KR20230063925A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230063925A KR20230063925A KR1020210146833A KR20210146833A KR20230063925A KR 20230063925 A KR20230063925 A KR 20230063925A KR 1020210146833 A KR1020210146833 A KR 1020210146833A KR 20210146833 A KR20210146833 A KR 20210146833A KR 20230063925 A KR20230063925 A KR 20230063925A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light
- display device
- disposed
- driving element
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 361
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 60
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 47
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 36
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 101000822028 Homo sapiens Solute carrier family 28 member 3 Proteins 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 102100021470 Solute carrier family 28 member 3 Human genes 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 3
- 101000821827 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 3
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 3
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 표시 영역에 배치되는 구동 소자, 구동 소자 상에 배치되고, 구동 소자에 접속되는 화소 전극, 구동 소자 상에 배치되는 평탄화층 및 평탄화층 상에 배치되는 화소 정의막을 포함한다. 화소 정의막은 평탄화층 상에 배치되는 뱅크부 및 뱅크부의 상면으로부터 두께 방향으로 돌출된 스페이서부를 포함한다. 뱅크부는 평탄화층 상에 배치되는 평탄부 및 화소 전극에 인접하는 평탄부의 상면으로부터 두께 방향으로 돌출된 돌출부를 포함하고, 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 시각 정보를 제공하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
한편, 상기 유기 발광 표시 장치는 화소를 정의하는 화소 정의막 및 상기 화소 정의막 상에 배치되는 스페이서를 포함할 수 있다. 상기 화소 정의막과 상기 스페이서가 서로 다른 재료를 포함하는 경우, 마스크 수 및 공정 단계의 추가로 생산성 향상 방안이 요구될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 구동 소자, 상기 구동 소자 상에 배치되고, 상기 구동 소자에 접속되는 화소 전극, 상기 구동 소자 상에 배치되는 평탄화층 및 상기 평탄화층 상에 배치되는 화소 정의막을 포함할 수 있다. 상기 화소 정의막은 상기 평탄화층 상에 배치되는 평탄부 및 상기 화소 전극에 인접하는 상기 평탄부의 상면으로부터 두께 방향으로 돌출된 돌출부를 포함하고, 상기 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 뱅크부, 및 상기 뱅크부의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 스페이서부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 단면도 상에서, 상기 스페이서부의 상면은 상기 돌출부의 상면보다 높은 레벨에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막은 블랙 안료를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막은 네거티브 감광성 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 평탄화층은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층, 및 상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 공통 전극 상에 배치되고, 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함하는 봉지 구조물, 상기 봉지 구조물 상에 배치되고, 상기 화소 정의막과 중첩하는 차광층 및 상기 봉지 구조물 상에 배치되고, 상기 차광층을 커버하는 반사 제어층을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 구동 소자, 상기 구동 소자 상에 배치되고, 상기 구동 소자에 접속되는 화소 전극, 상기 구동 소자 상에 배치되고, 상기 화소 전극에 인접하는 그루브를 갖는 평탄화층 및 상기 평탄화층 상에 배치되는 화소 정의막을 포함할 수 있다. 상기 화소 정의막은 상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 그루브를 채우며, 상기 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 뱅크부 및 상기 뱅크부의 상면으로부터 두께 방향으로 돌출되는 스페이서부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 그루브와 중첩하는 상기 뱅크부는 평탄한 상면을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막은 블랙 안료를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막은 네거티브 감광성 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 평탄화층은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 뱅크부는 상기 평탄화층 상에 배치되는 평탄부 및 상기 그루브와 중첩하는 상기 평탄부의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 돌출부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층, 및 상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판 상의 상기 표시 영역에 구동 소자를 형성하는 단계, 상기 구동 소자 상에 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 구동 소자 상에, 상기 구동 소자에 접속되는 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 평탄화층 상에 감광성 유기막을 도포하는 단계, 상기 감광성 유기막 상에, 광차단부, 상기 광차단부를 둘러싸는 제1 광투과부, 상기 제1 광투과부를 둘러싸는 반투과부 및 상기 반투과부를 둘러싸는 제2 광투과부로 구분되는 마스크를 위치시키는 단계, 상기 마스크를 통해 상기 감광성 유기막을 노광 및 현상하여 상기 평탄화층 상에 형성되는 평탄부 및 상기 화소 전극에 인접하는 상기 평탄부의 상면으로부터 두께 방향으로 돌출된 돌출부를 포함하고, 상기 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 뱅크부, 및 상기 뱅크부의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 스페이서부를 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막을 형성하는 단계는 상기 마스크의 상기 광차단부에 대응하는 상기 감광성 유기막의 전부를 제거하여 상기 개구부를 형성하고, 상기 마스크의 상기 제1 광투과부에 대응하는 상기 감광성 유기막이 남아서 상기 돌출부를 형성하며, 상기 마스크의 상기 제2 광투과부에 대응하는 상기 감광성 유기막이 남아서 상기 스페이서부를 형성하고, 상기 마스크의 상기 반투과부에 대응하는 상기 감광성 유기막의 일부를 제거하여 상기 평탄부의 상면이 노출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 광투과부들 각각은 광을 전부 투과시키고, 상기 반투과부는 광의 일부를 투과시키며, 상기 광차단부는 광을 전부 차단시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 단면도 상에서, 상기 스페이서부의 상면은 상기 돌출부의 상면보다 높은 레벨에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 감광성 유기막은 블랙 안료를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 감광성 유기막은 네거티브 감광성 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 화소 정의막은 평탄화층 상에 배치되는 뱅크부 및 뱅크부의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 스페이서부를 포함할 수 있다. 뱅크부는 평탄화층 상에 배치되는 평탄부 및 화소 전극에 인접하는 평탄부의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 돌출부를 포함할 수 있다. 이에 따라, 뱅크부 및 스페이서부를 포함하는 화소 정의막을 형성하는 포토리소그래피 공정에서, 하프톤 마스크를 이용하는 경우, 화소 정의막의 CD(critical dimension) 산포가 개선될 수 있다. 또한, 표시 장치 내부로 입사하는 외광에 의한 반사율이 저감될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상기 효과들로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 2의 'A' 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 9는 도 3의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11 내지 도 15는 도 10의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 17은 도 1의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 18은 도 17의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 19는 도 17의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 2의 'A' 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 9는 도 3의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11 내지 도 15는 도 10의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 17은 도 1의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 18은 도 17의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 19는 도 17의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 광을 생성하거나, 외부의 광원으로부터 제공된 광의 투과율을 조절하여 이미지를 표시할 수 있는 영역으로 정의될 수 있다. 주변 영역(PA)은 이미지를 표시하지 않는 영역으로 정의될 수 있다. 또한, 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. 예를 들어, 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 화소들(PX) 각각은 구동 소자(예를 들어, 도 3의 구동 소자(200)), 발광 소자(예를 들어, 도 3의 발광 소자(300)) 등을 포함할 수 있다.
하나의 화소(PX)는 미리 정해진 하나의 기본 색을 표시할 수 있다. 다시 말하면, 하나의 화소(PX)는 다른 화소(PX)와 서로 독립적인 색을 표시할 수 있는 최소 단위일 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소(PX)는 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 색을 표시할 수 있다.
화소들(PX)은 제1 방향(D1) 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)을 따라 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 예를 들어, 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)은 직교할 수 있다.
다만, 본 발명의 표시 장치(10)는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device; OLED)를 한정하여 설명하고 있지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것을 아니다. 다른 실시예에 있어서, 표시 장치(10)는 액정 표시 장치(liquid crystal display device; LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display device; FED), 플라즈마 표시 장치(plasma display device; PDP) 또는 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device; EPD)를 포함할 수도 있다. 이하에서는, 본 발명의 표시 장치(10)가 상기 유기 발광 표시 장치를 포함하는 것을 예시하여 설명하기로 한다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다. 도 3은 도 2의 'A' 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 기판(100), 버퍼층(110), 게이트 절연층(130), 구동 소자(200), 층간 절연층(160), 평탄화층(170), 발광 소자(300), 화소 정의막(180), 봉지 구조물(400), 차광층(260), 반사 제어층(270), 오버코팅층(280) 및 윈도우 부재(500)를 포함할 수 있다.
여기서, 구동 소자(200)는 액티브층(120), 게이트 전극(140), 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)을 포함하고, 발광 소자(300)는 화소 전극(190), 발광층(210) 및 공통 전극(220)을 포함할 수 있다. 또한, 봉지 구조물(400)은 제1 무기 봉지층(230), 유기 봉지층(240) 및 제2 무기 봉지층(250)을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 표시 장치(10)는 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(10)가 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함함에 따라, 기판(100)도 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 투명한 재료 또는 불투명한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 상기 투명 수지 기판의 예로는, 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 베리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 기판(100)은 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
기판(100) 상에 버퍼층(110)이 배치될 수 있다. 버퍼층(110)은 기판(100)으로부터 구동 소자(200)로 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(110)은 기판(100)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(100)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
버퍼층(110) 상의 표시 영역(DA)에 액티브층(120)이 배치될 수 있다. 액티브층(120)은 금속 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들어, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(polysilicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 액티브층(120)은 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 가질 수 있다.
버퍼층(110) 상에 게이트 절연층(130)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(130)은 액티브층(120)을 덮을 수 있다. 게이트 절연층(130)은 버퍼층(110) 상에서 액티브층(120)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(120)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(130)은 버퍼층(110) 상에서 액티브층(120)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(120)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(130)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 게이트 절연층(130)으로 사용될 수 있는 상기 무기 절연 물질의 예로는, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 탄화물(SiCx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연층(130) 상의 표시 영역(DA)에 게이트 전극(140)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(140)은 액티브층(120)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(140)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연층(130) 상에 층간 절연층(150)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(150)은 게이트 전극(140)을 덮을 수 있다. 층간 절연층(150)은 게이트 절연층(130) 상에서 게이트 전극(140)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(140)의 주위에 단차를 생성시키지 않고, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(150)은 게이트 절연층(130) 상에서 게이트 전극(140)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(140)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 층간 절연층(150)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 층간 절연층(150)으로 사용될 수 있는 상기 무기 절연 물질의 예로는, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
층간 절연층(150) 상의 표시 영역(DA)에 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)이 배치될 수 있다. 소스 전극(161)은 게이트 절연층(130) 및 층간 절연층(150)의 제1 부분을 제거하여 형성된 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 액티브층(120)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있다. 드레인 전극(162)은 게이트 절연층(130) 및 층간 절연층(150)의 제2 부분을 제거하여 형성된 제2 콘택홀(CNT2)을 통해 액티브층(120)의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
이에 따라, 액티브층(120), 게이트 전극(140), 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)을 포함하는 구동 소자(200)가 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다.
층간 절연층(150) 상에 평탄화층(170)이 배치될 수 있다. 평탄화층(170)은 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)을 충분히 덮을 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(170)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(170)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(170)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다.
평탄화층(170)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 평탄화층(170)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 평탄화층(170)으로 사용될 수 있는 상기 유기 절연 물질의 예로는, 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평탄화층(170)은 실질적으로 투명한 실록산계 수지를 포함하는 제1 평탄화층 및 상기 제1 평탄화층 상에 배치되고, 실질적으로 투명한 감광성 폴리이미드(photosensitive polyimide; PSPI)를 포함하는 제2 평탄화층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 평탄화층과 상기 제2 평탄화층은 서로 상이한 물질을 포함할 수 있다.
평탄화층(170) 상의 표시 영역(DA)에 화소 전극(190)이 배치될 수 있다. 화소 전극(190)은 평탄화층(170)의 일부를 제거하여 형성된 제3 콘택홀(CNT3)을 통해 드레인 전극(162)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(190)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(190)은 애노드(anode) 전극일 수 있다.
평탄화층(170) 및 화소 전극(190) 상에 화소 정의막(180)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(180)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 정의막(180)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의막(180)에 사용될 수 있는 유기 절연 물질의 예로는, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(180)은 네거티브 감광성 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 화소 정의막(180)은 광 흡수율이 높은 블랙 안료 또는 블랙 염료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 안료 또는 상기 블랙 염료로는 카본 블랙 등이 사용될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에 있어서, 화소 정의막(180)은 평탄화층(170) 상에 배치되고, 화소 전극(190)의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 뱅크부(181) 및 뱅크부(181)의 상면으로부터 두께 방향(예를 들어, 제3 방향(D3))으로 돌출된 스페이서부(182)를 포함할 수 있다. 표시 장치(10)의 제조 공정 상에서, 스페이서부(182)는 발광층(210)을 형성할 때 마스크층이 무너지는 것을 지지하는 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 스페이서부(182)는 각뿔대, 각기둥, 원뿔대 및 원기둥 중 어느 하나의 형상을 가질 수 있다.
뱅크부(181) 및 스페이서부(182)는 감광성 물질을 재료로 하여 포토리소그래피 공정을 통해 일체로 형성될 수 있다. 즉, 뱅크부(181) 및 스페이서부(182)는 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 뱅크부(181) 및 스페이서부(182)는 별개로 형성될 수도 있고, 서로 다른 재료를 포함할 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 뱅크부(181)는 평탄화층(170) 상에 배치되는 평탄부(181a) 및 화소 전극(190)의 인접하는 평탄부(181a)의 상면으로부터 두께 방향(예를 들어, 제3 방향(D3))으로 돌출된 돌출부(181b)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 뱅크부(181)의 돌출부(181b)의 가교도가 향상될 수 있다.
스페이서부(182)의 상면과 돌출부(181b)의 상면은 상이한 레벨에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 스페이서부(182)의 상면은 돌출부(181b)의 상면보다 높은 레벨에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평탄화층(170)의 상면으로부터 돌출부(181b)의 상면까지의 제1 두께(T1)는 평탄화층(170)의 상면으로부터 평탄부(181a)의 상면까지의 제2 두께(T2)보다 작을 수 있다.
화소 전극(190) 상에 발광층(210)이 배치될 수 있다. 구체적으로, 발광층(210)은 뱅크부(181)의 상기 개구부에 배치될 수 있다. 발광층(210)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(예를 들어, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시키는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다.
화소 정의막(180) 및 발광층(210) 상에 공통 전극(220)이 배치될 수 있다. 공통 전극(220)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 공통 전극(220)은 캐소드(cathode) 전극일 수 있다.
이에 따라, 화소 전극(190), 발광층(210) 및 공통 전극(220)을 포함하는 발광 소자(300)가 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다.
공통 전극(220) 상에 봉지 구조물(400)이 배치될 수 있다. 봉지 구조물(400)은 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 봉지 구조물(400)은 공통 전극(220) 상에 배치되는 제1 무기 봉지층(230), 제1 무기 봉지층(230) 상에 배치되는 유기 봉지층(240) 및 유기 봉지층(240) 상에 배치되는 제2 무기 봉지층(250)을 포함할 수 있다.
제1 무기 봉지층(230)은 발광 소자(300)가 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 무기 봉지층(230)은 외부의 충격으로부터 발광 소자(300)를 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기 봉지층(230)은 가요성을 갖는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
유기 봉지층(240)은 표시 장치(10)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 제1 무기 봉지층(230)과 함께 발광 소자(300)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 유기 봉지층(240)은 가요성을 갖는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제2 무기 봉지층(250)은 제1 무기 봉지층(230)과 함께 발광 소자(300)가 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 무기 봉지층(250)은 외부의 충격으로부터 제1 무기 봉지층(230) 및 유기 봉지층(240)과 함께 발광 소자(300)를 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 예를 들어, 제2 무기 봉지층(250)은 가요성을 갖는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
봉지 구조물(400) 상에 편광판이 배치되지 않을 수 있다. 즉, 표시 장치(10)는 상기 편광판을 포함하지 않을 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(10)의 광 효율이 향상될 수 있다.
봉지 구조물(400) 상에 차광층(260)이 배치될 수 있다. 차광층(260)은 화소 정의막(180)과 중첩할 수 있다. 차광층(260)은 발광층(210)에 대응하는 복수의 개구들을 갖도록 배치될 수 있다. 차광층(260)은 발광 소자(300)에서 구현되는 서로 다른 색의 가시광선이 비정상적으로 서로 혼합 또는 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 또한, 차광층(260)은 구동 소자(200)의 부재들이 외광에 의하여 손상되는 것을 방지할 수 있다.
차광층(260)은 차광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 차광층(260)은 블랙 안료를 혼합한 블랙 유기 물질, 크롬옥사이드 등을 포함할 수 있다. 한편, 차광층(260)의 색은 검정색에 한정되는 것은 아니며, 차광층(260)은 다른 색상의 안료 또는 염료 등을 포함할 수도 있다.
봉지 구조물(400) 상에 반사 제어층(270)이 배치될 수 있다. 반사 제어층(270)은 차광층(260)을 덮을 수 있다. 반사 제어층(270)은 발광 소자(300)에서 방출하는 광 중에서 적색광, 녹색광 또는 청색광 같은 특정 파장의 광만 선택적으로 통과시키고, 나머지 파장의 광은 흡수할 수 있다. 또한, 반사 제어층(270)은 외광에 의한 반사광을 차단시킬 수 있다. 예를 들어, 반사 제어층(270)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
반사 제어층(270) 상에 오버코팅층(280)이 배치될 수 있다. 오버코팅층(280)은 외부의 수분 또는 공기로부터 반사 제어층(270)이 노출되지 않도록 할 수 있다. 또한, 오버코팅층(280)은 평탄화층으로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 오버코팅층(280)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)에 있어서, 화소 정의막(180)은 평탄화층(170) 상에 배치되는 뱅크부(181) 및 뱅크부(181)의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 스페이서부(182)를 포함할 수 있다. 뱅크부(181)는 평탄화층(170) 상에 배치되는 평탄부(181a) 및 화소 전극(190)에 인접하는 평탄부(181a)의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 돌출부(181b)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 뱅크부(181) 및 스페이서부(182)를 포함하는 화소 정의막(180)을 형성하는 포토리소그래피 공정에서, 하프톤 마스크를 이용하는 경우, 화소 정의막(180)의 CD(critical dimension) 산포가 개선될 수 있다. 또한, 표시 장치(10) 내부로 입사하는 외광에 의한 반사율이 저감될 수 있다.
도 4 내지 도 9는 도 3의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 예를 들어, 도 7은 도 6의 마스크(600)를 나타내는 평면도이다.
도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함하는 기판(100) 상에 버퍼층(110)이 형성될 수 있다. 기판(100)은 투명한 재료 또는 불투명한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 투명 수지 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
버퍼층(110) 상의 표시 영역(DA)에 액티브층(120)이 형성될 수 있다. 액티브층(120)은 금속 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 액티브층(120)은 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 포함할 수 있다.
버퍼층(110) 상에 게이트 절연층(130)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(130)은 액티브층(120)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(130)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 절연층(130) 상의 표시 영역(DA)에 게이트 전극(140)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(140)은 액티브층(120)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(140)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 절연층(130) 상에 층간 절연층(150)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(150)은 게이트 전극(140)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 층간 절연층(150)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 절연층(130) 및 층간 절연층(150)의 제1 부분을 제거하여 액티브층(120)의 상기 소스 영역을 노출시키는 제1 콘택홀(CNT1)이 형성될 수 있다. 또한, 게이트 절연층(130) 및 층간 절연층(150)의 제2 부분을 제거하여 액티브층(120)의 상기 드레인 영역을 노출시키는 제2 콘택홀(CNT2)이 형성될 수 있다. 그 다음, 제1 콘택홀(CNT1) 및 제2 콘택홀(CNT2)을 채우면서 층간 절연층(150) 상에 금속막이 형성될 수 있다. 상기 금속막을 패터닝함으로써, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 각각 접속되는 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
이에 따라, 액티브층(120), 게이트 전극(140), 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)을 포함하는 구동 소자(200)가 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 형성될 수 있다.
층간 절연층(150) 상에 평탄화층(170)이 형성될 수 있다. 평탄화층(170)은 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)을 덮을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 평탄화층(170)은 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(170)은 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다.
평탄화층(170)의 일 부분을 제거하여 드레인 전극(162)의 상면을 노출시키는 제3 콘택홀(CNT3)이 형성될 수 있다. 그 다음, 제3 콘택홀(CNT3)을 채우면서 평탄화층(170) 상에 금속막이 형성될 수 있다. 상기 금속막을 패터닝함으로써, 드레인 전극(162)에 접속되는 화소 전극(190)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(190)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 평탄화층(170) 상에 감광성 유기막(180')이 도포될 수 있다. 감광성 유기막(180')은 화소 전극(190)을 충분히 덮을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 감광성 유기막(180')은 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 감광성 유기막(180')은 블랙 안료 또는 블랙 염료를 더 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 별도의 감광막을 도포할 필요 없이 감광성 유기막을 직접 노광시켜 선택적으로 제거할 수 있으므로 제조 공정이 단순화될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 감광성 유기막(180')은 네거티브 감광성 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 6, 도 7 및 도 8을 참조하면, 포토리소그래피 공정을 통해 평탄화층(170) 및 화소 전극(190) 상에 화소 정의막(180)이 형성될 수 있다.
먼저, 감광성 유기막(180') 위에 마스크(600)를 위치시킬 수 있다. 예를 들어, 마스크(600)는 하프톤 마스크 또는 슬릿 마스크일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 마스크(600)는 광차단부(601), 제1 광투과부(602a), 반투과부(603) 및 제2 광투과부(602b)로 구분될 수 있다. 제1 광투과부(602a)는 광차단부(601)를 둘러싸고, 반투과부(603)는 제1 광투과부(602a)를 둘러싸며, 제2 광투과부(602b)는 반투과부(603)를 둘러쌀 수 있다. 제1 광투과부(602a) 및 제2 광투과부(602b) 각각은 광을 전부 투과시키고, 반투과부(603)는 광의 일부를 투과시키며, 광차단부(601)는 광을 전부 차단시킬 수 있다.
마스크(600)를 통해 감광성 유기막(180')이 제거되는 영역, 감광성 유기막(180')이 남아서 뱅크부(181)의 돌출부(181b)가 형성되는 영역, 감광성 유기막(180')이 남아서 화소 정의막(180)의 스페이서부(182)가 형성되는 영역 및 감광성 유기막(180')이 남아서 뱅크부(181)의 상면이 노출되는 영역이 각각 서로 다른 정도로 노광될 수 있다.
마스크(600)의 광차단부(601)에 대응하는 감광성 유기막(180')의 전부를 제거하여 뱅크부(181)의 개구부가 형성될 수 있다. 구체적으로, 마스크(600)의 광차단부(601)에 대응하는 감광성 유기막(180')은 현상(development)을 통해 제거될 수 있다. 또한, 마스크(600)의 제1 광투과부(602a)에 대응하는 감광성 유기막(180')이 남아서 뱅크부(181)의 돌출부(181b)가 형성될 수 있다. 마스크(600)의 제2 광투과부(602b)에 대응하는 감광성 유기막(180')이 남아서 화소 정의막(180)의 스페이서부(182)가 형성될 수 있다. 마스크(600)의 반투과부(603)에 대응하는 감광성 유기막(180')의 일부를 제거하여 뱅크부(181)의 평탄부(181a)의 상면이 노출될 수 있다.
즉, 마스크(600)를 통해 감광성 유기막(180')을 노광 및 현상하여 평탄화층(170) 상에 형성되는 평탄부(181a) 및 화소 전극(190)에 인접하는 평탄부(181a)의 상면으로부터 두께 방향(예를 들어, 제3 방향(D3))으로 돌출된 돌출부(181b)를 포함하고, 화소 전극(190)의 일부를 노출시키는 상기 개구부를 갖는 뱅크부(181), 및 뱅크부(181)의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 스페이서부(182)를 포함하는 화소 정의막(180)이 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 화소 전극(190) 상에 발광층(210)이 형성될 수 있다. 발광층(210)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(예를 들어, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시키는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다.
화소 정의막(180) 및 발광층(210) 상에 공통 전극(220)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 공통 전극(220)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
공통 전극(220) 상에 봉지 구조물(400)이 형성될 수 있다. 봉지 구조물(400)은 공통 전극(220) 상에 형성되는 제1 무기 봉지층(230), 제1 무기 봉지층(230) 상에 형성되는 유기 봉지층(240) 및 유기 봉지층(240) 상에 형성되는 제2 무기 봉지층(250)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기 봉지층(230) 및 제2 무기 봉지층(250) 각각은 가요성을 갖는 무기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 유기 봉지층(240)은 가요성을 갖는 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 2 및 도 3을 다시 참조하면, 제2 무기 봉지층(250) 상에 차광층(260)이 형성될 수 있다. 차광층(260)은 화소 정의막(180)과 중첩할 수 있다. 또한, 차광층(260)은 발광층(210)에 대응되는 복수의 개구들을 갖도록 형성될 수 있다.
제2 무기 봉지층(250) 상에 반사 제어층(270)이 형성될 수 있다. 반사 제어층(270)은 차광층(260)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 반사 제어층(270)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 반사 제어층(270) 상에 오버코팅층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 오버코팅층(280)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
오버코팅층(280) 상에 윈도우 부재(500)가 배치될 수 있다. 윈도우 부재(500)는 기판(100), 구동 소자(200), 발광 소자(300), 봉지 구조물(400) 등을 보호하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 윈도우 부재(500)는 폴리이미드 등을 사용하여 형성될 수 있다.
이에 따라, 도 1 내지 도 3에 도시된 표시 장치(10)가 제조될 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(11)는 기판(100), 버퍼층(110), 게이트 절연층(130), 구동 소자(200), 층간 절연층(160), 평탄화층(170), 발광 소자(300), 화소 정의막(180), 봉지 구조물(400), 차광층(260), 반사 제어층(270), 오버코팅층(280) 및 윈도우 부재(500)를 포함할 수 있다. 다만, 도 9를 참조하여 설명하는 표시 장치(11)는 평탄화층(170)을 제외하고는 도 3을 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이하에서, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
층간 절연층(150) 상에 평탄화층(170)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 평탄화층(170)은 화소 전극(190)에 인접하는 그루브(GR)를 가질 수 있다. 이때, 화소 정의막(180)의 뱅크부(181)는 그루브(GR)를 채울 수 있다. 이 경우, 그루브(GR)와 중첩하는 화소 정의막(180)의 뱅크부(181)는 평탄한 상면을 가질 수 있다. 즉, 그루브(GR)와 중첩하지 않는 뱅크부(181)의 상면과 그루브(GR)와 중첩하는 뱅크부(181)의 상면은 동일한 레벨에 위치할 수 있다. 다시 말하면, 그루브(GR)와 중첩하는 뱅크부(181)의 상면은 두께 방향(예를 들어, 제3 방향(D3))으로 돌출되지 않을 수 있다. 이에 따라, 그루브(GR)와 중첩하는 뱅크부(181)의 가교도가 향상될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 단면도 상에서, 그루브(GR)의 상면으로부터 뱅크부(181)의 상면까지의 제1 두께(T1)는 평탄화층(170)의 상면으로부터 뱅크부(181)의 상면까지의 제2 두께(T2)보다 클 수 있다. 즉, 그루브(GR)와 중첩하는 뱅크부(181)의 제1 두께(T1)는 그루브(GR)와 중첩하지 않는 뱅크부(181)의 제2 두께(T2)보다 클 수 있다.
도 11 내지 도 15는 도 10의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 이하에서, 도 4 내지 도 9를 참조하여 설명한 표시 장치(10)의 제조 방법과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1, 도 2 및 도 11을 참조하면, 기판(100) 상에 버퍼층(110), 액티브층(120), 게이트 절연층(130), 게이트 전극(140), 층간 절연층(150), 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)이 차례로 형성될 수 있다. 이에 따라, 액티브층(120), 게이트 전극(140), 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)을 포함하는 구동 소자(200)가 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 형성될 수 있다.
층간 절연층(150) 상에 평탄화층(170)이 형성될 수 있다. 평탄화층(170)은 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)을 덮을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 평탄화층(170)은 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 별도의 감광막을 도포할 필요 없이 평탄화층(170)을 직접 노광시켜 선택적으로 제거할 수 있으므로 제조 공정이 단순화될 수 있다. 평탄화층(170)은 포지티브 감광성 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
포토리소그래피 공정을 통해 화소 전극(190)에 인접하는 그루브(GR) 및 드레인 전극(162)의 상면을 노출시키는 제3 콘택홀(CNT3)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 하프톤 마스크 또는 슬릿 마스크를 통해 평탄화층(170)의 일부를 제거하여 화소 전극(190)에 인접하는 그루브(GR) 및 드레인 전극(162)의 상면을 노출시키는 제3 콘택홀(CNT3)이 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 제3 콘택홀(CNT3)을 채우면서 평탄화층(170) 상에 금속층이 형성될 수 있다. 상기 금속층을 패터닝하여 드레인 전극(162)에 접속되는 화소 전극(190)이 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 평탄화층(170) 상에 감광성 유기막(180')이 도포될 수 있다. 감광성 유기막(180')은 화소 전극(190)을 충분히 덮을 수 있다. 감광성 유기막(180')은 평탄화층(170)의 그루브(GR)를 채울 수 있다. 일 실시예에 있어서, 감광성 유기막(180')은 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 감광성 유기막(180')은 블랙 안료 또는 블랙 염료를 더 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 별도의 감광막을 도포할 필요 없이 감광성 유기막을 직접 노광시켜 선택적으로 제거할 수 있으므로 제조 공정이 단순화될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 감광성 유기막(180')은 네거티브 감광성 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 포토리소그래피 공정을 통해 평탄화층(170) 및 화소 전극(190) 상에 화소 정의막(180)이 형성될 수 있다.
먼저, 감광성 유기막(180') 위에 마스크(600)를 위치시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 마스크(600)는 광차단부(601), 제1 광투과부(602a), 반투과부(603) 및 제2 광투과부(602b)로 구분될 수 있다. 제1 광투과부(602a) 및 제2 광투과부(602b) 각각은 광을 전부 투과시키고, 반투과부(603)는 광의 일부를 투과시키며, 광차단부(601)는 광을 전부 차단시킬 수 있다.
마스크(600)를 통해 감광성 유기막(180')이 제거되는 영역, 감광성 유기막(180')이 남아서 화소 정의막(180)의 스페이서부(182)가 형성되는 영역 및 감광성 유기막(180')이 남아서 뱅크부(181)가 형성되는 영역이 각각 서로 다른 정도로 노광될 수 있다.
마스크(600)의 광차단부(601)에 대응하는 감광성 유기막(180')의 전부를 제거하여 뱅크부(181)의 개구부가 형성될 수 있다. 구체적으로, 마스크(600)의 광차단부(601)에 대응하는 감광성 유기막(180')은 현상(development)을 통해 제거될 수 있다. 또한, 마스크(600)의 제1 광투과부(602a) 및 반투과부(603)에 각각 대응하는 감광성 유기막(180')이 남아서 뱅크부(181)가 형성될 수 있다. 이때, 제1 광투과부(602a)는 그루브(GR)와 중첩하는 감광성 유기막(180')에 대응되고, 반투과부(603)는 그루브(GR)와 중첩하지 않는 감광성 유기막(180')에 대응될 수 있다. 마스크(600)의 제2 광투과부(602b)에 대응하는 감광성 유기막(180')이 남아서 화소 정의막(180)의 스페이서부(182)가 형성될 수 있다.
즉, 마스크(600)를 통해 감광성 유기막(180')을 노광 및 현상하여 평탄화층(170) 상에 형성되고, 화소 전극(190)의 일부를 노출시키는 상기 개구부를 갖는 뱅크부(181), 및 뱅크부(181)의 상면으로부터 두께 방향(예를 들어, 제3 방향(D3))으로 돌출된 스페이서부(182)를 포함하는 화소 정의막(180)이 형성될 수 있다. 이때, 그루브(GR)와 중첩하는 뱅크부(181)의 부분은 평탄한 상면을 가질 수 있다.
도 9를 다시 참조하면, 화소 전극(190) 상에 발광층(210)이 형성되고, 화소 정의막(180) 및 발광층(210) 상에 공통 전극(220)이 형성될 수 있다.
공통 전극(220) 상에 봉지 구조물(400)이 형성될 수 있다. 봉지 구조물(400)은 공통 전극(220) 상에 형성되는 제1 무기 봉지층(230), 제1 무기 봉지층(230) 상에 형성되는 유기 봉지층(240) 및 유기 봉지층(240) 상에 형성되는 제2 무기 봉지층(250)을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3을 다시 참조하면, 제2 무기 봉지층(250) 상에 차광층(260)이 형성될 수 있다. 차광층(260)은 화소 정의막(180)과 중첩할 수 있다. 제2 무기 봉지층(250) 상에 반사 제어층(270)이 형성될 수 있다. 반사 제어층(270)은 차광층(260)을 덮을 수 있다. 반사 제어층(270) 상에 오버코팅층(280)이 형성되고, 오버코팅층(280) 상에 윈도우 부재(500)가 배치될 수 있다.
이에 따라, 도 10에 도시된 표시 장치(11)가 제조될 수 있다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(12)는 기판(100), 버퍼층(110), 게이트 절연층(130), 구동 소자(200), 층간 절연층(160), 평탄화층(170), 발광 소자(300), 화소 정의막(180), 봉지 구조물(400), 차광층(260), 반사 제어층(270), 오버코팅층(280) 및 윈도우 부재(500)를 포함할 수 있다. 다만, 도 14를 참조하여 설명하는 표시 장치(12)는 화소 정의막(180)의 뱅크부(181)를 제외하고는 도 9를 참조하여 설명한 표시 장치(11)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이하에서, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
층간 절연층(150) 상에 평탄화층(170)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(170)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 평탄화층(170)은 화소 전극(190)에 인접하는 그루브(GR)를 가질 수 있다.
평탄화층(170) 상에 화소 정의막(180)이 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 화소 정의막(180)은 평탄화층(170) 상에 배치되고, 화소 전극(190)의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 뱅크부(181) 및 뱅크부(181)의 상면으로부터 두께 방향(예를 들어, 제3 방향(D3))으로 돌출된 스페이서부(182)를 포함할 수 있다. 이때, 화소 정의막(180)의 뱅크부(181)는 그루브(GR)를 채울 수 있다. 일 실시예에 있어서, 뱅크부(181)는 평탄화층(170) 상에 배치되는 평탄부(181c) 및 그루브(GR)와 중첩하는 평탄부(181c)의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 돌출부(181d)를 포함할 수 있다.
도 17은 도 1의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다. 도 18은 도 17의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 19는 도 17의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 17, 도 18 및 도 19를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 전자 기기(900)는 프로세서(910), 메모리 장치(920), 스토리지 장치(930), 입출력 장치(940), 파워 서플라이(950) 및 표시 장치(960)를 포함할 수 있다. 이 경우, 표시 장치(960)는 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 표시 장치(10)에 대응될 수 있다. 전자 기기(900)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신할 수 있는 여러 포트들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 18에 도시된 바와 같이, 전자 기기(900)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 도 19에 도시된 바와 같이, 전자 기기(900)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 전자 기기(900)는 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 전자 기기(900)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트 패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 내비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
프로세서(910)는 특정 계산들 또는 태스크들(tasks)을 수행할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(910)는 마이크로프로세서(microprocessor), 중앙 처리 유닛(central processing unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(application processor; AP) 등일 수 있다. 프로세서(910)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus), 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 프로세서(910)는 주변 구성 요소 상호 연결(peripheral component interconnect; PCI) 버스 등과 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(920)는 전자 기기(900)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들면, 메모리 장치(920)는 이피롬(erasable programmable read-only memory; EPROM) 장치, 이이피롬(electrically erasable programmable read-only memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(phase change random access memory; PRAM) 장치, 알램(resistance random access memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(nano floating gate memory; NFGM) 장치, 폴리머램(polymer random access memory; PoRAM) 장치, 엠램(magnetic random access memory; MRAM), 에프램(ferroelectric random access memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(dynamic random access memory; DRAM) 장치, 에스램(static random access memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
스토리지 장치(930)는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(hard disk drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(940)는 키보드, 키패드, 터치 패드, 터치 스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다.
파워 서플라이(950)는 전자 기기(900)의 동작에 필요한 전원을 공급할 수 있다. 표시 장치(960)는 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 장치(960)는 입출력 장치(940)에 포함될 수도 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
10: 표시 장치
DA: 표시 영역
PA: 주변 영역 100: 기판
120: 액티브층 140: 게이트 전극
161: 소스 전극 162: 드레인 전극
170: 평탄화층 180: 화소 정의막
181: 뱅크부 181a: 평탄부
181b: 돌출부 182: 스페이서부
200: 구동 소자 260: 차광층
270: 반사 제어층 280: 오버코팅층
300: 발광 소자 400: 봉지 구조물
500: 윈도우 부재
PA: 주변 영역 100: 기판
120: 액티브층 140: 게이트 전극
161: 소스 전극 162: 드레인 전극
170: 평탄화층 180: 화소 정의막
181: 뱅크부 181a: 평탄부
181b: 돌출부 182: 스페이서부
200: 구동 소자 260: 차광층
270: 반사 제어층 280: 오버코팅층
300: 발광 소자 400: 봉지 구조물
500: 윈도우 부재
Claims (20)
- 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 구동 소자;
상기 구동 소자 상에 배치되고, 상기 구동 소자에 접속되는 화소 전극;
상기 구동 소자 상에 배치되는 평탄화층; 및
상기 평탄화층 상에 배치되는 평탄부 및 상기 화소 전극에 인접하는 상기 평탄부의 상면으로부터 두께 방향으로 돌출된 돌출부를 포함하고, 상기 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 뱅크부; 및
상기 뱅크부의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 스페이서부를 포함하는 화소 정의막을 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서, 단면도 상에서, 상기 스페이서부의 상면은 상기 돌출부의 상면보다 높은 레벨에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 화소 정의막은 블랙 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 화소 정의막은 네거티브 감광성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 평탄화층은 유기 절연 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제6 항에 있어서,
상기 공통 전극 상에 배치되고, 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함하는 봉지 구조물;
상기 봉지 구조물 상에 배치되고, 상기 화소 정의막과 중첩하는 차광층; 및
상기 봉지 구조물 상에 배치되고, 상기 차광층을 커버하는 반사 제어층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 구동 소자;
상기 구동 소자 상에 배치되고, 상기 구동 소자에 접속되는 화소 전극;
상기 구동 소자 상에 배치되고, 상기 화소 전극에 인접하는 그루브를 갖는 평탄화층; 및
상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 그루브를 채우며, 상기 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 뱅크부 및 상기 뱅크부의 상면으로부터 두께 방향으로 돌출되는 스페이서부를 포함하는 화소 정의막을 포함하는 표시 장치. - 제8 항에 있어서, 상기 그루브와 중첩하는 상기 뱅크부는 평탄한 상면을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제8 항에 있어서, 상기 화소 정의막은 블랙 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치
- 제8 항에 있어서, 상기 화소 정의막은 네거티브 감광성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제8 항에 있어서, 상기 평탄화층은 유기 절연 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제8 항에 있어서, 상기 뱅크부는,
상기 평탄화층 상에 배치되는 평탄부; 및
상기 그루브와 중첩하는 상기 평탄부의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판 상의 상기 표시 영역에 구동 소자를 형성하는 단계;
상기 구동 소자 상에 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 구동 소자 상에, 상기 구동 소자에 접속되는 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 평탄화층 상에 감광성 유기막을 도포하는 단계;
상기 감광성 유기막 상에, 광차단부, 상기 광차단부를 둘러싸는 제1 광투과부, 상기 제1 광투과부를 둘러싸는 반투과부 및 상기 반투과부를 둘러싸는 제2 광투과부로 구분되는 마스크를 위치시키는 단계;
상기 마스크를 통해 상기 감광성 유기막을 노광 및 현상하여 상기 평탄화층 상에 형성되는 평탄부 및 상기 화소 전극에 인접하는 상기 평탄부의 상면으로부터 두께 방향으로 돌출된 돌출부를 포함하고, 상기 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 뱅크부, 및 상기 뱅크부의 상면으로부터 상기 두께 방향으로 돌출된 스페이서부를 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서, 상기 화소 정의막을 형성하는 단계는,
상기 마스크의 상기 광차단부에 대응하는 상기 감광성 유기막의 전부를 제거하여 상기 개구부를 형성하고,
상기 마스크의 상기 제1 광투과부에 대응하는 상기 감광성 유기막이 남아서 상기 돌출부를 형성하며,
상기 마스크의 상기 제2 광투과부에 대응하는 상기 감광성 유기막이 남아서 상기 스페이서부를 형성하고,
상기 마스크의 상기 반투과부에 대응하는 상기 감광성 유기막의 일부를 제거하여 상기 평탄부의 상면이 노출되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 광투과부들 각각은 광을 전부 투과시키고, 상기 반투과부는 광의 일부를 투과시키며, 상기 광차단부는 광을 전부 차단시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제15 항에 있어서, 단면도 상에서, 상기 스페이서부의 상면은 상기 돌출부의 상면보다 높은 레벨에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제15 항에 있어서, 상기 감광성 유기막은 블랙 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제15 항에 있어서, 상기 감광성 유기막은 네거티브 감광성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210146833A KR20230063925A (ko) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| US17/891,261 US20230135679A1 (en) | 2021-10-29 | 2022-08-19 | Display device and method of providing display device |
| EP22203723.6A EP4175442A1 (en) | 2021-10-29 | 2022-10-26 | Display device and method of providing display device |
| CN202211327815.1A CN116096140A (zh) | 2021-10-29 | 2022-10-27 | 显示装置和提供显示装置的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210146833A KR20230063925A (ko) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230063925A true KR20230063925A (ko) | 2023-05-10 |
Family
ID=84358938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210146833A KR20230063925A (ko) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230135679A1 (ko) |
| EP (1) | EP4175442A1 (ko) |
| KR (1) | KR20230063925A (ko) |
| CN (1) | CN116096140A (ko) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102607212B1 (ko) * | 2018-11-22 | 2023-11-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
| KR20200091059A (ko) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR20200132520A (ko) * | 2019-05-17 | 2020-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
| KR20210090779A (ko) * | 2020-01-10 | 2021-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2021
- 2021-10-29 KR KR1020210146833A patent/KR20230063925A/ko unknown
-
2022
- 2022-08-19 US US17/891,261 patent/US20230135679A1/en active Pending
- 2022-10-26 EP EP22203723.6A patent/EP4175442A1/en active Pending
- 2022-10-27 CN CN202211327815.1A patent/CN116096140A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116096140A (zh) | 2023-05-09 |
| US20230135679A1 (en) | 2023-05-04 |
| EP4175442A1 (en) | 2023-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5233522B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| US10288781B2 (en) | Display device and light-diffusing member | |
| JP4480599B2 (ja) | 反射板、その製造方法及び液晶表示装置 | |
| US20110013131A1 (en) | Liquid crystal display device, liquid crystal display device manufacturing method, and electronic device | |
| KR20200064207A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR101848094B1 (ko) | 스페이서용 레진조성물 및 이를 이용한 씨오티 구조 어레이기판의 제조방법 | |
| TWI778203B (zh) | 具有光反射層而用於防止網格效應的顯示器 | |
| KR20210057877A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20200055775A (ko) | Tft 기판의 제조 방법 및 그 구조 | |
| WO2018171078A1 (zh) | 主动开关阵列基板及其制造方法与其应用的显示设备 | |
| KR20230063925A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20230061650A (ko) | 표시 장치 | |
| US11489027B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US10861914B2 (en) | Display apparatus | |
| CN220290833U (zh) | 显示装置 | |
| CN114008790A (zh) | 显示设备 | |
| JP6996534B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| WO2022241661A1 (zh) | 显示基板及其制备方法和显示装置 | |
| KR20240024408A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| JP2010191313A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 | |
| KR20200072615A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20230033181A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20240062151A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| JP2007140254A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |