JP2014109692A - マイクロレンズアレイ基板の製造方法、光学ユニット、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロレンズアレイ基板の製造方法は、光透過性を有する基板11の一面11aに凹部12を形成する凹部形成工程と、基板11の凹部12に光透過性を有する無機材料を充填して、基板11とは異なる屈折率を有するレンズ層13を形成するレンズ層形成工程と、を含み、レンズ層形成工程において形成するレンズ層13の屈折率を、レンズ層13に含まれる物質の組成比によって制御することを特徴とする。
【選択図】図5
Description
前記第1電気光学装置から射出された光と、前記第2電気光学装置から射出された光と、を合成して射出する光合成光学系と、を備え、前記第1マイクロレンズアレイ基板と前記第2マイクロレンズアレイ基板とは、上記適用例に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法で製造されており、前記第1マイクロレンズアレイ基板のレンズ層の屈折率は、前記第2マイクロレンズアレイ基板のレンズ層の屈折率と異なることを特徴とする。
<電気光学装置>
ここでは、電気光学装置として、薄膜トランジスター(Thin Film Transistor;TFT)を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置(プロジェクター)の光変調素子(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができるものである。
次に、第1の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板10の製造方法について、図4および図5を参照して説明する。図4および図5は、第1の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。図4および図5の各図は、図1のA−A’線に沿った断面に相当する。
次に、第2の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板およびその製造方法について、図7を参照して説明する。図7は、第2の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。図7の各図は、図1のA−A’線に沿った断面に相当する。
第2の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、第1の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法に対して、図5(a)に示す基板11に凹部12を形成する工程までは同じであるが、続くレンズ層形成工程が異なる。第2の実施形態におけるレンズ層形成工程は、レンズ材料を準備する準備工程と、レンズ材料を凹部12に充填する充填工程と、充填されたレンズ材料を焼成する焼成工程とを有する。
<電子機器>
次に、第3の実施形態に係る電子機器について図8を参照して説明する。図8は、第3の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。
上記の実施形態および変形例では、レンズ層13を基板11よりも光屈折率の高い材料で形成していたが、本発明はこのような形態に限定されない。レンズ層13を、基板11よりも光屈折率の低い材料で形成してもよい。
上記の実施形態および変形例では、液晶装置1において、マイクロレンズアレイ基板10,10Aを対向基板30に備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、マイクロレンズアレイ基板10,10Aを素子基板20に備えた構成としてもよい。また、マイクロレンズアレイ基板10,10Aを素子基板20および対向基板30の双方に備えた構成としてもよい。
上記の実施形態および変形例では、マイクロレンズML(凹部12)が断面視で略半球状などの曲面形状を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。マイクロレンズML(凹部12)が断面視で、例えばV字状など他の形状を有していてもよい。
上記の実施形態および変形例では、マイクロレンズアレイ基板10,10Aにおいて、マイクロレンズML(凹部12)がマトリックス状に配列された構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。マイクロレンズMLの配列は、画素Pの配列に対応して、例えば、ハニカム状の配列など異なる配列であってもよい。
上記の実施形態の電子機器(プロジェクター100)では、液晶装置1が適用された3枚の液晶ライトバルブ121,122,123を備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。電子機器は、2枚の液晶ライトバルブ(液晶装置1)を備えた構成であってもよいし、4枚以上の液晶ライトバルブ(液晶装置1)を備えた構成であってもよい。
Claims (6)
- 光透過性を有する基板の一面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記基板の前記凹部に光透過性を有する無機材料を充填して、前記基板とは異なる屈折率を有するレンズ層を形成するレンズ層形成工程と、を含み、
前記レンズ層形成工程において形成する前記レンズ層の屈折率を、前記レンズ層に含まれる物質の組成比によって制御することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記レンズ層形成工程では、CVD法により、酸素を含む第1ガスと、窒素を含む第2ガスと、ケイ素を含むガスと、を供給して、酸窒化ケイ素からなる前記レンズ層を形成し、
供給する前記第1ガスと前記第2ガスとの流量比を変えることにより、前記レンズ層に含まれる酸素と窒素との組成比を調整することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記レンズ層形成工程では、ケイ素を含む第1材料と、ゲルマニウムを含む第2材料と、を含む粉末状の混合物を焼成して前記レンズ層を形成し、
前記混合物における前記第1材料と前記第2材料との重量比を変えることにより、前記レンズ層に含まれるゲルマニウムとケイ素との組成比を調整することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 第1マイクロレンズアレイ基板を有し、第1波長域の光が供給される第1電気光学装置と、
第2マイクロレンズアレイ基板を有し、前記第1波長域とは波長域が異なる第2波長域の光が供給される第2電気光学装置と、
前記第1電気光学装置から射出された光と、前記第2電気光学装置から射出された光と、を合成して射出する光合成光学系と、を備え、
前記第1マイクロレンズアレイ基板と前記第2マイクロレンズアレイ基板とは、請求項1から3のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法で製造されており、
前記第1マイクロレンズアレイ基板のレンズ層の屈折率は、前記第2マイクロレンズアレイ基板のレンズ層の屈折率と異なることを特徴とする光学ユニット。 - 請求項4に記載の光学ユニットであって、
前記第1マイクロレンズアレイ基板の凹部の曲率は、前記第2マイクロレンズアレイ基板の凹部の曲率と同じであることを特徴とする光学ユニット。 - 請求項4または5に記載の光学ユニットを備えていることを特徴とする電子機器。
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