CN220290833U - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置包括：基板，包括具备第一透过区域和像素区域的显示区域以及具备第二透过区域和虚设像素区域的非显示区域；发光元件，包括配置在基板上的像素区域中的下部电极；虚设图案，配置在基板上的虚设像素区域中，包括与下部电极相同的物质；像素定义膜，配置在基板和下部电极上的显示区域中，定义有使下部电极的上表面露出的第一开口部；以及反射调节层，配置在基板和虚设图案上的非显示区域中，包括与像素定义膜相同的物质，定义有使虚设图案的上表面露出的第二开口部。

Description

显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示装置。更详细而言，本实用新型涉及提供视觉信息的显示装置。
背景技术
随着信息化技术的发展，作为使用者与信息间的连接媒介的显示装置其重要性日益显著。例如，如液晶显示装置(liquid crystal display device；LCD)、有机发光显示装置(organic light emitting display device；OLED)、等离子体显示装置(plasmadisplay device；PDP)、量子点显示装置(quantum dot display device)等这样的显示装置的使用正在增加。
近几年，正在开发具备透过区域和像素区域而可以使位于显示装置的后表面的对象的图像透过的透明显示装置。在此，具备所述透过区域和所述像素区域的显示区域可以是透明的，但是包围所述显示区域的非显示区域可以是不透明的。但是，由于所述显示区域和所述非显示区域中的反射率和透过率的差异，制造所述非显示区域透明的显示装置并不容易。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，提供改善显示品质的显示装置。
但是，本实用新型的目的并不限于如上所述的目的，在不超出本实用新型的思想和领域的范围内可以进行各种扩展。
为了达成前述的本实用新型的目的，本实用新型的实施例涉及的显示装置可以包括：基板，包括具备第一透过区域和像素区域的显示区域以及具备第二透过区域和虚设像素区域的非显示区域；发光元件，包括配置在所述基板上的所述像素区域中的下部电极；虚设图案，配置在所述基板上的所述虚设像素区域中，包括与所述下部电极相同的物质；像素定义膜，配置在所述基板和所述下部电极上的所述显示区域中，定义有使所述下部电极的上表面露出的第一开口部；以及反射调节层，配置在所述基板和所述虚设图案上的所述非显示区域中，包括与所述像素定义膜相同的物质，定义有使所述虚设图案的上表面露出的第二开口部。
在一实施例中，可以是，所述第一透过区域的面积和所述第二透过区域的面积相同。
在一实施例中，可以是，所述像素定义膜的所述第一开口部的大小不同于所述反射调节层的所述第二开口部的大小。
在一实施例中，可以是，所述发光元件还包括：发光层，配置在所述下部电极上的所述像素区域中；以及上部电极，配置在所述像素定义膜和所述发光层上。
在一实施例中，可以是，所述上部电极配置在所述显示区域和所述非显示区域的整体中。
在一实施例中，可以是，所述上部电极配置在除了所述第一透过区域和所述第二透过区域的其余区域中。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：封装结构物，配置在所述上部电极上的所述显示区域和所述非显示区域中，包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：第一遮光层，配置在所述封装结构物上的所述显示区域中，定义有分别与所述第一透过区域及所述像素区域重叠的第三开口部；第一滤色器层，配置在与所述像素区域重叠的所述第三开口部中；第二遮光层，配置在所述封装结构物上的所述非显示区域中，定义有分别与所述第二透过区域及所述虚设像素区域重叠的第四开口部；以及第二滤色器层，配置在与所述虚设像素区域重叠的所述第四开口部中。
在一实施例中，可以是，与所述像素区域重叠的所述第一遮光层的所述第三开口部的大小不同于与所述虚设像素区域重叠的所述第二遮光层的所述第四开口部的大小。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：缓冲层，配置在所述基板上的所述显示区域和所述非显示区域中；绝缘层，配置在所述缓冲层上的所述显示区域和所述非显示区域中；以及平坦化层，配置在所述绝缘层上的所述显示区域和所述非显示区域中，在所述绝缘层、所述平坦化层和所述像素定义膜中定义使位于所述第一透过区域中的所述缓冲层的上表面露出的第一透过窗，在所述绝缘层、所述平坦化层和所述反射调节层中定义使位于所述第二透过区域中的所述缓冲层的上表面露出的第二透过窗。
在一实施例中，可以是，所述虚设图案在平面上具有岛(island)形状。
在一实施例中，可以是，所述像素区域和所述虚设像素区域分别沿着第一方向以及与所述第一方向正交的第二方向被反复排列。
在一实施例中，可以是，所述第一透过区域排列在所述像素区域的左侧或右侧，所述第二透过区域排列在所述虚设像素区域的左侧或右侧。
为了达成前述的本实用新型的目的，本实用新型的实施例涉及的显示装置可以包括：基板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括第一透过区域和像素区域，所述非显示区域包括具有与所述第一透过区域的面积相同的面积的第二透过区域以及虚设像素区域；发光元件，包括配置在所述基板上的所述像素区域中的下部电极；虚设图案，配置在所述基板上的所述虚设像素区域中，配置在与所述下部电极相同的层上；像素定义膜，配置在所述基板和所述下部电极上的所述显示区域中，具有黑色；以及反射调节层，配置在所述基板和所述虚设图案上的所述非显示区域中，配置在与所述像素定义膜相同的层上。
在一实施例中，可以是，在所述像素定义膜中定义使所述下部电极的上表面露出的第一开口部，在所述反射调节层中定义使所述虚设图案的上表面露出的第二开口部，所述像素定义膜的所述第一开口部的大小不同于所述反射调节层的所述第二开口部的大小。
(实用新型效果)
在本实用新型的一实施例涉及的显示装置中，在非显示区域中可以配置包括与配置在显示区域中的下部电极相同的物质的虚设图案。此外，在非显示区域中可以配置包括与配置在显示区域中且具有黑色的像素定义膜相同的物质的反射调节层。由此，显示区域中的显示装置因外光引起的反射率和非显示区域中的显示装置因外光引起的反射率可以类似。
此外，在本实用新型的一实施例涉及的显示装置中，显示区域的第一透过区域的面积和非显示区域的第二透过区域的面积可以实质上相同。由此，显示区域中的显示装置的透过率和非显示区域中的显示装置的透过率可以类似。
但是，本实用新型的效果并不限于所述的效果，在不超出本实用新型的思想和领域的范围内可以进行各种扩展。
附图说明
图1是表示本实用新型的一实施例涉及的显示装置的平面图。
图2是放大表示图1的“A”区域的平面图。
图3是沿着图2的I-I′线以及Ⅱ-Ⅱ′线截取的剖视图。
图4至图8是表示图3的显示装置的制造方法的剖视图。
图9是表示本实用新型的其他实施例涉及的显示装置的显示区域和非显示区域的剖视图。
图10是表示本实用新型的又一实施例涉及的显示装置的显示区域和非显示区域的剖视图。
图11是表示包括图1的显示装置的电子设备的框图。
图12是表示将图11的电子设备实现为电视机的一例的图。
图13是表示将图11的电子设备实现为智能电话的一例的图。
符号说明：
100、1000、1100：显示装置；DA：显示区域；NDA：非显示区域；TA1：第一透过区域；TA2：第二透过区域；TW1：第一透过窗；TW2：第二透过窗；PA：像素区域；DPA：虚设像素区域；110：基板；120：缓冲层；130：栅极绝缘层；140：层间绝缘层；150：平坦化层；160：像素定义膜；250：反射调节层；170：下部电极；240：虚设图案；180：发光层；190：上部电极；300：发光元件；400：封装结构物；BM1：第一遮光层；BM2：第二遮光层；CF1：第一滤色器层；CF2：第二滤色器层。
具体实施方式
以下，参照附图，更详细说明本实用新型的实施例涉及的显示装置。对于附图上的同一构成要素使用同一符号，省略对于同一构成要素的重复说明。
图1是表示本实用新型的一实施例涉及的显示装置的平面图。
参照图1，本实用新型的一实施例涉及的显示装置100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以被定义为能够生成光或者调节从外部的光源提供的光的透过率来显示图像的区域。非显示区域NDA可以被定义为不显示图像的区域。非显示区域NDA可以被设置成与显示区域DA相邻。例如，非显示区域NDA可以包围显示区域DA的至少一部分。
在显示区域DA中可以配置多个像素PX。例如，多个像素PX分别可以包括半导体元件(例如，薄膜晶体管，图3的半导体元件200)、与所述半导体元件电连接的发光元件(例如，发光二极管，图3的发光元件300)等。所述发光元件可以从所述半导体元件接收信号来射出光。如上所述，显示装置100可以是多个像素PX射出光来显示图像。
多个像素PX可以沿着第一方向DR1以及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2被排列成矩阵形态。例如，第一方向DR1和第二方向DR2可以正交。
在非显示区域NDA中可以配置用于驱动多个像素PX的驱动部。例如，所述驱动部可以包括数据驱动部、栅极驱动部、发光驱动部、电源电压生成部、时序控制部等。多个像素PX可以基于从所述驱动部接收的信号来射出光。
图2是放大表示图1的“A”区域的平面图。
参照图1和图2，显示区域DA可以包括多个第一透过区域TA1以及多个像素区域PA，非显示区域NDA可以包括多个第二透过区域TA2以及多个虚设像素区域DPA。
多个像素区域PA分别可以包括第一像素区域PA1、第二像素区域PA2以及第三像素区域PA3。第一像素区域PA1至第三像素区域PA3可以沿着第一方向DR1以及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2被反复排列。例如，在显示区域DA的一个像素区域PA中，第一像素区域PA1可以沿着第一方向DR1被排列在该像素区域PA的第一行，第二像素区域PA2可以沿着第一方向DR1被排列在与所述第一行相邻的该像素区域PA的第二行，第三像素区域PA3可以沿着第一方向DR1被排列在与所述第二行相邻的该像素区域PA的第三行。这样的像素区域PA可以沿着第一方向DR1及第二方向DR2被反复排列在显示区域DA中。
第一像素区域PA1至第三像素区域PA3分别可以表示从所述发光元件射出的光被射出到显示装置100的外部的区域。例如，第一像素区域PA1可以射出第一颜色的光，第二像素区域PA2可以射出第二颜色的光，第三像素区域PA3可以射出第三颜色的光。在一实施例中，所述第一颜色可以是红色，所述第二颜色可以是绿色，所述第三颜色可以是蓝色。但是，本实用新型的构成并不限于此。例如，第一像素区域PA1至第三像素区域PA3可以被组合成射出黄色(yellow)、青绿色(cyan)和品红色(magenta)的光。
第三像素区域PA3的面积可以大于第一像素区域PA1及第二像素区域PA2各自的面积。在该情况下，第一像素区域PA1的面积可以与第二像素区域PA2的面积相同。但是，本实用新型的构成并不限于此，第一像素区域PA1的面积也可以不同于第二像素区域PA2的面积。
第一像素区域PA1至第三像素区域PA3分别可以具有三角形的平面形状、四边形的平面形状、圆形的平面形状、轨道形的平面形状、椭圆形的平面形状等。在一实施例中，第一像素区域PA1至第三像素区域PA3分别可以具有四边形的平面形状。但是，本实用新型的构成并不限于此，第一像素区域PA1至第三像素区域PA3分别也可以具有各种平面形状。
多个第一透过区域TA1分别可以使从外部入射的光透过。因此，在多个第一透过区域TA1中可以分别配置透过窗(例如，图3的第一透过窗TW1)。在此，在包围多个第一像素区域PA1至多个第三像素区域PA3以及多个第一透过区域TA1的部分中可以配置像素定义膜160。在像素定义膜160中可以定义与像素区域PA重叠的第一开口部165。
多个第一透过区域TA1可以沿着第一方向DR1以及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2被反复排列。例如，第一透过区域TA1可以位于第一像素区域PA1至第三像素区域PA3的左侧(或右侧)。
一个第一透过区域TA1、一个第一像素区域PA1、一个第二像素区域PA2以及一个第三像素区域PA3可以被定义为一个像素PX。
多个虚设像素区域DPA分别可以不射出特定颜色的光。即，在多个虚设像素区域DPA中分别可以不配置射出光的发光元件。
多个虚设像素区域DPA分别可以包括第一虚设像素区域DPA1、第二虚设像素区域DPA2以及第三虚设像素区域DPA3。在平面上，第一虚设像素区域DPA1至第三虚设像素区域DPA3分别可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2被反复排列。例如，在非显示区域NDA的一个虚设像素区域DPA中，第一虚设像素区域DPA1可以沿着第一方向DR1被排列在该虚设像素区域DPA的第一行，第二虚设像素区域DPA2可以沿着第一方向DR1被排列在与所述第一行相邻的该虚设像素区域DPA的第二行，第三虚设像素区域DPA3可以沿着第一方向DR1被排列在与所述第二行相邻的该虚设像素区域DPA的第三行。这样的虚设像素区域DPA可以沿着第一方向DR1及第二方向DR2被反复排列在非显示区域NDA中。
第三虚设像素区域DPA3的面积可以大于第一虚设像素区域DPA1及第二虚设像素区域DPA2各自的面积。在该情况下，第一虚设像素区域DPA1的面积可以与第二虚设像素区域DPA2的面积相同。但是，本实用新型的构成并不限于此，第一虚设像素区域DPA1的面积也可以不同于第二虚设像素区域DPA2的面积。
第一虚设像素区域DPA1至第三虚设像素区域DPA3分别可以具有三角形的平面形状、四边形的平面形状、圆形的平面形状、轨道形的平面形状、椭圆形的平面形状等。在一实施例中，第一虚设像素区域DPA1至第三虚设像素区域DPA3分别可以具有四边形的平面形状。但是，本实用新型的构成并不限于此，第一虚设像素区域DPA1至第三虚设像素区域DPA3分别也可以具有各种平面形状。
多个第二透过区域TA2分别可以使从外部入射的光透过。因此，在多个第二透过区域TA2中分别可以配置透过窗(例如，图3的第二透过窗TW2)。在此，在包围多个第一虚设像素区域DPA1至多个第三虚设像素区域DPA3以及多个第二透过区域TA2的部分可以配置反射调节层250。反射调节层250可以定义有与虚设像素区域DPA重叠的第二开口部255。
多个第二透过区域TA2可以沿着第一方向DR1以及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2被反复排列。例如，第二透过区域TA2可以位于第一虚设像素区域DPA1至第三虚设像素区域DPA3的左侧(或右侧)。
第一透过区域TA1的面积和第二透过区域TA2的面积可以类似。在一实施例中，第一透过区域TA1的面积和第二透过区域TA2的面积实质上可以相同。在该情况下，第一透过区域TA1的透过率和第二透过区域TA2的透过率可以类似。例如，第一透过区域TA1的透过率与第二透过区域TA2的透过率之差可以约在10％以下。优选地，第一透过区域TA1的透过率与第二透过区域TA2的透过率之差可以约在5％以下。由此，非显示区域NDA中的显示装置100的透过率和显示区域DA中的显示装置100的透过率可以类似。
像素区域PA的面积可以不同于虚设像素区域DPA的面积。即，第一开口部165的大小可以不同于第二开口部255的大小。在一实施例中，虚设像素区域DPA的面积可以小于像素区域PA的面积。即，第二开口部255的大小可以小于第一开口部165的大小。在该情况下，显示区域DA中的显示装置100因外光引起的反射率和非显示区域NDA中的显示装置100因外光引起的反射率可以类似。例如，显示区域DA中的显示装置100因外光引起的反射率与非显示区域NDA中的显示装置100因外光引起的反射率之差可以约在10％以下。优选地，显示区域DA中的显示装置100因外光引起的反射率与非显示区域NDA中的显示装置100因外光引起的反射率之差可以约在3％以下。
通过显示装置100包括多个第一透过区域TA1，从而显示装置100可以在显示区域DA中实现透明显示装置。此外，通过显示装置100包括多个第二透过区域TA2，从而显示装置100可以在非显示区域NDA中也实现透明显示装置。
图3是沿着图2的I-I′线以及Ⅱ-Ⅱ′线截取的剖视图。例如，图3表示图2的显示装置100的显示区域DA和非显示区域NDA的一例。
参照图2和图3，本实用新型的一实施例涉及的显示装置100可以包括基板110、缓冲层120、半导体元件200、栅极绝缘层130、层间绝缘层140、平坦化层150、发光元件300、虚设图案240、像素定义膜160、反射调节层250以及封装结构物400。
在此，半导体元件200可以包括有源层ACT、栅电极GAT、源电极SE以及漏电极DE，发光元件300可以包括下部电极170、发光层180以及上部电极190，封装结构物400可以包括第一无机封装层210、有机封装层220以及第二无机封装层230。
如上所述，显示装置100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。通过显示装置100包括显示区域DA和非显示区域NDA，从而基板110也可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
基板110可以包括透明的物质或不透明的物质。基板110可以由透明树脂基板形成。作为所述透明树脂基板的例，可以列举聚酰亚胺基板等。在该情况下，所述聚酰亚胺基板可以包括第一有机层、第一阻挡层、第二有机层等。选择性地，基板110也可以包括石英(quartz)基板、合成石英(synthetic quartz)基板、氟化钙(calcium fluoride)基板、掺杂有氟的石英(F-doped quartz)基板、钠钙玻璃(sodalime)基板、无碱(non-alkali)玻璃基板等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。
在基板110上可以配置缓冲层120。缓冲层120可以防止金属原子或杂质从基板110扩散至半导体元件200的现象。此外，缓冲层120可以在基板110的表面不均匀的情况下执行提高基板110的表面的平坦度的作用。缓冲层120可以包括无机绝缘物质。例如，缓冲层120可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。
在缓冲层120上的显示区域DA中可以配置有源层ACT。具体而言，有源层ACT可以配置在显示区域DA的像素区域PA中。有源层ACT可以包括金属氧化物半导体、无机物半导体(例如，非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(polysilicon)等)或有机物半导体。有源层ACT可以包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域。
在缓冲层120上的显示区域DA和非显示区域NDA中可以配置栅极绝缘层130。栅极绝缘层130可以在显示区域DA中覆盖有源层ACT。例如，栅极绝缘层130可以在缓冲层120上充分覆盖有源层ACT，不会在有源层ACT的周围生成高低差，可以具有实质上平坦的上表面。选择性地，栅极绝缘层130也可以在缓冲层120上覆盖有源层ACT且以均匀的厚度沿着有源层ACT的轮廓配置。例如，栅极绝缘层130可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅碳化物(SiCx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、硅碳氧化物(SiOxCy)等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。
在栅极绝缘层130中可以定义使位于第一透过区域TA1中的缓冲层120的上表面露出的开口部。此外，在栅极绝缘层130中可以定义使位于第二透过区域TA2中的缓冲层120的上表面露出的开口部。
在栅极绝缘层130上的显示区域DA中可以配置栅电极GAT。具体而言，栅电极GAT可以配置在显示区域DA的像素区域PA中。栅电极GAT可以与有源层ACT的所述沟道区域重叠。例如，栅电极GAT可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。
在栅极绝缘层130上的显示区域DA和非显示区域NDA中可以配置层间绝缘层140。层间绝缘层140可以在显示区域DA中覆盖栅电极GAT。例如，层间绝缘层140可以在栅极绝缘层130上充分覆盖栅电极GAT，在栅电极GAT的周围不会生成高低差，可以具有实质上平坦的上表面。选择性地，层间绝缘层140也可以在栅极绝缘层130上覆盖栅电极GAT且以均匀的厚度沿着栅电极GAT的轮廓配置。例如，层间绝缘层140可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅碳化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。
在层间绝缘层140中可以定义使位于第一透过区域TA1中的缓冲层120的上表面露出的开口部。此外，在层间绝缘层140中可以定义使位于第二透过区域TA2中的缓冲层120的上表面露出的开口部。
在层间绝缘层140上的显示区域DA中可以配置源电极SE和漏电极DE。具体而言，源电极SE和漏电极DE分别可以配置在显示区域DA的像素区域PA中。源电极SE可以通过贯通栅极绝缘层130和层间绝缘层140的第一部分的接触孔而与有源层ACT的所述源极区域连接，漏电极D可以通过贯通栅极绝缘层130和层间绝缘层140的第二部分的接触孔而与有源层ACT的所述漏极区域连接。例如，源电极SE和漏电极DE分别可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。
由此，包括有源层ACT、栅电极GAT、源电极SE和漏电极DE的半导体元件200可以配置在基板110上的显示区域DA中。
在层间绝缘层140上的显示区域DA和非显示区域NDA中可以配置平坦化层150。平坦化层150可以在显示区域DA中充分覆盖源电极SE和漏电极DE。平坦化层150可以具有相对厚的厚度。
平坦化层150可以包括无机绝缘物质或有机绝缘物质。在一实施例中，平坦化层150可以包括有机绝缘物质。作为可以用于平坦化层150的所述有机绝缘物质的例，可以包括光致抗蚀剂、聚酰亚胺系树脂(例如，光敏性聚酰亚胺系树脂(photo sensitivepolyimide，PSPI))、聚酰胺系树脂、硅氧烷系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。
在平坦化层150中可以定义使位于第一透过区域TA1中的缓冲层120的上表面露出的开口部。此外，在平坦化层150中可以定义使位于第二透过区域TA2中的缓冲层120的上表面露出的开口部。
在平坦化层150上的显示区域DA中可以配置下部电极170。具体而言，下部电极170可以配置在显示区域DA的像素区域PA中。下部电极170可以通过贯通平坦化层150的一部分的接触孔而与漏电极DE连接。因此，下部电极170可以与半导体元件200电连接。例如，下部电极170可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。例如，下部电极170可以工作为阳极(anode)。
在平坦化层150上的非显示区域NDA中可以配置虚设图案240。具体而言，虚设图案240可以配置在非显示区域NDA的虚设像素区域DPA中。例如，虚设图案240可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。在一实施例中，虚设图案240可以在平面上具有岛(island)形状。在其他实施例中，虚设图案240也可以在平面上具有网格(mesh)形状。
在一实施例中，虚设图案240可以配置在与下部电极170相同的层上。即，虚设图案240可以包括与下部电极170相同的物质。
在平坦化层150上的显示区域DA中可以配置像素定义膜160。在像素定义膜160中可以定义使下部电极170的上表面露出且与像素区域PA重叠的第一开口部165。像素定义膜160可以包括无机绝缘物质或有机绝缘物质。作为可以用于像素定义膜160的所述有机绝缘物质的例，可以列举光致抗蚀剂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、硅氧烷系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。
像素定义膜160还可以包括具有黑色的遮光物质。在一实施例中，像素定义膜160可以包括黑色颜料、黑色染料、碳黑等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。
在平坦化层150上的非显示区域NDA中可以配置反射调节层250。在反射调节层250中可以定义使虚设图案240的上表面露出且与虚设像素区域DPA重叠的第二开口部255。通过调节反射调节层250的第二开口部255的大小，可以在非显示区域NDA中降低显示装置100因外光引起的反射率。
例如，反射调节层250可以包括如光致抗蚀剂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、硅氧烷系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂等这样的有机绝缘物质。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。在一实施例中，反射调节层250还可以包括黑色颜料、黑色染料、碳黑等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。
在一实施例中，反射调节层250可以配置在与像素定义膜160相同的层上。即，反射调节层250可以包括与像素定义膜160相同的物质。
在像素定义膜160中可以定义使位于第一透过区域TA1中的缓冲层120的上表面露出的开口部。此外，在反射调节层250中可以定义使位于第二透过区域TA2中的缓冲层120的上表面露出的开口部。
在一实施例中，定义在第一绝缘层(例如，栅极绝缘层130、层间绝缘层140、平坦化层150和像素定义膜160)中且使位于第一透过区域TA1中的缓冲层120的上表面露出的所述开口部可以相当于第一透过窗TW1。此外，定义在第二绝缘层(例如，栅极绝缘层130、层间绝缘层140、平坦化层150和反射调节层250)中且使位于第二透过区域TA2中的缓冲层120的上表面露出的所述开口部可以相当于第二透过窗TW2。
在下部电极170上的像素区域PA中可以配置发光层180。具体而言，发光层180可以配置在像素定义膜160的第一开口部165中。发光层180可以根据像素区域PA的种类来使用能够射出不同颜色的光(即，红色光、绿色光、蓝色光等)的发光物质之中的至少一种来形成。不同于此，发光层180也可以层叠能够射出红色光、绿色光、蓝色光等不同颜色的光的多个发光物质来整体射出白色光。
在像素定义膜160和发光层180上的显示区域DA中可以配置上部电极190。上部电极190可以从显示区域DA朝向非显示区域NDA延伸而配置在反射调节层250和虚设图案240上。即，上部电极190可以配置在显示区域DA和非显示区域NDA的整体中。例如，上部电极190可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。例如，上部电极190可以工作为阴极(cathode)。
由此，包括下部电极170、发光层180和上部电极190的发光元件300可以配置在基板110上的显示区域DA中。
在上部电极190上可以配置封装结构物400。封装结构物400可以配置在显示区域DA和非显示区域NDA的整体中。封装结构物400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
封装结构物400可以阻断来自外部的杂质流入发光元件300，保护发光元件300免受外部的影响。封装结构物400可以具有经由显示区域DA和非显示区域NDA而平坦的上表面。
封装结构物400可以包括配置在上部电极190上的第一无机封装层210、配置在第一无机封装层210上的有机封装层220以及配置在有机封装层220上的第二无机封装层230。第一无机封装层210和第二无机封装层230分别可以减少或实质上阻断如氧、水分等这样的杂质渗透至发光元件300的情况。有机封装层220可以提高封装结构物400的密封特性，缓和第一无机封装层210和第二无机封装层230的内部压力，向第二无机封装层230提供平坦的上表面。例如，第一无机封装层210和第二无机封装层230分别可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。可以单独或者彼此组合来使用这些物质。有机封装层220可以包括如聚丙烯酸酯等这样的高分子固化物。
在本实用新型的一实施例涉及的显示装置100中，在非显示区域NDA中可以配置包括与配置在显示区域DA中的下部电极170相同的物质的虚设图案240。在非显示区域NDA中可以配置包括与配置在显示区域DA中且具有黑色的像素定义膜160相同的物质的反射调节层250。由此，显示区域DA中的显示装置100因外光引起的反射率和非显示区域NDA中的显示装置100因外光引起的反射率(即，SCI反射率和SCE反射率)可以类似。换言之，在显示区域DA和非显示区域NDA中可以降低显示装置100因外光引起的反射率(即，SCE反射率)。
此外，在本实用新型的一实施例涉及的显示装置100中，显示区域DA的第一透过区域TA1的面积和非显示区域NDA的第二透过区域TA2的面积可以相同或类似。由此，显示区域DA中的显示装置100的透过率和非显示区域NDA中的显示装置100的透过率可以类似。
图4至图8是表示图3的显示装置的制造方法的剖视图。图4至图8表示与图3相同的截面。
参照图4，在基板110上的显示区域DA和非显示区域NDA中可以形成缓冲层120。基板110可以包括透明的物质或不透明的物质。缓冲层120可以由硅氧化物、硅氮化物等形成。
在缓冲层120上的像素区域PA中可以形成有源层ACT。例如，有源层ACT可以使用金属氧化物半导体、无机物半导体或有机物半导体来形成。
在缓冲层120上的显示区域DA和非显示区域NDA中可以形成栅极绝缘层130。栅极绝缘层130可以在显示区域DA中形成为覆盖有源层ACT。例如，栅极绝缘层130可以使用硅氧化物、硅氮化物等来形成。
在栅极绝缘层130上的像素区域PA中可以配置栅电极GAT。栅电极GAT可以形成为与有源层ACT的中心部重叠。例如，栅电极GAT可以使用金属、合金等来形成。
在栅极绝缘层130上的显示区域DA和非显示区域NDA中可以形成层间绝缘层140。层间绝缘层140可以在显示区域DA中形成为覆盖栅电极GAT。例如，层间绝缘层140可以使用硅氧化物、硅氮化物等来形成。
在层间绝缘层140上的像素区域PA中可以形成源电极SE和漏电极DE。首先，可以去除栅极绝缘层130和层间绝缘层140的第一部分来形成使有源层ACT的源极区域露出的第一接触孔。可以去除栅极绝缘层130和层间绝缘层140的第二部分来形成使有源层ACT的漏极区域露出的第二接触孔。然后，可以形成填充所述第一接触孔的源电极SE，并且形成填充所述第二接触孔的漏电极DE。例如，源电极SE和漏电极DE分别可以使用金属、合金、导电性金属氧化物等来形成。
在层间绝缘层140上的显示区域DA和非显示区域NDA中可以形成平坦化层150。平坦化层150可以形成为充分覆盖源电极SE和漏电极DE。例如，平坦化层150可以使用光敏性聚酰亚胺系树脂、硅氧烷系树脂等来形成。对平坦化层150的上表面可以执行平坦化工序。在一实施例中，可以通过化学机械研磨(chemical mechanical polishing；CMP)工序来实现平坦化层150的上表面的平坦化。由此，在非显示区域NDA和显示区域DA中可以降低显示装置100因外光引起的反射率(即，SCE反射率)。
在平坦化层150上的像素区域PA中形成下部电极170。首先，可以去除平坦化层150的一部分来形成使漏电极DE的上表面露出的接触孔。然后，可以形成填充所述接触孔的下部电极170。例如，下部电极170可以使用金属、合金、导电性金属氧化物等来形成。
在平坦化层150上的虚设像素区域DPA中可以形成虚设图案240。虚设图案240可以使用与下部电极170相同的物质来形成。换言之，虚设图案240可以通过与下部电极170相同的工序而与下部电极170同时形成。
在平坦化层150上的显示区域DA中可以形成像素定义膜160。在像素定义膜160中可以定义使下部电极170的上表面露出的第一开口部165。例如，像素定义膜160可以使用有机绝缘物质来形成。
在平坦化层150上的非显示区域NDA中可以形成反射调节层250。在反射调节层250中可以定义使虚设图案240的上表面露出的第二开口部255。反射调节层250可以使用与像素定义膜160相同的物质来形成。换言之，反射调节层250可以通过与像素定义膜160相同的工序而与像素定义膜160同时形成。
参照图5，在下部电极170上可以形成发光层180。具体而言，发光层180可以形成在像素定义膜160的第一开口部165中。发光层180可以根据像素区域PA的种类来使用能够射出红色光、绿色光、蓝色光等的发光物质之中的至少一种来形成。
参照图6，可以去除位于第一透过区域TA1中的栅极绝缘层130、层间绝缘层140、平坦化层150和像素定义膜160的一部分来形成第一开口部。所述第一开口部可以相当于第一透过窗TW1。与此同时，可以去除位于第二透过区域TA2中的栅极绝缘层130、层间绝缘层140、平坦化层150和反射调节层250的一部分来形成第二开口部。所述第二开口部可以相当于第二透过窗TW2。
参照图7，可以在像素定义膜160、发光层180、反射调节层250和虚设图案240上形成上部电极190。即，上部电极190可以形成在显示区域DA和非显示区域NDA的整体中。例如，上部电极190可以使用金属、合金、导电性金属氧化物等来形成。
参照图8，在上部电极190上可以形成第一无机封装层210。第一无机封装层210可以形成在显示区域DA和非显示区域NDA的整体中。
再次参照图3，在第一无机封装层210上可以形成有机封装层220。此外，在有机封装层220上可以形成第二无机封装层230。有机封装层220和第二无机封装层230可以形成在显示区域DA和非显示区域NDA的整体中。
由此，可以制造图3所示的显示装置100。
图9是表示本实用新型的其他实施例涉及的显示装置的显示区域和非显示区域的剖视图。图9表示与图3相同的截面。
参照图9，本实用新型的其他实施例涉及的显示装置1000可以包括基板110、缓冲层120、半导体元件200、栅极绝缘层130、层间绝缘层140、平坦化层150、发光元件300、虚设图案240、像素定义膜160、反射调节层250以及封装结构物400。另外，参照图9说明的显示装置1000除了上部电极190的形态以外可以与参照图3说明的显示装置100实质上相同或类似。以下，省略或简化重复的说明。
在像素定义膜160和发光层180上的显示区域DA中可以配置上部电极190。上部电极190可以从显示区域DA朝向非显示区域NDA延伸。在一实施例中，上部电极190可以分别不与第一透过区域TA1及第二透过区域TA2重叠。即，上部电极190可以不配置在第一透过区域TA1和第二透过区域TA2中。换言之，上部电极190可以配置在除了第一透过区域TA1和第二透过区域TA2的其余区域的整体中。
图10是表示本实用新型的又一实施例涉及的显示装置的显示区域和非显示区域的剖视图。图10表示与图3相同的截面。
参照图10，本实用新型的其他实施例涉及的显示装置1100可以包括基板110、缓冲层120、半导体元件200、栅极绝缘层130、层间绝缘层140、平坦化层150、发光元件300、虚设图案240、像素定义膜160、反射调节层250、封装结构物400、第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2、第一遮光层BM1以及第二遮光层BM2。另外，参照图10说明的显示装置1100除了还包括第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2、第一遮光层BM1以及第二遮光层BM2以外可以与参照图3说明的显示装置100实质上相同或类似。以下，省略或简化重复的说明。
在封装结构物400上的显示区域DA中可以配置第一遮光层BM1。此外，在封装结构物400上的非显示区域NDA中可以配置第二遮光层BM2。在第一遮光层BM1中可以定义与第一透过区域TA1及像素区域PA分别重叠的第一开口部OP1。此外，在第二遮光层BM2中可以定义与第二透过区域TA2及虚设像素区域DPA分别重叠的第二开口部OP2。
与像素区域PA重叠的第一开口部OP1的大小可以不同于与虚设像素区域DPA重叠的第二开口部OP2的大小。例如，与虚设像素区域DPA重叠的第二开口部OP2的大小可以小于与像素区域PA重叠的第一开口部OP1的大小。通过调节与虚设像素区域DPA重叠的第二开口部OP2的大小，可以在非显示区域NDA中降低显示装置100因外光引起的反射率。由此，显示区域DA中的显示装置100因外光引起的反射率和非显示区域NDA中的显示装置100因外光引起的反射率可以类似。
第一遮光层BM1和第二遮光层BM2分别可以是黑色矩阵。例如，第一遮光层BM1和第二遮光层BM2分别可以包括含有黑色颜料或黑色染料的有机物质。第一遮光层BM1和第二遮光层BM2可以防止漏光现象。
在封装结构物400上的像素区域PA中可以配置第一滤色器层CF1，在封装结构物400上的虚设像素区域DPA中可以配置第二滤色器层CF2。具体而言，第一滤色器层CF1可以配置在与像素区域PA重叠的第一遮光层BM1的第一开口部OP1中，第二滤色器层CF2可以配置在第二遮光层BM2的与虚设像素区域DPA重叠的第二开口部OP2中。例如，第一滤色器层CF1和第二滤色器层CF2分别可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器之中的任一个。第一滤色器层CF1可以使从发光元件300射出的光选择性地透过。
图11是表示包括图1的显示装置的电子设备的框图。图12是表示将图11的电子设备实现为电视机的一例的图。图13是表示将图11的电子设备实现为智能电话的一例的图。
参照图11、图12和图13，在一实施例中，电子设备900可以包括处理器910、存储装置920、保存装置930、输入输出装置940、供电器950以及显示装置960。在该情况下，显示装置960可以对应于参照图1至图3说明的显示装置100、参照图9说明的显示装置1000或参照图10说明的显示装置1100。电子设备900还可以包括能够与视频卡、声卡、存储卡、USB装置等进行通信的各种端口。
在一实施例中，如图12所示，电子设备900可以被实现为电视机。在其他实施例中，如图13所示，电子设备900可以被实现为智能电话。但是，电子设备900并不限于此，例如，电子设备900也可以被实现为移动电话、视频电话、智能平板(smart pad)、智能手表(smartwatch)、平板(tablet)PC、车辆用导航仪、计算机监视器、笔记本、头戴式显示器(headmounted display；HMD)等。
处理器910可以执行特定计算或任务(tasks)。在一实施例中，处理器910可以是微型处理器(microprocessor)、中央处理单元(central processing unit；CPU)、应用处理器(application processor；AP)等。处理器910可以通过地址总线(address bus)、控制总线(control bus)、数据总线(data bus)等而与其他构成要素连接。处理器910还可以与如外围设备互连(peripheral component interconnect；PCI)总线等这样的扩展总线连接。
存储装置920可以存储电子设备900的操作所需的数据。例如，存储装置920可以包括如EPROM(erasable programmable read-only memory)装置、EEPROM(electricallyerasable programmable read-only memory)装置、闪存装置(flash memory device)、PRAM(phase change random access memory)装置、RRAM(resistance random accessmemory)装置、NFGM(nano floating gate memory)装置、PoRAM(polymer random accessmemory)装置、MRAM(magnetic random access memory)装置、FRAM(ferroelectric randomaccess memory)装置等这样的非易失性存储装置和/或如DRAM(dynamic random accessmemory)装置、SRAM(static random access memory)装置、移动DRAM装置等这样的易失性存储装置。
保存装置930可以包括固态硬盘(solid state drive；SSD)、硬盘驱动器(harddisk drive；HDD)、CD-ROM等。
输入输出装置940可以包括如键盘、小键盘、触摸盘、触摸屏、鼠标等这样的输入部件以及如扬声器、打印机等这样的输出部件。
供电器950可以供给电子设备900的操作所需的电源。显示装置960可以通过总线或其他通信链路而与其他构成要素连接。在一实施例中，显示装置960也可以包括于输入输出装置940中。
如上所述，参照本实用新型的例示性的实施例进行了说明，但是本领域技术人员应当能够理解在不超出权利要求书所记载的本实用新型的思想和领域的范围内可以对本实用新型进行各种修正以及变更。
本实用新型可以适用于能够具备显示装置的各种显示设备中。例如，本实用新型可以适用于高分辨率智能电话、移动电话、智能平板、智能手表、平板PC、车辆用导航系统、电视机、计算机监视器、笔记本等中。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，包括具备第一透过区域和像素区域的显示区域以及具备第二透过区域和虚设像素区域的非显示区域；
发光元件，包括配置在所述基板上的所述像素区域中的下部电极；
虚设图案，配置在所述基板上的所述虚设像素区域中，包括与所述下部电极相同的物质；
像素定义膜，配置在所述基板和所述下部电极上的所述显示区域中，定义有使所述下部电极的上表面露出的第一开口部；以及
反射调节层，配置在所述基板和所述虚设图案上的所述非显示区域中，包括与所述像素定义膜相同的物质，定义有使所述虚设图案的上表面露出的第二开口部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一透过区域的面积和所述第二透过区域的面积相同。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述像素定义膜的所述第一开口部的大小不同于所述反射调节层的所述第二开口部的大小。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件还包括：
发光层，配置在所述下部电极上的所述像素区域中；以及
上部电极，配置在所述像素定义膜和所述发光层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述上部电极配置在所述显示区域和所述非显示区域的整体中。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述上部电极配置在除了所述第一透过区域和所述第二透过区域的其余区域中。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，还包括：
封装结构物，配置在所述上部电极上的所述显示区域和所述非显示区域中，包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，还包括：
第一遮光层，配置在所述封装结构物上的所述显示区域中，定义有分别与所述第一透过区域及所述像素区域重叠的第三开口部；
第一滤色器层，配置在与所述像素区域重叠的所述第三开口部中；
第二遮光层，配置在所述封装结构物上的所述非显示区域中，定义有分别与所述第二透过区域及所述虚设像素区域重叠的第四开口部；以及
第二滤色器层，配置在与所述虚设像素区域重叠的所述第四开口部中。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
与所述像素区域重叠的所述第一遮光层的所述第三开口部的大小不同于与所述虚设像素区域重叠的所述第二遮光层的所述第四开口部的大小。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
缓冲层，配置在所述基板上的所述显示区域和所述非显示区域中；
绝缘层，配置在所述缓冲层上的所述显示区域和所述非显示区域中；以及
平坦化层，配置在所述绝缘层上的所述显示区域和所述非显示区域中，
在所述绝缘层、所述平坦化层和所述像素定义膜中定义使位于所述第一透过区域中的所述缓冲层的上表面露出的第一透过窗，
在所述绝缘层、所述平坦化层和所述反射调节层中定义使位于所述第二透过区域中的所述缓冲层的上表面露出的第二透过窗。
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