KR20220026002A - 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 - Google Patents

표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220026002A
KR20220026002A KR1020200106430A KR20200106430A KR20220026002A KR 20220026002 A KR20220026002 A KR 20220026002A KR 1020200106430 A KR1020200106430 A KR 1020200106430A KR 20200106430 A KR20200106430 A KR 20200106430A KR 20220026002 A KR20220026002 A KR 20220026002A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating layer
disposed
layer
auxiliary
organic insulating
Prior art date
Application number
KR1020200106430A
Other languages
English (en)
Inventor
강주훈
김건희
김현호
박형근
심동환
양태훈
전주희
정선영
최충석
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020200106430A priority Critical patent/KR20220026002A/ko
Priority to US17/444,160 priority patent/US11800751B2/en
Priority to CN202110971932.0A priority patent/CN114093915A/zh
Publication of KR20220026002A publication Critical patent/KR20220026002A/ko
Priority to US18/492,752 priority patent/US20240057386A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H01L27/3234—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H01L27/3258—
    • H01L27/3276—
    • H01L51/5256—
    • H01L51/5275—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 메인표시영역, 컴포넌트영역, 및 주변영역을 포함하는 표시 패널에 있어서, 기판; 상기 기판 상에서 상기 컴포넌트영역에 배치된 보조 표시요소; 상기 기판 상에서 상기 주변영역에 배치되며, 보조 박막트랜지스터 및 보조 스토리지 커패시터를 포함하는 보조 화소회로; 상기 보조 표시요소와 상기 보조 화소회로를 각각 연결하는 투명 연결배선; 및 상기 컴포넌트영역에서 상기 기판과 상기 보조 표시요소 사이에서 적층된 제1유기절연층 및 제2유기절연층;을 포함하며, 상기 제1유기절연층은 상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소 사이에 배치되며, 상기 제1유기절연층의 굴절률은 상기 투명 연결배선의 굴절률과 상기 제2유기절연층의 굴절률의 사이 값을 가지는, 표시 패널을 제공한다.

Description

표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치{DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명의 실시예들은 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 전자요소인 컴포넌트가 배치되는 영역에서도 이미지가 디스플레이될 수 있도록 표시영역이 확장된 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치가 다양하게 활용됨에 따라 표시 장치의 형태를 설계하는데 다양한 방법이 있을 수 있고, 또한 표시 장치에 접목 또는 연계할 수 있는 기능이 증가하고 있다.
본 발명의 실시예들은 전자요소인 컴포넌트가 배치되는 영역에서도 이미지가 디스플레이될 수 있도록 표시영역이 확장된 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치를 제공하고자 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는, 메인표시영역, 컴포넌트영역, 및 주변영역을 포함하는 표시 패널에 있어서, 기판; 상기 기판 상에서 상기 컴포넌트영역에 배치된 보조 표시요소; 상기 기판 상에서 상기 주변영역에 배치되며, 보조 박막트랜지스터 및 보조 스토리지 커패시터를 포함하는 보조 화소회로; 상기 보조 표시요소와 상기 보조 화소회로를 각각 연결하는 투명 연결배선; 및 상기 컴포넌트영역에서 상기 기판과 상기 보조 표시요소 사이에서 적층된 제1유기절연층 및 제2유기절연층;을 포함하며, 상기 제1유기절연층은 상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소 사이에 배치되며, 상기 제1유기절연층의 굴절률은 상기 투명 연결배선의 굴절률과 상기 제2유기절연층의 굴절률의 사이 값을 가지는, 표시 패널을 제공한다.
일 실시예에 있어서, 상기 투명 연결배선의 굴절률과 상기 제1유기절연층의 굴절률의 차이는 0.45 이하일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1유기절연층의 굴절률은 상기 제2유기절연층의 굴절률 보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1유기절연층은 감광성 폴리이미드로 구비되고, 상기 제2유기절연층은 실록산계 수지로 구비될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소를 연결하는 금속 연결배선;을 더 포함하며, 상기 금속 연결배선은 상기 스토리지 커패시터의 상부 전극과 동일 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소를 연결하는 금속 연결배선;을 더 포함하며, 상기 금속 연결배선은 상기 보조 박막트랜지스터의 게이트 전극과 동일 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 배치된 무기절연층;을 더 포함하며, 상기 무기절연층은 상기 컴포넌트영역에 대응하는 홀 또는 그루브를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 투명 연결배선은 상기 무기절연층의 홀 또는 그루브 내부에 배치되며, 상기 제1유기절연층은 상기 무기절연층의 홀 또는 그루브를 채우며, 상기 기판 전면에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1유기절연층은 상기 무기절연층의 홀 또는 그루브 내부에 배치되며, 상기 제1유기절연층의 높이는 상기 무기절연층의 홀 또는 그루브의 깊이보다 작을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2유기절연층은 상기 무기절연층의 홀 또는 그루브를 채우며, 상기 투명 연결배선은 상기 제2유기절연층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 보조 표시요소 상부에 배치되며, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층이 적층된 박막봉지층;을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1무기봉지층과 유기봉지층 사이에 배치된 제1추가 무기봉지층;을 더 포함하며, 상기 제1추가 무기봉지층의 굴절률은 상기 제1무기봉지층의 굴절률과 상기 유기봉지층의 굴절률 사이의 값을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판과 상기 보조 박막트랜지스터 사이에 배치된 버퍼층; 및 상기 기판과 상기 버퍼층 사이에 배치된 보상층;을 더 포함하며, 상기 버퍼층은 실리콘질화물로 구비되고, 상기 보상층은 실리콘산질화물로 구비될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판의 하면에 배치된 반사 방지 필름;을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 표시 장치에 있어서, 메인 부화소들을 구비한 메인표시영역, 보조 부화소들을 구비한 컴포넌트영역, 및 주변영역을 포함하는 표시 패널; 및 상기 표시 패널의 하부에서 상기 컴포넌트영역에 대응하도록 배치된 컴포넌트; 를 포함하며, 상기 표시 패널은, 기판; 상기 기판 상에서 상기 컴포넌트영역에 배치된 보조 표시요소; 상기 기판 상에서 상기 주변영역에 배치되며, 보조 박막트랜지스터 및 보조 스토리지 커패시터를 포함하는 보조 화소회로; 상기 보조 표시요소와 상기 보조 화소회로를 각각 연결하는 투명 연결배선; 및 상기 컴포넌트영역에서 상기 기판과 상기 보조 표시요소 사이에서 적층된 제1유기절연층 및 제2유기절연층;을 포함하며, 상기 제1유기절연층은 상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소 사이에 배치되며, 상기 제1유기절연층의 굴절률은 상기 투명 연결배선의 굴절률과 상기 제2유기절연층의 굴절률의 사이 값을 가지는, 표시 장치를 제공한다.
일 실시예에 있어서, 상기 투명 연결배선의 굴절률과 상기 제1유기절연층의 굴절률의 차이는 0.45 이하일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1유기절연층의 굴절률은 상기 제2유기절연층의 굴절률 보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1유기절연층은 감광성 폴리이미드로 구비되고, 상기 제2유기절연층은 실록산계 수지로 구비될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 배치된 무기절연층;을 더 포함하며, 상기 무기절연층은 상기 컴포넌트영역에 대응하는 홀 또는 그루브를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 컴포넌트는 촬상소자일 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 실시예들에 의한 표시 패널 및 표시 장치는, 컴포넌트영역에는 화소회로가 배치되지 않는 바, 보다 넓은 투과영역을 확보하여 투과율을 개선할 수 있다.
물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2a는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 표시 장치에 포함될 수 있는 표시 패널을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA)과 표시영역(DA) 외측의 주변영역(DPA)을 포함한다. 표시영역(DA)은 컴포넌트영역(CA)과, 컴포넌트영역(CA)을 적어도 부분적으로 둘러싸는 메인표시영역(MDA)을 포함한다. 즉, 컴포넌트영역(DA)과 메인표시영역(MDA) 각각은 개별적으로 또는 함께 이미지를 디스플레이 할 수 있다. 주변영역(DPA)은 표시요소들이 배치되지 않은 일종의 비표시영역일 수 있다. 표시영역(DA)은 주변영역(DPA)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다.
도 1은 메인표시영역(MDA)의 내에 하나의 컴포넌트영역(CA)이 위치하는 것을 도시한다. 다른 실시예로, 표시 장치(1)는 2개 이상의 컴포넌트영역(CA)들을 가질 수 있고, 복수 개의 컴포넌트영역(CA)들의 형상 및 크기는 서로 상이할 수 있다. 표시 장치(1)의 상면에 대략 수직인 방향에서 보았을 시, 컴포넌트영역(CA)의 형상은 원형, 타원형, 사각형 등의 다각형, 별 형상 또는 다이아몬드 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 그리고 도 1에서는 표시 장치(1)의 상면에 대략 수직인 방향에서 보았을 시 대략 사각형 형상을 갖는 메인표시영역(MDA)의 (+y 방향) 상측 중앙에 컴포넌트영역(CA)이 배치된 것으로 도시하고 있으나, 컴포넌트영역(CA)은 사각형인 메인표시영역(MDA)의 일측, 예컨대 우상측 또는 좌상측에 배치될 수도 있다.
표시 장치(1)는 메인표시영역(MDA)에 배치된 복수 개의 메인 부화소(Pm)들과 컴포넌트영역(CA)에 배치된 복수 개의 보조 부화소(Pa)들을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다.
컴포넌트영역(CA)에는 도 2를 참조하여 후술하는 것과 같이, 컴포넌트영역(CA)에 대응하여 표시 패널의 하부에 전자요소인 컴포넌트(40)가 배치될 수 있다. 컴포넌트(40)는 적외선 또는 가시광선 등을 이용하는 카메라로서, 촬상소자를 구비할 수도 있다. 또는 컴포넌트(40)는 태양전지, 플래시(flash), 조도 센서, 근접 센서, 홍채 센서일 수 있다. 또는 컴포넌트(40)는 음향을 수신하는 기능을 가질 수도 있다. 이러한 컴포넌트(40)의 기능이 제한되는 것을 최소화하기 위해, 컴포넌트영역(CA)은 컴포넌트(40)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 컴포넌트(40)를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향 등이 투과할 수 있는 투과영역(TA)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치의 경우, 컴포넌트영역(CA)을 통해 광이 투과하도록 할 시, 광 투과율은 약 10% 이상, 보다 바람직하게 40% 이상이거나, 25% 이상이거나 50% 이상이거나, 85% 이상이거나, 90% 이상일 수 있다.
컴포넌트영역(CA)에는 복수 개의 보조 부화소(Pa)들이 배치될 수 있다. 복수 개의 보조 부화소(Pa)들은 빛을 방출하여, 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 컴포넌트영역(CA)에서 디스플레이 되는 이미지는 보조 이미지로, 메인표시영역(MDA)에서 디스플레이 되는 이미지에 비해서 해상도가 낮을 수 있다. 즉, 컴포넌트영역(CA)은 빛 및 음향이 투과할 수 있는 투과영역(TA)을 구비하며, 투과영역(TA) 상에 부화소가 배치되지 않는 경우, 단위 면적 당 배치될 수 있는 보조 부화소(Pa)들의 수가 메인표시영역(MDA)에 단위 면적 당 배치되는 메인 부화소(Pm)들의 수에 비해 적을 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 실시예들에 따른 표시 장치(1)의 단면의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10) 및 상기 표시 패널(10)과 중첩 배치된 컴포넌트(40)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10) 상부에는 표시 패널(10)을 보호하는 커버 윈도우(미도시)가 더 배치될 수 있다.
표시 패널(10)은 컴포넌트(40)와 중첩되는 영역인 컴포넌트영역(CA) 및 메인 이미지가 디스플레이되는 메인표시영역(MDA)를 포함한다. 표시 패널(10)은 기판(100), 기판(100) 상의 표시층(DISL), 터치스크린층(TSL), 광학기능층(OFL) 및 기판(100) 하부에 배치된 패널 보호 부재(PB)를 포함할 수 있다.
표시층(DISL)은 박막트랜지스터(TFTm, TFTa)를 포함하는 회로층(PCL), 표시요소인 발광 소자(light emitting element, EDm, EDa)를 포함하는 표시요소층, 및 박막봉지층(TFEL) 또는 밀봉기판(미도시)과 같은 밀봉부재(ENCM)를 포함할 수 있다. 기판(100)과 표시층(DISL) 사이, 표시층(DISL) 내에는 절연층(IL, IL')이 배치될 수 있다.
기판(100)은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 기판(100)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.
표시 패널(10)의 메인표시영역(MDA)에는 메인 화소회로(PCm) 및 이와 연결된 메인 발광 소자(ED)가 배치될 수 있다. 메인 화소회로(PCm)은 적어도 하나의 박막트랜지스터(TFTm)을 포함하며, 메인 발광 소자(EDm)의 발광을 제어할 수 있다. 메인 부화소(Pm)는 메인 발광 소자(EDm)의 발광에 의해서 구현될 수 있다.
표시 패널(10)의 컴포넌트영역(CA)에는 보조 발광 소자(EDa)가 배치되어 보조 부화소(Pa)를 구현할 수 있다. 본 실시예에서, 보조 발광 소자(EDa)를 구동하는 보조 화소회로(PCa)는 컴포넌트영역(CA)에 배치되지 않고, 비표시영역인 주변영역(DPA)에 배치될 수 있다. 다른 실시예로서, 보조 화소회로(PCa)는 메인표시영역(MDA)의 일부에 배치되거나, 메인표시영역(MDA)와 컴포넌트영역(CA)의 사이에 배치될 수 있는 등 다양한 변형이 가능할 수 있다. 즉, 보조 화소회로(PCa)는 보조 발광 소자(EDa)와 비중첩되도록 배치될 수 있다.
보조 화소회로(PCa)는 적어도 하나의 박막트랜지스터(TFTa)를 포함하며, 투명 연결배선(TWL)에 의해서 보조 발광 소자(EDa)와 전기적으로 연결될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)은 투명 전도성 물질로 구비될 수 있다. 보조 화소회로(PCa)는 보조 발광 소자(EDa)의 발광을 제어할 수 있다. 보조 부화소(Pa)는 보조 발광 소자(EDa)의 발광에 의해서 구현될 수 있다. 컴포넌트영역(CA) 중 보조 발광 소자(EDa)가 배치되는 영역을 보조표시영역(ADA)라 할 수 있다.
또한, 컴포넌트영역(CA)에서 표시요소인 보조 발광 소자(EDa)가 배치되지 않는 영역을 투과영역(TA)이라 할 수 있다. 투과영역(TA)은 컴포넌트영역(CA)에 대응하여 배치된 컴포넌트(40)로부터 방출되는 빛/신호 나 컴포넌트(40)로 입사되는 빛/신호가 투과(transmission)되는 영역일 수 있다. 보조표시영역(ADA)과 투과영역(TA)은 컴포넌트영역(CA)에서 교번적으로 배치될 수 있다. 보조 화소회로(PCa)와 보조 발광 소자(EDa)를 연결하는 투명 연결배선(TWL)은 투과영역(TA)에 배치될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)은 투과율이 높은 투명 전도성 물질로 구비될 수 있는 바, 투과영역(TA)에 투명 연결배선(TWL)이 배치된다고 하더라도, 투과영역(TA)의 투과율은 확보될 수 있다.
본 실시예에서는, 컴포넌트영역(CA)에 보조 화소회로(PCa)가 배치되지 않는 바, 투과영역(TA)의 면적이 확보될 수 있어 광 투과율이 보다 향상될 수 있다.
표시요소층(EDL)은 박막봉지층(TFEL)으로 커버되거나, 밀봉기판으로 커버될 수 있다. 일부 실시예에서, 박막봉지층(TFEL)은 도 2에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 박막봉지층(TFEL)은 제1 및 제2무기봉지층(131, 133) 및 이들 사이의 유기봉지층(132)을 포함할 수 있다.
제1무기봉지층(131) 및 제2무기봉지층(133)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiOxNy), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)과 같은 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 화학기상증착법(CVD) 등에 의해 형성될 수 있다. 유기봉지층(132)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
제1무기봉지층(131), 유기봉지층(132) 및 제2무기봉지층(133)은 메인표시영역(MDA) 및 컴포넌트영역(CA)을 커버하도록 일체로 형성될 수 있다.
표시요소층(EDL)이 밀봉기판(미도시)으로 밀봉되는 경우, 밀봉기판은 표시요소층(EDL)을 사이에 두고 기판(100)과 마주보도록 배치될 수 있다. 밀봉기판과 표시요소층(EDL) 사이에는 갭이 존재할 수 있다. 밀봉기판은 글래스를 포함할 수 있다. 기판(100)과 밀봉기판 사이에는 프릿(frit) 등으로 이루어진 실런트가 배치되며, 실런트는 전술한 주변영역(DPA)에 배치될 수 있다. 주변영역(DPA)에 배치된 실런트는 표시영역(DA)을 둘러싸면서 측면을 통해 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
터치스크린층(TSL)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 터치스크린층(TSL)은 터치전극 및 터치전극과 연결된 터치 배선들을 포함할 수 있다. 터치스크린층(TSL)은 자기 정전 용량 방식 또는 상호 정전 용량 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
터치스크린층(TSL)은 박막봉지층(TFEL) 상에 형성될 수 있다. 또는, 터치스크린층(TSL)은 터치기판 상에 별도로 형성된 후 광학 투명 접착제(OCA)와 같은 점착층을 통해 박막봉지층(TFEL) 상에 결합될 수 있다. 일 실시예로서, 터치스크린층(TSL)은 박막봉지층(TFEL) 바로 위에 직접 형성될 수 있으며, 이 경우 점착층은 터치스크린층(TSL)과 박막봉지층(TFEL) 사이에 개재되지 않을 수 있다.
광학기능층(OFL)은 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 외부에서 표시 장치(1) 을 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다.
일부 실시예에서, 광학기능층(OFL)은 편광 필름일 수 있다. 광학기능층(OFL)은 투과영역(TA)에 대응하는 개구(OFL_OP)를 구비할 수 있다. 이에 따라, 투과영역(TA)의 광투과율이 현저히 향상될 수 있다. 상기 개구(OFL_OP)에는 광투명수지(OCR, optically clear resin)와 같은 투명한 물질이 채워질 수 있다.
일부 실시예에서, 광학기능층(OFL)은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함하는 필터 플레이트로 구비될 수 있다.
패널 보호 부재(PB)는 기판(100)의 하부에 부착되어, 기판(100)을 지지하고 보호하는 역할을 할 수 있다. 패널 보호 부재(PB)는 컴포넌트영역(CA)에 대응하는 개구(PB_OP)를 구비할 수 있다. 패널 보호 부재(PB)에 개구(PB_OP)를 구비함으로써, 컴포넌트영역(CA)의 광 투과율을 향상시킬 수 있다. 패널 하부 커버(PB)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyeleneterepthalate, PET) 또는 폴리이미드(polyimide, PI)를 포함하여 구비될 수 있다.
컴포넌트영역(CA)의 면적은 컴포넌트(40)가 배치되는 면적에 비해서 크게 구비될 수 있다. 이에 따라, 패널 보호 부재(PB)에 구비된 개구(PB_OP)의 면적은 상기 컴포넌트영역(CA)의 면적과 일치하지 않을 수 있다.
또한, 컴포넌트영역(CA)에는 복수의 컴포넌트(40)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 컴포넌트(40)는 서로 기능을 달리할 수 있다. 예컨대, 복수의 컴포넌트(40) 는 카메라(촬상소자), 태양전지, 플래시(flash), 근접 센서, 조도 센서, 홍채 센서 중 적어도 두 개를 포함할 수 있다.
도 2a에서는 컴포넌트영역(CA)의 보조 발광 소자(EDa)의 하부에 배치된 하부금속층(bottom metal layer, BML)가 배치되고 있지 않으나, 도 2b와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 하부금속층(BML)을 포함할 수 있다.
하부금속층(BML)은 기판(100)과 보조 발광 소자(EDa) 사이에서, 보조 발광 소자(EDa)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이러한 하부금속층(BML)은 외부 광이 보조 발광 소자(EDa)에 도달하는 것을 차단할 수 있다. 한편, 하부 금속층(BML)은 컴포넌트영역(CA) 전체에 대응하도록 형성되고, 투과영역(TA)에 대응하는 하부-홀을 포함하도록 구비될 수 있다. 이 경우, 하부-홀은 다각형, 원형, 또는 비정형 형상 등 다양한 형상으로 구비되어 외부 광의 회절 특성을 조절하는 역할을 할 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 표시 장치에 포함될 수 있는 표시 패널을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3a를 참조하면, 표시 패널(10)을 이루는 각종 구성 요소들은 기판(100) 상에 배치된다. 기판(100)은 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)을 둘러싸는 주변영역(DPA)을 포함한다. 표시영역(DA)은 메인 이미지가 디스플레이 되는 메인표시영역(MDA)과, 투과영역(TA)을 가지며 보조 이미지가 디스플레이 되는 컴포넌트영역(CA)을 포함한다. 보조 이미지는 메인 이미지와 함께 하나의 전체 이미지를 형성할 수도 있고, 보조 이미지는 메인 이미지로부터 독립된 이미지일 수도 있다.
메인표시영역(MDA)에는 복수의 메인 부화소(Pm)들이 배치된다. 메인 부화소(Pm)들은 각각 유기발광다이오드(OLED)와 같은 표시요소로 구현될 수 있다. 상기 메인 부화소(Pm)를 구동하는 메인 화소회로(PCm)는 메인표시영역(MDA)에 배치되며, 메인 화소회로(PCm)는 메인 부화소(Pm)와 중첩되어 배치될 수 있다. 각 메인 부화소(Pm)는 예컨대 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 광을 방출할 수 있다. 메인표시영역(MDA)은 밀봉부재로 커버되어, 외기 또는 수분 등으로부터 보호될 수 있다.
컴포넌트영역(CA)은 전술한 바와 같이 메인표시영역(MDA)의 일측에 위치거나, 표시영역(DA)의 내측에 배치되어 메인표시영역(MDA)에 의해 둘러싸일 수 있다. 컴포넌트영역(CA)에는 복수의 보조 부화소(Pa)들이 배치된다. 복수개의 보조 부화소(Pa)들은 각각 유기발광다이오드와 같은 표시요소에 의해서 구현될 수 있다. 상기 보조 부화소(Pa)를 구동하는 보조 화소회로(PCa)는 컴포넌트영역(CA)과 가까운 주변영역(DPA)에 배치될 수 있다. 예컨대, 컴포넌트영역(CA)이 표시영역(DA)의 상측에 배치되는 경우, 보조 화소회로(PCa)는 주변영역(DPA)의 상측에 배치될 수 있다. 보조 화소회로(PCa)와 보조 부화소(Pa)를 구현하는 표시요소는 y 방향으로 연장되는 투명 연결배선(TWL)에 의해 연결될 수 있다.
각 보조 부화소(Pa)는 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 광을 방출할 수 있다. 컴포넌트영역(CA)은 밀봉부재로 커버되어, 외기 또는 수분 등으로부터 보호될 수 있다.
한편, 컴포넌트영역(CA)은 투과영역(TA)을 가질 수 있다. 투과영역(TA)은 복수개의 보조 부화소(Pa)들을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 또는 투과영역(TA)은 복수개의 보조 부화소(Pa)들과 격자 형태로 배치될 수도 있다.
컴포넌트영역(CA)은 투과영역(TA)을 갖기에, 컴포넌트영역(CA)의 해상도는 메인표시영역(MDA)의 해상도보다 낮을 수 있다. 예컨대, 컴포넌트영역(CA)의 해상도는 메인표시영역(MDA)의 해상도의 약 1/2, 3/8, 1/3, 1/4, 2/9, 1/8, 1/9, 1/16 등일 수 있다. 예컨대 메인표시영역(MDA)의 해상도는 약 400ppi 이상이고, 컴포넌트영역(CA)의 해상도는 약 200ppi 또는 약 100ppi 일 수 있다.
부화소(Pm, Pa)들을 구동하는 화소회로들 각각은 주변영역(DPA)에 배치된 외곽회로들과 전기적으로 연결될 수 있다. 주변영역(DPA)에는 제1 스캔 구동회로(SDRV1), 제2 스캔 구동회로(SDRV2), 단자부(PAD), 구동전압 공급라인(11) 및 공통전압 공급라인(13)이 배치될 수 있다.
제1 스캔 구동회로(SDRV1)는 메인 스캔선(SLm)을 메인 부화소(Pm)들을 구동하는 화소회로(PCm)들 각각에 스캔 신호를 인가할 수 있다. 제1 스캔 구동회로(SDRV1)는 메인 발광 제어선(ELm)을 통해 각 화소회로에 발광 제어 신호를 인가할 수 있다. 제2 스캔 구동회로(SDRV2)는 메인표시영역(MDA)을 중심으로 제1 스캔 구동회로(SDRV1)의 반대편에 위치할 수 있으며, 제1 스캔 구동회로(SDRV1)와 대략 평행할 수 있다. 메인표시영역(MDA)의 메인 부화소(Pm)들의 화소회로 중 일부는 제1 스캔 구동회로(SDRV1)와 전기적으로 연결될 수 있고, 나머지는 제2 스캔 구동회로(SDRV2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
단자부(PAD)는 기판(100)의 일측에 배치될 수 있다. 단자부(PAD)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 표시 회로 보드(30)와 연결된다. 표시 회로 보드(30)에는 표시 구동부(32)가 배치될 수 있다.
표시 구동부(32)는 제1 스캔 구동회로(SDRV1)와 제2 스캔 구동회로(SDRV2)에 전달하는 제어 신호를 생성할 수 있다. 표시 구동부(32)는 데이터 신호를 생성하며, 생성된 데이터 신호는 팬아웃 배선(FW) 및 팬아웃 배선(FW)과 연결된 메인 데이터선(DLm)을 통해 메인 화소회로(PCm)들에 전달될 수 있다.
표시 구동부(32)는 구동전압 공급라인(11)에 구동전압(ELVDD)을 공급할 수 있고, 공통전압 공급라인(13)에 공통전압(ELVSS)을 공급할 수 있다. 구동전압(ELVDD)은 구동전압 공급라인(11)과 연결된 구동전압선(PL)을 통해 부화소들(Pm, Pa)의 화소회로에 인가되고, 공통전압(ELVSS)은 공통전압 공급라인(13)과 연결되어 표시요소의 대향전극에 인가될 수 있다.
구동전압 공급라인(11)은 메인표시영역(MDA)의 하측에서 x 방향으로 연장되어 구비될 수 있다. 공통전압 공급라인(13)은 루프 형상에서 일측이 개방된 형상을 가져, 메인표시영역(MDA)을 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
도 3a에서는 컴포넌트영역(CA)이 하나인 경우를 도시하고 있으나, 컴포넌트영역(CA)은 복수로 구비될 수 있다. 이 경우, 복수의 컴포넌트영역(CA)은 서로 이격되어 배치되며, 하나의 컴포넌트영역(CA)에 대응하여 제1카메라가 배치되고, 다른 컴포넌트영역(CA)에 대응하여 제2카메라가 배치될 수 있다. 또는, 하나의 컴포넌트영역(CA)에 대응하여 카메라가 배치되고, 다른 컴포넌트영역(CA)에 대응하여 적외선 센서가 배치될 수 있다. 복수의 컴포넌트영역(CA)의 형상 및 크기는 서로 다르게 구비될 수 있다.
한편, 컴포넌트영역(CA)은 원형, 타원형, 다각형 또는 비정형 형상으로 구비될 수 있다. 일부 실시예에서, 컴포넌트영역(CA)은 팔각형으로 구비될 수 있다. 컴포넌트영역(CA)은 사각형, 육각형 등 다양한 형태의 다각형으로 구비될 수 있다. 컴포넌트영역(CA)은 메인표시영역(MDA)에 의해서 둘러싸일 수 있다.
또한, 도 3a에 있어서, 보조 화소회로(PCa)는 컴포넌트영역(CA)의 외측변에 인접하게 배치되고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 보조 화소회로(PCa)는 메인표시영역(MDA)의 외측변에 인접하게 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 투명 연결배선(TWL)은 금속 연결배선(TWL')을 통해서 보조 화소회로(PCa)와 연결될 수 있다. 이 경우, 투명 연결배선(TWL)은 컴포넌트영역(CA)에 배치될 수 있으며, 금속 연결배선(TWL')은 주변영역(DPA)에 배치될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)은 투명 전도성 물질로 구비될 수 있으며, 금속 연결배선(TWL')은 전도성이 높은 금속으로 구비될 수 있다. 일부 실시예에서, 금속 연결배선(TWL')은 투명 연결배선(TWL)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 다른 실시예로, 금속 연결배선(TWL')은 투명 연결배선(TWL)과 다른 층에 배치되어 콘택홀을 통해서 연결될 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 패널(10)의 일부를 나타낸 개략적인 단면도로, 메인표시영역(MDA), 컴포넌트영역(CA) 및 주변영역(DPA)의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 메인표시영역(MDA)에는 메인 부화소(Pm)가 배치되고, 컴포넌트영역(CA)은 보조 부화소(Pa) 및 투과영역(TA)을 구비한다. 메인표시영역(MDA)에는 메인 박막트랜지스터(TFT)와 메인 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 메인 화소회로(PCm) 및 메인 화소회로(PCm)와 연결된 메인 표시요소로써 메인 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있다. 컴포넌트영역(CA)에는 보조 표시요소로써 보조 유기발광다이오드(OLED')가 배치될 수 있다. 주변영역(DPA)에는 보조 박막트랜지스터(TFT')와 보조 스토리지 커패시터(Cst')를 포함하는 보조 화소회로(PCa)가 배치될 수 있다. 한편, 컴포넌트영역(CA)과 주변영역(DPA)에는 보조 화소회로(PCa)와 보조 유기발광다이오드(OLED')를 연결하는 투명 연결배선(TWL)이 배치될 수 있다.
컴포넌트영역(CA)는 기판(100)과 보조 유기발광다이오드(OLED') 사이에는 제1유기절연층(116) 및 제2유기절연층(117)이 적층되어 구비되며, 제1유기절연층(116)은 투명 연결배선(TWL)의 상부에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 제1유기절연층(116)의 굴절률(n1)은 투명 연결배선(TWL)의 굴절률(n0)와 제2유기절연층(117)의 굴절률(n2)의 사이 값을 가질 수 있다. 예컨대, 제1유기절연층(116)의 굴절률(n1)은 투명 연결배선(TWL)의 굴절률(n0) 보다 작으며, 제2유기절연층(117)의 굴절률(n2)보다 크게 구비될 수 있다. (n0 > n1 > n2)
일부 실시예에서, 투명 연결배선(TWL)의 굴절률(n0)은 550 nm 파장에 대해서 약 1.9 내지 2.1로 구비될 수 있다. 제1유기절연층(116)의 굴절률(n1)은 550 nm 파장에 대해서 약 1.6 내지 1.9로 구비될 수 있다. 제2유기절연층(117)의 굴절률(n2)은 약 1.4 내지 1.6으로 구비될 수 있다. 일부 실시예에서, 투명 연결배선(TWL)의 굴절률(n0)과 제1유기절연층(116)의 굴절률(n1)의 차이는 0.45 이하일 수 있다.
일부 실시예에서, 제2유기절연층(117)의 광 투과율은 제1유기절연층(116)의 광 투과율보다 크게 구비될 수 있다. 일부 실시예에서, 제2유기절연층(117)의 상면의 평탄도는 제1유기절연층(116)의 상면의 평탄도 보다 우수할 수 있다. 즉, 제2유기절연층(117)의 상면은 제1유기절연층(116)의 상면보다 평평할 수 있다.
투명 연결배선(TWL)과 그 상부에 배치되는 절연층들과의 굴절률의 차이가 클 수록 투명 연결배선(TWL)에 의한 광 회절 강도가 커질 수 있다. 본 실시예에서는 투명 연결배선(TWL)의 상부에 배치되는 제1유기절연층(116)의 굴절률이 투명 연결배선(TWL)의 굴절률의 차이가 적게 나는 물질로 선택하여 이러한 광 회절 현상을 최소화할 수 있다. 또한, 컴포넌트영역(CA)에 제1유기절연층(116)만 존재하는 경우, 전체적인 광 투과율 및 평탄도 측면에서는 불리할 수 있는 바, 제1유기절연층(116) 보다 광 투과율 및 평탄도가 우수한 제2유기절연층(117)을 도입하여, 광 회절 현상을 최소화하는 동시에 광 투과율 및 평탄도를 향상시킬 수 있다.
일부 실시예에서, 투명 연결배선(TWL)과 제1유기절연층(116) 사이에는 무기절연층이 형성될 수 있다. 일반적으로 무기절연층은 유기절연층보다 얇게 형성되어, 광 경로에 영향을 미치지 않는 바, 무기절연층에 의한 광 회절 현상은 미비할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 표시 요소로써 유기발광다이오드가 채용된 것을 예를 들고 있으나, 다른 실시예로 표시 요소로써 무기 발광 소자, 또는 양자점 발광 소자가 채용될 수 있다.
이하, 표시 패널(10)에 포함된 구성들이 적층된 구조에 대해서 설명하도록 한다. 표시 패널(10)은 기판(100), 버퍼층(111), 회로층(PCL), 표시요소층(EDL)이 적층되어 구비될 수 있다.
기판(100)은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 기판(100)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.
버퍼층(111)은 기판(100) 상에 위치하여, 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(111)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 기판(100)과 버퍼층(111) 사이에는 외기의 침투를 차단하는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 일부 실시예에서, 버퍼층(111)은 실리콘산화물(SiO2) 또는 실리콘질화물(SiNX)으로 구비될 수 있다
회로층(PCL)은 버퍼층(111) 상에 배치되며, 화소회로(PCm, PCa), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 층간절연층(115), 제1유기절연층(116) 및 제2유기절연층(117)을 포함할 수 있다. 메인 화소회로(PCm)는 메인 박막트랜지스터(TFT) 및 메인 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있으며, 보조 화소회로(PCa)는 보조 박막트랜지스터(TFT') 및 보조 스토리지 커패시터(Cst')를 포함할 수 있다.
버퍼층(111) 상부에는 메인 박막트랜지스터(TFT) 및 보조 박막트랜지스터(TFT')가 배치될 수 있다. 메인 박막트랜지스터(TFT)는 제1반도체층(A1), 제1게이트전극(G1), 제1소스전극(S1), 제1드레인전극(D1)을 포함한다. 메인 박막트랜지스터(TFT)는 메인 유기발광다이오드(OLED)와 연결되어 메인 유기발광다이오드(OLED)를 구동할 수 있다. 보조 박막트랜지스터(TFT')는 보조 유기발광다이오드(OLED')와 연결되어 보조 유기발광다이오드(OLED')를 구동할 수 있다. 보조 박막트랜지스터(TFT')는 메인 박막트랜지스터(TFT)와 유사한 구성을 가지는 바, 메인 박막트랜지스터(TFT)에 대한 설명으로 보조 박막트랜지스터(TFT')의 설명을 갈음한다.
제1반도체층(A1)은 상기 버퍼층(111) 상에 배치되며, 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1반도체층(A1)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1반도체층(A1)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 제1반도체층(A1)은 채널영역과 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다.
제1반도체층(A1)을 덮도록 제1게이트절연층(112)이 구비될 수 있다. 제1게이트절연층(112)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiOxNy), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1게이트절연층(112)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1게이트절연층(112) 상부에는 상기 제1반도체층(A1)과 중첩되도록 제1게이트전극(G1)이 배치된다. 제1게이트전극(G1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 제1게이트전극(G1)은 Mo의 단층일 수 있다.
제2게이트절연층(113)은 상기 제1게이트전극(G1)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiOxNy), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제2게이트절연층(113) 상부에는 메인 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2) 및 보조 스토리지 커패시터(Cst')의 상부 전극(CE2')이 배치될 수 있다.
메인표시영역(MDA)에서 메인 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2)은 그 아래의 제1게이트전극(G1)과 중첩할 수 있다. 제2게이트절연층(113)을 사이에 두고 중첩하는 제1게이트전극(G1) 및 상부 전극(CE2)은 메인 스토리지 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다. 제1게이트전극(G1)은 메인 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)일 수 있다.
주변영역(DPA)에서 보조 스토리지 커패시터(Cst')의 상부 전극(CE2')은 그 아래의 보조 박막트랜지스터(TFT')의 게이트전극과 중첩할 수 있다. 보조 박막트랜지스터(TFT')의 게이트전극은 보조 스토리지 커패시터(Cst')의 하부 전극(CE1')일 수 있다.
상부 전극(CE2, CE2')은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
층간절연층(115)은 상기 상부 전극(CE2, CE2')을 덮도록 형성될 수 있다. 층간절연층(115)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiOxNy), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 층간절연층(115)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
소스전극(S1) 및 드레인전극(D1)은 층간절연층(115) 상에 배치될 수 있다. 소스전극(S1) 및 드레인전극(D1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 소스전극(S1)과 드레인전극(D1)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
층간절연층(115) 상부에는 보조 화소회로(PCa)와 연결된 투명 연결배선(TWL)이 배치될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)은 주변영역(DPA)에서부터 컴포넌트영역(CA)까지 연장되어 배치되어 보조 유기발광다이오드(OLED')와 보조 화소회로(PCa)를 연결할 수 있다. 또한, 층간절연층(115) 상부에는 데이터선(DL)이 배치될 수 있다.
투명 연결배선(TWL)은 금속 연결배선(TWL')과 연결될 수 있다. 금속 연결배선(TWL')은 주변영역(DPA)에 배치되어 보조 화소회로(PCa), 예컨대, 보조 박막트랜지스터(TFT')와 연결될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)은 컴포넌트영역(CA)의 투과영역(TA)에 배치될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)의 끝단은 금속 연결배선(TWL')의 끝단을 덮도록 구비될 수 있다.
금속 연결배선(TWL')은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 금속 연결배선(TWL')은 데이터선(DL)과 동일한 층에서 동일한 물질로 구비될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 금속 연결배선(TWL')은 다양한 층에 배치될 수 있다. 예컨대, 금속 연결배선(TWL')은 제1화소전극(121)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 또는, 금속 연결배선(TWL')은 메인 박막트랜지스터(TFT)의 제1게이트전극(G1)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 또는, 금속 연결배선(TWL')은 메인 스토리지 커패시터(Cst)의 제2전극(CE2)와 동일한 층에 배치될 수 있다.
투명 연결배선(TWL)은 투명한 전도성 물질로 구비될 수 있다. 예컨대, 투명 연결배선(TWL)은 투명한 전도성 산화물(Transparent Conducting Oxide, TCO)로 구비될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)은 인듐주석산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 투명 연결배선(TWL)의 굴절률은 약 1.9 내지 2.1로 구비될 수 있다.
금속 연결배선(TWL')은 투명 연결배선(TWL) 보다 도전율이 높게 구비될 수 있다. 금속 연결배선(TWL')은 주변영역(DPA)에 배치되는 바, 광 투과율을 확보할 필요가 없기에 투명 연결배선(TWL)보다 광 투과율은 낮지만 도전율이 높은 물질로 채용할 수 있다.
소스전극(S1, S2), 드레인전극(D1, D2) 및 투명 연결배선(TWL)을 덮도록 제1유기절연층(116)이 배치될 수 있다.
제1유기절연층(116)은 투명 연결배선(TWL)과 굴절률 차이가 적게 나는 물질로 구비될 수 있다. 제1유기절연층(116)은 그 굴절률이 약 1.6 내지 1.9인 물질로 구비될 수 있다. 예컨대, 제1유기절연층(116)은 감광성 폴리이미드, 폴리이미드(polyimide), Polystyrene(PS), 폴리카보네이트(PC), 아크릴계 고분자 등을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1유기절연층(116)은 유기폴리머에 TiO2 또는 ZrO2 등의 고굴절률 나노 입자가 포함되어 구비될 수 있다. 제1유기절연층(116) 상부에는 연결전극(CM, CM') 및 각종 배선(DWL)이 배치될 수 있어, 고집적화에 유리할 수 있다.
제2유기절연층(117)은 상기 제1유기절연층(116) 상에 배치될 수 있다. 제2유기절연층(117)은 그 상부에 배치되는 제1화소전극(121) 및 제2화소전극(121')이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다. 제2유기절연층(117)은 광 투과율 및 평탄도가 높은 실록산계 유기물질로 구비될 수 있다. 실록산계 유기물질은 헥사메틸디실록산(Hexamethyldisiloxane), 옥타메틸트리실록산(Octamethyltrisiloxane), 데카메틸테트라실록산(Decamethyltetrasiloxane), 도데카메틸펜타실록산(Dodecamethylpentasiloxane) 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxanes)을 포함할 수 있다.
또는, 제2유기절연층(117)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일렌계 고분자, 또는 비닐알콜계 고분자 등을 포함할 수 있다.
제2유기절연층(117) 상에는 유기발광다이오드(OLED, OLED')가 배치된다. 유기발광다이오드(OLED, OLED')의 화소전극(121, 121')은 제1유기절연층(116) 상에 배치된 연결전극(CM, CM')을 통해서 화소회로(PCm, PCa)와 연결될 수 있다.
제1화소전극(121)과 제2화소전극(121')은 인듐주석산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 제1화소전극(121)과 제2화소전극(121')은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 예컨대 제1화소전극(121)과 제2화소전극(121')은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막들을 갖는 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 제1화소전극(121)과 제2화소전극(121')은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조를 가질 수 있다.
화소정의막(119)은 제2유기절연층(117) 상에서, 제1화소전극(121) 및 제2화소전극(121') 각각의 가장자리를 덮으며, 제1화소전극(121) 및 제2화소전극(121')의 중앙부를 노출하는 제1개구(OP1) 및 제2개구(OP2)를 구비할 수 있다. 상기 제1개구(OP1) 및 제2개구(OP2)에 의해서 유기발광다이오드(OLED, OLED')의 발광영역, 즉, 부화소(Pm, Pa)의 크기 및 형상이 정의된다.
화소정의막(119)은 화소전극(121, 121')의 가장자리와 화소전극(121, 121') 상부의 대향전극(123)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(121, 121')의 가장자리에서 아크(arc) 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(119)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
화소정의막(119)의 제1개구(OP1) 및 제2개구(OP2)의 내부에는 제1화소전극(121) 및 제2화소전극(121')에 각각 대응되도록 형성된 제1발광층(122b) 및 제2발광층(122b')이 배치된다. 제1발광층(122b)과 제2발광층(122b')은 고분자 물질 또는 저분자 물질을 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제1발광층(122b)과 제2발광층(122b')의 상부 및/또는 하부에는 유기 기능층(122e)이 배치될 수 있다. 유기 기능층(122e)은 제1기능층(122a) 및/또는 제2기능층(122c)를 포함할 수 있다. 제1기능층(122a) 또는 제2기능층(122c)는 생략될 수 있다.
제1기능층(122a)은 제1발광층(122b)과 제2발광층(122b')의 하부에 배치될 수 있다. 제1기능층(122a)은 유기물로 구비된 단층 또는 다층일 수 있다. 제1기능층(122a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)일 수 있다. 또는, 제1기능층(122a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다. 제1기능층(122a)은 메인표시영역(MDA)과 컴포넌트영역(CA)에 포함된 유기발광다이오드(OLED, OLED')들에 대응되도록 일체로 형성될 수 있다.
제2기능층(122c)은 상기 제1발광층(122b) 및 제2발광층(122b') 상부에 배치될 수 있다. 제2기능층(122c)은 유기물로 구비된 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(122c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층(122c)은 메인표시영역(MDA)과 컴포넌트영역(CA)에 포함된 유기발광다이오드(OLED, OLED')들에 대응되도록 일체로 형성될 수 있다.
제2기능층(122c) 상부에는 대향전극(123)이 배치된다. 대향전극(123)은 일함수가 낮은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향전극(123)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(123)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 대향전극(123)은 메인표시영역(MDA)과 컴포넌트영역(CA)에 포함된 유기발광다이오드(OLED, OLED')들에 대응되도록 일체로 형성될 수 있다.
메인표시영역(MDA)에 형성된 제1화소전극(121)으로부터 대향전극(123)까지의 층들은 메인 유기발광다이오드(OLED)를 이룰 수 있다. 컴포넌트영역(CA)에 형성된 제2화소전극(121')으로부터 대향전극(123)까지의 층들은 보조 유기발광다이오드(OLED')를 이룰 수 있다.
대향전극(123) 상에는 유기물질을 포함하는 상부층(150)이 형성될 수 있다. 상부층(150)은 대향전극(123)을 보호하는 동시에 광추출 효율을 높이기 위해서 마련된 층일 수 있다. 상부층(150)은 대향전극(123) 보다 굴절률이 높은 유기물질을 포함할 수 있다. 또는, 상부층(150)은 굴절률이 서로 다른층들이 적층되어 구비될 수 있다. 예컨대, 상부층(150)은 고굴절률층/저굴절률층/고굴절률층이 적층되어 구비될 수 있다. 이 때, 고굴절률층의 굴절률은 1.7이상 일 수 있으며, 저굴절률층의 굴절률은 1.3이하 일 수 있다.
상부층(150)은 추가적으로 LiF를 포함할 수 있다. 또는, 상부층(150)은 추가적으로 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx)와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
상부층(150) 상에는 박막봉지층(TFEL)이 배치되어, 유기발광다이오드(OLED, OLED')는 박막봉지층(TFEL)에 의해서 밀봉될 수 있다. 박막봉지층(TFEL)은 외부의 수분이나 이물질이 유기발광다이오드(OLED, OLED')로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
박막봉지층(TFEL)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있으며, 이와 관련하여 도 4에서는 박막봉지층(TFEL)이 제1무기봉지층(131), 유기봉지층(132) 및 제2무기봉지층(133)이 적층된 구조를 도시한다. 다른 실시예에서 유기봉지층의 개수와 무기봉지층의 개수 및 적층 순서는 변경될 수 있다.
제1무기봉지층(131) 및 제2무기봉지층(133)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)과 같은 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 화학기상증착법(CVD) 등에 의해 형성될 수 있다. 유기봉지층(132)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(131), 유기봉지층(132) 및 제2무기봉지층(133)은 메인표시영역(MDA) 및 컴포넌트영역(CA)을 커버하도록 일체로 형성될 수 있다.
도 5 및 도 6은 실시예들에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다. 구체적으로, 표시 패널의 컴포넌트영역(CA) 및 그 주변의 주변영역(DPA)를 도시한다. 도 5 및 도 6에 있어서, 도 4와 동일한 참조부호는 동일 부재를 일컫는 바, 이들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 표시 패널(10)의 컴포넌트영역(CA)에는 보조 표시요소로써 보조 유기발광다이오드(OLED')가 배치되며, 주변영역(DPA)에는 보조 박막트랜지스터(TFT')와 보조 스토리지 커패시터(Cst')를 포함하는 보조 화소회로(PCa)가 배치될 수 있다. 한편, 컴포넌트영역(CA)과 주변영역(DPA)에는 보조 화소회로(PCa)와 보조 유기발광다이오드(OLED')를 연결하는 투명 연결배선(TWL)이 배치될 수 있다.
투명 연결배선(TWL)은 금속 연결배선(TWL')을 통해서 보조 화소회로(PCa)와 연결될 수 있다. 금속 연결배선(TWL')은 다양한 층에 배치될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 금속 연결배선(TWL')은 투명 연결배선(TWL)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 다른 실시예로서, 금속 연결배선(TWL')은 투명 연결배선(TWL)과 다른 층에 배치될 수 있다. 이 경우, 투명 연결배선(TWL)은 콘택홀을 통해서 금속 연결배선(TWL')과 연결될 수 있다.
금속 연결배선(TWL')은 서로 다른 층에 배치된 제1배선(TWL1') 및 제2배선(TWL2')을 포함할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제1배선(TWL1')은 투명 연결배선(TWL)과 층간절연층(115)를 사이에 두고 배치될 수 있다. 즉, 제1배선(TWL1')은 투명 연결배선(TWL)의 하부에 배치될 수 있다. 제1배선(TWL')은 제2게이트절연층(113) 상에 배치될 수 있다. 제1배선(TWL')은 보조 스토리지 커패시터(Cst')의 상부 전극(CE2')과 동일한 물질로 동일한 층에 배치될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)은 층간절연층(115)에 정의된 콘택홀을 통해서 제1배선(TWL')과 연결될 수 있다.
한편, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1배선(TWL1')은 투명 연결배선(TWL)과 층간절연층(115)과 제2게이트절연층(113)을 사이에 두고 배치될 수 있다. 제1배선(TWL1')은 투명 연결배선(TWL)의 하부에 배치될 수 있다. 제1배선(TWL')은 제1게이트절연층(112) 상에 배치될 수 있다. 제1배선(TWL')은 보조 박막트랜지스터(TFT')의 게이트전극과 동일한 물질로 동일한 층에 배치될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)은 층간절연층(115) 및 제2게이트절연층(113)에 정의된 콘택홀을 통해서 제1배선(TWL')과 연결될 수 있다.
제2배선(TWL2')은 제1배선(TWL1') 및 보조 화소회로(PCa)와 연결될 수 있다. 제2배선(TWL2')은 층간절연층(115) 상에 배치될 수 있으며, 제1배선(TWL1') 및 보조 화소회로(PCa)와 각각 콘택홀을 통해서 연결될 수 있다.
금속 연결배선(TWL')은 투명 연결배선(TWL') 보다 도전율은 물질로 구비되며, 주변영역(DPA)에서 다양한 조합으로 구성될 수 있다. 금속 연결배선(TWL')이 서로 다른 층에 배치된 배선들로 구비되는 것은 배선들 간의 간섭을 줄이기 위한 것일 수 있다.
도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다. 도 7 및 도 8에 있어서, 도 4와 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바, 이들의 중복 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 표시 패널(10)의 컴포넌트영역(CA)에는 보조 표시요소로써 보조 유기발광다이오드(OLED')가 배치되며, 주변영역(DPA)에는 보조 박막트랜지스터(TFT')와 보조 스토리지 커패시터(Cst')를 포함하는 보조 화소회로(PCa)가 배치될 수 있다. 한편, 컴포넌트영역(CA)과 주변영역(DPA)에는 보조 화소회로(PCa)와 보조 유기발광다이오드(OLED')를 연결하는 투명 연결배선(TWL)이 배치될 수 있다.
컴포넌트영역(CA)는 기판(100)과 보조 유기발광다이오드(OLED') 사이에는 제1유기절연층(116) 및 제2유기절연층(117)이 적층되어 구비되며, 제1유기절연층(116)은 투명 연결배선(TWL)의 상부에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 제1유기절연층(116)의 굴절률(n1)은 투명 연결배선(TWL)의 굴절률(n0)와 제2유기절연층(117)의 굴절률(n2)의 사이 값을 가질 수 있다. 예컨대, 제1유기절연층(116)의 굴절률(n1)은 투명 연결배선(TWL)의 굴절률(n0) 보다 작으며, 제2유기절연층(117)의 굴절률(n2)보다 크게 구비될 수 있다. (n0 > n1 > n2)
일부 실시예에서, 투명 연결배선(TWL)의 굴절률(n0)은 550 nm 파장에 대해서 약 1.9 내지 2.1로 구비될 수 있다. 제1유기절연층(116)의 굴절률(n1)은 550 nm 파장에 대해서 약 1.6 내지 1.9로 구비될 수 있다. 제2유기절연층(117)의 굴절률(n2)은 약 1.4 내지 1.6으로 구비될 수 있다. 일부 실시예에서, 투명 연결배선(TWL)의 굴절률(n0)과 제1유기절연층(116)의 굴절률(n1)의 차이는 0.45 이하일 수 있다.
일부 실시예에서, 제2유기절연층(117)의 광 투과율은 제1유기절연층(116)의 광 투과율보다 크게 구비될 수 있다. 일부 실시예에서, 제2유기절연층(117)의 상면의 평탄도는 제1유기절연층(116)의 상면의 평탄도 보다 우수할 수 있다. 즉, 제2유기절연층(117)의 상면은 제1유기절연층(116)의 상면보다 평평할 수 있다.
본 실시예에서, 표시 패널(10)의 무기절연층(IL)은 컴포넌트영역(CA)에 대응하는 홀 또는 그루브(groove)를 구비할 수 있다.
예컨대, 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113) 및 층간절연층(115)을 통칭하여 무기절연층(IL)이라고 하면, 무기절연층(IL)은 투과영역(TA)에 대응하는 제1홀(H1)을 가질 수 있다. 제1홀(H1)은 버퍼층(111) 또는 기판(100)의 상면의 일부를 노출시킬 수 있다. 제1홀(H1)은 컴포넌트영역(CA)에 대응되도록 형성된 제1게이트절연층(112)의 개구, 제2게이트절연층(113)의 개구 및 층간절연층(115)의 개구가 중첩된 것일 수 있다. 이러한 개구들은 별도의 공정을 통해서 각각 형성되거나 동일한 공정을 통해서 동시에 형성될 수 있다. 이러한 개구들이 별도의 공정으로 형성되는 경우, 제1홀(H1)의 내측면은 매끄럽지 않고 계단 형상과 같은 단차를 가질 수도 있다. 물론 이와 달리, 무기절연층(IL)은 버퍼층(111)을 노출하는 제1홀(H1)이 아닌 그루브(groove)를 가질 수도 있다. 무기절연층(IL)의 홀 또는 그루브 내부에는 제1유기절연층(116)이 채워질 수 있다.
본 실시예에서, 투명 연결배선(TWL)은 제1홀(H1) 내부에 구비될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)은 컴포넌트영역(CA)에서 버퍼층(111) 상에 배치될 수 있다. 이러한 투명 연결배선(TWL)은 제1유기절연층(116) 상에 배치된 금속 연결배선(TWL')과 콘택홀을 통해서 연결되며, 이러한 금속 연결배선(TWL')을 통해서 보조 화소회로(PCa)와 연결될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)의 타단은 연결전극(CM')과 콘택홀을 통해 연결되어, 투명 연결배선(TWL)은 연결전극(CM')에 의해서 제2화소전극(121')과 연결될 수 있다.
도 7에 있어서, 투명 연결배선(TWL)과 굴절률 차이가 적게 나는 제1유기절연층(116)이 기판(100)의 전면에 배치되는 것을 개시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 8에서와 같이, 제1유기절연층(116)은 무기절연층(IL)의 홀 또는 그루브 내부에 배치될 수 있다. 즉, 제1유기절연층(116)의 두께는 상기 무기절연층(IL)의 홀 또는 그루브의 깊이 보다 작게 구비될 수 있다.
제1유기절연층(116)이 고굴절률로 구비되는 경우, 기판(100)의 전면에 배치되는 경우, 기생 커패시터를 형성할 수 있다. 본 실시예에서는, 고굴절률의 제1유기절연층(116)을 광 회절 강도를 줄이고 자하는 컴포넌트영역(CA)에만 배치시켜, 기생 커패시터가 형성되는 것을 최소화할 수 있다.
도 8의 경우, 제2유기절연층(117)은 제2-1유기절연층(117a) 및 제2-2유기절연층(117b)로 구비되어, 제2-1유기절연층(117a) 와 제2-2유기절연층(117b) 사이에 연결전극(CM') 및 금속 연결배선(TWL') 등이 배치될 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다. 도 9 에 있어서, 도 7과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바, 이들의 중복 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, 표시 패널(10)의 컴포넌트영역(CA)에는 보조 표시요소로써 보조 유기발광다이오드(OLED')가 배치되며, 주변영역(DPA)에는 보조 박막트랜지스터(TFT')와 보조 스토리지 커패시터(Cst')를 포함하는 보조 화소회로(PCa)가 배치될 수 있다. 한편, 컴포넌트영역(CA)과 주변영역(DPA)에는 보조 화소회로(PCa)와 보조 유기발광다이오드(OLED')를 연결하는 투명 연결배선(TWL)이 배치될 수 있다.
컴포넌트영역(CA)는 기판(100)과 보조 유기발광다이오드(OLED') 사이에는 제1유기절연층(116) 및 제2유기절연층(117)이 적층되어 구비되며, 제1유기절연층(116)은 투명 연결배선(TWL)의 상부에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 제2유기절연층(117)은 투명 연결배선(TWL)의 하부에 배치될 수 있다. 제2유기절연층(117)은 무기절연층(IL)의 홀 또는 그루브를 채우며, 기판(100) 전면에 구비될 수 있다. 투명 연결배선(TWL)은 제2유기절연층(117)의 상면에 배치될 수 있다.
제2유기절연층(117)의 광 투과율은 제1유기절연층(116)의 광 투과율 보다 클 수 있다. 제2유기절연층(117)은 무기절연층(IL)의 홀 또는 그루브에 채워지는 바, 컴포넌트영역(CA)에서 제2유기절연층(117)의 단위 면적당 부피는 제1유기절연층(116)의 단위 면적당 부피보다 크게 구비될 수 있다. 이에 따라, 도 9와 같은 구조는 컴포넌트영역(CA)에서의 광 투과율의 향상에 기여할 수 있다. 또한, 제2유기절연층(117)의 굴절률은 제1유기절연층(116)의 굴절률보다 작게 구비될 수 있다. 이에 따라, 보조 화소회로(PCa)에 영향을 미칠 수 있는 기생 커패시턴스를 최소화할 수 있다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다. 도 10에 있어서, 도 7과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바, 이들의 중복 설명은 생략한다.
도 10을 참조하면, 표시 패널(10)의 컴포넌트영역(CA)에는 보조 표시요소로써 보조 유기발광다이오드(OLED')가 배치되며, 주변영역(DPA)에는 보조 박막트랜지스터(TFT')와 보조 스토리지 커패시터(Cst')를 포함하는 보조 화소회로(PCa)가 배치될 수 있다. 한편, 컴포넌트영역(CA)과 주변영역(DPA)에는 보조 화소회로(PCa)와 보조 유기발광다이오드(OLED')를 연결하는 투명 연결배선(TWL)이 배치될 수 있다.
컴포넌트영역(CA)는 기판(100)과 보조 유기발광다이오드(OLED') 사이에는 제1유기절연층(116) 및 제2유기절연층(117)이 적층되어 구비되며, 제1유기절연층(116)은 투명 연결배선(TWL)의 상부에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 박막봉지층(TFEL)은 제1중간 무기봉지층(131') 및/또는 제2중간 무기봉지층(133')을 더 포함할 수 있다. 제1중간 무기봉지층(131')은 제1무기봉지층(131)과 유기봉지층(132) 사이에 배치될 수 있다. 제2중간 무기봉지층(133')은 제2무기봉지층(133)과 유기봉지층(132) 사이에 배치될 수 있다.
제1중간 무기봉지층(131') 및 제2중간 무기봉지층(133')은 실리콘산질화물(SiOxNy)(x > 0, y > 0)로 구비될 수 있다. 제1중간 무기봉지층(131')의 굴절률은 제1무기봉지층(131)의 굴절률과 유기봉지층(132)의 굴절률의 사이 값을 가질 수 있다. 제2중간 무기봉지층(133')의 굴절률은 제2무기봉지층(133)의 굴절률과 유기봉지층(132)의 굴절률의 사이 값을 가질 수 있다.
제1중간 무기봉지층(131') 및 제2중간 무기봉지층(133')은 약 1.6 내지 1.7의 굴절률을 가질 수 있다. 제1중간 무기봉지층(131') 및 제2중간 무기봉지층(133')에 포함되는 실리콘산질화물(SiOxNy)(x > 0, y > 0)의 산소와 질소의 조성비를 변화시키는 것으로 굴절률의 값을 조절할 수 있다. 예컨대, 산소의 양이 증가하면 굴절률이 감소하고, 질소의 양이 증가하면 굴절률이 증가될 수 있다.
일부 실시예에서, 제1무기봉지층(131)은 약 1.7의 굴절률을 가지는 실리콘산질화물로 구비되며, 유기봉지층(132)는 약 1.5의 굴절률을 가질 수 있다. 이 경우, 제1중간 무기봉지층(131')은 약 1.62의 굴절률을 가지는 실리콘산질화물(SiOxNy)(x > 0, y > 0)로 구비될 수 있다.
일부 실시예에서, 제2무기봉지층(133)은 약 1.9의 굴절률을 가지는 실리콘질화물(SiNx)로 구비되며, 유기봉지층(132)는 약 1.5의 굴절률을 가질 수 있다. 이 경우, 제2중간 무기봉지층(133')은 약 1.68의 굴절률을 가지는 실리콘산질화물(SiOxNy)(x > 0, y > 0)로 구비될 수 있다.
박막봉지층(TEFL)을 구성하는 적층된 층들간에 굴절률의 차이가 많이 날 수록 계면에서 광 반사가 발생하여, 광 투과율이 저하될 수 있다. 본 실시예에서는, 제1중간 무기봉지층(131') 및/또는 제2중간 무기봉지층(133')을 도입하여, 계면에서의 광 반사를 최소화할 수 있다. 도면에서는 제1중간 무기봉지층(131') 및 제2중간 무기봉지층(133')를 모두 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제1중간 무기봉지층(131') 및 제2중간 무기봉지층(133') 중 어느 하나는 생략될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다. 도 11에 있어서, 도 7과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바, 이들의 중복 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 표시 패널(10)의 컴포넌트영역(CA)에는 보조 표시요소로써 보조 유기발광다이오드(OLED')가 배치되며, 주변영역(DPA)에는 보조 박막트랜지스터(TFT')와 보조 스토리지 커패시터(Cst')를 포함하는 보조 화소회로(PCa)가 배치될 수 있다. 한편, 컴포넌트영역(CA)과 주변영역(DPA)에는 보조 화소회로(PCa)와 보조 유기발광다이오드(OLED')를 연결하는 투명 연결배선(TWL)이 배치될 수 있다.
컴포넌트영역(CA)는 기판(100)과 보조 유기발광다이오드(OLED') 사이에는 제1유기절연층(116) 및 제2유기절연층(117)이 적층되어 구비되며, 제1유기절연층(116)은 투명 연결배선(TWL)의 상부에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 기판(100)과 버퍼층(111) 사이에는 보상층(111')이 배치될 수 있다. 보상층(111')은 버퍼층(111)의 굴절률 보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. 보상층(111')은 실리콘산질화물(SiOxNy)(x>0, y>0)로 구비될 수 있다. 보상층(111')의 굴절률은 1.5 에서 1.8 사이로 조절될 수 있다.
기판(100)은 제1유기층/제1무기층/제2유기층/제2무기층이 적층되어 구비될 수 있으며, 가장 상부에 배치된 제2무기층은 실리콘산화물(SiOx)로 구비될 수 있다. 한편, 버퍼층(111)은 실리콘질화물(SiNx)로 구비될 수 있다. 실리콘산화물(SiOx)와 실리콘질화물(SiNx)의 굴절률의 차이가 크기에 계면에서 광 반사에 의한 광 손실이 발생할 수 있다.
본 실시예에서는, 기판(100)과 버퍼층(111) 사이에 보상층(111')을 도입하여, 광 반사율을 줄일 수 있다. 이에 따라, 컴포넌트영역(CA)에서의 광 투과율을 최대화할 수 있다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 개략적인 단면도이다. 도 12에 있어서, 도 7과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바, 이들의 중복 설명은 생략한다.
도 12를 참조하면, 표시 패널(10)의 컴포넌트영역(CA)에는 보조 표시요소로써 보조 유기발광다이오드(OLED')가 배치되며, 주변영역(DPA)에는 보조 박막트랜지스터(TFT')와 보조 스토리지 커패시터(Cst')를 포함하는 보조 화소회로(PCa)가 배치될 수 있다. 한편, 컴포넌트영역(CA)과 주변영역(DPA)에는 보조 화소회로(PCa)와 보조 유기발광다이오드(OLED')를 연결하는 투명 연결배선(TWL)이 배치될 수 있다.
컴포넌트영역(CA)는 기판(100)과 보조 유기발광다이오드(OLED') 사이에는 제1유기절연층(116) 및 제2유기절연층(117)이 적층되어 구비되며, 제1유기절연층(116)은 투명 연결배선(TWL)의 상부에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 기판(100)의 하부에는 반사 방지 필름(AR)이 배치될 수 있다. 반사 방지 필름(AR)은 점착층에 의해서 기판(100)의 하부에 부착될 수 있다.
반사 방지 필름(AR)은 광투과성 기재 및 하드 코팅층, 저굴절률층을 포함할 수 있다. 저굴절률층은 550nm 파장 영역에서 1.2 내지 1.4의 굴절률을 가질 수 있다. 반사 방지 필름(AR)이 구비됨에 따라, 기판(100)의 하부 계면에서 발생할 수 있는 광 반사를 최소화하여, 컴포넌트영역(CA)에서의 광 투과율을 향상시킬 수 있다.
한편, 전술한 실시예들에 있어서, 제1유기절연층(116)은 제2유기절연층(117)과 다른 물질로 구비되는 경우를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 제1유기절연층(116)은 제2유기절연층(117)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1유기절연층(116)과 제2유기절연층(117)은 실록산계 수지를 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
MDA: 메인표시영역
CA: 컴포넌트영역
DPA: 주변영역
TWL: 투명 연결배선
TWL': 금속 연결배선
PCm: 메인 화소회로
PCa: 보조 화소회로
Pm : 메인 부화소
Pa: 보조 부화소

Claims (22)

  1. 메인표시영역, 컴포넌트영역, 및 주변영역을 포함하는 표시 패널에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에서 상기 컴포넌트영역에 배치된 보조 표시요소;
    상기 기판 상에서 상기 주변영역에 배치되며, 보조 박막트랜지스터 및 보조 스토리지 커패시터를 포함하는 보조 화소회로;
    상기 보조 표시요소와 상기 보조 화소회로를 각각 연결하는 투명 연결배선; 및
    상기 컴포넌트영역에서 상기 기판과 상기 보조 표시요소 사이에서 적층된 제1유기절연층 및 제2유기절연층;을 포함하며,
    상기 제1유기절연층은 상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소 사이에 배치되며, 상기 제1유기절연층의 굴절률은 상기 투명 연결배선의 굴절률과 상기 제2유기절연층의 굴절률의 사이 값을 가지는, 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명 연결배선의 굴절률과 상기 제1유기절연층의 굴절률의 차이는 0.45 이하인, 표시 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1유기절연층의 굴절률은 상기 제2유기절연층의 굴절률 보다 큰, 표시 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1유기절연층은 감광성 폴리이미드로 구비되고, 상기 제2유기절연층은 실록산계 수지로 구비되는, 표시 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소를 연결하는 금속 연결배선;을 더 포함하며,
    상기 금속 연결배선은 상기 투명 연결배선과 동일한 층에 배치되며, 상기 투명 연결배선의 끝단은 상기 금속 연결배선의 끝단을 덮는, 표시 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소를 연결하는 금속 연결배선;을 더 포함하며,
    상기 금속 연결배선은 상기 스토리지 커패시터의 상부 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 투명 연결배선은 콘택홀을 통해 상기 금속 연결배선과 접속된, 표시 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소를 연결하는 금속 연결배선;을 더 포함하며,
    상기 금속 연결배선은 상기 보조 박막트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 투명 연결배선은 콘택홀을 통해 상기 금속 연결배선과 접속된, 표시 패널.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치된 무기절연층;을 더 포함하며,
    상기 무기절연층은 상기 컴포넌트영역에 대응하는 홀 또는 그루브를 포함하는, 표시 패널.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 투명 연결배선은 상기 무기절연층의 홀 또는 그루브 내부에 배치되며,
    상기 제1유기절연층은 상기 무기절연층의 홀 또는 그루브를 채우며, 상기 기판 전면에 배치된, 표시 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소를 연결하는 금속 연결배선;을 더 포함하며,
    상기 금속 연결배선은 상기 제1유기절연층 상에 배치되며, 상기 투명 연결배선은 콘택홀을 통해 상기 금속 연결배선과 접속된, 표시 패널.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1유기절연층은 상기 무기절연층의 홀 또는 그루브 내부에 배치되며, 상기 제1유기절연층의 두께는 상기 무기절연층의 홀 또는 그루브의 깊이보다 작은, 표시 패널.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 제2유기절연층은 상기 무기절연층의 홀 또는 그루브를 채우며,
    상기 투명 연결배선은 상기 제2유기절연층 상에 배치된, 표시 패널.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 보조 표시요소 상부에 배치되며, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층이 적층된 박막봉지층;을 더 포함하는, 표시 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1무기봉지층과 유기봉지층 사이에 배치된 제1추가 무기봉지층;을 더 포함하며, 상기 제1추가 무기봉지층의 굴절률은 상기 제1무기봉지층의 굴절률과 상기 유기봉지층의 굴절률 사이의 값을 가지는, 표시 패널.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 보조 박막트랜지스터 사이에 배치된 버퍼층; 및
    상기 기판과 상기 버퍼층 사이에 배치된 보상층;을 더 포함하며,
    상기 버퍼층은 실리콘질화물로 구비되고, 상기 보상층은 실리콘산질화물로 구비된, 표시 패널.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 하면에 배치된 반사 방지 필름;을 더 포함하는, 표시 패널.
  17. 표시 장치에 있어서,
    메인 부화소들을 구비한 메인표시영역, 보조 부화소들을 구비한 컴포넌트영역, 및 주변영역을 포함하는 표시 패널; 및
    상기 표시 패널의 하부에서 상기 컴포넌트영역에 대응하도록 배치된 컴포넌트; 를 포함하며, 상기 표시 패널은,
    기판;
    상기 기판 상에서 상기 컴포넌트영역에 배치된 보조 표시요소;
    상기 기판 상에서 상기 주변영역에 배치되며, 보조 박막트랜지스터 및 보조 스토리지 커패시터를 포함하는 보조 화소회로;
    상기 보조 표시요소와 상기 보조 화소회로를 각각 연결하는 투명 연결배선; 및
    상기 컴포넌트영역에서 상기 기판과 상기 보조 표시요소 사이에서 적층된 제1유기절연층 및 제2유기절연층;을 포함하며,
    상기 제1유기절연층은 상기 투명 연결배선과 상기 보조 표시요소 사이에 배치되며, 상기 제1유기절연층의 굴절률은 상기 투명 연결배선의 굴절률과 상기 제2유기절연층의 굴절률의 사이 값을 가지는, 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 투명 연결배선의 굴절률과 상기 제1유기절연층의 굴절률의 차이는 0.45 이하인, 표시 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1유기절연층의 굴절률은 상기 제2유기절연층의 굴절률 보다 큰, 표시 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 제1유기절연층은 감광성 폴리이미드로 구비되고, 상기 제2유기절연층은 실록산계 수지로 구비되는, 표시 장치.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치된 무기절연층;을 더 포함하며,
    상기 무기절연층은 상기 컴포넌트영역에 대응하는 홀 또는 그루브를 포함하는, 표시 장치.
  22. 제17항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 촬상소자인, 표시 장치.
KR1020200106430A 2020-08-24 2020-08-24 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 KR20220026002A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200106430A KR20220026002A (ko) 2020-08-24 2020-08-24 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
US17/444,160 US11800751B2 (en) 2020-08-24 2021-07-30 Display panel and display apparatus including the same
CN202110971932.0A CN114093915A (zh) 2020-08-24 2021-08-24 显示面板和显示设备
US18/492,752 US20240057386A1 (en) 2020-08-24 2023-10-23 Display panel and display apparatus including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200106430A KR20220026002A (ko) 2020-08-24 2020-08-24 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220026002A true KR20220026002A (ko) 2022-03-04

Family

ID=80269808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200106430A KR20220026002A (ko) 2020-08-24 2020-08-24 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11800751B2 (ko)
KR (1) KR20220026002A (ko)
CN (1) CN114093915A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220026002A (ko) * 2020-08-24 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
CN112635530B (zh) * 2020-12-21 2022-09-16 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
KR20230019313A (ko) * 2021-07-29 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102465376B1 (ko) 2017-06-16 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20200037029A (ko) 2018-09-28 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20200090299A (ko) * 2019-01-18 2020-07-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR20200097371A (ko) * 2019-02-07 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113540195B (zh) 2019-04-26 2022-05-17 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20210082316A (ko) * 2019-12-24 2021-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
CN111028692A (zh) 2019-12-26 2020-04-17 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111063719B (zh) 2019-12-30 2022-08-12 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111180494B (zh) 2020-01-03 2023-05-26 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20220019160A (ko) * 2020-08-06 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20220021081A (ko) * 2020-08-12 2022-02-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20220026002A (ko) * 2020-08-24 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN114093915A (zh) 2022-02-25
US11800751B2 (en) 2023-10-24
US20220059633A1 (en) 2022-02-24
US20240057386A1 (en) 2024-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210083019A1 (en) Display apparatus
US11800751B2 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR102448029B1 (ko) 표시 장치
US11974481B2 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR20220019160A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20220031796A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20220063793A (ko) 표시패널 및 이를 구비하는 표시장치
KR20220115709A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20210102559A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US20220271256A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
US20220399429A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
US20220208866A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
CN115701247A (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示装置
KR20220063863A (ko) 디스플레이 장치
KR20220124320A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20220061338A (ko) 디스플레이 장치 및 전자기기
CN218483164U (zh) 显示面板和显示设备
US12101971B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20220102470A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
US20220392983A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20230016766A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20230074370A (ko) 표시 장치
KR20220092732A (ko) 디스플레이 장치
KR20230037107A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20230023869A (ko) 디스플레이 장치