比第一有机绝缘层116的上表面更平坦。
随着透明连接线TWL与布置在其上的绝缘层之间的折射率之差增加，由于透明连接线TWL导致的光衍射强度可能增大。根据一些实施例，通过选择布置在透明连接线TWL上的第一有机绝缘层116的折射率(n1)与透明连接线TWL的折射率(n0)之间的差为小的材料，可以最小化或相对减小前述光衍射现象。另外，当仅第一有机绝缘层116存在于组件区域CA中时，透光率和平坦度可能减小。因此，可以采用与第一有机绝缘层116相比具有相对更好的透光率和平坦度的第二有机绝缘层117，从而可以最小化或相对减小光衍射，并且可以相对改善透光率和平坦度。
在一些实施例中，无机绝缘层可以形成在透明连接线TWL和第一有机绝缘层116之间。通常，无机绝缘层被形成为比有机绝缘层更薄并且不影响光学路径，并且因此，由于无机绝缘层导致的光衍射现象可以是微不足道的。
同时，根据一些实施例，使用有机发光二极管作为显示元件，但是根据一些实施例，可以使用无机发光器件或量子点发光器件作为显示元件。
在下文中，将描述包括在显示面板10中的元件堆叠的结构。显示面板10可以通过堆叠基底100、缓冲层111、电路层PCL和显示元件层EDL来提供。
基底100可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以为刚性基底或者可弯曲的、可折叠的或可卷曲的柔性基底。
缓冲层111可以位于基底100上以减小或阻挡外来物质、湿气或环境空气从基底100的下部渗透，并且在基底100上可以提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机-无机复合物，并且可以包括无机材料和有机材料的单个层或多个层。阻挡环境空气渗透的阻挡层可以进一步包括在基底100和缓冲层111之间。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
电路层PCL可以布置在缓冲层111上，并且可以包括主像素电路PCm和辅助像素电路PCa、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115、第一有机绝缘层116以及第二有机绝缘层117。主像素电路PCm可以包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst，并且辅助像素电路PCa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以布置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT可以包括第一半导体层A1、第一栅极电极G1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1。主薄膜晶体管TFT可以连接到主有机发光二极管OLED，以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到辅助有机发光二极管OLED'，以驱动辅助有机发光二极管OLED'。辅助薄膜晶体管TFT'具有与主薄膜晶体管TFT的结构类似的结构，并且因此，代替辅助薄膜晶体管TFT'的描述，将仅给出主薄膜晶体管TFT的描述。
第一半导体层A1可以布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。根据一些实施例，第一半导体层A1可以包括非晶硅。根据一些实施例，第一半导体层A1可以包括从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种的氧化物。第一半导体层A1可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源极区和漏极区。
第一栅极绝缘层112可以提供为覆盖第一半导体层A1。第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx，其可以是ZnO和/或ZnO2)的无机绝缘材料。第一栅极绝缘层112可以包括包含上面描述的无机绝缘材料的单个层或多个层。
第一栅极电极G1可以布置在第一栅极绝缘层112上以与第一半导体层A1重叠。第一栅极电极G1可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等，并且可以包括单个层或多个层。例如，第一栅极电极G1可以为单个Mo层。
第二栅极绝缘层113可以提供为覆盖第一栅极电极G1。第二栅极绝缘层113可以包括诸如SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO x(可以是ZnO和/或ZnO2)的无机绝缘材料。第二栅极绝缘层113可以包括包含上面描述的无机绝缘材料的单个层或多个层。
主存储电容器Cst的上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以布置在第二栅极绝缘层113上方。
在主显示区域MDA中，主存储电容器Cst的上电极CE2可以与位于主存储电容器Cst的上电极CE2下方的第一栅极电极G1重叠。彼此重叠的第一栅极电极G1和上电极CE2可以形成主存储电容器Cst，同时第二栅极绝缘层113位于第一栅极电极G1和上电极CE2之间。第一栅极电极G1可以是主存储电容器Cst的下电极CE1。
在外围区域DPA中，辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以与位于辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'下方的辅助薄膜晶体管TFT'的第二栅极电极重叠。辅助薄膜晶体管TFT'的第二栅极电极可以是辅助存储电容器Cst'的下电极CE1'。
上电极CE2和CE2'中的每一个可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包含以上材料的单层或多层结构。
层间绝缘层115可以形成为覆盖上电极CE2和CE2'。层间绝缘层115可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx(可以是ZnO和/或ZnO2)等。层间绝缘层115可以具有包含以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
第一源极电极S1和第一漏极电极D1可以布置在层间绝缘层115上。第一源极电极S1和第一漏极电极D1中的每一个可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料，并且可以包括包含导电材料的单层或多层。例如，第一源极电极S1和第一漏极电极D1中的每一个可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的多层结构。
连接到辅助像素电路PCa的透明连接线TWL可以布置在层间绝缘层115上。透明连接线TWL可以从外围区域DPA延伸到组件区域CA，并且将辅助有机发光二极管OLED'和辅助像素电路PCa彼此连接。另外，数据线DL可以布置在层间绝缘层115上方。
透明连接线TWL可以连接到金属连接线TWL'。金属连接线TWL'可以布置在外围区域DPA中，并且连接到辅助像素电路PCa，例如，辅助薄膜晶体管TFT'。透明连接线TWL可以布置在组件区域CA的透射区域TA中。透明连接线TWL的端部可以覆盖金属连接线TWL'的端部。
金属连接线TWL'可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以形成为包含以上材料的多层或单层。在一些实施例中，金属连接线TWL'和数据线DL可以在同一层上包括相同的材料。然而，本公开不限于此。金属连接线TWL'可以布置在各种层上。例如，金属连接线TWL'和第一像素电极121可以布置在同一层上。在一些实施例中，金属连接线TWL'和主薄膜晶体管TFT的第一栅极电极G1可以布置在同一层上。可选地，金属连接线TWL'和主存储电容器Cst的上电极CE2可以布置在同一层上。
透明连接线TWL可以包括透明导电材料。例如，透明连接线TWL可以包括透明导电氧化物(TCO)。透明连接线TWL可以包括导电氧化物，导电氧化物包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。透明连接线TWL可以具有大约1.9至大约2.1的折射率。
金属连接线TWL'可以具有比透明连接线TWL更高的电导率。因为金属连接线TWL'布置在外围区域DPA中，所以无需确保透光率，并且因此，可以使用与透明连接线TWL相比具有更低的透光率但更高的电导率的材料。
第一有机绝缘层116可以布置为覆盖第一源极电极S1和第二源极电极、第一漏极电极D1和第二漏极电极以及透明连接线TWL。
第一有机绝缘层116可以包括与透明连接线TWL具有小的折射率差异的材料。第一有机绝缘层116可以包括具有大约1.6至大约1.9的折射率的材料。例如，第一有机绝缘层116可以包括光敏PI、PI、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)和丙烯酸聚合物。在一些实施例中，第一有机绝缘层116可以在有机聚合物中包括诸如TiO2或ZrO2的高折射率纳米颗粒。连接电极CM和CM'以及各种线DWL可以布置在第一有机绝缘层116上方，这可以实现相对高的集成度。
第二有机绝缘层117可以布置在第一有机绝缘层116上。第二有机绝缘层117可以具有平坦的顶表面，从而布置在第二有机绝缘层117上的第一像素电极121和第二像素电极121'可以形成为平坦的。第二有机绝缘层117可以包括具有高透光率和平坦度的硅氧烷基有机材料。硅氧烷基有机材料可以包括六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二甲基硅氧烷。
在一些实施例中，第二有机绝缘层117可以包括例如苯并环丁烯(BCB)、PI、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、诸如聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物或乙烯醇基聚合物。
主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'可以布置在第二有机绝缘层117上。主有机发光二极管OLED的第一像素电极121可以通过布置在第一有机绝缘层116上的连接电极CM连接到主像素电路PCm，并且辅助有机发光二极管OLED'的第二像素电极121'可以通过布置在第一有机绝缘层116上的连接电极CM'连接到辅助像素电路PCa。
第一像素电极121和第二像素电极121'中的每一个可以包括导电氧化物，导电氧化物包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。第一像素电极121和第二像素电极121'中的每一个可以包括反射膜，反射膜包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其任何化合物。例如，第一像素电极121和第二像素电极121'可以具有结构，该结构具有包括位于上面描述的反射膜上方/下方的ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜。在这种情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'中的每一个可以具有ITO、Ag和另一ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以在第二有机绝缘层117上覆盖第一像素电极121和第二像素电极121'中的每一个的边缘，并且可以包括分别暴露第一像素电极121和第二像素电极121'的中心部分的第一开口OP1和第二开口OP2。第一开口OP1和第二开口OP2可以限定主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'的发射区域，即，主子像素Pm和辅助子像素Pa的尺寸和形状。
像素限定层119可以增加第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘与位于第一像素电极121和第二像素电极121'上方的相对电极123之间的距离，由此防止在第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘处发生电弧。像素限定层119可以包括诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚树脂的有机绝缘材料，并且可以通过诸如旋涂的方法来形成。
在像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2的内部，可以布置分别形成为对应于第一像素电极121和第二像素电极121'的第一发射层122b和第二发射层122b'。第一发射层122b和第二发射层122b'中的每一个可以包括聚合物材料或低分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。
有机功能层122e可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上方和/或下方。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可以省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'下方。第一功能层122a可以是包括有机材料的单层或多层。第一功能层122a可以是单个空穴传输层(HTL)。在一些实施例中，第一功能层122a可以包括空穴诸注入层(HIL)和HTL。第一功能层122a可以一体地形成为对应于分别包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'。
第二功能层122c可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上。第二功能层122c可以是包括有机材料的单层或多层。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可以一体地形成为对应于分别包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'。
相对电极123可以布置在第二功能层122c上。相对电极123可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极123可以包括(半)透明层，(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其任何合金。在一些实施例中，相对电极123还可以包括位于包括上面描述的材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。相对电极123可以一体地形成为对应于分别包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'。
形成在主显示区域MDA中的从第一像素电极121到相对电极123的层可以形成主有机发光二极管OLED。形成在组件区域CA中的从第二像素电极121'到相对电极123的层可以形成辅助有机发光二极管OLED'。
包括有机材料的上层150可以形成在相对电极123上。上层150可以是被提供为保护相对电极123并提高光提取效率的层。上层150可以包括具有比相对电极123更高的折射率的有机材料。另外，上层150可以通过堆叠具有不同的折射率的层来提供。例如，上层150可以通过堆叠高折射率层、低折射率层和另一高折射率层来提供。在这种情况下，高折射率层的折射率可以为大约1.7或更大，并且低折射率层的折射率可以为大约1.3或更小。
上层150还可以包括氟化锂(LiF)。在一些实施例中，上层150还可以包括诸如氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料。
薄膜封装层TFEL可以布置在上层150上，并且主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'可以被薄膜封装层TFEL密封。薄膜封装层TFEL可以防止外部湿气或外来物质渗透到主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'中。
薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这方面，图4示出了第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133的堆叠结构。根据一些实施例，有机封装层的数目、无机封装层的数目和堆叠顺序可以改变。
第一无机封装层131和第二无机封装层133中的每一个可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx，其可以是ZnO和/或ZnO2)的一种或多种无机绝缘材料，并且或者可以通过化学气相沉积(CVD)等来形成。有机封装层132可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括硅基树脂、丙烯酸基树脂、环氧基树脂、PI和聚乙烯等。第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以一体地形成为覆盖主显示区域MDA和组件区域CA。
图5和图6是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板10的一部分的截面图。例如，示出了显示面板10的组件区域CA和围绕其的外围区域DPA。在图5和图6中，与图4的附图标记相同的附图标记指示相同的元件，并且因此，将省略其冗余描述。
参照图5和图6，辅助有机发光二极管OLED'可以作为辅助显示元件布置在显示面板10的组件区域CA中，并且包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以布置在外围区域DPA中。同时，将辅助像素电路PCa和辅助有机发光二极管OLED'彼此连接的透明连接线TWL可以布置在组件区域CA和外围区域DPA中。
透明连接线TWL可以经由金属连接线TWL'连接到辅助像素电路PCa。金属连接线TWL'可以布置在各种层上。在一些实施例中，金属连接线TWL'和透明连接线TWL可以布置在同一层上。根据一些实施例，金属连接线TWL'可以布置在与其上布置有透明连接线TWL的层不同的层上。在这种情况下，透明连接线TWL可以经由接触孔连接到金属连接线TWL'。
金属连接线TWL'可以包括布置在不同的层上的第一线TWL1'和第二线TWL2'。如图5中所示，第一线TWL1'和透明连接线TWL之间可以布置有层间绝缘层115。换言之，第一线TWL1'可以布置在透明连接线TWL下方。第一线TWL1'可以布置在第二栅极绝缘层113上。第一线TWL1'和辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以在同一层上包括相同的材料。透明连接线TWL可以经由限定在层间绝缘层115中的接触孔连接到第一线TWL1'。
同时，如图6中所示，第一线TWL1'和透明连接线TWL之间可以布置有层间绝缘层115和第二栅极绝缘层113。第一线TWL1'可以布置在透明连接线TWL的下部处。第一线TWL1'可以布置在第一栅极绝缘层112上。第一线TWL1'和辅助薄膜晶体管TFT'的第二栅极电极(即辅助存储电容器Cst'的下电极CE1')可以在同一层上包括相同的材料。透明连接线TWL可以经由限定在层间绝缘层115和第二栅极绝缘层113中的接触孔连接到第一线TWL1'。
第二线TWL2'可以连接到第一线TWL1'和辅助像素电路PCa。第二线TWL2'可以布置在层间绝缘层115上，并且可以经由接触孔分别连接到第一线TWL1'和辅助像素电路PCa。
金属连接线TWL'可以包括具有比透明连接线TWL更高的电导率的材料，并且可以在外围区域DPA中以各种组合构成。金属连接线TWL'包括布置在不同的层上的线的事实可以减小线之间的干扰。
图7和图8是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板10的一部分的截面图。在图7和图8中，与图4的附图标记相同的附图标记指示相同的元件，并且因此，将省略其冗余描述。
参照图7，辅助有机发光二极管OLED'可以作为辅助显示元件布置在显示面板10的组件区域CA中，并且包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以布置在外围区域DPA中。同时，将辅助像素电路PCa和辅助有机发光二极管OLED'彼此连接的透明连接线TWL可以布置在组件区域CA和外围区域DPA中。
在组件区域CA中，第一有机绝缘层116和第二有机绝缘层117可以堆叠在基底100和辅助有机发光二极管OLED'之间，并且第一有机绝缘层116可以布置在透明连接线TWL上。
根据一些实施例，第一有机绝缘层116的折射率(n1)可以具有在透明连接线TWL的折射率(n0)与第二有机绝缘层117的折射率(n2)之间的值。例如，第一有机绝缘层116的折射率(n1)可以大于第二有机绝缘层117的折射率(n2)并且小于透明连接线TWL的折射率(n0)(n0>n1>n2)。
在一些实施例中，对于550nm的波长，透明连接线TWL的折射率(n0)可以设置在大约1.9至大约2.1。对于550nm的波长，第一有机绝缘层116的折射率(n1)可以设置在大约1.6至大约1.9。第二有机绝缘层117的折射率(n2)可以设置在大约1.4至大约1.6。在一些实施例中，透明连接线TWL的折射率(n0)与第一有机绝缘层116的折射率(n1)之间的差可以为大约0.45或更小。
在一些实施例中，第二有机绝缘层117的透光率可以大于第一有机绝缘层116的透光率。在一些实施例中，第二有机绝缘层117的上表面的平坦度可以相对优于第一有机绝缘层116的上表面的平坦度。即，第二有机绝缘层117的上表面可以比第一有机绝缘层116的上表面平坦。
根据一些实施例，显示面板10的无机绝缘层IL可以包括与组件区域CA对应的孔或凹槽。
例如，当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115统称为无机绝缘层IL时，无机绝缘层IL可以包括与透射区域TA对应的第一孔H1。第一孔H1可以暴露缓冲层111或基底100的上表面的一部分。第一孔H1可以通过使形成为与组件区域CA对应的第一栅极绝缘层112的开口、第二栅极绝缘层113的开口和层间绝缘层115的开口重叠来形成。这些开口可以分别通过单独的工艺来形成，或者可以通过同一工艺同时形成。当开口通过单独的工艺形成时，第一孔H1的内表面可能不是平滑的，并且可能具有阶梯形状的台阶。然而，与上述不同，无机绝缘层IL可以包括暴露缓冲层111的凹槽而不是第一孔H1。第一有机绝缘层116可以填充在无机绝缘层IL的第一孔H1或凹槽的内部。
根据一些实施例，透明连接线TWL可以设置在第一孔H1的内部。透明连接线TWL可以布置在组件区域CA中的缓冲层111上。透明连接线TWL可以经由接触孔连接到布置在第一有机绝缘层116上的金属连接线TWL'，并且可以经由金属连接线TWL'连接到辅助像素电路PCa。透明连接线TWL的另一端可以经由接触孔连接到连接电极CM'，并且透明连接线TWL可以通过连接电极CM'连接到第二像素电极121'。
在图7中，具有小的折射率差异的透明连接线TWL和第一有机绝缘层116布置在基底100的整个表面上，但是本公开不限于此。
如图8中所示，第一有机绝缘层116可以布置在无机绝缘层IL的第一孔H1或凹槽的内部。换言之，第一有机绝缘层116的厚度可以小于无机绝缘层IL的第一孔H1或凹槽的深度。
在第一有机绝缘层116具有高折射率的情况下，当第一有机绝缘层116布置在基底100的整个表面上时，可能形成寄生电容。根据一些实施例，可以通过将具有高折射率的第一有机绝缘层116仅布置在其中将减小光衍射强度的组件区域CA中来最小化或相对减小寄生电容。
在图8中，第二有机绝缘层117可以包括第(2-1)有机绝缘层117a和第(2-2)有机绝缘层117b，并且连接电极CM'和金属连接线TWL'可以布置在第(2-1)有机绝缘层117a和第(2-2)有机绝缘层117b之间。
图9是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图。在图9中，与图7的附图标记相同的附图标记指示相同的元件，并且因此，将省略其冗余描述。
参照图9，辅助有机发光二极管OLED'可以作为辅助显示元件布置在显示面板10的组件区域CA中，并且包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以布置在外围区域DPA中。同时，将辅助像素电路PCa和辅助有机发光二极管OLED'彼此连接的透明连接线TWL可以布置在组件区域CA和外围区域DPA中。
在组件区域CA中，第一有机绝缘层116和第二有机绝缘层117可以堆叠在基底100和辅助有机发光二极管OLED'之间，并且第一有机绝缘层116可以布置在透明连接线TWL上。
根据一些实施例，第二有机绝缘层117可以布置在透明连接线TWL下方。第二有机绝缘层117可以填充无机绝缘层IL的第一孔H1或凹槽，并且可以设置在基底100的整个表面上。透明连接线TWL可以布置在第二有机绝缘层117的上表面上。
第二有机绝缘层117的透光率可以大于第一有机绝缘层116的透光率。第二有机绝缘层117可以填充在无机绝缘层IL的第一孔H1或凹槽中，并且在组件区域CA中，第二有机绝缘层117的每单位面积的体积可以大于第一有机绝缘层116的每单位面积的体积。因此，如图9中所示的结构可以有助于改善组件区域CA中的透光率。另外，第二有机绝缘层117的折射率可以小于第一有机绝缘层116的折射率。因此，可以最小化或相对减小可能影响辅助像素电路PCa的寄生电容。
图10是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板10的一部分的截面图。在图10中，与图7的附图标记相同的附图标记指示相同的元件，并且因此，将省略其冗余描述。
参照图10，辅助有机发光二极管OLED'可以作为辅助显示元件布置在显示面板10的组件区域CA中，并且包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以布置在外围区域DPA中。同时，将辅助像素电路PCa和辅助有机发光二极管OLED'彼此连接的透明连接线TWL可以布置在组件区域CA和外围区域DPA中。
在组件区域CA中，第一有机绝缘层116和第二有机绝缘层117可以堆叠在基底100和辅助有机发光二极管OLED'之间，并且第一有机绝缘层116可以布置在透明连接线TWL上。
根据一些实施例，薄膜封装层TFEL还可以包括第一中间无机封装层(即第一附加无机封装层)131'和/或第二中间无机封装层(即第二附加无机封装层)133'。第一中间无机封装层131'可以布置在第一无机封装层131和有机封装层132之间。第二中间无机封装层133'可以布置在第二无机封装层133和有机封装层132之间。
第一中间无机封装层131'和第二中间无机封装层133'中的每一个可以包括氮氧化硅(SiOxNy)(x>0，y>0)。第一中间无机封装层131'的折射率可以具有在第一无机封装层131的折射率与有机封装层132的折射率之间的值。第二中间无机封装层133'的折射率可以具有在第二无机封装层133的折射率与有机封装层132的折射率之间的值。
第一中间无机封装层131'和第二中间无机封装层133'中的每一个可以具有大约1.6至大约1.7的折射率。折射率值可以通过改变包括在第一中间无机封装层131'和第二中间无机封装层133'中的每一个中的氮氧化硅(SiOxNy)(x>0，y>0)的氧和氮的组成比来调整。例如，当氧的量增加时，折射率会减小，并且当氮的量增加时，折射率会增大。
在一些实施例中，第一无机封装层131可以包括具有大约1.7的折射率的氮氧化硅，并且有机封装层132可以具有大约1.5的折射率。在这种情况下，第一中间无机封装层131'可以包括具有大约1.62的折射率的氮氧化硅(SiOxNy)(x>0，y>0)。
在一些实施例中，第二无机封装层133可以包括具有大约1.9的折射率的氮化硅(SiNx)，并且有机封装层132可以具有大约1.5的折射率。在这种情况下，第二中间无机封装层133'可以包括具有大约1.68的折射率的氮氧化硅(SiOxNy)(x>0，y>0)。
因为薄膜封装层TFEL中的堆叠层之间的折射率差异增加，所以在界面处可能发生光反射，并且因此，透光率可能降低。根据一些实施例，通过引入第一中间无机封装层131'和/或第二中间无机封装层133'，可以最小化或相对减小界面处的光反射。在附图中，示出了第一中间无机封装层131'和第二中间无机封装层133'二者，但是本公开不限于此。例如，可以省略第一中间无机封装层131'和第二中间无机封装层133'中的一个，并且可以做出各种修改。
图11是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板10的一部分的截面图。在图11中，与图7的附图标记相同的附图标记指示相同的元件，并且因此，将省略其冗余描述。
参照图11，辅助有机发光二极管OLED'可以作为辅助显示元件布置在显示面板10的组件区域CA中，并且包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以布置在外围区域DPA中。同时，将辅助像素电路PCa和辅助有机发光二极管OLED'彼此连接的透明连接线TWL可以布置在组件区域CA和外围区域DPA中。
在组件区域CA中，第一有机绝缘层116和第二有机绝缘层117可以堆叠在基底100和辅助有机发光二极管OLED'之间，并且第一有机绝缘层116可以布置在透明连接线TWL上。
根据一些实施例，补偿层111'可以布置在基底100和缓冲层111之间。补偿层111'可以具有比缓冲层111的折射率小的折射率。补偿层111'可以包括氮氧化硅(SiOxNy)(x>0，y>0)。补偿层111'的折射率可以在大约1.5和大约1.8之间调整。
基底100可以通过堆叠第一有机层、第一无机层、第二有机层和第二无机层来提供，并且布置在最上部分中的第二无机层可以包括氧化硅(SiOx)。同时，缓冲层111可以包括氮化硅(SiNx)。因为氧化硅(SiOx)与氮化硅(SiNx)之间的折射率差异大，所以可能由于界面处的光反射而发生光损失。
根据一些实施例，通过在基底100和缓冲层111之间引入补偿层111'，可以减小光反射。因此，可以最大化或相对增大组件区域CA中的透光率。
图12是示意性地示出了根据一些实施例的显示面板10的一部分的截面图。在图12中，与图7的附图标记相同的附图标记指示相同的元件，并且因此，将省略其冗余描述。
参照图12，辅助有机发光二极管OLED'可以作为辅助显示元件布置在显示面板10的组件区域CA中，并且包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以布置在外围区域DPA中。同时，将辅助像素电路PCa和辅助有机发光二极管OLED'彼此连接的透明连接线TWL可以布置在组件区域CA和外围区域DPA中。
在组件区域CA中，第一有机绝缘层116和第二有机绝缘层117可以堆叠在基底100和辅助有机发光二极管OLED'之间，并且第一有机绝缘层116可以布置在透明连接线TWL上。
根据一些实施例，防反射膜AR可以布置在基底100下方。防反射膜AR可以通过粘合层附着到基底100的下部。
防反射膜AR可以包括光透射基底、硬涂覆层和低折射率层。在550nm的波长区域中，低折射率层可以具有大约1.2至大约1.4的折射率。因为提供了防反射膜AR，所以可以最小化或相对减小在基底100的下界面处可能发生的光反射，并且因此，可以相对改善组件区域CA中的透光率。
同时，在上面描述的实施例中，第一有机绝缘层116和第二有机绝缘层117包括不同的材料，但是本公开不限于此。根据一些实施例，第一有机绝缘层116和第二有机绝缘层117可以包括相同的材料。例如，第一有机绝缘层116和第二有机绝缘层117可以均包括硅氧烷基树脂。
如上所述，在根据本实施例的显示面板和显示设备中，可以在组件区域中不布置像素电路，并且因此，可以确保更宽的透射区域，并且因此，可以改善透射率。
然而，本公开的范围不受效果限制。
应当理解，这里描述的实施例仅应被视为描述性的，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被视为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例，但本领域普通技术人员将理解，在不脱离如由所附权利范围限定的精神和范围的情况下，可以对其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (22)

1.一种显示面板，其中，所述显示面板包括：
基底，包括主显示区域、组件区域和外围区域；
辅助显示元件，位于所述组件区域中；
辅助像素电路，位于所述外围区域中并且包括辅助薄膜晶体管和辅助存储电容器；
透明连接线，将所述辅助显示元件连接到所述辅助像素电路；以及
第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，在所述组件区域中堆叠在所述基底和所述辅助显示元件之间，
其中，所述第一有机绝缘层位于所述透明连接线和所述辅助显示元件之间，并且所述第一有机绝缘层的折射率在所述透明连接线的折射率与所述第二有机绝缘层的折射率之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述透明连接线的所述折射率与所述第一有机绝缘层的所述折射率之间的差为0.45或更小。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一有机绝缘层的所述折射率大于所述第二有机绝缘层的所述折射率。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一有机绝缘层包括光敏聚酰亚胺，并且所述第二有机绝缘层包括硅氧烷基树脂。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括将所述透明连接线连接到所述辅助像素电路的金属连接线，
其中，所述金属连接线和所述透明连接线位于同一层上，并且所述透明连接线的端部覆盖所述金属连接线的端部。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括将所述透明连接线连接到所述辅助像素电路的金属连接线，
其中，所述金属连接线和所述辅助存储电容器的上电极位于同一层上，并且所述透明连接线经由接触孔连接到所述金属连接线。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括将所述透明连接线和所述辅助像素电路彼此连接的金属连接线，
其中，所述金属连接线和所述辅助存储电容器的下电极位于同一层上，并且所述透明连接线经由接触孔连接到所述金属连接线。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括位于所述基底上的无机绝缘层，
其中，所述无机绝缘层包括与所述组件区域对应的孔或凹槽。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述透明连接线位于所述无机绝缘层的所述孔或所述凹槽的内部，并且
所述第一有机绝缘层填充所述无机绝缘层的所述孔或所述凹槽并且位于所述基底的整个表面上。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括将所述透明连接线连接到所述辅助像素电路的金属连接线，
其中，所述金属连接线位于所述第一有机绝缘层上，并且所述透明连接线经由接触孔连接到所述金属连接线。
11.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第一有机绝缘层位于所述无机绝缘层的所述孔或所述凹槽的内部，并且所述第一有机绝缘层的厚度小于所述无机绝缘层的所述孔或所述凹槽的深度。
12.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第二有机绝缘层填充所述无机绝缘层的所述孔或所述凹槽，并且
所述透明连接线位于所述第二有机绝缘层上。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述辅助显示元件上方，并且在所述薄膜封装层中，第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层堆叠。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括位于所述第一无机封装层和所述有机封装层之间的第一附加无机封装层，其中，所述第一附加无机封装层的折射率具有在所述第一无机封装层的折射率与所述有机封装层的折射率之间的值。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：
缓冲层，位于所述基底和所述辅助薄膜晶体管之间；以及
补偿层，位于所述基底和所述缓冲层之间，
其中，所述缓冲层包括氮化硅，并且所述补偿层包括氮氧化硅。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括位于所述基底的下表面上的防反射膜。
17.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
显示面板，包括主显示区域、组件区域和外围区域，所述主显示区域包括多个主子像素，所述组件区域包括多个辅助子像素；以及
组件，在所述显示面板下方布置为对应于所述组件区域，其中，所述显示面板还包括：
基底；
辅助显示元件，在所述基底上位于所述组件区域中；
辅助像素电路，在所述基底上位于所述外围区域中，并且包括辅助薄膜晶体管和辅助存储电容器；
透明连接线，将所述辅助显示元件和所述辅助像素电路彼此连接；以及
第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，在所述组件区域中堆叠在所述基底和所述辅助显示元件之间，
其中，所述第一有机绝缘层位于所述透明连接线和所述辅助显示元件之间，并且所述第一有机绝缘层的折射率在所述透明连接线的折射率与所述第二有机绝缘层的折射率之间。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述透明连接线的所述折射率与所述第一有机绝缘层的所述折射率之间的差为0.45或更小。
19.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第一有机绝缘层的所述折射率大于所述第二有机绝缘层的所述折射率。
20.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第一有机绝缘层包括光敏聚酰亚胺，并且所述第二有机绝缘层包括硅氧烷基树脂。
21.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括位于所述基底上的无机绝缘层，
其中，所述无机绝缘层包括与所述组件区域对应的孔或凹槽。
22.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述组件包括图像拾取装置。
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