CN112992980A - 显示装置 - Google Patents

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金在弘
郑铉澔
金仙花
金孝珉
丁憙星
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种具有改善的图像质量特性的显示装置，包括：基板，该基板包括透射区域和由像素限定层限定的发射区域；显示元件，该显示元件包括至少部分地由像素限定层暴露的像素电极、布置在像素电极上的中间层和布置在中间层上的相对电极；布置在显示元件上的薄膜封装层，该薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；以及外部光吸收层，该外部光吸收层至少部分地与发射区域重叠并且布置在薄膜封装层上。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月13日提交的韩国专利申请第10-2019-0167133号的优先权和权益，该申请通过引用在此并入以用于所有目的，如同在本文中完全阐述。
技术领域
本发明的示例性实施方式/实施一般涉及显示装置，并且更具体地，涉及具有改善的图像质量特性的显示装置。
背景技术
在显示装置中，有机发光显示装置由于其具有宽视角、优异的对比度和快响应速度的优点而作为下一代显示装置受到关注。
显示装置包括多个像素，该多个像素接收电信号并发射光以便将图像显示到外部。像素中的每一个包括发光装置。例如，有机发光显示装置包括有机发光二极管作为发光装置。一般而言，有机发光显示装置包括在基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管，并且有机发光二极管通过自身发射光来操作。
近来，随着显示装置的用途已经多样化，它们不仅用于比如移动电话和电视机的产品，而且还用于比如汽车的产品的显示单元。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景，并且，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的一个或多个实施/实施方式，显示装置包括：基板，该基板包括透射区域和由像素限定层限定的发射区域；显示元件，该显示元件包括至少部分地由像素限定层暴露的像素电极、布置在像素电极上的中间层和布置在中间层上的相对电极；布置在显示元件上的薄膜封装层，该薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；以及外部光吸收层，该外部光吸收层至少部分地与发射区域重叠并且布置在薄膜封装层上。
像素限定层可以包括暴露像素电极的至少一部分的第一开口，并且外部光吸收层可以包括暴露薄膜封装层的至少一部分的第二开口。
像素限定层中的第一开口可以具有第一宽度，并且外部光吸收层中的第二开口可以具有小于第一宽度的第二宽度。
外部光吸收层可以具有约0.5μm至约3μm的厚度，并且可以布置在薄膜封装层上。
薄膜封装层可以包括布置在显示元件上的第一无机封装层、布置在第一无机封装层上的有机封装层和布置在有机封装层上的第二无机封装层。
外部光吸收层可以直接布置在第二无机封装层上。
显示装置可以进一步包括布置在像素限定层上的间隔件，其中间隔件和像素限定层包括相同的材料。
显示装置可以进一步包括：布置在外部光吸收层上的偏振板；以及布置在偏振板上并且彼此间隔第一距离的多个光控制膜。
多个光控制膜中的每一个可以与平面的第一轴形成第一倾斜角，该平面包括在第一方向上延伸的第一轴和在与第一方向相交的第二方向上延伸的第二轴，并且多个光控制膜中的每一个可以布置在偏振板上。
第一倾斜角可以为30度或更小。
第一距离可以为约35μm至约55μm。
多个光控制膜中的每一个可以具有约80μm至约120μm的厚度，并且可以布置在偏振板上。
相对电极的至少一部分可以朝向透射区域延伸。
根据本发明的一个或多个实施/实施方式，显示装置包括：基板，该基板包括透射区域和由像素限定层限定的发射区域；显示元件，该显示元件包括至少部分地由像素限定层暴露的像素电极、布置在像素电极上的中间层和布置在中间层上的相对电极；布置在显示元件上的薄膜封装层，该薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；布置在薄膜封装层上的外部光吸收层；以及布置在外部光吸收层上并且彼此间隔第一距离的多个光控制膜。
像素限定层可以包括暴露像素电极的至少一部分的第一开口，并且外部光吸收层可以包括暴露薄膜封装层的至少一部分的第二开口。
像素限定层中的第一开口可以具有第一宽度，并且外部光吸收层中的第二开口可以具有小于第一宽度的第二宽度。
外部光吸收层可以至少部分地与发射区域重叠并且可以布置在薄膜封装层上。
显示装置可以进一步包括布置在外部光吸收层和多个光控制膜之间的偏振板。
多个光控制膜中的每一个可以与平面的第一轴形成第一倾斜角，该平面包括在第一方向上延伸的第一轴和在与第一方向相交的第二方向上延伸的第二轴，并且多个光控制膜中的每一个可以布置在偏振板上。
第一倾斜角可以为30度或更小。
除了上述方面、特征和优点以外的其他方面、特征和优点将从详细描述、权利要求和附图中显而易见。
应当理解，前面的一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
包括所附附图以提供对本发明的进一步理解，并且所附附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，所附附图示出了本发明的示例性实施方式，并且与描述一起用于解释发明构思。
图1为示意性地示出根据本文描述的实施方式的显示装置的透视图。
图2为示意性地示出根据本文描述的实施方式的显示装置的一部分的平面图。
图3和图4为可以包括在根据本文描述的实施方式的显示装置中的像素的等效电路图。
图5A和图5B为示出根据本文描述的实施方式的显示装置中的显示区域的一部分的平面图。
图6为示意性地示出根据实施方式的显示装置的截面图。
图7A和图7B为示出根据本文描述的实施方式的显示装置中的显示区域的一部分的平面图。
图8为示意性地示出根据本文描述的实施方式的显示装置的截面图。
具体实施方式
在以下描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以便提供对本发明的各种示例性实施方式或实施的透彻理解。如本文使用的“实施方式”和“实施”是可互换的词语，其是采用本文公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可在没有这些具体细节的情况下或在用一个或多个等效布置的情况下实践各种示例性实施方式。在其他情况下，以框图形式示出熟知的结构和装置，以避免不必要地混淆各种示例性实施方式。此外，各种示例性实施方式可能不同，但是不必是排他性的。例如，在不背离本发明构思的情况下，一个示例性实施方式的具体形状、构造和特性可在另一个示例性实施方式中使用或实施。
一般在所附附图中提供交叉影线和/或阴影的使用以使邻近元件之间的边界清楚。这样，除非表明，否则存在或缺少交叉影线或阴影都不表达或指示对元件的特定材料、材料性质、维度、比例、示出的元件之间的共性，和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在所附附图中，为了清楚起见和/或描述性目的，元件的尺寸和相对尺寸可被放大。当可以不同地实施示例性实施方式时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地进行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。而且，相同的附图标记表示相同的元件。当元件，比如层，被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、直接连接至或直接联接至另一元件或层，或可存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为了该目的，术语“连接”可指用或不用中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴，比如x轴、y轴和z轴，并且可在更广泛的意义上来解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。
本公开通篇中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、所有的a、b和c，或其变型。
将理解，尽管比如“第一”和“第二”的术语在本文中可用于描述各种组件，但是这些组件不应受到这些术语的限制，并且这些术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。而且，如本文所使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
空间相对术语，比如“下方”、“下面”、“之下”、“下”、“上面”、“上”、“之上”、“更高”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等，可在本文中用于描述性目的，并且从而用于描述如附图中示出的一个元件与另一个元件(多个元件)的关系。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的定向之外的使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果将附图中的设备翻转，描述为在其他元件或特征“下面”或“下方”的元件则将随之定向在其他元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“下面”可涵盖上面和下面的两种定向。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且，这样，相应地解释本文使用的空间相对描述符。
本文使用的术语是为了描述特定实施方式的目的，并且不旨在是限制性的。而且，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，表明存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。还要注意，如本文所使用，术语“基本上”、“约”和其他类似术语，用作近似的术语而不用作程度的术语，并且，这样，用于解释本领域普通技术人员会认识的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。参考作为理想的示例性实施方式和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示，本文中描述了各种示例性实施方式。这样，应预料到由于例如制造技术和/或公差造成的与图示的形状的不同。因此，本文公开的示例性实施方式不应必须解释为限于特定的所示出的区域的形状，而是解释为包括例如由于制造造成的形状的偏差。如此，附图中示出的区域本质上可为示意性的，并且这些区域的形状可能不反映装置的区域的实际形状，并且这样，不一定旨在是限制性的。
除非另外限定，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。术语，比如常用词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的语境下的含义一致的含义，并且不应以理想的或过于正式的意义解释，除非本文明确如此限定。
现在将详细参考实施方式，其示例在所附附图中示出，其中，通篇相同的附图标记指相同的元件。就此而言，本实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面通过参考图只是描述实施方式以解释本描述的方面。
图1为示意性地示出根据本文描述的实施方式的显示装置1的透视图。
参考图1，显示装置1可以包括显示区域DA和布置在显示区域DA周围的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素P发射的光来提供图像，并且非显示区域NDA可以为不显示图像的区域。
尽管有机发光显示装置被描述为根据实施方式的显示装置1的示例，但是本公开的显示装置不限于此。在实施方式中，本公开的显示装置1可以为无机发光显示装置(或无机电致发光(EL)显示装置)，或者可以为比如量子点发光显示装置的显示装置。例如，包括在显示装置1中的显示元件的发射层可以包括有机材料，可以包括无机材料，可以包括量子点，可以包括有机材料和量子点，或者可以包括无机材料和量子点。
尽管图1示出了具有平坦的显示表面的显示装置1，但是本公开不限于此。在实施方式中，显示装置1可以包括三维显示表面或弯曲的显示表面。
当显示装置1包括三维显示表面时，显示装置1可以包括指示不同方向的多个显示区域，并且可以包括例如多边形柱状显示表面。在实施方式中，当显示装置1包括弯曲的显示表面时，显示装置1可以实施为各种形式，比如柔性、可折叠和可卷曲的显示装置。
图1示出了可以应用于移动电话终端的显示装置1。尽管未示出，但是可以通过将安装在主板上的电子模块、照相机模块和电力模块等与显示装置1一起布置在支架/壳体等中来构造移动电话终端。根据本公开的显示装置1可以应用于大型电子设备(比如电视机或监视器)以及小型和中型电子设备(比如平板电脑、汽车导航、游戏机或智能手表)。特别地，显示装置1可以用作抬头显示器(HUD)。
尽管图1示出了其中显示装置1的显示区域DA为四边形的情况，但是显示区域DA的形状也可以为圆形、椭圆形或多边形(比如三角形或五边形)。
图2为示意性地示出根据本文描述的实施方式的显示装置1的一部分的平面图。
参考图2，显示装置1可以包括布置在显示区域DA中的多个像素P。多个像素P中的每一个可以包括显示元件，比如有机发光二极管OLED(见图3)。多个像素P中的每一个可以通过有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。如上所述，本文使用的像素P将被理解为发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种的像素。
每个像素P可以电连接至布置在非显示区域NDA中的外部电路。第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170可以布置在非显示区域NDA中。
第一扫描驱动电路110可以经由扫描线SL向每个像素P提供扫描信号。第一发射驱动电路115可以经由发射控制线EL向每个像素P提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行地布置，显示区域DA在第二扫描驱动电路120和第一扫描驱动电路110之间。布置在显示区域DA中的像素P中的一些可以电连接至第一扫描驱动电路110，并且其余的像素P可以电连接至第二扫描驱动电路120。在实施方式中，第二发射驱动电路(未示出)可以与第一发射驱动电路115平行地布置，显示区域DA在第二发射驱动电路和第一发射驱动电路115之间。
第一发射驱动电路115可以在第一方向(即，x方向)上与第一扫描驱动电路110间隔开并且布置在非显示区域NDA中。在实施方式中，第一发射驱动电路115可以在第二方向(即，y方向)上与第一扫描驱动电路110交替地布置。
端子140可以布置在基板100的一侧中。端子140可以被绝缘层(未示出)覆盖。在如图2示出的其他实施方式中，端子140可以不被绝缘层覆盖。端子140可以被暴露并且因此可以电连接至印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接至显示装置1的端子140。印刷电路板PCB可以配置为将控制器(未示出)的信号或电力传送至显示装置1。由控制器(未示出)产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB传送至第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115和第二扫描驱动电路120中的每一个。控制器可以分别经由第一连接线161和第二连接线171将第一电源电压ELVDD(见图3)和第二电源电压ELVSS(见图3)提供至第一电源线160和第二电源线170。第一电源电压ELVDD可以经由连接至第一电源线160的驱动电压线PL提供至像素P，并且第二电源电压ELVSS可以提供至连接至第二电源线170的像素P的相对电极。
数据驱动电路150电连接至数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以经由连接至端子140的连接线151和连接至连接线151的数据线DL提供至每个像素P。
图2示出了数据驱动电路150布置在印刷电路板PCB上。然而，在可替换的实施方式中，数据驱动电路150可以布置在基板100上。例如，数据驱动电路150可以布置在端子140和第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括在第一方向(即，x方向)上彼此平行地延伸的第一子线162和第二子线163，显示区域DA在第一子线162和第二子线163之间。第二电源线170可以具有环形(其具有邻近端子140的一个敞开侧)的形状，并且可以部分地围绕显示区域DA。
图3和图4为可以包括在根据本文描述的实施方式的显示装置1中的像素P的等效电路图。
参考图3，每个像素P包括连接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC和连接至像素电路PC的显示元件，例如，有机发光二极管OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接至扫描线SL和数据线DL，并且配置为将数据信号Dm传送至驱动薄膜晶体管T1。根据经由扫描线SL输入的扫描信号Sn，经由数据线DL输入数据信号Dm。
存储电容器Cst连接在开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL之间。存储电容器Cst配置为存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供应至驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流IOLED。驱动电流IOLED还影响存储在存储电容器Cst中的电压值。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流IOLED发射具有某一亮度的光。
在图3中，像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器。然而，本公开不限于此。如图4中示出，像素电路PC可以包括多个比如七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参考图4，每个像素P包括像素电路PC和连接至像素电路PC的显示元件，例如，有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和一个存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以连接至扫描线SL和SL-1、信号线EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
在图4中，每个像素P连接至扫描线SL和SL-1、信号线EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。然而，本公开不限于此。在实施方式中，扫描线SL和SL-1、信号线EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL中的至少一条可以由相邻像素共享。
多个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线包括：配置为传输扫描信号Sn的扫描线SL，配置为将前扫描信号Sn-1传输至第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的前扫描线SL-1，以及配置为将发射控制信号En传输至操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL。信号线还包括与扫描线SL相交并且配置为传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL配置为将驱动电压ELVDD传输至驱动薄膜晶体管T1。初始化电压线VL配置为传输初始化电压Vint以初始化驱动薄膜晶体管T1和有机发光二极管OLED的像素电极。
参考图4的等效电路图的连接方案，驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1。驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1经由操作控制薄膜晶体管T5连接至下驱动电压线，即，驱动电压线PL。驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1经由发射控制薄膜晶体管T6电连接至有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据配置为向有机发光二极管OLED供应驱动电流IOLED的开关薄膜晶体管T2的开关操作来接收数据信号Dm。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2连接至扫描线SL，并且开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2连接至数据线DL。开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1。开关漏电极D2还经由操作控制薄膜晶体管T5连接至下驱动电压线，即，驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并进行开关操作，以将数据信号Dm通过数据线DL传输至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3连接至扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1。补偿源电极S3还经由发射控制薄膜晶体管T6连接至有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，以使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1彼此电连接，并使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接至前扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4连接至第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4根据通过前扫描线SL-1传输的前扫描信号Sn-1而导通。第一初始化薄膜晶体管T4配置为将初始化电压Vint传输至驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1，并且进行初始化操作以初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1处的电压。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5连接至发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5连接至下驱动电压线，即，驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6连接至发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3。发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6电连接至第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可以根据通过发射控制线EL传输的发射控制信号En同时导通，并配置为将驱动电压ELVDD传输至有机发光二极管OLED并允许驱动电流IOLED流入有机发光二极管OLED中。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接至前扫描线SL-1。第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7连接至发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7连接至第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7根据通过前扫描线SL-1传输的前扫描信号Sn-1而导通，以初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
图4示出了其中第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接至前扫描线SL-1的示例。然而，本公开不限于此。在实施方式中，第一初始化薄膜晶体管T4可以连接至前扫描线SL-1以根据前扫描信号Sn-1操作，并且第二初始化薄膜晶体管T7可以连接至单独的信号线(例如，后扫描线)以根据传输至单独的信号线的信号操作。
存储电容器Cst的第二存储电容器极板Cst2连接至驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的相对电极连接至公共电压，即，第二电源电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED来发射光以显示图像。
在图4中，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅电极，但是实施方式不限于此。补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以各自具有一个栅电极。
图5A和图5B为示出根据本文描述的实施方式的显示装置1中的显示区域DA的一部分的平面图。图6为示意性地示出根据本文描述的实施方式的显示装置1的截面图。
更具体地，图5A和图5B为图2的显示区域DA的部分A的放大图，并且图6为沿着图5A的线I-I'截取的截面图。
参考图5A和图6，根据示例性实施方式的显示装置1的基板100可以包括其中布置像素P并且发射光的发射区域EA以及其中没有布置像素P并且不发射光的透射区域TA。为了改善显示装置1的透射率，透射区域TA的面积可以大于像素P的面积。像素P可以包括显示元件，比如有机发光二极管，以发射具有红色、绿色、蓝色或白色波长的光。在实施方式中，如图5A中示出，三个像素P可以布置为对应于一个透射区域TA，并且如图5B中示出，四个第一像素P1、两个第二像素P2和两个第三像素P3可以布置为对应于一个透射区域TA。在这种情况下，第一像素P1可以发射具有蓝色波长的光，第二像素P2可以发射具有绿色波长的光，并且第三像素P3可以发射具有红色波长的光。
外部光吸收层350可以布置在像素P和透射区域TA之间、像素P之间，并且沿着透射区域TA的外围。外部光吸收层350可以布置在薄膜封装层300上，但是为了便于描述和说明，在图5A中省略了薄膜封装层300。外部光吸收层350可以包括被配置为吸收光的黑色树脂或染料等。
在现有的显示装置1中，外部光可以从布置在像素限定层180的倾斜部分IP上的相对电极230(图6中示出)和透射区域TA附近的布线反射，并且由于反射光而发生外部光反射莫尔现象。当使用显示装置1时，反射光的莫尔现象可能妨碍用户的观察。
如本文中按照示例性实施方式所描述的，外部光吸收层350可以布置为与像素限定层180的倾斜部分IP和在透射区域TA周围的布线重叠(覆盖像素限定层180的倾斜部分IP和在透射区域TA周围的布线)，以便阻挡引起外部光反射的从像素限定层180的倾斜部分IP和透射区域TA周围的布线反射的光。这可以防止由于外部光反射而导致的莫尔现象，并且可以改善显示装置1的图像质量特性。
参考图6，基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂(其主要包括SiO2)。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲的特性。在实施方式中，基板100可以包括第一基板100a、布置在第一基板100a上的第一屏障层100b、布置在第一屏障层100b上的第二基板100c以及布置在第二基板100c上的第二屏障层100d。第一基板100a和第二基板100c可以包括聚醚酰亚胺。
缓冲层101可以位于基板100上以减少或阻挡异物、水分或外部空气从基板100的底部渗透，并且可以在基板100上提供平坦的表面。缓冲层101可以包括无机材料(比如氧化物或氮化物)、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
薄膜晶体管TFT可以布置在缓冲层101上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层134、栅电极136、源电极137和漏电极138。薄膜晶体管TFT可以连接至显示元件200，例如，有机发光二极管OLED，以驱动有机发光二极管OLED。因此薄膜晶体管TFT可以代表驱动薄膜晶体管T1。
半导体层134可以布置在缓冲层101上，并且可以包括与栅电极136重叠(对齐)的沟道区131。源区132和漏区133布置在沟道区131的两侧上，并且可以比沟道区131含有更高的杂质浓度。在这种情况下，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。尽管在附图中未示出，但是源区132和漏区133可以分别电连接至源电极137和漏电极138。
半导体层134可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。当半导体层134包括氧化物半导体时，氧化物半导体可以包括选自例如铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种材料的氧化物。例如，半导体层134可以包括ITZO(InSnZnO)或IGZO(InGaZnO)等。当半导体层134包括硅半导体时，硅半导体可以包括例如非晶硅(a-Si)或从非晶硅(a-Si)结晶的低温多晶硅(LTPS)。
阻光层(未示出)可以布置在缓冲层101上。阻光层可以布置为对应于薄膜晶体管TFT，以防止外部视觉上识别出薄膜晶体管TFT的栅电极136、源电极137和漏电极138。可以将电压施加至阻光层。例如，阻光层可以连接至薄膜晶体管TFT的源电极137或漏电极138。阻光层供应有与薄膜晶体管TFT的源电极137或漏电极138的电势相关的电压，因此，可以使显示装置的薄膜晶体管TFT稳定。在实施方式中，阻光层可以连接至单独的布线，而不连接至薄膜晶体管TFT的源电极137或漏电极138。
第一绝缘层103可以布置在半导体层134上和缓冲层101上。第一绝缘层103可以包括选自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的至少一种无机绝缘体。第一绝缘层103可以具有包括上述无机绝缘体的单层结构或多层结构。
栅电极136可以布置在第一绝缘层103上。栅电极136可以具有包括选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种金属的单层结构或多层结构。栅电极136可以连接至用于将电信号施加至栅电极136的栅线。
第二绝缘层105可以布置在栅电极136上。第二绝缘层105可以包括选自SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2中的至少一种无机绝缘体。第二绝缘层105可以具有包括上述无机绝缘体的单层结构或多层结构。
存储电容器Cst可以布置在第一绝缘层103上。存储电容器Cst可以包括下电极144和上电极146。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠(形成在薄膜晶体管TFT内)，并且存储电容器Cst的下电极144可以与薄膜晶体管TFT的栅电极136布置为一体。在实施方式中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠，并且下电极144可以为与薄膜晶体管TFT的栅电极136不同的独立组件。
第三绝缘层107可以布置在存储电容器Cst上。第三绝缘层107可以包括选自SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2中的至少一种无机绝缘体。第三绝缘层107可以具有包括上述无机绝缘体的单层结构或多层结构。
源电极137和漏电极138可以布置在第三绝缘层107上。源电极137和漏电极138中的每一个可以包括含有Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料，并且具有包括以上材料的单层结构或多层结构。例如，源电极137和漏电极138可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层113可以布置在源电极137和漏电极138上。平坦化层113可以具有平坦的上表面，使得布置在其上的像素电极210可以为平坦的。
当将第一绝缘层103、第二绝缘层105和第三绝缘层107统称为无机绝缘层时，其中无机绝缘层堆叠在基板100上的结构相对于具有红外波长的光而言可以具有约90％或更大的透射率。例如，穿过基板100和无机绝缘层的具有约900nm至约1100nm的波长的光可以具有约90％的透射率。
平坦化层113可以具有包括有机材料或无机材料的单层结构或多层结构。平坦化层113可以包括通用聚合物(比如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基类基团的聚合物衍生物、丙烯酸基类聚合物、酰亚胺基类聚合物、芳基醚基类聚合物、酰胺基类聚合物、氟基类聚合物、对二甲苯基类聚合物、乙烯醇基类聚合物或其共混物。平坦化层113可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2等。在形成平坦化层113之后，可以进行化学机械抛光以提供平坦的上表面。
平坦化层113可以包括暴露薄膜晶体管TFT的源电极137和漏电极138中的一个的开口，并且像素电极210可以通过该开口接触源电极137或漏电极138，以电连接至薄膜晶体管TFT。
当平坦化层113被称为有机绝缘层时，有机绝缘层相对于红外波长而言可以具有约90％或更大的透射率。例如，穿过有机绝缘层的具有约900nm至约1100nm的波长的光可以具有约90％的透射率。
在平坦化层113上，显示元件200可以包括像素电极210、中间层220和面向像素电极210的相对电极230，中间层220在像素电极210和相对电极230之间。例如，包括像素电极210、中间层220和相对电极230的显示元件200可以为有机发光二极管OLED。
像素电极210可以布置在平坦化层113上。像素电极210可以为(半)透明电极或反射电极。像素电极210可以包括：包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物等的反射层；以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO2)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层180可以布置在平坦化层113上，并且像素限定层180可以包括暴露像素电极210的至少一部分的第一开口OP1。第一开口OP1可以具有第一宽度w1。像素限定层180可以配置为增加像素电极210的端部与像素电极210上面的相对电极230之间的距离。因此，可以防止在像素电极210的端部处发生电弧。像素限定层180可以包括有机绝缘材料，比如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷或酚醛树脂，并且可以使用比如旋涂的方法形成。每个像素P的发射区域EA可以由像素限定层180的第一开口OP1限定。
间隔件190可以布置在像素限定层180上。间隔件190可以防止插入在基板100和间隔件190之间的层被在形成稍后要描述的中间层220的工艺中使用的掩模损坏。间隔件190可以包括与像素限定层180的材料相同的材料，并且可以通过使用半色调掩模与像素限定层180同时形成。在实施方式中，像素限定层180和间隔件190可以布置在透射区域TA的平坦化层113上。在另一个实施方式中，像素限定层180和间隔件190可以在分开的步骤中形成。间隔件190可以以与像素限定层180相似的方式形成为向上和向外突出。
中间层220可以布置在像素限定层180的第一开口OPl中以对应于像素电极210。
中间层220可以包括发射层(EML)，并且可以进一步包括可选地布置在发射层之下和发射层上的功能层，比如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
EML可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料。EML可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。
当EML包括低分子量有机材料时，中间层220可以具有其中以单个结构包括HIL、HTL、EML、ETL和EIL或其中HIL、HTL、EML、ETL和EIL以复合结构堆叠的结构，并且可以包括各种有机材料，比如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-(8-羟基喹啉铝)(Alq3)。可以使用比如真空沉积的方法来形成这些层。
当EML包括聚合物有机材料时，中间层220可以具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，并且EML可以包括聚合物有机材料，比如聚亚苯基亚乙烯基类聚合物或聚芴基类聚合物。可以使用丝网印刷或喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)来形成发射层。
相对电极230可以布置在中间层220上。相对电极230可以布置在中间层220上，从而完全覆盖中间层220。相对电极230可以布置在显示区域DA上面，从而完全覆盖显示区域DA。即，相对电极230可以形成为一体，从而覆盖布置在显示区域DA中的多个像素P。例如，相对电极230的至少一部分可以布置为朝向透射区域TA延伸并且延伸到透射区域TA中。
相对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极230可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金等。可替换地，相对电极230可以进一步包括：在包括前述材料的(半)透明层上的包含比如ITO、IZO、ZnO2或In2O3的材料的层。
包括像素电极210、中间层220和相对电极230的显示元件200可以用薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施方式中，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和布置在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括一种或多种无机绝缘体。无机绝缘体可以包括Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2、SiO2、SiNx和/或SiON。有机封装层320可以包括聚合物基类材料。聚合物基类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸树脂，比如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸。
外部光吸收层350可以布置在薄膜封装层300上。外部光吸收层350可以至少部分地与发射区域EA重叠并且在发射区域EA内延伸，并且可以布置在薄膜封装层300上。发射区域EA可以最初由像素限定层180的倾斜壁创建的区域来限定。发射区域EA可以在像素电极210与像素限定层180相遇的最初暴露部分处开始。外部光吸收层350的厚度可以为约0.5μm至约3μm。在实施方式中，外部光吸收层350可以直接布置在第二无机封装层330上。
外部光吸收层350可以包括第二开口OP2，第二开口OP2暴露薄膜封装层300的至少一部分。例如，外部光吸收层350的第二开口OP2可以暴露第二无机封装层330的至少一部分。暴露薄膜封装层300的至少一部分的第二开口OP2可以具有第二宽度w2。第二开口OP2的第二宽度w2可以小于第一开口OP1的第一宽度w1。
第二宽度w2可以与在像素限定层180的倾斜部分IP内侧的像素电极210、中间层220和相对电极230的平面部分对齐。因此，第二开口OP2的第二宽度w2可以不包括像素限定层180的倾斜部分IP。因此，外部光吸收层350可以位于显示元件200的倾斜部分IP之上。
因为在外部光吸收层350中限定的第二开口OP2的第二宽度w2小于在像素限定层180中限定的第一开口OP1的第一宽度w1，所以可以阻挡外部光从布置在像素限定层180的倾斜部分IP上的相对电极230反射，从而防止莫尔现象的发生。
图7A和图7B为示出根据本文描述的实施方式的显示装置1中的显示区域DA的一部分的平面图，并且图8为示意性地示出根据本文描述的实施方式的显示装置1的截面图。更具体地，图7A和图7B为图2的显示区域DA的部分A的放大图，并且图8为沿着图7A的线II-II'截取的截面图。在图7A和图7B中，可以如图5A和图5B中那样提供透射区域TA，但是为了便于描述而省略透射区域TA。
参考图7A和图8，偏振板400可以布置在外部光吸收层350上，并且多个光控制膜500可以布置在偏振板400上。光控制膜500中的每一个可以间隔第一距离d1。在实施方式中，第一距离d1可以为约35μm至约55μm。例如，第一距离d1可以不同地改变，并且可以为，例如，约30μm至约60μm或约25μm至约65μm。
光控制膜500中的每一个可以与平面的第一轴11形成第一倾斜角θ1，该平面包括在第一方向(即，x方向)上延伸的第一轴11和在与第一方向相交的第二方向(即，y方向)上延伸的第二轴12，并且光控制膜500中的每一个可以布置在偏振板400上。由每个光控制膜500与第一轴11形成的第一倾斜角θ1可以为30度或更小。在这种情况下，第一倾斜角θ1可以大于0度。每个光控制膜500与第一轴11形成的第一倾斜角θ1可以不同地改变。例如，第一倾斜角θ1可以大于0度且小于或等于29度，可以大于0度且小于或等于20度，或者可以大于0度且小于或等于3度。
当由光控制膜500与第一轴11形成的第一倾斜角θ1为30度或更小时，由于外部光反射，可能发生莫尔现象。当由光控制膜500与第一轴11形成的第一倾斜角θ1为20度或27.5度时，由于外部光反射导致的莫尔现象很弱地发生。然而，当第一倾斜角θ1稍微偏离20度或27.5度时，莫尔现象变得更严重。
本公开的示例性实施方式解决了这些和其他问题。吸收外部光的外部光吸收层350布置为与像素限定层180的倾斜部分IP和透射区域TA附近的布线重叠。以这种方式布置，外部光吸收层350可以阻挡引起外部光反射的从像素限定层180的倾斜部分IP和透射区域TA附近的布线反射的光。使用该结构可以防止从内部层的外部光反射导致的莫尔现象。
另外，通过减小由光控制膜500与在第一方向(即，x方向)上延伸的第一轴11形成的第一倾斜角θ1，从显示元件200发射的光可以不在向上的方向上发射。因此，如果在汽车设置中使用，则可以在不干扰驾驶员的观察的情况下提供驾驶员所必需的信息。
在实施方式中，如图7B中示出，每个光控制膜500的可以平行于在第一方向(即，x方向)上延伸的第一轴11布置在偏振板400上。因为光控制膜500平行于在第一方向(即，x方向)上延伸的第一轴11布置在偏振板400上，所以从显示元件200反射的外部光可以不在向上的方向上发射，并且因此，在汽车设置中，可以在不干扰驾驶员的观察的情况下提供驾驶员所必需的信息。
如图8中示出，偏振板400可以布置在外部光吸收层350上。偏振板400可以包括偏振粘合层410和偏振层420。偏振粘合层410可以将偏振层420粘附至薄膜封装层300。在实施方式中，可以省略偏振粘合层410。偏振层420可以包括相位延迟器和偏振器。相位延迟器可以为膜型或液晶涂层型，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以为膜型或液晶涂层型。膜型可以包括伸长的合成树脂膜，并且液晶涂层型可以包括以预定的布置而布置的液晶。相位延迟器和偏振器可以进一步包括保护膜。在实施方式中，偏振层420可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括分别布置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此产生相消干涉，并且因此，可以减小外部光反射率。
多个光控制膜500可以彼此间隔第一距离d1并且布置在偏振板400上。光控制膜500中的每一个为配置为调节光透射率的光学膜，并且可以防止从显示元件200发射的光在某一方向发射。光控制膜500可以布置在偏振板400上。光控制膜500的厚度可以为约80μm至约120μm。
粘合层450可以位于光控制膜500中的每一个和偏振板400之间。粘合层450可以将光控制膜500中的每一个粘附至偏振板400。在实施方式中，可以省略粘合层450。
到现在为止，仅显示装置已被主要描述，但是本公开不限于此。例如，制造上述显示装置的方法也在本公开的范围内。
如上所述，根据本公开的一个或多个实施方式，通过将外部光吸收层放置在薄膜封装层上，可以实施防止由于外部光反射导致的莫尔现象的发生且具有改善的图像质量特性的显示装置。然而，本公开的范围不受这些效果的限制。
一个或多个实施方式可以包括显示装置，该显示装置配置为防止由于外部光反射导致的莫尔现象的发生且具有改善的图像质量特性。然而，这些对象只是示例，并且本公开的范围不限于此。
尽管本文已经描述了某些示例性实施方式和实施，但是其他实施方式和修改将从该描述中显而易见。因此，发明构思不限于这样的实施方式，而是如对于本领域普通技术人员将显而易见的那样，限于所附权利要求和各种明显修改和等效布置的较宽范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括透射区域和由像素限定层限定的发射区域；
显示元件，所述显示元件包括至少部分地由所述像素限定层暴露的像素电极、布置在所述像素电极上的中间层和布置在所述中间层上的相对电极；
布置在所述显示元件上的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；以及
外部光吸收层，所述外部光吸收层至少部分地与所述发射区域重叠并且布置在所述薄膜封装层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素限定层包括暴露所述像素电极的至少一部分的第一开口，并且所述外部光吸收层包括暴露所述薄膜封装层的至少一部分的第二开口。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述像素限定层中的所述第一开口具有第一宽度，并且所述外部光吸收层中的所述第二开口具有小于所述第一宽度的第二宽度。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述外部光吸收层具有0.5μm至3μm的厚度，并且布置在所述薄膜封装层上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述薄膜封装层包括：
布置在所述显示元件上的第一无机封装层；
布置在所述第一无机封装层上的有机封装层；以及
布置在所述有机封装层上的第二无机封装层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述外部光吸收层直接布置在所述第二无机封装层上。
7.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括布置在所述像素限定层上的间隔件，
其中所述间隔件和所述像素限定层包括相同的材料。
8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
布置在所述外部光吸收层上的偏振板；以及
布置在所述偏振板上并且彼此间隔第一距离的多个光控制膜。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述多个光控制膜中的每一个布置在所述偏振板上，并且与平面的第一轴形成第一倾斜角，所述平面包括在第一方向上延伸的所述第一轴和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二轴。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述第一倾斜角为30度或更小。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述第一距离为35μm至55μm。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述多个光控制膜中的每一个具有80μm至120μm的厚度，并且布置在所述偏振板上。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述相对电极的至少一部分朝向所述透射区域延伸。
14.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括透射区域和由像素限定层限定的发射区域；
显示元件，所述显示元件包括至少部分地由所述像素限定层暴露的像素电极、布置在所述像素电极上的中间层和布置在所述中间层上的相对电极；
布置在所述显示元件上的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；
布置在所述薄膜封装层上的外部光吸收层；以及
布置在所述外部光吸收层上并且彼此间隔第一距离的多个光控制膜。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述像素限定层包括暴露所述像素电极的至少一部分的第一开口，并且所述外部光吸收层包括暴露所述薄膜封装层的至少一部分的第二开口。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述像素限定层中的所述第一开口具有第一宽度，并且所述外部光吸收层中的所述第二开口具有小于所述第一宽度的第二宽度。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述外部光吸收层至少部分地与所述发射区域重叠，并且布置在所述薄膜封装层上。
18.根据权利要求15所述的显示装置，进一步包括：布置在所述外部光吸收层和所述多个光控制膜之间的偏振板。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述多个光控制膜中的每一个布置在所述偏振板上，并且与平面的第一轴形成第一倾斜角，所述平面包括在第一方向上延伸的所述第一轴和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二轴。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述第一倾斜角为30度或更小。
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