KR102344331B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플렉서블 기판; 상기 플렉서블 기판 위에 위치하며, 유기 발광층을 포함하는 화소; 상기 화소의 사이에 위치하며 개구부를 포함하는 화소 정의막; 상기 화소를 덮고 있는 봉지층; 그리고 상기 봉지층 위에 상기 화소와 중첩하지 않고 상기 화소 정의막과 중첩하게 위치하는 도전성 차광 부재;를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 도전성 블랙 매트릭스 또는 저반사 메탈을 이용하여 전도도를 높임으로써, 전자기파의 차폐 성능을 높이는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED), 전기영동 표시 장치(electrophoretic display, EPD) 등의 평판 표시 장치(flat panel display, FPD)는 전기장 생성 전극과 전기 광학 활성층(electro-optical active layer)을 포함하는 표시 패널(display panel)을 포함한다. 전기 광학 활성층으로서, 유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 및 전기 영동 표시 장치의 패널은 각각 유기 발광층, 액정층 및 전하를 띤 입자를 포함한다. 전기장 생성 전극은 박막 트랜지스터 등의 스위칭 소자에 연결되어 데이터 신호를 인가 받을 수 있고, 전기 광학 활성층은 이러한 데이터 신호를 광학 신호로 변환함으로써 영상을 표시한다.
최근에는 자체 발광 특성을 가진 유기 발광 표시 장차기 주목을 받고 있다. 유기 발광 표시 장치는 서로 마주하는 두 전극과 이들 전극 사이에 개재되어 있는 유기층을 포함한다. 유기 발광 장치는 애노드(anode)로부터 주입된 정공(hole)과 캐소드(cathode)로부터 주입된 전자(electron)가 발광층에서 만나 여기자(exciton)를 생성하고 여기자가 발광 소멸을 하게 되면 광이 발생하게 된다.
이와 같은 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 표시 패널의 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다. 특히, 유기 발광 표시 장치는 플라스틱 기판을 사용하여 휠 수 있도록 제작되기도 한다.
그런데 최근의 디스플레이 장치에서는 인체에 유해한 전자기파가 발생하여 문제가 되고 있다. 이러한 전자기파를 차단하기 위하여 종래 기술에서는 전도도를 향상시킨 블랙 매트릭스(black matrix)를 이용한다. 그러나 종래 기술에서는 유리와 같은 강성(rigid) 기판을 사용하여 플렉서블(flexible) 디스플레이에 적용이 불가능할 뿐만 아니라, 크롬(Cr) 또는 크롬 산화물을 사용함으로써 도선의 전도도가 떨어져 전자기파 차폐에 불리하다.
이 배경기술 부분에 기재된 사항은 발명의 배경에 대한 이해를 증진하기 위하여 작성된 것으로서, 이 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 종래기술이 아닌 사항을 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 도전성 블랙 매트릭스 또는 저반사 메탈을 이용하여 전도도를 높임으로써, 전자기파의 차폐 성능을 높이는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 플렉서블 기판; 상기 플렉서블 기판 위에 위치하며, 유기 발광층을 포함하는 화소; 상기 화소의 사이에 위치하며 개구부를 포함하는 화소 정의막; 상기 화소를 덮고 있는 봉지층; 그리고 상기 봉지층 위에 상기 화소와 중첩하지 않고 상기 화소 정의막과 중첩하게 위치하는 도전성 차광 부재;를 포함할 수 있다.
상기 화소는 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
상기 도전성 차광 부재는 카본 블랙 및 고분자 유기 물질로 이루어질 수 있고, 카본 블랙의 함량이 30% 이하일 수 있다.
상기 도전성 차광 부재는 잉크젯 인쇄 방법으로 형성될 수 있다.
상기 도전성 차광 부재는 상기 봉지층의 외부에 위치하는 패드부의 그라운드 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 플렉서블 기판; 상기 플렉서블 기판 위에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층에 위에 위치하는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층에 형성되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 위에 위치하는 층간 절연층; 상기 층간 절연층에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극; 상기 화소 전극 위에 위치하는 유기 발광층 및 유기 발광층 사이에 중첩되지 않도록 위치하는 화소 정의막; 상기 유기 발광층 및 화소 정의막 위에 위치하는 공통 전극; 그리고 상기 공통 전극을 덮고 있는 봉지층;을 포함하며, 상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 저반사 특성을 가지는 차폐 전극을 포함할 수 있다.
상기 차폐 전극은 구리(Cu)층, 인듐아연산화물(IZO)층, 티타늄(Ti)층이 순서대로 형성될 수 있고, 구리(Cu), 구리 질화물(CuNx), 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 티타늄 산화물(TiOx), 몰리브덴 질화물(MoNx), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 산화물(ITO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 2종 이상을 혼합시킨 재질로 형성될 수 있다.
상기 차폐 전극은 상기 봉지층의 외부에 위치하는 패드부의 그라운드 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상부 기판; 및 상기 상부 기판에 대향하며, 유기 발광층을 포함하는 화소가 매트릭스 배열되어 있는 하부 기판;을 포함하며, 상기 상부 기판의 내측에는 상기 화소와 중첩하지 않는 비화소 영역에 저반사 불투명 금속막이 형성될 수 있다.
상기 저반사 불투명 금속막은 구리(Cu)층, 인듐아연산화물(IZO)층, 티타늄(Ti)층이 순서대로 형성될 수 있고, 구리(Cu), 구리 질화물(CuNx), 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 티타늄 산화물(TiOx), 몰리브덴 질화물(MoNx), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 산화물(ITO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 2종 이상을 혼합시킨 재질로 형성될 수 있다.
상기 저반사 불투명 금속막은 상기 봉지층의 외부에 위치하는 패드부의 그라운드 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 플렉서블 디스플레이에서도 전자기파의 차폐 성능을 향상시킴으로써 인체와 밀착되어 있는 웨어러블 디바이스에 활용할 수 있다.
또한, 배선에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극의 배선에 저반사 특성을 가지는 금속 물질을 사용함으로써 전자기파 차단 효과를 극대화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 배치도이다.
도 2는 도 1의 A-A 선을 따라 자른 단면도로서, 본 발명의 제1 실시예를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 A-A 선을 따라 자른 단면도로서, 본 발명의 제2 실시예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 A-A 선을 따라 자른 단면도로서, 본 발명의 제3 실시예를 나타내는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부부 "바로 위에" 있다고 할 대에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 의미한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 의거하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 배치도이고, 도 2는 도 1의 A-A 선을 따라 자른 단면도로서, 본 발명의 제1 실시예를 나타내는 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 단위 화소(PX)에 적색 화소(PXr), 녹색 화소(PXg) 및 청색 화소(PXb)를 포함한다.
적색 화소(PXr)와 녹색 화소(PXg)는 좌우로 인접하여 위치하고 있으며, 청색 화소(PXb)는 적색 화소(PXr) 및 녹색 화소(PXg)의 하측에 위치하고 있다. 적색 화소(PXr)와 녹색 화소(PXg)는 청색 화소(PXb)과 달리 좁은 폭을 가지며, 청색 화소(PXb)는 적색 화소(PXr)와 녹색 화소(PXg)의 폭과 두 화소 사이의 간격만큼에 대응하는 넓은 폭을 가진다. 도 1에서 도시하고 있는 단위 화소(PX)내의 화소 배열은 실시예에 따라서 다양할 수 있다.
이와 같은 구조를 가지는 단위 화소(PX)는 행과 열을 따라서 매트릭스 배열되어 있다.
이웃하는 상기 단위 화소(PX)들 사이에는 차광 부재(500)가 형성되어 있다. 차광 부재(500)는 화소(PX)의 경계부에 화소 정의막(330)에 대응하는 격자형 줄무늬 패턴으로 형성되어 화소(PX) 간 빛샘을 방지함으로서 화소(PX)의 선명도를 높이는 블랙 매트릭스(black matrix)의 역할을 할 수 있다.
차광 부재(500)는 무기 블랙 물질인 카본 블랙(carbon black)과 폴리 아크릴레이트(poly acrylate), 폴리 스티렌(poly styrene), 폴리 에틸렌(poly ethylene)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상을 혼합시킨 고분자 유기 물질을 포함할 수 있다. 카본 블랙의 함량은 30% 이하일 수 있고, 고분자 유기 물질의 함량은 80% 이하일 수 있으며, 잉크젯 인쇄 방법(inkjet printing)으로 형성될 수 있다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이 화소(적색 화소(PXr), 녹색 화소(PXg) 및 청색 화소(PXb))의 구조를 먼저 살펴본다.
하나의 화소는 유기 발광층(300)을 포함하며, 유기 발광층(300)의 하부에는 화소 전극(190)이 위치하고, 그 상부에는 공통 전극(270)이 위치한다. 화소 전극(190)은 하나의 화소마다 분리되어 형성되어 있는 전극이며, 공통 전극(270)은 화소 전체에 하나로 형성되어 있는 전극일 수 있다.
화소 전극(190)은 구동 트랜지스터(TDR)와 같은 박막 트랜지스터의 출력 단자(드레인 전극(175a))와 연결되어 있어, 구동 트랜지스터(TDR)의 출력 전류를 전달받을 수 있다. 구동 트랜지스터(TDR)와 같은 박막 트랜지스터는 다결정 반도체층(150a), 게이트 전극(124a), 소스 전극(173a) 및 드레인 전극(175a)을 포함한다.
하나의 화소는 구동 트랜지스터(TDR)의 소스 전극(173a) 및 게이트 전극(124a)에 연결되어 있는 화소 커패시터(CPX)를 포함할 수 있다. 화소 커패시터(CPX)는 도핑된 다결정 반도체로 형성되어 있는 하부 커패시터 전극(155a) 및 게이트 전극(124a)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성되어 있는 상부 커패시터 전극(125a), 그리고 이들 사이에 위치하는 절연층인 게이트 절연층(gate insulating layer, GIL)에 의하여 이루어질 수 있다. 실시예에 따라서는, 화소 커패시터(CPX)는 층간 절연층(180)을 사이에 두고 상부 커패시터 전극(125a) 및 이와 중첩하는 커패시터 전극(미도시)으로 구성되거나 그러한 커패시터 전극을 더 포함하여 구성될 수도 있으며, 어느 한 커패시터 전극은 예시된 층과 다른 층에 형성될 수도 있다.
위와 같은 구성요소들을 포함하는 화소 영역의 층 구조를 순차적으로 살펴보면 아래와 같다.
하부 기판(110)은 고분자 필름 같은 플렉서블 기판일 수 있다. 예컨대, 하부 기판(110)은 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리에틸렌 에테르 케톤(polyethylene ether ketone, PEEK) 등의 열가소성 세미 결정성 플라스틱(thermoplastic semicrystalline polymer), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌 설포네이트(polyethylene sulfonate, PES) 등의 열가소성 무정정형 플라스틱(thermoplastic amorphous polymer), 상대적으로 높은 내열성을 가진 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리 아릴레이트(polyarylate, PAR) 등의 플라스틱으로 이루어질 수 있다.
하부 기판(110)의 위에는 수분, 산소 등이 침입을 방지하기 위해 버퍼층(115)이 형성되어 있다. 버퍼층(115)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 산질화규소(SiOxNy) 등을 포함할 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 버퍼층(115) 위에는 이를 보호하기 위한 상부 코팅층(overcoat layer)이 형성될 수도 있다.
버퍼층(115)의 위에는 구동 트랜지스터(TDR)와 스위칭 트랜지스터(TSW)가 서로 이격되어 배치되어 있다. 즉, 버퍼층(115)의 위에는 구동 트랜지스터(TDR)의 다결정 반도체층(150a)과 도핑된 다결정 반도체인 하부 커패시터 전극(155a)이 형성되어 있다.
다결정 반도체층(150a)은 양쪽 가장자리에 불순물이 도핑된 소스 전극(173a) 및 드레인 전극(175a)을 포함한다. 하부 커패시터 전극(155a)을 형성하는 도핑된 다결정 반도체는 고농도의 도핑에 의하여 반도체 특성보다는 도전체의 특성을 가질 수 있다. 버퍼층(115)은 다결정 반도체를 형성하기 위하여 결정화 공정 시 하부 기판(110)에서 불순물이 반도체로 유입되는 것을 차단하는 역할을 또한 수행한다.
스위칭 트랜지스터(TSW)는 구동 트랜지스터(TDR)와 동일한 구조를 가질 수 있다. 즉, 하부 기판(110) 위에 형성된 버퍼층(115) 위에 다결정 반도체층(150b)이 형성되어 있다. 또한 다결정 반도체층(150b)의 양쪽 가장자리에 소스 전극(173b) 및 드레인 전극(175b)이 형성되어 있다.
다결정 반도체층(150a, 150b)과 노출된 버퍼층(115)은 제1 게이트 절연층(130)에 의하여 덮여 있다. 게이트 절연층(GIL)은 무기 물질 또는 유기 물질로 형성되어 제1 게이트 절연층(130) 및 제2 게이트 절연층(140)을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다.
제1 게이트 절연층(130) 위에는 하부 커패시터 전극(155a)과 스위칭 트랜지스터(TSW)의 게이트 전극(124b)이 형성되어 있다. 또한 제2 게이트 절연층(140) 위에는 상부 커패시터 전극(125a)과 구동 트랜지스터(TDR)의 게이트 전극(124a)이 형성되어 있다. 게이트 전극(124a)은 다결정 반도체층(150a)의 일부분과 중첩하며, 상부 커패시터 전극(125a)은 하부 커패시터 전극(155a)과 중첩한다.
구동 트랜지스터(TDR)의 게이트 전극(124a), 상부 커패시터 전극(125a) 및 노출된 제2 게이트 절연층(140)의 위에는 층간 절연층(180)이 덮여 있다. 층간 절연층(180)은 유기 물질 또는 무기 물질로 형성되어 있을 수 있다.
층간 절연층(180)과 게이트 절연층(GIL)은 접촉 구멍에 의하여 다결정 반도체층(150a)의 소스 영역과 드레인 영역을 노출시킨다. 층간 절연층(180)의 위와 접촉 구멍에는 소스 전극(173a)과 드레인 전극(175a)이 형성되어 있다. 소스 전극(173a)은 다결정 반도체층(150a)의 소스 영역과 접촉하고 있으며, 드레인 전극(175a)은 다결정 반도체층(150a)의 드레인 영역과 접촉하고 있다.
소스 전극(173a), 드레인 전극(175a) 및 층간 절연층(180)의 위에는 보호층(passivation layer)(185)이 형성되어 있다. 보호층(185)은 유기 물질 또는 무기 물질로 형성된다. 보호층(185)은 드레인 전극(175a)을 노출시키는 접촉 구멍이 형성되어 있다. 보호층(185) 위와 접촉 구멍에는 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극(175a)과 연결되어 있다.
화소 전극(190)의 주변에는 화소 정의막(pixel definition layer, PDL)(330)이 형성되어 있으며, 화소에 대응하는 복수의 개구부를 포함한다. 화소 정의막(330)은 폴리아크릴계(polyacrylates), 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 이루어질 수 있다. 화소 정의막(330)이 형성되지 않은 부분에는 화소 전극(190)이 노출되어 있으며, 화소 전극(190)의 위에는 유기 발광층(300)이 위치하고 있다. 유기 발광층(300)은 발광층(EML)을 포함하고, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수의 층으로 이루어져 있을 수 있으며, 유기 물질의 종류에 따라서 서로 다른 색을 발광한다.
유기 발광층(300)과 화소 정의막(330) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 하부층과 상부층의 이중층으로 형성될 수 있고, 빛의 일부는 반사시키고 나머지 일부는 통과시키는 반투과 특성을 가질 수 있다.
화소 전극(190), 유기 발광층(300) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 표시 장치에서 영상을 표시하기 위한 발광 소자(LD)를 구성한다. 이 때, 화소 전극(190)은 발광 소자의 애노드(anode)가 되고 공통 전극(270)은 캐소드(cathode)가 된다.
공통 전극(270) 위에는 캡핑층(capping layer)(410)이 형성되어 있고, 캡핑층(410) 위에는 봉지층(encapsulation layer)(420)이 형성되어 있다. 캡핑층(410)은 공통 전극(270) 전면에 형성되어 공통 전극(270)을 보호할 수 있다.
봉지층(420)의 일면에는 차광 부재(500)가 형성되어 있다. 차광 부재(500)는 화소에 대응하는 개구부와는 중첩하지 않으면서 화소 정의막(330)에 대응하는 비화소 영역에 형성될 수 있다.
또한, 차광 부재(500)는 패드부의 그라운드 전극(124c)에 접지 연결 배선(127)을 통해 전기적으로 연결되어 있다. 따라서, 차광 부재(500)는 유기 발광 표시 장치가 생성하는 전자기파 및 정전기를 효과적으로 차폐할 수 있다.
이하, 도 3을 참고로 하여 본 발명의 제2 실시예를 살펴보기로 한다.
도 3은 도 1의 A-A 선을 따라 자른 단면도로서, 본 발명의 제2 실시예를 나타내는 도면이다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 실시예와 비교하여 전면 발광 구조의 차광 부재(500) 대신 배면 발광 구조의 차폐 전극(510)을 사용하는 점에서 차이가 있을 뿐, 화소의 구조는 동일하다. 이에 따라, 동일 구성요소에는 동일한 도면 번호를 부여할 것이고, 동일 구성요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 전극(124a, 124b, 124c), 소스 전극(173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b)이 저반사 특성을 가지는 차폐 전극으로 형성되어 있다.
차폐 전극은 구리(Cu)층, 인듐아연산화물(IZO)층, 티타늄(Ti)층이 순서대로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 차폐 전극은 구리(Cu), 구리 질화물(CuNx), 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 티타늄 산화물(TiOx), 몰리브덴 질화물(MoNx), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 산화물(ITO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 2종 이상을 혼합시킨 재질로 형성될 수 있다.
또한, 차폐 전극은 상기 봉지층의 외부에 위치하는 패드부의 그라운드 전극에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 차폐 전극 역시 차광 부재(500)와 마찬가지로 유기 발광 표시 장치가 생성하는 전자기파 및 정전기를 효과적으로 차폐할 수 있다.
이하, 도 4를 참고로 하여 본 발명의 제3 실시예를 살펴보기로 한다.
도 4는 도 1의 A-A 선을 따라 자른 단면도로서, 본 발명의 제3 실시예를 나타내는 도면이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제2 실시예와 비교하여 유리와 같은 강성 재질의 상부 기판 및 하부 기판으로 이루어진 점에서 차이가 있을 뿐, 화소의 구조는 동일하다. 이에 따라, 동일 구성요소에는 동일한 도면 번호를 부여할 것이고, 동일 구성요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 서로 마주하는 상부 기판(105) 및 하부 기판(110)을 포함한다.
상부 기판(105) 및 하부 기판(110)은 유리, 플라스틱 등의 투명한 절연 기판일 수 있다.
상부 기판(105)의 내측과 하부 기판(110) 위에는 버퍼층(115)이 각각 형성되어 있다. 버퍼층(115)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 산질화규소(SiOxNy) 등을 포함할 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 버퍼층(115)은 반도체의 특성을 열화시키는 불순물 또는 수분이나 외기의 침투를 방지하는 역할을 하고, 표면을 평탄화시킬 수 있다. 실시예에 따라서, 버퍼층(115)은 상부 기판(105) 또는 하부 기판(110) 내에 위치할 수도 있다. 예컨대, 상부 기판(105) 또는 하부 기판(110)은 고분자 필름(플라스틱층)과 버퍼층이 교대로 다층으로 적층되어 있는 구조를 가질 수 있다.
하부 기판(110) 위에는 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예와 같이 반도체 층(150), 게이트 절연층(GIL), 층간 절연층(180), 보호층(185) 및 화소 전극(190)이 형성되어 있다.
화소 전극(190)의 주변에는 화소 정의막(330)이 형성되어 있으며, 하나의 화소에 대응하는 복수의 개구부를 포함한다. 화소 정의막(330)이 형성되지 않은 부분에는 화소 전극(190)이 노출되어 있으며, 화소 전극(190)의 위에는 유기 발광층(300)이 위치하고 있다.
상부 기판(105)의 내측에는 유기 발광층(300)과 중첩하지 않는 비화소 영역에 저반사 불투명 금속막(230)이 형성되어 있다. 즉, 저반사 불투명 금속막(230)은 하부 기판(110)의 화소 정의막(330)이 위치하는 영역에 대응하게 형성되어 있다. 이는 화소 정의막(330)의 개구부는 유기 발광층(300)이 발광하는 영역이므로 가리지 않기 위함이다.
저반사 불투명 금속막(230)은 구리(Cu)층, 인듐아연산화물(IZO)층, 티타늄(Ti)층이 순서대로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 저반사 불투명 금속막(230)은 구리(Cu), 구리 질화물(CuNx), 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 티타늄 산화물(TiOx), 몰리브덴 질화물(MoNx), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 산화물(ITO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 2종 이상을 혼합시킨 재질로 형성될 수 있다.
또한, 저반사 불투명 금속막(230)은 상기 봉지층의 외부에 위치하는 패드부의 그라운드 전극에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 저반사 불투명 금속막(230)은 유기 발광 표시 장치가 생성하는 전자기파 및 정전기를 효과적으로 차폐할 수 있다.
이상으로 본 발명에 관한 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 실시예로부터 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의한 용이하게 변경되어 균등하다고 인정되는 범위의 모든 변경을 포함한다.

Claims (14)

  1. 플렉서블 기판;
    상기 플렉서블 기판 위에 위치하며, 유기 발광층을 포함하는 화소;
    상기 화소의 사이에 위치하며 개구부를 포함하는 화소 정의막;
    상기 화소를 덮고 있는 봉지층; 그리고
    상기 봉지층 위에 상기 화소와 중첩하지 않고 상기 화소 정의막과 중첩하게 위치하는 도전성 차광 부재;
    를 포함하며,
    상기 도전성 차광 부재는 패드부의 그라운드 전극에 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화소는 매트릭스 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 차광 부재는 카본 블랙 및 고분자 유기 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 도전성 차광 부재는 카본 블랙의 함량이 30% 이하인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 차광 부재는 잉크젯 인쇄 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 플렉서블 기판;
    상기 플렉서블 기판 위에 위치하는 반도체층;
    상기 반도체층에 위에 위치하는 게이트 절연층;
    상기 게이트 절연층에 형성되는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극 위에 위치하는 층간 절연층;
    상기 층간 절연층에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극;
    상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극;
    상기 화소 전극 위에 위치하는 유기 발광층 및 유기 발광층 사이에 중첩되지 않도록 위치하는 화소 정의막;
    상기 유기 발광층 및 화소 정의막 위에 위치하는 공통 전극; 그리고
    상기 공통 전극을 덮고 있는 봉지층;
    을 포함하며,
    상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 저반사 특성을 가지는 차폐 전극을 포함하며,
    상기 차폐 전극은 패드부의 그라운드 전극에 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 차폐 전극은 구리(Cu)층, 인듐아연산화물(IZO)층, 티타늄(Ti)층이 순서대로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 차폐 전극은 구리(Cu), 구리 질화물(CuNx), 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 티타늄 산화물(TiOx), 몰리브덴 질화물(MoNx), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 산화물(ITO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 2종 이상을 혼합시킨 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 삭제
  11. 상부 기판; 및
    상기 상부 기판에 대향하며, 유기 발광층을 포함하는 화소가 매트릭스 배열되어 있는 하부 기판;
    을 포함하며,
    상기 상부 기판의 내측에는 상기 화소와 중첩하지 않는 비화소 영역에 저반사 불투명 금속막이 형성되어 있으며,
    상기 저반사 불투명 금속막은 패드부의 그라운드 전극에 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 저반사 불투명 금속막은 구리(Cu)층, 인듐아연산화물(IZO)층, 티타늄(Ti)층이 순서대로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 저반사 불투명 금속막은 구리(Cu), 구리 질화물(CuNx), 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 티타늄 산화물(TiOx), 몰리브덴 질화물(MoNx), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 산화물(ITO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 2종 이상을 혼합시킨 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 삭제
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