JP2019090956A - 光学素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この方法で回折格子を得るためには、ブレーズド回折格子の鋸歯状の断面形状を、パターン幅(遮光部または透光部の幅)が異なるN枚のマスクを用いたフォトリソグラフィにより、2Nレベルに近似する(つまり、基板表面を、鋸歯の斜面一つ当たり2N個の階段状にする)。この方法には、同じ位置に対する複数回のフォトリソグラフィで生じるマスクの位置ずれにより、設計通りの階段形状が得られず、得られる回折格子の性能が低下するため、製品の歩留まりが悪いという問題点がある。
この方法では、先ず、露光装置のアライメント精度(マスクの位置合わせ精度)以上の幅を持つ保護マスクを、最初のフォトリソグラフィで形成するレジスト膜のアライメントエラーが起こりうる箇所に設けて、基板の保護マスクで覆われた部分を意図的に突起状にしている。これにより、最後のフォトリソグラフィおよびエッチングでは、正しい階段形状の各所に保護マスクで覆われた突起が形成された状態となる。この状態で、保護マスクを除去した後、突起を等方性エッチングで除去することにより、基板の表面に正しい階段形状が形成された状態になると記載されている。
この発明の課題は、基板面内での光学素子の性能のばらつきを小さくできる光学素子の製造方法を提供することである。
第一工程は、リソグラフィ技術により、基板の面内の複数位置で前記基板の表面を階段形状に加工する工程である。
第二工程は、第一工程で得られた階段形状の表面を、等方性処理により、基板の元の組成とは異なる組成に変性させて、基板の表面に面内で均一な厚さ(例えば、面内での厚さのばらつきが1%以下である)の変性層を形成する工程である。
第三工程は、変性層を除去する工程である。
なお、以下の説明で使用する図において、図示されている各部の寸法関係は、実際の寸法関係と異なる場合がある。
この実施形態の方法では、基板の面内に多数の回折格子を形成した後、基板を切断して多数の回折格子を得る。基板の面内の複数位置に、図2及び図3に示すような、N=2、2N=4レベルの階段形状を有する回折格子(光学素子)10を複数個ずつ形成する。図2に示すように、回折格子10の階段形状は、中心が同じで高さが異なる四つの円環面11a〜11dを単位110とし、この単位110が直径方向に複数形成されたものである。
なお、図3に示すように、各単位110の幅および四つの円環面11a〜11dの幅は、直径方向の中心に近いほど広くなっている。また、回折格子10は、図4に示すブレーズド回折格子の鋸歯状断面ラインLが4レベルに近似された(鋸歯の斜面一つが4個の階段状にされた)形状を有する。
この実施形態の方法は、以下に説明する第一工程、第二工程、および第三工程を有する。
第一工程は、光透過部の幅が異なる二枚のフォトマスクを用いた二回のフォトリソグラフィおよびエッチングで、基板の表面を階段形状に加工する工程である。図5および図6を用いて第一工程を説明する。
次に、図6(a)に示すように、基板1Aの表面11に、一回目と同じフォトレジストを用いてレジスト膜21を形成した後、二回目のフォトマスク32を用いた露光を行う。このフォトマスク32の光透過部32aの幅W2は、一回目のフォトマスク31の光透過部31aの幅W1と異なる。
この露光も、一回目の基板1に対する露光と同様に基板1の各位置に行う。これに伴い、レジスト膜21の光透過部31aの真下にある部分に光が照射され、この部分が現像液に対して可溶になる。次に、この部分を現像液で除去する。これにより、図6(b)に示すレジストパターン21bが基板1Aの各位置に形成される。
これに伴い、基板1Aの表面11に、図6(c)に示す凹部13a〜13cが形成される。これらの凹部のうち、二回目の露光前に凹部12bが形成されていた凹部13bは、凹部12bが形成されていなかった凹部13aよりも低くなる。ただし、フォトマスク32の位置決めが正しい位置からずれたことで、図6(c)に示すように、二回目のエッチング後の基板1Bの表面に突起14や不正な段差15が生じる。
これにより、基板1Bの表面に、中心が同じで高さが異なる円環面11a〜11dが形成される。図6(e)はこの状態を示す。つまり、基板1Cの各位置で、表面に、中心が同じで高さが異なる四つの円環面11a〜11dからなる単位110が、直径方向に複数形成された状態となる。
よって、この基板1Cを切断することで多数の回折格子10が得られる。
図8(a)は二回目のフォトマスク32の位置ずれがない場合を、図8(b)は二回目のフォトマスク32の位置ずれがある場合を示す。図8(b)では、この位置ずれ寸法Δに対応する幅Ttの突起14が生じる。
また、熱酸化によりシリコン製基板の表面は外側へ膨張する。つまり、図9(a)に示すように、熱酸化により形成される酸化膜4は、熱酸化直前の基板1Bの表面11より外側の表面4aと内側の内面4bを有する。
すなわち、図9(a)の酸化膜4の厚さTsの最小値が、二回目のフォトマスク32の位置ずれ寸法Δの想定される最大値(統計的に出された値など)以上となる条件で、熱酸化を行えばよい。これにより、第三工程のウェットエッチングで熱酸化部44が除去される。つまり、突起14であった部分が全て除去された状態となる。
図10(a)および図10(c)に示すように、第一工程後と第三工程後で凸形状の幅はH11からH12に狭くなり、凹形状の幅はH21からH22に広くなる。そのため、第三工程後に正しい幅となるように、第一工程で使用するフォトマスク31,32の幅W1,W2を設計する必要がある。
特許文献1の方法では、基板表面を階段形状に加工する際に、露光機のアライメント精度以上の幅の突起を意図的に形成した後、この突起を等方性エッチングで除去している。しかしながら、特許文献1の方法では、前述のように、等方性エッチングの基板面内の位置に応じたエッチング量のばらつきに起因して、突起除去後の基板面内における回折格子の階段形状の寸法のばらつきが数%〜30%程度と大きくなる。
これに対して、実施形態の方法では、基板表面を階段形状に加工した後、突起及び基板表面を変性させ、変性した部分のみをエッチングで除去することで突起を除去している。すなわち、実施形態の方法では、二回目の露光のフォトマスク32の位置決めが正しい位置からずれたために生じる突起14を、そのままエッチングで除去するのではなく、熱酸化により基板表面に酸化膜4を形成することで熱酸化部44とした後に、酸化膜4を等方性エッチングにより除去する工程で除去している。この熱酸化は、例えば、酸素が流量3〜15slm、水素が流量2〜8slmで供給されている雰囲気中で、基板1Bを800〜900℃に加熱することで行われる。
この酸化膜4のみを、フッ酸を用いたウェットエッチングで除去するため、1%以下という小さいばらつきが、回折格子の階段形状の寸法のばらつきにそのまま反映される。
また、実施形態の方法では、第一工程で位置ずれが生じているかいないかに関わらず、第二工程として基板全面に熱酸化を行い、生じた酸化膜4を除去する。また、生じる突起14の幅は位置ずれ量に応じて異なるが、想定される位置ずれ寸法の最大値以上となる条件で熱酸化を行うことで、突起14が全て除去される。その結果、基板面内での回折格子10の性能のばらつきが小さくできる。
上記実施形態の方法では、第一工程でポジ型のフォトレジストを用いてフォトリソグラフィを行っているため、二回のフォトリソグラフィで光透過部の幅W1,W2が異なるフォトマスク31,32を用いている。しかし、第一工程でネガ型のフォトレジストを用いてフォトリソグラフィを行ってもよい。その場合は、二回のフォトリソグラフィで遮光部の幅が異なるフォトマスクを用いて行う。
上記実施形態では、シリコン基板を用いた例を説明しているが、ゲルマニウムには熱酸化層を形成することができるため、ゲルマニウム基板を用いた場合でも、上記実施形態の方法と同様の方法で回折格子などの光学素子を得ることができる。ただし、ゲルマニウムは熱に弱いため、熱酸化以外の酸化方法を採用することが好ましい。熱酸化以外の酸化方法としては、リモートプラズマ酸化、化学溶液酸化、紫外線酸化が挙げられる。
なお、基板材料としては、光学素子の種類に応じ、GaAs、石英、蛍石などを用いても良い。その場合には、酸化膜以外の変性層を形成する。
1A 一回目のエッチング後の基板
1B 二回目のエッチング後の基板
1C 酸化膜除去後の基板
10 回折格子(光学素子)
110 階段形状の単位
11a〜11d 階段形状の単位を構成する円環面
11 基板の表面
14 突起
21 レジスト膜
21a 一回目のレジストパターン
21b 二回目のレジストパターン
31 一回目のフォトマスク
31a 一回目のフォトマスクの光透過部
32 二回目のフォトマスク
32a 二回目のフォトマスクの光透過部
4 酸化膜(変性層)
44 突起の熱酸化部
L ブレーズド回折格子の鋸歯状断面ライン
W1 一回目のフォトマスクの光透過部の幅
W2 二回目のフォトマスクの光透過部の幅
Claims (7)
- リソグラフィ技術により、基板の面内の複数位置で前記基板の表面を階段形状に加工する第一工程と、
前記第一工程で得られた階段形状の表面を、前記基板の元の組成とは異なる組成に変性させて、前記基板の表面に面内で均一な厚さの変性層を形成する第二工程と、
前記変性層を除去する第三工程と、
を有する光学素子の製造方法。 - 前記第一工程では、複数のマスクを用いた複数回のフォトリソグラフィおよびエッチングを繰り返すことで、前記表面を階段形状に加工し、
前記第二工程では、前記第一工程における前記基板の表面を基準とした前記変性層の形成深さの最小値が、前記複数回のフォトリソグラフィで生じる前記マスクの位置ずれ寸法の想定される最大値の半分以上となる条件で前記基板の表面を変性させて、前記基板の表面に前記基板に対してエッチングレートが高い組成である前記変性層を形成する請求項1記載の光学素子の製造方法。 - 前記基板として、シリコン基板、GaAs基板、ゲルマニウム基板、石英基板、および蛍石基板のいずれかを用いる請求項1または2記載の光学素子の製造方法。
- 前記基板として、シリコン基板およびゲルマニウム基板のいずれかを用い、
前記第二工程は、前記表面に前記変性層として酸化層を形成する工程である請求項1〜3のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法。 - 前記第三工程は、フッ酸を用いたウェットエッチングにより行う請求項4記載の光学素子の製造方法。
- 前記階段形状は、回折格子として機能する形状である請求項1〜5のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法。
- 前記階段形状は、ブレーズド回折格子の鋸歯状断面ラインを量子化した形状である請求項1〜5のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法。
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