JP2021043275A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の電気光学装置の一例として、アクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。
図1は、本実施形態に係る電気光学装置100の平面図である。図2は、図1中のA−A線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を適宜用いて説明する。また、X軸に沿う一方向をX1方向といい、X1方向とは反対の方向をX2方向という。同様に、Y軸に沿う一方向をY1方向といい、Y1方向とは反対の方向をY2方向という。Z軸に沿う一方向をZ1方向といい、Z1方向とは反対の方向をZ2方向という。
図3は、素子基板2の電気的な構成を示す等価回路図である。図3に示すように、素子基板2には、n本の走査線244とm本のデータ線246とn本の容量線245とが設けられる。nおよびmはそれぞれ2以上の整数である。
図4は、電気光学装置100の一部を示す断面図である。図4に示すように、素子基板2は、第1基体21、遮光体241、配線層20、複数の画素電極27および第1配向膜29を有する。
図4に示すように、対向基板4は、第2基体41、導光層40、保護層44、共通電極45、複数のスペーサー5、コート層46および第2配向膜47を有する。
図7は、スペーサー5およびその近傍を示す断面図である。なお、以下の説明では、Z2方向を上方とし、Z1方向を下方として説明する。図7に示すように、共通電極45上には、柱状のスペーサー5が配置される。スペーサー5は、素子基板2と対向基板4との間の距離を規定する。具体的には、図4に示すように、スペーサー5は、画素電極27と共通電極45との間の距離を規定する。別の見方をすれば、スペーサー5は、液晶層9の厚さを規定する。スペーサー5は、共通電極45から素子基板2に向かって、Z2方向に突出する。スペーサー5の先端面502は、コート層46および第2配向膜47を介して素子基板2に接続される。先端面502は、スペーサー5のうち対向基板4から最も遠い面である。なお、スペーサー5の先端面502は、直接的に素子基板2に接触してもよい。
図8、図9、図10、図11および図12は、それぞれスペーサー5等の製造方法について説明するための断面図である。
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。
電気光学装置100は、各種電子機器に用いることができる。
Claims (8)
- 透光性を有する複数の画素電極を有する第1基板と、
透光性を有する共通電極を有する第2基板と、
前記複数の画素電極と、前記共通電極との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、
前記第2基板には、前記第1基板と前記第2基板との間の距離を規定するスペーサーが設けられ、
前記スペーサーは、
第1無機材料で構成される第1無機材料層と、
前記第1無機材料層と前記共通電極との間に設けられ、前記第1無機材料と異なる第2無機材料で構成される遮光性の第2無機材料層と、を有することを特徴とする電気光学装置。 - 前記第2無機材料は、窒化ケイ素、または金属を含む材料を含む請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第1無機材料は、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素を含む請求項1または2に記載の電気光学装置。
- 前記スペーサーは、前記第2無機材料層と前記共通電極との間に配置され、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素を含む第3無機材料層を有する請求項1から3のいずれか1項に記載の電気光学装置。
- 前記スペーサーの表面には、ケイ素を含む無機材料で構成されるコート層が設けられる請求項1から4のいずれか1項に記載の電気光学装置。
- 前記スペーサーは、前記第2基板から前記第1基板に向かって突出しており、
前記スペーサーにおいて、少なくとも前記第1無機材料層における基端面の幅は、前記第1無機材料層における先端面の幅よりも大きい請求項1から5のいずれか1項に記載の電気光学装置。 - 前記第2基板は、透光性の基材と、前記基材と前記共通電極との間に配置されるレンズ層と、を備え、
前記レンズ層は、第1レンズと、前記第2基板の厚さ方向からみて前記第1レンズと隣り合う第2レンズとを有し、
前記スペーサーは、前記厚さ方向からみて前記第1レンズと前記第2レンズとの間に設けられる請求項1から6のいずれか1項に記載の電気光学装置。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。
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Citations (9)
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JP2001222000A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶パネル及び液晶プロジェクター |
JP2005107494A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-04-21 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2006039476A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 反射型液晶表示パネル |
JP2008516286A (ja) * | 2004-10-05 | 2008-05-15 | キム,ギホン | 液晶・オン・シリコンマイクロディスプレイでのカーボンナノチューブ技術 |
JP2009169064A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 横電界液晶駆動方式用カラーフィルタ |
JP2010237660A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR20120032375A (ko) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 액정표시장치용 컬러필터기판의 제조방법 |
US20170102574A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Samsung Display Co., Ltd | Display device |
JP2020529624A (ja) * | 2017-08-18 | 2020-10-08 | エルジー・ケム・リミテッド | 基板 |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001222000A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶パネル及び液晶プロジェクター |
JP2005107494A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-04-21 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2006039476A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 反射型液晶表示パネル |
JP2008516286A (ja) * | 2004-10-05 | 2008-05-15 | キム,ギホン | 液晶・オン・シリコンマイクロディスプレイでのカーボンナノチューブ技術 |
JP2009169064A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 横電界液晶駆動方式用カラーフィルタ |
JP2010237660A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR20120032375A (ko) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 액정표시장치용 컬러필터기판의 제조방법 |
US20170102574A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Samsung Display Co., Ltd | Display device |
JP2020529624A (ja) * | 2017-08-18 | 2020-10-08 | エルジー・ケム・リミテッド | 基板 |
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