JP2019078927A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】湾曲しても断線を生じないフレキシブル表示装置を実現する。【解決手段】基板11上に表示領域と駆動回路領域と湾曲領域Bが形成された表示装置であって、前記表示領域には、TFTと層間絶縁膜14、15、19、20、21が形成され、前記駆動回路領域には、第2のTFTと第2の層間絶縁膜14、15、19、20、21が形成され、前記湾曲領域Bからは、前記第1のTFT、第2のTFT、第1の層間絶縁膜14、15、19、20、21、第2の層間絶縁膜14、15、19、20、21は除去されていることを特徴とする表示装置。【選択図】図8
Description
本発明は表示装置に係り、特に表示領域外にある端子部を湾曲させることができるフレキシブル表示装置に関する。
液晶表示装置や有機EL表示装置は基板を薄くすることによって、フレキシブルに湾曲させて使用することができる。この場合、素子を形成する基板を薄いガラスあるいは薄い樹脂によって形成する。特に基板をポリイミド等の樹脂で形成すれば、よりフレキシビリティに富むディスプレイを実現することが出来る。
特許文献1には、湾曲可能な表示装置における湾曲部において、配線が断線することを防止するために、湾曲部の配線を厚くする、あるいは薄くする、又は、配線を分岐する等する構成が記載されている。
ディスプレイは形状の多様化が求められており、ポリイミド等のフレキシブル基板上に、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor,以後TFT)等を形成することによって、折り曲げ可能なディスプレイを製作することが出来る。表示装置は、多数の配線層、絶縁層等から構成されている。絶縁層は比較的硬く、小さな曲率半径で湾曲すると割れてしまう。そうすると、絶縁層の上に形成された配線も破壊し、断線を引き起こす。
本発明の課題は、湾曲可能な表示装置において、湾曲部における絶縁膜の破壊に起因する配線の断線を防止し、信頼性の高い、フレキシブル表示装置を実現することである。
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
(1)基板上に表示領域と駆動回路領域と湾曲領域が形成された表示装置であって、前記表示領域には、薄膜トランジスタと層間絶縁膜が形成され、前記駆動回路領域には、第2の薄膜トランジスタと第2の層間絶縁膜が形成され、前記湾曲領域からは、前記第1の薄膜トランジスタ、第2の薄膜トランジスタ、第1の層間絶縁膜、第2の層間絶縁膜は除去されていることを特徴とする表示装置。
(2)基板上に表示領域と駆動回路領域と湾曲領域が形成された表示装置であって、前記表示領域には、薄膜トランジスタと層間絶縁膜が形成され、前記駆動回路領域には、第2の薄膜トランジスタと第2の層間絶縁膜が形成され、前記湾曲領域からは、前記第1の薄膜トランジスタ、第2の薄膜トランジスタ、第1の層間絶縁膜、第2の層間絶縁膜は除去されて凹部が形成され、前記凹部内に端子配線が第1の方向に延在して第2の方向に配列し、断面で視て前記凹部はコーナー部を有し、前記コーナー部において、前記端子配線の下に第1の金属が島状に形成されており、前記第1の金属の前記第2の方向の幅は前記端子配線よりも大きいことを特徴とする表示装置。
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
表示領域を平面に保ち、端子部のみ湾曲させる構成とすることによって、表示装置の見易さを維持したまま、表示装置の外形を小さくすることが出来る。また、薄膜トランジスタ(以後TFT)等が多数形成されている表示領域及び駆動回路領域をフラットに保つことによって表示装置全体としての信頼性も向上する。
表示領域と共通の基板に形成された端子部を湾曲させることによって、表示装置全体としての組み立ての自由度を向上させることが出来る。一方、端子部には、駆動回路がTFTによって形成される場合がある。駆動回路にはTFTが多用されており、この部分を折り曲げることは避けたほうがよい。以後、湾曲と折り曲げは同義語として使用する。図1乃至図4は、湾曲部を避けて駆動回路が配置された例である。
図1は、端子部を湾曲することが予定されているフレキシブル表示装置の平面図である。図1は液晶表示装置の例である。図1の表示領域50には、走査線1が横方向に延在して縦方向に配列している。また、映像信号線2が縦方向に延在し、横方向に配列している。図1ではコモン線3が縦方向に配列している。但し、コモン線3からコモン電圧が給されるコモン電極は、表示領域全体に平面状に形成されている。
図1において、走査線1と映像信号線2に囲まれた領域が画素4になっており、各画素4には、スイッチングTFTが形成されている。TFTは画素電極と接続し、画素電極とコモン電極との間に液晶層LCが存在し、画素電極とコモン電極との間に保持容量CSTが形成されている。
表示領域50の両側には、走査線駆動回路である、Y−Drが配置している。また、映像信号線駆動回路X−Drが端子部に形成されているが、図1では、端子部の折り曲げ領域Bを避けるために、表示領域50からやや離れた場所に形成されている。折り曲げ領域Bの幅は例えば1乃至5mmである。映像信号線駆動回路X−Drと表示領域50は端子配線5で接続されている。端子部の端部に液晶表示装置に電源や信号を供給するためのフレキシブル配線基板FPCが接続している。
図2は図1と同じ構成であるが、映像信号線駆動回路X−Drはフレキシブル配線基板FPC内に配置されている点が異なっている。図3は、映像信号線X−Drが表示領域50と隣接して配置され、映像信号線駆動回路X−Drとフレキシブル配線基板FPCとの間に折り曲げ領域が形成されている例である。図4は、表示装置の2辺に端子部が形成されている例である。図4においても、端子部において、走査線駆動回路Y−Drおよび映像信号線駆動回路X−Drを避けて折り曲げ領域が配置している。
以後、図1の場合を例に本発明を説明するが、本発明は、図2乃至4の場合あるいは他の構成のフレキシブル表示装置についても適用可能である。図5は図1のA−A断面に相当する液晶表示装置の断面図である。図5において、左側が表示領域であり、右側が駆動回路である。表示領域と駆動回路の間が折り曲げを予定されている領域Bである。以下で説明する液晶表示装置はIPS(In Plane Switching)方式の液晶表示装置であるが、本発明は他の液晶表示装置についても適用することが出来る。
図5の表示領域には、酸化物半導体16を有するTFTが形成されている。酸化物半導体16によるTFTは、リーク電流を小さくすることが出来る。酸化物半導体16のうち光学的に透明でかつ結晶質でないものをTAOS(Transparent Amorphous Oxide Semiconductor)と呼ぶ。TAOSには、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、ZnON(Zinc Oxide Nitride)、IGO(Indium Gallium Oxide)等がある。本発明では、酸化物半導体16にIGZOを用いた例で説明する。なお、同様なTFTは駆動回路にも形成されている。
図5において、ガラス基板10の上に樹脂によるTFT基板11が形成されている。TFT基板11を構成する樹脂としては、機械的強度、耐熱性等からポリイミドが最も適している。ガラス基板10は、製造工程において必要なもので、製品が完成した後は、例えばレーザアブレーション等によって、ポリイミドで形成されたTFT基板11から除去される。TFT基板11にはバリア膜12が形成され、ポリイミドから不純物が半導体層16等を汚染することを防止する。バリア膜12は、例えば、酸化シリコン(SiO)と窒化シリコン(SiN)の積層膜で形成されている。
バリア膜12の上に金属による遮光メタル13が形成されている。遮光メタル13は、半導体層16に対してバックライトからの光を遮光し、半導体層16に光電流が生ずることを防止する。遮光メタル13を覆って窒化シリコン(SiN)によるによる第1下地膜14が形成され、その上に酸化シリコン(SiO)による第2下地膜15が形成されている。第2下地膜15の上にIGZOによる酸化物半導体16が形成されている。
酸化物半導体16の上にSiOによるゲート絶縁膜17が形成され、ゲート絶縁膜17の上にゲート電極18が形成されている。ゲート電極18は例えば、MoW、AlやTiで形成される。ゲート電極18を形成後、酸化物半導体16に対してゲート電極18をマスクとしてイオンインプランテーションによってAr等のイオンを打ち込み、または水素による還元によって酸化物半導体16にドレイン領域とソース領域を形成する。
ゲート電極18を覆ってSiOによる第1層間絶縁膜19が形成され、その上にSiNによる第2層間絶縁膜20が形成され、その上にSiOによる第3層間絶縁膜21が形成されている。その後、第1乃至第3層間絶縁膜に、スルーホール30を形成してソース領域とソース電極22を接続し、また、スルーホール31を形成してドレイン領域とドレイン電極23を接続する。
その後、ソース電極22、ドレイン電極23等を覆って有機パッシベーション膜24を形成する。有機パッシベーション膜24は平坦化膜を兼ねているので、2乃至4μmと、厚く形成される。有機パッシベーション膜24をパターニングして端子部から有機パッシベーション膜24を除去するとともに、有機パッシベーション膜24にスルーホール32を形成して、ソース電極22と後で形成される画素電極27を接続可能にする。
その後、有機パッシベーション膜24の上にコモン電極25を平面状に形成し、その上にSiNによる容量絶縁膜26を形成する。容量電極26の上に画素電極27を形成する。画素電極27の平面形状はストライプ状か櫛歯状である。画素の面積が小さい場合はストライプ状となり、画素が大きい場合は、内部にスリットを有する櫛歯状になる。容量絶縁膜26を挟んで画素電極27とコモン電極25の間に画素容量が形成される。画素電極27は有機パッシベーション膜24および容量絶縁膜26に形成されたスルーホール32を介してソース電極22と接続する。
画素電極27を覆って液晶分子301を初期配向させるための配向膜28が形成されている。配向膜28の配向処理はラビングあるいは偏光紫外線を用いた光配向が使用される。IPS方式では光配向が有利である。画素電極27に映像信号が印加されると、矢印で示すような電気力線が発生し、液晶分子301を回転させて液晶層300の透過率を制御する。
図5において、液晶層300を挟んで対向基板200が配置している。対向基板200側とTFT基板11側とはシール材150を介して接着している。そして、シール材150の内側に液晶300が封入されている。対向基板200は通常、ガラスで形成されるが、フレキシブル表示装置では、ポリイミド等の樹脂で形成する。対向基板200の内側にはカラーフィルタ201とブラックマトリクス202が形成されている。カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。オーバーコート膜203を覆って配向膜204が形成されている。配向膜204の配向処理は、TFT基板11側の配向膜28と同じである。
図5において、折り曲げ領域Bの右側には駆動回路が形成されている。駆動回路と表示領域50とは、端子配線5によって接続している。駆動回路にも多数のTFTが形成されているが、TFTの構成は表示領域で説明したのと同様である。駆動回路は表示領域と同じプロセスで形成されるので、層構成は、表示領域50において説明したのと同様である。
なお、駆動回路に形成されたTFTのソースは、スルーホール33を介して端子配線5から延在してきた回路配線6と接続している。また、駆動回路に形成されたTFTのドレインは、スルーホール34を介して回路配線7と接続している。
図6は図5のTFT基板11側において、表示領域から折り曲げ領域Bまでを表した断面図である。図6において、折り曲げ領域Bには、SiOやSiN等の無機膜で形成された絶縁層の上に表示領域と駆動回路を接続する端子配線5が形成されている。無機絶縁膜は金属膜に比べて硬いので、湾曲すると割れやすい。そうすると絶縁膜と一緒に配線が断線するという現象を生ずる。
図7はこの様子を示す断面図である。図7は、ポリイミド基板11の上に無機絶縁膜40が形成され、その上に金属による配線5が形成された構成の基板を折り曲げた場合を示す断面図である。図7において、ポリイミド基板11はフレキシブルに湾曲することが出来る。しかし、ポリイミド基板の上に形成された無機絶縁膜40は硬いので、湾曲すると割れてしまう。特に、絶縁膜40が多層になると、全体としては厚くなるので、ストレスが大きくなり、割れやすくなる。金属配線5は比較的フレキシビリティを有しているが、図7に示すように、下層の絶縁膜40が破壊すると、同時に破壊する。
図8はこれを対策する本発明の構成を示す断面図である。図8の構成は、折り曲げ領域Bの部分を除いて図5で説明した構成とほぼ同じである。図8において、折り曲げ領域Bでは、第1下地膜14、第2下地膜15、第1層間絶縁膜19、第2層間絶縁膜20、第3層間絶縁膜21の5層の無機絶縁膜が除去されている。そして、表示領域と駆動領域とは、遮光メタルを構成する金属と同じ金属で形成された端子配線5によって接続している。遮光メタル13および端子配線5を形成する金属は例えば、ゲート電極と同じMoWで形成される。あるいは、電気抵抗を小さくしたい場合は、Alを主体とした金属をTiあるいはMo等の金属でサンドイッチしたもので形成する。
図8の折り曲げ領域Bでは、ガラス基板10の上にポリイミドで形成されたTFT基板11が形成され、その上にバリア膜12が形成され、その上に端子配線5が形成されている。このうち、ガラス基板10は、最終製品では、除去される。したがって、折り曲げられるのは、ポリイミド基板11、バリア膜12および端子配線5のみである。
バリア膜12は、例えば、SiO膜とSiN膜の2層構造となっている。しかし、折り曲げ領域においては、第1下地膜14乃至第3層間絶縁膜21までの5層の膜が除去されているので、無機絶縁膜全体としての膜厚は薄くなっている。したがって、折り曲げた場合の膜に加わる応力は小さくなり、バリア膜12が破壊することは無い。したがって、バリア膜12の上に形成された端子配線5が断線することもない。
図8において、ドレイン電極23は映像信号線2と接続し、映像信号線2はスルーホール35を介して端子配線5と接続する。また、図8の駆動回路側において、端子配線5は、スルーホール36を介して回路配線6と接続する。図9における他の構成は図5で説明したのと同様である。
図9乃至図12は、図8に示す構成を実現するためのプロセスを示すTFT基板側の断面図である。図9において、バリア膜12を形成するまでは、図5で説明したプロセスと同じである。図9においては、バリア膜12の上に遮光メタル13と同時に端子配線5が形成されている。端子配線5は遮光メタル13と同じ材料で同時に形成される。
その後、第3層間絶縁膜21を形成するまでは、図5で説明したのと同じプロセスで形成される。その後、スルーホールを形成するが、図9では図5で形成されるスルーホールに加えて、折り曲げ領域Bから、第1下地膜14、第2下地膜15、第1層間絶縁膜19、第2層間絶縁膜20、第3層間絶縁膜21を除去して凹部100を形成する。なお、凹凸によるパターニング不良を防止するため画素電極27を形成後に凹部100を形成しても良い。
さらに、表示領域において、スルーホール35を、駆動回路領域において、スルーホール36を下地膜、層間絶縁膜に形成する。これによって端子配線5との接続を可能にする。
図10は、スルーホール30にソース電極22を、スルーホール31にドレイン電極23をスルーホール35に映像信号線を、スルーホール33、36に回路配線6を、スルーホール34に回路配線7を形成した状態を示す。これによって、表示領域の配線、駆動回路の配線、表示領域と駆動回路の接続を行う。
図11は表示領域、凹部100、駆動回路を覆って有機パッシベーション膜24を形成した状態を示す断面図である。有機パッシベーション膜24は、アクリル等の感光性樹脂を用いる。有機パッシベーション膜24は表示領域における平坦化膜を兼ねているので、2乃至4μmと、厚く形成される。
図12は、有機パッシベーション膜24をパターニングした状態を示す断面図である。有機パッシベーション膜24は感光性樹脂を使用しているので、フォトレジストを用いずにパターニングすることが出来る。その後、有機パッシベーション膜24を焼成する。
図13は、表示領域において、有機パッシベーション膜24の上にコモン電極25、容量絶縁膜26、画素電極27を形成し、画素電極27とソース電極22を、スルーホール32を介して接続した状態を示す断面図である。この構成は図5で説明したとおりである。
その後、対向基板200を配置し、液晶を封入することによって、図8の構成となる。このようにして、折り曲げ領域Bから複数の無機絶縁膜を除去することによって、折り曲げ領域Bにおける無機絶縁膜の破壊およびこれに伴う断線を防止することが出来るので、信頼性の高い、フレキシブル表示装置を形成することが出来る。
図14は、実施例2のTFT基板11側の構成を示す断面図である。図14が実施例1の図10と異なる点は、表示領域と駆動回路を接続する端子配線5をドレイン電極23あるいは映像信号線2と同じ配線で形成している点である。すなわち、図10ではスルーホール35によってドレイン電極23と遮光メタル13と同じ層に形成された端子配線5を接続し、スルーホール36によって回路配線6と端子配線5を接続している。これに対して図14の構成では、スルーホール35および36を省略できるので、その分、接続の信頼性を上げることが出来る。
なお、図14の凹部100のコーナー部に遮光メタル13が形成されている。これは、遮光メタル13が、実施例3で説明するように、レジスト残り対策に使用される場合もあるためであるが、凹部100のコーナー部の遮光メタル13は必須ではない。
図15は実施例3の他の例を示す断面図である。図15が図14と異なる点は、遮光メタル13とドレイン電極23あるいは映像信号線2から延在している線の2層の配線によって端子配線を構成している点である。その分、折り曲げ領域Bにおける端子配線の断線の危険を減らすことが出来る。
図16A乃至図16Cは折り曲げ領域Bに形成された凹部100における問題点を説明する図である。図16Aは折り曲げ領域Bの平面図である。図16Aにおいて、端子配線5が折り曲げ領域Bに形成された凹部100を横切ってx方向に延在し、y方向に所定のピッチで配列している。
図16Bは、図16AのB−B断面図である。図16Bに示すように、凹部100のコーナーにレジスト残り101が存在している。すなわち、凹部100は、5層の無機絶縁膜分の深い穴となっている。したがって、コーナーには露光の光が届きにくく、レジストが十分に露光されない現象が生ずる。
図16Cは、図16AのC−C断面図である。この部分には、金属で形成された端子配線5が存在している。凹部100のコーナーに金属膜が存在すると、露光時、光が金属膜から反射されるので、この反射光によって、露光の光を補うことができるので、レジストが残りにくい。
しかし、図16Aに示すように、端子配線5と端子配線5の間にレジストが残ると、このレジストによって金属あるいはITO(Indium Tin Oxide)のような透明導電膜が残される場合がある。そうすると、端子配線5間で電気的なリークが生ずることになる。したがって、レジストが残る機会はできるだけ少ない方がよい。
図17A乃至17Cは、レジスト残り101の機会を減少させる構成を示す例である。図17Aは、折り曲げ領域Bの平面図である。図17Aにおいて、端子配線5が凹部100を横切ってx方向に延在し、所定のピッチでy方向に配列している。図17Aでは、凹部100のコーナー部において、端子配線5の下側に遮光メタル13が島状に配置されている。
図17Bは、図17AのD−D断面、すなわち、島状に形成された遮光メタル13をx方向に横切る断面である。図17Bにおいて、矢印で示す、凹部100のコーナーには遮光メタル13が存在しているので、遮光メタル13からの反射によって、レジスト露光時の光を補うので、レジスト残りは存在しない。
図17Cは、図17AのE−E断面図である。図17Cにおいて、矢印で示す凹部100のコーナー部には、遮光メタル13と端子配線5の2層の金属膜が存在している。したがって、金属で形成された端子配線5からの反射によって、レジスト露光時の光を補うので、レジスト残りは存在しない。
図17AのF−F断面図は図16Bと同じように、レジストが残る危険が存在する。しかし、島状に形成された遮光メタル13上には前述の理由により不要なレジストが残らないため、端子配線5よりもy方向にはみ出し、且つ無機絶縁膜14から21に保護されていない部分の遮光メタル13をエッチングにより除去することで端子配線5間の電気的なリークを防止することができる。
図18A乃至図18Cは、本実施例におけるさらに他の形態を説明する図である。図18Aは、折り曲げ領域Bの平面図である。図18Aにおいて、端子配線5が折り曲げ領域Bに形成された凹部100を横切ってx方向に延在し、所定のピッチでy方向に配列している。図18Aでは、凹部100のコーナー部において、端子配線5の下側にバリア膜12を介して反射メタル60が幅wでy方向に延在している。この反射メタル60は、凹部100のコーナーにおけるレジスト残りを防止するものである。
図18Bは、図18AのG−G断面図である。図18Bにおいて、矢印で示す、凹部100のコーナーには反射メタル60が存在している。反射メタル60からの反射によって、レジスト露光時の光を補うので、レジスト残りは存在しない。
図18Cは、図18AのH−H断面図である。図18Cにおいて、矢印で示す凹部100のコーナー部には、端子配線5が存在している。したがって、金属で形成された端子配線5からの反射によって、レジスト露光時の光を補うので、レジスト残りは存在しない。
このように、図18A乃至図18Cの構成であれば、凹部100のコーナー部においては、露光において、すべて反射光も使用することが出来るので、レジスト残りの危険を大幅に減らすことが出来る。しかし、図18A乃至図18Cの構成は、ポリイミド基板11を形成した後、バリア膜12を形成する前に反射メタル60を形成しておく必要があるので、工程数が増える。また、反射メタル60とポリイミド基板11の密着性が問題となる場合は、反射メタル60とポリイミド基板11の間にSiO膜等を形成しておく必要がある。なお、このSiO膜を折り曲げ領域から除去しておきたい場合は、SiO膜のパターニングが必要になる。このSiOのパターニングは、反射メタル60のパターニングと同じフォトリソグラフィで行うことが出来る。
図19A乃至図19Dは実施例4を説明する図である。図19Aは実施例4の折り曲げ領域Bの平面図である。図19Aにおいて、端子配線5が凹部を横切ってx方向に延在し、所定のピッチでy方向に配列している。図19Aでは、凹部100以外の部分では、表面は第3層間絶縁膜21になっているが、凹部100内ではポリイミド基板11が表面に露出している。
図19Bは図19Aを矢印の方向から視た斜視図である。図19Bに示すように、端子配線5の下には遮光メタル13とバリア膜12が存在しているが、端子配線5以外の部分では遮光メタル13とバリア膜12が除去されて、ポリイミド基板11が露出している。すなわち、折り曲げ領域Bでは、端子配線5が形成されている部分以外では、ポリイミド基板1枚となっている。なお、図19Bの最下層のガラスは最終工程において除去される。
図19Cは図19AのI−I断面図であり、図19Dは図19AのJ−J断面図である。つまり、折り曲げ領域Bでは、端子配線5が形成されている部分以外は、ポリイミド基板11が1層となっている。したがって、バリア膜12に加わる応力は、実施例1乃至3の場合よりもさらに小さくなり、バリア膜12が破壊する危険を防止することが出来る。したがって、折り曲げた場合の端子配線5の断線の危険性をさらに小さくすることが出来る。
図20A乃至図22は、実施例5を説明する図である。図20Aは実施例1乃至3で説明した折り曲げ領域Bの平面図である。図20Aの折り曲げ領域Bにおいて、端子配線5は直線状にx方向に延在し、y方向に所定のピッチで配列している。図20BはそのK−K断面図である。図20Bにおいて、折り曲げ領域Bに形成された凹部100の内壁および底面に端子配線5が沿って延在している。
図21は、本実施例における折り曲げ領域の平面図である。図21では、端子配線5がジグザグ状にx方向に延在している。そして、所定のピッチでy方向に配列している。図21に示す折り曲げ領域の断面図は図20Bに準じた形状になっている。折り曲げた場合、配線に対するストレスは配線5が直線の場合よりもジグザク状のほうが小さくすることが出来る。
つまり端子配線5を図21の構成とすることによって、配線自体に生ずるストレスを小さくすることが出来るので、折り曲げ領域における断線の危険をより小さくすることが出来る。
図22は、本実施例の他の形態の折り曲げ領域の平面図である。図22では、端子配線5が波状にx方向に延在している。そして、所定のピッチでy方向に配列している。図22に示す折り曲げ領域の断面図は図20Bに準じた形状になっている。折り曲げた場合、配線に対するストレスは配線5が直線の場合よりも波状のほうが小さくすることが出来る。
つまり端子配線5を図22の構成とすることによって、配線自体に生ずるストレスを小さくすることが出来るので、折り曲げ領域における断線の危険をより小さくすることが出来る。
実施例1の図8等では、酸化物半導体16の下層に遮光メタル13が形成されているが、この遮光メタル13を第2ゲート電極として用いることによってTFTをデュアルゲート方式のTFTとすることが出来る。この場合、第1下地膜14と第2下地膜15はゲート絶縁膜として作用することになる。また、この場合の第2ゲート電極もTFTを構成する半導体層をバックライトから遮光する遮光メタルとしての役割を合わせ持つことになる。
以上の説明では、TFTを構成する半導体層は酸化物半導体であるとして説明したが、半導体層はポリシリコン(poly−Si)でもよいし、(アモルファスシリコン)a−Siでもよい。また、以上の説明では、本発明をIPS方式の液晶表示装置について説明したが、本発明は、他の方式の液晶表示装置に対しても同様に適用することが出来る。
さらに、本発明は、有機EL表示装置に対しても同様に適用することが出来る。有機EL表示装置においても、表示領域と駆動回路を同一の基板に形成することが行われ、また、折り曲げ領域を端子部に配置する例もあるからである。また、有機EL表示装置の断面構造も、有機パッシベーション膜の形成までは、液晶表示装置における断面図と同様だからである。
1…走査線、 2…映像信号線、 3…コモン線、 4…画素、 5…端子配線、 6…回路配線、 7…回路配線、 10…ガラス基板、 11…TFT基板(ポリイミド基板)、 12…バリア膜、 13…遮光メタル、 14…第1下地膜、 15…第2下地膜、 16…酸化物半導体、 17…ゲート絶縁膜、 18…ゲート電極、 19…第1層間絶縁膜、 20…第2層間絶縁膜、 21…第2層間絶縁膜、 22…ソース電極、 23…ドレイン電極、 24…有機パッシベーション膜、 25…コモン電極、 26…容量絶縁膜、 27…画素電極、 28…配向膜、 29…回路配線、 30〜36…スルーホール、 40…絶縁膜、 50…表示領域、 60…反射メタル、 100…凹部、 101…レジスト残り、 150…シール材、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 204…配向膜、 300…液晶層、 301…液晶分子
Claims (20)
- 基板上に表示領域と駆動回路領域と湾曲領域が形成された表示装置であって、
前記表示領域には、第1の薄膜トランジスタと第1の層間絶縁膜が形成され、
前記駆動回路領域には、第2の薄膜トランジスタと第2の層間絶縁膜が形成され、
前記湾曲領域には前記表示領域と前記駆動回路領域を接続する端子配線が形成されていることを特徴とする表示装置。 - 前記第1の層間絶縁膜は複数の無機絶縁膜で形成され、前記第2の層間絶縁膜は複数の無機絶縁膜で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1の層間絶縁膜は酸化シリコン膜と窒化シリコンを含む複数の無機絶縁膜で形成され、前記第2の層間絶縁膜は酸化シリコン膜と窒化シリコンを含む複数の無機絶縁膜で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記湾曲領域には、前記表示領域または前記駆動回路領域と接続する端子配線が前記表示領域から前記駆動回路領域への方向に沿って延在し、前記端子配線は前記表示領域から前記駆動回路領域への方向と直角方向に配列していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記湾曲領域には、前記表示領域と前記駆動回路領域を接続する端子配線が前記表示領域から前記駆動回路領域への方向に沿って延在し、前記端子配線は前記表示領域から前記駆動回路領域への方向と直角方向に配列していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1の薄膜トランジスタは第1の半導体層を含み、前記第2の薄膜トランジスタは第2の半導体層を含み、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層は酸化物半導体で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1の薄膜トランジスタは第1の半導体層を含み、前記第2の薄膜トランジスタは第2の半導体層を含み、前記端子配線は、前記第1の半導体層に対する遮光メタル及び前記第2の半導体層に対する遮光メタルと同じ材料で、同じ層に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1の薄膜トランジスタは第1のゲート電極を含み、前記第2の薄膜トランジスタは第2のゲート電極を含み、前記端子配線は、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極と同じ材料で、同じ層に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記基板はポリイミド基板であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記湾曲領域に形成された端子配線は、平面で視て、第1の方向にジグザグに延在し、前記第1の方向と直角方向に配列していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記湾曲領域に形成された端子配線は、平面で視て、第1の方向に波状に延在し、前記第1の方向と直角方向に配列していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記湾曲領域には、前記第1の薄膜トランジスタ、第2の薄膜トランジスタ、第1の層間絶縁膜、第2の層間絶縁膜は配置されないことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記表示装置は有機液晶表示装置であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記表示装置は有機EL表示装置であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の表示装置。
- 基板上に表示領域と駆動回路領域と湾曲領域が形成された表示装置であって、
前記表示領域には、第1の薄膜トランジスタと第1の層間絶縁膜が形成され、
前記駆動回路領域には、第2の薄膜トランジスタと第2の層間絶縁膜が形成され、
前記湾曲領域からは、前記第1の薄膜トランジスタ、第2の薄膜トランジスタ、第1の層間絶縁膜、第2の層間絶縁膜は除去されて凹部が形成され、
前記凹部内に端子配線が第1の方向に延在して第2の方向に配列し、
断面で視て前記凹部はコーナー部を有し、
前記コーナー部において、前記端子配線の下に第1の金属が島状に形成されており、
前記第1の金属の前記第2の方向の幅は前記端子配線よりも大きいことを特徴とする表示装置。 - 前記第1の金属は、前記第1の薄膜トランジスタに対する遮光メタル及び前記第2の薄膜トランジスタに対する遮光メタルと同じ材料で同じ層に形成されていることを特徴とする請求項15に記載の表示装置。
- 前記第1の金属は、前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極及び前記第2の薄膜トランジスタのゲート電極と同じ材料で同じ層に形成されていることを特徴とする請求項15に記載の表示装置。
- 前記端子配線は前記表示領域と前記駆動回路領域を接続していることを特徴とする請求項15に記載の表示装置。
- 基板上に表示領域と駆動回路領域と湾曲領域が形成された表示装置であって、
前記表示領域には、第1の薄膜トランジスタと第1の層間絶縁膜が形成され、
前記駆動回路領域には、第2の薄膜トランジスタと第2の層間絶縁膜が形成され、
前記湾曲領域からは、前記第1の薄膜トランジスタ、第2の薄膜トランジスタ、第1の層間絶縁膜、第2の層間絶縁膜は除去されて凹部が形成され、
前記凹部内に端子配線が第1の方向に延在して第2の方向に配列し、
断面で視て前記凹部はコーナー部を有し、
前記コーナー部において、前記端子配線の下に第1の金属が、第1の絶縁膜を介して、前記第2の方向に第1の幅を持って延在していることを特徴とする表示装置。 - 前記端子配線は、前記表示領域と前記駆動回路領域を接続するものであることを特徴とする請求項19に記載の表示装置。
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