CN114388576A - 显示设备 - Google Patents

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CN114388576A CN202111170195.0A CN202111170195A CN114388576A CN 114388576 A CN114388576 A CN 114388576A CN 202111170195 A CN202111170195 A CN 202111170195A CN 114388576 A CN114388576 A CN 114388576A
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全容济
吴在泳
金起弘
李诚又
赵庚湜
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Abstract

一种显示设备，包括：基底，包括主显示区域、组件区域和外围区域；多个主像素电极，在基底的主显示区域中；多个辅助像素电极，在基底的组件区域中；辅助相对电极，在辅助像素电极上面，与辅助像素电极重叠，且包括在辅助像素电极之间的多个开口；以及屏蔽层，在辅助像素电极下方并且包括分别与辅助相对电极的多个开口重叠的多个开口部分。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月5日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0128271号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或多个实施例的各方面涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备包括显示元件和配置为控制施加到显示元件的电信号的电子元件。电子元件通常包括晶体管(例如，薄膜晶体管)、存储电容器和多条布线。
近来，显示设备的用途已经变得更加多样化。此外，随着显示设备已经变得较薄以及较轻，它们的使用范围已经逐渐扩大。随着显示设备的使用范围已经变得更加多样化，关于显示设备的形状的设计，已经研究了各种方法。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此，本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或多个实施例的各方面涉及一种显示设备，并且，例如，涉及一种可以在组件区域中显示图像并且被容易地制造的显示设备。
在根据相关技术的显示设备中，可能难以制造可以在组件区域中显示图像的显示设备。
一个或多个实施例的各方面包括一种可以在组件区域中显示图像并且被相对容易地制造的显示设备。然而，这样的技术问题是示例，并且根据本公开的实施例不限于此。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且附加方面根据描述将部分地是明显的，或者可以通过实践本公开的提出的实施例来获知附加方面。
根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括主显示区域、组件区域和外围区域；主像素电极，在基底的主显示区域中；辅助像素电极，在基底的组件区域中；辅助相对电极，在辅助像素电极上面，与辅助像素电极重叠，且包括在辅助像素电极之间的开口；以及屏蔽层，在辅助像素电极下方并且包括与辅助相对电极的开口重叠的开口部分。
根据一些实施例，显示设备还可以包括：主相对电极，在主像素电极上面并且与主像素电极重叠。
根据一些实施例，主相对电极可以连接到辅助相对电极。
根据一些实施例，辅助相对电极可以包括重叠部分和连接件，重叠部分与辅助像素电极重叠，并且连接件连接重叠部分。
根据一些实施例，当从垂直于基底的顶表面的方向观察时，连接件可以具有弯曲形状。
根据一些实施例，屏蔽层的材料的熔点可以高于辅助相对电极的材料的熔点。
根据一些实施例，屏蔽层的面积可以等于或大于辅助相对电极的面积。
根据一些实施例，当从垂直于基底的顶表面的方向观察时，开口部分中的每一个可以布置在开口之中的对应开口的边缘内部。
根据一些实施例，显示设备还可以包括：主薄膜晶体管，在基底的主显示区域中，电连接到主像素电极，并且包括主半导体层和主栅极电极，其中，屏蔽层和主栅极电极在相同的层上。
根据一些实施例，屏蔽层和主栅极电极包括相同的材料。
根据一些实施例，显示设备还可以包括：主薄膜晶体管，在基底的主显示区域中，电连接到主像素电极，并且包括主半导体层和主栅极电极；和布线，在主栅极电极与主像素电极之间，其中，屏蔽层可以和布线布置在相同的层上。
根据一些实施例，屏蔽层和布线在相同的层上。
根据一些实施例，显示设备还可以包括：主薄膜晶体管，在基底的主显示区域中，电连接到主像素电极，并且包括主半导体层和主栅极电极；和底部金属层，在主半导体层下方，其中，屏蔽层和底层金属层可以在相同的层上。
根据一些实施例，屏蔽层和底部金属层包括相同的材料。
根据一些实施例，显示设备还可以包括：主薄膜晶体管，在基底的主显示区域中，电连接到主像素电极，并且包括主半导体层和主栅极电极；辅助薄膜晶体管，在基底的外围区域中并且包括辅助半导体层和辅助栅极电极；以及连接布线，将辅助薄膜晶体管电连接到辅助像素电极。
根据一些实施例，辅助相对电极可以包括重叠部分和连接件，重叠部分与辅助像素电极重叠，并且连接件连接重叠部分，并且连接件可以与连接布线重叠。
根据一些实施例，屏蔽层可以包括主屏蔽部分和连接屏蔽部分，主屏蔽部分与辅助像素电极重叠，并且连接屏蔽部分连接主屏蔽部分，并且，当从垂直于基底的顶表面的方向观察时，在组件区域中，连接布线布置在连接屏蔽部分中。
根据一些实施例，显示设备还可以包括：主薄膜晶体管，在基底的主显示区域中，电连接到主像素电极，并且包括主半导体层和主栅极电极；和辅助薄膜晶体管，在基底的组件区域中，电连接到辅助像素电极，并且包括辅助半导体层和辅助栅极电极，其中，屏蔽层可以在辅助半导体层下方。
根据一些实施例，屏蔽层可以与辅助半导体层和辅助栅极电极重叠。
根据一些实施例，显示设备还可以包括：辅助布线，在基底的组件区域中并且连接到辅助半导体层，其中，屏蔽层可以与辅助布线重叠。
根据一些实施例，显示设备还可以包括：组件，在基底下方，以对应于组件区域。
根据以下对实施例、附图和权利要求的详细描述，这些和/或其它方面将变得更加明显和更加容易理解。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本公开的某些实施例的以上和其它方面、特征和特性将更加明显，在附图中：
图1A至图1C是根据一些实施例的显示设备的透视图；
图2是根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图；
图3是根据一些实施例的可以包括在图1A的显示设备中的显示面板的平面图；
图4是根据一些实施例的可以包括在图1A至图1C的显示设备中的像素电路的等效电路图；
图5是根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图；
图6是根据一些实施例的显示设备的一部分的平面图；
图7是根据一些实施例的显示设备的一部分的平面图；
图8是根据一些实施例的显示设备的一部分的平面图；
图9是根据一些实施例的显示设备的一部分的平面图；
图10是根据一些实施例的可以包括在图1A的显示设备中的显示面板的平面图；
图11A和图11B是根据一些实施例的显示设备的部分区的平面布置图；
图12是根据一些实施例的图11B的一部分的截面图；以及
图13是根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图。
具体实施方式
现在将更详细地参考在附图中示出的一些实施例的各方面，其中，同样的附图标记始终指代同样的元件。在此方面，本实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述一些实施例的各方面，以解释本说明书的各方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个(种)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部、或者它们的变体。
由于根据本公开的实施例允许各种改变和众多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中描述某些实施例。本公开的效果和特征以及用于实现它们的方法将参考下面参照附图更详细地描述的实施例来阐明。然而，根据本公开的实施例不限于以下实施例并且可以以各种形式实施。
在下文中，将参照附图来描述一些实施例的各方面，其中，同样的附图标记始终指代同样的元件，并且省略对其的重复描述。
将进一步理解的是，当层、区或组件被称为“在”另一层、区或组件“上”时，所述层、区或组件可以直接或间接地在所述另一层、区或组件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区或组件。为了便于解释，附图中的元件的尺寸可能被放大或缩小。例如，由于为了便于解释，任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1A至图1C是根据一些实施例的显示设备1、1’和1”的透视图。
如图1A中所示，显示设备1包括显示区域DA和显示区域DA外部的外围区域NDA。显示区域DA包括组件区域CA和至少部分地围绕组件区域CA的主显示区域MDA。组件区域CA显示一个辅助图像(或多个辅助图像)，并且主显示区域MDA显示一个主图像(或多个主图像)，并且因此，组件区域CA和主显示区域MDA可以单独地或彼此结合地显示图像。也就是说，根据一些实施例，组件区域CA可以配置为显示与显示在主显示区域MDA中的图像不同或分离开的图像。组件区域CA和主显示区域MDA还可以配置为共同地显示相同的图像，其中组件区域CA显示图像的第一部分，并且主显示区域MDA显示图像的第二部分，并且图像的第一部分和第二部分共同地形成图像的整体。
外围区域NDA可以是一种其中未布置显示元件的非显示区域(例如，边框区域)。显示区域DA可以被外围区域NDA完全地包围。当显示设备1包括主显示区域MDA、组件区域CA和外围区域NDA时，可以理解的是，显示设备1的基底包括主显示区域MDA、组件区域CA和外围区域NDA。
在图1A中示出了主显示区域MDA布置为围绕一个组件区域CA的至少一部分。也就是说，组件区域CA的一个边缘可以与主显示区域MDA的一个边缘重合。根据一些实施例，显示设备1可以包括两个或更多个组件区域CA。多个组件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同。在大致垂直于显示设备1的顶表面或主显示表面的方向上的视图中(例如，在平面图中，或者在相对于显示表面是垂直的或正交的视图中)，组件区域CA可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形或多边形(诸如星形形状或菱形形状)。
在图1A中示出了在大致垂直于显示设备1的顶表面的方向上的视图中，组件区域CA布置在具有大致四边形形状的主显示区域MDA的顶部((+)y方向)中心上。然而，根据本公开的实施例不限于此，并且组件区域CA可以布置在四边形的主显示区域MDA的一侧上，例如主显示区域MDA的右上方或左上方上。作为示例，如图1B中所示，在主显示区域MDA内部可以布置圆形的组件区域CA。如图1C中所示，在主显示区域MDA的一侧上可以布置四边形的条形组件区域CA。
显示设备1可以包括多个主子像素Pm和多个辅助子像素Pa，多个主子像素Pm布置在主显示区域MDA中，并且多个辅助子像素Pa布置在组件区域CA中。
显示设备1可以包括组件40(见图2)，组件40(见图2)是布置在显示面板10(见图2)下方以对应于组件区域CA的电子元件。组件40可以是配置为发射信号或接收(例如，来自外部装置的)信号的电子元件。这样的信号可以包括，例如，光或声音，或者其它无线频谱。作为示例，电子元件可以是诸如接近传感器的测量距离的传感器、识别诸如指纹、虹膜或面部的用户身体的一部分的传感器、输出光的小灯或者诸如照相机的捕获图像的图像传感器。
使用光的电子元件可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光或紫外光。使用光的电子元件可以使用不同频段的超声波或声音。根据一些实施例，组件40(见图2)可以包括诸如光发射器和光接收器的子组件。光发射器和光接收器可以具有集成结构，或者具有物理分离结构的一对光发射器和光接收器可以构成一个组件40(见图2)。为了防止组件40(见图2)的功能性降低，组件区域CA可以包括透射区域TA，从组件40(见图2)输出到外部或者从外部朝向组件40(见图2)行进的光和/或声音可以穿过透射区域TA。
在根据一些实施例的显示设备中，当允许光穿过组件区域CA时，透光率可以是10％或更大。根据一些实施例，透光率可以是40％或更大、50％或更大、85％或更大、或者90％或更大。
多个辅助子像素Pa可以布置在组件区域CA中。多个辅助子像素Pa可以通过发射光来显示预设图像。显示在组件区域CA中的图像是辅助图像。辅助图像可以具有小于显示在主显示区域MDA中的图像的分辨率的分辨率。也就是说，组件区域CA包括透射区域TA，光和声音可以穿过透射区域TA。在透射区域TA中未布置子像素的情况下，组件区域CA中的每单位面积的辅助子像素Pa的数量可以小于主显示区域MDA中的每单位面积的主子像素Pm的数量。
在下文中，作为示例，使用有机发光显示设备作为根据一些实施例的显示设备1来进行描述。然而，根据一些实施例的显示设备1不限于此。也就是说，根据一些实施例的显示设备1可以是诸如无机发光显示器或量子点发光显示器的显示设备。作为示例，显示设备1的显示元件的发射层可以包括有机材料或无机材料。此外，显示设备1可以包括量子点、有机材料和量子点、或者无机材料和量子点。
图2是根据一些实施例的显示设备1的一部分的截面图。如图2中所示，显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10重叠的组件40。显示设备1还可以包括布置在显示面板10上面以保护显示面板10的覆盖窗。
显示面板10包括组件区域CA和主显示区域MDA，组件区域CA是与组件40重叠的区，并且主图像显示在主显示区域MDA中。显示面板10可以包括基底100、在基底100上面的显示层DISL、触摸屏幕层TSL、光学功能层OFL、以及布置在基底100下面的面板保护构件PB。缓冲层111可以布置在基底100与显示层DISL之间。
显示层DISL可以包括电路层PCL、显示元件层EDL和封装构件ENCM。电路层PCL可以包括主薄膜晶体管TFTm和辅助薄膜晶体管TFTa。显示元件层EDL可以包括作为显示元件的主发光元件EDm和辅助发光元件EDa。封装构件ENCM可以包括薄膜封装层300和封装基底。绝缘层IL可以布置在显示层DISL内部。
基底100可以包括诸如玻璃、石英和聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以是刚性基底或者可以是可弯折、可折叠或可卷曲的柔性基底。
主发光元件EDm和连接到主发光元件EDm的主像素电路PCm可以布置在显示面板10的主显示区域MDA中。主像素电路PCm可以包括至少一个主薄膜晶体管TFTm并且可以控制主发光元件EDm的操作。主子像素Pm可以包括主发光元件EDm。
辅助发光元件EDa和连接到辅助发光元件EDa的辅助像素电路PCa可以布置在显示面板10的组件区域CA中。辅助像素电路PCa可以包括至少一个辅助薄膜晶体管TFTa并且可以控制辅助发光元件EDa的操作。辅助子像素Pa可以包括辅助发光元件EDa。
组件区域CA的布置有辅助发光元件EDa的区可以被限定为辅助显示区域ADA。组件区域CA的未布置辅助发光元件EDa的区可以被限定为透射区域TA。
透射区域TA可以是从布置在组件区域CA中的组件40发射的光和/或信号或者入射到组件40的光和/或信号穿过的区。辅助显示区域ADA和透射区域TA可以交替地布置在组件区域CA中。
如图2中所示，显示元件层EDL可以被薄膜封装层300覆盖。作为示例，如图2中所示，薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在图2中示出了薄膜封装层300包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和布置在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括来自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnOx，可以是ZnO和/或ZnO2)之中的至少一种无机绝缘材料，并且可以通过化学气相沉积(CVD)形成。有机封装层320可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括丙烯酸基树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以各自形成为一个主体以覆盖主显示区域MDA和组件区域CA。
然而，根据本公开的实施例不限于此，并且显示面板10可以包括布置在显示元件层EDL上面的封装基底。在这种情况下，封装基底可以面对基底100，显示元件层EDL在封装基底与基底100之间。在封装基底与显示元件层EDL之间可以存在间隙。封装基底可以包括玻璃。密封剂可以布置在基底100与封装基底之间，密封剂包括玻璃料。密封剂可以布置在外围区域NDA(见图1A至图1C)中。布置在外围区域NDA(见图1A至图1C)中的密封剂可以防止湿气在围绕显示区域DA(见图1A至图1C)的同时通过显示区域DA(见图1A至图1C)的侧表面渗透到显示区域DA(见图1A至图1C)中。
触摸屏幕层TSL可以获得与外部输入(例如，触摸事件)相对应的坐标信息。触摸屏幕层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸布线。触摸屏幕层TSL可以通过自电容方法或互电容方法感测外部输入。
触摸屏幕层TSL可以布置在薄膜封装层300上。可替代地，触摸屏幕层TSL可以单独地形成在触摸基底上并且之后通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层接合在薄膜封装层300上。作为示例，触摸屏幕层TSL可以直接形成在薄膜封装层300上。在这种情况下，在触摸屏幕层TSL与薄膜封装层300之间可以不布置粘合层。
光学功能层OFL可以包括抗反射层。光学功能层OFL可以降低从外部朝向显示设备1入射的光(外部光)的反射率。作为示例，光学功能层OFL可以是偏光膜。光学功能层OFL可以具有与透射区域TA相对应的开口OFL_OP。因此，可以显著地改善透射区域TA的透光率。开口OFL_OP可以填充有诸如光学透明树脂(OCR)的透明材料。可替代地，光学功能层OFL可以包括滤板，所述滤板包括黑矩阵和滤色器。
面板保护构件PB可以附接到基底100的底部以支撑和保护基底100。面板保护构件PB可以具有与组件区域CA相对应的开口PB_OP。面板保护构件PB可以通过包括开口PB_OP来提高组件区域CA的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。
组件区域CA的面积可以大于布置有组件40的区域的面积。因此，面板保护构件PB的开口PB_OP的面积可以与组件区域CA的面积不一致。尽管在图2中示出了组件40在显示面板10的一侧((-)z方向)上与显示面板10分离，但是组件40的至少一部分可以插入到面板保护构件PB的开口PB_OP中。
此外，多个组件40可以布置在组件区域CA中。在这种情况下，组件40可以具有不同的功能。作为示例，组件40可以包括照相机(成像元件)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
图3是根据一些实施例的可以包括在图1A的显示设备1中的显示面板10的平面图。根据一些实施例，图3可以被理解为可以包括在图1A的显示设备1中的显示面板10的平面图。参考图3，构成显示面板10的各种元件可以布置在基底100上面。
多个主子像素Pm布置在主显示区域MDA中。主子像素Pm中的每一个可以由诸如有机发光二极管OLED(见图4)的显示元件实现。驱动主子像素Pm的主像素电路PCm可以布置在主显示区域MDA中。主像素电路PCm可以与主子像素Pm重叠。每个主子像素Pm可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。主显示区域MDA可以被封装构件ENCM(见图2)覆盖并且可以被保护免受外部空气或湿气等的影响。
组件区域CA可以如上面所描述的布置在主显示区域MDA的一侧上，或者可以布置在显示区域DA内部并且被主显示区域MDA围绕。多个辅助子像素Pa布置在组件区域CA中。辅助子像素Pa中的每一个可以由诸如有机发光二极管OLED(见图4)的显示元件实现。驱动辅助子像素Pa的辅助像素电路PCa可以布置在组件区域CA中。辅助像素电路PCa可以与辅助子像素Pa重叠。每个辅助子像素Pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。组件区域CA可以被封装构件ENCM(见图2)覆盖并且可以被保护免受外部空气、湿气或其它污染物的影响。
如上面所描述的，组件区域CA可以包括透射区域TA。透射区域TA可以围绕多个辅助子像素Pa。可替代地，透射区域TA可以是与多个辅助子像素Pa配合的格子配置。组件区域CA包括透射区域TA，并且因此，组件区域CA的分辨率可以小于主显示区域MDA的分辨率。作为示例，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。作为示例，主显示区域MDA的分辨率可以是400ppi或更高，并且组件区域CA的分辨率可以是大约200ppi或大约100ppi。
分别驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的主像素电路PCm和辅助像素电路PCa可以电连接到布置在外围区域NDA中的外部电路。第一扫描驱动电路SDR1、第二扫描驱动电路SDR2、端子部分PAD、驱动电压供给线11和公共电压供给线13可以布置在外围区域NDA中。
第一扫描驱动电路SDR1和第二扫描驱动电路SDR2可以在主显示区域MDA周围彼此对称。第一扫描驱动电路SDR1和第二扫描驱动电路SDR2可以通过扫描线SL将扫描信号施加到主像素电路PCm，主像素电路PCm驱动主子像素Pm。此外，第一扫描驱动电路SDR1和第二扫描驱动电路SDR2可以通过发射控制线EL将发射控制信号施加到每个像素电路。主显示区域MDA中的主子像素Pm的主像素电路PCm中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路SDR1，并且剩余部分可以电连接到第二扫描驱动电路SDR2。
端子部分PAD可以布置在基底100的一侧上。端子部分PAD通过未被绝缘层覆盖而暴露，并且因此，被电连接到显示电路板30。显示驱动器32可以布置在显示电路板30上。
显示驱动器32可以产生将传输到第一扫描驱动电路SDR1和第二扫描驱动电路SDR2的控制信号。显示驱动器32可以产生数据信号，并且产生的数据信号可以通过扇出布线FW和连接到扇出布线FW的数据线DL传输到主像素电路PCm。
显示驱动器32可以将驱动电压ELVDD(见图4)供给到驱动电压供给线11并且可以将公共电压ELVSS(见图4)供给到公共电压供给线13。驱动电压ELVDD(见图4)可以通过连接到驱动电压供给线11的驱动电压线PL供给到主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路。公共电压ELVSS(见图4)可以施加到公共电压供给线13并且可以施加到显示元件的相对电极。
驱动电压供给线11可以在主显示区域MDA下方在x方向上延伸。公共电压供给线13可以具有环形形状，所述环形形状具有一个开口侧，以部分地围绕主显示区域MDA。
尽管图3示出了存在一个组件区域CA的情况，但是显示面板10可以包括多个组件区域CA。在这种情况下，多个组件区域CA可以彼此分离。第一照相机可以布置为对应于一个组件区域CA，并且第二照相机可以布置为对应于另一组件区域CA。可替代地，照相机可以布置为对应于一个组件区域CA，并且红外传感器可以布置为对应于另一组件区域CA。多个组件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同。
图4是根据一些实施例的可以包括在图1A至图1C的显示设备1、1’和1”中的像素电路的等效电路图。如图4中所示，辅助子像素Pa包括辅助像素电路PCa和连接到辅助像素电路PCa的作为显示元件的有机发光二极管OLED。主子像素Pm可以包括主像素电路PCm和连接到主像素电路PCm的作为显示元件的有机发光二极管OLED，主像素电路PCm与如图4中所示的辅助像素电路PCa相同/相似。
如图4中所示，辅助像素电路PCa包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到辅助扫描线SLa和辅助数据线DLa，并且根据通过辅助扫描线SLa输入的扫描信号Sn将数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1，数据信号Dm通过辅助数据线DLa输入。存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和辅助驱动电压线PLa，并且存储与从开关薄膜晶体管T2传输的电压与供给到辅助驱动电压线PLa的驱动电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到辅助驱动电压线PLa和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压控制从辅助驱动电压线PLa流经有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有预设亮度的光。
尽管图4描述了辅助像素电路PCa包括两个薄膜晶体管T1和T2和一个存储电容器Cst的情况，但是根据本公开的实施例不限于此。根据一些实施例，辅助像素电路PCa可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。根据一些实施例，辅助像素电路PCa可以包括两个或更多个存储电容器。
此外，根据一些实施例，在不脱离本公开的实施例的精神和范围的情况下，辅助子像素Pa可以包括附加的组件或较少的组件。
图5是根据一些实施例的显示设备1的一部分的截面图。
基底100可以包括如上面所描述的各种材料并且可以具有如图5中所示的多层结构。根据一些实施例，基底100可以包括顺序地堆叠的第一基体层101、第一无机层102、第二基体层103和第二无机层104。
第一基体层101和第二基体层103可以各自包括聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素。聚合物树脂可以是透明的。
第一无机层102和第二无机层104可以各自是防止外部异物渗透的阻挡层。第一无机层102和第二无机层104可以各自包括单层或多层，所述单层或多层包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机材料。
缓冲层111可以减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基底100下方渗透并且可以使基底100的顶表面平坦化。缓冲层111可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上面的材料的单层结构或多层结构。
各自包括薄膜晶体管TFT(例如主薄膜晶体管TFTm/辅助薄膜晶体管TFTa)和存储电容器Cst的主像素电路PCm和辅助像素电路PCa可以布置在缓冲层111上。主像素电路PCm可以布置在主显示区域MDA中，并且辅助像素电路PCa可以布置在组件区域CA中。主显示区域MDA的主像素电路PCm和组件区域CA的辅助像素电路PCa可以各自具有相同的结构。
在组件区域CA中，底部金属层BML可以布置在辅助像素电路PCa与基底100之间。底部金属层BML可以防止从组件40(见图2)发射或行进到组件40(见图2)的光通过在连接到辅助像素电路PCa的布线之间的狭窄间隙被衍射，或者可以改善辅助薄膜晶体管TFTa的性能。在透射区域TA中不存在底部金属层BML。作为示例，底部金属层BML可以具有与透射区域TA相对应的开口部分BMLA。也就是说，底部金属层BML的开口部分BMLA可以限定组件区域CA的透射区域TA。
底部金属层BML可以电连接到连接线CL。连接线CL可以电连接到连接到辅助像素电路PCa的线、辅助像素电路PCa的存储电容器Cst或辅助薄膜晶体管TFTa。作为示例，底部金属层BML可以电连接到辅助像素电路PCa的辅助薄膜晶体管TFTa的辅助栅极电极、源极电极或漏极电极，或者可以电连接到驱动电压线PL(见图3)或存储电容器Cst的电容器板中的一个。
如图5中所示，根据一些实施例，底部金属层BML也可以布置在主显示区域MDA中，以改善主像素电路PCm的主薄膜晶体管TFTm的性能。在这种情况下，底部金属层BML布置在主薄膜晶体管TFTm的主半导体层A1下方。此外，定位在主薄膜晶体管TFTm的主半导体层A1下方的底部金属层BML和定位在辅助薄膜晶体管TFTa的辅助半导体层下方的作为屏蔽层的底部金属层BML可以包括相同的材料并且可以具有相同的层状结构。
布置在主显示区域MDA中的主像素电路PCm的主薄膜晶体管TFTm可以包括主半导体层A1、主栅极电极G1、源极电极S1和漏极电极D1，主栅极电极G1与主半导体层A1的沟道区重叠，并且源极电极S1和漏极电极D1分别连接到主半导体层A1的源极区和漏极区。栅极绝缘层112可以布置在主半导体层A1与主栅极电极G1之间。第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115可以布置在主栅极电极G1与源极电极S1之间或者主栅极电极G1与漏极电极D1之间。
存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可以包括彼此重叠的第一电容器板CE1和第二电容器板CE2。根据一些实施例，薄膜晶体管TFT的主栅极电极G1和存储电容器Cst的第一电容器板CE1可以是一个主体。第一层间绝缘层113可以布置在第一电容器板CE1与第二电容器板CE2之间。
主半导体层A1可以包括多晶硅。根据一些实施例，主半导体层A1可以包括非晶硅。根据一些实施例，主半导体层A1可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。主半导体层A1可以包括沟道区、源极区和漏极区，源极区和漏极区掺杂有杂质。
栅极绝缘层112可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料并且可以具有包括上面的材料的单层结构或多层结构。
主栅极电极G1或第一电容器板CE1可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的低电阻导电材料，并且可以具有包括上面的材料的单层结构或多层结构。作为示例，主栅极电极G1可以具有Mo层/Al层/Mo层的三层结构。
第一层间绝缘层113可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料并且可以具有包括上面的材料的单层结构或多层结构。
第二电容器板CE2可以包括任何合适的导电材料并且可以具有包括下面的导电材料的单层结构或多层结构，所述导电材料包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。
第二层间绝缘层115可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料并且可以具有包括上面的材料的单层结构或多层结构。
源极电极S1或漏极电极D1可以包括任何合适的导电材料并且可以具有包括下面的导电材料的单层结构或多层结构，所述导电材料包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。作为示例，源极电极S1或漏极电极D1可以各自具有Ti层/Al层/Ti层的三层结构。
主像素电路PCm可以电连接到布置在主显示区域MDA中的主像素电极221m，主像素电路PCm包括主薄膜晶体管TFTm和存储电容器Cst。作为示例，如图5中所示，主像素电路PCm可以通过作为连接布线的接触金属CM电连接到主像素电极221m。
接触金属CM可以布置在第一平坦化层117上并且可以通过形成在第一平坦化层117中的接触孔连接到主像素电路PCm。接触金属CM可以包括任何合适的导电材料并且可以具有包括下面的导电材料的单层结构或多层结构，所述导电材料包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。
第一平坦化层117可以包括有机绝缘材料。第一平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机绝缘材料。第一平坦化层117的有机绝缘材料可以是光敏有机绝缘材料。
第二平坦化层118布置在接触金属CM上。第二平坦化层118可以包括有机绝缘材料。第二平坦化层118可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机绝缘材料。第二平坦化层118的有机绝缘材料可以是光敏有机绝缘材料。
主像素电极221m可以布置在第二平坦化层118上。主像素电极221m可以通过第二平坦化层118的接触孔连接到接触金属CM。
主像素电极221m可以包括反射层，所述反射层包括具有反射特性的任何合适的导电材料，所述导电材料包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物。主像素电极221m可以包括反射层以及布置在反射层上面和/或下面的透明导电层，所述反射层包括具有诸如上面的导电材料的反射材料的任何合适的导电材料。透明导电层可以包括任何合适的透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。根据一些实施例，主像素电极221m可以具有顺序地堆叠的ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。
至此，尽管对布置在主显示区域MDA中的主像素电路PCm和主像素电极221m进行了描述，但是该描述也适用于布置在组件区域CA中的辅助像素电路PCa和辅助像素电极221a。也就是说，定位在组件区域CA中的辅助像素电路PCa的辅助薄膜晶体管TFTa与主像素电路PCm的主薄膜晶体管TFTm可以具有相同或相似的结构。定位在组件区域CA中的辅助像素电极221a和主像素电极221m可以具有相同或相似的结构。在图5中示出了辅助像素电极221a通过作为连接布线的接触金属CM'电连接到辅助薄膜晶体管TFTa，辅助薄膜晶体管TFTa包括辅助半导体层和辅助栅极电极。接触金属CM的描述适用于接触金属CM'。
像素限定层119可以布置在主像素电极221m和辅助像素电极221a上。像素限定层119可以覆盖主像素电极221m和辅助像素电极221a的边缘并且可以包括与主像素电极221m和辅助像素电极221a的中央部分重叠的开口119OP。像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或酚醛树脂的有机绝缘材料。
第一功能层222a和第二功能层222c布置在像素限定层119、主像素电极221m和辅助像素电极221a上。第一功能层222a和第二功能层222c可以各自提供为一个主体以覆盖整个主显示区域MDA和整个组件区域CA。
第一功能层222a可以包括单层或多层。作为示例，在第一功能层222a包括聚合物材料的情况下，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在第一功能层222a包括低分子量材料的情况下，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
根据一些实施例，可以省略第二功能层222c。作为示例，在第一功能层222a包括聚合物材料的情况下，第二功能层222c可以布置在第一功能层222a上。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
主发射层222mb或辅助发射层222ab布置在第一功能层222a上或者第一功能层222a与第二功能层222c之间。主发射层222mb可以具有图案化以对应于主像素电极221m的形状。辅助发射层222ab可以具有图案化以对应于辅助像素电极221a的形状。主发射层222mb和辅助发射层222ab可以各自包括有机材料。主发射层222mb和辅助发射层222ab可以各自包括发射预设颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。
辅助相对电极223a布置在辅助发射层222ab上面，辅助相对电极223a与辅助像素电极221a重叠。主相对电极223m布置在主发射层222mb上面，主相对电极223m与主像素电极221m重叠。辅助相对电极223a和主相对电极223m可以提供为一个主体(例如，提供为一种连续材料)。辅助相对电极223a和主相对电极223m可以各自包括具有相对低的功函数的导电材料。作为示例，辅助相对电极223a和主相对电极223m可以包括(半)透明层，所述(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钙(Ca)或它们的合金。可替代地，辅助相对电极223a和主相对电极223m还可以各自包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层，所述层在包括上面的材料的(半)透明层上/下面。根据一些实施例，辅助相对电极223a和主相对电极223m可以各自包括银(Ag)和镁(Mg)。
顺序地堆叠的主像素电极221m、主发射层222mb和主相对电极223m的堆叠结构可以构成发光二极管，例如有机发光二极管OLED(见图4)。辅助像素电极221a、辅助发射层222ab和辅助相对电极223a的堆叠结构也可以构成发光二极管，例如有机发光二极管OLED(见图4)。有机发光二极管OLED(见图4)可以发射诸如红光、绿光或蓝光的光(例如，设定颜色光或预定颜色光)。每个有机发光二极管OLED(见图4)的发射区域对应于像素(或子像素)。作为示例，主子像素Pm(见图1A至图1C)对应于布置在主显示区域MDA中的有机发光二极管OLED(见图4)的发射区域。辅助子像素Pa(见图1A至图1C)对应于布置在组件区域CA中的有机发光二极管OLED(见图4)的发射区域。像素限定层119的开口119OP限定发射区域的尺寸和/或宽度，并且因此，主子像素Pm(见图1A至图1C)和辅助子像素Pa(见图1A至图1C)的尺寸和/或宽度可以取决于像素限定层119的开口119OP。
有机发光二极管OLED(见图4)可以被包含第一无机封装层310、第二无机封装层330以及第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320的薄膜封装层300覆盖。
参考图5的透射区域TA，基底100上的绝缘层可以分别包括形成在透射区域TA中的孔。作为示例，如图5中所示，栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113、第二层间绝缘层115、第一平坦化层117、第二平坦化层118和像素限定层119可以分别包括第一孔H1、第二孔H2、第三孔H3、第四孔H4、第五孔H5和第六孔H6，第一孔H1、第二孔H2、第三孔H3、第四孔H4、第五孔H5和第六孔H6各自布置在透射区域TA中并且彼此重叠。在这种情况下，第一功能层222a可以布置在缓冲层111上。
第一功能层222a和第二功能层222c可以各自覆盖透射区域TA。相反，辅助相对电极223a可以包括形成在透射区域TA中(在辅助像素电极221a之间)的开口223aH以改善透射区域TA的透射率。辅助相对电极223a的开口223aH可以对应于底部金属层BML的开口部分BMLA。辅助相对电极223a的开口223aH可以通过照射激光束形成。也就是说，辅助相对电极223a的开口223aH可以通过这样的方式形成：形成辅助相对电极223a以覆盖透射区域TA，并且之后将激光束照射到辅助相对电极223a的对应于透射区域TA的部分以去除相关部分。
当照射激光束以形成辅助相对电极223a的开口223aH时，激光束可以仅照射到辅助相对电极223a的预先设定的部分。为此，如上面所描述的，可以允许底部金属层BML包括开口部分BMLA。也就是说，激光束可以穿过基底100照射到底部金属层BML，并且因此，激光束可以照射到辅助相对电极223a的对应于底部金属层BML的开口部分BMLA的部分。因此，开口223aH可以形成在辅助相对电极223a中。同时地(或并发地)，底层金属层BML在照射激光束的工艺期间遮蔽激光束，并且因此，布置在底层金属层BML上的辅助像素电路PCa的元件(例如，辅助薄膜晶体管TFTa)不被激光束损坏，辅助薄膜晶体管TFTa包括辅助半导体层和辅助栅极电极。在此方面，底部金属层BML可以用作屏蔽层。
如上面所描述的，通过将激光束穿过基底100照射到底部金属层BML，在辅助相对电极223a中形成与底部金属层BML的开口部分BMLA相对应的开口223aH，并且因此，在垂直于基底100的方向上的视图中，辅助相对电极223a的开口223aH与底部金属层BML的开口部分BMLA重叠。作为屏蔽层的底部金属层BML与辅助薄膜晶体管TFTa的辅助半导体层和辅助栅极电极重叠。在组件区域CA内部存在电连接到辅助半导体层的辅助布线的情况下，底部金属层BML可以与辅助布线重叠，并且由此保护辅助布线。
尽管激光束照射到底部金属层BML的开口部分BMLA，但是激光束可能在穿过底部金属层BML的开口部分BMLA的同时被衍射，并且因此，激光束的宽度可能被稍微加宽。因此，在垂直于基底100的方向上的视图(例如，平面图)中并且结合图5，由辅助相对电极223a的开口223aH中的每一个限定的透射区域TA'的面积可以略大于与透射区域TA'相对应的由底部金属层BML的开口部分BMLA限定的透射区域TA的面积。根据情况，由辅助相对电极223a的开口223aH中的每一个限定的透射区域TA'的面积可以和与透射区域TA'相对应的由底部金属层BML的开口部分BMLA限定的透射区域TA的面积相同。
如上面所描述的，在照射激光束的工艺期间，可以去除辅助相对电极223a的向其照射有激光束的部分，但是底部金属层BML的向其照射有激光束的部分可以不被去除。为此，作为屏蔽层的底部金属层BML的材料的熔点需要高于辅助相对电极223a的材料的熔点。作为示例，底部金属层BML可以包括钼(Mo)、铜(Cu)和/或钛(Ti)。底部金属层BML可以包括来自这些材料之中的具有比辅助相对电极223a的材料的熔点高的熔点的材料。
图6是根据一些实施例的显示设备1的一部分的平面图。如图6中所示，在组件区域CA中，辅助相对电极223a包括重叠部分223aO和连接件223aC，重叠部分223aO与辅助像素电极221a(见图5)重叠，并且连接件223aC连接重叠部分223aO。如上面所描述的，辅助相对电极223a的开口223aH可以由被重叠部分223aO和连接件223aC围绕的部分限定。
作为参考，图6示出了组件区域CA内部的红色子像素Par、绿色子像素Pag和蓝色子像素Pab，并且因此，红色子像素Par、绿色子像素Pag和蓝色子像素Pab可以理解为对应于组件区域CA内部的辅助像素电极221a。如上面所描述的，在垂直于基底100的方向上的视图(例如，平面图)中，辅助相对电极223a与组件区域CA内部的辅助像素电极221a重叠。
如上面参考图5所描述的，辅助像素电极221a通过作为连接布线的接触金属CM'电连接到辅助薄膜晶体管TFTa，辅助薄膜晶体管TFTa包括辅助半导体层和辅助栅极电极。当接触金属CM'断开时，辅助薄膜晶体管TFTa与辅助像素电极221a之间的电连接变得不可能。因此，辅助相对电极223a的连接件223aC与作为连接布线的接触金属CM'重叠，并且由此，在制造工艺期间，作为连接布线的接触金属CM'可以不被激光束损坏。
图7是根据一些实施例的显示设备1的一部分的平面图并且示出了组件区域CA中的红色子像素Par、绿色子像素Pag和蓝色子像素Pab、辅助相对电极223a以及作为屏蔽层的底部金属层BML。如上面参考图5所描述的，辅助相对电极223a的开口223aH中的每一个的面积可以大于与辅助相对电极223a的开口223aH中的每一个相对应的底部金属层BML的开口部分BMLA的面积。也就是说，当相反地解释时，作为屏蔽层的底部金属层BML的面积可以等于或大于组件区域CA中的辅助相对电极223a的面积。
如上面参考图5所描述的，在垂直于基底100的方向上的视图中，由辅助相对电极223a的开口223aH中的每一个限定的透射区域TA'的面积可以略大于与透射区域TA'相对应的由底部金属层BML的开口部分BMLA限定的透射区域TA的面积。因此，在图7中示出了底部金属层BML的开口部分BMLA中的每一个布置在来自辅助相对电极223a的开口223aH之中的对应的开口223aH在底部金属层BML上的正交投影图像的内部。例如，当从垂直于基底100的顶表面的方向(或者从平面图或相对于显示表面是垂直的或正交的视图)观察时，底部金属层BML的开口部分BMLA中的每一个定位在辅助相对电极223a的开口223aH之中的对应的一个的边缘的内部。
参考图5和图7，在组件区域CA中，辅助相对电极223a包括重叠部分223aO和连接件223aC，重叠部分223aO与辅助像素电极221a重叠，并且连接件223aC连接重叠部分223aO。作为屏蔽层的底部金属层BML还可以包括主屏蔽部分BMLO和连接屏蔽部分BMLC，主屏蔽部分BMLO与辅助像素电极221a重叠，并且连接屏蔽部分BMLC连接主屏蔽部分BMLO。接触金属CM'在作为屏蔽层的底部金属层BML上的正交投影图像布置在连接屏蔽部分BMLC内部，接触金属CM'是将辅助像素电极221a电连接到辅助薄膜晶体管TFTa的连接布线。具体地，当从垂直于基底100的顶表面的方向(或者从平面图或相对于显示表面是垂直的或正交的视图)观察时，接触金属CM'定位在连接屏蔽部分BMLC内部。通过这种配置，在制造工艺期间，作为连接布线的接触金属CM'可以不被激光束损坏。
图8是根据一些实施例的显示设备1的一部分的平面图。根据本实施例的显示设备1与关于图6描述的根据实施例的显示设备1的不同之处在于，辅助相对电极223a的重叠部分223aO大致具有圆形形状。辅助相对电极223a的重叠部分223aO大致具有圆形形状，并且由此，当光从显示设备1的外部朝向组件40(见图2)行进或来自组件40(见图2)的光穿过组件40(见图2)的透射区域时，可以减少衍射的发生。如作为根据一些实施例的显示设备1的一部分的平面图的图9中所示，在垂直于基底100(见图5)的方向上的视图中，辅助相对电极223a的连接件223aC可以具有弯曲形状，并且由此，当光从显示设备1的外部朝向组件40(见图2)行进或来自组件40(见图2)的光穿过组件40(见图2)的透射区域时，可以甚至更多地减少衍射的发生。
至此，参考图1A至1C以及图2至图9，对电连接到组件区域CA内部的辅助子像素Pa的辅助像素电路PCa布置在组件区域CA中的情况进行了描述，但是根据本公开的实施例不限于此。也就是说，如作为根据一些实施例的可以包括在图1A的显示设备1中的显示面板10的平面图的图10中所示，电连接到组件区域CA内部的辅助子像素Pa的辅助像素电路PCa可以布置在外围区域NDA中。辅助像素电路PCa可以包括辅助薄膜晶体管，所述辅助薄膜晶体管包括辅助半导体层和辅助栅极电极。
即使在这种情况下，多个主子像素Pm也布置在主显示区域MDA中。此外，驱动主子像素Pm的主像素电路PCm可以布置在主显示区域MDA中，并且可以与主子像素Pm重叠。此外，驱动组件区域CA中的多个辅助子像素Pa的辅助像素电路PCa可以布置在与组件区域CA相邻的外围区域NDA中。如图3中所示，在组件区域CA布置在显示区域DA上方((+)y方向)的情况下，辅助像素电路PCa可以布置在顶部的外围区域NDA中。如图10中所示，辅助像素电路PCa可以通过在一个方向(例如，y方向)上延伸的连接布线TWL连接到实现辅助子像素Pa的显示元件。尽管在图10中示出了辅助像素电路PCa布置在组件区域CA的正上方，但是实施例不限于此。作为示例，辅助像素电路PCa可以布置在主显示区域MDA的左边(布置在(-)x方向上)或者右边(布置在(+)x方向上)。可以进行各种修改。
图11A和图11B是根据一些实施例的显示设备1的部分区的平面布置图。根据一些实施例，图11A和图11B示出了组件区域CA、主显示区域MDA的一部分以及邻近于主显示区域MDA的外围区域NDA。
参考图11A，多个主子像素Pm可以布置在主显示区域MDA中。这里，子像素是显示图像的最小单位并且表示从显示元件发射光的发射区域。在采用有机发光二极管作为显示元件的情况下，发射区域可以由像素限定层的开口限定。这与上面描述的相同。多个主子像素Pm中的每一个可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
布置在主显示区域MDA中的主子像素Pm可以包括第一子像素Pmr、第二子像素Pmg和第三子像素Pmb。第一子像素Pmr、第二子像素Pmg和第三子像素Pmb可以分别显示红色、绿色和蓝色。主子像素Pm可以以Pentile结构布置。
作为示例，第一子像素Pmr分别布置在虚拟四边形的顶点之中的第一顶点和第三顶点上，第二子像素Pmg以四边形的中心为中心，并且第三子像素Pmb分别布置在作为顶点中的剩余部分的第二顶点和第四顶点上。根据一些实施例，第二子像素Pmg的尺寸(即，发射区域)可以小于第一子像素Pmr的尺寸(即，发射区域)和第三子像素Pmb的尺寸(即，发射区域)。
这种像素排列结构被称为PenTile矩阵结构或PenTile结构。通过应用其中通过共享其邻近的像素的颜色来表示像素的颜色的渲染，可以经由少量的像素获得高分辨率。
尽管在图11A中示出了多个主子像素Pm以Pentile矩阵结构布置，但是根据本公开的实施例不限于此。作为示例，多个主子像素Pm可以以各种配置布置，诸如条纹结构、马赛克排列结构和三角形排列结构。
在主显示区域MDA中，主像素电路PCm(见图10)可以与主子像素Pm重叠并且可以在x方向和y方向上以矩阵配置布置。在本说明书中，主像素电路PCm可以表示实现一个主子像素Pm的像素电路的单位。
多个辅助子像素Pa可以布置在组件区域CA中。多个辅助子像素Pa中的每一个可以发射红光、绿光、蓝光或白光。辅助子像素Pa可以包括分别显示不同的颜色的第一子像素Par、第二子像素Pag和第三子像素Pab。第一子像素Par、第二子像素Pag和第三子像素Pab可以分别显示红色、绿色和蓝色。
组件区域CA中的每单位面积的辅助子像素Pa的数量可以小于主显示区域MDA中的每单位面积的主子像素Pm的数量。作为示例，可以以1:2、1:4、1:8和1:9的比率提供每相同面积的辅助子像素Pa的数量和每相同面积的主子像素Pm的数量。也就是说，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的大约1/2、1/4、1/8或1/9。图11A示出了组件区域CA的分辨率为主显示区域MDA的分辨率的大约1/8的情况。
布置在组件区域CA中的辅助子像素Pa可以以各种配置布置。辅助子像素Pa中的一些可以聚集以构成像素组，并且可以在像素组中以各种配置布置，诸如Pentile结构、条纹结构、马赛克排列结构和三角形排列结构。在这种情况下，布置在像素组中的辅助子像素Pa之间的距离与主子像素Pm之间的距离可以相同。
可替代地，如图11A中所示，辅助子像素Pa可以分散在组件区域CA中。也就是说，辅助子像素Pa之间的距离可以大于主子像素Pm之间的距离。组件区域CA的未布置辅助子像素Pa的区可以是具有相对高的透光率的透射区域TA。
实现辅助子像素Pa的发光的辅助像素电路PCa可以布置在外围区域NDA中。辅助像素电路PCa不布置在组件区域CA中，并且由此，组件区域CA可以确保相对较宽的透射区域TA。
辅助像素电路PCa可以通过连接布线TWL连接到辅助子像素Pa。因此，在连接布线TWL的长度增加的情况下，可能发生RC延迟，并且因此，可以通过考虑连接布线TWL的长度来布置辅助像素电路PCa。
根据一些实施例，辅助像素电路PCa可以布置在连接布置在y方向上的辅助子像素Pa的延伸线上。此外，辅助像素电路PCa可以以布置在y方向上的辅助子像素Pa的数量布置在y方向上。作为示例，在如图11A中所示，在组件区域CA中，两个辅助子像素Pa布置在y方向上的情况下，在外围区域NDA中，两个辅助像素电路PCa可以布置在y方向上。
连接布线TWL可以在y方向上延伸以将辅助子像素Pa连接到辅助像素电路PCa。当连接布线TWL连接到辅助子像素Pa时，这可以表示连接布线TWL电连接到实现辅助子像素Pa的显示元件的辅助像素电极。
扫描线SL可以包括主扫描线SLm和辅助扫描线SLa，主扫描线SLm连接到主像素电路PCm，并且辅助扫描线SLa连接到辅助像素电路PCa。主扫描线SLm可以在x方向上延伸并且可以连接到布置在相同的行上的主像素电路PCm。主扫描线SLm可以不布置在组件区域CA中。也就是说，主扫描线SLm可以与组件区域CA断开，组件区域CA在主扫描线SLm之间。在这种情况下，在组件区域CA的左边上的主扫描线SLm可以接收来自第一扫描驱动电路SDR1(见图10)的信号，并且在组件区域CA的右边上的主扫描线SLm可以接收来自第二扫描驱动电路SDR2(见图10)的信号。
辅助扫描线SLa可以在x方向上延伸并且可以连接到辅助像素电路PCa。辅助扫描线SLa可以布置在外围区域NDA中。
主扫描线SLm可以通过扫描连接线SWL连接到辅助扫描线SLa，并且因此，相同的信号可以施加到驱动布置在相同的行上的主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PCm(见图10)和PCa。扫描连接线SWL可以与主扫描线SLm和辅助扫描线SLa布置在不同的层上，并且可以通过接触孔连接到主扫描线SLm和辅助扫描线SLa。扫描连接线SWL可以布置在外围区域NDA中。
数据线DL可以包括主数据线DLm和辅助数据线DLa，主数据线DLm连接到主像素电路PCm，并且辅助数据线DLa连接到辅助像素电路PCa。主数据线DLm可以在y方向上延伸并且可以连接到布置在相同的列上的主像素电路PCm(见图10)。辅助数据线DLa可以在y方向上延伸并且可以连接到布置在相同的列上的辅助像素电路PCa。
主数据线DLm可以与辅助数据线DLa分离，组件区域CA在主数据线DLm与辅助数据线DLa之间。主数据线DLm可以通过数据连接线DWL连接到辅助数据线DLa，并且因此，相同的信号可以施加到驱动布置在相同的列上的主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PCm(见图10)和PCa。
数据连接线DWL可以绕过组件区域CA。根据一些实施例，数据连接线DWL可以与布置在主显示区域MDA中的主像素电路PCm(见图10)重叠。数据连接线DWL布置在主显示区域MDA中，并且因此，不需要确保布置数据连接线DWL的单独空间。因此，可以最小化无用空间的面积。
根据一些实施例，数据连接线DWL可以布置在主显示区域MDA与组件区域CA之间的中间区域中。
数据连接线DWL可以与主数据线DLm和辅助数据线DLa布置在不同的层上，并且可以通过接触孔连接到主数据线DLm和辅助数据线DLa。
尽管在图11A中示出了连接布线TWL从外围区域NDA到组件区域CA一体地提供在辅助子像素Pa上面，但是根据本公开的实施例不限于此。作为示例，如图11B和作为根据一些实施例的图11B的一部分的截面图的图12中所示，连接布线TWL可以包括第一连接布线TWL1和第二连接布线TWL2，第一连接布线TWL1和第二连接布线TWL2包括不同的材料。
第一连接布线TWL1可以是布置在外围区域NDA中并且连接到辅助像素电路PCa的布线。第一连接布线TWL1可以包括导电材料，并且可以具有包括下面的导电材料的单层结构或多层结构，所述导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)。可以在辅助像素电路PCa之间提供多条第一连接布线TWL1。根据一些实施例，第一连接布线TWL1可以包括布置在不同的层上的第(1-1)条连接布线TWL1a和第(1-2)条连接布线TWL1b。作为示例，第(1-1)条连接布线TWL1a和数据线DL可以定位在相同的层上并且可以包括相同的材料(见图12)。第(1-2)条连接布线TWL1b可以与第(1-1)条连接布线TWL1a分离，绝缘层(例如，第一平坦化层117)在第(1-2)条连接布线TWL1b与第(1-1)条连接布线TWL1a之间(见图12)。在平面图中，第(1-1)条连接布线TWL1a和第(1-2)条连接布线TWL1b可以布置在辅助像素电路PCa之间，并且可以至少部分地弯曲。布置在不同的层上的第(1-1)条连接布线TWL1a和第(1-2)条连接布线TWL1b可以提供为多条并且可以交替地布置在多个像素电路PCa之间的区中。
第二连接布线TWL2可以是布置在组件区域CA中并且连接在第一连接布线TWL1与组件区域CA的边缘之间的布线。第二连接布线TWL2可以包括透明的导电材料。
第一连接布线TWL1和第二连接布线TWL2可以定位在相同的层或不同的层上。在第一连接布线TWL1和第二连接布线TWL2布置在不同的层上的情况下，第一连接布线TWL1可以通过接触孔连接到第二连接布线TWL2。
第一连接布线TWL1的导电率可以高于第二连接布线TWL2的导电率。第一连接布线TWL1布置在外围区域NDA中，并且因此，不需要确保透光率。因此，第一连接布线TWL1可以采用具有低透光率和高导电率的材料。因此，可以减小连接布线TWL的电阻值。
此外，如图11B中所示，多条第二连接布线TWL2的长度可以相同。作为示例，多条第二连接布线TWL2的端部可以延伸到组件区域CA的其中布置有辅助像素电路PCa的一侧的相对侧上的边界。这是为了匹配由于第二连接布线TWL2引起的电负载。因此，可以减少组件区域CA中的亮度偏差。组件区域CA中的第二连接布线TWL2的数量和辅助像素电路PCa的数量可以相同。
如图7、图11A、图11B和图12中所示，在垂直于基底100的方向上的视图中，组件区域CA中的布线(例如，图11A中的连接布线TWL和图11B中的第二连接布线TWL2)可以与作为屏蔽层的底部金属层BML重叠。作为示例，在底部金属层BML包括主屏蔽部分BMLO和连接屏蔽部分BMLC的情况下，主屏蔽部分BMLO与辅助像素电极221a重叠，并且连接屏蔽部分BMLC连接主屏蔽部分BMLO，连接布线TWL可以与连接屏蔽部分BMLC重叠。图11A中的连接布线TWL和图11B中的第二连接布线TWL2在作为屏蔽层的底部金属层BML上的正交投影图像布置在连接屏蔽部分BMLC内部。具体地，当从垂直于基底100的顶表面的方向(或者从平面图或相对于显示表面是垂直的或正交的的视图)观察时，图11A中的连接布线TWL和图11B中的第二连接布线TWL2定位在连接屏蔽部分BMLC内部。在这种情况下，图11A中的连接布线TWL和图11B中的第二连接布线TWL2也可以与辅助相对电极223a的连接件223aC重叠。通过这种配置，在制造工艺期间，连接布线TWL可以不被激光束损坏。
至此，尽管对底部金属层BML作为屏蔽层的情况进行了描述，但是根据本公开的实施例不限于此。作为示例，如作为根据一些实施例的显示设备1的一部分的截面图的图13中所示，屏蔽层GS和辅助薄膜晶体管TFTa的辅助栅极电极G1a可以定位在相同的层上。根据一些实施例，屏蔽层GS和图5中所示的主显示区域MDA中的主薄膜晶体管TFTm的主栅极电极G1可以定位在相同的层上。这是因为图13中所示的布置在外围区域NDA中的辅助薄膜晶体管TFTa的元件中的每一个和图5中所示的布置在主显示区域MDA中的主薄膜晶体管TFTm的相应元件可以定位在相同的层上并且可以包括相同的材料。因此，屏蔽层GS、辅助薄膜晶体管TFTa的辅助栅极电极G1a和图5中所示的主薄膜晶体管TFTm的主栅极电极G1可以包括相同的材料并且可以具有相同的层结构。
屏蔽层GS可以包括多个开口部分GSA，开口部分GSA在组件区域CA中限定透射区域TA。底部金属层BML的开口部分BMLA的所有描述均适用于屏蔽层GS的开口部分GSA。然而，如图13中所示，栅极绝缘层112和第一层间绝缘层113不包括孔，第二层间绝缘层115、第一平坦化层117、第二平坦化层118和像素限定层119可以各自布置在透射区域TA中并且可以分别包括第三孔H3、第四孔H4、第五孔H5和第六孔H6。在这种情况下，在透射区域TA中，第一功能层222a可以布置在第一层间绝缘层113上。
可替代地，显示设备可以包括布置在辅助栅极电极G1a与辅助像素电极221a之间和/或图5中所示的主栅极电极G1与主像素电极221m之间的布线，并且屏蔽层GS和布线可以包括相同的材料并且可以定位在相同的层上。在这种情况下，第一功能层222a可以布置在覆盖布线的层上。
根据一些实施例，可以实现一种即使在组件区域中也可以显示图像并且被容易地制造的显示设备。然而，根据本公开的实施例的范围不受该效果限制。
应当理解的是，本文中描述的实施例应当仅被认为是描述性的，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可以用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由以下权利范围限定的精神和范围和它们的等同物的情况下，可以在其中作出形式上和细节上的各种改变。

Claims (21)

1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底，包括主显示区域、组件区域和外围区域；
多个主像素电极，在所述基底的所述主显示区域中；
多个辅助像素电极，在所述基底的所述组件区域中；
辅助相对电极，在所述辅助像素电极上面，与所述辅助像素电极重叠，且包括在所述辅助像素电极之间的多个开口；以及
屏蔽层，在所述辅助像素电极下方并且包括分别与所述辅助相对电极的所述多个开口重叠的多个开口部分。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
主相对电极，在所述主像素电极上面并且与所述主像素电极重叠。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述主相对电极连接到所述辅助相对电极。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述辅助相对电极包括多个重叠部分和连接件，所述重叠部分与所述辅助像素电极重叠，并且所述连接件连接所述重叠部分。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，在平面图中，所述连接件具有弯曲形状。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽层的熔点高于所述辅助相对电极的熔点。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽层的面积等于或大于所述辅助相对电极的面积。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在平面图中，所述开口部分中的每一个在所述开口之中的对应开口的边缘内部。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
主薄膜晶体管，在所述基底的所述主显示区域中，电连接到所述主像素电极，并且包括主半导体层和主栅极电极，
其中，所述屏蔽层和所述主栅极电极在相同的层上。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述屏蔽层和所述主栅极电极包括相同的材料。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
主薄膜晶体管，在所述基底的所述主显示区域中，电连接到所述主像素电极，并且包括主半导体层和主栅极电极；和
布线，在所述主栅极电极与所述主像素电极之间，
其中，所述屏蔽层和所述布线在相同的层上。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述屏蔽层和所述布线包括相同的材料。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
主薄膜晶体管，在所述基底的所述主显示区域中，电连接到所述主像素电极，并且包括主半导体层和主栅极电极；和
底部金属层，在所述主半导体层下方，
其中，所述屏蔽层和所述底部金属层在相同的层上。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述屏蔽层和所述底部金属层包括相同的材料。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
主薄膜晶体管，在所述基底的所述主显示区域中，电连接到所述主像素电极，并且包括主半导体层和主栅极电极；
辅助薄膜晶体管，在所述基底的所述外围区域中并且包括辅助半导体层和辅助栅极电极；以及
连接布线，将所述辅助薄膜晶体管电连接到所述辅助像素电极。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述辅助相对电极包括多个重叠部分和连接件，所述重叠部分与所述辅助像素电极重叠，并且所述连接件连接所述重叠部分，并且
所述连接件与所述连接布线重叠。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述屏蔽层包括主屏蔽部分和连接屏蔽部分，所述主屏蔽部分与所述辅助像素电极重叠，并且所述连接屏蔽部分连接所述主屏蔽部分，并且
在平面图中，在所述组件区域中，所述连接布线布置在所述连接屏蔽部分中。
18.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
主薄膜晶体管，在所述基底的所述主显示区域中，电连接到所述主像素电极，并且包括主半导体层和主栅极电极；和
辅助薄膜晶体管，在所述基底的所述组件区域中，电连接到所述辅助像素电极，并且包括辅助半导体层和辅助栅极电极，
其中，所述屏蔽层在所述辅助半导体层下方。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述屏蔽层与所述辅助半导体层和所述辅助栅极电极重叠。
20.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
辅助布线，在所述基底的所述组件区域中并且连接到所述辅助半导体层，
其中，所述屏蔽层与所述辅助布线重叠。
21.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
组件，在所述基底下方，以对应于所述组件区域。
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