JP6996534B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。

プロジェクター等の電子機器には、一般に、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶装置等の電気光学装置が用いられる。例えば、特許文献１に記載の装置は、複数の画素電極および複数のスイッチング素子が設けられる素子基板と、共通電極が設けられる対向基板と、これらの基板間に配置される液晶層と、を有する。

特許文献１では、素子基板のスイッチング素子と画素電極との間にレンズが設けられる。
当該レンズは、層間絶縁膜に形成される凹面の内側を透光性のレンズ層で埋めることにより形成される。

特開２０１９－４０１５３号公報

レンズを形成するための層間絶縁膜の形成前には、アルミニウム等で構成される配線が形成される。したがって、当該配線が耐え得る温度下で当該層間絶縁膜を形成しなければならないため、当該層間絶縁膜に膜質を高めるためのアニールを十分に施すことができない。このため、特許文献１に記載の方法では、当該層間絶縁膜の膜質の影響によりウェットエッチングのエッチングレートのばらつきが大きくなってしまうことに起因して、所望の形状のレンズ面を形成することが難しいという課題がある。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、透光性の基材に、ドライエッチングを用いて、幅方向での中央に向かうに従って段階的に深くなる形状の凹面を形成し、前記凹面に対する成膜処理により、前記凹面の段差による角を低減し、前記凹面の内側を埋めるように、前記基材とは異なる屈折率のレンズ層を形成する。

本発明の電気光学装置の一態様は、複数の画素電極が設けられる第１基板と、共通電極が設けられる第２基板と、前記複数の画素電極と前記共通電極との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を有し、前記第１基板または前記第２基板は、前記複数の画素電極に対応して複数の凹面が設けられる透光性の基材と、前記複数の凹面の内側を埋めるように配置され、前記基材とは異なる屈折率のレンズ層と、を有し、前記複数の凹面のそれぞれは、幅方向での中央に向かうに従って段階的に深くなり、かつ、段差による角が低減された形状をなす。

第１実施形態に係る電気光学装置の概略平面図である。 図１中のＡ－Ａ線断面図である。 素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 素子基板の一部を拡大した断面図である。 素子基板のレンズ構造体の一部を拡大した断面図である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法の流れを示す図である。 第１実施形態における基材形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態におけるマスク形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における１回目のドライエッチング工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における１回目のマスク開口拡大工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における２回目のドライエッチング工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における２回目のマスク開口拡大工程を説明するための断面図である。 第１実施形態におけるＮ回目のドライエッチング工程を説明するための断面図である。 第１実施形態におけるマスク除去工程を説明するための断面図である。 第１実施形態におけるＮ回目のドライエッチング工程により形成される凹面の平面図である。 第１実施形態における平滑化工程を説明するための断面図である。 第１実施形態におけるレンズ層形成工程を説明するための断面図である。 第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法の流れを示す図である。 第２実施形態におけるマスク形成工程を説明するための断面図である。 第２実施形態におけるドライエッチング工程の途中の状態を説明するための断面図である。 第２実施形態におけるドライエッチング工程の終了の状態を説明するための断面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．電気光学装置
１Ａ．第１実施形態
１Ａ－１．電気光学装置１００の基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の概略平面図である。図２は、図１中のＡ－Ａ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向といい、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向という。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向といい、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向という。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向といい、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向という。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリックス駆動方式の透過型の液晶表示装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２００と、透光性を有する対向基板３００と、枠状のシール部材４００と、液晶層５００とを有する。素子基板２００は、「第１基板」の一例であり、対向基板３００は、「第２基板」の一例であり、液晶層５００は、「電気光学層」の一例である。シール部材４００は、素子基板２００と対向基板３００との間に配置される。液晶層５００は、素子基板２００、対向基板３００およびシール部材４００によって囲まれる領域内に配置される。ここで、素子基板２００、液晶層５００および対向基板３００は、Ｚ軸に沿って並ぶ。対向基板３００が有する後述の第２基体３１０の表面がＸ－Ｙ平面に平行である。以下では、＋Ｚ軸方向または－Ｚ方向からみることを「平面視」と言う。

本実施形態の電気光学装置１００では、光ＬＬが、素子基板２００に入射し、液晶層５００を透過して対向基板３００から出射される。なお、光ＬＬは可視光である。「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、図１に示す電気光学装置１００は、平面視で四角形状をなすが、電気光学装置１００の平面視形状は、これに限定されず、例えば、円形等であってもよい。

素子基板２００は、複数の画素電極２２０が設けられる第１基板である。より具体的には、図２に示すように、素子基板２００は、第１基体２１０と、複数の画素電極２２０と、第１配向膜２３０と、を有する。第１基体２１０は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。画素電極２２０は、透光性を有しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。第１配向膜２３０は、素子基板２００において最も液晶層５００側に位置しており、液晶層５００の液晶分子を配向させる。第１配向膜２３０の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。なお、素子基板２００の詳細な構成については、後で説明する。

対向基板３００は、共通電極の一例である対向電極３３０が設けられる第２基板である。より具体的には、図２に示すように、対向基板３００は、第２基体３１０と、絶縁層３２０と、対向電極３３０と、第２配向膜３４０と、を有する。第２基体３１０、絶縁層３２０、対向電極３３０および第２配向膜３４０は、この順に並ぶ。このうち第２配向膜３４０が最も液晶層５００側に位置する。第２基体３１０は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第２基体３１０は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。対向電極３３０は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で構成される。また、第２配向膜３４０は、液晶層５００の液晶分子を配向させる。第２配向膜３４０の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

シール部材４００は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される枠状の部材である。シール部材４００は、素子基板２００および対向基板３００のそれぞれに対して固着される。シール部材４００の周方向での一部には、液晶分子を含む液晶材をシール部材４００の内側に注入するための注入口４１０が形成される。注入口４１０は、各種樹脂材料を用いて形成される封止材４２０により封止される。

液晶層５００は、複数の画素電極２２０と対向電極３３０との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。より具体的には、液晶層５００は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層５００は、液晶分子が第１配向膜２３０および第２配向膜３４０の双方に接するように素子基板２００および対向基板３００によって挟持される。液晶層５００が有する液晶分子の配向は、液晶層５００に印加される電圧に応じて変化する。液晶層５００は、印加される電圧に応じて光ＬＬを変調させることで階調表示を可能とする。

図１に示すように、素子基板２００における対向基板３００側の面には、複数の走査線駆動回路１１０と信号線駆動回路１２０と、複数の外部端子１３０とが配置される。外部端子１３０には、走査線駆動回路１１０および信号線駆動回路１２０のそれぞれから引き回される引回し配線１４０が接続される。

以上の構成の電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、表示領域Ａ１０を平面視で囲む周辺領域Ａ２０と有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。１つの画素Ｐに対して１つの画素電極２２０が配置される。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１０および信号線駆動回路１２０等が配置される。

１Ａ－２．素子基板２００の電気的な構成
図３は、素子基板２００の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２００には、ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の容量線２４３とが設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してスイッチング素子であるＴＦＴ２４０が配置される。

ｎ本の走査線２４１は、それぞれＹ方向に沿って延びており、Ｘ方向に等間隔で並ぶ。走査線２４１は、対応するＴＦＴ２４０のゲートに電気的に接続される。また、ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１０に電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１０から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本の信号線２４２は、それぞれＸ方向に沿って延びており、Ｙ方向に等間隔で並ぶ。信号線２４２は、対応するＴＦＴ２４０のソースに電気的に接続される。また、ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２０に電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２には、図１に示す信号線駆動回路１２０から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。画素電極２２０は、ＴＦＴ２４０のドレインに電気的に接続される。

ｎ本の容量線２４３は、それぞれＹ方向に沿って延びており、Ｘ方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線２４３は、複数の信号線２４２および複数の走査線２４１に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔を隔てて配置される。容量線２４３には、グランド電位等の固定電位が印加される。また、容量線２４３と画素電極２２０との間には、液晶容量に保持される電荷のリークを防止するために蓄積容量２４４が液晶容量と並列に接続される。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるＴＦＴ２４０がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２２０に印加される。これにより、画素電極２２０と図２に示す対向基板３００が有する対向電極３３０との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２４４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光ＬＬが変調され階調表示が可能となる。

１Ａ－３．素子基板２００の詳細な構成
図４は、素子基板２００の一部を拡大した断面図である。図４では、図２中の領域Ｂが拡大して図示される。領域Ｂは、電気光学装置１００における表示領域Ａ１０の一部である。なお、図４では、各部の構成が理解を容易にするために模式的に示される。

図４に示すように、素子基板２００は、前述の第１基体２１０と複数の画素電極２２０と第１配向膜２３０と複数のＴＦＴ２４０とのほか、レンズ構造体２５０と絶縁積層体２６０と遮光体２７０とレンズ構造体２８０と保護膜２９０とを有する。これらは、第１基体２１０、レンズ構造体２５０、絶縁積層体２６０、レンズ構造体２８０、保護膜２９０、複数の画素電極２２０および第１配向膜２３０の順に積層される。また、複数のＴＦＴ２４０と遮光体２７０とのそれぞれは、絶縁積層体２６０の層間に配置される。以下、素子基板２００の各部を順に説明する。

第１基体２１０は、前述のように、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。本実施形態の第１基体２１０は、画素Ｐごとに光ＬＬの広がり角度を調整するためのレンズアレイである。図４に示す第１基体２１０は、基材２１１とレンズ層２１２とを有する。

基材２１１は、透光性および絶縁性を有する板材である。基材２１１は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。基材２１１におけるレンズ層２１２側の面には、複数の凹面２１３が設けられる。図示しないが、複数の凹面２１３は、平面視で、複数の画素Ｐに対応して、行列状に配置される。複数の凹面２１３のそれぞれは、レンズ面として機能する湾曲面である。

レンズ層２１２は、複数の凹面２１３の内側を埋めるように、基材２１１上に配置される。レンズ層２１２は、基材２１１とは異なる屈折率の材料で構成される透光性および絶縁性の層である。好ましくは、レンズ層２１２の屈折率は、基材２１１の屈折率よりも大きい。レンズ層２１２の構成材料としては、例えば、酸窒化シリコンおよび窒化シリコン等が挙げられる。レンズ層２１２における基材２１１側の面には、複数の凸面２１４が設けられる。複数の凸面２１４のそれぞれは、前述の基材２１１の凹面２１３に対して相補的な形状をなしており、凹面２１３とともにレンズ面として機能する湾曲面である。なお、レンズ層２１２における基材２１１側とは反対側の面上には、例えば、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜等で構成される保護膜が配置されてもよい。また、第１基体２１０は、レンズアレイでなくともよく、単なる透光性および絶縁性を有する平板でもよい。

レンズ構造体２５０は、画素Ｐごとに光ＬＬの広がり角度を調整するためのレンズアレイである。本実施形態のレンズ構造体２５０は、前述の第１基体２１０との協働により、液晶層５００に入射する光ＬＬの広がり角度を画素Ｐごとに所望の範囲内に調整する。図４に示すレンズ構造体２５０は、透光層２５１とレンズ層２５２とを有する。

透光層２５１は、透光性および絶縁性を有する層である。透光層２５１は、例えば、酸化シリコン等で構成される。透光層２５１におけるレンズ層２５２側の面には、複数の凹面２５３が設けられる。図示しないが、複数の凹面２５３は、平面視で、複数の画素Ｐに対応して、行列状に配置される。複数の凹面２５３のそれぞれは、レンズ面として機能する湾曲面である。

レンズ層２５２は、複数の凹面２５３の内側を埋めるように、透光層２５１上に配置される。レンズ層２５２は、透光層２５１とは異なる屈折率の材料で構成される透光性および絶縁性の層である。好ましくは、レンズ層２５２の屈折率は、透光層２５１の屈折率よりも大きい。レンズ層２５２の構成材料としては、例えば、酸窒化シリコンおよび窒化シリコン等が挙げられる。レンズ層２５２における透光層２５１側の面には、複数の凸面２５４が設けられる。複数の凸面２５４のそれぞれは、前述の透光層２５１の凹面２５３に対して相補的な形状をなしており、凹面２５３とともにレンズ面として機能する湾曲面である。なお、レンズ層２５２における透光層２５１側とは反対側の面上には、例えば、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜等で構成される保護膜が配置されてもよい。また、レンズ構造体２５０は、必要に応じて設ければよく、省略してもよい。

絶縁積層体２６０は、透光性および絶縁性を有する層の積層体である。絶縁積層体２６０は、層間絶縁膜２６１、２６２、２６３、２６４、２６５および２６６を有し、この順で、レンズ構造体２５０側からレンズ構造体２８０側に向けて、これらの膜が積層される。層間絶縁膜２６１、２６２、２６３、２６４、２６５および２６６のそれぞれは、例えば、酸化シリコン等で構成される。絶縁積層体２６０の層間には、複数のＴＦＴ２４０と遮光体２７０とのそれぞれが適宜に配置される。

図４に示す例では、層間絶縁膜２６２と層間絶縁膜２６３との間にＴＦＴ２４０が配置される。また、図示しないが、絶縁積層体２６０の層間には、前述の複数の走査線２４１と複数の信号線２４２と複数の容量線２４３と複数の蓄積容量２４４とのそれぞれも適宜に配置される。また、絶縁積層体２６０の各層には、ＴＦＴ２４０、走査線２４１、信号線２４２、容量線２４３または蓄積容量２４４に電気的に接続される貫通電極等の構造体が適宜に貫通して配置される。なお、絶縁積層体２６０を構成する層の数は、図４に示す層数に限定されず、任意である。また、図４では、絶縁積層体２６０が光ＬＬの通過領域にわたり設けられるが、当該通過領域を絶縁積層体２６０とは別体の層で構成してもよい。

遮光体２７０は、絶縁積層体２６０の層間に配置される遮光性の膜の集合体である。図示しないが、遮光体２７０は、平面視で、複数の画素電極２２０同士の間の領域に沿って配置される。遮光体２７０は、遮光膜２７１、２７２および２７３を有する。遮光膜２７１は、層間絶縁膜２６１と層間絶縁膜２６２との間に配置される。遮光膜２７２は、層間絶縁膜２６３と層間絶縁膜２６４との間に配置される。遮光膜２７３は、層間絶縁膜２６４と層間絶縁膜２６５との間に配置される。

ここで、ＴＦＴ２４０は、遮光膜２７１に対してＺ１方向に配置される。このため、Ｚ１方向に進行する光ＬＬまたはその他の外光がＴＦＴ２４０に入射するのを遮光膜２７１により低減または防止することができる。また、ＴＦＴ２４０は、遮光膜２７２または２７３に対してＺ２方向に配置される。このため、Ｚ２方向に進行する外光がＴＦＴ２４０に入射するのを遮光膜２７２または２７３により低減または防止することもできる。遮光膜２７１、２７２および２７３のそれぞれは、例えば、金属、金属シリサイドまたは金属化合物等で構成される。遮光膜２７１、２７２または２７３は、導電性を有する場合、前述の走査線２４１、信号線２４２または容量線２４３を兼ねてもよいし、蓄積容量２４４の電極を兼ねてもよい。

レンズ構造体２８０は、画素Ｐごとに光ＬＬの広がり角度を調整するためのレンズアレイである。本実施形態のレンズ構造体２８０は、液晶層５００から出射する光ＬＬの広がり角度を画素Ｐごとに所望の範囲内に調整する。図４に示すレンズ構造体２８０は、透光層２８１とレンズ層２８２とを有する。

透光層２８１は、透光性および絶縁性を有する層である。透光層２８１は、例えば、酸化シリコン等で構成される。透光層２８１におけるレンズ層２８２側の面には、複数の凹面２８３が設けられる。図示しないが、複数の凹面２８３は、平面視で、複数の画素Ｐに対応して、行列状に配置される。複数の凹面２８３のそれぞれは、レンズ面として機能する湾曲面である。

レンズ層２８２は、複数の凹面２８３の内側を埋めるように、透光層２８１上に配置される。レンズ層２８２は、透光層２８１とは異なる屈折率の材料で構成される透光性および絶縁性の層である。好ましくは、レンズ層２８２の屈折率は、透光層２８１の屈折率よりも大きい。レンズ層２８２の構成材料としては、例えば、酸窒化シリコンおよび窒化シリコン等が挙げられる。レンズ層２８２における透光層２８１側の面には、複数の凸面２８４が設けられる。複数の凸面２８４のそれぞれは、前述の透光層２８１の凹面２８３に対して相補的な形状をなしており、凹面２８３とともにレンズ面として機能する湾曲面である。なお、凹面２８３については、後に詳述する。

保護膜２９０は、レンズ層２８２における透光層２８１側とは反対側の面上に配置される透光性および絶縁性を有する膜である。保護膜２９０は、例えば、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜等で構成される。保護膜２９０をレンズ層２８２上に配置することで、素子基板２００の製造時におけるレンズ層２８２のクラック等の発生を低減したり、保護膜２９０を用いない場合に比べて画素電極２２０の平坦性を高めたりすることができる。なお、保護膜２９０は、画素電極２２０に対する密着性を高める観点から、例えばＢＳＧ（borosilicate glass）等のガラスで構成してもよい。

保護膜２９０におけるレンズ構造体２８０側とは反対側の面上には、複数の画素電極２２０が配置される。複数の画素電極２２０は、平面視で、画素Ｐに対応して、行列状に配置される。図示しないが、複数の画素電極２２０のそれぞれは、前述のレンズ構造体２８０および保護膜２９０を貫通する貫通電極を介して、ＴＦＴ２４０のドレインに電気的に接続される。複数の画素電極２２０における保護膜２９０側とは反対側の面上には、第１配向膜２３０が配置される。なお、保護膜２９０は、必要に応じて設ければよく、省略してもよい。この場合、複数の画素電極２２０は、レンズ構造体２８０上に直接的に配置される。

１Ａ－４．レンズ構造体２８０の凹面２８３
図５は、素子基板２００のレンズ構造体２８０の一部を拡大した断面図である。図５では、凹面２８３の形状の一例が模式的に図示される。図５に示すように、凹面２８３は、底面２８３ａと側面２８３ｂとを有する。

底面２８３ａは、凹面２８３における最も深い位置において、法線が透光層２８１の厚さ方向に平行または略平行となる平坦面である。底面２８３ａは、後述するドライエッチングにより形成される。なお、底面２８３ａは、省略してもよい。ただし、底面２８３ａを設けることにより、凹面２８３の製造工程が簡単化されるという利点がある。

側面２８３ｂは、凹面２８３の全周にわたり、底面２８３ａから凹面２８３の外縁に向かって幅の拡がる面である。側面２８３ｂは、段差面ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３、ＳＴ４およびＳＴ５を有し、これらがこの順で凹面２８３の幅方向での中央ＬＣに向かって内外に並ぶ。したがって、段差面ＳＴ１の幅Ｗ１、段差面ＳＴ２の幅Ｗ２、段差面ＳＴ３の幅Ｗ３、段差面ＳＴ４の幅Ｗ４および段差面ＳＴ５の幅Ｗ５は、Ｗ５＜Ｗ４＜Ｗ３＜Ｗ２＜Ｗ１の関係を満たす。なお、「凹面２８３の幅方向」とは、透光層２８１の厚さ方向に直交する一方向のことをいう。「凹面２８３の幅方向での中央ＬＣ」とは、平面視における凹面２８３の幾何学的な重心を通り透光層２８１の厚さ方向に延びる線分における任意の位置を意味する。

段差面ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３、ＳＴ４およびＳＴ５のそれぞれは、法線が透光層２８１の厚さ方向に直交または略直交する筒状の面である。段差面ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３、ＳＴ４およびＳＴ５のそれぞれは、後述するドライエッチングにより形成される。

段差面ＳＴ１と段差面ＳＴ２との間の距離Ｌ１、段差面ＳＴ２と段差面ＳＴ３との間の距離Ｌ２、段差面ＳＴ３と段差面ＳＴ４との間の距離Ｌ３、および、段差面ＳＴ４と段差面ＳＴ５との間の距離Ｌ４は、凹面２８３が球面にできるだけ沿うように設計される。図５では、距離Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４がＬ４＜Ｌ３＜Ｌ２＜Ｌ１の関係を満たす。なお、距離Ｌ１は、段差面ＳＴ１の幅Ｗ１と段差面ＳＴ２の幅Ｗ２との差の２分の１に等しい。同様に、距離Ｌ２は、段差面ＳＴ２の幅Ｗ２と段差面ＳＴ３の幅Ｗ３との差の２分の１に等しい。距離Ｌ３は、段差面ＳＴ３の幅Ｗ３と段差面ＳＴ４の幅Ｗ４との差の２分の１に等しい。距離Ｌ４は、段差面ＳＴ４の幅Ｗ４と段差面ＳＴ５の幅Ｗ５との差の２分の１に等しい。また、幅Ｗ５は、底面２８３ａの幅に等しい。

段差面ＳＴ１の深さＤ１、段差面ＳＴ２の深さＤ２、段差面ＳＴ３の深さＤ３、段差面ＳＴ４の深さＤ４および段差面ＳＴ５の深さＤ５は、凹面２８３が球面にできるだけ沿うように設計される。図５では、深さＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４およびＤ５が互いに等しい。なお、深さＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４およびＤ５が互いに異なってもよく、この場合、Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４＜Ｄ５の関係を満たすと、凹面２８３を球面に近づけやすい。ただし、深さＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４およびＤ５の関係は、距離Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４の関係によっても異なる。なお、図示では、深さＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４およびＤ５の合計は、凹面２８３の深さＤに等しい。

段差面ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３、ＳＴ４およびＳＴ５のうちの隣り合う２つの段差面間には、面取りされた形状の面が設けられる。具体的には、当該２つの段差面間には、法線が透光層２８１の厚さ方向に平行または略平行となる平坦面と、法線が透光層２８１の厚さ方向に対して傾斜する傾斜面と、が設けられる。当該平坦面は、後述するドライエッチングにより形成される。当該傾斜面は、後述する平坦化のための成膜処理により形成される。

凹面２８３には、膜２８５が設けられる。膜２８５は、凹面２８３に沿って配置され、透光層２８１と同一の材料で構成される膜である。膜２８５を凹面２８３に配置することにより、前述の段差面ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３、ＳＴ４およびＳＴ５による角が光学的に低減される。ここで、膜２８５は、透光層２８１と同一の材料で構成されるので、透光層２８１と光学的に一体とみなされる。したがって、実質的には、膜２８５における透光層２８１とは反対側の面がレンズ面として機能する。ただし、膜２８５の厚さは極めて薄い。このため、膜２８５における透光層２８１とは反対側の面の形状は、凹面２８３の形状に概略的に一致する。具体的な膜２８５の厚さは、特に限定されないが、例えば、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。膜２８５の厚さをこの範囲内とすることで、所望の形状のレンズ面を容易に実現することができる。なお、膜２８５の密度は、後述する膜２８５の形成条件に起因して、透光層２８１の密度よりも高い。

以上の電気光学装置１００において、前述のように、複数の凹面２８３のそれぞれは、幅方向での中央ＬＣに向かうに従って、段階的に深くなり、かつ、段差による角が低減された形状をなす。このため、連続的な曲面で構成される凹面を用いる場合に比べて、レンズパワーを調整しやすい。また、後述するように、ドライエッチングを用いて所望の形状の凹面２８３を容易に得ることができる。

また、電気光学装置１００は、前述のように、透光層２８１とレンズ層２８２との間で凹面２８３に沿って配置される膜２８５を有する。このため、凹面２８３の段差による角を膜２８５により低減することができる。

１Ａ－５．電気光学装置１００の製造方法
図６は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の製造方法の流れを示す図である。図６では、電気光学装置１００の製造工程のうち、レンズ構造体２８０の製造工程が代表的に示される。なお、電気光学装置１００のうちレンズ構造体２８０以外の構造は、公知の方法により製造できる。

図６に示すように、電気光学装置１００の製造方法は、基材形成工程Ｓ１０と凹面形成工程Ｓ２０と平滑化工程Ｓ３０とレンズ層形成工程Ｓ４０とを含む。本実施形態の凹面形成工程Ｓ２０は、マスク形成工程Ｓ２１とドライエッチング工程Ｓ２２とマスク開口拡大工程Ｓ２３とマスク除去工程Ｓ２５とを含む。ドライエッチング工程Ｓ２２およびマスク開口拡大工程Ｓ２３は、マスク形成工程Ｓ２１とマスク除去工程Ｓ２５との間の期間において、ステップＳ２４で示すように、交互にＮ回繰り返される。ただし、Ｎは、２以上の整数である。本実施形態では、Ｎが５である場合が例示される。以下、各工程を順次説明する。

図７は、第１実施形態における基材形成工程Ｓ１０を説明するための断面図である。図７に示すように、まず、基材２８１Ａが形成される。基材２８１Ａは、透光層２８１となる層である。基材２８１Ａの形成には、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の蒸着法が用いられる。また、透光層２８１には、必要に応じて、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）法等による平坦化処理が施される。

図８は、第１実施形態におけるマスク形成工程Ｓ２１を説明するための断面図である。前述の基材形成工程Ｓ１０の後、図８に示すように、マスクＭが形成される。具体的には、レジスト材料を基材２８１Ａ上に塗布し、露光および現像することで、マスクＭが形成される。マスクＭには、開口ＭＯが設けられる。開口ＭＯの輪郭は、平面視で、前述の凹面２８３における段差面ＳＴ５に対応する形状をなす。したがって、開口ＭＯの幅は、段差面ＳＴ５の幅Ｗ５と等しい。なお、後述のドライエッチング工程Ｓ２２におけるサイドエッチング量を考慮すると、開口ＭＯの幅は、幅Ｗ５よりも若干狭くてもよい。

図９は、第１実施形態における１回目のドライエッチング工程Ｓ２２を説明するための断面図である。前述のマスク形成工程Ｓ２１の後、図９に示すように、１回目のドライエッチング工程Ｓ２２を行う。１回目のドライエッチング工程Ｓ２２では、幅Ｗ５の凹面２８３Ｗ５が形成される。ドライエッチング工程Ｓ２２に用いるドライエッチングとしては、例えば、ＣＨＦ_３等のフッ素系ガスを反応ガスとして用いるＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等が挙げられる。

図１０は、第１実施形態における１回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３を説明するための断面図である。１回目のドライエッチング工程Ｓ２２の後、図１０に示すように、１回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３を行う。１回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３では、マスクＭの開口ＭＯの幅が幅Ｗ４に拡がる。マスク開口拡大工程Ｓ２３には、例えば、酸素プラズマ処理が用いられる。酸素プラズマ処理によりマスクＭの開口ＭＯの幅を拡げることにより、凹面２８３Ｗ１の形状を変化させずに、マスクＭを開口ＭＯの幅を拡げることができる。なお、本実施形態における図示では、説明の便宜上、マスクＭの厚さがマスク開口拡大工程Ｓ２３の前後で変化しないが、実際には、マスク開口拡大工程Ｓ２３によりマスクＭの厚さが薄くなる。

図１１は、第１実施形態における２回目のドライエッチング工程Ｓ２２を説明するための断面図である。１回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３の後、図１１に示すように、２回目のドライエッチング工程Ｓ２２を行う。２回目のドライエッチング工程Ｓ２２では、幅Ｗ４の凹面２８３Ｗ４が形成される。凹面２８３Ｗ４の一部は、前述の凹面２８３Ｗ５に対応する形状をなす。２回目以降のドライエッチング工程Ｓ２２に用いるドライエッチングとしては、１回目のドライエッチング工程Ｓ２２と同様のドライエッチングを用いることができるが、エッチングガスの流量またはエッチング時間等の条件は、適宜に調整される。

図１２は、第１実施形態における２回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３を説明するための断面図である。２回目のドライエッチング工程Ｓ２２の後、図１２に示すように、２回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３を行う。２回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３では、マスクＭの開口ＭＯの幅が幅Ｗ３に拡がる。なお、２回目以降のマスク開口拡大工程Ｓ２３に用いる処理としては、１回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３と同様の処理を用いることができるが、当該処理の条件は、適宜に調整される。

図１３は、第１実施形態におけるＮ回目のドライエッチング工程Ｓ２２を説明するための断面図である。Ｎ－１回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３の後、図１３に示すように、Ｎ回目のドライエッチング工程Ｓ２２を行う。Ｎ回目のドライエッチング工程Ｓ２２により、幅Ｗ１の凹面２８３Ｓが形成される。その後、Ｎ回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３が行われる。なお、Ｎ回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３は、省略してもよい。

図１４は、第１実施形態におけるマスク除去工程Ｓ２５を説明するための断面図である。Ｎ回目のドライエッチング工程Ｓ２２またはマスク開口拡大工程Ｓ２３の後、図１４に示すように、マスクＭが除去される。マスク除去工程Ｓ２５には、例えば、プラズマまたはオゾンによるアッシング等が用いられる。なお、Ｎ回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３を行う場合、Ｎ回目のマスク開口拡大工程Ｓ２３をマスク除去工程Ｓ２５として用いてもよい。

図１５は、第１実施形態におけるＮ回目のドライエッチング工程Ｓ２２により形成される凹面２８３Ｓの平面図である。図１５に示すように、凹面２８３Ｓには、幅Ｗ１の段差面ＳＴ１と幅Ｗ２の段差面ＳＴ２と幅Ｗ３の段差面ＳＴ３と幅Ｗ４の段差面ＳＴ４と幅Ｗ５の段差面ＳＴ５とが設けられる。凹面２８３Ｓの深さ方向における段差面ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３、ＳＴ４およびＳＴ５の長さ、すなわち、各段差面を形成する２つの面の間の距離は、凹面２８３Ｓがレンズ形状にできるだけ沿うように設計される。以上の凹面２８３Ｓの深さ方向における各段差面の両端のそれぞれには、角が形成される。ここで、当該各段差面の両端のうち、上側の端には、凸状の角が形成され、下側の端には、凹状の角が形成される。なお、図１５では、説明の便宜上、これらの段差面が基材２８１Ａの厚さ方向に平行に延びるが、凹面２８３Ｗ５がレンズ形状にできるだけ近づくように、これらの段差面が基材２８１Ａの厚さ方向に対して傾斜してもよい。

図１６は、第１実施形態における平滑化工程Ｓ３０を説明するための断面図である。マスク除去工程Ｓ２５の後、図１６に示すように、平滑化工程Ｓ３０が行われる。平滑化工程Ｓ３０では、凹面２８３Ｓに対して成膜処理が施される。図１６では、説明の便宜上、図示しないが、当該成膜処理により前述の膜２８５が形成される。このため、前述の凸状または凹状の角が低減される。当該成膜処理には、物理蒸着（ＰＶＤ）法または化学蒸着（ＣＶＤ）法の蒸着法が用いられる。当該成膜処理に用いる成膜材料は、透光層２８１または基材２８１Ａの構成材料と同じ材料またはその前駆体である。

特に、当該成膜処理としては、凹面２８３Ｓに対する微細エッチング作用を有する処理を用いることが好ましく、中でも、高密度プラズマＣＶＤ法を用いることが好ましい。この場合、成膜による角の低減だけでなく、微細エッチング作用により凸状の角が面取りされるので、効果的に凹面２８３Ｓの平滑化を行えるという利点がある。なお、高密度プラズマ処理における成膜とエッチングとのバランスは、キャリアガスの流量等に応じて調整される。また、ＤＣスパッタまたはＲＦスパッタにおいて逆方向に電圧を印加する逆スパッタリング法によっても、微細エッチング作用により凸状の角に面取りを施すことができる。

図１７は、第１実施形態におけるレンズ層形成工程Ｓ４０を説明するための断面図である。平滑化工程Ｓ３０の後、図１７に示すように、レンズ層２８２が形成される。レンズ層形成工程Ｓ４０には、例えば、ＣＶＤ法等の蒸着法が用いられる。また、レンズ層２８２には、必要に応じて、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）法等による平坦化処理が施される。以上により、レンズ構造体２８０が得られる。

以上のように、電気光学装置１００の製造方法は、凹面形成工程Ｓ２０と平滑化工程Ｓ３０とレンズ層形成工程Ｓ４０とを含む。凹面形成工程Ｓ２０では、透光性の基材２８１Ａに、ドライエッチングを用いて、幅方向での中央に向かうに従って段階的に深くなる形状の凹面２８３Ｓを形成する。平滑化工程Ｓ３０では、凹面２８３Ｓに対する成膜処理により、凹面２８３Ｓの段差による角を低減する。平滑化工程Ｓ３０で基材２８１Ａを処理することで、凹面２８３が設けられる透光層２８１が得られる。レンズ層形成工程Ｓ４０では、凹面２８３の内側を埋めるように、透光層２８１とは異なる屈折率のレンズ層２８２を形成する。

以上の電気光学装置１００の製造方法では、基材２８１Ａに対する凹面２８３Ｓの形成にドライエッチングが用いられる。このため、ウェットエッチングを用いる場合に比べて、基材２８１Ａの膜質等の影響を受け難く、エッチングレートのばらつきを低減することができる。この結果、ウェットエッチングを用いる場合に比べて、所望の形状の凹面２８３Ｓを容易に形成することができる。その上で、凹面２８３Ｓに対する成膜処理により凹面２８３Ｓの段差による角が低減される。このため、当該成膜処理を行わない場合に比べて、球面レンズのようなレンズパワーの高いレンズ面を容易に形成することができる。以上から理解されるように、ウェットエッチングを用いる場合に比べて、所望の形状のレンズ面として凹面２８３を容易に形成することができる。

ここで、ドライエッチングの前に、開口ＭＯが設けられるマスクＭを基材２８１Ａ上に形成する。本実施形態では、当該ドライエッチングの途中でマスクＭの開口ＭＯの幅を段階的に拡げる。マスクＭの開口ＭＯの幅を段階的に狭めることによっても、幅方向での中央に向かうに従って段階的に深くなる形状の凹面２８３Ｓを形成することが可能であるが、この場合、マスクの形成を複数回行わなければならず、それに伴う複数回のマスクの位置合わせが難しい。これに対し、マスクＭの開口ＭＯの幅を段階的に拡げる場合、マスクＭの形成が１回で済むし、複数回のマスクの位置合わせを行う必要もない。また、マスクＭの開口ＭＯの幅を段階的に拡げる場合、マスクの開口の幅を段階的に狭める場合に比べて、凹面２８３Ｓの段差による角が鈍角になりやすく、凹面２８３Ｓの段差による角を低減する処理の時間が短縮されるという利点もある。

１Ｂ．第２実施形態
次に、第２実施形態について説明する。本実施形態は、凹面２８３Ｓの形成方法が異なること以外は、前述の第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、第２実施形態に関し、前述の第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。また、第２実施形態の説明に用いる図では、前述の第１実施形態と同様の構成について、同一符号が付される。

図１８は、第２実施形態に係る電気光学装置１００の製造方法の流れを示す図である。図１８に示すように、本実施形態の電気光学装置１００の製造方法は、基材形成工程Ｓ１０と凹面形成工程Ｓ２０Ａと平滑化工程Ｓ３０とレンズ層形成工程Ｓ４０とを含む。凹面形成工程Ｓ２０Ａは、マスク形成工程Ｓ２１Ａとドライエッチング工程Ｓ２２とマスク除去工程Ｓ２５とを含む。

図１９は、第２実施形態におけるマスク形成工程Ｓ２１Ａを説明するための断面図である。基材形成工程Ｓ１０の後、図１９に示すように、マスクＭ１が形成される。具体的には、レジスト材料を基材２８１Ａ上に塗布し、多段露光および現像することで、マスクＭ１が形成される。マスクＭ１には、開口ＭＯ１が設けられる。本実施形態のマスクＭ１は、開口ＭＯ１に向けて、凹面２８３Ｓに対応する形状をなすように、段階的に厚さが薄くなる形状をなす。

図２０は、第２実施形態におけるドライエッチング工程Ｓ２２の途中の状態を説明するための断面図である。図２１は、第２実施形態におけるドライエッチング工程Ｓ２２の終了の状態を説明するための断面図である。前述のマスク形成工程Ｓ２１Ａの後、ドライエッチング工程Ｓ２２を行うと、図２０に示すように、マスクＭ１が開口ＭＯ１から削れることで、マスクＭ１の開口ＭＯ１の幅が段階的に拡がる。図２０では、凹面２８３Ｗ４が形成される状態が図示される。そして、図２１に示すように、マスクＭ１の開口ＭＯ１の幅がＷ１まで拡がり、凹面２８３Ｓが形成される。凹面２８３Ｓの形成後、前述の第１実施形態と同様に、マスク除去工程Ｓ２５、平滑化工程Ｓ３０およびレンズ層形成工程Ｓ４０を順次行うことで、レンズ構造体２８０が得られる。

以上の第２実施形態によっても、前述の第１実施形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態では、ドライエッチング工程Ｓ２２におけるドライエッチングの前において、マスクＭ１の厚さがマスクＭ１の開口ＭＯ１に向かうに従って段階的に薄くなっている。そして、当該ドライエッチングによりマスクＭ１の開口ＭＯ１の幅を拡げる。このため、前述の第１実施形態のようにドライエッチングを複数回に分けずに、ドライエッチングを連続的に行うことができる。この結果、ドライエッチングを複数回に分けて行う場合に比べて、凹面２８３の形成に要する時間を短縮することができる。

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図２２は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図２３は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す斜視図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図２４は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。このため、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品質を高めることができる。

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

３．変形例
以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

前述の形態では、レンズ構造体２８０の構成および製造方法を主に説明したが、第１基体２１０またはレンズ構造体２５０についても、レンズ構造体２８０と同様に構成および製造することができる。また、対向基板３００にレンズ構造体２８０と同様の構造体を設けてもよい。

また、電気光学装置１００への光ＬＬの入射方向は、前述の形態における方向と反対方向でもよい。

また、前述の説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

また、前述の説明では、スイッチング素子の一例はＴＦＴであるが、スイッチング素子は、これに限定されず、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等であってもよい。

また、前述の形態では、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス駆動方式等でもよい。

１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、１００…電気光学装置、２００…素子基板、２２０…画素電極、２８１…透光層、２８１Ａ…基材、２８２…レンズ層、２８３…凹面、２８３Ｓ…凹面、２８３Ｗ１…凹面、２８３Ｗ４…凹面、２８３Ｗ５…凹面、２８５…膜、３００…対向基板、３３０…対向電極、５００…液晶層、２０００…パーソナルコンピューター、２００３…制御部、３０００…スマートフォン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００５…制御部、Ｄ…深さ、Ｄ１…深さ、Ｄ２…深さ、Ｄ３…深さ、Ｄ４…深さ、Ｄ５…深さ、ＬＣ…中央、Ｍ…マスク、Ｍ１…マスク、ＭＯ…開口、ＭＯ１…開口。

Claims (3)

1. 透光性の基材上に、開口を有するマスクを形成し、
   ドライエッチングの途中で酸素プラズマ処理を行うことにより前記マスクの開口の幅を段階的に拡げ、該開口の幅方向において中央に向かうに従って段階的に深くなる形状の凹面を形成し、
   前記凹面に対する成膜処理により、前記凹面の段差による角を低減し、
   前記凹面の内側を埋めるように、前記基材とは異なる屈折率のレンズ層を形成する、
   電気光学装置の製造方法。
2. 透光性の基材上に、開口を有するとともに、厚さが該開口に向かうに従って段階的に薄くなる形状を有するマスクを形成し、
   ドライエッチングを用いて、前記マスクの開口の幅を段階的に拡げることにより、該開口の幅方向において中央に向かうに従って段階的に深くなる形状の凹面を形成し、
   前記凹面に対する成膜処理により、前記凹面の段差による角を低減し、
   前記凹面の内側を埋めるように、前記基材とは異なる屈折率のレンズ層を形成する、
   電気光学装置の製造方法。
3. 透光性の基材に、ドライエッチングを用いて、幅方向において中央に向かうに従って段階的に深くなる形状の凹面を形成し、
   前記凹面に対し、高密度プラズマＣＶＤ法を用いた成膜処理により、前記凹面の段差による角を低減し、
   前記凹面の内側を埋めるように、前記基材とは異なる屈折率のレンズ層を形成する、
   電気光学装置の製造方法。

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