JP2015129895A - マイクロレンズアレイ、マイクロレンズアレイの製造方法、電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】光の利用効率が高いマイクロレンズアレイとその製造方法とを提供する。【解決手段】マイクロレンズアレイ１０の製造方法は、第一透光性材１１に第１の凹部１３１を形成する工程と、第１の凹部１３１を覆う様に保護部材を形成する工程と、保護部材及び第一透光性材１１をエッチングして第一透光性材１１に第２の凹部１３２を形成する工程と、第一透光性材１１よりも屈折率が高い第二透光性材１２を、第２の凹部１３２を覆う様に形成する工程と、を含む。マイクロレンズＭＬ間の境界Ｂが滑らかにつながるので、境界Ｂに於ける光の散乱が抑制され、光の利用効率が高く、明るい表示を可能とする電気光学装置を製造する事ができる。【選択図】図４

Description

本発明は、マイクロレンズアレイ、マイクロレンズアレイの製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関する。

素子基板と対向基板との間に液晶等の電気光学材料を備えた電気光学装置が知られている。電気光学装置として、例えば、プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる液晶装置等を挙げる事ができる。この様な液晶装置に於いては、高い光の利用効率を実現する事が求められている。

液晶装置は、素子基板上の画素電極外に画素電極を駆動するＴＦＴ素子や配線等が設けられ、これらと平面的に重なる様に遮光層が設けられている。その為に、入射する光の一部は遮光層で遮光されて利用されない。そこで、特許文献１に記載されている様に、液晶装置の素子基板及び対向基板の少なくとも一方に、マイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイを備える事により、入射した光をマイクロレンズで集光して光の利用効率を高める構成が知られている。

特開２００１−２１７０２号公報

しかしながら、特許文献１に記載のマイクロレンズアレイでは、光の利用効率が悪いという課題があった。マイクロレンズアレイを備えた液晶装置であっても、液晶装置から出射された光束の立体角が大きくなる事がある。斯うしたマイクロレンズアレイを備えた液晶装置をプロジェクターの液晶ライトバルブとして用いると、液晶装置から出射される光の広がり角度が、投射レンズのＦ値が規定する入射角を超える事がある。その場合、液晶装置から出射される光の一部は投射レンズに入射されず、その結果、スクリーンに投射される光量が低下する事になる。取り分け、特許文献１に記載のマイクロレンズアレイでは、この課題が深刻で、マイクロレンズアレイを用いても、明るさの向上が限られていた。換言すると、従来のマイクロレンズアレイでは、光の利用効率を十分に高め難いという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。

（適用例１） 本適用例に係わるマイクロレンズアレイの製造方法は、第一透光性材に第１の凹部を形成する工程と、第１の凹部を覆う様に保護部材を形成する工程と、保護部材及び第一透光性材をエッチングして第一透光性材に第２の凹部を形成する工程と、第一透光性材よりも屈折率が高い第二透光性材を、第２の凹部を覆う様に形成する工程と、を含む事を特徴とする。
この方法に依ると、マイクロレンズ間の境界が滑らかにつながるので、境界に於ける光の散乱が抑制され、光の利用効率が高く、明るい表示を可能とする電気光学装置を製造する事ができる。

（適用例２） 本適用例に係わるマイクロレンズアレイの製造方法は、第一透光性材に第１の凹部を形成する工程と、第一透光性材と略同じ屈折率を有する第三透光性材を第１の凹部を覆う様に形成する工程と、第一透光性材よりも屈折率が高い第二透光性材を、第三透光性材を覆う様に形成する工程と、を含む事を特徴とする。
この方法に依ると、マイクロレンズ間の境界が滑らかにつながるので、境界に於ける光の散乱が抑制され、光の利用効率が高く、明るい表示を可能とする電気光学装置を製造する事ができる。

（適用例３） 本適用例に係わるマイクロレンズアレイの製造方法は、第１凸形状を有する第二透光性材を形成する工程と、第１凸形状を有する第二透光性材を覆う様に保護部材を形成する工程と、保護部材及び第１凸形状を有する第二透光性材をエッチングして第２凸形状をなす第二透光性材を形成する工程と、第二透光性材よりも屈折率が低い第一透光性材を、第２凸形状を有する第二透光性材を覆う様に形成する工程と、を含む事を特徴とする。
この方法に依ると、マイクロレンズ間の境界が滑らかにつながるので、境界に於ける光の散乱が抑制され、光の利用効率が高く、明るい表示を可能とする電気光学装置を製造する事ができる。

（適用例４） 上記適用例１乃至３のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法に於いて、第一透光性材の屈折率は１．４６から１．５０の範囲にある事が好ましい。
この方法に依ると、第一透光性材に酸化珪素等の無害で透光性に優れ、製造も加工も容易な材料を用いる事ができる。

（適用例５） 上記適用例１乃至４のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法に於いて、第一透光性材が酸化珪素膜である事が好ましい。
この方法に依ると、第一透光性材を無害で透光性に優れ、製造も加工も容易な材料にて形成する事ができる。

（適用例６） 上記適用例１乃至５のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法に於いて、第二透光性材が酸窒化珪素膜である事が好ましい。
この方法に依ると、第二透光性材を無害で透光性に優れ、製造も加工も容易な材料にて形成する事ができる。

（適用例７） 上記適用例１乃至５のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法に於いて、第二透光性材が窒化珪素膜である事が好ましい。
この方法に依ると、第二透光性材を無害で透光性に優れ、製造も加工も容易な材料にて形成する事ができる。

（適用例８） 本適用例に係わるマイクロレンズアレイは、第一マイクロレンズと第二マイクロレンズとを有し、第一マイクロレンズと第二マイクロレンズとは、第一透光性材と、第一透光性材と異なる屈折率を有する第二透光性材と、を含み、第一マイクロレンズと第二マイクロレンズとの境界に於いて、第一透光性材と第二透光性材との界面が滑らかで有る事を特徴とする。
この構成に依ると、第一マイクロレンズと第二マイクロレンズとの境界に於ける光の散乱が抑制されるので、光の利用効率が高く、明るい表示を可能とする電気光学装置を実現する事ができる。

（適用例９） 上記適用例１乃至７のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法にて製造されたマイクロレンズアレイを備えた事を特徴とする電気光学装置。
この構成によれば、光の利用効率が高く、明るい表示を可能とする電気光学装置を実現する事ができる。

（適用例１０） 上記適用例８に記載のマイクロレンズアレイを備えた事を特徴とする電気光学装置。
この構成によれば、光の利用効率が高く、明るい表示を可能とする電気光学装置を実現する事ができる。

（適用例１１） 上記適用例９又は１０に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。
この構成によれば、光の利用効率が高く、明るい表示を可能とする電気光学装置を備えて電子機器を実現する事ができる。

実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。 実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。 実施形態１に係るマイクロレンズアレイの製造方法を示す概略断面図。 実施形態１に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。 実施形態２に係わるマイクロレンズアレイを有する対向基板を説明する断面図。 実施形態３に係わるマイクロレンズアレイの製造方法を説明する断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となる様に、適宜拡大、縮小、あるいは誇張して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。

尚、以下の形態に於いて、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接する様に配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接する様に配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表す物とする。

（実施形態１）
「電気光学装置」
ここでは、電気光学装置として、薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いる事ができる。

図１は、実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略断面図であり、詳しくは、図１のＡ−Ａ’線に沿った一部の概略断面図である。まず、実施形態１に係る液晶装置１について、図１と図２、及び図３を参照して説明する。

図１及び図３に示す様に、実施形態１に係る液晶装置１は、第一基板としての素子基板２０と、素子基板２０に対向配置された第二基板としての対向基板３０と、シール材４２と、電気光学材料としての液晶４０とを備えている。素子基板２０と対向基板３０とは、対向配置されている。図１に示す様に、素子基板２０は対向基板３０よりも大きく、両基板は、対向基板３０の縁部に沿って枠状に配置されたシール材４２を介して接合されている。

図１に示す様に、液晶４０は、素子基板２０と対向基板３０とシール材４２とに依って囲まれた空間に挟持されており、正又は負の誘電異方性を有している。シール材４２は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂等の接着剤からなる。シール材４２には、素子基板２０と対向基板３０との間隔を一定に保持する為のスペーサー（図示省略）が混入されている。

枠状に配置されたシール材４２の内側には、枠状の周縁部を有する遮光部としての遮光層３２（２２，２６）が設けられている。遮光層３２（２２，２６）は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物等からなる。遮光層３２（２２，２６）の内側は、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅとなっている。画素Ｐは、例えば、略矩形状を有し、行列状に配列されている。

表示領域Ｅは、液晶装置１に於いて、実質的に表示に寄与する領域である。図３に示す様に遮光層２２ａと遮光層２６ａとは、表示領域Ｅに於いて、画素Ｐを平面的に区画する様に、各画素Ｐの境界部に例えば格子状に設けられている。なお、液晶装置１は、表示領域Ｅの周囲を囲む様に設けられた、実質的に表示に寄与しないダミー領域を備えていても良い。

素子基板２０の第一辺に沿って形成されたシール材４２の表示領域Ｅと反対側には、第一辺に沿ってデータ線駆動回路５１及び複数の外部接続端子５４が設けられている。又、その第一辺に対向する他の第二辺に沿ったシール材４２の表示領域Ｅ側には、検査回路５３が設けられている。更に、これらの二辺と直交し互いに対向する他の二辺に沿ったシール材４２の内側には、走査線駆動回路５２が設けられている。

検査回路５３が設けられた第二辺のシール材４２の表示領域Ｅ側には、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。これらデータ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２に繋がる配線は、複数の外部接続端子５４に接続されている。又、対向基板３０の角部には、素子基板２０と対向基板３０との間で電気的導通を取る為の上下導通部５６が設けられている。尚、検査回路５３の配置はこの構成に限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けても良い。

以下の説明では、データ線駆動回路５１が設けられた第一辺に沿った方向を第一方向（Ｘ方向）とし、この第一辺と直交する方向を第二方向（Ｙ方向）とする。Ｘ方向は、図１のＡ−Ａ’線に平行な方向である。素子基板２０には、遮光層２２ａと遮光層２６ａとで、Ｘ方向とＹ方向とに沿ったブラックマトリックスが格子状に設けられている。従って、画素Ｐは、遮光層２２ａと遮光層２６ａとからなるブラックマトリックスに依って格子状に区画されており、画素Ｐで遮光層２２ａと遮光層２６ａとに平面視で重ならない領域が画素Ｐに於ける開口領域（光変調部）となる。

尚、Ｘ方向及びＹ方向と直交し図１における上方に向かう方向をＺ方向とする。本明細書では、液晶装置１の対向基板３０側表面の法線方向（Ｚ方向）から見る事を「平面視」と称する。

図２に示す様に、表示領域Ｅには、走査線２とデータ線３とが互いに交差する様に形成され、走査線２とデータ線３との交差に対応して画素Ｐが設けられている。画素Ｐの其々には、画素電極２８とスイッチング素子であるＴＦＴ２４とが設けられている。

ＴＦＴ２４のソースドレインの一方は、データ線駆動回路５１から延在するデータ線３に電気的に接続されている。データ線３には、データ線駆動回路５１（図１参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給される。ＴＦＴ２４のゲートは、走査線駆動回路５２から延在する走査線２の一部に電気的に接続されている。走査線２には、走査線駆動回路５２から走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給される。ＴＦＴ２４のソースドレインの他方は画素電極２８に電気的に接続されている。

画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、ＴＦＴ２４を一定期間だけオン状態とする事により、データ線３を介して画素電極２８に所定のタイミングで書き込まれる。画素Ｐには、画素電極２８に供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを維持する為に、走査線２に沿って形成された容量線４と画素電極２８との間に蓄積容量５が形成されている。蓄積容量５は液晶容量と並列に配置される。斯うして、各画素Ｐの液晶４０（図３参照）に画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎに応じた電圧が印加されると、印加された電圧により液晶４０の配向状態が変化し、液晶４０に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。

図３に示す様に、液晶装置１は、素子基板２０と対向基板３０とを有しており、対向基板３０は、更に、マイクロレンズアレイ１０と、光路長調整層３１と、遮光層３２と、保護層３３と、共通電極３４と、配向膜３５とを備えている。尚、図３では、説明を判り易くする為に６画素分の断面を描いてある。

マイクロレンズアレイ１０は、第一マイクロレンズＭＬ１と第二マイクロレンズＭＬ２とを有し、第一マイクロレンズＭＬ１と第二マイクロレンズＭＬ２とは、隣り合って配置されている任意の２つのマイクロレンズＭＬである。更に、マイクロレンズアレイ１０は、第一透光性材１１と、第二透光性材１２とを備えている。第一透光性材１１と第二透光性材１２とは、互いに異なる屈折率を有する光透過性の材料である。そして第一マイクロレンズＭＬ１と第二マイクロレンズＭＬ２との境界Ｂに於いて、第一透光性材１１と第二透光性材１２の界面が滑らかにつながっている。第一マイクロレンズＭＬ１と第二マイクロレンズＭＬ２とは、隣り合って配置された任意の２つのマイクロレンズＭＬであるので、数学的な言葉で厳密に記述すると、第一透光性材１１と第二透光性材１２の界面は少なくとも表示領域Ｅに於いて、偏微分可能となっている。尚、第一マイクロレンズＭＬ１や第二マイクロレンズＭＬ２を特に区別する必要がない場合、これらを総じて単にマイクロレンズＭＬと称する。

第一透光性材１１は酸化珪素膜（ＳｉＯ_X、Ｘは１以上２以下の値）等の光透過性を有する無機材料からなる。第一透光性材１１をなす酸化珪素膜の屈折率は１．４６から１．５０の範囲にある。本実施形態では、第一透光性材１１は石英基板であり、対向基板３０の基板となっている。第一透光性材１１には第２の凹部１３２が形成されており、第２の凹部１３２の表面は、第一透光性材１１と第二透光性材１２との界面の一部となっている。酸化珪素膜は、無害で透光性に優れ、製造も加工も容易であるので、第一透光性材を無害で透光性に優れ、製造も加工も容易な材料とする事ができる。尚、本明細書にて透光性材とは、光を透過する部材であり、可視光領域全体に渡って光を透過する透明部材や、可視光領域の一部の光を透過する着色部材等、を含んでいる。本実施形態では、透光性材に酸化珪素や酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）等の透明部材が用いられているが、マイクロレンズアレイ１０が特定波長の光に対して使用される場合、その波長の光を透過する材料を透光性材として用いる事ができる。

第二透光性材１２は、第一透光性材１１を覆い、第２の凹部１３２を埋め込む様に形成されている。第二透光性材１２は、光透過性を有し、第一透光性材１１とは異なる屈折率を有する材料からなる。より具体的には、第二透光性材１２は、第一透光性材１１よりも屈折率の高い無機材料からなる。この様な無機材料としては、例えば酸窒化珪素膜（ＳｉＯＮ）や窒化珪素膜（ＳｉＮ）、アルミナ膜（Ａｌ₂Ｏ₃）等が挙げられ、好ましい屈折率は１．６０程度である。酸窒化珪素膜や窒化珪素膜は、無害で透光性に優れ、製造も加工も容易であるので、第二透光性材を無害で透光性に優れ、製造も加工も容易な材料とする事ができる。第二透光性材１２にて第２の凹部１３２が埋め込まれ、凸状のマイクロレンズＭＬが構成される。マイクロレンズＭＬの製造方法に関しては後に詳述する。本実施形態では、第２の凹部１３２は、画素Ｐと１対１に対応する様に配置されているが、これに限らず、一つの画素Ｐが複数個のマイクロレンズＭＬを備えている構成としても良い。

第二透光性材１２は第２の凹部１３２の深さよりも厚く形成されており、第二透光性材１２の表面は略平坦な面となっている。即ち、第二透光性材１２は、第２の凹部１３２を埋めてマイクロレンズＭＬを構成する部分と、第一透光性材１１の上面とマイクロレンズＭＬの表面を覆う平坦化層の役割を果たす部分とを有している。

光路長調整層３１は、マイクロレンズアレイ１０を覆う様に設けられている。光路長調整層３１は、光透過性を有し、例えば、第一透光性材１１とほぼ同じ屈折率を有する無機材料からなる。光路長調整層３１は、マイクロレンズＭＬから遮光層２６ａ迄の距離を調整し、マイクロレンズＭＬにて集光された光が遮光層２６ａや遮光層２２ａに遮られず画素Ｐの開口領域を通過する様に設定されている。従って、光路長調整層３１の厚みは、光の波長に応じたマイクロレンズＭＬの焦点距離等の光学条件に基づいて適宜設定される。

遮光層３２は、光路長調整層３１上（液晶４０側）に設けられている。遮光層３２は、素子基板２０の遮光層２２及び遮光層２６に平面視で重なる様に枠状に形成されている。遮光層３２に囲まれた領域（表示領域Ｅ）は、光が透過し得る領域となる。尚、平面視にて遮光層２２ａと遮光層２６ａとに重なる光路長調整層３１上に、遮光層３２と同じ材料にて更に不図示の遮光層を設けても良い。この不図示の遮光層は、各画素Ｐの角部若しくは各画素Ｐの周囲に配置され、マイクロレンズＭＬで集光しきれずに素子基板２０側の遮光層２２ａや遮光層２６ａに当たり得る光を対向基板３０側で反射して、液晶装置１の温度上昇を防ぐ効果をもたらす。

保護層３３は、光路長調整層３１と遮光層３２とを覆う様に設けられている。共通電極３４は、保護層３３を覆う様に設けられている。共通電極３４は、複数の画素Ｐに跨って形成されている。共通電極３４は、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）等の透明導電膜からなる。配向膜３５は、共通電極３４を覆う様に設けられている。

尚、保護層３３は遮光層３２を覆って、共通電極３４の液晶４０側の表面を平坦とする物で、必須な構成要素ではない。従って、例えば、導電性の遮光層３２を共通電極３４が直接覆う構成としても良い。

素子基板２０は、基板２１と、遮光層２２及び遮光層２２ａと、絶縁層２３と、ＴＦＴ２４と、絶縁層２５と、遮光層２６及び遮光層２６ａと、絶縁層２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを備えている。基板２１は、例えばガラスや石英等の光透過性を有する材料からなる。

遮光層２２及び遮光層２２ａは基板２１上に設けられている。遮光層２２は、上層の遮光層２６に平面視で重なる様に枠状に形成されている。遮光層２２ａ及び遮光層２６ａは、素子基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）に於いて、ＴＦＴ２４をこれらの間に挟む様に配置されている。遮光層２２ａ及び遮光層２６ａは、ＴＦＴ２４の少なくともチャネル形成領域と平面視で重なっている。遮光層２２ａ及び遮光層２６ａが設けられている事により、ＴＦＴ２４への光の入射が抑制される。平面視にて、遮光層２２ａと遮光層２６ａとに囲まれた領域は、画素Ｐにて光が透過する領域となる。

絶縁層２３は、基板２１と遮光層２２と遮光層２２ａとを覆う様に設けられている。絶縁層２３は、例えば、ＳｉＯ₂等の無機材料からなる。

ＴＦＴ２４は、絶縁層２３上に設けられている。ＴＦＴ２４は画素電極２８を駆動するスイッチング素子である。ＴＦＴ２４は、図示しない半導体層とゲート電極とソース電極とドレイン電極とを含んでいる。半導体層には、ソースとチャネル形成領域とドレインとが形成されている。チャネル形成領域とソース、又は、チャネル形成領域とドレインとの界面にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていても良い。

ゲート電極は、素子基板２０に於いて平面視で半導体層のチャネル形成領域と重なる領域に絶縁層２５の一部（ゲート絶縁膜）を介して形成されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線にコンタクトホールを介して電気的に接続されており、走査信号が印加される事に依ってＴＦＴ２４をオン／オフ制御している。

絶縁層２５は、絶縁層２３とＴＦＴ２４とを覆う様に設けられている。絶縁層２５は、例えば、ＳｉＯ₂等の無機材料からなる。絶縁層２５は、ＴＦＴ２４の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層２５により、ＴＦＴ２４に依って生じる表面の凹凸が緩和される。絶縁層２５上には、遮光層２６及び遮光層２６ａが設けられている。そして、絶縁層２５と遮光層２６及び遮光層２６ａとを覆う様に、無機材料からなる絶縁層２７が設けられている。

画素電極２８は、絶縁層２７上に、画素Ｐ毎に設けられている。画素電極２８は画素Ｐの開口領域に平面視で重なる様に配置され、画素電極２８のエッジ部は遮光層２２ａ又は遮光層２６ａと重なっている。画素電極２８は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜からなる。配向膜２９は、画素電極２８を覆う様に設けられている。液晶４０は、素子基板２０の配向膜２９と対向基板３０の配向膜３５との間に挟持されている。

尚、ＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４に電気信号を供給する電極や配線等（図示しない）とは、平面視で遮光層２２や遮光層２２ａ及び遮光層２６や遮光層２６ａに重なる領域に設けられている。これらの電極や配線等が遮光層２２や遮光層２２ａ及び遮光層２６や遮光層２６ａを兼ねる構成であっても良い。

実施形態１に係る液晶装置１では、例えば、光源等から発せられた光は、マイクロレンズＭＬを備える対向基板３０側から入射し、マイクロレンズＭＬに依って集光される。例えば、遮光層２２ａや遮光層２６ａと平面視にて重なる領域に入射した光でも、マイクロレンズＭＬ（第一透光性材１１と第二透光性材１２との屈折率差に依る屈折）にて、画素Ｐの平面的な中心側へと集光される。液晶装置１では、この様にマイクロレンズＭＬ間の境界Ｂへの入射光も、境界Ｂに於ける集光作用に依って画素Ｐの開口領域内に入射させられ、液晶４０を通過する事ができる。この結果、素子基板２０側から出射される光量が増大し、光の利用効率が高められる訳である。本願発明人が鋭意研究した所に依ると、従来のマイクロレンズＭＬを用いた電気光学装置で光の利用効率が低かった理由は、以下の様に説明される。即ち、特許文献１に記載されている様なマイクロレンズアレイを用いた電気光学装置では、マイクロレンズ間の境界が鋭角状となっており（微分不能点となっており）、光の散乱性が高くなる事がある。この傾向はマイクロレンズサイズ（画素サイズ）が小さくなる程深刻で、その為に高精細な画素を有する液晶装置に特許文献１に記載されている様なマイクロレンズアレイを用いた場合、境界に於ける散乱に依る光束の広がりが深刻となる。即ち、高精細なマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイの場合、マイクロレンズ間の境界に於ける散乱光の割合が大きくなる。従来のマイクロレンズアレイを用いた電気光学装置からの出射光の立体角は大きくなるので、投射レンズに入射される割合が減り、従来の電気光学装置では明るさが低下していた、と考えられる。

そこで本実施形態のマイクロレンズアレイ１０では、第一マイクロレンズＭＬ１と第二マイクロレンズＭＬ２との境界Ｂに於いて、第一透光性材１１と第二透光性材１２の界面を滑らかにつなげて、境界Ｂに於ける光の散乱を抑制し、光の利用効率を高めているのである。

「電気光学装置の製造方法」
図４は、実施形態１に係るマイクロレンズアレイの製造方法を示す概略断面図である。次に、実施形態１に係るマイクロレンズアレイ１０を有する液晶装置１の製造方法を、図４を参照して、説明する。尚、図４は、説明を分かり易くする為に、マイクロレンズアレイ１０が完成した際に、５個のマイクロレンズＭＬに相当する断面図を描いてある。又、図示しないが、マイクロレンズアレイ１０の製造工程では、マイクロレンズアレイ１０を複数枚取る事ができる大型の基板（マザー基板）で加工が行われ、最終的にそのマザー基板を切断して個片化する事に依り、複数のマイクロレンズアレイ１０が得られる。従って、以下に説明する各工程では個片化する前のマザー基板の状態で加工が行われるが、ここでは、マザー基板の中の個別のマイクロレンズアレイ１０に対する加工について説明する。

まず、基板上に第一透光性材１１を形成する工程を行う。本実施形態では、石英基板が第一透光性材１１を兼用しているので、この工程は石英基板を準備する工程となる。

次に、第一透光性材１１上に不図示のマスク層を形成する工程を進める。マスク層は、複数個の開口部（不図示）を有し、各開口部は、平面視にて、マイクロレンズアレイ１０が完成した際にマイクロレンズの頂点（マイクロレンズピーク）と平面視で一致する部位である。

この様なマスク層は第一透光性材１１の上面に、例えば、多結晶シリコン等で形成される。マスク層となる多結晶シリコンは、例えば、化学気相堆積法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）や物理気相堆積法（例えば、スパッタリング法等）等で堆積される。堆積された薄膜にはフォトリソグラフィー法とドライエッチング処理とが施されて、開口部を有するマスク層が形成される。

次に、マスク層を介して第一透光性材１１に等方性エッチングを施す事に依り、第一透光性材１１に第１の凹部１３１を形成する工程を進める。即ち、マスク層を介して第一透光性材１１に、例えばフッ化水素酸水溶液等のエッチング液を用いたウエットエッチング等の等方性エッチング処理を施す。このエッチング処理により、第一透光性材１１が上面側から開口部を中心として等方的にエッチングされる。この結果、図４（ａ）に示す様に、第一透光性材１１に、開口部に対応して第１の凹部１３１が形成される。このエッチング処理に依り、第１の凹部１３１は半球状に形成され、平面視では開口部を中心として同心円状となる。開口部からの平面方向（Ｘ方向及びＹ方向）へのエッチング量と深さ方向（Ｚ方向）へのエッチング量とは、ほぼ同程度である。エッチング処理が終了した後、第一透光性材１１からマスク層を除去する。この状態では、隣り合う第１の凹部１３１間の境界は鋭角な凸状となっている。

次に、第１の凹部１３１を覆う様に保護部材を形成する工程を進める。保護部材には、一例として、フォトレジスト１４を用いる事ができる。フォトレジスト１４は第１の凹部１３１間の鋭角な凸状の境界を覆い、且つ第１の凹部１３１にて凹状に窪む様に形成する。この結果、図４（ａ）に示す様に、フォトレジスト１４の表面形状は滑らかとなる。

次に、保護部材であるフォトレジスト１４及び第一透光性材１１をエッチングして、図４（ｂ）に示す様に、第一透光性材１１に第２の凹部１３２を形成する工程を進める。この際に、保護部材のエッチングレートと第一透光性材のエッチングレートとをほぼ等しくする。斯うすると、エッチング後に形成される第２の凹部１３２の形状は、図４（ａ）に示したフォトレジスト１４の最初の表面形状とほぼ同じとなる。即ち、フォトレジスト１４の最初の表面形状が第一透光性材１１に転写されて、第２の凹部１３２の表面形状は滑らかとなる。保護部材がフォトレジスト１４で、第一透光性材１１が酸化珪素膜の場合、保護部材のエッチングレートと第一透光性材１１のエッチングレートとをほぼ等しくするには、フッ化炭素（例えば四フッ化炭素、ＣＦ₄）と酸素（Ｏ₂）とを原料ガスとして化学ドライエッチング法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｒｙ Ｅｔｃｈｉｎｇ、ＣＤＥ法）等のプラズマエッチング法を用いる事ができる。この際にフッ化炭素と酸素との割合を適宜調整する事で、保護部材のエッチングレートと第一透光性材１１のエッチングレートとをほぼ等しくする事ができる。

次に、第一透光性材１１よりも屈折率が高い第二透光性材１２を、第２の凹部を覆う様に形成する工程をすすめる。即ち、第２の凹部１３２を第一透光性材１１の屈折率とは異なる屈折率を有する第二透光性材１２にて埋め込む工程を進める。まず、第一透光性材１１の全領域を覆い第２の凹部１３２を埋め込む様に、光透過性を有し、第一透光性材１１よりも高い屈折率を有する無機材料からなる第二透光性材１２を成膜する。第二透光性材１２は、例えばＣＶＤ法を用いて形成する事ができる。第二透光性材１２は第一透光性材１１の上面に堆積する様に形成される為、第二透光性材１２の表面は第一透光性材１１の第２の凹部１３２及びに起因する凹凸が反映された凹凸形状となる。第二透光性材１２を堆積した後に、この膜に対して平坦化処理を施す。平坦化処理では、例えば、化学機械的研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等を用いて、第二透光性材１２の上層の凹凸が形成された部分を研磨して除去する事により、第二透光性材１２の上面が平坦化される。斯うして、図４（ｃ）に示す様に、第二透光性材１２の上面が平坦化されて、マイクロレンズアレイ１０が完成する。

次に、公知の技術を用いて、マイクロレンズアレイ１０上に、光路長調整層３１と、遮光層３２と、保護層３３と、共通電極３４と、配向膜３５とを順に形成して対向基板３０を得る。以降の工程は、詳細な図示を省略し、図３を参照して説明する。一方、基板２１上に、遮光層２２と、絶縁層２３と、ＴＦＴ２４と、絶縁層２５と、遮光層２６と、絶縁層２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを順に形成して素子基板２０を得る。

次に、素子基板２０と対向基板３０との間に、熱硬化性又は光硬化性の接着剤をシール材４２（図１参照）として配置して硬化させる。これにより、素子基板２０と対向基板３０とが接合されて、液晶装置１が完成する。

「電子機器」
次に、電子機器について図５を参照して説明する。図５は、実施形態１に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。

図５に示す様に、実施形態１に係る電子機器としてのプロジェクター（投射型表示装置）１００は、偏光照明装置１１０と、２つのダイクロイックミラー１０４，１０５と、３つの反射ミラー１０６，１０７，１０８と、５つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３，１１４，１１５と、３つの液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３と、クロスダイクロイックプリズム１１６と、投射レンズ１１７とを備えている。

偏光照明装置１１０は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプ等の白色光源からなる光源としてのランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とを備えている。ランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とは、システム光軸Ｌに沿って配置されている。

ダイクロイックミラー１０４は、偏光照明装置１１０から出射された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１０５は、ダイクロイックミラー１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１０６で反射した後にリレーレンズ１１５を経由して液晶ライトバルブ１２１に入射する。ダイクロイックミラー１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１１４を経由して液晶ライトバルブ１２２に入射する。ダイクロイックミラー１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３と２つの反射ミラー１０７，１０８とで構成される導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３に入射する。

光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、クロスダイクロイックプリズム１１６の色光ごとの入射面に対して其々対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１１６に向けて出射される。

クロスダイクロイックプリズム１１６は、４つの直角プリズムが貼り合わされて構成されており、その内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜に依って３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１１７に依ってスクリーン１３０上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１は、上述した液晶装置１が適用されたものである。液晶ライトバルブ１２１は、色光の入射側と出射側とに於いてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２，１２３も同様である。

実施形態１に係るプロジェクター１００の構成によれば、複数の画素Ｐが高精細に配置されていても、入射した色光を効率よく利用可能でマイクロレンズＭＬ間の散乱に起因する光の広がり角度がより小さく抑えられた液晶装置１を備えているので、品質が高く明るいプロジェクター１００を提供する事ができる。

（実施形態２）
「製造方法が異なる形態１」
図６は、実施形態２に係わるマイクロレンズアレイを有する対向基板を説明する断面図である。次に、図６を参照して、実施形態２に係わるマイクロレンズアレイ１０とその製造方法とを説明する。尚、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図６に示す本実施形態のマイクロレンズアレイ１０は、図４（ｃ）に示された実施形態１のマイクロレンズアレイ１０と比べて、製造方法が異なっている。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。実施形態１のマイクロレンズアレイ１０（図４（ｃ））では、エッチング法に依って第２の凹部１３２が形成されていた。これに対し、本実施形態のマイクロレンズアレイ１０では、図６に示す様に、薄膜の堆積法に依って第２の凹部１３２が形成される。

本実施形態のマイクロレンズアレイの製造方法は、第一透光性材１１に第１の凹部１３１を形成する工程と、第２の凹部１３２を形成する工程と、第一透光性材１１よりも屈折率が高い第二透光性材１２を、第２の凹部を覆う様に形成する工程と、を含んでいる。この内で、第２の凹部１３２を形成する工程以外は実施形態１と同様である。

図６に示す様に、第２の凹部１３２を形成する工程では、第一透光性材１１とほぼ同じ屈折率を有する第三透光性材１３を第１の凹部１３１を覆う様に形成する。この際に、第三透光性材１３は、化学気相堆積法等にて、コンフォーマルに堆積される。換言すると、第１の凹部１３１の表面形状に沿って第三透光性材１３を形成する。第三透光性材１３は第一透光性材１１とほぼ同じ屈折率を有する事が好ましいので、同じ材料とするのが好適である。本実施形態では、第一透光性材１１が石英であるので、第三透光性材１３を酸化珪素膜としている。酸化珪素膜は化学気相堆積法にて容易にコンフォーマルに形成される事ができる。一例としては、テトラエチルオーソシリケート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ、ＴＥＯＳ、Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）と酸素とを原料ガスとして、大気圧化学気相堆積法等で第三透光性材１３となる酸化珪素膜を堆積する。

次いで、第三透光性材を覆う様に第二透光性材１２を形成する。以降の工程は実施形態１と同様である。

斯うした製造方法を採っても、実施形態１と同じ効果が得られる。

（実施形態３）
「製造方法が異なる形態２」
図７は、実施形態３に係わるマイクロレンズアレイの製造方法を説明する断面図である。次に、図７を参照して、実施形態３に係わるマイクロレンズアレイ１０とその製造方法とを説明する。尚、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

図７に示す本実施形態のマイクロレンズアレイ１０は、図４（ｃ）に示された実施形態１のマイクロレンズアレイ１０と比べて、製造方法が異なっている。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。実施形態１のマイクロレンズアレイ１０（図４（ｃ））では、第一透光性材１１をエッチングする事に依って第２の凹部１３２が形成されていた。これに対し、本実施形態のマイクロレンズアレイ１０では、図７に示す様に、第二透光性材１２をエッチングする事に依ってマイクロレンズアレイ１０を形成している。

本実施形態のマイクロレンズアレイの製造方法は、第１凸形状１５１をなす第二透光性材１２を形成する工程と、第１凸形状１５１をなす第二透光性材１２を覆う様に保護部材（フォトレジスト１４）を形成する工程と、保護部材（フォトレジスト１４）及び第１凸形状１５１をなす第二透光性材１２をエッチングして第２凸形状１５２をなす第二透光性材１２を形成する工程（第２の凹部１３２を形成する工程）と、第二透光性材１２よりも屈折率が低い第一透光性材１１を、第２凸形状１５２をなす第二透光性材１２を覆う様に形成する工程と、を含んでいる。

まず、マイクロレンズアレイ１０の元基板１０９を準備する。本実施形態では、元基板１０９として石英基板を用いている。

次に、第１凸形状１５１をなす第二透光性材１２を形成する工程を行う。まず、元基板１０９上に第二透光性材１２をＣＶＤ法等で形成する。第二透光性材１２は酸窒化珪素膜や窒化珪素膜等である。酸窒化珪素膜や窒化珪素膜等はモノシラン（ＳｉＨ₄）や亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）、アンモニア（ＮＨ₃）等を原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法等で堆積する事ができる。斯うした第二透光性材１２上に不図示のフォトレジストを半球状（凸状）に形成する。半球状（凸状）のフォトレジストは、リフロー法やグレースケールマスク法等で形成される。リフロー法とはフォトレジストを立方体状に形成した後に熱を掛けて、立方体のフォトレジストをリフローさせて半球状（凸状）とする方法である。又、グレースケールマスク法とは、中心から同心円状に光の透過率が変わる様にしたマスクを用いて露光する事で現像後のフォトレジストを半球状（凸状）とする方法である。

次に、フォトレジストのエッチングレートと第二透光性材１２のエッチングレートとをほぼ等しくして、エッチングを行う。斯うすると、エッチング後に形成される第二透光性材１２の形状は、半球状（凸状）のフォトレジストの形状とほぼ同じとなる。即ち、半球状（凸状）のフォトレジストの表面形状が、図７（ａ）に示す様に、第二透光性材１２に転写されて、第二透光性材１２は第１凸形状１５１となる。第二透光性材１２が酸窒化珪素膜や窒化珪素膜の場合、フォトレジストのエッチングレートと第二透光性材１２のエッチングレートとをほぼ等しくするには、フッ化炭素（例えば四フッ化炭素、ＣＦ₄）と酸素とを原料ガスとしてＣＤＥ法等のプラズマエッチング法を用いる事ができる。この際にフッ化炭素と酸素との割合を適宜調整する事で、フォトレジストのエッチングレートと第二透光性材１２のエッチングレートとをほぼ等しくする事ができる。第１凸形状１５１の第二透光性材１２の境界は鋭利となっている。

次に、第２の凹部１３２を形成する工程を行う。第２の凹部１３２を形成する工程は第１凸形状１５１をなす第二透光性材１２を覆う様に保護部材（フォトレジスト１４）を形成する工程と、保護部材（フォトレジスト１４）及び第１凸形状１５１をなす第二透光性材１２をエッチングして第２凸形状１５２をなす第二透光性材１２を形成する工程と、を含んでいる。まず、図７（ａ）に示す様に、第１凸形状１５１をなす第二透光性材１２を覆う様に保護部材（フォトレジスト１４）を塗布する。フォトレジスト１４の量を適宜調整して、第１凸形状１５１をなす第二透光性材１２間の鋭角な凹状の境界を厚く覆い、且つ第１凸形状１５１の頂点を薄く覆う様にフォトレジスト１４を形成する。この結果、図７（ａ）に示す様に、フォトレジスト１４の表面形状は滑らかとなる。次に、フォトレジスト１４のエッチングレートと第二透光性材１２のエッチングレートとをほぼ等しくして、保護部材（フォトレジスト１４）及び第１凸形状１５１をなす第二透光性材１２のエッチングを行う。斯うすると、エッチング後に形成される第二透光性材１２の形状は、滑らかとなる。即ち、図７（ａ）に示す滑らかなフォトレジスト１４の表面形状が、図７（ｂ）に示す様に、第二透光性材１２に転写されて、第二透光性材１２の表面は滑らかとなる。

次に、第二透光性材１２よりも屈折率が低い第一透光性材１１を、第２凸形状１５２をなす第二透光性材１２を覆う様に形成する工程を進める。即ち、第２凸形状１５２をなす第二透光性材１２とは異なる屈折率を有する第一透光性材１１にて埋め込む工程を進める。第一透光性材１１としては、酸化珪素膜を用いる事ができる。まず、第二透光性材１２の全領域を覆い第２凸形状１５２を埋め込む様に、光透過性を有し、第二透光性材１２よりも低い屈折率を有する無機材料からなる第一透光性材１１を成膜する。第一透光性材１１は、例えばＣＶＤ法を用いて形成する事ができる。第一透光性材１１は第二透光性材１２の上面に堆積する様に形成される為、第一透光性材１１の表面は第二透光性材１２に起因する凹凸が反映された凹凸形状となる。そこで、第一透光性材１１を堆積した後に、この膜に対して平坦化処理を施す。平坦化処理では、例えば、化学機械的研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等を用いて、第一透光性材１１の上層の凹凸が形成された部分を研磨して除去する事により、第一透光性材１１の上面が平坦化される。図７（ｂ）に示す様に、第一透光性材１１の上面が平坦化されると、マイクロレンズアレイ１０が完成する。マイクロレンズアレイ１０が完成した際には、第２凸形状１５２は第２の凹部１３２となる。

斯うした製造方法を採っても、実施形態１と同じ効果が得られる。

本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。

Ｅ…表示領域、ＭＬ…マイクロレンズ、Ｐ…画素、１…液晶装置、２…走査線、３…データ線、４…容量線、５…蓄積容量、１０…マイクロレンズアレイ、１１…第一透光性材、１２…第二透光性材、１３…第三透光性材、１４…フォトレジスト、２０…素子基板、２１…基板、２２…遮光層、２２ａ…遮光層、２３…絶縁層、２４…ＴＦＴ、２５…絶縁層、２６…遮光層、２６ａ…遮光層、２７…絶縁層、２８…画素電極、２９…配向膜、３０…対向基板、３１…光路長調整層、３２…遮光層、３３…保護層、３４…共通電極、３５…配向膜、４０…液晶、４２…シール材、５１…データ線駆動回路、５２…走査線駆動回路、５３…検査回路、５４…外部接続端子、５５…配線、５６…上下導通部、１００…プロジェクター、１０１…ランプユニット、１０２…インテグレーターレンズ、１０３…偏光変換素子、１０４…ダイクロイックミラー、１０５…ダイクロイックミラー、１０６…反射ミラー、１０７…反射ミラー、１０８…反射ミラー、１０９…元基板、１１０…偏光照明装置、１１１…リレーレンズ、１１２…リレーレンズ、１１３…リレーレンズ、１１４…リレーレンズ、１１５…リレーレンズ、１１６…クロスダイクロイックプリズム、１１７…投射レンズ、１２１…液晶ライトバルブ、１２２…液晶ライトバルブ、１２３…液晶ライトバルブ、１３０…スクリーン、１３１…第１の凹部、１３２…第２の凹部、１５１…第１凸形状、１５２…第２凸形状。

Claims (11)

1. 第一透光性材に第１の凹部を形成する工程と、
   前記第１の凹部を覆う様に保護部材を形成する工程と、
   前記保護部材及び前記第一透光性材をエッチングして前記第一透光性材に第２の凹部を形成する工程と、
   前記第一透光性材よりも屈折率が高い第二透光性材を、前記第２の凹部を覆う様に形成する工程と、を含む事を特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。
2. 第一透光性材に第１の凹部を形成する工程と、
   前記第一透光性材と略同じ屈折率を有する第三透光性材を前記第１の凹部を覆う様に形成する工程と、
   前記第一透光性材よりも屈折率が高い第二透光性材を、前記第三透光性材を覆う様に形成する工程と、を含む事を特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。
3. 第１凸形状を有する第二透光性材を形成する工程と、
   前記第１凸形状を有する第二透光性材を覆う様に保護部材を形成する工程と、
   前記保護部材及び前記第１凸形状を有する第二透光性材をエッチングして第２凸形状をなす第二透光性材を形成する工程と、
   前記第二透光性材よりも屈折率が低い第一透光性材を、前記第２凸形状を有するなす第二透光性材を覆う様に形成する工程と、を含む事を特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。
4. 前記第一透光性材の屈折率は１．４６から１．５０の範囲にある事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
5. 前記第一透光性材が酸化珪素膜である事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
6. 前記第二透光性材が酸窒化珪素膜である事を特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
7. 前記第二透光性材が窒化珪素膜である事を特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
8. 第一マイクロレンズと第二マイクロレンズとを有し、
   前記第一マイクロレンズと前記第二マイクロレンズとは、第一透光性材と、前記第一透光性材と異なる屈折率を有する第二透光性材と、を含み、
   前記第一マイクロレンズと前記第二マイクロレンズとの境界に於いて、前記第一透光性材と前記第二透光性材との界面が滑らかで有る事を特徴とするマイクロレンズアレイ。
9. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法にて製造されたマイクロレンズアレイを備えた事を特徴とする電気光学装置。
10. 請求項８に記載のマイクロレンズアレイを備えた事を特徴とする電気光学装置。
11. 請求項９又は１０に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。

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