CN113113549A - 显示设备和制造其的方法 - Google Patents

显示设备和制造其的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113113549A
CN113113549A CN202011130762.5A CN202011130762A CN113113549A CN 113113549 A CN113113549 A CN 113113549A CN 202011130762 A CN202011130762 A CN 202011130762A CN 113113549 A CN113113549 A CN 113113549A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
planarization layer
colored
thin film
contact hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011130762.5A
Other languages
English (en)
Inventor
崔洛初
柳春基
李宰薰
金智熙
郑壤镐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN113113549A publication Critical patent/CN113113549A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开了具有改善的可靠性的显示设备和制造其的方法，该显示设备包括：基板；在基板上的薄膜晶体管；电连接至薄膜晶体管的像素电极；在薄膜晶体管和像素电极之间的第一透明平坦化层，第一透明平坦化层包括用于将薄膜晶体管电连接至像素电极的第一接触孔并且包括透明材料；和在第一透明平坦化层上的有色平坦化层，有色平坦化层包括用于将薄膜晶体管电连接至像素电极的第二接触孔并且包括有色颜料或炭黑。

Description

显示设备和制造其的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年1月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0003878号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的实施方式的方面涉及显示设备和制造显示设备的方法。
背景技术
与液晶显示设备不同，作为用于显示图像的显示设备，有机发光二极管显示设备具有自发射特性。所以，另外的光源是不必要的，并且因此，显示设备的厚度和重量可减少。而且，有机发光二极管显示设备表现出优异的特性，比如低功率消耗、高亮度和快响应速度。
发明内容
有机发光二极管显示设备必须具有优异的对比度和高亮度，但是当外部光强烈时，对比度可能劣化。为防止或减少该情况，可提供具有某一颜色(例如，黑色)的像素限定层，但是由于形成有色像素限定层的工艺的残余物而可能产生暗点。一个或多个实施方式包括具有改善的可靠性的显示设备和制造显示设备的方法，在显示设备中可防止或减少由于外部光引起的特性的劣化并且可防止或减少由暗点引起的缺陷。然而，以上方面和技术特征作为示例被提供，并且本公开的范围不限于此。
另外的方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可通过本公开所呈现的实施方式的实践而获知。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：基板；在基板上的薄膜晶体管；电连接至薄膜晶体管的像素电极；在薄膜晶体管和像素电极之间的第一透明平坦化层，第一透明平坦化层包括用于将薄膜晶体管电连接至像素电极的第一接触孔并且包括透明材料；和在第一透明平坦化层上的有色平坦化层，有色平坦化层包括用于将薄膜晶体管电连接至像素电极的第二接触孔并且包括有色颜料或炭黑。
有色平坦化层可直接在第一透明平坦化层上，第一透明平坦化层可包括正性光敏材料，并且有色平坦化层可包括负性光敏材料。
薄膜晶体管可包括半导体层、栅电极和连接电极，栅电极在半导体层上，并且连接电极在栅电极上，并且半导体层与栅电极可通过第一绝缘层彼此绝缘，并且栅电极与连接电极可通过第二绝缘层和第三绝缘层彼此绝缘。
第一透明平坦化层可具有距第三绝缘层的上表面的第一厚度，并且第一厚度可为约0.5μm至约2μm。
有色平坦化层可具有距第一透明平坦化层的上表面的第二厚度，并且第二厚度可为约0.5μm至约2μm。
第一透明平坦化层中的第一接触孔和有色平坦化层中的第二接触孔可彼此重叠。
第一接触孔可具有第一宽度，并且第二接触孔可具有不同于第一宽度的第二宽度。
第一宽度可为约3μm至约5μm。
第二宽度可为约5μm至约7μm。
显示设备可进一步包括：像素限定层，该像素限定层包括至少部分地暴露像素电极的第一开口；中间层，该中间层包括发射层和至少一个功能层，发射层与第一开口重叠；和在中间层上的相对电极。
显示设备可进一步包括在像素限定层上的间隔件，并且间隔件可包括与像素限定层中包括的材料相同的材料。
显示设备可进一步包括在基板和第一透明平坦化层之间的第二透明平坦化层。
第二透明平坦化层可具有距第三绝缘层的上表面的第三厚度，并且第三厚度可为约0.5μm至约2μm。
根据一个或多个实施方式，制造显示设备的方法包括：在基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第一透明平坦化层，第一透明平坦化层包括第一接触孔并且包括透明材料；在第一透明平坦化层上形成有色平坦化层，有色平坦化层包括第二接触孔并且包括有色颜料或炭黑；和在有色平坦化层上形成像素电极，像素电极经第一接触孔和第二接触孔电连接至薄膜晶体管。
有色平坦化层的形成可包括：在第一透明平坦化层上形成有色材料层，部分地曝光有色材料层，和通过显影被曝光的有色材料层来形成第二接触孔。
该方法可进一步包括：在形成第二接触孔之后，使有色平坦化层固化。
有色平坦化层可直接在第一透明平坦化层上，第一透明平坦化层可包括正性光敏材料，并且有色平坦化层可包括负性光敏材料。
薄膜晶体管可包括半导体层、栅电极和连接电极，栅电极在半导体层上并且连接电极在栅电极上，并且半导体层与栅电极可通过第一绝缘层彼此绝缘，并且栅电极与连接电极可通过第二绝缘层和第三绝缘层彼此绝缘。
第一透明平坦化层可具有距第三绝缘层的上表面的第一厚度，并且有色平坦化层可具有距第一透明平坦化层的上表面的第二厚度。
第一透明平坦化层中的第一接触孔和有色平坦化层中的第二接触孔可彼此重叠，并且第一接触孔可具有第一宽度，并且第二接触孔可具有不同于第一宽度的第二宽度。
通过所附附图、权利要求和以下详细描述，本公开的其他方面、特征和优势将变得更好理解。
附图说明
本公开的某些实施方式的以上和其他方面、特征和优势将从结合所附附图的以下描述中更显而易见，其中：
图1和图2为根据实施方式的显示设备的透视图；
图3和图4为根据一些实施方式的显示设备的截面图；
图5为根据实施方式的显示设备的平面图；
图6和图7为根据一些实施方式的显示设备中包括的像素的等效电路图；
图8为根据实施方式的显示设备的截面图；
图9为根据实施方式的图8的截面图的区“A”的放大图；
图10为根据实施方式的显示设备的截面图；
图11为根据实施方式的图10的截面图的区“B”的放大图；
图12为根据实施方式的显示设备的截面图；
图13和图14为根据一些实施方式的显示设备的截面图；并且
图15A至图15H为阐释根据实施方式的制造显示设备的方法中的工艺的截面图。
具体实施方式
现将更详细地参考实施方式，其一些示例在所附附图中阐释，其中遍及本文相同的附图标记指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文阐述的描述。因此，下面通过参考图描述实施方式，以解释本描述的方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、所有的a、b和c，或其变型。
虽然如“第一”、“第二”等的这样的术语可用于描述各种组件，但这些组件不受以上术语的限制。以上术语用于区分一个组件与另一个组件。
以单数形式使用的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有明确不同的含义。
在本说明书中，要理解，术语“包括”、“具有”和“包含”旨在指示说明书中公开的特征、数量、步骤、动作、组件、部件或其组合的存在，并且不旨在排除一个或多个其他特征、数量、步骤、动作、组件、部件或其组合可存在或可被添加的可能性。
要理解，当层、区或组件被称为“形成在”另一层、区或组件“上”时，其可直接或间接形成在另一层、区或组件上。即，例如，可存在一个或多个中间层、区或组件。
为了方便解释，附图中的组件的尺寸可被放大。换句话说，因为为了方便解释，附图中的组件的尺寸和厚度可随意阐释，所以以下实施方式不限于此。
在说明书中，短语“A和/或B”表示A、B，或A和B。另外，短语“A和B中的至少一个”表示A、B，或A和B。
在本文的说明书中，“在第一方向或第二方向上延伸”的线表示以之字形或以曲线在第一方向或第二方向上延伸，以及在第一方向或第二方向上笔直地延伸。
遍及说明书，短语“在平面图中”表示从顶部观察目标部分，并且短语“在截面图中”表示观察从横向方向垂直切割的目标部分的截面。遍及说明书，表述“重叠”包括在平面图中重叠和在截面图中重叠。
除非另外限定，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本发明构思的示例实施方式所属领域普通技术人员通常理解的相同含义。要进一步理解，术语，比如在常用词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的语境下的含义一致的含义并且将不以理想的或过于正式的意义解释，除非本文明确地如此限定。
下面将参考所附附图进一步详细地描述一些示例实施方式。无论图号如何，相同或对应的那些组件被呈现为相同的附图标记。
图1和图2为根据实施方式的显示设备1的透视图。
参考图1，显示设备1可包括显示区域DA和在显示区域DA的外周处的非显示区域NDA。在实施方式中，非显示区域NDA可围绕显示区域DA。通过使用从显示区域DA中的多个像素P发射的光，显示设备1可提供图像。非显示区域NDA可不显示图像。
本文中，根据实施方式，尽管显示设备1被描述为有机发光显示设备，但本公开不限于此。例如，在另一实施方式中，显示设备1可包括无机发光显示器(或无机EL显示设备)或量子点发光显示设备。例如，显示设备1中包括的显示元件的发光层可包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或无机材料和量子点。
图1示出具有平坦的显示表面的显示设备1，但是一个或多个实施方式不限于此。在实施方式中，显示设备1可包括三维显示表面或弯折的显示表面。
当显示设备1包括三维显示表面时，显示设备1包括方向上彼此不同的多个显示区域，例如，多棱镜型显示表面。在另一实施方式中，当显示设备1包括弯折的显示表面时，显示设备1可实现为各种类型，例如，柔性显示设备、可折叠的显示设备、可卷曲的显示设备等。
图1示出可应用于移动终端的显示设备1。尽管图1中未示出，但是移动终端可以通过将安装在主板上的电子模块、照相机模块、电源模块等与显示设备1一起布置在支架/壳体中来配置。根据实施方式的显示设备1可应用于大型电子设备(比如电视、监视器等)和小型或中型电子设备(比如平板电脑终端、汽车导航系统、游戏控制台、智能手表等)中的任一种。
在图1中，显示设备1的显示区域DA具有矩形形状，但是显示区域DA可具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状，比如三角形形状、五边形形状等。
参考图2，在实施方式中，除了在显示区域DA周围(例如，围绕显示区域DA)的非显示区域NDA之外，非显示区域NDA可进一步包括第一非显示区域NDA1、第二非显示区域NDA2和弯曲区域BA。弯曲区域BA可绕着如图2中示出的在x方向上延伸的弯曲轴BAX弯曲。
可基于弯曲区域BA限定第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可邻近于显示区域DA。当弯曲区域BA弯曲并且可包括稍后将描述的数据驱动电路150(见图5)时，第二非显示区域NDA2从前面部分不可见。
与非显示区域NDA相同，在最终显示设备或包括显示设备的电子装置(比如智能电话)中，第一非显示区域NDA1可不显示图像。
图3和图4为根据一些实施方式的显示设备1的截面图。图3和图4示出沿着图1的线I-I'截取的显示设备1的截面。
参考图3，根据实施方式的显示设备1可包括基板100、在基板100上的绝缘层IL、在绝缘层IL上的有机发光二极管OLED和覆盖有机发光二极管OLED的薄膜封装层300a。
在实施方式中，基板100可包括聚合物树脂。聚合物树脂可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳族酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基板100可为柔性的、可卷曲的或可弯曲的。在实施方式中，基板100可具有包括包含上述聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。
在实施方式中，基板100可包括第一基板100a、在第一基板100a上的第一屏障层100b、在第一屏障层100b上的第二基板100c和在第二基板100c上的第二屏障层100d。例如，第一基板100a和第二基板100c可包括聚酰亚胺。
显示元件层可在基板100上。显示元件层可包括像素电路(该像素电路包括薄膜晶体管TFT)、作为显示元件的有机发光二极管OLED以及在薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED之间的绝缘层IL。显示区域DA可包括像素P，像素P各自包括薄膜晶体管TFT和连接至薄膜晶体管TFT的有机发光二极管OLED。
有机发光二极管OLED可被薄膜封装层300a覆盖。在实施方式中，薄膜封装层300a可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。就此而言，图3示出第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种无机绝缘材料。有机封装层320可包括聚合物基类材料。聚合物基类材料可包括丙烯酸基类树脂、环氧基类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。
参考图4，在实施方式中，基板100可包括主要含有SiO2的玻璃材料，并且封装基板300b可在基板100上以面向基板100。在实施方式中，封装基板300b可包括主要包含SiO2的玻璃材料。
封装基板300b面向基板100，并且密封剂ST可提供在基板100和封装基板300b之间。密封剂ST在基板100的边缘处并且可围绕(例如，完全围绕)基板100和封装基板300b之间的显示元件层。从垂直于基板100的上表面的方向(或在平面图中)，显示区域DA可被密封剂ST围绕(例如，完全围绕)。
图5为根据实施方式的显示设备1的平面图。
参考图5，显示设备1包括显示区域DA中的多个像素P。多个像素P中的每一个可包括显示元件，比如有机发光二极管OLED。例如，多个像素P中的每一个可从有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在实施方式中，如上所述，像素P可发射红光、绿光、蓝光或白光。
像素P中的每一个可电连接至布置在非显示区域NDA中的外部电路。在实施方式中，第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170可在非显示区域NDA中。
第一扫描驱动电路110可经扫描线SL为每个像素P提供扫描信号。第一发射驱动电路115可经发射控制线EL为每个像素P提供发射控制信号。在实施方式中，第二扫描驱动电路120可与第一扫描驱动电路110平行布置，显示区域DA在它们之间。布置在显示区域DA中的像素P中的一些可电连接至第一扫描驱动电路110，并且其他像素P可电连接至第二扫描驱动电路120。在实施方式中，第二发射驱动电路(未示出)可与第一发射驱动电路115平行，显示区域DA在它们之间。
第一发射驱动电路115在非显示区域NDA中在x方向上与第一扫描驱动电路110分隔开。在实施方式中，第一发射驱动电路115和第一扫描驱动电路110可交替地布置在y方向上。
端子140可在基板100的一侧处。端子140可不被绝缘层覆盖，而是被暴露并且可电连接至印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可电连接至显示设备1的端子140。印刷电路板PCB可将信号或电力从控制器(未示出)传送至显示设备1。由控制器产生的控制信号可经印刷电路板PCB分别传送至第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120以及第一发射驱动电路115。控制器可分别通过第一连接线161和第二连接线171为第一电源线160和第二电源线170提供第一电源电压ELVDD(见图6)和第二电源电压ELVSS(见图6)。第一电源电压ELVDD经连接至第一电源线160的驱动电压线PL被供应至每个像素P，并且第二电源电压ELVSS可被提供至连接至第二电源线170的每个像素P的相对电极。
数据驱动电路150电连接至数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可经连接至端子140的连接线151和连接至连接线151的数据线DL被提供至像素P中的每一个。
尽管图5示出数据驱动电路150在印刷电路板PCB上，但在另一实施方式中，数据驱动电路150可在基板100上。例如，数据驱动电路150可在端子140和第一电源线160之间。而且，数据驱动电路150可绕着上述弯曲轴BAX(见图2)弯曲并且可在显示设备1的后表面上以便在弯曲时从前面不可见。
在实施方式中，第一电源线160可包括在x方向上彼此平行延伸的第一子线162和第二子线163，显示区域DA在第一子线162和第二子线163之间。在实施方式中，第二电源线170具有环形形状(具有敞开侧)并且可部分地围绕显示区域DA。
图6和图7为根据一些实施方式的显示设备1中包括的像素P的等效电路图。
参考图6，每个像素P包括连接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接至像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接至扫描线SL和数据线DL，并且根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传送至驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接至开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL并且存储对应于从开关薄膜晶体管T2传送的电压和供应至驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储在存储电容器Cst中的电压值而控制从驱动电压线PL流动至有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可根据驱动电流发射具有某一亮度的光。
图6示出其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的示例，但是实施方式不限于此。如图7中示出，在另一实施方式中，像素电路PC可包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参考图7，像素P包括像素电路PC和电连接至像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可包括多个薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst。多个薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst可连接至信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2和驱动电压线PL。
信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL可包括：配置为传送扫描信号Sn的扫描线SL，配置为将前扫描信号Sn-1传送至第一初始化薄膜晶体管T4的前扫描线SL-1，配置为将扫描信号Sn传送至第二初始化薄膜晶体管T7的后扫描线SL+1，配置为将发射控制信号En传送至操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL，以及与扫描线SL相交且配置为传送数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL可配置为将驱动电压ELVDD传送至驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1可配置为将初始化电压Vint传送至第一初始化薄膜晶体管T4，并且第二初始化电压线VL2可配置为将初始化电压Vint传送至第二初始化薄膜晶体管T7。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接至存储电容器Cst的下电极CE1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1经操作控制薄膜晶体管T5连接至下侧处的驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1经发射控制薄膜晶体管T6电连接至有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm以将驱动电流IOLED供应至有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2连接至扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2连接至数据线DL，开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1，并且同时经操作控制薄膜晶体管T5连接至下侧处的驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通并进行将通过数据线DL传送的数据信号Dm传送至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3连接至扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1，并且同时经发射控制薄膜晶体管T6连接至有机发光二极管OLED的像素电极，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3连接至存储电容器Cst的下电极CE1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，以使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1彼此电连接并且使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接至前扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4连接至第一初始化电压线VL1，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4连接至存储电容器Cst的下电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4根据通过前扫描线SL-1传送的前扫描信号Sn-1而导通，以将初始化电压Vint传送至驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1并进行用于使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1处的电压初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5连接至发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5连接至下侧处的驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6连接至发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6电连接至第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6根据通过发射控制线EL传送的发射控制信号En而同时地(例如，同步地)导通，以将驱动电压ELVDD传送至有机发光二极管OLED并且允许驱动电流IOLED在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接至后扫描线SL+1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7连接至发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7连接至第二初始化电压线VL2。
另外，扫描线SL和后扫描线SL+1彼此电连接，并且可将相同的扫描信号Sn施加至扫描线SL和后扫描线SL+1。所以，第二初始化薄膜晶体管T7根据通过后扫描线SL+1传送的扫描信号Sn而导通并进行初始化有机发光二极管OLED的像素电极的操作。
存储电容器Cst的上电极CE2连接至驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的公共电极连接至公共电压(第二电源电压)ELVSS。因此，有机发光二极管OLED通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED而发射光以显示图像。
在图7中，示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅电极，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可各自具有一个栅电极。
图8为根据实施方式的显示设备1的截面图；并且图9为图8的截面图的区“A”的放大图。图8为沿着图5的线III-III'截取的显示设备1的截面图。
参考图8，在实施方式中，基板100可包括聚合物树脂。当基板100包括聚合物树脂时，显示设备1可为柔性的、可卷曲的或可弯曲的。在实施方式中，基板100可包括第一基板100a、在第一基板100a上的第一屏障层100b、在第一屏障层100b上的第二基板100c和在第二基板100c上的第二屏障层100d。例如，第一基板100a和第二基板100c可包括聚酰亚胺。
缓冲层101可在显示区域DA中的基板100上。缓冲层101在基板100上以减少或阻挡杂质、水分或外部空气从基板100的下部分渗透，并在基板100上提供平坦的表面。缓冲层101可包括无机材料(比如氧化物材料或氮化物材料)、有机材料或无机-有机复合材料，并且可具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
薄膜晶体管TFT可在缓冲层101上。薄膜晶体管TFT可包括半导体层134、与半导体层134重叠的栅电极136和电连接至半导体层134的连接电极。薄膜晶体管TFT连接至有机发光二极管OLED以驱动有机发光二极管OLED。
半导体层134在缓冲层101上，并且可包括与栅电极136重叠的沟道区131以及在沟道区131的相对侧处并且具有比沟道区131的杂质浓度更高的杂质浓度的源区132和漏区133。这里，杂质可包括N型杂质或P型杂质。源区132和漏区133可电连接至连接电极。
半导体层134可包括氧化物半导体和/或硅半导体。当半导体层134包括氧化物半导体时，半导体层134可包括例如选自由下述组成的组中的至少一种的氧化物材料：铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)。例如，半导体层134可包括ITZO(InSnZnO)、IGZO(InGaZnO)等。当半导体层134包括硅半导体时，半导体层134可包括例如非晶硅(a-Si)或通过结晶化a-Si获得的低温多晶硅(LPTS)。
第一绝缘层103可在半导体层134上。在实施方式中，第一绝缘层103可包括选自由下述组成的组中的至少一种无机绝缘材料：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)。第一绝缘层103可具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
栅电极136可在第一绝缘层103上。在实施方式中，栅电极136可具有包括选自下述中的一种或多种金属的单层或多层结构：铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)。栅电极136可连接至将电信号施加至栅电极136的栅线。半导体层134与栅电极136可经第一绝缘层103彼此绝缘。
第二绝缘层105可在栅电极136上。在实施方式中，第二绝缘层105可包括选自由下述组成的组中的至少一种无机绝缘材料：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)。第二绝缘层105可具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
存储电容器Cst可在第一绝缘层103上。存储电容器Cst可包括下电极144和与下电极144重叠的上电极146。存储电容器Cst的下电极144与薄膜晶体管TFT的栅电极136重叠，并且在实施方式中，存储电容器Cst的下电极144可与薄膜晶体管TFT的栅电极136整体地提供。在实施方式中，存储电容器Cst可不与薄膜晶体管TFT重叠，并且存储电容器Cst的下电极144可为与薄膜晶体管TFT的栅电极136分开的独立元件。
存储电容器Cst的上电极146可包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可具有包括上述材料中的任一种的单层或多层结构。
第三绝缘层107可在上电极146上。在实施方式中，第三绝缘层107可包括选自由下述组成的组中的至少一种无机绝缘材料：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)。第三绝缘层107可具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
数据线DL、驱动电压线PL以及作为连接电极的源电极137和漏电极138可在第三绝缘层107上。
数据线DL、驱动电压线PL、源电极137和漏电极138可各自包括导电材料，该导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可具有包括上述材料的单层或多层结构。在实施方式中，数据线DL、驱动电压线PL、源电极137和漏电极138可各自具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。在实施方式中，数据线DL、驱动电压线PL、源电极137和漏电极138可包括相同的材料。
栅电极136与作为连接电极的源电极137和漏电极138可经第二绝缘层105和第三绝缘层107彼此绝缘。
数据线DL、驱动电压线PL、源电极137和漏电极138可被第一透明平坦化层111覆盖。第一透明平坦化层111可包括包含有机材料或无机材料的单层或多层结构。第一透明平坦化层111可包括通用聚合物(比如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸基类聚合物、酰亚胺基类聚合物、芳基醚基类聚合物、酰胺基类聚合物、氟化物基类聚合物、对二甲苯基类聚合物、乙烯醇基类聚合物或其共混物。另外，第一透明平坦化层111可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)等。在实施方式中，在布置第一透明平坦化层111之后，可进行化学和机械抛光以提供平坦的上表面。在实施方式中，第一透明平坦化层111可包括透明材料以是透明的。例如，第一透明平坦化层111可包括透明聚酰亚胺。另外，第一透明平坦化层111可包括正性光敏材料。
第一透明平坦化层111可在第三绝缘层107上，至距第三绝缘层107的上表面的第一厚度t1。在实施方式中，第一厚度t1可为约0.5μm至约2μm、约0.6μm至约1.8μm、约0.8μm至约1.5μm等。
参考图9，第一透明平坦化层111可包括用于将薄膜晶体管TFT电连接至有机发光二极管OLED的像素电极210的第一接触孔CNT1。显示设备1的薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED可经第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1彼此电连接。第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1可具有第一宽度w1。在实施方式中，第一宽度w1可为约3μm至约5μm、约2.7μm至约5.3μm、约2.5μm至约5.5μm等。
返回参考图8，有色平坦化层113可在第一透明平坦化层111上。在实施方式中，有色平坦化层113可直接在第一透明平坦化层111上。有色平坦化层113可包括有色材料。例如，有色平坦化层113可包括有色颜料，例如，某一颜色(比如白色或黑色)的颜料。在实施方式中，有色平坦化层113可为黑色。例如，有色平坦化层113可包括聚酰亚胺(PI)基类粘结剂以及其中红色、绿色和蓝色混合的颜料。在另一实施方式中，有色平坦化层113可包括cardo基类粘结剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物。在另一实施方式中，有色平坦化层113可包括炭黑。
因为有色平坦化层113由稍后将描述的有色材料层113M(见图15E)获得，所以有色平坦化层113可具有负性光敏性质并且可防止或基本上防止外部光由于有色颜料而被反射。包括有色颜料的有色平坦化层113可防止或基本上防止从外侧朝向显示设备1行进的外部光的反射，可改善显示设备1的对比度，并且可防止或基本上防止由于因为由外部光产生的对第一透明平坦化层111中的材料的光解而产生的气体导致的相对电极230的氧化。
有色平坦化层113可在第一透明平坦化层111上，至距第一透明平坦化层111的上表面的第二厚度t2。在实施方式中，第二厚度t2可为约0.5μm至约2μm、约0.6μm至约1.8μm、约0.8μm至约1.5μm等。
在实施方式中，第一透明平坦化层111的第一厚度t1和有色平坦化层113的第二厚度t2可彼此相等。在另一实施方式中，第一透明平坦化层111的第一厚度t1可不同于有色平坦化层113的第二厚度t2。
参考图9，有色平坦化层113可包括用于将薄膜晶体管TFT电连接至有机发光二极管OLED的像素电极210的第二接触孔CNT2。显示设备1的薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED可经有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2彼此电连接。有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2可具有第二宽度w2，第二宽度w2不同于第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1的第一宽度w1。在实施方式中，第二宽度w2可为约5μm至约7μm、约6μm至约10μm、约4.5μm至约7.5μm等。例如，有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2可具有第二宽度w2，第二宽度w2大于第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1的第一宽度w1。当有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2具有比第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1的宽度更大的宽度时，像素电极210可稳定地连接至源电极137或漏电极138，即，连接电极。
在实施方式中，第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中的第二接触孔CNT2可在垂直于基板100的方向(即，z方向)上彼此重叠。在实施方式中，第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中的第二接触孔CNT2可在z方向上彼此完全重叠。例如，有色平坦化层113中的第二接触孔CNT2的最小宽度可大于第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1的最大宽度，并且在平面图中有色平坦化层113的第二接触孔CNT2可围绕第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1。
返回参考图8，包括像素电极210、中间层220和相对电极230的有机发光二极管OLED可在有色平坦化层113上。像素电极210可经第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2电连接至源电极137或漏电极138。即，有机发光二极管OLED可经第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2电连接至薄膜晶体管TFT。
像素电极210可在有色平坦化层113上。像素电极210可包括(半)透射电极或反射电极。在实施方式中，像素电极210可包括反射层和在反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)或其化合物。透明或半透明电极层可包括选自由下述组成的组中的至少一种电极材料：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)。在实施方式中，像素电极210可包括包含ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层180可在有色平坦化层113上，并且像素限定层180可包括至少部分地暴露像素电极210的第一开口OP1。由像素限定层180的第一开口OP1暴露的区可定义为发射区域EA。发射区域EA的外周为非发射区域NEA，并且非发射区域NEA可围绕发射区域EA。即，显示区域DA包括多个发射区域EA和围绕发射区域EA的非发射区域NEA。像素限定层180增加像素电极210和在像素电极210上的相对电极230之间的距离以防止或基本上防止在像素电极210的边缘处产生电弧。像素限定层180可包括例如有机绝缘材料，比如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和/或酚醛树脂，并且可通过旋涂等获得。
在实施方式中，间隔件190可在像素限定层180上。间隔件190可防止或基本上防止基板100和间隔件190之间的层由于在形成稍后将描述的中间层220的工艺中使用的掩模而被损坏。间隔件190可包括与像素限定层180的材料相同的材料，并且可通过使用半色调掩模与像素限定层180同时地(例如，同步地)获得。
中间层220可在像素限定层180的第一开口OP1中以对应于像素电极210。在实施方式中，中间层220可包括发射层220b，并且第一功能层220a和第二功能层220c可选择性地提供在发射层220b下方和发射层220b上。
在实施方式中，第一功能层220a可包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，并且第二功能层220c可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
在实施方式中，发射层220b可包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光、或白光的荧光材料或磷光材料。发射层220b可包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。
当发射层220b包括低分子量有机材料时，中间层220可以以单层或多层结构包括HIL、HTL、发射层220b、ETL和EIL，并且低分子量有机材料的实例可包括酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-(8-羟基喹啉铝)(Alq3)。在实施方式中，以上层可通过真空沉积方法制造。
当发射层220b包括聚合物有机材料时，中间层220可包括HTL和发射层220b。这里，HTL可包括PEDOT，并且发射层220b可包括聚(对苯撑乙烯)(PPV)基类或聚芴基类聚合物有机材料。发射层220b可通过使用丝网印刷方法、喷墨印刷方法、激光诱导热成像(LITI)方法等来布置。
在实施方式中，在发射层220b下方和发射层220b上的第一功能层220a和第二功能层220c可遍及整个基板100而被整体地提供以便通过使用敞开掩模(open mask)覆盖显示区域DA中的多个像素P。
相对电极230可在中间层220上。在实施方式中，相对电极230在中间层220上，并且相对电极230可完全覆盖中间层220。在实施方式中，相对电极230可遍及整个显示区域DA而被提供并且可完全覆盖显示区域DA中在相对电极230下方的元件。即，在实施方式中，相对电极230可遍及整个基板100而被整体地提供以便通过使用敞开掩模覆盖显示区域DA中的多个像素P。
相对电极230可包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极230可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。在实施方式中，相对电极230可进一步包括：在包括以上材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
图10为根据实施方式的显示设备1的截面图；并且图11为图10的截面图的区“B”的放大图。
参考图10阐释的实施方式不同于图8的实施方式，因为第二透明平坦化层109被进一步提供在基板100和第一透明平坦化层111之间，并且上驱动电压线PL2在第二透明平坦化层109上。对于图10，可省略与图8的元件相同的元件的描述，并且下面将主要描述与图8的差异。
参考图10，数据线DL、下驱动电压线PL1以及作为连接电极的源电极137和漏电极138可在第三绝缘层107上。
数据线DL、下驱动电压线PL1以及源电极137和漏电极138(例如，连接电极)可被第二透明平坦化层109覆盖。第二透明平坦化层109可包括包含有机材料或无机材料的单层或多层结构。第二透明平坦化层109可包括通用聚合物(比如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸基类聚合物、酰亚胺基类聚合物、芳基醚基类聚合物、酰胺基类聚合物、氟化物基类聚合物、对二甲苯基类聚合物、乙烯醇基类聚合物或其共混物。另外，第二透明平坦化层109可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)等。在实施方式中，在布置第二透明平坦化层109之后，可进行化学和机械抛光以提供平坦的上表面。第二透明平坦化层109可包括透明材料。例如，第二透明平坦化层109可包括透明聚酰亚胺。另外，第二透明平坦化层109可包括正性光敏材料。
第二透明平坦化层109可在第三绝缘层107上，至距第三绝缘层107的上表面的第三厚度t3。在实施方式中，第三厚度t3可为约0.5μm至约2μm、约0.6μm至约1.8μm、约0.8μm至约1.5μm等。
上驱动电压线PL2和接触金属层CM可在第二透明平坦化层109上。上驱动电压线PL2和接触金属层CM可各自包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可具有单层或多层结构。在实施方式中，上驱动电压线PL2和接触金属层CM可各自具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。在实施方式中，上驱动电压线PL2和接触金属层CM可包括相同的材料。
上驱动电压线PL2可经穿过第二透明平坦化层109的接触孔电连接至下驱动电压线PL1，以防止或基本上防止通过驱动电压线PL提供的驱动电压ELVDD的电压下降。接触金属层CM可经穿过第二透明平坦化层109的接触孔电连接至薄膜晶体管TFT。
第一透明平坦化层111可在上驱动电压线PL2和接触金属层CM上。第一透明平坦化层111可包括包含有机材料或无机材料的单层或多层结构。第一透明平坦化层111可包括通用聚合物(比如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸基类聚合物、酰亚胺基类聚合物、芳基醚基类聚合物、酰胺基类聚合物、氟化物基类聚合物、对二甲苯基类聚合物、乙烯醇基类聚合物或其共混物。另外，第一透明平坦化层111可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)等。在实施方式中，在布置第一透明平坦化层111之后，可进行化学和机械抛光以提供平坦的上表面。在实施方式中，第一透明平坦化层111可包括透明聚酰亚胺和正性光敏材料。例如，第一透明平坦化层111可包括与第二透明平坦化层109的材料相同的材料。
第一透明平坦化层111可在第二透明平坦化层109上，至距第二透明平坦化层109的上表面的第一厚度t1。在实施方式中，第一厚度t1可为约0.5μm至约2μm、约0.6μm至约1.8μm、约0.8μm至约1.5μm等。
参考图11，第一透明平坦化层111可包括用于将薄膜晶体管TFT电连接至像素电极210的第一接触孔CNT1。显示设备1的薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED可经第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1彼此电连接。第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1可具有第一宽度w1。在实施方式中，第一宽度w1可为约3μm至约5μm、约2.7μm至约5.3μm、约2.5μm至约5.5μm等。
返回参考图10，有色平坦化层113可在第一透明平坦化层111上。在实施方式中，有色平坦化层113可直接在第一透明平坦化层111上。有色平坦化层113可包括有色材料。例如，有色平坦化层113可包括有色颜料，例如，某一颜色(比如白色或黑色)的颜料。在实施方式中，有色平坦化层113可为黑色。例如，有色平坦化层113可包括聚酰亚胺(PI)基类粘结剂以及其中红色、绿色和蓝色混合的颜料。在另一实施方式中，有色平坦化层113可包括cardo基类粘结剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物。在另一实施方式中，有色平坦化层113可包括炭黑。
因为有色平坦化层113由稍后将描述的有色材料层113M(见图15E)获得，所以有色平坦化层113可具有负性光敏性质并且可防止或基本上防止外部光由于有色颜料而被反射。包括有色颜料的有色平坦化层113可防止或基本上防止从外侧朝向显示设备1行进的外部光的反射，可改善显示设备1的对比度，并且可防止或基本上防止由于因为由外部光产生的对第一透明平坦化层111中的材料的光解而产生的气体导致的相对电极230的氧化。
有色平坦化层113可在第一透明平坦化层111上，至距第一透明平坦化层111的上表面的第二厚度t2。在实施方式中，第二厚度t2可为约0.5μm至约2μm、约0.6μm至约1.8μm、约0.8μm至约1.5μm等。
第一透明平坦化层111的第一厚度t1、有色平坦化层113的第二厚度t2和第二透明平坦化层109的第三厚度t3可彼此相等。在另一实施方式中，第一透明平坦化层111的第一厚度t1、有色平坦化层113的第二厚度t2和第二透明平坦化层109的第三厚度t3可彼此不同。
参考图11，有色平坦化层113可包括用于将薄膜晶体管TFT电连接至像素电极210的第二接触孔CNT2。显示设备1的薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED可经有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2彼此电连接。有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2可具有第二宽度w2，第二宽度w2不同于第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1的第一宽度w1。在实施方式中，第二宽度w2可为约5μm至约7μm、约6μm至约10μm、约4.5μm至约7.5μm等。例如，有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2可具有第二宽度w2，第二宽度w2大于第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1的第一宽度w1。在实施方式中，有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2具有比第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1的宽度更大的宽度，并且因此，像素电极210可稳定地连接至接触金属层CM并且薄膜晶体管TFT可电连接至像素电极210。
在实施方式中，第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中的第二接触孔CNT2可在垂直于基板100的方向(即，z方向)上彼此重叠。在实施方式中，第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中的第二接触孔CNT2可在z方向上彼此完全重叠。例如，有色平坦化层113中的第二接触孔CNT2的最小宽度可大于第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1的最大宽度，并且在平面图中有色平坦化层113的第二接触孔CNT2可围绕第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1。
图12为根据实施方式的显示设备1的截面图。图12示出沿着图2的线II-II'截取的显示设备1的截面。
参考图12，基于弯曲区域BA可限定第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。在实施方式中，基板100可包括第一基板100a、在第一基板100a上的第一屏障层100b、在第一屏障层100b上的第二基板100c和在第二基板100c上的第二屏障层100d。例如，第一基板100a和第二基板100c可包括聚酰亚胺。缓冲层101可在第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中的基板100上。缓冲层101可在基板100上以减少或阻挡杂质、水分或外部空气从基板100的下部分渗透，并在基板100上提供平坦的表面。缓冲层101可包括无机材料(比如氧化物材料或氮化物材料)、有机材料或无机-有机复合材料，并且可具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
第一绝缘层103可在第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中的缓冲层101上。在实施方式中，第一绝缘层103可包括选自由下述组成的组中的至少一种无机绝缘材料：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)。第一绝缘层103可具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。尽管在附图中未示出，但在第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中的第一绝缘层103可至少部分地延伸到弯曲区域BA中，并且第一绝缘层103可在弯曲区域BA的一部分中。
第二绝缘层105可在第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中的第一绝缘层103上。在实施方式中，第二绝缘层105可包括选自由下述组成的组中的至少一种无机绝缘材料：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)。第二绝缘层105可具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。尽管在附图中未示出，但第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中的第二绝缘层105可至少部分地延伸到弯曲区域BA中，并且第二绝缘层105可在弯曲区域BA的一部分中。
第三绝缘层107可在第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中的第二绝缘层105上。在实施方式中，第三绝缘层107可包括选自由下述组成的组中的至少一种无机绝缘材料：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)。第三绝缘层107可具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。尽管在附图中未示出，但第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中的第三绝缘层107可至少部分地延伸到弯曲区域BA中，并且第三绝缘层107可在弯曲区域BA的一部分中。
在实施方式中，有机材料层108可在弯曲区域BA中的基板100上。有机材料层108可包括通用聚合物(比如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸基类聚合物、酰亚胺基类聚合物、芳基醚基类聚合物、酰胺基类聚合物、氟化物基类聚合物、对二甲苯基类聚合物、乙烯醇基类聚合物或其共混物。在实施方式中，有机材料层108可包括与第一透明平坦化层111(见图8)的材料或第二透明平坦化层109(见图10)的材料相同的材料。
第一导电层139可在弯曲区域BA中的有机材料层108上。第一导电层139可包括与源电极137(见图8)或漏电极138(见图8)的材料相同的材料。
在实施方式中，在弯曲区域BA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中整体地形成缓冲层101、第一绝缘层103、第二绝缘层105和第三绝缘层107之后，可去除弯曲区域BA中的缓冲层101、第一绝缘层103、第二绝缘层105和第三绝缘层107。例如，在去除弯曲区域BA中的缓冲层101、第一绝缘层103、第二绝缘层105和第三绝缘层107的工艺期间，也可去除第二屏障层100d。
弯曲区域BA中的有机材料层108可至少部分地延伸朝向第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。所以，有机材料层108可至少部分在第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中。
当从弯曲区域BA去除包括无机绝缘材料的绝缘层并且包括有机绝缘材料的有机材料层108在弯曲区域BA中时，可防止或基本上防止裂纹朝向显示区域DA扩展，并且可改善弯曲区域BA中的变形率，并且因此，可实现具有改善的可靠性的显示设备1。
图13和图14为根据一些实施方式的显示设备1的截面图。
参考图13，薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED在基板100上，薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED彼此电连接，并且薄膜封装层300a可在有机发光二极管OLED上。薄膜封装层300a可在基板100上，面向基板100。
基板100可包括聚合物树脂。在实施方式中，基板100可包括第一基板100a、在第一基板100a上的第一屏障层100b、在第一屏障层100b上的第二基板100c和在第二基板100c上的第二屏障层100d。例如，第一基板100a和第二基板100c可包括聚酰亚胺。
包括半导体层134、栅电极136以及作为连接电极的源电极137和漏电极138的薄膜晶体管TFT可在基板100上。包括像素电极210、中间层220和相对电极230的有机发光二极管OLED可在薄膜晶体管TFT上。薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED可经第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2彼此电连接。
有机发光二极管OLED可被薄膜封装层300a覆盖。在实施方式中，薄膜封装层300a可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施方式中，薄膜封装层300a可包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可各自包括一种或多种无机绝缘材料。在实施方式中，无机绝缘材料可包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层320可包括聚合物基类材料。聚合物基类材料可包括丙烯酸基类树脂、环氧基类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。例如，有机封装层320可包括丙烯酸基类树脂，例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等。
参考图14，薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED在基板100上，薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED彼此电连接，并且封装基板300b可在有机发光二极管OLED上。封装基板300b可在基板100上，面向基板100。
在实施方式中，基板100可包括玻璃材料。例如，基板100可包括主要包含SiO2的玻璃材料。
有机发光二极管OLED可被封装基板300b覆盖。在实施方式中，封装基板300b可包括玻璃材料。例如，封装基板300b可包括主要包含SiO2的玻璃材料。封装基板300b面向基板100，并且密封剂ST(见图4)可提供在基板100和封装基板300b之间。密封剂ST(见图4)在基板100的边缘处，并且可围绕(例如，完全围绕)基板100和封装基板300b之间的显示区域DA中的有机发光二极管OLED。
图15A至图15H为用于描述根据实施方式的制造显示设备1的方法中的工艺的显示设备1的截面图。
本文将参考图15A至图15H顺序地描述制造显示设备1的方法。
根据实施方式的制造显示设备1的方法可包括：在基板100上形成薄膜晶体管TFT，在薄膜晶体管TFT上形成包括第一接触孔CNT1的第一透明平坦化层111，在第一透明平坦化层111上形成包括第二接触孔CNT2和有色颜料或炭黑的有色平坦化层113，以及在有色平坦化层113上形成像素电极210，像素电极210经第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2电连接至薄膜晶体管TFT。
如图15A中示出，在基板100上形成薄膜晶体管TFT时，包括半导体层134、栅电极136以及作为连接电极的源电极137和漏电极138的薄膜晶体管TFT可形成在包括玻璃材料或聚合物树脂的基板100上。
缓冲层101可布置在基板100上。缓冲层101在基板100上以减少或阻挡杂质、水分或外部空气从基板100的下部分渗透，并在基板100上提供平坦的表面。缓冲层101可包括无机材料(比如氧化物材料或氮化物材料)、有机材料或无机-有机复合材料，并且可具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
半导体层134可在缓冲层101上。半导体层134在缓冲层101上，并且可包括与栅电极136重叠的沟道区131以及在沟道区131的相对侧处并具有比沟道区131的杂质浓度更高的杂质浓度的源区132和漏区133。这里，杂质可包括n型杂质或p型杂质。源区132和漏区133可电连接至连接电极。
第一绝缘层103可在半导体层134上，栅电极136可在第一绝缘层103上，并且第二绝缘层105可在栅电极136上。在实施方式中，第一绝缘层103和第二绝缘层105可包括相同的材料。
存储电容器Cst可在第一绝缘层103上。存储电容器Cst可包括下电极144和与下电极144重叠的上电极146。
第三绝缘层107可在上电极146上，并且数据线DL、驱动电压线PL以及作为连接电极的源电极137和漏电极138可在第三绝缘层107上。
在基板100上形成薄膜晶体管TFT之后，可进行在薄膜晶体管TFT上形成包括第一接触孔CNT1的第一透明平坦化层111的工艺。
在薄膜晶体管TFT上形成包括第一接触孔CNT1的第一透明平坦化层111可包括：在薄膜晶体管TFT上形成绝缘材料层111M，部分地曝光绝缘材料层111M，以及显影曝光的绝缘材料层111M以形成第一接触孔CNT1。而且，在通过显影曝光的绝缘材料层111M而形成第一接触孔CNT1之后，可进一步进行使第一透明平坦化层111固化的工艺。
如图15B中示出，在基板100上形成薄膜晶体管TFT之后，绝缘材料层111M可在薄膜晶体管TFT上。绝缘材料层111M可包括通用聚合物(比如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸基类聚合物、酰亚胺基类聚合物、芳基醚基类聚合物、酰胺基类聚合物、氟化物基类聚合物、对二甲苯基类聚合物、乙烯醇基类聚合物或其共混物。绝缘材料层111M可包括透明材料。例如，绝缘材料层111M可包括透明聚酰亚胺。而且，绝缘材料层111M可包括正性光敏材料。
如图15C中示出，绝缘材料层111M被涂覆在薄膜晶体管TFT上，并然后可进行通过使用包括第一阻光部分501和第一透光部分502的第一掩模500而部分地曝光绝缘材料层111M的工艺。
可曝光绝缘材料层111M的一部分(与第一掩模500的第一透光部分502重叠的部分)，并且可不曝光绝缘材料层111M的其他部分(与第一掩模500的第一阻光部分501重叠的其他部分)。
如图15D中示出，可显影被曝光的绝缘材料层111M。通过显影，包括第一接触孔CNT1的第一透明平坦化层111可形成在基板100上。在通过显影在基板100上形成第一透明平坦化层111之后，可在某一温度下进行固化工艺。
第一透明平坦化层111可在第三绝缘层107上，至距第三绝缘层107的上表面的第一厚度t1。在实施方式中，第一厚度t1可为约0.5μm至约2μm、约0.6μm至约1.8μm、约0.8μm至约1.5μm等。
第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1可具有第一宽度w1。在实施方式中，第一宽度w1可为约3μm至约5μm、约2.7μm至约5.3μm、约2.5μm至约5.5μm等。
可进行在第一透明平坦化层111上形成具有第二接触孔CNT2并且包括不同于的第一透明平坦化层111的材料的有色颜料或炭黑的有色平坦化层113的工艺。
在第一透明平坦化层111上形成具有第二接触孔CNT2并且包括不同于的第一透明平坦化层111的材料的有色颜料或炭黑的有色平坦化层113可包括：在第一透明平坦化层111上形成有色材料层113M，部分地曝光有色材料层113M，以及通过显影被曝光的有色材料层113M形成第二接触孔CNT2。而且，在通过显影被曝光的有色材料层113M而形成第二接触孔CNT2之后，可进一步进行使有色平坦化层113固化的工艺。
如图15E中示出，在形成第一透明平坦化层111之后，可进行在第一透明平坦化层111上形成有色材料层113M的工艺。在实施方式中，有色材料层113M可被完全涂覆在基板100上以便覆盖第一透明平坦化层111。有色材料层113M可具有不同于第一透明平坦化层111的光敏性质的光敏性质。例如，有色材料层113M可包括负性光敏材料。
如图15F中示出，在第一透明平坦化层111上涂覆有色材料层113M之后，可进行通过使用包括第二阻光部分601和第二透光部分602的第二掩模600而部分地曝光有色材料层113M的工艺。
可曝光有色材料层113M的一部分(与第二掩模600的第二透光部分602重叠的部分)，并且可不曝光有色材料层113M的其他部分(与第二掩模600的第二阻光部分601重叠的其他部分)。
如图15G中示出，可显影被曝光的有色材料层113M。例如，在有色材料层113M的显影期间，有色材料层113M的曝光部分保留，并且可通过显影工艺去除有色材料层113M的非曝光部分。这样，包括第二接触孔CNT2的有色平坦化层113可形成在基板100上。在基板100上形成有色平坦化层113之后，可在某一温度下进行固化工艺。
有色平坦化层113可包括有色材料。例如，有色平坦化层113可包括有色颜料，例如，某一颜色(比如白色或黑色)的颜料。在实施方式中，有色平坦化层113可为黑色。例如，有色平坦化层113可包括聚酰亚胺(PI)基类粘结剂以及其中红色、绿色和蓝色混合的颜料。在另一实施方式中，有色平坦化层113可包括cardo基类粘结剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物。在另一实施方式中，有色平坦化层113可包括炭黑。
因为有色平坦化层113由有色材料层113M获得，所以有色平坦化层113可具有负性光敏性质并且可防止或基本上防止外部光由于有色颜料而被反射。包括有色颜料的有色平坦化层113可防止或基本上防止从外侧朝向显示设备1行进的外部光的反射，可改善显示设备1的对比度，并且可防止或基本上防止由于因为由外部光产生的对第一透明平坦化层111中的材料的光解而产生的气体导致的相对电极230的氧化。
在实施方式中，有色平坦化层113可直接在第一透明平坦化层111上。有色平坦化层113可在第一透明平坦化层111上，至距第一透明平坦化层111的上表面的第二厚度t2。在实施方式中，第二厚度t2可为约0.5μm至约2μm、约0.6μm至约1.8μm、约0.8μm至约1.5μm等。
在实施方式中，第一透明平坦化层111的第一厚度t1和有色平坦化层113的第二厚度t2可彼此相等。在另一实施方式中，第一透明平坦化层111的第一厚度t1可不同于有色平坦化层113的第二厚度t2。
有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2可具有第二宽度w2，第二宽度w2不同于第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1的第一宽度w1。在实施方式中，第二宽度w2可为约5μm至约7μm、约6μm至约10μm、约4.5μm至约7.5μm等。例如，有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2可具有第二宽度w2，第二宽度w2大于第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1的第一宽度w1。在实施方式中，当有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2具有比第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1的宽度更大的宽度时，像素电极210可稳定地连接至源电极137或漏电极138，即，连接电极。
在实施方式中，第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中的第二接触孔CNT2可在垂直于基板100的方向(即，z方向)上彼此重叠。在实施方式中，第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中的第二接触孔CNT2可在z方向上彼此完全重叠。例如，有色平坦化层113中的第二接触孔CNT2的最小宽度可大于第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1的最大宽度，并且在平面图中有色平坦化层113的第二接触孔CNT2可围绕第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1。
如图15H中示出，在第一透明平坦化层111上形成有色平坦化层113之后，可进行形成像素电极210的工艺，像素电极210经第一透明平坦化层111中的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中的第二接触孔CNT2电连接至薄膜晶体管TFT。
像素电极210可形成在有色平坦化层113上。像素电极210可包括(半)透射电极或反射电极。在实施方式中，像素电极210可包括反射层和在反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)或其化合物。在实施方式中，透明或半透明电极层可包括选自由下述组成的组中的至少一种电极材料：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)。在实施方式中，像素电极210可包括包含ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素电极210可经第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2电连接至源电极137或漏电极138。即，有机发光二极管OLED可经第一透明平坦化层111中限定的第一接触孔CNT1和有色平坦化层113中限定的第二接触孔CNT2电连接至薄膜晶体管TFT。
在现有技术的显示设备中，当平坦化层中的有机材料由于外部光而分解时，相对电极可被排放的气体氧化。而且，当包括有色颜料或炭黑的像素限定层布置在像素电极上以防止或减少平坦化层中的有机材料由于外部光而光解时，有色颜料可与像素电极反应，并且可产生暗点。
然而，根据本公开的一个或多个实施方式，包括不同于透明平坦化层的材料的有色颜料或炭黑的有色平坦化层在包括有机材料的透明平坦化层上，并且因此，可防止或基本上防止由于外部光对透明平坦化层中的有机材料的光解导致的相对电极的氧化，并且可防止或基本上防止当有色颜料与像素电极反应时产生暗点。因此，可改善显示设备的对比度，并且显示设备可具有改善的可靠性。
本公开的一个或多个实施方式可提供显示设备，其中可防止或基本上防止暗点的产生并且可防止或基本上防止对比度的劣化。然而，以上技术特征作为示例被提供，并且本公开的范围不限于此。
应理解，本文所描述的实施方式应以描述性意义来考虑，而不是为了限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被视为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离如由所附权利要求所阐述的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
基板；
在所述基板上的薄膜晶体管；
电连接至所述薄膜晶体管的像素电极；
在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间的第一透明平坦化层，所述第一透明平坦化层包括用于将所述薄膜晶体管电连接至所述像素电极的第一接触孔并且包括透明材料；和
在所述第一透明平坦化层上的有色平坦化层，所述有色平坦化层包括用于将所述薄膜晶体管电连接至所述像素电极的第二接触孔并且包括有色颜料或炭黑。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中所述有色平坦化层直接在所述第一透明平坦化层上，所述第一透明平坦化层包括正性光敏材料，并且所述有色平坦化层包括负性光敏材料。
3.如权利要求1所述的显示设备，其中所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极和连接电极，所述栅电极在所述半导体层上并且所述连接电极在所述栅电极上，并且
所述半导体层与所述栅电极通过第一绝缘层彼此绝缘，并且所述栅电极与所述连接电极通过第二绝缘层和第三绝缘层彼此绝缘。
4.如权利要求3所述的显示设备，其中所述第一透明平坦化层具有距所述第三绝缘层的上表面的第一厚度，并且所述第一厚度为0.5μm至2μm。
5.如权利要求4所述的显示设备，其中所述有色平坦化层具有距所述第一透明平坦化层的上表面的第二厚度，并且所述第二厚度为0.5μm至2μm。
6.如权利要求3所述的显示设备，进一步包括：在所述基板和所述第一透明平坦化层之间的第二透明平坦化层。
7.如权利要求6所述的显示设备，其中所述第二透明平坦化层具有距所述第三绝缘层的上表面的第三厚度，并且所述第三厚度为0.5μm至2μm。
8.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一透明平坦化层中的所述第一接触孔和所述有色平坦化层中的所述第二接触孔彼此重叠。
9.如权利要求8所述的显示设备，其中所述第一接触孔具有第一宽度，并且所述第二接触孔具有不同于所述第一宽度的第二宽度。
10.如权利要求9所述的显示设备，其中所述第一宽度为3μm至5μm。
11.如权利要求9所述的显示设备，其中所述第二宽度为5μm至7μm。
12.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
像素限定层，所述像素限定层包括至少部分地暴露所述像素电极的第一开口；
中间层，所述中间层包括发射层和至少一个功能层，所述发射层与所述第一开口重叠；和
在所述中间层上的相对电极。
13.如权利要求12所述的显示设备，进一步包括：在所述像素限定层上的间隔件，其中所述间隔件包括与所述像素限定层中包括的材料相同的材料。
14.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
在基板上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成第一透明平坦化层，所述第一透明平坦化层包括第一接触孔并且包括透明材料；
在所述第一透明平坦化层上形成有色平坦化层，所述有色平坦化层包括第二接触孔并且包括有色颜料或炭黑；和
在所述有色平坦化层上形成像素电极，所述像素电极经所述第一接触孔和所述第二接触孔电连接至所述薄膜晶体管。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述有色平坦化层的所述形成包括：
在所述第一透明平坦化层上形成有色材料层；
部分地曝光所述有色材料层；和
通过显影被曝光的所述有色材料层来形成所述第二接触孔。
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括：在所述第二接触孔的所述形成之后，使所述有色平坦化层固化。
17.如权利要求15所述的方法，其中所述有色平坦化层直接在所述第一透明平坦化层上，所述第一透明平坦化层包括正性光敏材料，并且所述有色平坦化层包括负性光敏材料。
18.如权利要求15所述的方法，其中所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极和连接电极，所述栅电极在所述半导体层上，并且所述连接电极在所述栅电极上，并且
所述半导体层与所述栅电极通过第一绝缘层彼此绝缘，并且所述栅电极与所述连接电极通过第二绝缘层和第三绝缘层彼此绝缘。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述第一透明平坦化层具有距所述第三绝缘层的上表面的第一厚度，并且所述有色平坦化层具有距所述第一透明平坦化层的上表面的第二厚度。
20.如权利要求14所述的方法，其中所述第一透明平坦化层中的所述第一接触孔和所述有色平坦化层中的所述第二接触孔彼此重叠，并且所述第一接触孔具有第一宽度，并且所述第二接触孔具有不同于所述第一宽度的第二宽度。
CN202011130762.5A 2020-01-10 2020-10-21 显示设备和制造其的方法 Pending CN113113549A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200003878A KR20210090779A (ko) 2020-01-10 2020-01-10 표시 장치 및 그 제조 방법
KR10-2020-0003878 2020-01-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113113549A true CN113113549A (zh) 2021-07-13

Family

ID=76710162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011130762.5A Pending CN113113549A (zh) 2020-01-10 2020-10-21 显示设备和制造其的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210217839A1 (zh)
KR (1) KR20210090779A (zh)
CN (1) CN113113549A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112259579A (zh) * 2020-10-10 2021-01-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
KR20230063925A (ko) * 2021-10-29 2023-05-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103700685B (zh) * 2013-12-12 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置
TWI553381B (zh) * 2015-02-09 2016-10-11 群創光電股份有限公司 顯示面板
CN206628470U (zh) * 2017-03-16 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN107255896A (zh) * 2017-07-27 2017-10-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板、阵列基板及其制造方法
KR102417112B1 (ko) * 2017-09-28 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN107977632B (zh) * 2017-12-05 2021-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及其纹路识别方法
KR102437327B1 (ko) * 2017-12-27 2022-08-29 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US10859813B2 (en) * 2018-07-03 2020-12-08 Sharp Life Science (Eu) Limited Optically black AM-EWOD array element structure

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210090779A (ko) 2021-07-21
US20210217839A1 (en) 2021-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7510891B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN110880524A (zh) 显示装置
CN112530992A (zh) 显示装置
US20230032621A1 (en) Display apparatus
US20210126077A1 (en) Display apparatus
CN113257859A (zh) 显示装置
CN113113549A (zh) 显示设备和制造其的方法
CN112186011A (zh) 显示装置及其制造方法
US11638383B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US11455952B2 (en) Display apparatus
KR20090127829A (ko) 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
CN112992980A (zh) 显示装置
KR20220044173A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
EP3806159A1 (en) Light-emitting display apparatus
CN114497145A (zh) 显示设备和制造其的方法
CN112447809A (zh) 显示装置
US11569269B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US11730022B2 (en) Display device including a sidewall having an inclination angle and method of manufacturing the same
US11877471B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20210202652A1 (en) Display device
CN112750867A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
KR20210099238A (ko) 표시 장치
CN114597236A (zh) 显示装置
CN114823799A (zh) 显示装置及其制造方法
CN113224112A (zh) 显示装置及制造显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination