CN113224114A - 显示设备 - Google Patents

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CN113224114A CN202110087501.8A CN202110087501A CN113224114A CN 113224114 A CN113224114 A CN 113224114A CN 202110087501 A CN202110087501 A CN 202110087501A CN 113224114 A CN113224114 A CN 113224114A
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吴相宪
李相宪
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Abstract

显示设备包括：基板，包括第一区、围绕第一区的显示区和围绕显示区的非显示区；设置在显示区中的像素；在第一方向上延伸并在第一区中断开的扫描线；在与第一方向相交的第二方向上延伸并在第一区中断开的数据线；以及将在第一区中断开的数据线电连接的数据连接线。

Description

显示设备
技术领域
一个或多个实施例涉及显示设备，且涉及包括位于显示区内的第一区的显示设备。
背景技术
近来，显示设备被用于各种领域。此外，随着显示设备的厚度和重量减小，显示设备的使用范围变宽了。
在显示设备中显示区的占用面积增大的同时，嵌入到显示设备上或与显示设备链接的功能也被添加。为了在增大显示区的面积的同时添加各种功能，已经对其中各种部件可以被布置或设置在其显示区中的显示设备进行了研究。
应当理解，该背景技术部分部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分还可以包括在本文公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的想法、概念或认识。
发明内容
提供了包括第一区的显示设备，在所述第一区中，各种类型的部件可布置或设置在显示区中。提供了其实施例，然而本公开的实施例不限于此。
另外的方面将部分地在如下的描述中阐明，并且将部分地根据描述显而易见，或可以通过所呈现的本公开实施例的实践而认识到。
根据一个或多个实施例，提供了一种显示设备，其可以包括：基板，包括第一区、围绕第一区的显示区和围绕显示区的非显示区；设置在显示区中的多个像素；在第一方向上延伸并在第一区中断开的扫描线；在与第一方向相交的第二方向上延伸并在第一区中断开的数据线；以及将在第一区中断开的数据线电连接的数据连接线。
预定数量的数据连接线可以设置在第一区中并在第二方向上延伸。
多个像素中的每一个可以包括薄膜晶体管和存储电容器，薄膜晶体管可以包括半导体层、与半导体层重叠的栅电极和电连接至半导体层的连接电极，并且存储电容器可以包括下电极和与下电极重叠的上电极。
数据线和连接电极可以设置在同一层，并且数据连接线和栅电极可以设置在同一层。
数据线和数据连接线可以通过设置在显示区中的接触孔电连接。
显示设备可以进一步包括在第一方向上延伸并在第一区中断开的发射控制线。
显示设备可以进一步包括设置在显示区中的多个绝缘层，并且多个绝缘层中的至少一个可以设置在第一区中。
显示设备可以进一步包括显示器件，显示器件电连接至薄膜晶体管并且包括：像素电极、包括对应于第一区的第一孔的对电极以及设置在像素电极和对电极之间的中间层。
显示设备可以进一步包括设置在显示器件上并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的薄膜封装层。
显示设备可以进一步包括输入感测部，输入感测部设置在薄膜封装层上并且包括感测电极、电连接至感测电极的迹线和对应于第一区的第二孔。
显示设备可以进一步包括设置在输入感测部上并且包括对应于第一区的第三孔的光学功能部。
数据线和连接电极可以设置在同一层，并且数据连接线和上电极可以设置在同一层。
显示设备可以进一步包括设置在数据线和数据连接线上的保护层，并且数据线和数据连接线可以设置在同一层。
数据连接线可以绕过第一区的边缘并且可以在第二方向上延伸。
基板可以包括聚合物树脂或玻璃。
基板可以进一步包括与第一区隔开的第二区，数据线可以在第二区中断开，并且数据连接线可以将在第二区中断开的数据线电连接。
显示设备可以进一步包括设置在第一区中并在第一方向上延伸的第一扫描连接线，并且第一扫描连接线可以将在第一区中断开的扫描线电连接。
扫描线和第一扫描连接线可以通过设置在显示区中的接触孔电连接。
扫描线可以在第二区中断开。
显示设备可以进一步包括设置在第二区中并在第一方向上延伸的第二扫描连接线，并且第二扫描连接线可以将在第二区中断开的扫描线电连接。
扫描线和第二扫描连接线可以通过设置在显示区中的接触孔电连接。
第一扫描连接线、第二扫描连接线和栅电极可以设置在同一层。
数据连接线和上电极可以设置在同一层。
根据一个或多个实施例，提供了一种显示设备，其可以包括：基板，包括第一区、围绕第一区的显示区和围绕显示区的非显示区；设置在与第一区对应的区域中的包括电子元件的部件；在第一方向上延伸并在第一区中断开的扫描线；在与第一方向相交的第二方向上延伸并在第一区中断开的数据线；设置在数据线上并且包括与第一区对应的第一孔的对电极；设置在对电极上并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的薄膜封装层；设置在薄膜封装层上并且包括与第一区对应的第二孔的输入感测部；以及设置在输入感测部上并且包括与第一区对应的第三孔的光学功能部。
显示设备可以进一步包括可将在第一区中断开的数据线电连接的数据连接线。
部件可以包括传感器或成像装置。
除上面描述的那些之外的其他方面、特征和优势将根据以下用于实施本公开的具体实施例、权利要求和附图而变得显而易见。
附图说明
本公开的实施例的以上和其他方面、特征和优势将根据以下结合附图的描述更显而易见，附图中：
图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图；
图2是根据实施例的显示设备的示意性截面图；
图3A和图3B是根据实施例的显示设备的示意性截面图；
图4是根据实施例的显示设备的示意性平面图；
图5和图6是根据实施例的示出包括在显示面板中的像素的示意性等效电路图；
图7是根据实施例的显示设备的一部分的平面图；
图8是根据实施例的显示设备的一部分的平面图；
图9是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图；
图10是根据实施例的显示设备的一部分的平面图；
图11是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图；
图12和图13是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图；
图14是根据实施例的显示设备的一部分的平面图；
图15和图16是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图；
图17和图18是根据实施例的显示设备的一部分的平面图；
图19是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图；
图20是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图；
图21是根据实施例的显示设备的输入感测部的示意性截面图；
图22是根据实施例的显示设备的输入感测部的平面图；
图23是图22的部分B的放大图；
图24是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图；
图25是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图；
图26是根据实施例的显示面板的平面图；并且
图27是根据实施例的显示设备的一部分的平面图。
具体实施例
现将详细地参考其示例在附图中例示的实施例，其中相同的附图标记始终指相同的元件。就此而言，实施例可以具有不同的形式，并且不应解释为限于本文阐明的描述。相应地，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释描述的各方面。
为了描述本公开的实施例，可以不提供与描述不相关的一些部分，并且相同的附图标记在整个说明书中指相同的元件。
如本文使用的，术语“和/或”包括相关的列举项目中的一个或多个的任意和所有组合。遍及本公开，表达“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、a、b和c的全部或其变型。
术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并可以理解成等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，为了其含义和解释的目的，短语“至少一个”旨在包括“从由……组成的组中选择的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解成意指“A、B、或者A和B”。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语的限制。这些部件仅用于区分一个部件与另一部件。例如，在一个实施例中被称为第一元件的元件可以在另一实施例中被称为第二元件，而不背离所附权利要求的范围。
除非上下文另外清楚地指示，否则如本文使用的，单数形式“一”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
应进一步理解，在本说明书中使用术语“包含”和/或其变型、“包括”和/或其变型、“具有”和/或其变型，其可以指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其任何组合的存在或添加。
当层、膜、区域、基板或区或元件被称为在另一层、膜、区域、基板或区或元件“上”时，其可以直接在另一层、膜、区域、基板或区或元件上，或者其间可存在中间层、膜、区域、基板或区或元件。相反，当层、膜、区域、基板或区或元件被称为“直接在”另一层、膜、区域、基板或区或元件“上”时，其间可以不存在中间层、膜、区域、基板或区或元件。进一步，当层、膜、区域、基板或区或元件被称为在另一层、膜、区域、基板或区或元件“下方”时，其可以直接在另一层、膜、区域、基板或区或元件下方，或者其间可以存在中间层、膜、区域、基板或区或元件。相反，当层、膜、区域、基板或区或元件被称为“直接在”另一层、膜、区域、基板或区或元件“下方”时，其间可以不存在中间层、膜、区域、基板或区或元件。进一步，“之上”或“上”可以包括位于对象上或下方，且不一定意味着基于重力的方向。
为了便于描述，本文可以使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”或“上”等来描述如附图中例示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。应当理解，空间相对术语旨在涵盖除附图中描绘的定向之外设备在使用或操作中的不同定向。例如，在附图中所示的装置被翻转的情况下，位于另一装置“下方”或“下面”的装置可以被置于另一装置“上方”。因此，例示性术语“下方”可以包括下位置和上位置两者。装置也可以以其他方向定向，并且因此空间相对术语可以根据定向进行不同的解释。
为了方便解释，可能夸大附图中部件的尺寸。换句话说，因为为了方便解释，任意地例示出附图中部件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
此外，术语“重叠”或其变型意指第一对象可以在第二对象上方或下方或侧面，并且反之亦然。此外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面对或其变型、在之上延伸、覆盖或部分覆盖或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。术语“面对”及其变型意指第一元件可以直接或间接与第二元件相对。在第三元件介于第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以理解为彼此间接相对，尽管仍然彼此面对。当元件被描述为“与另一元件不重叠”或“不与另一元件重叠”时，这可以包括这些元件彼此间隔开、彼此偏移、或在彼此旁边或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。
在说明书中，诸如“A和/或B”的表达指示A、B、或者A和B。另外，诸如“A和B中的至少一个”的表达指示A、B、或者A和B。
在以下描述的实施例中，线“在第一方向或第二方向上”延伸的描述包括线以直线延伸和以之字形或曲线延伸。
在以下的实施例中，当部件被称为“在平面上”时，应理解为从顶部观看部件，且当部件被称为“在示意性截面上”时，应理解为垂直切割并从侧面观看部件。
应当理解，当层、区域或部件被称为“连接”或“耦接”至另一层、区域或部件时，其可以“直接连接”或“直接耦接”至另一层、区域或部件，或者可以“间接连接”或“间接耦接”至另一层、区域或部件，其间插入有其他层、区域或部件。例如，应当理解，当层、区域或部件被称为“电连接”或“电耦接”至另一层、区域或部件时，其可以“直接电连接”或“直接电耦接”至另一层、区域或部件，或者可以“间接电连接”或“间接电耦接”至另一层、区域或部件，其间插入有其他层、区域或部件。
此外，当元件被称为与另一元件“接触”或其变型等时，该元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”；或者与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的局限性)，如本文使用的，“约”或“近似”包括所陈述的值，并且意指是在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以互相垂直，或者可以表示可互相不垂直的不同方向。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。另外，应进一步理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想的或过于正式的意义进行解释，除非本文明确地如此定义。
在下文，将参考附图详细描述本公开的实施例，并且附图中相同的附图标记表示相同的参考元件。
图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图。
参考图1，显示设备1可以包括第一区1A、围绕或邻近第一区1A的显示区DA以及围绕或邻近显示区DA的非显示区NDA。显示设备1可以根据从布置或设置在显示区DA中的像素P发射的光而提供图像。第一区1A可以完全被显示区DA围绕。第一区1A可以是参考图2将描述的部件20可被布置或设置的区域。
显示区DA可以被非显示区NDA围绕。第一区1A和非显示区NDA可以是可不布置或设置像素的区域，并且非显示区NDA可以是可不显示图像的区域。
在下文，将考虑显示设备1是根据实施例的有机发光显示设备，但是一个或多个实施例不限于此。在实施例中，显示设备1可以是无机发光显示(或无机EL显示)设备或量子点发光显示设备。例如，显示设备1的显示器件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点、或者无机材料和量子点。
如图1中所示，显示设备1可以包括平坦的显示表面，但是一个或多个实施例不限于此。在实施例中，显示设备1可以包括大致立方体的显示表面或大致弯曲的显示表面。
在显示设备1可以包括大致立方体的显示表面的情况下，显示设备1可以包括以不同方向定向的显示区，或可以包括例如具有大致多边形柱的显示表面。在实施例中，在显示设备1可以包括大致弯曲的显示表面的情况下，在本公开的精神和范围内，显示设备1可以实现为柔性显示设备、可折叠显示设备或可卷曲显示设备等。
图1中所示的显示设备1可以适用于移动终端。尽管未示出，但是可嵌入主板中的电子模块、摄像头模块和电源模块等可以例如与显示设备1一起被布置或设置在支架/外壳中，从而形成移动终端。在本公开的精神和范围内，根据实施例的显示设备1可以应用于大型电子设备(诸如电视或监视器)或者中型或小型电子设备(诸如平板计算机、汽车导航装置、游戏装置或智能手表等)。
如图1中所示，显示设备1的显示区DA具有矩形形状，但是显示区DA的形状可以大致采用圆形、椭圆形或诸如三角形或五边形的多边形的形式。
如图1中所示，第一区1A被提供为单个，并且其形状几乎是圆形的，但是一个或多个实施例不限于此。在本公开的精神和范围内，可以有至少两个第一区1A，并且至少两个第一区1A的形状可以变化，例如圆形、椭圆形、多边形、星形和菱形等。
图2是根据实施例的显示设备的示意性截面图。
参考图2，显示设备1可以包括显示面板10、设置在显示面板10上的输入感测部40、以及光学功能部50，并且上述的部件可以被窗口60覆盖或重叠。窗口60可以通过粘合剂层(诸如光学透明粘合剂OCA)连接或联接至设置在窗口60之下或下方的部件，例如光学功能部50。
显示面板10可以包括布置或设置在显示区DA中的显示器件。输入感测部40可以根据外部输入(例如触摸事件)获得坐标信息。输入感测部40可以包括感测电极(或触摸电极)和电连接至感测电极(或触摸电极)的迹线。输入感测部40可以设置在显示面板10上。输入感测部40可以以互电容方式或自电容方式感测外部输入。
输入感测部40可以直接形成在显示面板10上。可替代地，输入感测部40可以分离地形成，然后通过诸如OCA的粘合层连接或联接到显示面板10。在实施例中，如图2中所示，输入感测部40可以直接形成在显示面板10上，并且在这种情况下，粘合层可以不设置在输入感测部40和显示面板10之间。
光学功能部50可以包括防反射层。防反射层可以降低通过窗口60从外部入射到显示面板10的光(外部光)的反射率。防反射层可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂层型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂层型。膜型可以包括拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型可以包括以预定阵列布置或设置的液晶。延迟器和偏振器可以各自包括保护膜。
在实施例中，防反射层可以包括黑矩阵和与滤色器相关的结构。可以通过考虑分别从显示面板10的像素发射的光的颜色来布置或设置滤色器。在实施例中，防反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置或设置在不同层的第一反射层和第二反射层。可分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，并且外部光的反射率可以相应地降低。
光学功能部50可以包括透镜层。透镜层可以提高从显示面板10发射的光的输出效率，或者可以减小色度差。透镜层可以包括具有大致凸透镜或凹透镜形状的层，且/或可以包括折射率可不同的层。光学功能部50可以包括防反射层和透镜层两者，或者可以包括它们中的任何一个。
输入感测部40和光学功能部50中的每一个可以包括孔。例如，输入感测部40可以包括穿透输入感测部40的上表面和下表面的第二孔40H，并且光学功能部50可以包括穿透光学功能部50的上表面和下表面的第三孔50H。输入感测部40的第二孔40H和光学功能部50的第三孔50H可以对应于第一区1A布置或设置，并且输入感测部40的第二孔40H和光学功能部50的第三孔50H可以彼此对应。
在窗口60和光学功能部50之间的粘合剂层可以包括光学透明粘合剂OCA的情况下，粘合剂层可以不包括对应于第一区1A的孔。
部件20可以位于或设置在第一区1A中。部件20可以包括电子部件。例如，部件20可以是使用光或声音的电子部件。例如，在本公开的精神和范围内，电子部件可以包括接收和使用光的传感器(例如红外(IR)传感器)、通过接收光来捕获图像的成像器件、例如通过输出和检测光或声音来测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯或者输出声音的扬声器等。在使用光的电子部件的情况下，可以使用各种带宽的光，诸如可见光、红外线或紫外线。在实施例中，第一区1A可以是可从部件20输出到外部或者从外部接收到电子部件的光可以透射的透射区。
在实施例中，在显示设备1用作智能手表或车辆仪表板的情况下，部件20可以是指示信息(例如，车辆速度等)的时钟指针或例如指针的部件。在显示设备1可以包括时钟或车辆仪表板的指针的情况下，部件20可以通过窗口60暴露于外部，并且窗口60可以包括对应于第一区1A的开口。
如上所述，部件20可以包括可向显示设备1添加功能的部件(或多个部件)，或者可以包括可提高显示面板10的美感的部件，例如附件。
图3A和图3B是根据实施例的显示设备的示意性截面图。更详细地，图3A和图3B是沿着图1的线I-I'截取的显示设备的示意性截面图。
参考图3A，显示设备1可以包括：包括显示器件的显示面板10和设置在显示面板10下或下方并对应于第一区1A的部件20。
显示面板10可以包括基板100、设置在基板100上的显示器件层200和作为封装构件封装显示器件层200的薄膜封装层300a。显示面板10可以包括设置在基板100下或下方的下保护膜175。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。在本公开的精神和范围内，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲特性。基板100可以具有其中包括上述聚合物树脂的层和无机层(未示出)被堆叠的结构。
显示器件层200可以包括：包括薄膜晶体管TFT的像素电路、作为像素器件的有机发光二极管OLED以及其间的绝缘层IL。在显示区DA中，可以定位或设置包括薄膜晶体管TFT和电连接至薄膜晶体管TFT的有机发光二极管OLED的像素P。
显示器件层200可以被薄膜封装层300a覆盖或重叠。薄膜封装层300a可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。关于这一点，图3A示出第一无机封装层310、第二无机封装层330和其间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括从由氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)组成的组中选择的一种或多种无机绝缘材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
参考图3B，显示器件层200可以被封装基板300b覆盖或重叠。封装基板300b可以包括玻璃材料。例如，封装基板300b可以包括具有SiO2作为主要成分的玻璃材料。封装基板300b可以面对基板100或与基板100重叠，并且密封剂ST可以设置在基板100和封装基板300b之间。密封剂ST可以设置在基板100的边缘，并且可以围绕位于基板100和封装基板300b之间的整个显示器件层200。在沿垂直于基板100的上表面的方向(或在平面图上)观看显示设备1的情况下，第一区1A和显示区DA可以完全被密封剂ST围绕。
下保护膜175可以附接至基板100的底部，并且可以支撑和保护基板100。下保护膜175可以包括对应于第一区1A的开口175OP。由于下保护膜175可以包括开口175OP，所以可以提高第一区1A的透光率。下保护膜175可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。
在实施例中，第一区1A的面积可以大于部件20可定位或设置的区域的面积。因此，下保护膜175的开口175OP的面积可以与第一区1A的面积不同。例如，开口175OP的面积可以小于第一区1A的面积。
图4是根据实施例的显示面板的示意性平面图。
参考图4，形成显示面板10的部件可以设置在基板100上。基板100可以包括第一区1A、围绕第一区1A的显示区DA和围绕显示区DA的非显示区NDA。在本公开的精神和范围内，第一区1A和显示区DA可以被参考图3A和图3B描述的封装构件覆盖或重叠，并且因此可以得到保护以免受外部空气或湿气等的影响。
显示面板10可以包括布置或设置在显示区DA中的像素P。每个像素P可以包括诸如有机发光二极管的显示器件。每个像素P可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，如上所述，像素P可以理解为发射诸如红色、绿色、蓝色和白色的颜色中的任意一种颜色的光的像素。
第一区1A可以被显示区DA围绕。对应于显示面板10的第一区1A的底部，可以设置至少一个部件20。第一区1A中可以不设置像素P。如图4中所示，第一区1A被提供为单个，并且具有大致圆形的形状，但是一个或多个实施例不限于此。在本公开的精神和范围内，可以有两个第一区1A，并且每个第一区1A的形状可以大致采用圆形、椭圆形、多边形、星形或菱形等形式。
每个像素P可以电连接至布置或设置在非显示区NDA中的外部电路。在非显示区NDA中，可以布置或设置第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115、第二扫描驱动电路120、第二发射驱动电路125、端子140、第一电源线160和第二电源线170。
第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120可以通过扫描线SL分别向像素P提供扫描信号。第一发射驱动电路115和第二发射驱动电路125可以通过发射控制线EL分别向像素P提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行布置或设置，其间具有显示区DA，并且第二发射驱动电路125可以与第一发射驱动电路115平行布置或设置，其间具有显示区DA。布置或设置在显示区DA中的一些或预定数量的像素P可以电连接至第一扫描驱动电路110，并且布置或设置在显示区DA中的其他像素可以电连接至第二扫描驱动电路120。布置或设置在显示区DA中的一些或预定数量的像素P可以电连接至第一发射驱动电路115，并且布置或设置在显示区DA中的其他像素可以电连接至第二发射驱动电路125。
第一发射驱动电路115可以在第一方向(x方向)上与第一扫描驱动电路110分开，并且设置在非显示区NDA中。在实施例中，第一发射驱动电路115和第一扫描驱动电路110可以交替布置或设置在与第一方向(x方向)交叉或相交的第二方向(y方向)上。
端子140可以设置在基板100的一侧。端子140暴露于外部而没有被绝缘层覆盖或重叠，可以电连接至印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接至显示设备1的端子140。印刷电路板PCB可以将控制器(未示出)的信号或电力传输到显示面板10。控制器中产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB分别传输到第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115、第二扫描驱动电路120和第二发射驱动电路125。控制器可以通过第一连接线161向第一电源线160提供第一电源电压ELVDD(在图5中示出)，并且通过第二连接线171向第二电源线170提供第二电源电压ELVSS(在图5中示出)。第一电源电压ELVDD可以通过电连接至第一电源线160的驱动电压线PL提供给像素P，并且第二电源电压ELVSS可以提供给电连接至第二电源线170的像素P的对电极。
数据驱动电路150可以电连接至数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过电连接至端子140的连接线151和电连接至连接线151的数据线DL提供给像素P。如图4中所示，数据驱动电路150可以设置在PCB上，但是在实施例中，数据驱动电路150可以设置在基板100上。例如，数据驱动电路150可以设置在端子140与第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括可沿着第一方向(x方向)平行延伸的第一子线162和第二子线163，其间具有显示区DA。第二电源线170可以以其一侧可以是开放的大致环形的形状部分地围绕显示区DA。
图5和图6是根据实施例的显示面板中的像素中的任何一个的示意性等效电路图。
参考图5，像素P可以包括电连接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及电连接至像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以电连接至扫描线SL和数据线DL，并且响应于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn而将可通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以电连接至开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与来自开关薄膜晶体管T2的电压与供应给驱动电压线PL的第一电源电压(或驱动电压)ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以电连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压的值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过驱动电流发射具有一定亮度的光。
如图5中所示，像素电路PC可以包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是一个或多个实施例不限于此。如图6中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参考图6，像素P可以包括像素电路PC和电连接至像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst。薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst可以电连接至信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2以及驱动电压线PL。
信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL可以包括传输扫描信号Sn的扫描线SL、传输前一扫描信号Sn-1至第一初始化薄膜晶体管T4的前一扫描线SL-1、传输扫描信号Sn至第二初始化薄膜晶体管T7的后一扫描线SL+1、传输发射控制信号En至驱动控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL以及传输数据信号Dm并与扫描线SL交叉或相交的数据线DL。驱动电压线PL可以传输驱动电压ELVDD至驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1可以传输初始化电压Vint至第一初始化薄膜晶体管T4，并且第二初始化电压线VL2可以传输初始化电压Vint至第二初始化薄膜晶体管T7。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1可以电连接至存储电容器Cst的下电极CE1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1可以经由驱动控制薄膜晶体管T5电连接至驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1可以经由发射控制薄膜晶体管T6电连接至有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1可以根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm并向有机发光二极管OLED提供驱动电流IOLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2可以电连接至扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2可以电连接至数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2可以电连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1并且经由驱动控制薄膜晶体管T5电连接至驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可以响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且执行将可传输到数据线DL的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3可以电连接至扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3可以电连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1并经由发射控制薄膜晶体管T6电连接至有机发光二极管OLED的像素电极，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3可以电连接至存储电容器Cst的下电极CE1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3可以响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且通过将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1电连接来二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4可以电连接至前一扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4可以电连接至第一初始化电压线VL1，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4可以电连接至存储电容器Cst的下电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4可以响应于通过前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以将初始化电压Vint传输至驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1，从而执行对驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压进行初始化的初始化操作。
驱动控制薄膜晶体管T5的驱动控制栅电极G5可以电连接至发射控制线EL，驱动控制薄膜晶体管T5的驱动控制源电极S5可以电连接至驱动电压线PL，并且驱动控制薄膜晶体管T5的驱动控制漏电极D5可以电连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6可以电连接至发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6可以电连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6可以电连接至第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
驱动控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可以响应于通过发射控制线EL传输的发射控制信号En而同时导通，并且驱动电压ELVDD可以传输到有机发光二极管OLED。因此，驱动电流IOLED可以在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7可以电连接至后一扫描线SL+1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7可以电连接至发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7可以电连接至第二初始化电压线VL2。
由于扫描线SL和后一扫描线SL+1可以彼此电连接，因此相同的扫描信号Sn可以传输到扫描线SL和后一扫描线SL+1。所以，第二初始化薄膜晶体管T7可以响应于通过后一扫描线SL+1传输的扫描信号Sn而导通，并且可以执行对有机发光二极管OLED的像素电极进行初始化的操作。
存储电容器Cst的上电极CE2可以电连接至驱动电电压线PL，并且有机发光二极管OLED的对电极可以电连接至传输第二电源电压(或公共电压)ELVSS的线。相应地，驱动电流IOLED可以从驱动薄膜晶体管T1传输至有机发光二极管OLED，并且因此可以显示一个图像或多个图像。
图6示出补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅电极，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以具有一个栅电极。
图7是根据实施例的显示设备的一部分或区域的平面图。更详细地，图7是示出图4的放大的部分或区域A的平面图。
参考图7，根据实施例的显示设备1可以包括第一区1A和围绕第一区1A的显示区DA。像素P可以布置或设置在显示区DA中。
扫描线SL和发射控制线EL可以布置或设置在显示区DA中。扫描线SL可以分别向像素P提供扫描信号，可以在第一方向(x方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。发射控制线EL可以分别向像素P提供发射控制信号，可以在第一方向(x方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。在实施例中，因为扫描线SL和发射控制线EL可以在其间的第一区中1A断开，所以如图4中所示，第一区1A左侧的像素P可以通过电连接至第一扫描驱动电路110的扫描线SL接收扫描信号，并且可以通过电连接至第一发射驱动电路115的发射控制线EL接收发射控制信号。第一区1A右侧的像素P可以通过电连接至第二扫描驱动电路120的扫描线SL接收扫描信号，并且可以通过电连接至第二发射驱动电路125的发射控制线EL接收发射控制信号。
数据线DL可以布置或设置在显示区DA中。数据线DL可以分别向像素P提供数据信号，可以在与第一方向(x方向)交叉或相交的第二方向(y方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。可以在其间的第一区1A中断开的数据线DL可以通过布置或设置在第一区1A中并在第二方向(y方向)上延伸的数据连接线130电连接。
数据线DL和数据连接线130可以通过接触孔CNT彼此电连接，并且将数据线DL和数据连接线130电连接的接触孔CNT可以设置在显示区DA中。
图8是根据实施例的显示设备的一部分或区域的平面图。
图8的实施例与图7的实施例的不同之处可以在于，将数据线DL和数据连接线130电连接的接触孔CNT可以位于或设置在第一区1A中。图8的可与图7的结构相同的结构将不再描述，并且下文将主要描述它们之间的差异。
参考图8，根据实施例的显示设备1可以包括第一区1A和围绕第一区1A的显示区DA。像素P可以布置或设置在显示区DA中。
在显示区DA中可以布置或设置扫描线SL、发射控制线EL和数据线DL。扫描线SL可以分别向像素P提供扫描信号，可以在第一方向(x方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。发射控制线EL可以分别向像素P提供发射控制信号，可以在第一方向(x方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。数据线DL可以分别向像素P提供数据信号，可以在与第一方向(x方向)交叉或相交的第二方向(y方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。可以在其间的第一区1A中断开的数据线DL可以通过布置或设置在第一区1A中并在第二方向(y方向)上延伸的数据连接线130电连接。数据线DL和数据连接线130可以通过接触孔CNT电连接，并且将数据线DL和数据连接线130电连接的接触孔CNT可以位于或设置在第一区1A中。
图9是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性截面图，图10是根据实施例的显示设备的一部分或区域的平面图，并且图11是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性截面图。
更详细地，图9是沿着图7的线II-II'、III-III'和IV-IV'截取的显示设备的示意性截面图，图10是用于解释包括与第一区对应的第一孔的对电极的平面图，并且图11是沿着图7的线V-V'截取的显示设备的示意性截面图。
参考图9，基板100可以包括聚合物树脂。由于基板100可以包括聚合物树脂，所以显示设备1可以具有柔性、可卷曲或可弯曲特性。在实施例中，基板100可以包括第一基板100a、设置在第一基板100a上的第一阻挡层100b、设置在第一阻挡层100b上的第二基板100c和设置在第二基板100c上的第二阻挡层100d。
缓冲层101可以设置在显示区DA中的基板100上。缓冲层101可以设置在基板100上以减少或防止杂质、湿气或外部空气从基板100的底部渗透，并且可以在基板100上提供大致平坦的表面。缓冲层101可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机材料的复合材料，并且可以具有包括无机或有机材料的单层结构或多层结构。
薄膜晶体管TFT可以设置在显示区DA中的缓冲层101上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层134、与半导体层134重叠的栅电极136和电连接至半导体层134的连接电极。薄膜晶体管TFT可以电连接至有机发光二极管OLED并可以驱动有机发光二极管OLED。
半导体层134可以设置在缓冲层101上，并且可以包括与栅电极136重叠的沟道区131以及可设置在沟道区131两侧并具有比沟道区131中的杂质更高浓度的杂质的源区132和漏区133。这里，杂质可以包括N型或P型杂质。源区132和漏区133可以电连接至连接电极。
半导体层134可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。在半导体层134可以包括氧化物半导体的情况下，半导体层134可以包括例如从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种的氧化物。例如，在本公开的精神和范围内，半导体层134可以包括InSnZnO(ITZO)或InGaZnO(IGZO)等。在半导体层134可以包括硅半导体的情况下，半导体层134可以包括例如非晶硅(a-Si)或从a-Si结晶的低温多晶硅(LTPS)。
第一绝缘层103可以设置在显示区DA的半导体层134上。第一绝缘层103可以包括从由SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2组成的组中选择的至少一种无机绝缘材料。第一绝缘层103可以包括包含一种或多种上述无机绝缘材料的单层或多层。
在显示区DA的第一绝缘层103上可以设置栅电极136。栅电极136可以包括从由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中选择的至少一种金属。栅电极136可以电连接至向栅电极136传输电信号的栅线。
在显示区DA的栅电极136上可以设置第二绝缘层105。第二绝缘层105可以包括从由SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2组成的组中选择的至少一种无机绝缘材料。第二绝缘层105可以是包括一种或多种上述无机绝缘材料的单层或多层。
在显示区DA的第一绝缘层103上可以设置存储电容器Cst。存储电容器Cst可以包括下电极144和与下电极144重叠的上电极146。存储电容器Cst的下电极144可以与薄膜晶体管TFT的栅电极136重叠并且可以一体布置或设置。在实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠，并且下电极144可以是与薄膜晶体管TFT的栅电极136隔开的部件。
存储电容器Cst的上电极146可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以是包括一种或多种上面列出的材料的单层或多层。
在显示区DA的上电极146上可以设置第三绝缘层107。第三绝缘层107可以包括从由SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2组成的组中选择的至少一种无机绝缘材料。第三绝缘层107可以是包括一种或多种上述无机绝缘材料的单层或多层。
在显示区DA的第三绝缘层107上可以布置或设置数据线DL、下驱动电压线PL1以及是连接电极的源电极137和漏电极138。
数据线DL、下驱动电压线PL1、源电极137和漏电极138可以各自包括诸如Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以包括包含一种或多种上述材料的单层或多层。数据线DL、下驱动电压线PL1、源电极137和漏电极138可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。在实施例中，数据线DL、下驱动电压线PL1、源电极137和漏电极138可以包括相同或类似的材料。
在显示区DA的数据线DL、下驱动电压线PL1、源电极137和漏电极138上可以设置第一平坦化层111。第一平坦化层111可以是包括有机材料或无机材料的单层或多层。第一平坦化层111可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基-醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。第一平坦化层111可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
在显示区DA的第一平坦化层111上可以设置上驱动电压线PL2和接触金属层CM。上驱动电压线PL2和接触金属层CM可以包括Al、Cu或Ti等，并且可以各自是单层或多层。上驱动电压线PL2和接触金属层CM可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。在实施例中，上驱动电压线PL2和接触金属层CM可以包括相同或类似的材料。
上驱动电压线PL2可以电连接至穿透第一平坦化层111的接触孔，并且可以防止通过驱动电压线PL提供的驱动电压ELVDD下降。
接触金属层CM可以通过穿透第一平坦化层111的接触孔电连接至薄膜晶体管TFT，并且像素电极210可以通过穿透第二平坦化层113的接触孔电连接至接触金属层CM。
在显示区DA的上驱动电压线PL2和接触金属层CM上可以设置第二平坦化层113。第二平坦化层113可以是包括有机材料或无机材料的单层或多层。第二平坦化层113可以包括诸如BCB、聚酰亚胺、HMDSO、PMMA或PS的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基-醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。第二平坦化层113可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
在第二平坦化层113上可以设置包括像素电极210、中间层220和对电极230的有机发光二极管OLED。像素电极210可以通过穿透第二平坦化层113的接触孔电连接至接触金属层CM，接触金属层CM可以通过穿透第一平坦化层111的接触孔电连接至薄膜晶体管TFT，并且因此有机发光二极管OLED可以电连接至薄膜晶体管TFT。
在第二平坦化层113上可以设置像素电极210。像素电极210可以是透明(半透明)电极或反射电极。像素电极210可以包括反射层和形成或设置在反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu和其组合。透明或半透明电极层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种。像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层180可以设置在第二平坦化层113上，并且可以包括开口，通过该开口可以暴露像素电极210的至少一些或预定数量的部分或区域。通过像素限定层180的开口暴露的部分或区域可以被定义为发射区EA。发射区EA周围的区域可以是非发射区NEA，并且非发射区NEA可以围绕发射区EA。例如，显示区DA可以包括发射区EA和围绕发射区EA的非发射区NEA。像素限定层180可以增大像素电极210的上部与对电极230之间的距离，因此可以防止在像素电极210的边缘产生电弧。像素限定层180可以包括例如有机绝缘材料(诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO或酚醛树脂)，并且可以通过使用旋涂方法或在本公开的精神和范围内的其他方法来形成。
中间层220可以设置在其至少一部分或区域可被像素限定层180暴露的像素电极210上。中间层220可以包括发射层220b，并且在发射层220b上和下或下方，可以选择性设置第一功能层220a和第二功能层220c。
第一功能层220a可以包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，并且第二功能层220c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
发射层220b可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料的有机材料。发射层220b可以包括低分子有机材料或高分子有机材料。
在发射层220b可以包括低分子有机材料的情况下，中间层220可以具有单层结构或其中可以堆叠HIL、HTL、发射层、EIL和ETL的堆叠结构，并且可以包括作为低分子有机材料的各种有机材料，诸如酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。这种层可以通过使用真空沉积方法来形成。
在发射层220b可以包括高分子有机材料的情况下，中间层220可以主要具有包括HTL和发射层的结构。在这种情况下，HTL可以包括PEDOT，并且发射层可以包括高分子有机材料，诸如聚对苯乙炔(PPV)类材料和聚芴类材料。在本公开的精神和范围内，发射层可以通过使用丝网印刷方法、喷墨印刷方法或激光诱导热成像(LITI)方法等形成。
可设置在发射层220b上和下或下方的第一功能层220a和第二功能层220c可以通过使用开口掩模一体形成在整个显示面板10之上。设置在第一区1A中的功能层可以通过激光去除。由于去除了第一区1A中的功能层，因此第一区1A的透射率可以增大。
在中间层220上可以设置对电极230。对电极230可以设置在中间层220上，并且可以覆盖中间层220或与中间层220重叠。对电极230可以位于显示区DA中，并且可以覆盖整个显示区DA或与整个显示区DA重叠。例如，对电极230可以通过使用开口掩模一体形成或设置在整个显示面板10上，以覆盖显示区DA中的像素P或与显示区DA中的像素P重叠。
参考图10，对电极230可以包括对应于第一区1A的第一孔230H。例如，当通过激光去除第一区1A中的对电极230时，可以形成第一孔230H。由于对电极230的对应于第一区1A的第一孔230H，可以提高第一区1A的透射率。
返回参考图9，对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极230可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金的透明(半透明)层。可替代地，对电极230可以包括位于包括上述材料的透明(半透明)层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层300a覆盖或重叠。薄膜封装层300a可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，薄膜封装层300a可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和其间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2、SiO2、SiNx和/或SiON。有机封装层320可以包括聚合物类材料。在本公开的精神和范围内，聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。例如，在本公开的精神和范围内，有机封装层320可以包括丙烯酸类树脂，例如甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸等。
在第一区1A的基板100上可以设置缓冲层101。第一区1A的缓冲层101可以是显示区DA中的缓冲层101的至少一些或预定数量的部分或区域可连续设置在第一区1A中的区域。例如，设置在显示区DA中的缓冲层101可以连续设置在第一区1A中。
在第一区1A的缓冲层101上可以设置第一绝缘层103。第一区1A的第一绝缘层103可以是显示区DA中的第一绝缘层103的至少一些或预定数量的部分可连续设置在第一区1A中的区域。例如，设置在显示区DA中的第一绝缘层103可以连续设置在第一区1A中。
在第一区1A的第一绝缘层103上可以设置数据连接线130。数据连接线130可以设置在第一区1A中，可以在第二方向(y方向)上延伸，并且可以将可在其间的第一区1A中断开的数据线DL电连接。数据连接线130可以与栅电极136设置在同一层，并且可以包括与栅电极136相同或类似的材料。
在第一区1A的数据连接线130上可以设置第二绝缘层105。第一区1A的第二绝缘层105可以是显示区DA中的第二绝缘层105的至少一些或预定数量的部分可连续设置在第一区1A中的区域。例如，显示区DA中的第二绝缘层105可以连续设置在第一区1A中。
在第一区1A的第二绝缘层105上可以设置第三绝缘层107。第一区1A的第三绝缘层107可以是显示区DA中的第三绝缘层107的至少一些或预定数量的部分可连续设置在第一区1A中的区域。例如，设置在显示区DA中的第三绝缘层107可以连续设置在第一区1A中。
在设置在第一区1A中的第三绝缘层107上可以设置薄膜封装层300a。薄膜封装层300a可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，薄膜封装层300a可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和其间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2、SiO2、SiNx和/或SiON。有机封装层320可以包括聚合物类材料。在本公开的精神和范围内，聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。例如，在本公开的精神和范围内，有机封装层320可以包括丙烯酸类树脂，例如甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸等。
在第一区1A中可以不设置可设置在显示区DA中的第一平坦化层111和第二平坦化层113。由于第一平坦化层111和第二平坦化层113可以不设置在第一区1A中，所以可以提高第一区1A的透射率。
参考图11，数据线DL和数据连接线130可以通过穿透第二绝缘层105和第三绝缘层107的接触孔CNT彼此电连接。由于数据连接线130可以通过穿透第二绝缘层105和第三绝缘层107的接触孔CNT将可在其间的第一区1A中断开的数据线DL电连接，所以数据信号可以传输到第一区1A上侧的像素P。
图12和图13是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图。更详细地，图12是沿着图7的线II-II'、III-III'和IV-IV'截取的显示设备的示意性截面图，并且图13是沿着图7的线V-V'截取的显示设备的示意性截面图。
图12的实施例与图9的实施例的不同之处可以在于，数据连接线130可以设置在第二绝缘层105上。图12的可与图9的结构相同的结构将不再描述，并且下文将主要描述它们之间的差异。
参考图12，缓冲层101可以设置在第一区1A的基板100上，第一绝缘层103可以设置在缓冲层101上，并且第二绝缘层105可以设置在第一绝缘层103上。第一区1A的缓冲层101、第一绝缘层103和第二绝缘层105可以是显示区DA的缓冲层101、第一绝缘层103和第二绝缘层105可连续设置在第一区1A中的区域。
在第一区1A的第二绝缘层150上可以设置数据连接线130。数据连接线130可以设置在第一区1A中，在第二方向(y方向)上延伸，并且将可在其间的第一区1A中断开的数据线DL电连接。数据连接线130可以与存储电容器Cst的上电极146位于同一层，并且可以包括与存储电容器Cst的上电极146相同或类似的材料。
第三绝缘层107可以设置在第一区1A的数据连接线130上，并且薄膜封装层300a可以设置在第三绝缘层107上。
参考图13，数据线DL和数据连接线130可以通过穿透第三绝缘层107的接触孔CNT电连接。由于数据连接线130通过穿透第三绝缘层107的接触孔CNT将可在其间的第一区1A中断开的数据线DL电连接，所以数据信号可以传输到布置或设置在第一区1A上侧的像素P。
图14是根据实施例的显示设备的一部分或区域的平面图，并且图15和图16是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性截面图。更详细地，图14是示出图4的显示设备的放大的部分或区域A的平面图，图15是沿着线图14的线II-II'、III-III'和IV-IV'截取的显示设备的示意性截面图，并且图16是沿着图14的线V-V'截取的显示设备的示意性截面图。
图14至图16的实施例与图7、图9和图11的实施例的不同之处可以在于，数据线DL和数据连接线130可以设置在同一层。图14至图16的可与图7、图9和图11的结构相同的结构将不再描述，并且下文将主要描述它们之间的差异。
参考图14，扫描线SL和发射控制线EL可以设置在显示区DA中。扫描线SL可以分别向像素P提供扫描信号，可以在第一方向(x方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。发射控制线EL可以分别向像素P提供发射控制信号，在第一方向(x方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。
在显示区DA中，可以布置或设置数据线DL。数据线DL可以在与第一方向(x方向)交叉或相交的第二方向(y方向)上延伸，并且可以分别向像素P提供数据信号。在第一区1A中，可以设置数据连接线130。数据连接线130可以在第二方向(y方向)上延伸，并且可以电连接至数据线DL。数据连接线130和数据线DL可以在同一层，并且可以包括相同或类似的材料。数据连接线130和数据线DL可以在同一层彼此电连接。例如，数据连接线130和数据线DL可以一体形成。
参考图15，保护层109可以设置在显示区DA的数据线DL、下驱动电压线PL1、源电极137和漏电极138上。保护层109可以包括从由SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2组成的组中选择的至少一个无机绝缘层。保护层109可以是包括一种或多种上述无机绝缘材料的单层或多层。
缓冲层101可以设置在第一区1A的基板100上，第一绝缘层103可以设置在缓冲层101上，第二绝缘层105可以设置在第一绝缘层103上，并且第三绝缘层107可以设置在第二绝缘层105上。第一区1A的缓冲层101、第一绝缘层103、第二绝缘层105和第三绝缘层107可以是设置在显示区DA中的缓冲层101、第一绝缘层103、第二绝缘层105和第三绝缘层107可连续设置在第一区1A中的区域。
数据连接线130可以设置在第一区1A的第三绝缘层107上。数据连接线130可以设置在第一区1A中，在第二方向(y方向)上延伸，并且将可在其间的第一区1A中断开的数据线DL电连接。数据连接线130可以与数据线DL位于同一层并且包括相同或类似的材料。在实施例中，数据连接线130和数据线DL可以一体形成。
保护层109可以设置在第一区1A的数据连接线130上，并且薄膜封装层300a可以设置在保护层109上。第一区1A的保护层109可以是设置在显示区DA中的保护层109可连续设置在第一区1A中的区域。
参考图16，数据线DL可以设置在显示区DA的第三绝缘层107上，并且数据连接线130可以设置在第一区1A的第三绝缘层107上。数据线DL和数据连接线130可以电连接。由于数据连接线130将可在其间的第一区1A中断开的数据线DL电连接，所以数据信号可以传输到布置或设置在第一区1A上侧的像素P。在实施例中，数据线DL和数据连接线130可以一体形成在同一层。
保护层109可以设置在显示区DA中的数据线DL和第一区1A中的数据连接线130上。第一区1A中的保护层109可以是设置在显示区DA中的保护层109的至少一些或预定数量的部分可连续设置在第一区1A中的区域。
图17和图18是根据实施例的显示设备的一部分的平面图，并且图19是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图。更详细地，图17和图18是示出图4的显示设备的放大的部分或区域A的平面图，并且图19是沿着图17的线II-II'、III-III'和IV-IV'截取的显示设备的示意性截面图。
图17和图18的实施例与图7和图14的实施例的不同之处可以在于，数据连接线130可以绕过第一区1A的外周界，并且图19的实施例与图9的实施例的不同之处可以在于，薄膜封装层300a可以直接设置在第一区1A的基板100上。图17至图19的可与图7、图9和图14的结构相同的结构将不再描述，并且下文将主要描述它们之间的差异。
参考图17，数据线DL可以布置或设置在显示区DA中。数据线DL可以分别向像素P提供数据信号，可以在与第一方向(x方向)交叉或相交的第二方向(y方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。可以在其间的第一区1A中断开的数据线DL可以通过绕过第一区1A的周界并在第二方向(y方向)上延伸的数据连接线130电连接。
数据线DL和数据连接线130可以通过接触孔CNT电连接，并且将数据线DL和数据连接线130电连接的接触孔CNT可以设置在显示区DA中。
由于数据连接线130可以通过接触孔CNT电连接至可在其间的第一区1A中断开的数据线DL，所以数据信号可以传输到布置或设置在第一区1A上侧的像素P。
在实施例中，数据连接线130与薄膜晶体管TFT的栅电极136(见图19)可以位于同一层并且可以包括相同或类似的材料，与存储电容器Cst的上电极146(见图19)可以位于同一层并且可以包括相同或类似的材料，或者与上驱动电压线PL2(见图19)可以位于同一层并且可以包括相同或类似的材料。例如，数据连接线130与数据线DL可以位于同一层并且可以包括相同或类似的材料。
参考图18，数据线DL可以布置或设置在显示区DA中。数据线DL可以在与第一方向(x方向)交叉或相交的第二方向(y方向)上延伸，并且可以分别向像素P提供数据信号。数据连接线130可以设置在显示区DA中。数据连接线130可以布置或设置在第一区1A和像素P之间。数据连接线130可以绕过第一区1A的边缘，并且可以在第二方向(y方向)上延伸。绕过第一区1A的外周界的数据连接线130可以电连接至数据线DL。数据连接线130与数据线DL可以位于同一层并且可以包括相同或类似的材料。数据连接线130和数据线DL可以位于同一层并且可以彼此电连接。例如，数据连接线130和数据线DL可以一体形成。
参考图19，第一区1A的基板100可以包括第一基板100a、设置在第一基板100a上的第一阻挡层100b、设置在第一阻挡层100b上的第二基板100c以及设置在第二基板100c上的第二阻挡层100d，并且薄膜封装层300a可以设置在第一区1A的基板100上。更详细地，当接触孔在显示区DA中形成时，可以同时去除可设置在第一区1A的基板100上的缓冲层101、第一绝缘层103、第二绝缘层105和第三绝缘层107，并且因此薄膜封装层300a可以直接设置在第一区1A的基板100上。在实施例中，当接触孔在显示区DA中形成时，也可以去除第二基板100c和第二阻挡层100d。
设置在第一区1A中的绝缘层可以在其中在显示区DA中形成接触孔的工艺期间去除，以将薄膜封装层300a直接设置在基板100上，并且因此可以提高第一区1A的透射率。
图20是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性截面图。
图20的实施例与图9的实施例的不同之处可以在于，基板100可以包括玻璃，而不是包括包含聚合物树脂的第一基板100a和第二基板100c。图20的可与图9的结构相同的结构将不再描述，并且下文将主要描述它们之间的差异。
参考图20，基板100可以包括玻璃。例如，基板100可以包括主要成分可以是SiO2的玻璃。由于显示面板10的基板100可以包括玻璃，所以可以减少或可以防止杂质、湿气或外部空气从基板100的底部渗透。
图21是根据实施例的显示设备的输入感测部的示意性截面图。
参考图21，根据实施例的输入感测部40可以包括第一触摸绝缘层410、第一导电层CL1、第二触摸绝缘层430、第二导电层CL2和第三触摸绝缘层450。第一导电层CL1和第二导电层CL2可以各自具有单层结构或多层结构。单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括Mo、Ag、Ti、Cu、Al及其合金。透明导电层可以包括诸如ITO、IZO、ZnO或ITZO的透明导电氧化物。透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线和石墨烯。
具有多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以各自具有例如Ti/Al/Ti的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
第一导电层CL1和第二导电层CL2可以各自包括多个图案。下文，第一导电层CL1可以包括第一导电图案，并且第二导电层CL2可以包括第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案可以包括图22中所示的感测电极和信号线。
感测电极的堆叠结构和材料可以通过考虑感测灵敏度来确定。RC延迟可以影响感测灵敏度，并且因为包括金属层的感测电极可以具有比透明导电层小的电阻，所以RC值可以减小。所以，限定在感测电极之间的电容器的充电时间可以减少。与金属层相比，用户可能看不到包括透明导电层的感测电极，并且电容可以根据输入面积的增加而增大。
如下所述，包括金属层的感测电极可以具有网格形状，以便不被用户看到。
第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450可以各自具有单层结构或多层结构。第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450可以各自包括无机材料、有机材料或复合材料。
作为示例实施例，第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450中的至少任何一个可以包括无机层。无机层可以包括Al2O3、TiO2、SiO2、SiON、ZrO2和HfO2中的至少一种。
作为示例实施例，第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450中的至少任何一个可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和二萘嵌苯类树脂中的至少任何一种。
图22是根据实施例的显示设备的输入感测部的示意性平面图，并且图23是图22的显示设备的放大的部分或区域B的示意图。
参考图22，输入感测部40可以包括第一感测电极IE1-1至IE1-5、电连接至第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一信号线SL1-1至SL1-5、第二感测电极IE2-1至IE2-4以及电连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-4。
根据实施例的输入感测部40从第一导电层CL1(见图21)形成第一感测电极IE1-1至IE1-5，并且从第二导电层CL2(见图21)形成第二感测电极IE2-1至IE2-4。图22示出其中第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4具有大致网格形状的示例。在实施例中，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以各自具有Ti/Al/Ti的三层结构。
尽管未示出，但是输入感测部40可以包括设置在第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4之间的边界区域中的光学虚设电极。关于这一点，输入感测部40可以包括由第一导电层CL1形成的第一虚设电极(未示出)和由第二导电层CL2形成的第二虚设电极(未示出)。
第一虚设电极可以通过接触孔电连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二感测部分SP2。第二虚设电极可以通过接触孔电连接至第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一感测部分SP1。第一虚设电极和第二虚设电极可以减小第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4的电阻。
第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每一个可以包括第一感测部分SP1和第一连接部分CP1。第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每一个可以包括第二感测部分SP2和第二连接部分CP2。第一感测部分SP1中的可设置在第一感测电极两端的两个第一感测部分SP1可以具有比中心处的第一感测部分SP1更小的尺寸，例如一半。第二感测部分SP2中的可设置在第二感测电极两端的两个第二感测部分SP2可以具有比中心处的第二感测部分SP2更小的尺寸，例如一半。
如图22中所示，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4具有：具有预定形状的图案。然而，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4的形状不限于此。在实施例中，图22示出其中第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以具有大致菱形形状的示例，但是一个或多个实施例不限于此。第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以具有其他大致多边形的形状。在另一实施例中，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有不可区分的形状(例如，大致条形)。
单个第一感测电极中的第一感测部分SP1可以在第一方向(x方向)上布置或设置，并且单个第二感测电极中的第二感测部分SP2可以在第二方向(y方向)上布置或设置。第一连接部分CP1可以分别电连接邻近的第一感测部分SP1，并且第二连接部分CP2可以分别电连接邻近的第二感测部分SP2。
第一信号线SL1-1至SL1-5可以分别电连接至第一感测电极IE1-1至IE1-5的一端。第二信号线SL2-1至SL2-4可以分别电连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的两端。在实施例中，第一信号线SL1-1至SL1-5也可以分别电连接至第一感测电极IE1-1至IE1-5的两端。在实施例中，第二信号线SL2-1至SL2-4也可以分别电连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的一端。
与其中输入感测部40包括分别电连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的一端的第二信号线SL2-1至SL2-4的比较例相比，可以提高感测灵敏度。因为第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有比第一感测电极IE1-1至IE1-5更长的长度，所以检测信号(或传输信号)的电压可能下降，并且感测灵敏度可能相应地降低。根据实施例，因为检测信号(或传输信号)可以通过分别电连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的两个端部的第二信号线SL2-1至SL2-4来提供，所以可以通过防止检测信号(或传输信号)的电压降来防止感测灵敏度的降低。
第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可以包括线部分SL-L和焊盘部分SL-P。
参考图22和图23，在实施例中，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有大致网格形状。由于第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4具有大致网格形状，所以与对电极230的寄生电容可以减小。如下所述，因为第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以不与发射区EA-R、EA-G和EA-B重叠，所以用户可看不到显示设备的输入感测部40。
具有大致网格形状的第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以包括可应用低温工艺的Ag、Al、Cu、Cr、Ni或Ti等。然而，一个或多个实施例不限于此。尽管输入感测部40可通过使用连续工艺形成，也可以防止对有机发光二极管OLED的损伤。
图23示出第一感测部分SP1，但是第二感测部分SP2可以具有与第一感测部分SP1大致相同的结构。第一感测部分SP1可以不与发射区EA-R、EA-G和EA-B重叠，并且可以与非发射区NEA重叠。
第一感测部分SP1的网格线可以限定网格孔OPR、OPG和OPB(下文称为网格孔)。网格线可以各自具有Ti/Al/Ti的三层结构。网格孔OPR、OPG和OPB可以与发射区EA-R、EA-G和EA-B一一对应。
示出了网格孔OPR、OPG和OPB可以与发射区EA-R、EA-G和EA-B一一对应。然而，一个或多个实施例不限于此。网格孔OPR、OPG和OPB中的每一个可以对应于两个或更多个发射区。如图23中所示，网格孔OPR、OPG和OPB的平面形状可以是菱形，对应于发射区EA-R、EA-G和EA-B的形状。然而，一个或多个实施例不限于此。网格孔OPR、OPG和OPB的平面形状可以是可不同于菱形的多边形，例如具有圆角的多边形。
图24是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性截面图。
图24的实施例与图9的实施例的不同之处可以在于，输入感测部40可以设置在显示区DA的薄膜封装层300a上。图24的可与图9的结构相同的结构将不再描述，并且下文将主要描述它们之间的差异。
参考图24，输入感测部40可以设置在显示区DA中的薄膜封装层300a上。例如，第一触摸绝缘层410可以设置在薄膜封装层300a上，第一导电层CL1可以设置在第一触摸绝缘层410上，第二触摸绝缘层430可以设置在第一导电层CL1上，第二导电层CL2可以设置在第二触摸绝缘层430上，并且第三触摸绝缘层450可以设置在第二导电层CL2上。
在第一区1A的薄膜封装层300a上可以不设置可设置在显示区DA中的输入感测部40。由于输入感测部40没有设置在第一区1A中，所以可以提高第一区1A的透射率。
图25是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性截面图。
图25的实施例与图24的实施例的不同之处可以在于，输入感测部40的第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层430可以设置在第一区1A中。图25的可与图24的结构相同的结构将不再描述，并且下文将主要描述它们之间的差异。
参考图25，输入感测部40的第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层430可以设置在第一区1A的薄膜封装层300a上。例如，输入感测部40的第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层430可以设置在薄膜封装层300a的第二无机封装层330的上表面上。
图26是根据实施例的显示面板的示意性平面图。
图26的实施例与图4的实施例的不同之处可以在于，基板100可以包括与第一区1A隔开的第二区2A。图26的可与图4的结构相同的结构将不再描述，并且下文将主要描述它们之间的差异。
参考图26，基板100可以包括第一区1A、第二区2A以及围绕第一区1A和第二区2A的显示区DA。第一区1A和第二区2A可以彼此隔开。第一区1A和第二区2A可以被显示区DA围绕。对应于显示面板10的第一区1A和第二区2A的底部部分，可以设置至少一个部件20(图2)。在第一区1A和第二区2A中，可以不设置像素P。如图25中所示，可以有一个第一区1A和一个第二区2A，并且第一区1A和第二区2A的形状可以是圆形。然而，一个或多个实施例不限于此。
图27是根据实施例的显示设备的一部分或区域的平面图。
图27的实施例与图7的实施例的不同之处可以在于，可以包括可与第一区1A隔开的第二区2A。图27的可与图7的结构相同的结构将不再描述，并且下文将主要描述它们之间的差异。
参考图27，根据实施例的显示设备1可以包括第一区1A、第二区2A以及围绕第一区1A和第二区2A的显示区DA。在显示区DA中，可以布置或设置像素P。
在显示区DA中，可以布置或设置扫描线SL、发射控制线EL和数据线DL。扫描线SL可以分别向像素P提供扫描信号，可以在第一方向(x方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。可以在其间的第一区1A中断开的扫描线SL可以通过布置或设置在第一区1A中并在第一方向(x方向)上延伸的第一扫描连接线122电连接。在实施例中，扫描线SL和第一扫描连接线122可以通过接触孔CNT电连接，并且将扫描线SL和第一扫描连接线122电连接的接触孔CNT可以布置或设置在显示区DA中。尽管未示出，但是扫描线SL和第一扫描连接线122可以位于同一层，并且可以包括相同或类似的材料。例如，扫描线SL和第一扫描连接线122可以一体形成。
扫描线SL可以分别向像素P提供扫描信号，可以在第一方向(x方向)上延伸，并且可以在其间的第二区2A中断开。可以在其间的第二区2A中断开的扫描线SL可以通过布置或设置在第二区2A中并在第一方向(x方向)上延伸的第二扫描连接线126电连接。在实施例中，扫描线SL和第二扫描连接线126可以通过接触孔CNT电连接，并且将扫描线SL和第二扫描连接线126电连接的接触孔CNT可以位于或设置在显示区DA中。尽管未示出，但是扫描线SL和第二扫描连接线126可以位于同一层，并且可以包括相同或类似的材料。例如，扫描线SL和第二扫描连接线126可以一体形成。
在实施例中，扫描线SL可以与上电极146(见图9)位于同一层，并且第一扫描连接线122和第二扫描连接线126可以与栅电极136(见图9)位于同一层。在实施例中，扫描线SL可以与栅电极136(见图9)位于同一层，并且第一扫描连接线122和第二扫描连接线126可以与栅电极136(见图9)位于同一层。
发射控制线EL可以分别向像素P提供发射控制信号，可以在第一方向(x方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A中断开。可以在其间的第一区1A中断开的发射控制线EL可以通过布置或设置在第一区1A中并在第一方向(x方向)上延伸的第一发射控制连接线124电连接。在实施例中，发射控制线EL和第一发射控制连接线124可以位于同一层，并且可以包括相同或类似的材料。例如，发射控制线EL和第一发射控制连接线124可以一体形成。尽管未示出，但是发射控制线EL和第一发射控制连接线124可以通过接触孔CNT电连接，并且将发射控制线EL和第一发射控制连接线124电连接的接触孔CNT可以位于或设置在显示区DA中。
发射控制线EL可以分别向像素P提供发射控制信号，可以在第一方向(x方向)上延伸，并且可以在其间的第二区2A中断开。可以在其间的第二区2A中断开的发射控制线EL可以通过布置或设置在第二区2A中并在第一方向(x方向)上延伸的第二发射控制连接线128电连接。在实施例中，发射控制线EL和第二发射控制连接线128可以位于同一层，并且包括相同或类似的材料。例如，发射控制线EL和第二发射控制连接线128可以一体形成。尽管未示出，但是发射控制线EL和第二发射控制连接线128可以通过接触孔CNT电连接，并且将发射控制线EL和第二发射控制连接线128电连接的接触孔CNT可以位于或设置在显示区DA中。
在实施例中，发射控制线EL可以与栅电极136(见图9)位于同一层，并且第一发射控制连接线124和第二发射控制连接线128可以与栅电极136(见图9)位于同一层。在实施例中，发射控制线EL可以与上电极146(见图9)位于同一层，并且第一发射控制连接线124和第二发射控制连接线128可以与栅电极136(见图9)位于同一层。
数据线DL可以分别向像素P提供数据信号，可以在与第一方向(x方向)交叉或相交的第二方向(y方向)上延伸，并且可以在其间的第一区1A和第二区2A中断开。可以在其间的第一区1A中断开的数据线DL可以通过布置或设置在第一区1A中并在第二方向(y方向)上延伸的数据连接线130电连接。可以在其间的第二区2A中断开的数据线DL可以通过布置或设置在第二区2A中并在第二方向(y方向)上延伸的数据连接线130电连接。
数据线DL和数据连接线130可以通过接触孔CNT电连接，并且将数据线DL和数据连接线130电连接的接触孔CNT可以位于或设置在显示区DA中。
在实施例中，数据线DL可以与源电极137(见图9)和漏电极138(见图9)位于同一层，并且数据连接线130可以与上电极146(见图9)位于同一层。
在现有的显示设备中，在凹槽可以形成或设置在包括聚合物材料的基板中并且基板的一些或预定数量的部分可以通过激光去除的情况下，显示器件可能由于诸如湿气的外部杂质而损伤，并且因此出现了诸如显示设备的可靠性降低的问题。
本公开是为了解决上述问题，并且根据本公开的一个或多个实施例，代替了采用其中可以在包括聚合物材料的基板中形成或设置凹槽并且可以通过激光去除基板的部分的结构，可以减少可布置或设置在成像装置可位于或设置在其中的第一区中的线和绝缘层，以提高显示设备的可靠性，并且同时防止由于外部杂质而损伤显示器件。
如上所述，根据本公开的一个或多个实施例，可以实现防止由于与第一区有关的诸如湿气的外部杂质而损伤显示器件并且具有提高的可靠性的显示设备。然而，本公开的范围不限于上述效果。
应当理解，本文所述的实施例应该仅被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域技术人员将理解，在不背离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (26)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基板，包括第一区、围绕所述第一区的显示区和围绕所述显示区的非显示区；
设置在所述显示区中的多个像素；
在第一方向上延伸并在所述第一区中断开的扫描线；
在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并在所述第一区中断开的数据线；以及
将在所述第一区中断开的所述数据线电连接的数据连接线。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中预定数量的所述数据连接线设置在所述第一区中并在所述第二方向上延伸。
3.如权利要求2所述的显示设备，其中
所述多个像素中的每一个包括薄膜晶体管和存储电容器，
所述薄膜晶体管包括半导体层、与所述半导体层重叠的栅电极和电连接至所述半导体层的连接电极，并且
所述存储电容器包括下电极和与所述下电极重叠的上电极。
4.如权利要求3所述的显示设备，其中
所述数据线和所述连接电极设置在同一层，并且
所述数据连接线和所述栅电极设置在同一层。
5.如权利要求2所述的显示设备，其中
所述数据线和所述数据连接线通过接触孔电连接，并且
所述接触孔设置在所述显示区中。
6.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括在所述第一方向上延伸并在所述第一区中断开的发射控制线。
7.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括设置在所述显示区中的多个绝缘层，
其中所述多个绝缘层中的至少一个设置在所述第一区中。
8.如权利要求3所述的显示设备，进一步包括显示器件，所述显示器件电连接至所述薄膜晶体管并且包括：
像素电极；
对电极，包括对应于所述第一区的第一孔；以及
中间层，设置在所述像素电极和所述对电极之间。
9.如权利要求8所述的显示设备，进一步包括薄膜封装层，所述薄膜封装层设置在所述显示器件上并且包括：
至少一个无机封装层；和
至少一个有机封装层。
10.如权利要求9所述的显示设备，进一步包括输入感测部，所述输入感测部设置在所述薄膜封装层上并且包括：
感测电极；
电连接至所述感测电极的迹线；和
对应于所述第一区的第二孔。
11.如权利要求10所述的显示设备，进一步包括光学功能部，所述光学功能部设置在所述输入感测部上并且包括对应于所述第一区的第三孔。
12.如权利要求3所述的显示设备，其中
所述数据线和所述连接电极设置在同一层，并且
所述数据连接线和所述上电极设置在同一层。
13.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括设置在所述数据线和所述数据连接线上的保护层，
其中所述数据线和所述数据连接线设置在同一层。
14.如权利要求1所述的显示设备，其中所述数据连接线绕过所述第一区的边缘并在所述第二方向上延伸。
15.如权利要求1所述的显示设备，其中所述基板包括聚合物树脂或玻璃。
16.如权利要求3所述的显示设备，其中
所述基板进一步包括与所述第一区隔开的第二区，
所述数据线在所述第二区中断开，并且
所述数据连接线将在所述第二区中断开的所述数据线电连接。
17.如权利要求16所述的显示设备，进一步包括设置在所述第一区中并在所述第一方向上延伸的第一扫描连接线，
其中所述第一扫描连接线将在所述第一区中断开的所述扫描线电连接。
18.如权利要求17所述的显示设备，其中
所述扫描线和所述第一扫描连接线通过接触孔电连接，并且
所述接触孔设置在所述显示区中。
19.如权利要求17所述的显示设备，其中所述扫描线在所述第二区中断开。
20.如权利要求19所述的显示设备，进一步包括设置在所述第二区中并在所述第一方向上延伸的第二扫描连接线，
其中所述第二扫描连接线将在所述第二区中断开的所述扫描线电连接。
21.如权利要求20所述的显示设备，其中
所述扫描线和所述第二扫描连接线通过接触孔电连接，并且
所述接触孔设置在所述显示区中。
22.如权利要求20所述的显示设备，其中所述第一扫描连接线、所述第二扫描连接线和所述栅电极设置在同一层。
23.如权利要求16所述的显示设备，其中所述数据连接线和所述上电极设置在同一层。
24.一种显示设备，所述显示设备包括：
基板，包括第一区、围绕所述第一区的显示区和围绕所述显示区的非显示区；
包括电子元件的部件，设置在对应于所述第一区的区域中；
在第一方向上延伸并在所述第一区中断开的扫描线；
在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并在所述第一区中断开的数据线；
对电极，设置在所述数据线上并且包括对应于所述第一区的第一孔；
薄膜封装层，设置在所述对电极上并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；
输入感测部，设置在所述薄膜封装层上并且包括对应于所述第一区的第二孔；以及
光学功能部，设置在所述输入感测部上并且包括对应于所述第一区的第三孔。
25.如权利要求24所述的显示设备，进一步包括将在所述第一区中断开的所述数据线电连接的数据连接线。
26.如权利要求24所述的显示设备，其中所述部件包括传感器或成像装置。
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