KR20210076293A - 디스플레이 장치 - Google Patents

디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210076293A
KR20210076293A KR1020190167133A KR20190167133A KR20210076293A KR 20210076293 A KR20210076293 A KR 20210076293A KR 1020190167133 A KR1020190167133 A KR 1020190167133A KR 20190167133 A KR20190167133 A KR 20190167133A KR 20210076293 A KR20210076293 A KR 20210076293A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
disposed
thin film
encapsulation layer
display device
Prior art date
Application number
KR1020190167133A
Other languages
English (en)
Inventor
김향율
김재홍
정현호
김선화
김효민
정희성
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190167133A priority Critical patent/KR20210076293A/ko
Priority to US16/918,973 priority patent/US11626457B2/en
Priority to CN202011442212.7A priority patent/CN112992980A/zh
Publication of KR20210076293A publication Critical patent/KR20210076293A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H01L51/5284—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H01L27/3244—
    • H01L51/5256—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0804—Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 제품의 화질 특성이 향상된 디스플레이 장치를 위하여, 투과영역 및 화소정의막에 의해 정의된 발광영역을 포함하는, 기판; 상기 화소정의막에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치된 중간층 및 상기 중간층 상에 배치된 대향전극을 포함하는, 표시요소; 상기 표시요소 상에 배치되되, 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는, 박막봉지층; 및 상기 발광영역과 적어도 일부 중첩하며, 상기 박막봉지층 상에 배치된, 외광흡수층;을 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.

Description

디스플레이 장치{Display apparatus}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 제품의 화질 특성이 향상된 디스플레이 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치들 중, 유기발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.
디스플레이 장치는 외부로 이미지를 디스플레이 하기 위해 전기적 신호를 받아 발광하는 복수의 화소들을 포함한다. 각 화소는 발광소자를 포함하며, 예컨대 유기발광 디스플레이 장치의 경우 유기발광다이오드(OLED)를 발광소자로 포함한다. 일반적으로 유기발광 디스플레이 장치는 기판 상에 박막트랜지스터 및 유기발광다이오드를 형성하고, 유기발광다이오드가 스스로 빛을 발광하여 작동한다.
최근 디스플레이 장치는 그 용도가 다양해지면서 휴대폰, 텔레비전 등과 같은 제품 뿐만 아니라, 자동차 등과 같은 제품의 디스플레이부로 사용되기도 한다.
본 발명은 외광 반사에 의해 모아레(Moire) 현상이 발생하는 것을 방지하여, 화질 특성이 향상된 디스플레이 장치를 제공하고자 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 투과영역 및 화소정의막에 의해 정의된 발광영역을 포함하는, 기판; 상기 화소정의막에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치된 중간층 및 상기 중간층 상에 배치된 대향전극을 포함하는, 표시요소; 상기 표시요소 상에 배치되되, 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는, 박막봉지층; 및 상기 발광영역과 적어도 일부 중첩하며, 상기 박막봉지층 상에 배치된, 외광흡수층;을 구비하는 디스플레이 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소정의막은 상기 화소전극의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구를 포함하고, 상기 외광흡수층은 상기 박막봉지층의 적어도 일부를 노출시키는 제2 개구를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소정의막에 포함된 상기 제1 개구는 제1 폭을 가지며, 상기 외광흡수층에 포함된 상기 제2 개구는 상기 제1 폭보다 좁은 제2 폭을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 외광흡수층은 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 두께로 상기 박막봉지층 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막봉지층은, 상기 표시요소 상에 배치되는, 제1 무기봉지층; 상기 제1 무기봉지층 상에 배치되는, 유기봉지층; 및 상기 유기봉지층 상에 배치되는, 제2 무기봉지층;을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 외광흡수층은 상기 제2 무기봉지층 상에 직접 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소정의막 상에 배치된, 스페이서를 더 포함하고, 상기 스페이서는 화소정의막과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 외광흡수층 상에 배치된, 편광판; 및 상기 편광판 상에 제1 거리 만큼 각각 이격되어 배치된, 복수의 광 제어 필름;을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 각각의 광 제어 필름은 제1 방향으로 연장되는 제1 축 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 축을 포함하는 평면 상에서 제1 축과 제1 경사각을 이루며, 상기 편광판 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 경사각은 30도 이하일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 거리는 35 ㎛ 내지 55 ㎛일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 각각의 광 제어 필름은 80 ㎛ 내지 120 ㎛ 두께로 상기 편광판 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 대향전극의 적어도 일부는 상기 투과영역 측으로 연장될 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 투과영역 및 화소정의막에 의해 정의된 발광영역을 포함하는, 기판; 상기 화소정의막에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치된 중간층 및 상기 중간층 상에 배치된 대향전극을 포함하는, 표시요소; 상기 표시요소 상에 배치되되, 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는, 박막봉지층; 상기 박막봉지층 상에 배치된, 외광흡수층; 및 상기 외광흡수층 상에 제1 거리 만큼 각각 이격되어 배치된, 복수의 광 제어 필름;을 구비하는 디스플레이 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소정의막은 상기 화소전극의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구를 포함하고, 상기 외광흡수층은 상기 박막봉지층의 적어도 일부를 노출시키는 제2 개구를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소정의막에 포함된 상기 제1 개구는 제1 폭을 가지며, 상기 외광흡수층에 포함된 상기 제2 개구는 상기 제1 폭보다 좁은 제2 폭을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 외광흡수층은 상기 발광영역과 적어도 일부 중첩하며, 상기 박막봉지층 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 외광흡수층과 상기 복수의 광 제어 필름 사이에 배치된, 편광판을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 각각의 광 제어 필름은 제1 방향으로 연장되는 제1 축 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 축을 포함하는 평면 상에서 제1 축과 제1 경사각을 이루며, 상기 편광판 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 경사각은 30도 이하일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 박막봉지층 상에 외광흡수층을 배치함으로써, 외광 반사에 의해 모아레(Moire) 현상이 발생하는 것을 방지하고 동시에 제품의 화질 특성이 향상된 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정된 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 포함될 수 있는 화소의 등가회로도들이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 있어서 표시영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 있어서 표시영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA) 주변에 배치되는 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 디스플레이 장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들에서 방출되는 빛을 이용하여 이미지를 제공할 수 있으며, 비표시영역(NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역일 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)로서, 유기 발광 디스플레이 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 디스플레이 장치는 이에 제한되지 않는다. 일 실시예로서, 본 발명의 디스플레이 장치(1)는 무기 발광 디스플레이 장치(Inorganic Light Emitting Display 또는 무기 EL Display)이거나, 양자점 발광 디스플레이 장치(Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 디스플레이 장치일 수 있다. 예컨대, 디스플레이 장치(1)에 구비된 표시요소의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.
도 1에서는 플랫한 표시면을 구비한 디스플레이 장치(1)를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예로, 디스플레이 장치(1)는 입체형 표시면 또는 커브드 표시면을 포함할 수도 있다.
디스플레이 장치(1)가 입체형 표시면을 포함하는 경우, 디스플레이 장치(1)는 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함하고, 예컨대, 다각 기둥형 표시면을 포함할 수도 있다. 일 실시예로, 디스플레이 장치(1)가 커브드 표시면을 포함하는 경우, 디스플레이 장치(1)는 플렉서블, 폴더블, 롤러블 디스플레이 장치 등 다양한 형태로 구현될 수 있다.
도 1에서는 핸드폰 단말기에 적용될 수 있는 디스플레이 장치(1)를 도시하였다. 도시하지는 않았으나, 메인보드에 실장된 전자모듈들, 카메라 모듈, 전원모듈 등이 디스플레이 장치(1)와 함께 브라켓/케이스 등에 배치됨으로써 핸드폰 단말기를 구성할 수 있다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치(1)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 태블릿, 자동차 네비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등에 적용될 수 있으며, 특히, 헤드 업 디스플레이(Head Up Display, HUD)로 활용될 수 있다.
도 1에서는 디스플레이 장치(1)의 표시영역(DA)이 사각형인 경우를 도시하였으나, 표시영역(DA)의 형상은 원형, 타원 또는 삼각형이나 오각형 등과 같은 다각형일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2를 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함한다. 복수의 화소(P)들 각각은 각각 유기발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED)와 같은 표시요소를 포함할 수 있다. 복수의 화소(P)들 각각은 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 본 명세서에서의 화소(P)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나의 색상의 빛을 방출하는 화소로 이해할 수 있다.
각 화소(P)는 비표시영역(NDA)에 배치된 외곽회로들과 전기적으로 연결될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 제1 스캔 구동회로(110), 제1 발광 구동회로(115), 제2 스캔 구동회로(120), 단자(140), 데이터 구동회로(150), 제1 전원공급배선(160) 및 제2 전원공급배선(170)이 배치될 수 있다.
제1 스캔 구동회로(110)는 스캔라인(SL)을 통해 각 화소(P)에 스캔신호를 제공할 수 있다. 제1 발광 구동회로(115)는 발광제어라인(EL)을 통해 각 화소(P)에 발광제어신호를 제공할 수 있다. 제2 스캔 구동회로(120)는 표시영역(DA)을 사이에 두고 제1 스캔 구동회로(110)와 나란하게 배치될 수 있다. 표시영역(DA)에 배치된 화소(P)들 중 일부는 제1 스캔 구동회로(110)와 전기적으로 연결될 수 있고, 나머지는 제2 스캔 구동회로(120)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예로, 제2 발광 구동회로(미도시)는 표시영역(DA)을 사이에 두고 제1 발광 구동회로(115)와 나란하게 배치될 수 있다.
제1 발광 구동회로(115)는 제1 스캔 구동회로(110)와 제1 방향(x방향)으로 이격되어 비표시영역(NDA) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예로, 제1 발광 구동회로(115)는 제1 스캔 구동회로(110)와 제2 방향(y방향)으로 교번하여 배치될 수 있다.
단자(140)는 기판(100)의 일 측에 배치될 수 있다. 단자(140)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 인쇄회로기판(PCB)과 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄회로기판(PCB)의 단자(PCB-P)는 디스플레이 장치(1)의 단자(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄회로기판(PCB)은 제어부(미도시)의 신호 또는 전원을 디스플레이 장치(1)로 전달한다. 제어부에서 생성된 제어신호는 인쇄회로기판(PCB)을 통해 제1 스캔 구동회로(110), 제1 발광 구동회로(115) 및 제2 스캔 구동회로(120)에 각각 전달될 수 있다. 제어부는 제1 연결배선(161) 및 제2 연결배선(171)을 통해 제1 전원공급배선(160) 및 제2 전원공급배선(170)에 각각 제1 전원전압(ELVDD) 및 제2 전원전압(ELVSS)을 제공할 수 있다. 제1 전원전압(ELVDD)은 제1 전원공급배선(160)과 연결된 구동전압라인(PL)을 통해 화소(P)에 제공되고, 제2 전원전압(ELVSS)은 제2 전원공급배선(170)과 연결된 화소(P)의 대향전극에 제공될 수 있다.
데이터 구동회로(150)는 데이터라인(DL)에 전기적으로 연결된다. 데이터 구동회로(150)의 데이터신호는 단자(140)에 연결된 연결배선(151) 및 연결배선(151)과 연결된 데이터라인(DL)을 통해 각 화소(P)에 제공될 수 있다.
도 2는 데이터 구동회로(150)가 인쇄회로기판(PCB)에 배치된 것을 도시하지만, 일 실시예로, 데이터 구동회로(150)는 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 데이터 구동회로(150)는 단자(140)와 제1 전원공급배선(160) 사이에 배치될 수 있다.
제1 전원공급배선(160)은 표시영역(DA)을 사이에 두고 제1 방향(x방향)을 따라 나란하게 연장된 제1 서브배선(162) 및 제2 서브배선(163)을 포함할 수 있다. 제2 전원공급배선(170)은 일측이 개방된 루프 형상으로 표시영역(DA)을 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 포함될 수 있는 화소의 등가회로도들이다.
도 3을 참조하면, 각 화소(P)는 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결된 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소 예컨대, 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다.
화소회로(PC)는 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)을 통해 입력되는 스캔신호(Sn)에 따라 데이터라인(DL)을 통해 입력된 데이터신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(T2) 및 구동전압라인(PL)에 연결되며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압라인(PL)에 공급되는 제1 전원전압(ELVDD, 또는 구동전압)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
구동 박막트랜지스터(T1)는 구동전압라인(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압라인(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다.
도 3에서는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 4에 도시된 바와 같이, 화소회로(PC)는 7개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 각 화소(P)는 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소, 예컨대, 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 화소회로(PC)는 복수의 박막트랜지스터들 및 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 포함할 수 있다. 박막트랜지스터들 및 스토리지 커패시터는 신호라인(SL, SL-1, EL, DL), 초기화전압라인(VL), 및 구동전압라인(PL)에 연결될 수 있다.
도 4에서는 각 화소(P)가 신호라인(SL, SL-1, EL, DL), 초기화전압라인(VL), 및 구동전압라인(PL)에 연결된 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 일 실시예로서, 신호라인(SL, SL-1, EL, DL) 중 적어도 어느 하나, 초기화전압라인(VL)과 구동전압라인(PL) 등은 이웃하는 화소들에서 공유될 수 있다.
복수의 박막트랜지스터는 구동 박막트랜지스터(driving TFT, T1), 스위칭 박막트랜지스터(switching TFT, T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1 초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.
신호라인은 스캔신호(Sn)를 전달하는 스캔라인(SL), 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)와 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)에 이전 스캔신호(Sn-1)를 전달하는 이전 스캔라인(SL-1), 동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)에 발광제어신호(En)를 전달하는 발광제어라인(EL), 스캔라인(SL)과 교차하며 데이터신호(Dm)를 전달하는 데이터라인(DL)을 포함한다. 구동전압라인(PL)은 구동 박막트랜지스터(T1)에 구동전압(ELVDD)을 전달하며, 초기화전압라인(VL)은 구동 박막트랜지스터(T1) 및 화소전극을 초기화하는 초기화전압(Vint)을 전달한다.
구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 스토리지 축전판(Cst1)에 연결되어 있고, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)은 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 하부 구동전압라인(PL)에 연결되어 있으며, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결되어 있다. 구동 박막트랜지스터(T1)는 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(Dm)를 전달받아 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(IOLED)를 공급한다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 게이트전극(G2)은 스캔라인(SL)에 연결되어 있고, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 소스전극(S2)은 데이터라인(DL)에 연결되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)에 연결되어 있으면서 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 하부 구동전압라인(PL)에 연결되어 있다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔라인(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 데이터라인(DL)으로 전달된 데이터신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 게이트전극(G3)은 스캔라인(SL)에 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)에 연결되어 있으면서 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 스토리지 축전판(Cst1), 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 드레인전극(D4) 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 연결되어 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)는 스캔라인(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)과 구동 드레인전극(D1)을 전기적으로 연결하여 구동 박막트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다.
제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 게이트전극(G4)은 이전 스캔라인(SL-1)에 연결되어 있고, 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 소스전극(S4)은 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 드레인전극(D7)과 초기화전압라인(VL)에 연결되어 있으며, 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 드레인전극(D4)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 스토리지 축전판(Cst1), 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3) 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 연결되어 있다. 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)는 이전 스캔라인(SL-1)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 초기화전압(Vint)을 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 전달하여 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)의 전압을 초기화시키는 초기화동작을 수행한다.
동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 게이트전극(G5)은 발광제어라인(EL)에 연결되어 있으며, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 소스전극(S5)은 하부 구동전압라인(PL)과 연결되어 있고, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 드레인전극(D5)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1) 및 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)과 연결되어 있다.
발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 게이트전극(G6)은 발광제어라인(EL)에 연결되어 있고, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 소스전극(S6)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1) 및 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)에 연결되어 있으며, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6)은 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 소스전극(S7) 및 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 전기적으로 연결되어 있다.
동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)는 발광제어라인(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(En)에 따라 동시에 턴-온되어, 구동전압(ELVDD)이 유기발광다이오드(OLED)에 전달되어 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(IOLED)가 흐르도록 한다.
제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 게이트전극(G7)은 이전 스캔라인(SL-1)에 연결되어 있고, 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 소스전극(S7)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6) 및 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 연결되어 있으며, 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 드레인전극(D7)은 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 소스전극(S4) 및 초기화전압라인(VL)에 연결되어 있다. 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)는 이전 스캔라인(SL-1)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극을 초기화시킨다.
도 4에서는 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)와 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)가 이전 스캔라인(SL-1)에 연결된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 일 실시예로서, 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)는 이전 스캔라인(SL-1)에 연결되어 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 구동하고, 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)는 별도의 신호라인(예컨대, 이후 스캔라인)에 연결되어 상기 신호라인에 전달되는 신호에 따라 구동될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제2 스토리지 축전판(Cst2)은 구동전압라인(PL)에 연결되어 있으며, 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극은 공통전압(ELVSS)에 연결되어 있다. 이에 따라, 유기발광다이오드(OLED)는 구동 박막트랜지스터(T1)로부터 구동전류(IOLED)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시할 수 있다.
도 4에서는 보상 박막트랜지스터(T3)와 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)가 듀얼 게이트전극을 갖는 것으로 도시하고 있으나, 보상 박막트랜지스터(T3)와 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)는 한 개의 게이트전극을 가질 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 있어서 표시영역의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
보다 구체적으로는, 도 5a 및 도 5b는 도 2의 A 부분을 확대한 확대도이고, 도 6은 도 5a의 I-I' 선을 따라 취한 단면도에 해당한다.
도 5a 및 도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 기판(100)은 화소(P)가 배치되어 빛이 방출되는 발광영역(EA)과 화소(P)가 배치되지 않아 빛이 방출되지 않는 투과영역(TA)을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치의 투과율을 향상시키기 위해 투과영역(TA)은 화소(P)에 비해 크게 구비될 수 있다. 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)와 같은 표시요소를 포함하여, 적색, 녹색, 청색 또는 백색 파장의 빛을 방출할 수 있다. 일 실시예로, 도 5a에 도시된 바와 같이, 1개의 투과영역(TA)에 대응하여 3개의 화소(P)가 배치될 수 있고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 1개의 투과영역(TA)에 대응하여 4개의 제1 화소(P1), 2개의 제2 화소(P2) 및 2개의 제3 화소(P3)가 배치될 수 있다. 이때, 제1 화소(P1)는 청색 파장의 빛을 방출할 수 있고, 제2 화소(P2)는 녹색 파장의 빛을 방출할 수 있으며, 제3 화소(P3)는 적색 파장의 빛을 방출할 수 있다.
화소(P)와 투과영역(TA) 사이, 각각의 화소(P) 사이 및 투과영역(TA)의 외각을 따라 외광흡수층(350)이 배치될 수 있다. 외광흡수층(350)은 박막봉지층(300) 상에 배치되지만, 도 5a에서는 설명의 편의를 위해 박막봉지층(300)을 생략하였다. 외광흡수층(350)은 화소(P)와 투과영역(TA) 사이, 각각의 화소(P) 사이 및 투과영역(TA)의 외곽을 따라 배치되어 외광을 흡수할 수 있다. 외광흡수층(350)은 광을 흡수하는 블랙 수지(Black Resin), 염료 등으로 이루어질 수 있다.
기존의 디스플레이 장치의 경우, 외광이 화소정의막의 경사부에 배치된 대향전극 및 투과영역 주변의 배선들에서 반사되고, 반사된 광에 의해 외광 반사 모아레(Moire) 현상이 발생하는 문제점이 존재하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 외광 반사를 유발하는 화소정의막의 경사부 및 투과영역 주변의 배선들에서 반사되는 반사광을 차단하기 위해 외광을 흡수하는 외광흡수층(350)을 화소정의막의 경사부 및 투과영역 주변의 배선들과 중첩하도록 배치함으로써, 외광 반사에 의한 모아레(Moire) 현상이 발생하는 것을 방지하여 제품의 화질 특성을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따르는 디스플레이 장치에 포함된 구성들이 적층된 구조에 대해서 설명하도록 한다.
기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 글래스재 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyether imide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 일 실시예로, 기판(100)은 제1 기판(100a), 제1 기판(100a) 상에 배치된 제1 배리어층(100b), 제1 배리어층(100b) 상에 배치된 제2 기판(100c) 및 제2 기판(100c) 상에 배치된 제2 배리어층(100d)을 포함할 수 있고, 제1 기판(100a) 및 제2 기판(100c)은 폴리에테르 이미드(polyether imide)를 포함할 수 있다.
버퍼층(101)은 기판(100) 상에 위치하여, 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(101)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다.
버퍼층(101) 상에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(134), 게이트전극(136), 소스전극(137) 및 드레인전극(138)을 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 표시요소(200) 예컨대, 유기발광다이오드(OLED)와 연결되어 유기발광다이오드(OLED)를 구동할 수 있다.
반도체층(134)은 버퍼층(101) 상에 배치되며, 게이트전극(136)과 중첩하는 채널영역(131) 및 채널영역(131)의 양측에 배치되되 채널영역(131)보다 고농도의 불순물을 포함하는 소스영역(132) 및 드레인영역(133)을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 N형 불순물 또는 P형 불순물을 포함할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 소스영역(132)과 드레인영역(133)은 각각 소스전극(137) 및 드레인전극(138)과 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체층(134)은 산화물반도체 및/또는 실리콘반도체를 포함할 수 있다. 반도체층(134)이 산화물반도체로 형성되는 경우, 예컨대 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크로뮴(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의　산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체층(134)은 ITZO(InSnZnO), IGZO(InGaZnO) 등일 수 있다. 반도체층(134)이 실리콘반도체로 형성되는 경우, 예컨대 아모퍼스 실리콘(a-Si) 또는 아모퍼스 실리콘(a-Si)을 결정화한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)을 포함할 수 있다.
버퍼층(101) 상에는 차광층(미도시)이 배치될 수 있다. 차광층은 박막트랜지스터에 대응되도록 배치되어, 박막트랜지스터의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극이 외부로 시인되는 것을 방지할 수 있다. 차광층에는 전압이 인가될 수 있다. 예컨대, 차광층은 박막트랜지스터의 소스전극 또는 드레인전극과 접속될 수 있다. 차광층은 박막트랜지스터의 소스전극 또는 드레인전극의 전위와 연동되어 전압을 공급받는 바, 이를 통해 디스플레이 장치의 박막트랜지스터가 안정화될 수 있다. 일 실시예로, 차광층은 박막트랜지스터의 소스전극 또는 드레인전극과 접속되지 않고, 별도의 배선과 연결될 수 있다.
반도체층(134) 상에는 제1 절연층(103)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(103)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 절연층(103)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1 절연층(103) 상에는 게이트전극(136)이 배치될 수 있다. 게이트전극(136)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 게이트전극(136)은 게이트전극(136)에 전기적 신호를 인가하는 게이트 라인과 연결될 수 있다.
게이트전극(136) 상에는 제2 절연층(105)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(105)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2 절연층(105)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1 절연층(103) 상에는 스토리지 커패시터(Cst)가 배치될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 하부전극(144) 및 상부전극(146)을 포함할 수 있으며, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하며, 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(144)이 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(136)과 일체(一體)로서 배치될 수 있다. 일 실시예로, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있으며, 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(144)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(136)과 별개의 독립된 구성요소일 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst) 상에는 제3 절연층(107)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(107)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제3 절연층(107)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제3 절연층(107) 상에는 소스전극(137) 및 드레인전극(138)이 배치될 수 있다. 소스전극(137) 및 드레인전극(138)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 소스전극(137) 및 드레인전극(138)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
소스전극(137) 및 드레인전극(138) 상에는 평탄화층(113)이 배치될 수 있다. 평탄화층(113)은 그 상부에 배치되는 화소전극이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다.
제1 절연층(103), 제2 절연층(105) 및 제3 절연층(107)을 통칭하여 무기절연층이라 하면, 기판(100) 상에 무기절연층이 적층된 구조는 적외선 파장에 대해서 약 90% 이상의 투과율을 가질 수 있다. 예컨대, 기판(100) 및 무기절연층을 통과하는 900 nm 내지 1100 nm 의 파장의 광은 약 90% 투과율을 가질 수 있다.
평탄화층(113)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한, 평탄화층(113)은 벤조시클로부텐(Benzocyclobutene, BCB), 폴리이미드(polyimide, PI), 헥사메틸디실록산(Hexamethyldisiloxane, HMDSO), 폴리메틸 메타크릴레이트(Poly(methy lmethacrylate), PMMA)나, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 한편, 평탄화층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2) 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 평탄화층(113)을 형성한 후, 평탄한 상면을 제공하기 위해서 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다.
평탄화층(113)에는 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(137) 및 드레인전극(138) 중 어느 하나를 노출시키는 개구가 존재하며, 화소전극(210)은 상기 개구를 통해 소스전극(137) 또는 드레인전극(138)과 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
평탄화층(113을 유기절연층이라 하면, 유기절연층은 적외선 파장에 대해서 약 90% 이상의 투과율을 가질 수 있다. 예컨대, 유기절연층을 통과하는 900 nm 내지 1100 nm 의 파장의 광은 약 90% 투과율을 가질 수 있다.
평탄화층(113) 상에는 화소전극(210), 중간층(220) 및 중간층(220)을 사이에 두고 화소전극(210)과 대향하여 배치된 대향전극(230)을 포함하는 표시요소(200)가 위치할 수 있다. 예컨대, 화소전극(210), 중간층(220) 및 대향전극(230)을 포함하는 표시요소(200)는 유기발광다이오드(OLED)일 수 있다.
평탄화층(113) 상에는 화소전극(210)이 배치될 수 있다. 화소전극(210)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 화소전극(210)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 화소전극(210)은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조로 구비될 수 있다.
평탄화층(113) 상에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있으며, 화소정의막(180)은 화소전극(210)의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구(OP1)를 포함할 수 있다. 화소전극(210)의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구(OP1)는 제1 폭(w1)을 가질 수 있다. 화소정의막(180)은 화소전극(210)의 가장자리와 화소전극(210) 상부의 대향전극(230) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 화소전극(210)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(180)은 예컨대, 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, 헥사메틸디실록산 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 각 화소의 발광영역(EA)은 화소정의막(180)의 제1 개구(OP1)에 의해 정의될 수 있다.
화소정의막(180) 상에는 스페이서(190)가 배치될 수 있다. 스페이서(190)는 후술할 중간층(220)을 형성하는 공정에서 사용되는 마스크에 의해 기판(100)과 스페이서(190) 사이에 개재되는 층들이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 스페이서(190)는 화소정의막(180)과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 하프톤 마스크를 이용하여 화소정의막(180)과 동시에 형성될 수 있다. 일 실시예로, 투과영역(TA)의 평탄화층(113) 상에 화소정의막(180) 및 스페이서(190)가 배치될 수 있다.
화소정의막(180)의 제1 개구(OP1)의 내부에는 화소전극(210)에 대응되도록 중간층(220)이 배치될 수 있다. 중간층(220)은 발광층(Emission Layer, EML)을 포함할 수 있으며, 발광층의 아래 및 위에는, 홀 수송층(Hole Transport Layer, HTL), 홀 주입층(Hole Injection Layer, HIL), 전자 수송층(Electron Transport Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
발광층은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
발광층이 저분자 유기물을 포함할 경우, 중간층(220)은 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 저분자 유기물로 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine, CuPc), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘(N,N'-Di(napthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄((tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3)) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
발광층이 고분자 물질을 포함할 경우에는 중간층(220)은 대개 홀 수송층 및 발광층을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylene vinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이러한 발광층은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(Laser induced thermal imaging, LITI) 등으로 형성할 수 있다.
중간층(220) 상에는 대향전극(230)이 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 중간층(220) 상에 배치되되, 중간층(220)의 전부를 덮는 형태로 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 표시영역(DA) 상부에 배치되되, 표시영역(DA)의 전부를 덮는 형태로 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(230)은 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 커버하도록 일체(一體)로 형성될 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)의 적어도 일부는 투과영역(TA) 측으로 연장되어 배치될 수 있다.
대향전극(230)은 일함수가 낮은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
화소전극(210), 중간층(220) 및 대향전극(230)을 포함하는 표시요소(200)는 박막봉지층(300)으로 커버될 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 박막봉지층(300)은 제1 무기봉지층(310)과 제2 무기봉지층(330) 및 이들 사이에 배치되는 유기봉지층(320)을 포함할 수 있다.
제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 각각 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 무기 절연물은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(320)은 아크릴계 수지, 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등을 포함할 수 있다.
박막봉지층(300) 상에는 외광흡수층(350)이 배치될 수 있다. 외광흡수층(350)은 발광영역(EA)과 적어도 일부 중첩하며, 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 두께로 박막봉지층(300) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예로, 외광흡수층(350)은 제2 무기봉지층(330) 상에 직접 배치될 수 있다.
외광흡수층(350)은 박막봉지층(300)의 적어도 일부를 노출시키는 제2 개구(OP2)를 포함할 수 있다. 예컨대, 외광흡수층(350)의 제2 개구(OP2)는 제2 무기봉지층(330)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 박막봉지층(300)의 적어도 일부를 노출시키는 제2 개구(OP2)는 제2 폭(w2)을 가질 수 있다. 제2 개구(OP2)의 제2 폭(w2)은 제1 개구(OP1)의 제1 폭(w1)보다 좁을 수 있다.
외광흡수층(350)에 정의된 제2 개구(OP2)의 폭이 화소정의막(180)에 정의된 제1 개구(OP1)의 폭보다 좁게 구비됨으로써, 외광이 화소정의막(180)의 경사부에 배치된 대향전극(230)에서 반사되는 것을 차단하여, 모아레(Moire) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 있어서 표시영역의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 7a 및 도 7b에도 도 5a 및 도 5b와 같이 투과영역(TA)이 구비될 수 있으나, 설명의 편의를 위해 생략하였다.
도 7a 및 도 8을 참조하면, 외광흡수층(350) 상에는 편광판(400)이 배치될 수 있고, 편광판(400) 상에는 복수의 광 제어 필름(500)이 배치될 수 있다. 각각의 광 제어 필름(500)들은 제1 거리(d1) 만큼 이격되어 배치될 수 있다. 일 실시예로, 제1 거리(d1)는 35 ㎛ 내지 55 ㎛ 일 수 있다. 예컨대, 제1 거리(d1)는 30 ㎛ 내지 60 ㎛ 일 수 있고, 25 ㎛ 내지 65 ㎛ 일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
각각의 광 제어 필름(500)은 제1 방향(x방향)으로 연장되는 제1 축(11) 및 제1 방향(x방향)과 교차하는 제2 방향(y방향)으로 연장되는 제2 축(12)을 포함하는 평면 상에서 제1 축(11)과 제1 경사각(θ1)을 이루며, 편광판(400) 상에 배치될 수 있다. 각각의 광 제어 필름(500)이 제1 축(11)과 이루는 제1 경사각(θ1)은 30도 이하의 각도를 가질 수 있다. 이때, 각도는 0도 보다 클 수 있다. 예컨대, 각각의 광 제어 필름(500)이 제1 축(11)과 이루는 제1 경사각(θ1)은 0도 초과 29도 이하일 수 있고, 0도 초과 20도 이하일 수 있으며, 0도 초과 3도 이하일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
광 제어 필름(500)이 제1 방향(x방향)으로 연장되는 제1 축(11)과 이루는 경사각이 30도 이하인 경우, 외광 반사에 의해 모아레(Moire) 현상이 발생하고, 그나마 광 제어 필름(500)과 제1 축(11)이 이루는 경사각이 20도 또는 27.5도인 경우, 외광 반사에 의한 모아레(Moire) 현상이 약하게 발생하지만, 경사각이 약간만 틀어져도 모아레(Moire) 현상이 심해지는 문제점이 존재하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 외광 반사를 유발하는 화소정의막의 경사부 및 투과영역 주변의 배선들에서 반사되는 반사광을 차단하기 위해 외광을 흡수하는 외광흡수층(350)을 화소정의막(180)의 경사부 및 투과영역(TA) 주변의 배선들과 중첩하도록 배치함으로써, 외광 반사에 의한 모아레(Moire) 현상이 발생하는 것을 방지하고 동시에 광 제어 필름(500)이 제1 방향(x방향)으로 연장되는 제1 축(11)과 이루는 경사각을 줄임으로써, 위쪽 방향으로는 표시요소(200)에서 방출된 광이 방출되지 않도록 하여, 운전자의 시야를 방해하지 않으면서 운전자에게 필요한 정보를 제공할 수 있다.
일 실시예로, 도 7b에 도시된 바와 같이, 각각의 광 제어 필름(500)은 제1 방향(x방향)으로 연장되는 제1 축(11)과 평행하게 편광판(400) 상에 배치될 수 있다. 광 제어 필름(500)이 제1 방향(x방향)으로 연장되는 제1 축(11)과 평행하게 편광판(400) 상에 배치됨으로써, 위쪽 방향으로는 표시요소(200)에서 방출된 광이 방출되지 않도록 하여, 운전자의 시야를 방해하지 않으면서 운전자에게 필요한 정보를 제공할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 외광흡수층(350) 상에는 편광판(400)이 배치될 수 있다. 편광판(400)은 편광 점착층(410) 및 편광층(420)을 포함할 수 있다. 편광 점착층(410)은 편광층(420)을 점착시키는 역할을 할 수 있다. 일 실시예로, 편광 점착층(410)은 생략될 수 있다. 편광층(420)은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다. 일 실시예로, 편광층(420)은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 수 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 각각 반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외광 반사율이 감소될 수 있다.
복수의 광 제어 필름(500)은 제1 거리(d1) 만큼 각각 이격되어 편광판(400) 상에 배치될 수 있다. 광 제어 필름(500)은 광 투과성을 조절하도록 구성되어 있는 광학 필름으로서, 특정한 방향으로 표시요소(200)에서 방출된 광이 방출되지 않도록 할 수 있다. 광 제어 필름(500)은 80 ㎛ 내지 120 ㎛ 두께로 편광판(400) 상에 배치될 수 있다.
각각의 광 제어 필름(500)과 편광판(400) 사이에는 점착층(450)이 위치할 수 있다. 점착층(450)은 각각의 광 제어 필름(500)들을 편광판(400)에 점착시키는 역할을 할 수 있다. 일 실시예로, 점착층(450)은 생략될 수 있다.
지금까지는 디스플레이 장치에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 디스플레이 장치를 제조하기 위한 디스플레이 장치 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
DA: 표시영역
TA: 투과영역
EA: 발광영역
1: 디스플레이 장치
100: 기판
180: 화소정의막
350: 외광흡수층
400: 편광판
500: 광 제어 필름

Claims (20)

  1. 투과영역 및 화소정의막에 의해 정의된 발광영역을 포함하는, 기판;
    상기 화소정의막에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치된 중간층 및 상기 중간층 상에 배치된 대향전극을 포함하는, 표시요소;
    상기 표시요소 상에 배치되되, 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는, 박막봉지층; 및
    상기 발광영역과 적어도 일부 중첩하며, 상기 박막봉지층 상에 배치된, 외광흡수층;
    을 구비하는, 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화소정의막은 상기 화소전극의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구를 포함하고, 상기 외광흡수층은 상기 박막봉지층의 적어도 일부를 노출시키는 제2 개구를 포함하는, 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 화소정의막에 포함된 상기 제1 개구는 제1 폭을 가지며, 상기 외광흡수층에 포함된 상기 제2 개구는 상기 제1 폭보다 좁은 제2 폭을 갖는, 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 외광흡수층은 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 두께로 상기 박막봉지층 상에 배치된, 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 박막봉지층은,
    상기 표시요소 상에 배치되는, 제1 무기봉지층;
    상기 제1 무기봉지층 상에 배치되는, 유기봉지층; 및
    상기 유기봉지층 상에 배치되는, 제2 무기봉지층;
    을 포함하는, 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 외광흡수층은 상기 제2 무기봉지층 상에 직접 배치되는, 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 화소정의막 상에 배치된, 스페이서를 더 포함하고, 상기 스페이서는 화소정의막과 동일 물질을 포함하는, 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 외광흡수층 상에 배치된, 편광판; 및
    상기 편광판 상에 제1 거리 만큼 각각 이격되어 배치된, 복수의 광 제어 필름;
    을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 각각의 광 제어 필름은 제1 방향으로 연장되는 제1 축 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 축을 포함하는 평면 상에서 제1 축과 제1 경사각을 이루며, 상기 편광판 상에 배치된, 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 경사각은 30도 이하인, 디스플레이 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1 거리는 35 ㎛ 내지 55 ㎛인, 디스플레이 장치.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 각각의 광 제어 필름은 80 ㎛ 내지 120 ㎛ 두께로 상기 편광판 상에 배치된, 디스플레이 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 대향전극의 적어도 일부는 상기 투과영역 측으로 연장되는, 디스플레이 장치.
  14. 투과영역 및 화소정의막에 의해 정의된 발광영역을 포함하는, 기판;
    상기 화소정의막에 의해 적어도 일부가 노출된 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치된 중간층 및 상기 중간층 상에 배치된 대향전극을 포함하는, 표시요소;
    상기 표시요소 상에 배치되되, 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는, 박막봉지층;
    상기 박막봉지층 상에 배치된, 외광흡수층; 및
    상기 외광흡수층 상에 제1 거리 만큼 각각 이격되어 배치된, 복수의 광 제어 필름;
    을 구비하는, 디스플레이 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 화소정의막은 상기 화소전극의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구를 포함하고, 상기 외광흡수층은 상기 박막봉지층의 적어도 일부를 노출시키는 제2 개구를 포함하는, 디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 화소정의막에 포함된 상기 제1 개구는 제1 폭을 가지며, 상기 외광흡수층에 포함된 상기 제2 개구는 상기 제1 폭보다 좁은 제2 폭을 갖는, 디스플레이 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 외광흡수층은 상기 발광영역과 적어도 일부 중첩하며, 상기 박막봉지층 상에 배치된, 디스플레이 장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 외광흡수층과 상기 복수의 광 제어 필름 사이에 배치된, 편광판을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 각각의 광 제어 필름은 제1 방향으로 연장되는 제1 축 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 축을 포함하는 평면 상에서 제1 축과 제1 경사각을 이루며, 상기 편광판 상에 배치된, 디스플레이 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 경사각은 30도 이하인, 디스플레이 장치.
KR1020190167133A 2019-12-13 2019-12-13 디스플레이 장치 KR20210076293A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190167133A KR20210076293A (ko) 2019-12-13 2019-12-13 디스플레이 장치
US16/918,973 US11626457B2 (en) 2019-12-13 2020-07-01 Display device including external light-absorbing layer
CN202011442212.7A CN112992980A (zh) 2019-12-13 2020-12-08 显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190167133A KR20210076293A (ko) 2019-12-13 2019-12-13 디스플레이 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210076293A true KR20210076293A (ko) 2021-06-24

Family

ID=76317077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190167133A KR20210076293A (ko) 2019-12-13 2019-12-13 디스플레이 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11626457B2 (ko)
KR (1) KR20210076293A (ko)
CN (1) CN112992980A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023282362A1 (ko) * 2021-07-05 2023-01-12 엘지전자 주식회사 모듈형 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112038369A (zh) * 2020-08-20 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100862963B1 (ko) 2001-07-05 2008-10-13 포톤 다이나믹스, 인코포레이티드 모아레 억제 방법 및 그 장치
US7385660B2 (en) * 2003-12-08 2008-06-10 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device for transflector having opening in a first electrode for forming a liquid crystal domain and openings at first and second corners of the domain on a second electrode
US20060290845A1 (en) * 2005-06-24 2006-12-28 Hebrink Timothy J Polarization sensitive illumination element and system using same
US20070077349A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Eastman Kodak Company Patterning OLED device electrodes and optical material
US8106587B2 (en) 2006-08-18 2012-01-31 Samsung Corning Precision Materials Co., Ltd. External light-shielding layer and display apparatus having the same for improving contrast ratio of the display apparatus
KR20080016428A (ko) 2006-08-18 2008-02-21 삼성코닝 주식회사 외광 차폐층 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20080057625A (ko) 2006-12-20 2008-06-25 엘지마이크론 주식회사 디스플레이필터용 외광차폐층, 이를 포함하는디스플레이필터 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US20080192352A1 (en) * 2007-02-12 2008-08-14 Eastman Kodak Company Optical diffuser film and light assembly
US20080260328A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 3M Innovative Properties Company Led light extraction bar and injection optic for thin lightguide
JP2009109972A (ja) * 2007-05-21 2009-05-21 Rohm & Haas Denmark Finance As 薄膜バルクおよび表面ディフューザ
US20090040772A1 (en) * 2007-08-08 2009-02-12 Rohm And Haas Denmark Finance A/S Optical element comprising restrained asymmetrical diffuser
TWI365005B (en) 2008-01-04 2012-05-21 Chimei Innolux Corp Organic light emitting diode (oled) display devices, modules, and electronic devices
US20090201441A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-13 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Tensioned optical element having crimping frame and spring
US20090279175A1 (en) * 2008-05-07 2009-11-12 Rohm And Haas Denmark Finance A/S Optical diffuser film with linear domains of varying diffusion
US20110025948A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Skc Haas Display Films Co., Ltd. Patterned volume diffuser elements
TW201215916A (en) 2010-10-01 2012-04-16 J Touch Corp Display device structure improvement featuring 2D/3D image switching
KR101954220B1 (ko) * 2012-09-14 2019-03-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 봉지 유닛, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101482401B1 (ko) 2013-04-30 2015-01-13 삼성전기주식회사 터치패널을 포함하는 디스플레이장치 및 그 터치패널의 전극패턴 시인성 평가방법
KR101510549B1 (ko) 2013-11-05 2015-04-08 한국기술교육대학교 산학협력단 모아레 패턴을 갖는 ｏｌｅｄ 면광원
JP6464369B2 (ja) 2014-03-31 2019-02-06 アダマンド並木精密宝石株式会社 マイクロモータ及びマイクロモータを用いたマイクロギヤードモータ並びにマイクロモータの製造方法
CN103984442B (zh) 2014-05-27 2017-10-31 上海和辉光电有限公司 内嵌式有源矩阵有机发光二极管触控面板
US20160203744A1 (en) 2015-01-14 2016-07-14 John Paul Duffy Low profile simulated 3d display device
KR102344331B1 (ko) 2015-01-15 2021-12-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102375121B1 (ko) * 2015-05-22 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108431685B (zh) 2015-10-30 2022-04-26 安波福技术有限公司 用于执行面板振动和/或选择性背光控制以减少包括多个显示器的显示系统中的莫尔干涉的方法和系统
KR101702570B1 (ko) * 2015-10-30 2017-02-03 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치
KR101837503B1 (ko) 2015-11-30 2018-03-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR101730537B1 (ko) * 2015-11-30 2017-04-26 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법
KR101797018B1 (ko) * 2015-11-30 2017-11-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
KR101747268B1 (ko) * 2015-11-30 2017-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
US9911942B2 (en) * 2016-05-04 2018-03-06 Samsung Display Co., Ltd. Electronic device and display module provided therein
KR102574641B1 (ko) * 2016-07-19 2023-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101992916B1 (ko) * 2016-09-30 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102662681B1 (ko) * 2016-12-26 2024-04-30 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치와 그의 제조방법
KR20180074985A (ko) * 2016-12-26 2018-07-04 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
KR102478474B1 (ko) * 2018-01-08 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102515812B1 (ko) * 2018-03-20 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102122640B1 (ko) 2018-04-30 2020-06-12 배성현 투명 oled 디스플레이가 구비된 광고매체
KR102604051B1 (ko) * 2018-10-16 2023-11-20 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102631253B1 (ko) * 2018-11-05 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
KR20200078874A (ko) * 2018-12-24 2020-07-02 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200083879A (ko) * 2018-12-31 2020-07-09 삼성디스플레이 주식회사 색변환 기판 및 표시 장치
KR20200084967A (ko) * 2019-01-03 2020-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR20200100910A (ko) * 2019-02-18 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200104451A (ko) * 2019-02-26 2020-09-04 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN110034166B (zh) * 2019-03-26 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023282362A1 (ko) * 2021-07-05 2023-01-12 엘지전자 주식회사 모듈형 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN112992980A (zh) 2021-06-18
US20210183971A1 (en) 2021-06-17
US11626457B2 (en) 2023-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11581378B2 (en) Display apparatus having pixel electrodes arranged on a planarization layer
KR20200028567A (ko) 표시 장치
US11462605B2 (en) Display apparatus
KR20200133095A (ko) 유기발광표시장치
KR20210034158A (ko) 디스플레이 장치
KR20210080686A (ko) 표시 장치
KR20220009544A (ko) 플렉서블 디스플레이 장치
KR20210102558A (ko) 표시 장치
KR20210032600A (ko) 디스플레이 장치
KR20210005455A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US11626457B2 (en) Display device including external light-absorbing layer
US11638383B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20230284494A1 (en) Display device
KR20210090779A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210078638A (ko) 표시 장치 및 그 제조방법
KR20220044173A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US11263975B2 (en) Display apparatus
US11664359B2 (en) Display apparatus
US11730022B2 (en) Display device including a sidewall having an inclination angle and method of manufacturing the same
KR20220106261A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210103632A (ko) 표시 장치
KR20220079758A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210055851A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20210080687A (ko) 디스플레이 장치
KR20210086814A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal