CN218353026U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括第一区域、第二区域和第三区域；第一像素电路和第一显示元件，在第一区域中，第一显示元件连接到第一像素电路；第二显示元件，在第二区域中；第二像素电路，在第三区域中；连接布线，在基底与第二显示元件之间并将第二显示元件连接到第二像素电路；第一导电层，在第一区域中；以及第一保护层，在第一导电层上。在布置有组件的区域中未布置像素电路，因此可以确保大的透射区域，从而提高透射率。此外，显示装置包括用于保护布置在第一区域中的导电层的保护层，从而减少导电层的损坏。

Description

显示装置

本申请要求于2021年9月7日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0118960号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例的各方面涉及一种显示装置和包括该显示装置的电子装置。

背景技术

显示装置是用于可视地显示数据的装置。最近，显示装置的使用已经多样化。此外，随着显示装置的厚度和重量减小，显示装置的使用的范围扩大。

作为扩大由显示区域所占据的区域并同时添加各种功能的方法，正在不断研究其中在显示区域中添加除了图像显示之外的功能的显示装置。

在该背景技术部分中公开的上面的信息仅用于增强对背景技术的理解，因此在该背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供显示装置和包括该显示装置的电子装置，例如，涉及其中扩大显示区域从而即使在布置有作为电子元件的组件的区域中也显示图像的显示装置以及包括该显示装置的电子装置。

一个或更多个实施例的各方面包括显示装置及其制造方法，在显示装置中，即使在布置有电子组件的区域中图像显示也是可能的，并且防止或减少电子组件的性能的劣化。然而，这样的特性仅是说明性的，并且根据本公开的实施例的范围不由此限制。

另外的方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过公开的所呈现的实施例的实践而获知。

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域和第二区域是显示区域；第一像素电路和第一显示元件，在第一区域中，第一显示元件连接到第一像素电路；第二显示元件，在第二区域中；第二像素电路，在第三区域中；连接布线，在基底与第二显示元件之间并将第二显示元件连接到第二像素电路；第一导电层，在第一区域中；以及第一保护层，在第一导电层上。

根据一些实施例，显示装置还可以包括：第二导电层，在第一区域中并且与第一导电层在同一层；有机绝缘层，覆盖第一导电层和第二导电层；以及第三导电层，在有机绝缘层上并且通过限定在有机绝缘层中的第一接触孔连接到第一保护层。

根据一些实施例，第一接触孔可以与第一保护层叠置。

根据一些实施例，显示装置还可以包括第二保护层，所述第二保护层在第二导电层上。

根据一些实施例，第一保护层的下表面的面积可以与第一导电层的上表面的面积相同。

根据一些实施例，第一保护层可以覆盖第一导电层的侧表面。

根据一些实施例，显示装置还可以包括：有机绝缘层，在连接布线上面；以及相位补偿层，在连接布线下面，其中，相位补偿层的折射率可以小于有机绝缘层的折射率。

根据一些实施例，相位补偿层的厚度可以大于连接布线的厚度。

根据一些实施例，第一保护层的上表面的面积可以小于第一导电层的下表面的面积并且大于第一接触孔的下表面的面积。

根据一些实施例，第一保护层的厚度可以小于第一导电层的厚度。

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括第一显示区域、第二显示区域和外围区域；第一像素电路和第一显示元件，布置在第一显示区域中，第一显示元件连接到第一像素电路；第二显示元件，布置在第二显示区域中；第二像素电路，布置在外围区域中；连接布线，布置在基底与第二显示元件之间并将第二显示元件连接到第二像素电路；第一导电层，布置在第一显示区域中；以及第一保护层，包括与连接布线的材料相同的材料并布置在第一导电层上。

根据一些实施例，显示装置还可以包括：第二导电层，布置在第一显示区域中并与第一导电层布置在同一层；有机绝缘层，覆盖第一导电层和第二导电层；以及第三导电层，布置在有机绝缘层上并且通过限定在有机绝缘层中的第一接触孔连接到第一保护层。

根据一些实施例，第一接触孔可以与第一保护层叠置。

根据一些实施例，显示装置还可以包括第二保护层，第二保护层包括与连接布线的材料相同的材料并且布置在第二导电层上。

根据一些实施例，第一保护层的下表面的面积可以与第一导电层的上表面的面积相同。

根据一些实施例，第一保护层可以覆盖第一导电层的侧表面。

根据一些实施例，显示装置还可以包括：有机绝缘层，布置在连接布线上面；以及相位补偿层，布置在连接布线下面，其中，相位补偿层的折射率可以小于有机绝缘层的折射率。

根据一些实施例，相位补偿层可以以连接布线的形状被图案化。

根据一些实施例，相位补偿层的厚度可以大于连接布线的厚度。

根据一些实施例，显示装置还可以包括图案化无机层，图案化无机层布置在第一导电层下面，其中，图案化无机层包括与相位补偿层的材料相同的材料。

根据一些实施例，第一保护层的上表面的面积可以小于第一导电层的下表面的面积并且大于第一接触孔的下表面的面积。

根据一些实施例，第一保护层可以以第一导电层的形状被图案化。

根据一些实施例，显示装置还可以包括：第二导电层，布置在第一显示区域中并且与第一导电层布置在同一层；以及第二保护层，布置在第二导电层上，其中，第二保护层可以以第二导电层的形状被图案化。

根据一些实施例，第一保护层的厚度可以小于第一导电层的厚度。

根据一些实施例，电子装置包括显示装置和组件，显示装置包括第一显示区域、第二显示区域和外围区域，组件布置在显示装置下面且对应于第二显示区域，其中，显示装置包括：基底；第一像素电路和第一显示元件，布置在第一显示区域中，第一显示元件连接到第一像素电路；第二显示元件，布置在第二显示区域中；第二像素电路，布置在外围区域中；连接布线，布置在基底与第二显示元件之间并将第二显示元件连接到第二像素电路；第一导电层，布置在第一显示区域中；以及第一保护层，包括与连接布线的材料相同的材料并且布置在第一导电层上。

根据一些实施例，电子装置还可以包括：第二导电层，布置在第一显示区域中并且与第一导电层布置在同一层；有机绝缘层，覆盖第一导电层和第二导电层；以及第三导电层，布置在有机绝缘层上并且通过限定在有机绝缘层中的第一接触孔连接到第一保护层。

根据一些实施例，第一接触孔可以与第一保护层叠置。

根据一些实施例，电子装置还可以包括第二保护层，第二保护层包括与连接布线的材料相同的材料并且布置在第二导电层上。

根据一些实施例，第一保护层的下表面的面积可以与第一导电层的上表面的面积相同。

根据一些实施例，电子装置还可以包括：有机绝缘层，布置在连接布线上面；以及相位补偿层，布置在连接布线下面，其中，相位补偿层的折射率可以小于有机绝缘层的折射率。

在根据实施例的显示装置和电子装置中，由于在布置有组件的区域中未布置像素电路，因此可以确保大的透射区域，从而提高透射率。此外，显示装置和电子装置可以包括用于保护布置在第一区域中的导电层的保护层，从而减少导电层的损坏。

附图说明

通过以下结合附图的描述，公开的某些实施例的上面和其它方面、特征和特性将更加明显，在附图中：

图1是根据一些实施例的电子装置的示意性透视图；

图2是根据一些实施例的电子装置的一部分的示意性剖视图；

图3A和图3B是根据一些实施例的显示装置的一部分的示意性平面图；

图4是示出根据一些实施例的显示装置的部分区域的布置的示意性平面图；

图5是图4的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图6是图4的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图7是根据一些实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图8是根据一些实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图9A和图9B是示出根据一些实施例的布置在第一显示区域中的第一导电层、第二导电层、第一保护层和第二保护层的布置关系的平面图；并且

图10A至图10E是示出根据一些实施例的制造显示装置的工艺的示意性剖视图。

具体实施方式

现在将更详细地参照在附图中示出的一些实施例的各方面，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于在此阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本描述的各方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表达“a、b和c中的至少一个(种/者)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和b中的全部或其变型。

各种修改可以应用于本实施例，并且具体实施例将在附图中示出并在详细描述部分中描述。参照下面结合附图的详细描述，本实施例的效果和特征以及实现其的方法将更清楚。然而，本实施例可以以各种形式实现，而不限于下面呈现的实施例。

在下文中，将参照附图更详细地描述一些实施例的各方面，并且在参照附图的描述中，相同或对应的组成由相同的附图标记指示，并且省略其冗余描述。

将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语的限制。这些组件仅用于将一个组件与另一组件区分开。

如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也旨在包括复数形式。

还将理解的是，在此所使用的术语“包含”和/或其变型说明存在所陈述特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区域或组件。

为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。例如，因为为了便于解释而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。

当可以不同地实现某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。

在说明书中，诸如“A和/或B”的表达可以包括A、B或A和B。此外，诸如“A和B中的至少一个(种/者)”的表达可以包括A、B或A和B。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接连接到所述另一层、区域或组件，或者经由居间层、区域或组件间接地连接到所述另一层、区域或组件。例如，在说明书中，当层、区域或组件被称为电连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接电连接到所述另一层、区域或组件，或者经由居间层、区域或组件间接地电连接到所述另一层、区域或组件。

在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的含义上进行理解。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。

图1是根据一些实施例的电子装置1的示意性透视图。

参照图1，电子装置1可以包括显示区域DA和布置在显示区域DA的外部(例如，显示区域DA的占用面积外部)的外围区域PA。显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和与第一显示区域DA1相邻的第二显示区域DA2。电子装置1可以通过在显示区域DA中以二维(例如，以矩阵排列)布置的多个像素PX的阵列来显示图像(或多个图像)。例如，可以使用从布置在第一显示区域DA1中的多个第一像素PX1发射的光来提供或显示第一图像，并且可以使用从布置在第二显示区域DA2中的多个第二像素PX2发射的光来提供第二图像。根据一些实施例，第一图像和第二图像可以是通过电子装置1的显示区域DA提供的任何一个图像的部分。可选择地，在一些实施例中，第一图像和第二图像可以被提供为彼此独立的图像。也就是说，根据一些实施例，分别在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的像素PX1和PX2可以协同工作以显示图像的部分，其中在第一显示区域DA1中显示的部分和在第二显示区域DA2中显示的部分共同形成单个图像或完整图像。此外，分别在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的像素PX1和PX2可以独立于其它显示区域中的像素操作，使得在不同的显示区域中显示不同的或有区别的(即，独立的)图像。

作为示例，图1示出了一个第二显示区域DA2位于第一显示区域DA1中。根据一些实施例，电子装置1可以具有两个或更多个第二显示区域DA2，并且多个第二显示区域DA2的形状和尺寸可以彼此不同。当从相对于电子装置1的上表面(例如，或主显示表面)大致垂直(或正交)的方向观看时，第二显示区域DA2的形状可以包括各种形状，诸如圆形形状、椭圆形形状、诸如矩形等的多边形形状、星形形状、菱形形状等。根据一些实施例，第二显示区域DA2与显示区域DA的比率可以小于第一显示区域DA1与显示区域DA的比率。

尽管图1示出了当从大致垂直于电子装置1的上表面的方向观看时(例如，当在平面图中观看时)，第二显示区域DA2布置在具有大致矩形形状的第一显示区域DA1的上侧(+y方向)的中心处，但是第二显示区域DA2可以布置在例如矩形的第一显示区域DA1的右上侧或左上侧处。此外，作为示例，第二显示区域DA2可以布置在如图1中所示出的第一显示区域DA1内部，并且可以被第一显示区域DA1完全地围绕。在另一示例中，第二显示区域DA2可以布置在第一显示区域DA1的一侧处并且被第一显示区域DA1部分地围绕。例如，第二显示区域DA2位于第一显示区域DA1的一个角部中并被第一显示区域DA1围绕。

电子组件40(见图2)可以布置在第二显示区域DA2中。电子组件40可以与第二显示区域DA2对应地布置在显示装置10(见图2)下面。

电子组件40可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以是用于测量距离的传感器(诸如接近传感器)、用于识别用户的身体的一部分(例如指纹、虹膜、面部等)的传感器、输出光的小灯、用于捕获图像的图像传感器(例如，相机)等。使用光的电子元件可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光、紫外光等。使用声音的电子元件可以使用超声或另一频带的声音。

为了允许电子组件40相对顺利地起作用，第二显示区域DA2可以包括透射区域TA，该透射区域TA使将透射通过透射区域TA的光或/和声音(或无线频谱中的其它信号)等能够从电子组件40输出到外部或从外部朝向电子组件40前进。作为透射光的区域的透射区域TA可以是未布置像素PX的区域。在根据一些实施例的电子装置1中，当光透射通过包括透射区域TA的第二显示区域DA2时，透光率可以为约10％或更大，具体地，25％或更大、40％或更大、50％或更大、85％或更大、或90％或更大。

由于第二显示区域DA2包括透射区域TA，因此布置在第一显示区域DA1中的第一像素PX1的阵列和布置在第二显示区域DA2中的第二像素PX2的阵列可以彼此不同。例如，透射区域TA可以布置在第二像素PX2中的彼此邻近的第二像素PX2之间。

在这种情况下，由于第二显示区域DA2中的第二像素PX2的数量或密度相对于第一显示区域DA1中的第一像素PX1的数量或密度相对较低，因此第二显示区域DA2可以具有比第一显示区域DA1的分辨率小的分辨率。换句话说，由于第二显示区域DA2包括透射区域TA，因此在第二显示区域DA2中每相同面积将布置的第二像素PX2的数量可以小于在第一显示区域DA1中每相同面积将布置的第一像素PX1的数量。例如，第二显示区域DA2的分辨率可以是第一显示区域DA1的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/16等。例如，第一显示区域DA1的分辨率可以是约400ppi或更大，并且第二显示区域DA2的分辨率可以是约200ppi或约100ppi。

作为不显示图像的非显示区域的外围区域PA可以完全地或部分地围绕显示区域DA。例如，外围区域PA可以完全地或部分地围绕第一显示区域DA1和/或第二显示区域DA2。用于向显示区域DA提供电信号或电力的驱动器等可以布置在外围区域PA中。作为电子器件、印刷电路板等电连接到其的区域的垫(“pad”，又被称为“焊盘”或“焊垫”)可以布置在外围区域PA中。在本说明书中，外围区域PA可以是第三区域。另外，第一显示区域DA1可以是第一区域，并且第二显示区域DA2可以是第二区域。

在以下描述中，为了便于解释，描述了其中电子装置1用作智能电话的情况，但是根据一些实施例的电子装置1不限于此。电子装置1不仅可以应用于诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、超移动PC(UMPC)等的便携式电子装置，而且可以应用于诸如电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IOT)装置等的各种产品。此外，根据一些实施例的电子装置1可以应用于诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置。此外，根据一些实施例的电子装置1可以应用于车辆的仪表面板、布置在车辆的中央仪表盘或仪表板上的中央信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器、布置在前座的后表面上作为对于车辆的后座的娱乐的显示屏。

此外，在以下描述中，尽管电子装置1被描述为包括有机发光二极管OLED(见图5)作为显示元件，但是根据一些实施例的电子装置1不限于此。根据一些实施例，电子装置1可以是包括无机发光二极管的发光显示装置(即，无机发光显示装置)。根据一些实施例，电子装置1可以是量子点发光显示装置。

图2是根据一些实施例的电子装置1的一部分的示意性剖视图。

参照图2，电子装置1可以包括显示装置10和布置为与显示装置10叠置的电子组件40。用于保护显示装置10的盖窗可以进一步布置在显示装置10上面。

显示装置10可以包括用于显示第一图像的第一显示区域DA1和用于显示第二图像且与电子组件40叠置的第二显示区域DA2。显示装置10可以包括基底100、基底100上的显示层DISL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL和布置在基底100下面的面板保护构件PB。

显示层DISL可以包括包含像素电路PC的像素电路层PCL、包括显示元件LE的显示元件层和封装构件ENCM。作为示例，封装构件ENCM可以是薄膜封装层TFEL或封装基底。绝缘层IL和IL'可以分别布置在显示层DISL中和在基底100与显示层DISL之间。

基底100可以包括绝缘材料，诸如玻璃、石英、聚合物树脂等。基底100可以是刚性基底或能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。

多个第一像素电路PC1和电连接到第一像素电路PC1的多个第一显示元件LE1可以布置在显示装置10的第一显示区域DA1中。第一像素电路PC1可以包括至少一个薄膜晶体管TFT并控制第一显示元件LE1的发光。第一显示元件LE1可以通过发射区域发射光，并且发射区域可以被限定为第一像素PX1。换句话说，可以通过第一显示元件LE1的发光来实现第一像素PX1。

多个第二显示元件LE2可以布置在显示装置10的第二显示区域DA2中。根据一些实施例，用于控制第二显示元件LE2的发光的第二像素电路PC2可以不布置在第二显示区域DA2中，而是布置在外围区域PA中。根据一些实施例，第二像素电路PC2可以位于各种位置中，例如，在第一显示区域DA1的一部分中、在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间等。

第二像素电路PC2可以包括至少一个薄膜晶体管TFT'，并且可以通过连接布线CWL电连接到第二显示元件LE2。作为示例，连接布线CWL可以包括透明导电材料。第二像素电路PC2可以控制第二显示元件LE2的发光。第二显示元件LE2可以通过发射区域发射光，并且发射区域可以被限定为第二像素PX2。换句话说，可以通过第二显示元件LE2的发光来实现第二像素PX2。

此外，在第二显示区域DA2中，未布置第二显示元件LE2的区域可以包括透射区域TA。透射区域TA可以是透射从对应于第二显示区域DA2布置的电子组件40发射的光/信号或入射在电子组件40上的光/信号的区域。

将第二像素电路PC2电连接到第二显示元件LE2的连接布线CWL可以布置在透射区域TA中。连接布线CWL可以包括具有高透光率的透明导电材料，因此，即使当连接布线CWL布置在透射区域TA中时，也可以防止或减少透射区域TA的透光率的劣化。

此外，根据一些实施例，由于第二像素电路PC2未布置在第二显示区域DA2中，因此可以充分获得透射区域TA的面积，使得可以增加第二显示区域DA2的透光率。

显示元件LE可以用薄膜封装层TFEL或封装基底覆盖。在一些实施例中，如图2中所示出，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据一些实施例，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及在第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。

当显示元件LE被封装基底封装时，封装基底可以布置为面对基底100且显示元件LE在封装基底与基底100之间。间隙可以存在于封装基底与显示元件层LEL(见图5)之间。封装基底可以包括玻璃。由玻璃料等形成的密封剂可以布置在基底100与封装基底之间，并且密封剂可以布置在上述外围区域PA中。布置在外围区域PA中的密封剂可以围绕显示区域DA且防止或减少湿气渗透通过侧表面。

触摸屏层TSL可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸布线。触摸屏层TSL可以通过自电容方法或互电容方法感测外部输入。

触摸屏层TSL可以形成在薄膜封装层TFEL上。可选择地，触摸屏层TSL可以单独形成在触摸基底上，然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合层结合到薄膜封装层TFEL。根据一些实施例，触摸屏层TSL可以直接形成在薄膜封装层TFEL上。在这种情况下，可以不在触摸屏层TSL与薄膜封装层TFEL之间设置粘合层。

光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部入射在电子装置1上的光(外部光)的反射率。

在一些实施例中，光学功能层OFL可以包括偏振膜。在一些实施例中，光学功能层OFL可以设置为包括黑矩阵和滤色器的滤光器片。

面板保护构件PB可以附着到基底100的下表面以支撑和保护基底100。面板保护构件PB可以包括与第二显示区域DA2对应的开口PB_OP。由于面板保护构件PB包括开口PB_OP，因此可以提高第二显示区域DA2的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。

第二显示区域DA2的面积可以大于其中布置有电子组件40的区域的面积。因此，面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可以与第二显示区域DA2的面积不匹配。

电子组件40可以布置在第二显示区域DA2中。在这种情况下，电子组件40可以具有不同的功能。例如，电子组件40可以包括相机(摄像装置)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两种。

根据一些实施例，底部金属层BML可以布置在第二显示区域DA2中。底部金属层BML可以在基底100与第二显示元件LE2之间布置为与第二显示元件LE2叠置。底部金属层BML可以包括遮光材料，并且防止或减少外部光到达第二显示元件LE2的情况。

根据一些实施例，底部金属层BML可以与整个第二显示区域DA2对应地形成，并且可以包括与透射区域TA对应的孔。在这种情况下，孔可以具有各种形状(诸如多边形形状、圆形形状、无定形形状等)，以调节外部光的衍射性质。

图3A和图3B是根据一些实施例的显示装置10的一部分的示意性平面图。

参照图3A，形成显示装置10的各种组成元件可以布置在基底100上。显示装置10可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。显示区域DA可以包括显示第一图像的第一显示区域DA1和包括透射区域TA并且显示第二图像的第二显示区域DA2。第二图像可以与第一图像形成一个整体图像，或者第二图像可以是独立于第一图像的图像。

第一显示元件LE1(例如，有机发光二极管OLED)可以布置在第一显示区域DA1中。第一显示元件LE1可以通过第一像素PX1(见图1)发射特定颜色的光。换句话说，第一像素PX1可以通过第一显示元件LE1实现，并且第一像素PX1可以是子像素。第一显示元件LE1可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。用来驱动第一显示元件LE1的第一像素电路PC1可以布置在第一显示区域DA1中，并且可以电连接到第一显示元件LE1。作为示例，第一像素电路PC1可以布置为与第一显示元件LE1叠置。

如图3A中所示出，第二显示区域DA2可以位于整个显示区域DA的一侧处，并且被第一显示区域DA1部分地围绕。第二显示元件LE2(例如，有机发光二极管OLED)可以布置在第二显示区域DA2中。第二显示元件LE2可以通过第二像素PX2(见图1)发射特定颜色的光。换句话说，第二像素PX2可以通过第二显示元件LE2实现，并且第二像素PX2可以是子像素。第二显示元件LE2可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。

用于驱动第二显示元件LE2的第二像素电路PC2可以布置在外围区域PA中并电连接到第二显示元件LE2。作为示例，第二像素电路PC2可以布置在与第二显示区域DA2相邻的外围区域PA中。换句话说，第二像素电路PC2可以与第二显示区域DA2的外侧相邻地布置。如图3A中所示出，当第二显示区域DA2布置在整个显示区域DA的上侧处时，第二像素电路PC2可以布置在外围区域PA的上侧处。第二像素电路PC2和第二显示元件LE2可以电连接到例如在y方向上延伸的连接布线CWL。连接布线CWL可以例如在与数据线DL沿其延伸的方向相同的方向上延伸。

第二显示区域DA2可以包括透射区域TA。透射区域TA可以布置为围绕第二显示元件LE2。可选择地，透射区域TA可以以具有第二显示元件LE2的光栅的形式布置。

第一像素电路PC1和第二像素电路PC2中的每个可以电连接到布置在外围区域PA中的外部电路。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、垫部分PAD、驱动电压供应线11和共电压供应线13可以布置在外围区域PA中。

第一扫描驱动电路SDRV1可以经由扫描线SL将扫描信号施加到驱动第一显示元件LE1的第一像素电路PC1中的每个。第一扫描驱动电路SDRV1可以经由发射控制线EL将发射控制信号施加到第一像素电路PC1中的每个。第二扫描驱动电路SDRV2可以相对于第一显示区域DA1位于第一扫描驱动电路SDRV1的相对侧处，并且可以布置为大致平行于第一扫描驱动电路SDRV1。第一显示区域DA1中的第一像素电路PC1中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，并且其它第一像素电路PC1可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。

在一些实施例中，驱动第二显示元件LE2的第二像素电路PC2中的每个也可以经由从扫描线SL和/或发射控制线EL延伸的单独布线从第一扫描驱动电路SDRV1和/或第二扫描驱动电路SDRV2接收扫描信号和发射控制信号。

垫部分PAD可以布置在基底100的一侧处。垫部分PAD被暴露而未被绝缘层覆盖并且连接到显示电路板30。显示驱动单元32可以布置在显示电路板30上。

显示驱动单元32可以产生传送到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动单元32可以产生数据信号，并且数据信号可以经由扇出布线FW和连接到扇出布线FW的数据线DL传送到第一像素电路PC1。此外，根据一些实施例，数据信号可以经由数据线DL或从数据线DL延伸的单独布线传送到第二像素电路PC2。

显示驱动单元32可以将驱动电压供应到驱动电压供应线11，并且将共电压供应到共电压供应线13。驱动电压可以经由连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到第一像素电路PC1，并且根据一些实施例，驱动电压可以经由驱动电压供应线11或从驱动电压供应线11延伸的单独布线施加到第二像素电路PC2。共电压可以经由共电压供应线13施加到第一显示元件LE1和第二显示元件LE2中的每个的对电极。

驱动电压供应线11可以例如在x方向上在第一显示区域DA1下面延伸。共电压供应线13可以具有带有一个开口侧的环形形状，并且可以部分地围绕第一显示区域DA1。

参照图3B，第二像素电路PC2可以布置在与第一显示区域DA1相邻的外围区域PA中。第二像素电路PC2可以与第一显示区域DA1的外侧相邻地布置。在这种情况下，第二像素电路PC2和第二显示元件LE2可以通过例如在x方向和y方向上延伸的连接布线CWL彼此电连接。连接布线CWL可以例如在与扫描线SL沿其延伸的方向相同的方向和/或与数据线DL沿其延伸的方向相同的方向上延伸。

图4是示出根据一些实施例的显示装置10的部分区域的布置的示意性平面图。图4示出了第二显示区域DA2、在第二显示区域DA2周围的第一显示区域DA1、外围区域PA的一部分，并且示出了像素PX的布置和像素电路PC。

参照图4，第一像素PX1可以布置在第一显示区域DA1中。在说明书中，像素PX可以意味着作为用于实现图像的最小单位的子像素，并且可以限定为显示元件LE从其发射光的发射区域。当显示元件LE是有机发光二极管OLED时，发射区域可以由像素限定层的开口限定，这在下面参照图5更详细地描述。

第一像素PX1中的每个可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的任何一种。作为示例，第一像素PX1可以包括第一红色像素Pr1、第一绿色像素Pg1和第一蓝色像素Pb1。

第一像素PX1可以以各种排列或构造布置，例如，如图4中所示出的

类型布置。例如，在以第一绿色像素Pg1的中心部分作为矩形的中心点的虚拟矩形的顶点之中，第一红色像素Pr1可以对角地布置在彼此面对的第一顶点和第三顶点处，并且第一蓝色像素Pb1可以布置在作为第二顶点和第四顶点的其它顶点处。第一绿色像素Pg1的尺寸可以小于第一红色像素Pr1和第一蓝色像素Pb1中的每个的尺寸。通过上面的布置，可以用少量像素获得高的分辨率。公开不限于此，并且第一像素PX1可以以各种形式(诸如条纹类型、马赛克(mosaic)布置类型、delta布置类型等)布置。

第一像素电路PC1可以布置在第一显示区域DA1中以与第一像素PX1叠置。第一像素电路PC1可以以矩阵形式(例如，分别在x方向和y方向上形成行和列)布置。

第二像素PX2可以布置在第二显示区域DA2中。第二像素PX2中的每个可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的任何一种。作为示例，第二像素PX2可以包括第二红色像素Pr2、第二绿色像素Pg2和第二蓝色像素Pb2。

第二像素PX2可以以各种类型布置在第二显示区域DA2中。根据一些实施例，一些第二像素PX2可以聚集以形成像素组，并且在像素组中，第二像素PX2可以以各种类型(诸如

类型、条纹类型、马赛克布置类型、三角布置类型等)布置。

如图4中所示出的，第二像素PX2可以分布和布置在第二显示区域DA2中。换句话说，第二像素PX2之间的距离可以大于第一像素PX1之间的距离。因此，如上面所描述的，在第二显示区域DA2中每相同面积将布置的第二像素PX2的数量可以小于在第一显示区域DA1中每相同面积将布置的第一像素PX1的数量。第二显示区域DA2的其中未布置第二像素PX2的区域可以包括具有高的透光率的透射区域TA。

第二像素电路PC2可以布置在外围区域PA中，并且可以不与第二像素PX2叠置。由于第二像素电路PC2未布置在第二显示区域DA2中，因此第二显示区域DA2可以确保相对大的透射区域TA。此外，用于向第二像素电路PC2传送恒定电压和信号的布线可以不布置在第二显示区域DA2中，并且第二像素PX2可以在不考虑布线的布置的情况下自由地布置。

为了使布置在外围区域PA中的第二像素电路PC2驱动布置在第二显示区域DA2中的第二像素PX2，可以设置连接布线CWL和/或桥接布线BWL。连接布线CWL和/或桥接布线BWL可以包括导电材料，并且可以在第二像素电路PC2与第二像素PX2之间电连接。作为示例，第二像素电路PC2可以通过连接布线CWL电连接到第二像素PX2。在另一示例中，第二像素电路PC2可以通过彼此电连接的连接布线CWL和桥接布线BWL电连接到第二像素PX2。电连接到第二像素PX2可以意味着电连接到实现第二像素PX2的第二显示元件LE2(见图3A和图3B)的像素电极。在以下描述中，为了便于解释，描述了包括连接布线CWL和桥接布线BWL两者的情况。

连接布线CWL可以布置在第二显示区域DA2的至少一部分中，并且可以包括透明导电材料。连接布线CWL可以包括例如透明导电氧化物(TCO)。例如，连接布线CWL可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IZGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。如此，即使当连接布线CWL布置在第二显示区域DA2的透射区域TA中时，也可以减少透射区域TA的透光率的劣化。

桥接布线BWL可以布置在外围区域PA中。桥接布线BWL可以具有经由接触孔电连接到连接布线CWL的一个端部和电连接到第二像素电路PC2的另一端部。

桥接布线BWL可以包括金属材料。例如，桥接布线BWL可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的金属材料，并且可以以包括上面的材料的多层或单层形成。

桥接布线BWL可以具有比连接布线CWL的导电性高的导电性。由于桥接布线BWL布置在外围区域PA中，因此不需要确保透光率，因此，可以采用具有比连接布线CWL的透光率低的透光率和比连接布线CWL的导电性高的导电性的材料。因此，可以减小第二像素电路PC2与第二像素PX2之间的电阻值。

扫描线SL可以包括连接到第一像素电路PC1的第一扫描线SL1和连接到第二像素电路PC2的第二扫描线SL2。第一扫描线SL1可以在x方向上延伸，并且可以连接到布置在同一行中的第一像素电路PC1。第一扫描线SL1可以不布置在第二显示区域DA2中。换句话说，第一扫描线SL1可以在第二显示区域DA2中断开。在这种情况下，布置在第二显示区域DA2的左侧的第一扫描线SL1可以从第一扫描驱动电路SDRV1(见图3A)接收扫描信号，并且布置在第二显示区域DA2的右侧的第一扫描线SL1可以从第二扫描驱动电路SDRV2(见图3A)接收扫描信号。

第二扫描线SL2可以连接到布置在同一行中的第二像素电路PC2之中的用于驱动布置在同一行中的第二像素PX2的第二像素电路PC2。

第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以通过扫描连接线SWL连接，相同的信号可以施加到对布置在同一行中的第一像素PX1和第二像素PX2进行驱动的像素电路PC。

扫描连接线SWL可以布置在与其上布置有第一扫描线SL1和第二扫描线SL2的层不同的层上，因此扫描连接线SWL可以经由接触孔连接到第一扫描线SL1和第二扫描线SL2中的每条。扫描连接线SWL可以布置在外围区域PA中。

数据线DL可以包括连接到第一像素电路PC1的第一数据线DL1和连接到第二像素电路PC2的第二数据线DL2。第一数据线DL1可以在y方向上延伸，并且可以连接到布置在同一列中的第一像素电路PC1。第二数据线DL2可以在y方向上延伸，并且可以连接到布置在同一列中的第二像素电路PC2。

第一数据线DL1和第二数据线DL2可以彼此隔开布置且第二显示区域DA2在其之间。第一数据线DL1和第二数据线DL2可以通过数据连接线DWL彼此连接，并且相同的信号可以施加到对布置在同一列中的第一像素PX1和第二像素PX2进行驱动的像素电路PC。

数据连接线DWL可以布置为绕过第二显示区域DA2。数据连接线DWL可以布置为与布置在第一显示区域DA1中的第一像素电路PC1叠置。由于数据连接线DWL布置在第一显示区域DA1中，因此不需要确保布置有数据连接线DWL的单独的空间，因此可以减小无效区域。

数据连接线DWL可以布置在与其上布置有第一数据线DL1和第二数据线DL2的层不同的层上，因此数据连接线DWL可以经由接触孔连接到第一数据线DL1和第二数据线DL2中的每条。

图5和图6是图4的显示装置10的一部分的示意性剖视图，其中，图5是沿着图4的线I-I’和线II-II’截取的显示装置10的一部分的剖视图，并且图6是沿着图4的线III-III’截取的显示装置10的一部分的剖视图。

参照图5，第一显示区域DA1可以包括第一像素PX1，并且第二显示区域DA2可以包括第二像素PX2和透射区域TA。包括多个薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的第一像素电路PC1和电连接到第一像素电路PC1的第一显示元件LE1可以布置在第一显示区域DA1中。第二显示元件LE2可以布置在第二显示区域DA2中。包括多个薄膜晶体管TFT'和存储电容器Cst'的第二像素电路PC2可以布置在外围区域PA中。第二像素电路PC2可以通过连接布线CWL电连接到第二显示元件LE2。

根据一些实施例，包括与连接布线CWL的材料相同的材料的第一保护层PVX1可以布置于在第一显示区域DA1中布置的第一导电层CL1上面。

在下文中，描述了其中堆叠有包括在显示装置10中的组件的结构。显示装置10可以包括基底100、缓冲层111、像素电路层PCL、显示元件层LEL和薄膜封装层TFEL的堆叠结构。

基底100可以包括绝缘材料(诸如玻璃、石英、聚合物树脂等)。基底100可以是刚性基底或能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。

缓冲层111可以布置在基底100上，可以减少或阻挡异物(诸如湿气或外部空气)从基底100下面渗透，并且可以为基底100提供平坦化表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合物，并且可以具有无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。可以在基底100与缓冲层111之间进一步设置用于阻挡外部空气的渗透的阻挡层。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiN_x)。

像素电路层PCL可以布置在缓冲层111上，并且可以包括像素电路PC、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115、第一有机绝缘层117和第二有机绝缘层118。

薄膜晶体管TFT和TFT'以及存储电容器Cst和Cst'可以布置在缓冲层111上。由于第二像素电路PC2的薄膜晶体管TFT'和存储电容器Cst'可以具有与第一像素电路PC1的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的结构基本上相同或类似的结构，因此对第一像素电路PC1的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的描述可以代替对第二像素电路PC2的薄膜晶体管TFT'和存储电容器Cst'的描述。

薄膜晶体管TFT和TFT'可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。薄膜晶体管TFT和TFT'可以连接到有机发光二极管OLED并且可以驱动有机发光二极管OLED。

半导体层Act可以布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。根据一些实施例，半导体层Act可以包括非晶硅。根据一些实施例，半导体层Act可以包括选自于由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、Ti和锌(Zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。半导体层Act可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。

第一栅极绝缘层112可以设置为覆盖半导体层Act。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料(诸如SiO₂、SiN_x、SiO_xN_y、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)或氧化铪(HfO₂)等)。第一栅极绝缘层112可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。

栅电极GE布置在第一栅极绝缘层112上以与半导体层Act叠置。栅电极GE可以包括Mo、Al、Cu、Ti等，并且可以是单层或多层。作为示例，栅电极GE可以是单层Mo。

第二栅极绝缘层113可以覆盖栅电极GE。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料(诸如SiO₂、SiN_x、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅或HfO₂等)。第二栅极绝缘层113可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。

存储电容器Cst的上电极CE2和存储电容器Cst'的上电极CE2'可以布置在第二栅极绝缘层113上。存储电容器Cst的上电极CE2和存储电容器Cst'的上电极CE2'可以与其下面的栅电极GE叠置。与第二栅极绝缘层113叠置的栅电极GE和上电极CE2和CE2'可以分别形成存储电容器Cst和Cst'，第二栅极绝缘层113在栅电极GE与上电极CE2和CE2'之间。在这种状态下，栅电极GE可以是存储电容器Cst和Cst'的下电极CE1和CE1'。

上电极CE2和CE2'可以包括Al、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、Mo、Ti、钨(W)和/或Cu，并且可以是包括上述材料的单层或多层。

层间绝缘层115可以覆盖上电极CE2和CE2'。层间绝缘层115可以包括无机绝缘材料(诸如SiO₂、SiN_x、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅或HfO₂等)。层间绝缘层115可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。

源电极SE和漏电极DE可以布置在层间绝缘层115上。源电极SE和漏电极DE可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以以包括上面的材料的多层或单层形成。作为示例，源电极SE和漏电极DE可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。

第一有机绝缘层117可以布置在层间绝缘层115上，并且可以覆盖源电极SE和漏电极DE。

第一有机绝缘层117可以包括光敏聚酰亚胺或硅氧烷有机材料。例如，第一有机绝缘层117可以包括通用聚合物(诸如聚酰亚胺(例如，光敏聚酰亚胺)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物等。可选择地，第一有机绝缘层117可以包括HMDSO、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二甲基硅氧烷作为硅氧烷有机材料。

第二有机绝缘层118可以布置在第一有机绝缘层117上。第二有机绝缘层118可以具有平坦的上表面，使得布置在其上面的像素电极121和121'是平坦的。第二有机绝缘层118可以包括具有高的透光率且平坦化的硅氧烷有机材料。硅氧烷有机材料可以包括HMDSO、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二甲基硅氧烷。

可选择地，第二有机绝缘层118可以包括通用聚合物(诸如聚酰亚胺(例如，光敏聚酰亚胺)、BCB、HMDSO、PMMA或PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物等。

接触金属CM和/或各种布线等可以布置在第一有机绝缘层117与第二有机绝缘层118之间，从而使相对高的集成度成为可能。接触金属CM和其它布线可以包括例如包括Mo、Al、Cu、Ti等的金属材料，并且可以以包括上面的材料的多层或单层形成。

显示元件层LEL可以布置在第二有机绝缘层118上。显示元件层LEL可以包括第一显示元件LE1、第二显示元件LE2和像素限定层119。

第一显示元件LE1和第二显示元件LE2可以均包括有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以包括像素电极121和121'、发光层122b和122b'以及对电极123的堆叠结构。

像素电极121和121'可以包括导电氧化物(诸如ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO、IZGO或AZO)。像素电极121和121'可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物或混合物的反射膜。例如，像素电极121和121'可以具有其中包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的膜在上述反射膜上面/下面的结构。在这种情况下，像素电极121和121'可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。

像素限定层119可以布置在第二有机绝缘层118上，并且可以覆盖像素电极121和121'的边缘。像素限定层119可以具有暴露像素电极121和121'的中心部分的开口OP。例如，像素限定层119可以包括暴露第一显示元件LE1的像素电极121的中心部分的第一开口OP1和暴露第二显示元件LE2的像素电极121'的中心部分的第二开口OP2。有机发光二极管OLED的发射区域(即，像素PX)可以由开口OP限定。换句话说，第一像素PX1的尺寸和形状可以由第一开口OP1限定，并且第二像素PX2的尺寸和形状可以由第二开口OP2限定。

像素限定层119可以增加像素电极121和121'的边缘与像素电极121和121'上面的对电极123之间的距离，从而防止或减少在像素电极121和121'的边缘处产生电弧等的情况。像素限定层119可以包括有机绝缘材料(诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO、酚醛树脂等)，并且可以通过诸如旋涂等的方法来形成。

对应于像素电极121和121'形成的发光层122b和122b'可以布置在像素限定层119的开口OP中。发光层122b和122b'可以包括聚合物材料或低分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。

有机功能层122e可以布置在发光层122b和122b'上面和/或下面。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可以省略第一功能层122a或第二功能层122c。

第一功能层122a可以布置在发光层122b和122b'下面。第一功能层122a可以是包括有机材料的单层或多层。第一功能层122a可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可选择地，第一功能层122a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。第一功能层122a可以一体地形成为对应于分别设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的第一显示元件LE1和第二显示元件LE2。

第二功能层122c可以布置在发光层122b和122b'上面。第二功能层122c可以是包括有机材料的单层或多层。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可以一体地形成为对应于分别设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的第一显示元件LE1和第二显示元件LE2。

对电极123可以布置在第二功能层122c上。对电极123可以包括具有低的逸出功的导电材料。例如，对电极123可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、Ca、它们的合金等的(半)透明层。可选择地，对电极123还可以包括在包括上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的层。对电极123可以一体地形成为对应于分别设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的第一显示元件LE1和第二显示元件LE2。

形成在第一显示区域DA1中的从像素电极121到对电极123的堆叠结构可以形成有机发光二极管OLED作为第一显示元件LE1。形成在第二显示区域DA2中的从像素电极121'到对电极123的堆叠结构可以形成有机发光二极管OLED作为第二显示元件LE2。

在一些实施例中，盖层150可以形成在对电极123上。盖层150可以是设置为保护对电极123并同时增加光提取效率的层。盖层150可以包括有机材料。可选择地，盖层150可以包括LiF。可选择地，盖层150可以包括无机绝缘材料(诸如SiO₂或SiN_x)。

根据一些实施例，薄膜封装层TFEL可以布置在显示元件层LEL上。薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据一些实施例，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及在第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。

例如，第一无机封装层131和第二无机封装层133可以包括一种或更多种无机绝缘材料(诸如SiO₂、SiN_x、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂或Ta₂O₅)，并且可以通过化学气相沉积(CVD)方法等来形成。有机封装层132可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以一体地形成为覆盖第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。

第一显示元件LE1和驱动第一显示元件LE1的第一像素电路PC1可以全部位于第一显示区域DA1中，并且第一显示元件LE1和第一像素电路PC1可以布置为彼此叠置。第一显示元件LE1的像素电极121可以通过第一接触金属CM1电连接到第一像素电路PC1。

根据一些实施例，当第二显示元件LE2位于第二显示区域DA2中时，驱动第二显示元件LE2的第二像素电路PC2可以位于外围区域PA中。连接布线CWL可以设置为将第二显示元件LE2与第二像素电路PC2彼此电连接。连接布线CWL可以从第二显示区域DA2延伸到外围区域PA，并且其至少一部分可以布置在第二显示区域DA2中。

连接布线CWL可以包括例如TCO。例如，连接布线CWL可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO、IZGO或AZO的导电氧化物。因此，即使当连接布线CWL布置在第二显示区域DA2的透射区域TA中时，也可以减少透射区域TA的透光率的劣化。

根据一些实施例，连接布线CWL可以布置在层间绝缘层115上。连接布线CWL可以被第一有机绝缘层117覆盖。根据一些实施例，第二接触金属CM2和桥接布线BWL可以布置在第一有机绝缘层117上。第二接触金属CM2和桥接布线BWL可以被第二有机绝缘层118覆盖。第二接触金属CM2可以通过第二接触孔CNT2连接到连接布线CWL，并且桥接布线BWL可以通过第三接触孔CNT3连接到连接布线CWL。连接布线CWL可以通过第二接触金属CM2电连接到第二显示元件LE2的像素电极121'，此外，可以通过位于外围区域PA中的桥接布线BWL电连接到第二像素电路PC2。

彼此隔开的第一导电层CL1和第二导电层CL2可以在第一显示区域DA1中布置在层间绝缘层115上。第三导电层CL3可以布置在第一有机绝缘层117上。

第一导电层CL1可以是通过第一接触孔CNT1电连接到在第一导电层CL1的上层上的第三导电层CL3的导电层。第二导电层CL2可以是不连接到布置在第二导电层CL2的上层上的导电层的导电层。在图5中，漏电极DE可以是第一导电层CL1，并且源电极SE可以是第二导电层CL2。第一接触金属CM1可以是第三导电层CL3。

根据一些实施例，第一保护层PVX1可以布置在第一导电层CL1上。第一保护层PVX1可以包括与连接布线CWL的材料相同的材料。第一保护层PVX1可以包括TCO。例如，第一保护层PVX1可以包括导电氧化物(诸如ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO、IZGO或AZO)。

第一保护层PVX1可以被构造为防止或减少在工艺期间对第一导电层CL1的表面(例如，上表面)的损坏。当第一导电层CL1的上表面被损坏时，第一导电层CL1的电阻或连接到第一导电层CL1的第三导电层CL3的接触电阻可能增大。根据一些实施例，由于设置了导电材料的第一保护层PVX1，因此可以防止或减少第一导电层CL1的损坏，此外，可以降低第一导电层CL1的电阻值。

第一保护层PVX1可以与第一导电层CL1的上表面直接接触，并且可以与限定在第一有机绝缘层117中的第一接触孔CNT1至少部分地叠置。布置在第一有机绝缘层117上的第三导电层CL3可以通过第一接触孔CNT1连接到第一保护层PVX1。

根据一些实施例，第一保护层PVX1的厚度可以为约

至

第一导电层CL1的厚度可以为约

至

第一导电层CL1和第一保护层PVX1可以均具有相对于基底100的上表面呈锥形的侧表面。锥形的侧表面可以相对于基底100的上表面倾斜约40至80度。

根据一些实施例，相位补偿层PSC可以至少部分地布置在第二显示区域DA2中，并且可以在平面上与连接布线CWL叠置。换句话说，当从垂直于基底100的一个表面的方向观看时(例如，在平面图中)，连接布线CWL和相位补偿层PSC可以布置为彼此叠置。例如，连接布线CWL和相位补偿层PSC可以被图案化以在平面上具有相同的形状。

根据一些实施例，相位补偿层PSC可以布置在连接布线CWL下面。例如，相位补偿层PSC可以设置在层间绝缘层115与连接布线CWL之间。

如此，由于设置了相位补偿层PSC，因此可以防止或减少布置在第二显示区域DA2中的电子组件40(见图2)的性能的劣化，这在下面参照图6更详细地描述。

参照图6，相位补偿层PSC可以与连接布线CWL叠置，并且可以布置在连接布线CWL下面。根据一些实施例，相位补偿层PSC可以包括无机绝缘材料。例如，相位补偿层PSC可以包括SiO₂、SiN_x和碳氮化硅(SiCN)中的至少一种。

根据一些实施例，连接布线CWL的折射率n1可以大于第一有机绝缘层117的折射率n0。在说明书中，折射率可以意味着相对折射率。例如，相对于550nm波长，第一有机绝缘层117的折射率n0可以为约1.4至约1.8。例如，第一有机绝缘层117的折射率n0可以为约1.65。相对于550nm波长，连接布线CWL的折射率n1可以为约1.8至约2.2。例如，连接布线CWL的折射率n1可以为约1.91。

根据一些实施例，相位补偿层PSC的折射率n2可以小于第一有机绝缘层117的折射率n0。例如，相对于550nm波长，相位补偿层PSC的折射率n2可以为约1.3到约1.8。例如，相位补偿层PSC的折射率n2可以为约1.47。

在穿过第二显示区域DA2的光之中，第一光L1可以穿过布置有连接布线CWL的区域，并且第二光L2可以穿过未布置连接布线CWL的区域。由于连接布线CWL的折射率n1与覆盖连接布线CWL的第一有机绝缘层117的折射率n0之间的差异，可能在第一光L1与第二光L2之间产生相位差，并且可能产生衍射现象。由于衍射现象，电子组件40(见图2)的性能可能被劣化。例如，当电子组件40是诸如相机的摄像装置时，由于根据第一光L1与第二光L2之间的相位差的衍射现象，可能产生诸如闪光现象的问题。

为了解决上面的问题，根据一些实施例的显示装置10可以包括与连接布线CWL叠置并且具有小于第一有机绝缘层117的折射率n0的折射率n2的相位补偿层PSC。相位补偿层PSC可以补偿第一光L1的相位，使得第一光L1和第二光L2具有基本上相同的相位。换句话说，入射在第二显示区域DA2中的光可以具有基本上相同的相位而不管是否穿过连接布线CWL。因此，可以减少光衍射现象，并且可以防止或减少电子组件40的性能的劣化。

根据一些实施例，当连接布线CWL的折射率n1和相位补偿层PSC的折射率n2彼此不同时，连接布线CWL的厚度t1和相位补偿层PSC的厚度t2可以彼此不同。相位补偿层PSC的厚度t2可以设置为使得在第二显示区域DA2中穿过布置有连接布线CWL的区域的光和穿过未布置连接布线CWL的区域的光具有相同的相位(或基本上相同的相位)。换句话说，可以确定相位补偿层PSC的厚度t2以允许第一光L1和第二光L2具有相同的相位。在示例中，相位补偿层PSC的厚度t2可以设置为使得第一光L1与第二光L2之间的光程差是波长的整数倍。例如，当相位补偿层PSC的折射率n2小于连接布线CWL的折射率n1时，相位补偿层PSC的厚度t2可以大于连接布线CWL的厚度t1。根据一些实施例，当连接布线CWL具有约1.91的折射率n1和约

的厚度t1时，如果相位补偿层PSC具有约1.47的折射率n2和约

至

的厚度t2，则可以减少衍射现象。

图7是根据一些实施例的显示装置10的一部分的示意性剖视图。图7的显示装置10可以是图5的显示装置10的修改示例。由于与参照图5和图6描述的组成元件相同或类似的图7的组成元件由相同的附图标记指示，因此下面主要描述它们之间的差异。

参照图7，在根据一些实施例的显示装置10中，第一像素电路PC1和第一显示元件LE1布置在第一显示区域DA1中，第二显示元件LE2布置在第二显示区域DA2中，并且第二像素电路PC2布置在外围区域PA中。第二显示元件LE2和第二像素电路PC2可以通过连接布线CWL彼此连接。第一导电层CL1布置在第一显示区域DA1中，并且包括与连接布线CWL的材料相同的材料的第一保护层PVX1布置在第一导电层CL1上。

根据一些实施例，第一图案化无机层PIL1可以布置在第一导电层CL1下面，并且第二图案化无机层PIL2可以布置在第二导电层CL2下面。换句话说，第一图案化无机层PIL1可以布置在层间绝缘层115与第一导电层CL1之间。第二图案化无机层PIL2可以布置在层间绝缘层115与第二导电层CL2之间。

第一图案化无机层PIL1可以被图案化为与第一导电层CL1的形状相同。第二图案化无机层PIL2可以被图案化为与第二导电层CL2的形状相同。

第一图案化无机层PIL1和第二图案化无机层PIL2可以包括与相位补偿层PSC的材料相同的材料。例如，第一图案化无机层PIL1和第二图案化无机层PIL2可以包括SiO₂、SiN_x和SiCN中的至少一种。尽管在附图中，第一图案化无机层PIL1、第二图案化无机层PIL2和相位补偿层PSC被示出为与层间绝缘层115分离的层，但是公开不限于此。在一些实施例中，第一图案化无机层PIL1、第二图案化无机层PIL2和相位补偿层PSC可以与层间绝缘层115一体地形成。

此外，根据一些实施例，第二保护层PVX2可以布置在第二导电层CL2上。第二保护层PVX2可以包括与连接布线CWL的材料相同的材料。第一保护层PVX1和第二保护层PVX2可以分别以与第一导电层CL1和第二导电层CL2的形状相同的形状被图案化。例如，第一导电层CL1的上表面的面积可以与第一保护层PVX1的下表面的面积相同，并且第二导电层CL2的上表面的面积可以与第二保护层PVX2的下表面的面积相同。

图8是根据一些实施例的显示装置10的一部分的示意性剖视图。图8的显示装置10可以是图5的显示装置10的修改示例。由于与参照图5和图6描述的组成元件相同或类似的图8的组成元件由相同的附图标记指示，因此下面主要描述它们之间的差异。

参照图8，在根据一些实施例的显示装置10中，第一像素电路PC1和第一显示元件LE1布置在第一显示区域DA1中，第二显示元件LE2布置在第二显示区域DA2中，并且第二像素电路PC2布置在外围区域PA中。第二显示元件LE2和第二像素电路PC2通过连接布线CWL彼此连接。第一导电层CL1布置在第一显示区域DA1中，并且包括与连接布线CWL的材料相同的材料的第一保护层PVX1布置在第一导电层CL1上。

根据一些实施例，第一保护层PVX1可以覆盖第一导电层CL1的侧表面。在这种情况下，第一保护层PVX1的面积可以大于第一导电层CL1的面积。由于第一保护层PVX1覆盖第一导电层CL1的侧表面，因此不仅可以保护第一导电层CL1的上表面，而且可以保护第一导电层CL1的侧表面免受损坏。

图9A和图9B是示出根据实施例的布置在第一显示区域DA1中的第一导电层CL1、第二导电层CL2、第一保护层PVX1和第二保护层PVX2的布置关系的平面图。

参照图9A，第一导电层CL1和第二导电层CL2可以布置在同一层(例如，层间绝缘层115(见图5))。作为通过第一接触孔CNT1连接到第三导电层CL3(见图5)的导电层的第一导电层CL1可以布置为与第一接触孔CNT1叠置。第一保护层PVX1可以布置在第一导电层CL1上面以与第一接触孔CNT1叠置。第一保护层PVX1的上表面的面积可以小于其下表面的面积。第一保护层PVX1可以布置为对应于第一接触孔CNT1。第一保护层PVX1的尺寸可以设置为与第一接触孔CNT1的下表面的尺寸相同或大于第一接触孔CNT1的下表面的尺寸。

尽管在图9A中第一保护层PVX1被示出为仅布置在第一导电层CL1的一部分中，但是公开不限于此。如图9B中所示出，第一保护层PVX1可以被图案化为与第一导电层CL1的形状相同。此外，第一保护层PVX1的尺寸可以大于第一导电层CL1的尺寸。此外，第二保护层PVX2可以布置在第二导电层CL2上。第二保护层PVX2可以以与第二导电层CL2的形状相同的形状被图案化。此外，第二保护层PVX2可以进行各种修改，例如，第二保护层PVX2的尺寸可以大于第二导电层CL2的尺寸。

图10A至图10E是示出根据一些实施例的制造显示装置10的工艺的示意性剖视图。

参照图10A，可以在层间绝缘层115上形成相位补偿层-材料层PSCm，相位补偿层-材料层PSCm的至少一部分布置在第二显示区域DA2中。也可以在第一显示区域DA1中布置相位补偿层-材料层PSCm。

然后，可以使布置在第一显示区域DA1中的第一导电层CL1和第二导电层CL2图案化。在其中第一导电层CL1和第二导电层CL2被图案化的状态下，可以在相位补偿层-材料层PSCm上形成连接布线-材料层CWLm以覆盖第一导电层CL1和第二导电层CL2。

可以通过涂覆工艺、沉积工艺等形成相位补偿层-材料层PSCm和连接布线-材料层CWLm。在涂覆工艺中，可以使用诸如旋涂等的方法，并且在沉积工艺中，可以使用诸如热化学气相沉积(TCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、大气压CVD(APCVD)等的化学气相沉积(CVD)或诸如热蒸发、溅射、电子束蒸发等的物理气相沉积(PVD)。

参照图10B，可以在连接布线-材料层CWLm上形成光致抗蚀剂图案层PR。可以通过由光掩模曝光光致抗蚀剂并使其显影来形成光致抗蚀剂图案层PR。

参照图10C，可以通过使用光致抗蚀剂图案层PR作为掩模蚀刻连接布线-材料层CWLm来形成第一保护层PVX1、第二保护层PVX2和连接布线CWL。在这种状态下，可以以湿法蚀刻工艺执行蚀刻。

参照图10D，接下来，可以通过使用光致抗蚀剂图案层PR蚀刻相位补偿层-材料层PSCm来形成第一图案化无机层PIL1、第二图案化无机层PIL2和相位补偿层PSC。在这种状态下，可以以干法蚀刻工艺执行蚀刻。根据一些实施例，由于第一导电层CL1和第二导电层CL2可能由于干法蚀刻工艺中使用的气体而损坏，因此采用了第一保护层PVX1和/或第二保护层PVX2。换句话说，由于在第一导电层CL1上设置第一保护层PVX1，所以在干法蚀刻工艺中，第一导电层CL1的上表面可以不被损坏。

参照图10E，去除光致抗蚀剂图案层PR，并且可以在层间绝缘层115上形成第一有机绝缘层117以覆盖相位补偿层PSC和连接布线CWL。第一有机绝缘层117可以包括至少部分地暴露第一保护层PVX1的第一接触孔CNT1。可以通过诸如旋涂等的方法来形成第一有机绝缘层117。接下来，可以在第一有机绝缘层117上形成通过第一接触孔CNT1连接到第一保护层PVX1的第三导电层CL3。

如上面所描述的，在根据一个或更多个实施例的显示装置和电子装置中，由于在布置有组件的区域中未布置像素电路，因此可以确保大的透射区域，从而提高透射率。

此外，根据实施例的显示装置和电子装置包括用于保护布置在第一显示区域中的导电层的保护层，从而减少导电层的损坏。

应该理解的是，在此描述的实施例应该仅在描述性含义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：

基底，包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和所述第二区域是显示区域；

第一像素电路和第一显示元件，在所述第一区域中，所述第一显示元件连接到所述第一像素电路；

第二显示元件，在所述第二区域中；

第二像素电路，在所述第三区域中；

连接布线，在所述基底与所述第二显示元件之间并将所述第二显示元件连接到所述第二像素电路；

第一导电层，在所述第一区域中；以及

第一保护层，在所述第一导电层上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：

第二导电层，在所述第一区域中并且与所述第一导电层在同一层；

有机绝缘层，覆盖所述第一导电层和所述第二导电层；以及

第三导电层，在所述有机绝缘层上并且通过限定在所述有机绝缘层中的第一接触孔连接到所述第一保护层。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一接触孔与所述第一保护层叠置。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括第二保护层，所述第二保护层在所述第二导电层上。

5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一保护层的下表面的面积与所述第一导电层的上表面的面积相同。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一保护层覆盖所述第一导电层的侧表面。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：

有机绝缘层，在所述连接布线上面；以及

相位补偿层，在所述连接布线下面，

其中，所述相位补偿层的折射率小于所述有机绝缘层的折射率。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述相位补偿层的厚度大于所述连接布线的厚度。

9.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一保护层的上表面的面积小于所述第一导电层的下表面的面积并且大于所述第一接触孔的下表面的面积。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一保护层的厚度小于所述第一导电层的厚度。

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