CN114690286A - 菲涅耳透镜及其形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种菲涅耳透镜及其形成方法。其中，菲涅耳透镜的形成方法，包含提供一基板；图案化基板，以形成多个锯齿状的同心环，其中每个同心环具有阶梯结构，且至少一同心环的阶梯结构的上下两阶梯之间具有一尖头；氧化尖头，以形成氧化层；以及移除氧化层。

Description

菲涅耳透镜及其形成方法

技术领域

本发明是有关于一种菲涅耳透镜的形成方法，且特别是有关于菲涅耳透镜的制程改良及其所形成的菲涅耳透镜。

背景技术

一般而言，菲涅耳透镜(Fresnel lens)可在节省材料的用量并减少其厚度的情况下 通过无数个同心纹路(菲涅耳带)达到与传统球面透镜相同的光学效果，在日常生活中可应用于对成像品质不太苛求之处，例如汽车前灯、汽车尾灯、交通信号灯、聚光灯、 灯塔、航空母舰、透镜视投影机、放大镜、太阳能热水器等等。

虽然现有技术所制造的菲涅耳透镜可大致满足它们原先预定的用途，但其仍未在各个方面均彻底地符合需求。例如，制造过程中产生的尖头造成光绕射效率大幅下降。 因此，发展出可进一步改善菲涅耳透镜的光绕射效率及形成方法仍为目前业界致力研 究的课题之一。

发明内容

本发的目的是提供一种菲涅耳透镜及其形成方法，以解决制程中产生尖头的问题，使得所制成的菲涅耳透镜阶梯结构更接近理论，从而提高光绕射效率。

为达到上述目的，本发明实施例提供一种菲涅耳透镜的形成方法，包含提供一基板；图案化基板，以形成多个锯齿状的同心环，其中每个同心环均具有阶梯结构，且 至少一同心环的阶梯结构的上下两阶梯之间具有一尖头；氧化尖头，以形成氧化层； 以及移除氧化层。

本发明实施例还提供一种菲涅耳透镜，包含基板，且基板包含多个锯齿状的同心环，其中每个同心环均具有阶梯结构，其中至少一同心环的阶梯结构的下阶梯的上表 面与上阶梯的侧表面的交界处具有圆角。

与现有技术相比，本发明的优点如下：

本发明提供的菲涅耳透镜及其形成方法，可解决制程中产生尖头的问题，使得所制成的菲涅耳透镜阶梯结构更接近理论，而可提高光绕射效率。

附图说明

以下将配合所附附图详述本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件 的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1是根据本发明的一些实施例，绘示出菲涅耳透镜的剖面图。

图2A、图2B及图2C是根据本发明的一些实施例，绘示出菲涅耳透镜的剖面图。

图3是根据本发明的一些实施例，绘示出相应于图2C的菲涅耳透镜的最顶表面 的俯视图。

图4A及图4B是根据本发明的一些实施例，绘示出形成菲涅耳透镜所使用的图 案化遮罩的上视图及菲涅耳透镜的部分剖面图。

图5A及图5B是根据本发明的一些实施例，绘示出形成菲涅耳透镜所使用的图 案化遮罩的俯视图及菲涅耳透镜的部分剖面图。

图6A及图6B是根据本发明的一些实施例，绘示出形成菲涅耳透镜所使用的图 案化遮罩的俯视图及菲涅耳透镜的部分剖面图。

图7A、图7B及图7C是根据本发明的一些实施例，绘示出形成菲涅耳透镜的部 分剖面图。

图8是根据本发明的一些实施例，绘示出形成菲涅耳透镜的部分剖面图。

图9A、图9B及图9C是根据本发明的一些实施例，绘示出形成菲涅耳透镜的部 分剖面图。

图10是根据本发明的一些实施例，绘示出菲涅耳透镜的部分剖面图。

附图标号说明：

100、基板；

100A、阶梯结构；

100C、圆角；

100S、尖头；

102、垫氧化层；

103、蚀刻制程；

104、氧化层；

200、300、400、500、图案化遮罩；

200Y、300Y、400Y、区域；

200N、300N、400N、区域；

1001、1002、1003、1004、1005、1006、1007、1008、阶梯；

C、同心环；

C1、C2、C3、C4、同心环；

H、阶梯高度；

H1、H2、H3、高度；

R1、R2、R3、R4、周围区域；

Rc、中心区域；

W1、W2、W3、W4、宽度；

W11、W12、W13、W21、W22、W23、宽度；

W、宽度；

T、厚度；

Y1、Y2、环。

具体实施方式

以下提供了各种不同的实施例或范例，用于实施所提供的半导体结构的不同元件。叙述中若提及第一部件形成于第二部件之上，可能包含形成第一部件和第二部件 直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成于第一部件和第二部件之间，使得第 一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本发明实施例可能在许多范例中使用 重复的元件符号。这些重复仅是为了简化和清楚的目的，而非代表所讨论各种实施例 及/或配置之间有特定的关系。

再者，空间上的相关用语，例如“上方的”、“下方的”、“在……上方”、“在…… 下方”及类似的用词，除了包含附图绘示的方位外，也包含使用或操作中的装置的不 同方位。当装置被转向至其他方位时(旋转90度或其他方位)，则在此所使用的空间 相对描述可同样依旋转后的方位来解读。

在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内， 较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％ 之内。应注意的是，说明书中所提供的数量为大约的数量，即在没有特定说明“约”、 “大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字 典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而 不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。

本领域技术人员将理解说明书中的用语“大致上(substantially)”，例如“大致上相同”或“大致上平坦”。在一些实施例中，“大致上”可能被去除。在适用的情况下， 用语“大致上”也可以包括具有“全部”、“完全”、“全部”等的实施例。在适用的情 况下，用语“大致上”也可涉及90％或更高，例如95％或更高，详细而言，99％或 更高，包括100％。

本发明实施例所提供的菲涅耳透镜，可通过阶梯结构达成接近100％的光绕射效率。并且通过圆化(rounding)制程中产生的尖头(spike)，可更进一步增加光绕射效率。

请先参照图1。图1是根据本发明的一些实施例，绘示出例示性菲涅耳透镜的剖 面图。相较于球面透镜，菲涅耳透镜通过将不影响折射的部分去除，而将留下的曲面 部分移置透镜底部，借以节省材料用量并减少透镜厚度。

如图1所示，菲涅耳透镜将曲面划分成一圈一圈的同心圆纹路，而其边缘较为尖锐，且在剖面呈现锯齿状，中心则较为平滑的曲面。在此，将平滑的曲面定义为中心 区域Rc，而随着远离中心区域Rc依序划分为周围区域R1、周围区域R2、周围区域 R3与周围区域R4。在此，周围区域R1、周围区域R2、周围区域R3与周围区域R4 的宽度随着远离中心区域Rc越来越小。

应注意的是，为简化起见，在图中仅例示四个周围区域R1、周围区域R2、周围 区域R3与周围区域R4，本发明所属领域中普通技术人员可依据实际需求增加或减少 周围区域。

接着，如图2A、图2B及图2C所示，可通过在基板100上形成阶梯结构100A 来模拟图1中的曲面，且阶梯数目越多，效果越好。

在图2A中，基板100包含多个锯齿状(剖面图中)的同心环。相较于图1的菲涅 耳透镜的光折射效率100％且绕射效率接近于零，图2A的实施例通过每个周围区域 中各自具有包含两个阶梯的阶梯结构100A，可使绕射效率提高。

图2B类似于图2A，其差异在于阶梯结构100A包含四个阶梯。相较于图1的菲 涅耳透镜的光折射效率100％且绕射效率接近于零，图2B的实施例通过每个周围区 域中各自具有包含四个阶梯的阶梯结构100A，可达到相较图2A更高的绕射效率。

图2C也类似于图2A，其差异在于阶梯结构100A包含八个阶梯。相较于图1的 菲涅耳透镜的光折射效率100％且绕射效率接近于零，图2C的实施例通过每个周围 区域中各自具有包含八个阶梯的阶梯结构100A，可达到绕射效率约为95％。

易言之，随着阶梯结构100A包含的阶梯数目越多，可越接近图1的光折射效率。

接着，图3是根据本发明的一些实施例，绘示出相应于图2C(八个阶梯)的菲涅耳透镜的最顶表面的俯视图。在图3中，周围区域R1、周围区域R2、周围区域R3与 周围区域R4的最顶表面为同心环C围绕着中心区域Rc的最顶表面。此外，在图3 中，在周围区域R1中的同心环C1具有宽度W1，在周围区域R2中的同心环C2具 有宽度W2，在周围区域R3中的同心环C3具有宽度W3，在周围区域R4中的同心 环C4具有宽度W4。通过宽度W1>W2>W3>W4，可得到由中心区域Rc向外越来越 小的阶梯宽度，得以得到接近图1的菲涅耳透镜，进而增加光绕射效率。

以下，将以形成图2C的菲涅耳透镜(八个阶梯)为范例，通过图4A、图4B、图 5A、图5B、图6A及图6B说明本发明实施例的形成步骤。图4A、图5A及图6A是 根据本发明的一些实施例，绘示出形成菲涅耳透镜所使用的图案化遮罩的俯视图。图 4B、图5B及图6B是根据本发明的一些实施例，绘示出菲涅耳透镜的部分剖面图。 具体来说，通过图4A、图5A及图6A的图案化遮罩执行图案化制程，可得到图4B、 图5B及图6B的部分剖面图。

首先，请先参照图4A，在此仅撷取中心区域Rc与周围区域R1及周围区域R2 作为示例，以简化附图并凸显相关特征。在图4A中，中心区域Rc为被图案化遮罩 200所覆盖的区域200Y，而周围区域R1及周围区域R2均具有被图案化遮罩200所 覆盖的区域200Y与没有被图案化遮罩200覆盖的区域200N。在此，被图案化遮罩 200所覆盖的区域200Y呈现环状，例如在周围区域R1中具有四个环Y1，而在周围 区域R2中具有四个环Y2。此外，每个环Y1具有相同的宽度W11，且每个环Y2具 有相同的宽度W21。

图4B仅撷取周围区域R1及周围区域R2中的剖面图作为示例。首先，提供基板 100，并且图案化基板100，如图4B所示。在一些实施例中，基板100可为半导体基 板，例如：硅基板。在其他实施例中，基板100也可为玻璃、石英、高分子、陶瓷或 上述的组合所形成的复合基板。

在一些实施例中，图案化基板100的步骤包含：形成图案化遮罩200于基板100 上；通过蚀刻制程凹蚀基板100；以及去除图案化遮罩200(未绘示)。借此，可形成 包含具有两阶梯的阶梯结构100A的基板100。

图案化遮罩200可为光阻材料，并可通过微影制程来形成。前述微影制程包含光阻涂布、曝光前烘烤、使用遮罩曝光、显影等等。在其他实施例中，图案化遮罩可为 硬罩幕层，其包含氧化物、氮氧化物、或其他适合的介电材料。

蚀刻制程可为非等向性蚀刻制程，其包含各种干蚀刻制程，例如反应式离子蚀刻(reactive ion etching，RIE)、中性粒子束蚀刻(neutral beam etch，NBE)、感应耦合电浆蚀刻(inductive coupled plasma etch)、适合的蚀刻制程或上述的组合等等。

去除图案化遮罩的步骤包含执行剥离(strip)制程、灰化(ash)制程、适合的去除制 程或上述的组合等等。

在此，在周围区域R1中区域200N的宽度W11比在周围区域R2中区域200N 的宽度W21大。类似地，在周围区域R1中区域200Y的宽度比在周围区域R2中区 域200Y的宽度大。此外，在图4B中，基板100被蚀刻的高度为H1。

接着，接续图4A与图4B，将图4B的图案化遮罩200移除后，使用图5A的图 案化遮罩300，可形成如图5B中的部分剖面图。图5A类似于图4A，中心区域Rc 为被图案化遮罩所覆盖的区域300Y，而周围区域R1及周围区域R2均具有被图案化 遮罩所覆盖的区域300Y与没有被图案化遮罩覆盖的区域300N。在此，被图案化遮 罩300所覆盖的区域300Y呈现环状，因此在周围区域R1中具有两个环Y1，而在周 围区域R2中具有两个环Y2。此外，每个环Y1具有相同的宽度W12，且每个环Y2 具有相同的宽度W22。此外，图5A中的环Y1及Y2的宽度为图4A中的环Y1及 Y2的宽度的两倍。

在图5B中，区域300Y中图案化遮罩300覆盖图4B中的两个阶梯，而区域300N 中暴露图4B中的两个阶梯。

图5B也类似并接续图4B，以区域300Y的图案化遮罩300为蚀刻遮罩，沿着露 出的两个阶梯非等向性地蚀刻图4B的基板100，在区域300Y中被图案化遮罩300 覆盖的两个阶梯保持不被蚀刻，因而形成包含具有四个阶梯的阶梯结构100A的基板 100。

在此，在图5B中的周围区域R1中区域300N的宽度W12为在图4B中的周围 区域R1中区域200N的宽度W11的两倍。类似于图4B，图5B在周围区域R1中区 域300N的宽度W12比在周围区域R2中区域300N的宽度W22大，且在周围区域 R1中区域300Y的宽度比在周围区域R2中区域300Y的宽度大。此外，在图5B中， 基板100被蚀刻的高度为H2。在一些实施例中，图5B中的高度H2为图4B中的高 度H1的两倍，以利于后续形成近似于曲面的阶梯结构100A。

接着，接续图5A与图5B，将图5B的图案化遮罩300移除后，使用图6A的图 案化遮罩400，可形成如图6B中的剖面图。图6A类似于图5A，中心区域Rc为被 图案化遮罩所覆盖的区域400Y，而周围区域R1及周围区域R2均具有被图案化遮罩 所覆盖的区域400Y与没有被图案化遮罩覆盖的区域400N。在此，被图案化遮罩400 所覆盖的区域400Y呈现环状，因此在周围区域R1中具有一个环Y1，而在周围区域 R2中具有一个环Y2。此外，环Y1具有宽度W13，且环Y2具有宽度W23。此外图 6A中的环Y1及Y2的宽度为图5A中的环Y1及Y2的宽度的两倍。

在图6B中，区域400Y中图案化遮罩400覆盖图5B中的四个阶梯，而区域400N 中暴露图5B中的四个阶梯。

图6B也类似并接续图5B，以区域400Y的图案化遮罩400为蚀刻遮罩，沿着露 出的四个阶梯非等向性地蚀刻图5B的基板100，在区域400Y中被图案化遮罩400 覆盖的四个阶梯保持不被蚀刻，因而形成包含具有八个阶梯的阶梯结构100A的基板 100。

在此，在6B中的周围区域R1中区域400N的宽度W13为在图5B中的周围区 域R1中区域300N的宽度W12的两倍，且为在图4B中的周围区域R1中区域200N 的宽度W11的四倍。类似于图5B，图6B在周围区域R1中区域400N的宽度W13 比在周围区域R2中区域400N的宽度W23大，且在周围区域R1中区域400Y的宽 度比在周围区域R2中区域400Y的宽度大。此外，在图6B中，基板100被蚀刻的高 度为H3。在一些实施例中，图6B中的高度H3为图5B中的高度H2的两倍，以利 于后续形成近似于曲面的阶梯结构100A。

此外，由于图4B、图5B及图6B中的中心区域Rc在图案化基板的步骤中均为 图案化遮罩200、图案化遮罩300及图案化遮罩400所覆盖，因此中心区域Rc并不 受图案化影响，而可在图案化基板的步骤前后维持一样的高度。也就是说，中心区域 Rc可维持为基板100的最顶表面，且大致上为平坦的。

通过图4B、图5B及图6B的制程，可得到具有八个阶梯的阶梯结构的菲涅耳透 镜。然而，在图案化基板100的步骤中，容易产生尖头的问题，如图7A、图7B及 图7C所示。首先，请参见图7A，图案化基板100的步骤包含：形成垫氧化层102； 以及形成图案化遮罩500(包含图案化遮罩200、图案化遮罩300或图案化遮罩400)。

在一些实施例中，垫氧化层102可作为基板100与图案化遮罩500(例如光阻)之 间的缓冲层，因而增加附着力。如制程中有缺陷产生，也可以在后续制程中将缺陷与 垫氧化层102一起移除。在一些实施例中，垫氧化层102可通过热氧化制程来形成。

接着，图案化基板100的步骤更包含以蚀刻制程103蚀刻未形成图案化遮罩500 的基板100，以得到如图7B所示的结构。由于图案化遮罩500的形成可能因为无法 避免的对准偏移，或者垫氧化层102的侧壁的垂直厚度较大而较难被蚀刻掉，因而在 上下阶梯的连接处产生尖头(spike)100S。

接着，移除图案化遮罩500与垫氧化层102，如图7C所示。在此情况下，由于 上下阶梯之间的尖头(spike)100S偏离了图1的阶梯的预定形状，而降低了光绕射效 率。

在一些实施例中，尖头100S的尖端可呈现平角或锐角，如图7C所示。

图8进一步绘示出在八个阶梯的阶梯结构中尖头100S的分布情形。

在图8中，在周围区域R1的基板100具有阶梯结构100A，其包含八个阶梯， 其分别由最底表面至最顶表面称为第一阶梯1001、第二阶梯1002、第三阶梯1003、 第四阶梯1004、第五阶梯1005、第六阶梯1006、第七阶梯1007与第八个阶梯1008。 可看出在第一阶梯1001与第二阶梯1002之间具有一尖头100S，且第二阶梯1002与 第三阶梯1003之间也有一尖头100S…第六阶梯1006与第七阶梯1007之间也有一尖 头100S。

在此实施例中，阶梯结构100A具有六个尖头，其具有不完全相同的高度，但其 数量不以此为限。在一些实施例中，每个阶梯高度都为H，以第八个阶梯1008的上 表面(或基板100的最顶表面)为基准，尖头到第八个阶梯1008的上表面的距离与阶 梯高度H的比例为0.5-4。也就是说，尖头的最高处不低于第五阶梯1005的上表面， 其原因可能为较低的阶梯(例如第一阶梯1001、第二阶梯1002等)已于先前制程(如图 5B或图4B)中已具有尖头，在图案化时更难以去除垫氧化层(未绘示)的侧壁，因而累 加高度。而尖头的最高处也不会高于第七阶梯1007与第八个阶梯1008的中线，其原 因可能为越接近最顶表面越容易在图案化制程中一并去除。

接续图7A、图7B及图7C，图9A、图9B及图9C是根据本发明的一些实施例， 绘示出形成菲涅耳透镜的部分剖面图。详细而言，为解决尖头的问题，使用热氧化制 程氧化尖头100S，如图9A、图9B及图9C所示。图9A类似于图7C，基板100的 阶梯结构中的上下两阶梯之间具有尖头100S。在一些实施例中，尖头100S的宽度W 为

接着，以热氧化制程氧化尖头100S及阶梯结构100A的上表面及侧表面，以形 成氧化层104于基板100(或阶梯结构100A)上，如图9B所示。热氧化制程可包含一 次或具有不同的热预算(thermal budget)的多次氧化制程。在一些实施例中，在温度介 于约950℃～1150℃、一大气压的湿氧(含H₂及O₂)环境下，进行时间介于约45分钟 ～75分钟的热氧化制程，可在节省能源的情况下完全氧化尖头。

在一些实施例中，上阶梯的侧表面、下阶梯的上表面及两者交界处的直角通过热氧化制程与氧反应，而由于该热氧化制程所使用的气体将会等向性扩散至基板表面与 基板反应，因此可将直角圆化成圆角。

在未执行热氧化制程的对比实施例中，仅通过蚀刻制程形成阶梯结构，其最终结构将不会形成圆角。相较之下，本发明通过热氧化制程去除了过程中所产生的尖头， 并且于结构上形成圆角。

在一些实施例中，氧化层104的厚度T与尖头100S的宽度W之比例为1.5～2.5。 若大于此范围，即厚度T过厚，则损失过多的能量及材料，而提高成本。若小于此范 围，即厚度T过薄，则尖头可能无法完全被氧化且不会于后续的上下阶梯之间形成圆 角。

接着，去除氧化层104，可在下阶梯的上表面与上阶梯的侧表面的交界处形成圆角100C，如图9C所示。在一些实施例中，圆角100C的曲率半径为0.3μm～0.6μm。 应注意的是，在上述的热氧化制程下，在下阶梯的侧表面与上阶梯的上表面的交界处 仍大致上维持直角(或为接近直角的钝角)而不会形成圆角。

在一些实施例中，氧化层104的去除可包含对氧化层104及基板100(例如硅基板)具有高蚀刻选择性的任何酸或气体，例如二氧化硅蚀刻剂(buffered oxide etch，BOE)，以移除氧化层104，而本发明不以此为限。

图10是根据本发明的一些实施例，绘示出形成菲涅耳透镜的部分剖面图。具体 来说，图10类似于图9C，其更绘示出周围区域R1中圆角100C的分布情形。

在一些实施例中，氧化并移除图8的菲涅耳透镜中的尖头100S后，可得到如图 10所示的菲涅耳透镜。由于氧化层104的形成，使得位于上阶梯的侧表面与下阶梯 的上表面的交界处的直角圆化成圆角。因此，在图10中，上下阶梯之间均具有圆角 100C。也就是说，在具有八个阶梯的阶梯结构100A中，具有七个圆角。此外，由于 形成的氧化层104具有大致上相同的厚度T，因此在图10中形成的七个圆角具有大 致上相同的曲率半径。

相较于铸模、切割成型的菲涅耳透镜，本发明实施例通过图案化制程形成的阶梯构造可制造出小尺寸(例如1.6mm×1.6mm)的菲涅耳透镜，并可应用在微缩化的装置 中。

综上所述，本发明实施例提供的菲涅耳透镜的形成方法，可解决制程中产生尖头的问题，使得所制成的菲涅耳透镜阶梯结构更接近理论，而可提高光绕射效率。

以上概述多个实施例，以便在本发明所属技术领域中的普通技术人员可以更理解本发明实施例的观点。在本发明所属技术领域中的普通技术人员应该理解，他们能以 本发明实施例为基础，设计或修改其他制程和结构，以达到与在此介绍的实施例相同 的目的及/或优势。在本发明所属技术领域中的普通技术人员也应该理解到，此类等 效的制程和结构并无悖离本发明的精神与范围，且他们能在不违背本发明的精神和范 围之下，做各式各样的改变、取代和替换。

Claims (10)

1.一种菲涅耳透镜的形成方法，其特征在于，所述菲涅耳透镜的形成方法包括：

提供一基板；

图案化该基板，以形成多个锯齿状的同心环，每个同心环均具有一阶梯结构，其中至少一同心环的该阶梯结构的上下两阶梯之间具有一尖头；

氧化该尖头，以形成一氧化层；以及

移除该氧化层。

2.根据权利要求1所述的菲涅耳透镜的形成方法，其特征在于，形成该氧化层的步骤更包括氧化该阶梯结构的上表面及侧表面。

3.根据权利要求1所述的菲涅耳透镜的形成方法，其特征在于，在移除该氧化层之后，所述菲涅耳透镜的形成方法更包括于一下阶梯的上表面与一上阶梯的侧表面的交界处形成一圆角。

4.根据权利要求1所述的菲涅耳透镜的形成方法，其特征在于，该氧化层的厚度与该尖头的宽度的比例为1.5～2.5。

5.根据权利要求1所述的菲涅耳透镜的形成方法，其特征在于，图案化该基板的步骤包括依序通过一第一图案化遮罩所执行的第一图案化步骤与通过一第二图案化遮罩所执行的第二图案化步骤，其中第一图案化遮罩的间距小于第二图案化遮罩的间距。

6.根据权利要求1所述的菲涅耳透镜的形成方法，其特征在于，该同心环围绕一中心区域，且该中心区域在图案化该基板的步骤之前与图案化该基板的步骤之后的高度不变。

7.根据权利要求1所述的菲涅耳透镜的形成方法，其特征在于，该阶梯结构中的每个阶梯具有一阶梯高度，且该基板的最顶表面到该尖头的距离与该阶梯高度的比例为0.5～4。

8.根据权利要求1所述的菲涅耳透镜的形成方法，其特征在于，在图案化该基板之前，菲涅耳透镜的形成方法更包括于该基板上形成一垫氧化层；以及在该图案化该基板之后，菲涅耳透镜的形成方法更包括移除该垫氧化层。

9.一种菲涅耳透镜，其特征在于，所述菲涅耳透镜包括一基板，且该基板包括多个锯齿状的同心环，每个同心环均具有一阶梯结构，其中至少一同心环的该阶梯结构的一下阶梯的上表面与一上阶梯的侧表面的交界处具有一圆角。

10.根据权利要求9所述的菲涅耳透镜，其特征在于，每个同心环的阶梯结构都具有相同的阶梯数，该阶梯结构的每个上阶梯与下阶梯之间均具有一圆角，其中每个上阶梯与下阶梯之间的每个圆角具有大致上相同的曲率半径。

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