JPH11149007A - 光学素子の作製方法 - Google Patents
光学素子の作製方法Info
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- JPH11149007A JPH11149007A JP31536997A JP31536997A JPH11149007A JP H11149007 A JPH11149007 A JP H11149007A JP 31536997 A JP31536997 A JP 31536997A JP 31536997 A JP31536997 A JP 31536997A JP H11149007 A JPH11149007 A JP H11149007A
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- Japan
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- etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、光学素子の作製方法に関し、階
段形状の階段の角を丸めることによって、より理論曲線
に近い表面形状をもたせ、結像の効率を向上させること
を課題とする。 【解決手段】 階段形状の基板表面を有する光学素子の
作製方法において、基板の表面上に、異方性エッチング
によって複数段の階段を形成する階段形成工程と、前記
階段形成工程で形成された階段の角を等方性エッチング
によって丸める工程とを含んでなることを特徴とする。
段形状の階段の角を丸めることによって、より理論曲線
に近い表面形状をもたせ、結像の効率を向上させること
を課題とする。 【解決手段】 階段形状の基板表面を有する光学素子の
作製方法において、基板の表面上に、異方性エッチング
によって複数段の階段を形成する階段形成工程と、前記
階段形成工程で形成された階段の角を等方性エッチング
によって丸める工程とを含んでなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、表示装置や情報
通信機器用のデバイスとして用いられる、回折格子やレ
ンズなどの光学素子の作製方法に関する。
通信機器用のデバイスとして用いられる、回折格子やレ
ンズなどの光学素子の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体産業における微細加工技術
の発達に伴って、フォトリソグラフィ技術を用いて、レ
ンズや回折格子等の光学素子の外面形状を階段形状で近
似して作製するいわゆるバイナリオプティクスという分
野が展開されつつある。光学素子は、理想的には曲面で
あることが好ましいが、数μｍというサイズの曲面外形
のマイクロレンズ等を高精度に作製することは難しい。
そこで最近では、理想的曲面形状を複数段からなる階段
形状で近似したバイナリ光学素子が広く用いられてい
る。
の発達に伴って、フォトリソグラフィ技術を用いて、レ
ンズや回折格子等の光学素子の外面形状を階段形状で近
似して作製するいわゆるバイナリオプティクスという分
野が展開されつつある。光学素子は、理想的には曲面で
あることが好ましいが、数μｍというサイズの曲面外形
のマイクロレンズ等を高精度に作製することは難しい。
そこで最近では、理想的曲面形状を複数段からなる階段
形状で近似したバイナリ光学素子が広く用いられてい
る。
【０００３】図４に、従来のバイナリ光学素子の一つで
あるバイナリマイクロフレネルレンズの形状の概観図を
示す。階段形状を持つバイナリ光学素子をフォトリソグ
ラフィ技術で作製する場合には、階段の段差のバラツキ
を低減するために異方性エッチングが用いられる（特開
平８−１８７７９１号公報参照）。
あるバイナリマイクロフレネルレンズの形状の概観図を
示す。階段形状を持つバイナリ光学素子をフォトリソグ
ラフィ技術で作製する場合には、階段の段差のバラツキ
を低減するために異方性エッチングが用いられる（特開
平８−１８７７９１号公報参照）。
【０００４】フォトリソグラフィ技術による光学素子の
作製はシリコンなどの基板上へのレジスト材料の塗布，
露光マスクによるパターン露光，レジスト層のエッチン
グという一連の工程によって行われる。
作製はシリコンなどの基板上へのレジスト材料の塗布，
露光マスクによるパターン露光，レジスト層のエッチン
グという一連の工程によって行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、高精度を要求
する光学素子の場合は、理論曲線とバイナリ光学素子の
階段形状の近似が不十分であり、要求される特性が得ら
れない場合もある。また、４段以上の複数階段形状を持
つバイナリ光学素子は、フォトリソグラフィ技術による
一連の工程を複数回繰り返すことによって作製される。
する光学素子の場合は、理論曲線とバイナリ光学素子の
階段形状の近似が不十分であり、要求される特性が得ら
れない場合もある。また、４段以上の複数階段形状を持
つバイナリ光学素子は、フォトリソグラフィ技術による
一連の工程を複数回繰り返すことによって作製される。
【０００６】図４は、このような工程によって形成され
る４段の階段形状を持つバイナリマイクロフレネルレン
ズであるが、横方向の最小パターンサイズは約０．４μ
ｍであり、高さ方向の最小サイズは約１μｍである。一
般に露光機の重ね合わせの精度は５０ｎｍ程度であるの
で、露光マスクの位置合わせ等の精度の問題から重ね合
わせて形成される階段形状のパターンにずれが生じるこ
とは避けられない。その結果、階段形状の境界部分にバ
リ（図４のＢ）ができたり、階段形状の一部に微細な凹
凸（図４のＣ）が生じたりして、階段形状が正確に形成
できない場合が多い（図４参照）。
る４段の階段形状を持つバイナリマイクロフレネルレン
ズであるが、横方向の最小パターンサイズは約０．４μ
ｍであり、高さ方向の最小サイズは約１μｍである。一
般に露光機の重ね合わせの精度は５０ｎｍ程度であるの
で、露光マスクの位置合わせ等の精度の問題から重ね合
わせて形成される階段形状のパターンにずれが生じるこ
とは避けられない。その結果、階段形状の境界部分にバ
リ（図４のＢ）ができたり、階段形状の一部に微細な凹
凸（図４のＣ）が生じたりして、階段形状が正確に形成
できない場合が多い（図４参照）。
【０００７】この発明は、以上のような事情を考慮して
なされたものであり、異方性エッチングと等方性エッチ
ングとを組み合わせることによって、バリなどの形状の
乱れをなくし、より理想曲線に近い階段形状を持つバイ
ナリ光学素子を作製する方法を提供することを課題とす
る。
なされたものであり、異方性エッチングと等方性エッチ
ングとを組み合わせることによって、バリなどの形状の
乱れをなくし、より理想曲線に近い階段形状を持つバイ
ナリ光学素子を作製する方法を提供することを課題とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、階段形状の
基板表面を有する光学素子の作製方法において、基板の
表面上に、異方性エッチングによって複数段の階段を形
成する階段形成工程と、前記階段形成工程で形成された
階段の角を等方性エッチングによって丸める工程とを含
んでなることを特徴とする光学素子の作製方法を提供す
るものである。
基板表面を有する光学素子の作製方法において、基板の
表面上に、異方性エッチングによって複数段の階段を形
成する階段形成工程と、前記階段形成工程で形成された
階段の角を等方性エッチングによって丸める工程とを含
んでなることを特徴とする光学素子の作製方法を提供す
るものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明において、階段形状で近
似した表面形状を有する光学素子とは、いわゆるバイナ
リ光学素子であり、たとえばイメージスキャナなどの光
学装置に用いられるバイナリマイクロフレネルレンズで
ある。階段形成工程は、微細加工技術として従来から用
いられているフォトリソグラフィを適用することができ
る。複数の階段形状は、基板表面に塗布した感光性材料
を所定のパターンに形成した後、例えば異方性ＲＩＥ
（Reactive Ion Eching）によって基板表面のエッチン
グを行う工程を繰り返すことによって形成される。異方
性ＲＩＥでは基板表面のエッチングは、基板表面に垂直
な方向にのみ進行する。
似した表面形状を有する光学素子とは、いわゆるバイナ
リ光学素子であり、たとえばイメージスキャナなどの光
学装置に用いられるバイナリマイクロフレネルレンズで
ある。階段形成工程は、微細加工技術として従来から用
いられているフォトリソグラフィを適用することができ
る。複数の階段形状は、基板表面に塗布した感光性材料
を所定のパターンに形成した後、例えば異方性ＲＩＥ
（Reactive Ion Eching）によって基板表面のエッチン
グを行う工程を繰り返すことによって形成される。異方
性ＲＩＥでは基板表面のエッチングは、基板表面に垂直
な方向にのみ進行する。
【００１０】前記丸め工程は、階段形成工程の後実施さ
れるが、たとえば等方性ＲＩＥを用いることができる。
等方性ＲＩＥは、エッチングの進行方向が空間内のあら
ゆる方向に等価であるものであり、この等方性ＲＩＥを
階段形状の表面に適用すれば階段の角に丸みをおびさせ
ることができる。
れるが、たとえば等方性ＲＩＥを用いることができる。
等方性ＲＩＥは、エッチングの進行方向が空間内のあら
ゆる方向に等価であるものであり、この等方性ＲＩＥを
階段形状の表面に適用すれば階段の角に丸みをおびさせ
ることができる。
【００１１】また、この発明においては、前記階段の角
を丸める工程に先立って、最上段の階段の角に保護膜を
形成し当該角を丸めさせない工程をさらに含むようにし
てもよい。保護工程における保護膜は、次の加工工程に
おける階段の角を丸める処理では除去されない材料を利
用するが、たとえばフォトレジストを用いればよい。フ
ォトレジストで被覆された階段の一部においては、等方
性ＲＩＥによるエッチングは進行しないので、その部分
の階段の角が丸められることはない。
を丸める工程に先立って、最上段の階段の角に保護膜を
形成し当該角を丸めさせない工程をさらに含むようにし
てもよい。保護工程における保護膜は、次の加工工程に
おける階段の角を丸める処理では除去されない材料を利
用するが、たとえばフォトレジストを用いればよい。フ
ォトレジストで被覆された階段の一部においては、等方
性ＲＩＥによるエッチングは進行しないので、その部分
の階段の角が丸められることはない。
【００１２】また、特に最上段の階段の角は、過度に丸
められると結像の効率に悪影響を及ぼすので、最上段の
階段の角を含む領域を保護膜で覆うことが好ましい。保
護膜はフォトレジストを用いればよい。
められると結像の効率に悪影響を及ぼすので、最上段の
階段の角を含む領域を保護膜で覆うことが好ましい。保
護膜はフォトレジストを用いればよい。
【００１３】以下、図面に示す実施の形態に基づいてこ
の発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定
されるものではない。図１に、この発明の第１実施例に
おけるバイナリ光学素子（バイナリマイクロフレネルレ
ンズとも呼ぶ）の作製工程を示す。ここではＲＩＥとし
て異方性エッチング（図１（Ｃ），（Ｇ））をした後、
等方性エッチング（図１（Ｉ））を実施することを特徴
とする。
の発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定
されるものではない。図１に、この発明の第１実施例に
おけるバイナリ光学素子（バイナリマイクロフレネルレ
ンズとも呼ぶ）の作製工程を示す。ここではＲＩＥとし
て異方性エッチング（図１（Ｃ），（Ｇ））をした後、
等方性エッチング（図１（Ｉ））を実施することを特徴
とする。
【００１４】まず、図１（Ａ）において、厚さ０．５ｍ
ｍ程度の石英基板の表面を洗浄し、その表面を一様に覆
うように、５００Å程度の厚さの金属膜１１を蒸着によ
って形成する。金属膜１１としては、たとえばチタン膜
を用いることができる。
ｍ程度の石英基板の表面を洗浄し、その表面を一様に覆
うように、５００Å程度の厚さの金属膜１１を蒸着によ
って形成する。金属膜１１としては、たとえばチタン膜
を用いることができる。
【００１５】次に図１（Ｂ）において、チタン膜１１の
上にレジスト膜１２をパターニングする。すなわち、従
来と同様に、フォトレジストの塗布，パターン露光，現
像，ポストベークの各工程を順に行って、図１（Ｂ）の
ような所定のパターンのレジスト膜（厚さ約０．９８μ
ｍ）を形成する。
上にレジスト膜１２をパターニングする。すなわち、従
来と同様に、フォトレジストの塗布，パターン露光，現
像，ポストベークの各工程を順に行って、図１（Ｂ）の
ような所定のパターンのレジスト膜（厚さ約０．９８μ
ｍ）を形成する。
【００１６】ここで、フォトレジストには、たとえば東
京応化製ＴＨＭＲｉｐ３０００を用いることができる。
フォトレジストの塗布は、基板を高速回転させながら行
う。パターン露光では紫外線を３００ｍｓｅｃ程度照射
する。現像工程では、現像液ＮＭＤ−Ｗを用いて、約６
０秒間、基板表面を現像し、露光した部分のレジストを
取り除く。
京応化製ＴＨＭＲｉｐ３０００を用いることができる。
フォトレジストの塗布は、基板を高速回転させながら行
う。パターン露光では紫外線を３００ｍｓｅｃ程度照射
する。現像工程では、現像液ＮＭＤ−Ｗを用いて、約６
０秒間、基板表面を現像し、露光した部分のレジストを
取り除く。
【００１７】図１（Ｃ）において、ＣＦ4ガスを用いて
異方性ＲＩＥ（Reactive Ion Eching）を行い、レジス
ト膜１２のない部分のエッチングをする。ここでＲＩＥ
は１０ｍＴｏｒｒ程度の圧力の真空槽内にＣＦ4を導い
て行う。ＣＦ4のガスの流量は１００ｓｃｃｍ程度とす
る。また、エッチング時間は、約１５分とする。
異方性ＲＩＥ（Reactive Ion Eching）を行い、レジス
ト膜１２のない部分のエッチングをする。ここでＲＩＥ
は１０ｍＴｏｒｒ程度の圧力の真空槽内にＣＦ4を導い
て行う。ＣＦ4のガスの流量は１００ｓｃｃｍ程度とす
る。また、エッチング時間は、約１５分とする。
【００１８】この後、残ったレジスト膜１２とチタン膜
１１を除去すると、図１（Ｄ）のようにバイナリレンズ
の一段目に相当する部分が形成される。次に、図１
（Ｅ）において、図１（Ａ）と同様に、５００Å程度の
チタン膜１１を基板表面に蒸着させる。さらに、図１
（Ｆ）において、図１（Ｂ）と同様にして、レジスト膜
１２のパターニングを行う。これによって、所定の位置
に、レジスト膜１２が形成される。ここで、パターン露
光時に用いるマスクパターンが図１（Ｂ）と異なるだけ
で他の条件、工程は同様である。
１１を除去すると、図１（Ｄ）のようにバイナリレンズ
の一段目に相当する部分が形成される。次に、図１
（Ｅ）において、図１（Ａ）と同様に、５００Å程度の
チタン膜１１を基板表面に蒸着させる。さらに、図１
（Ｆ）において、図１（Ｂ）と同様にして、レジスト膜
１２のパターニングを行う。これによって、所定の位置
に、レジスト膜１２が形成される。ここで、パターン露
光時に用いるマスクパターンが図１（Ｂ）と異なるだけ
で他の条件、工程は同様である。
【００１９】この後、ＣＦ4ガスを用いて、異方性ＲＩ
Ｅを行う（図１（Ｇ））。ここでの異方性ＲＩＥの条件
として、エッチング時間を２５分間とする点が図１
（Ｃ）の場合と異なるだけで、他の条件は同じでよい。
図１（Ｅ）と同様にして、残ったレジスト膜１２とチタ
ン膜１１を除去すれば、３段の段差を持つ外形表面が形
成される（図１（Ｈ））。
Ｅを行う（図１（Ｇ））。ここでの異方性ＲＩＥの条件
として、エッチング時間を２５分間とする点が図１
（Ｃ）の場合と異なるだけで、他の条件は同じでよい。
図１（Ｅ）と同様にして、残ったレジスト膜１２とチタ
ン膜１１を除去すれば、３段の段差を持つ外形表面が形
成される（図１（Ｈ））。
【００２０】図１（Ｈ）において、形成された階段形状
は、角が鋭角的なものであり、図４に示したように、バ
リや微細な凹凸が存在する場合もある。そこで、次に等
方性ＲＩＥによって基板表面のエッチングを行う。これ
によって、図１（Ｉ）に示すような丸みをおびた階段形
状の表面が形成される。ここで、ＲＩＥの条件として、
前記した異方性ＲＩＥと同じＣＦ4ガスを用いるが、圧
力を１００ｍＴｏｒｒ，ガス流量を１００ｓｃｃｍ，エ
ッチング時間を約５分とする。
は、角が鋭角的なものであり、図４に示したように、バ
リや微細な凹凸が存在する場合もある。そこで、次に等
方性ＲＩＥによって基板表面のエッチングを行う。これ
によって、図１（Ｉ）に示すような丸みをおびた階段形
状の表面が形成される。ここで、ＲＩＥの条件として、
前記した異方性ＲＩＥと同じＣＦ4ガスを用いるが、圧
力を１００ｍＴｏｒｒ，ガス流量を１００ｓｃｃｍ，エ
ッチング時間を約５分とする。
【００２１】図３に、図１（Ｉ）の等方性ＲＩＥを行っ
た後のバイナリマイクロフレネルレンズの形状の概観図
を示す。このように、階段形状の境界部分のバリ、微細
な凹凸が除去されて、丸みをおびた階段形状が形成され
る。また、エッチング時間等の条件を変化させて等方性
ＲＩＥを行えば、より理論曲線に近い階段形状を得るこ
とができる。
た後のバイナリマイクロフレネルレンズの形状の概観図
を示す。このように、階段形状の境界部分のバリ、微細
な凹凸が除去されて、丸みをおびた階段形状が形成され
る。また、エッチング時間等の条件を変化させて等方性
ＲＩＥを行えば、より理論曲線に近い階段形状を得るこ
とができる。
【００２２】図２に、この発明の第２実施例におけるバ
イナリ光学素子の作製工程を示す。この工程では、結像
の効率の観点から、丸くなってほしくない最上段の角
（図３の角Ａ）を丸くさせないようにする工程を追加し
たものである。図２において、図１の第１実施例とは、
保護膜パターニングの工程（Ｉ）のみが異なる。他の工
程（Ａ）から（Ｈ）は同じ工程であり、各工程の条件も
同じでよい。
イナリ光学素子の作製工程を示す。この工程では、結像
の効率の観点から、丸くなってほしくない最上段の角
（図３の角Ａ）を丸くさせないようにする工程を追加し
たものである。図２において、図１の第１実施例とは、
保護膜パターニングの工程（Ｉ）のみが異なる。他の工
程（Ａ）から（Ｈ）は同じ工程であり、各工程の条件も
同じでよい。
【００２３】本来、図３の角Ａの部分に入射した光は結
像にはほとんど寄与しない。しかし、角Ａの丸みが大き
くなると、光学素子としての結像効率が悪化するおそれ
があり、過度の丸みは好ましくない。そこで、この第２
実施例では、等方性ＲＩＥを行う前に、基板の最上段の
角Ａの部分に保護膜を形成して、角Ａを丸くさせないよ
うにする。
像にはほとんど寄与しない。しかし、角Ａの丸みが大き
くなると、光学素子としての結像効率が悪化するおそれ
があり、過度の丸みは好ましくない。そこで、この第２
実施例では、等方性ＲＩＥを行う前に、基板の最上段の
角Ａの部分に保護膜を形成して、角Ａを丸くさせないよ
うにする。
【００２４】図２（Ｉ）において、図１（Ｅ）と同様
に、厚さ５００Å程度のチタン膜を蒸着し、さらに、所
定のパターンを持つマスクを用いて図のように、保護膜
１３を形成する。ここで保護膜１３は、図１（Ｂ）で用
いたのと同じ材料のレジストでよい。
に、厚さ５００Å程度のチタン膜を蒸着し、さらに、所
定のパターンを持つマスクを用いて図のように、保護膜
１３を形成する。ここで保護膜１３は、図１（Ｂ）で用
いたのと同じ材料のレジストでよい。
【００２５】この後、図１（Ｉ）と同様の条件で、等方
性ＲＩＥを行い、さらに保護膜を除去する（図２
（Ｊ））。これによって、最上段の角Ａのみが丸くなら
ないレンズの表面形状が形成される。
性ＲＩＥを行い、さらに保護膜を除去する（図２
（Ｊ））。これによって、最上段の角Ａのみが丸くなら
ないレンズの表面形状が形成される。
【００２６】以上の実施例では、結像の効率の点で問題
となる角Ａを丸くさせない工程について保護膜を設ける
例を示したが、この他に丸くさせたくない箇所があれ
ば、等方性ＲＩＥを行う前にその箇所に保護膜を設けれ
ばよい。この第２実施例によれば、丸くさせたくない箇
所を丸くしないようにするため、結像効率を悪化させる
ことがなく、より理論曲線に近い形状を持ったバイナリ
光学素子を作製することができる。
となる角Ａを丸くさせない工程について保護膜を設ける
例を示したが、この他に丸くさせたくない箇所があれ
ば、等方性ＲＩＥを行う前にその箇所に保護膜を設けれ
ばよい。この第２実施例によれば、丸くさせたくない箇
所を丸くしないようにするため、結像効率を悪化させる
ことがなく、より理論曲線に近い形状を持ったバイナリ
光学素子を作製することができる。
【００２７】また、第１及び第２実施例において、ウェ
ット等方性ＲＩＥを行う場合、ＣＦ 4ガスを用いる代わ
りに、次のようなガスを用いてもよい。Ｓｉ基板を用い
る場合は「ＨＦ＋ＨＮＯ3」を用い、ＳｉＯ2基板を用い
る場合は「ＨＦ＋Ｈ2Ｏ」又は「ＨＦ＋ＮＨ4Ｆ」を用い
てもよい。
ット等方性ＲＩＥを行う場合、ＣＦ 4ガスを用いる代わ
りに、次のようなガスを用いてもよい。Ｓｉ基板を用い
る場合は「ＨＦ＋ＨＮＯ3」を用い、ＳｉＯ2基板を用い
る場合は「ＨＦ＋Ｈ2Ｏ」又は「ＨＦ＋ＮＨ4Ｆ」を用い
てもよい。
【００２８】以上には、バイナリ光学素子の一つである
バイナリマイクロフレネルレンズを作製する方法を実施
例として示したが、バイナリ光学素子の複製製造用のス
タンパを作るための原盤を作製する場合にも、第１実施
例又は第２実施例と同様の工程を通用することができ
る。すなわち、上記実施例で示したように、バリや微細
な凹凸のない原盤が作製できるため、原盤から作製され
るスタンパも形状の乱れの少ないものを作ることができ
る。
バイナリマイクロフレネルレンズを作製する方法を実施
例として示したが、バイナリ光学素子の複製製造用のス
タンパを作るための原盤を作製する場合にも、第１実施
例又は第２実施例と同様の工程を通用することができ
る。すなわち、上記実施例で示したように、バリや微細
な凹凸のない原盤が作製できるため、原盤から作製され
るスタンパも形状の乱れの少ないものを作ることができ
る。
【００２９】さらに、このようなスタンパから大量に製
造されるバイナリ光学素子のレプリカも従来と比較して
結像効率のよい形状を持つものとすることができ、レプ
リカの製造工程においてレプリカの剥離が容易で、レプ
リカ及びスタンパの破損も少なくすることができる。
造されるバイナリ光学素子のレプリカも従来と比較して
結像効率のよい形状を持つものとすることができ、レプ
リカの製造工程においてレプリカの剥離が容易で、レプ
リカ及びスタンパの破損も少なくすることができる。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、光学素子の階段形状
の階段の角を丸めているので、より理論曲線に近い表面
形状を持つ光学素子を形成することができ、結像の効率
を向上させることができる。また、最上段の階段の角な
ど、丸くしたくない部分を保護膜で被覆するので、より
光学素子の結像効率を向上させることができる。
の階段の角を丸めているので、より理論曲線に近い表面
形状を持つ光学素子を形成することができ、結像の効率
を向上させることができる。また、最上段の階段の角な
ど、丸くしたくない部分を保護膜で被覆するので、より
光学素子の結像効率を向上させることができる。
【図１】この発明の第１実施例におけるバイナリマイク
ロフレネルレンズの作製工程図である。
ロフレネルレンズの作製工程図である。
【図２】この発明の第２実施例におけるバイナリマイク
ロフレネルレンズの作製工程図である。
ロフレネルレンズの作製工程図である。
【図３】この発明のバイナリマイクロフレネルレンズの
形状の概観図である。
形状の概観図である。
【図４】従来のバイナリマイクロフレネルレンズの形状
の概観図である。
の概観図である。
１１ 金属膜 １２ レジスト膜 １３ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 芳朗 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 上田 知史 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 佐脇 一平 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 階段形状の基板表面を有する光学素子の
作製方法において、基板の表面上に、異方性エッチング
によって複数段の階段を形成する階段形成工程と、前記
階段形成工程で形成された階段の角を等方性エッチング
によって丸める工程とを含んでなることを特徴とする光
学素子の作製方法。 - 【請求項２】 前記階段の角を丸める工程に先立って、
最上段の階段の角に保護膜を形成し当該角を丸めさせな
い工程をさらに含んでなることを特徴とする請求項１記
載の光学素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31536997A JPH11149007A (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 光学素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31536997A JPH11149007A (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 光学素子の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149007A true JPH11149007A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18064589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31536997A Withdrawn JPH11149007A (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 光学素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11149007A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6790373B2 (en) | 2001-04-26 | 2004-09-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Microlens, its forming method and optical module |
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- 1997-11-17 JP JP31536997A patent/JPH11149007A/ja not_active Withdrawn
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