CN112838107A - 显示装置 - Google Patents

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曹永振
文重守
金阳完
王淳祯
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Abstract

提供了显示装置。该显示装置包括：基础衬底，包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域；第一电源线，位于非显示区域中，第一电源电压被施加到第一电源线；第二电源线，位于非显示区域中并且与第一电源线间隔开，第二电源电压被施加到第二电源线；以及坝，与第一电源线和第二电源线重叠，在第一电源线上具有第一高度，并且在第一电源线与第二电源线之间具有大于第一高度的第二高度。

Description

显示装置
技术领域
一些示例实施例的多个方面总体上涉及显示装置。
背景技术
近来，随着技术改进，已经生产出具有更小尺寸、更轻重量和优异性能的显示产品。阴极射线管(CRT)电视在性能和价格方面具有许多优势，已被广泛用于显示装置。然而，近来，与CRT显示器相比，诸如等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光二极管显示装置的显示装置，由于它们相对更小的厚度、更轻的重量和更低的功耗已变得被更频繁地使用。
显示装置可包括由薄膜封装层密封的内部结构，以及形成在薄膜封装层上的触摸屏面板。例如，有机发光二极管显示装置可具有薄膜封装层以及触摸屏面板直接形成在薄膜封装层上的结构。在这种情况下，薄膜封装层的质量可影响显示质量和触摸屏面板的质量。
在本背景技术部分中所公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，并且因此，在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一些示例实施例的多个方面总体上涉及显示装置。例如，本发明构思的一些示例实施例涉及具有相对改善的显示质量的显示装置。
一些示例实施例的多个方面包括一种显示装置，该显示装置中形成有具有相对改善的质量的薄膜封装层，使得可改善显示质量和触摸屏面板层的质量。
根据一些示例实施例，显示装置可包括：基础衬底，包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域；第一电源线，位于非显示区域中，第一电源电压被施加到第一电源线；第二电源线，位于非显示区域中并且与第一电源线间隔开，第二电源电压被施加到第二电源线；以及坝，与第一电源线和第二电源线重叠，在第一电源线上具有第一高度，并且在第一电源线和第二电源线之间具有大于第一高度的第二高度。
根据一些示例实施例，坝可包括第一坝层和位于第一坝层上的第二坝层。另外，第一坝层可形成在第一电源线与第二电源线之间以及形成在第一电源线和第二电源线上。此外，第二坝层可形成在第一电源线与第二电源线之间。
根据一些示例实施例，坝的第二坝层的两端可与第一电源线和第二电源线重叠。
根据一些示例实施例，显示装置还可包括：像素限定层，位于基础衬底上以限定开口；发光层，位于开口中；以及薄膜封装层，位于发光层上。另外，坝的第一坝层可与像素限定层位于同一层上。
根据一些示例实施例，显示装置还可包括位于像素限定层上的间隔物。另外，坝的第二坝层可与间隔物位于同一层上。
根据一些示例实施例，显示装置还可包括位于第一电源线和第二电源线上的通孔绝缘层。另外，从基础衬底至通孔绝缘层的上表面的高度在第一电源线与第二电源线之间的区中可比在与第一电源线或第二电源线重叠的区中低。
根据一些示例实施例，第一电源线和第二电源线中的每个可包括至少两个导电层，并且绝缘层可介于导电层之间。
根据一些示例实施例，显示装置还可包括：第一无机层，位于坝上；有机层，位于第一无机层上；以及第二无机层，位于有机层上。
根据一些示例实施例，显示装置还可包括通孔绝缘层，通孔绝缘层具有形成在第一电源线与第二电源线之间的凹陷部分。
根据一些示例实施例，显示装置还可包括：薄膜晶体管层，位于基础衬底上并且包括薄膜晶体管；发光结构，电连接到薄膜晶体管；薄膜封装层，覆盖发光结构；以及触摸屏面板层，位于薄膜封装层上以检测用户的触摸输入。
根据一些示例实施例，显示装置可包括：基础衬底，包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域；第一电源线，位于非显示区域中，第一电源电压被施加到第一电源线；第二电源线，位于非显示区域中并且与第一电源线间隔开，第二电源电压被施加到第二电源线；以及绝缘层，具有形成在第一电源线与第二电源线之间的凹陷部分。
根据一些示例实施例，凹陷部分可包括至少部分地与第一电源线重叠的第一部分和至少部分地与第二电源线重叠的第二部分。
根据一些示例实施例，第一电源线和第二电源线可在第一方向上彼此间隔开并且可在垂直于第一方向的第二方向上延伸。另外，凹陷部分的第一部分和第二部分可分别在相对于第一方向和第二方向倾斜的方向上延伸。
根据一些示例实施例，第一电源线和第二电源线可在第一方向上彼此间隔开并且可在垂直于第一方向的第二方向上延伸。另外，凹陷部分可在第一电源线与第二电源线之间在第二方向上延伸。
根据一些示例实施例，显示装置还可包括薄膜晶体管层，薄膜晶体管层位于基础衬底上并且包括薄膜晶体管。另外，从薄膜晶体管层的上表面至形成有凹陷部分的绝缘层的上表面的高度在第一电源线与第二电源线之间的区中可比在与第一电源线或第二电源线重叠的区中低。
根据一些示例实施例，绝缘层可包括：第一通孔绝缘层；以及第二通孔绝缘层，位于第一通孔绝缘层上。另外，在凹陷部分中可不形成第一通孔绝缘层或第二通孔绝缘层。
根据一些示例实施例，显示装置还可包括：第一无机层，位于绝缘层上；有机层，位于第一无机层上；以及第二无机层，位于有机层上。
根据一些示例实施例，显示装置还可包括：薄膜晶体管层，位于基础衬底上并且包括薄膜晶体管；发光结构，电连接到薄膜晶体管；薄膜封装层，覆盖发光结构；以及触摸屏面板层，位于薄膜封装层上以检测用户的触摸输入。
根据一些示例实施例，显示装置还可包括坝，坝位于绝缘层上以与第一电源线和第二电源线重叠。
根据一些示例实施例，坝可在第一电源线上具有第一高度，并且可在第一电源线与第二电源线之间具有大于第一高度的第二高度。
因此，根据一些示例实施例的显示装置可包括坝，坝与第一电源线和第二电源线重叠，在第一电源线上具有第一高度，并且在第一电源线与第二电源线之间具有大于第一高度的第二高度；或者可包括绝缘层，绝缘层具有形成在第一电源线与第二电源线之间的凹陷部分。因此，可相对均匀地形成薄膜封装层的有机层，使得可提高显示质量和触摸屏面板层的质量。
附图说明
图1是示出根据一些示例实施例的显示装置的框图。
图2是示出图1的显示装置中包括的像素的示例的等效电路图。
图3是示出根据一些示例实施例的显示装置的平面视图。
图4是与图3的显示装置的显示区域中的像素对应的截面视图。
图5是示出图3中的区域“A”的放大视图。
图6A是沿图5中的线I-I’截取的截面视图。
图6B是沿图5中的线II-II’截取的截面视图。
图6C是沿图5中的线III-III’截取的截面视图。
图7是示出根据一些示例实施例的显示装置的截面视图。
图8是示出根据一些示例实施例的显示装置的局部放大视图。
图9A是沿图8中的线I-I’截取的截面视图。
图9B是沿图8中的线II-II’截取的截面视图。
图10是示出根据一些示例实施例的显示装置的截面视图。
图11是示出根据一些示例实施例的显示装置的截面视图。
图12是示出根据一些示例实施例的显示装置的局部放大视图。
图13是示出根据一些示例实施例的显示装置的局部放大视图。
图14A至图14C是示出根据一些示例实施例的制造显示装置的方法的截面视图。
图15是示出图5的显示装置的薄膜封装层的有机层的流动的图。
图16是示出图8的显示装置的薄膜封装层的有机层的流动的图。
图17是示出图12的显示装置的薄膜封装层的有机层的流动的图。
图18是示出图13的显示装置的薄膜封装层的有机层的流动的图。
图19是示出根据一些示例实施例的电子设备的框图。
图20A是示出图19的电子设备被实现为电视的示例的图。
图20B是示出图19的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地解释本发明构思的一些示例实施例的进一步细节。
图1是示出根据一些示例实施例的显示装置的框图。
参照图1，显示装置可包括显示面板10、扫描驱动器20、数据驱动器30、发射控制驱动器40和控制器50。
显示面板10可包括用于显示图像的多个像素PX。例如，显示面板10可包括位于扫描线SL1至SLn与数据线DL1至DLm(其中，n和m中的每个为大于1的整数)的相交部分处的(例如，以矩阵布置的)n*m个像素PX。像素PX的示例结构将在下面参照图2更详细地描述。
扫描驱动器20可通过扫描线SL1至SLn顺序地将第一扫描信号提供给像素PX，并且通过反相扫描线/SL1至/SLn顺序地将第二扫描信号提供给像素PX。例如，第二扫描信号可以是基于第一控制信号CTL1的第一扫描信号的反相信号。
数据驱动器30可基于第二控制信号CTL2通过数据线DL1至DLm将数据信号提供给像素PX。
发射控制驱动器40可基于第三控制信号CTL3通过发射控制线EM1至EMn顺序地将发射控制信号提供给像素PX。
控制器50可控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。控制器50可生成控制信号CTL1至CTL3，以控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。用于控制扫描驱动器20的第一控制信号CTL1可包括扫描起始信号、扫描时钟信号等。用于控制数据驱动器30的第二控制信号CTL2可包括图像数据、水平起始信号等。用于控制发射控制驱动器40的第三控制信号CTL3可包括发射控制起始信号、发射控制时钟信号等。
另外，显示装置还可包括电源单元，电源单元被配置为向显示面板10供给第一电源电压ELVDD、第二电源电压ELVSS和初始化电压VINT。
图2是示出图1的显示装置中包括的像素的示例的等效电路图。
参照图2，像素PX可包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器CST和有机发光二极管OLED。像素PX可位于第i像素行(其中i是介于1和n之间的整数)和第j像素列(其中j是介于1和m之间的整数)中。
第一晶体管T1可以是被配置为向有机发光二极管OLED提供与数据信号对应的驱动电流的驱动晶体管。第一晶体管T1可包括：连接到第一节点N1的栅电极、连接到第二节点N2的第一电极以及连接到第三节点N3的第二电极。
第二晶体管T2可响应于第一扫描信号GS1将数据信号提供给第一晶体管T1。根据一些示例实施例，第二晶体管T2可包括：被配置为从第i扫描线SLi接收第一扫描信号GS1的栅电极、被配置为从第j数据线DLj接收数据信号的第一电极以及连接到第一晶体管T1的第一电极(即，第二节点N2)的第二电极。
第三晶体管T3可响应于第二扫描信号GS2将第一晶体管T1的第二电极连接到第一晶体管T1的栅电极。根据一些示例实施例，第三晶体管T3可包括：被配置为从第i反相扫描线/SLi接收第二扫描信号GS2的栅电极、连接到第一晶体管T1的第二电极(即，第三节点N3)的第一电极以及连接到第一晶体管T1的栅电极(即，第一节点N1)的第二电极。
第四晶体管T4可响应于第三扫描信号GS3将初始化电压VINT施加到第一晶体管T1的栅电极。根据一些示例实施例，第四晶体管T4可包括：被配置为从第(i-1)反相扫描线/SL(i-1)接收第三扫描信号GS3的栅电极、连接到初始化电压VINT的第一电极以及连接到第一晶体管T1的栅电极(即，第一节点N1)的第二电极。
第五晶体管T5可响应于发射控制信号将第一电源电压ELVDD施加到第一晶体管T1的第一电极。根据一些示例实施例，第五晶体管T5可包括：被配置为从第i发射控制线EMi接收发射控制信号的栅电极、连接到第一电源电压ELVDD的第一电极以及连接到第一晶体管T1的第一电极(即，第二节点N2)的第二电极。
第六晶体管T6可响应于发射控制信号将第一晶体管T1的第二电极连接到有机发光二极管OLED的第一电极。根据一些示例实施例，第六晶体管T6可包括：被配置为从第i发射控制线EMi接收发射控制信号的栅电极、连接到第一晶体管T1的第二电极(即，第三节点N3)的第一电极以及连接到有机发光二极管OLED的第一电极(即，第四节点N4)的第二电极。
第七晶体管T7可响应于第四扫描信号GS4将初始化电压VINT施加到有机发光二极管OLED的第一电极。根据一些示例实施例，第七晶体管T7可包括：被配置为从第(i-1)反相扫描线/SL(i-1)接收第四扫描信号GS4的栅电极、连接到初始化电压VINT的第一电极以及连接到有机发光二极管OLED的第一电极(即，第四节点N4)的第二电极。
在这种情况下，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6中的每个可以是多晶硅(poly-Si)薄膜晶体管，并且可以是P型晶体管。第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7中的每个可以是氧化物薄膜晶体管，并且可以是N型晶体管。
存储电容器CST可包括连接到第一电源电压ELVDD的第一电极和连接到第一晶体管T1的栅电极(即，第一节点N1)的第二电极。
图3是示出根据一些示例实施例的显示装置的平面视图。
参照图3，显示装置可包括用于显示图像的显示区域DA以及与显示区域DA相邻的同时围绕显示区域DA的非显示区域NDA。显示装置可包括第一电源线210和第二电源线220。
显示区域DA可位于以第一方向D1和垂直于第一方向D1的第二方向D2配置的平面上。用于显示图像的多个像素可位于显示区域DA中，并且第一电源线210和第二电源线220可位于非显示区域NDA中(例如，围绕显示区域DA的外围或在显示区域DA的覆盖区的外部)。
第一电源电压ELVDD可施加到第一电源线210。第二电源电压ELVSS可施加到第二电源线220。第一电源线210的水平部分可在第一方向D1上延伸，并且可与显示区域DA相邻。第一电源线210的垂直部分可沿第二方向D2从第一电源线210的水平部分延伸出。第二电源线220可延伸以围绕显示区域DA，并且可与第一电源线210间隔开。
图4是与图3的显示装置的显示区域中的像素对应的截面视图。
参照图4，显示装置可包括：基础衬底100、缓冲层110、薄膜晶体管TFT的有源图案ACT、第一绝缘层120、栅极导电层、第二绝缘层130、第一源漏导电层、第一通孔绝缘层VIA1、第二源漏导电层、第二通孔绝缘层VIA2、发光结构180、像素限定层PDL、间隔物SPC、薄膜封装层190和触摸屏面板层TSP。
基础衬底100可由透明或不透明的材料形成。例如，基础衬底100可包括石英衬底、合成石英衬底、氟化钙衬底、掺氟石英衬底(F掺杂石英衬底)、钠钙玻璃衬底、无碱玻璃衬底等。根据一些示例实施例，基础衬底100可以是具有柔性的透明树脂衬底。可用作基础衬底100的透明树脂衬底的示例包括聚酰亚胺衬底。
缓冲层110可位于整个基础衬底100上面。缓冲层110可防止或减少金属原子或杂质从基础衬底100扩散到有源图案ACT中的情况，并且可在用于形成有源图案ACT的结晶工艺期间控制传热速率，以获得基本上均匀的有源图案ACT。另外，当基础衬底100的表面不均匀时，缓冲层110可用于改善基础衬底100的表面的平坦度(例如，使其平坦化)。
有源图案ACT可位于缓冲层110上。有源图案ACT可包括掺杂有杂质的漏极区和源极区以及位于漏极区和源极区之间的沟道区。例如，有源图案ACT可包括多晶硅。
第一绝缘层120可位于有源图案ACT位于其上的缓冲层110上。第一绝缘层120可包括诸如硅化合物和金属氧化物的无机绝缘材料。
栅极导电层可位于第一绝缘层120上。栅极导电层可包括薄膜晶体管TFT的与有源图案ACT重叠的栅电极GE。栅极导电层还可包括信号线，诸如用于驱动显示装置的扫描线。
第二绝缘层130可位于栅极导电层位于其上的第一绝缘层120上。第二绝缘层130可包括诸如硅化合物和金属氧化物的无机绝缘材料。
第一源漏导电层可位于第二绝缘层130上。第一源漏导电层可包括薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE。第一源漏导电层还可包括第一电源线(参见图6C中的210)的第一层(参见图6C中的212)和第二电源线(参见图6C的220)的第一层(参见图6C中的222)。
第一通孔绝缘层VIA1可位于第一源漏导电层位于其上的第二绝缘层130上。可通过使用诸如光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和硅氧烷类树脂的有机材料来形成第一通孔绝缘层VIA1。
第二源漏导电层可位于第一通孔绝缘层VIA1上。第二源漏导电层可包括电连接到薄膜晶体管TFT的接触焊盘CP。第二源漏导电层可包括第一电源线的第二层(参见图6C中的214)和第二电源线的第二层(参见图6C中的224)。
第二通孔绝缘层VIA2可位于第二源漏导电层位于其上的第一通孔绝缘层VIA1上。第二通孔绝缘层VIA2可通过使用诸如光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和硅氧烷类树脂的有机材料来形成。
发光结构180可包括第一电极181、发光层182和第二电极183。
第一电极181可位于第二通孔绝缘层VIA2上。取决于显示装置的发光方案，第一电极181可通过使用反射材料或透射材料来形成。根据一些示例实施例，第一电极181可具有包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的单层结构或多层结构。
像素限定层PDL可位于第一电极181位于其上的第二通孔绝缘层VIA2上。像素限定层PDL可通过使用有机材料、无机材料等来形成。例如，可通过使用光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、硅酮化合物等来形成像素限定层PDL。根据一些示例实施例，可对像素限定层PDL进行蚀刻以形成部分地暴露第一电极181的开口。可通过像素限定层PDL的开口来限定显示装置的发射区域和非发射区域。例如，像素限定层PDL的开口位于的部分可对应于发射区域，并且非发射区域可对应于与像素限定层PDL的开口相邻的部分。
间隔物SPC可位于像素限定层PDL上。间隔物SPC可保持触摸屏面板层TSP与发光结构180之间的间隙。
发光层182可位于通过像素限定层PDL的开口暴露的第一电极181上。另外，发光层182可延伸到像素限定层PDL的开口的侧壁上。根据一些示例实施例，发光层182可具有多层结构，该多层结构包括有机发射层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。根据一些示例实施例，除了有机发射层之外，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等可公共地形成为与多个像素对应。可通过使用用于根据显示装置的各像素来生成诸如红光、绿光和蓝光的不同颜色的光的发光材料来形成发光层182的有机发射层。根据一些示例实施例，发光层182的有机发射层可具有堆叠用于实现诸如红光、绿光和蓝光的不同颜色的光的多种发光材料以发射白光的结构。在这种情况下，以上发光结构可公共地形成为与多个像素对应，并且可通过滤色器层来对多个像素进行区分。
第二电极183可位于像素限定层PDL和发光层182上。取决于显示装置的发光方案，第二电极183可包括透射材料或反射材料。根据一些示例实施例，第二电极183可具有包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的单层结构或多层结构。
薄膜封装层190可位于第二电极183上。薄膜封装层190可防止或减少湿气、氧气或其他污染物从外部渗透。薄膜封装层190可包括至少一个有机层和至少一个无机层。至少一个有机层和至少一个无机层可彼此交替地堆叠。根据一些示例实施例，薄膜封装层190可包括第一无机层191、位于第一无机层191上的有机层192和位于有机层192上的第二无机层193，但是根据本公开的实施例不限于此。
触摸屏面板层TSP可位于薄膜封装层190上。触摸屏面板层TSP可包括触摸电极和绝缘层，并且可直接形成在薄膜封装层190上。
图5是示出图3中的区域“A”的放大视图，图6A是沿图5中的线I-I’截取的截面视图，图6B是沿图5中的线II-II’截取的截面视图，并且图6C是沿图5中的线III-III’截取的截面视图。
参照图3至图6C，显示装置可包括基础衬底100、薄膜晶体管层TFTL、第一电源线210、第二电源线220、第一通孔绝缘层VIA1、第二通孔绝缘层VIA2、坝DAM、薄膜封装层190和触摸屏面板层TSP。
薄膜晶体管层TFTL可包括薄膜晶体管TFT和绝缘层(例如，缓冲层110、第一绝缘层120和第二绝缘层130)。
第一电源线210可包括第一层212和第二层214。第二电源线220可包括第一层222和第二层224。第一电源线210的第一层212和第二电源线220的第一层222可被包括在第一源漏导电层中。第一电源线210的第二层214和第二电源线220的第二层224可被包括在第二源漏导电层中。
取决于第一电源线210和第二电源线220的存在与否，第一通孔绝缘层VIA1和第二通孔绝缘层VIA2可以在第一电源线210和第二电源线220之间的区中，比在形成有第一电源线210和第二电源线220的部分中凹陷。换句话说，从基础衬底100至第二通孔绝缘层VIA2的上表面的高度在第一电源线210与第二电源线220之间的区中可比在与第一电源线210或第二电源线220重叠的区中低。
坝DAM可形成在第二通孔绝缘层VIA2上。坝DAM可围绕显示装置的显示区域DA，并且可与第一电源线210和第二电源线220重叠。换句话说，在第一电源线210和第二电源线220在第二方向D2上延伸的部分处，坝DAM可在第一方向D1上延伸。坝DAM可被配置为当形成薄膜封装层190的有机层192时，通过控制有机材料的流动来防止或减少溢出。
可在第二方向D2上排列多个坝DAM。尽管均在第一方向D1上延伸的四个坝DAM在附图中示出为在第二方向D2上排列，但是根据本公开的实施例不限于此。
坝DAM可包括第一坝层DM1和第二坝层DM2。第一坝层DM1可位于与第一电源线210和第二电源线220重叠的区以及位于第一电源线210和第二电源线220之间的区中。例如，第一坝层DAM1可与像素限定层PDL形成在同一层上。
第二坝层DM2可在第一电源线210和第二电源线220之间的区中位于第一坝层DM1上。因此，坝DAM可在第一电源线210和第二电源线220上具有第一高度h1，并且可在第一电源线210和第二电源线220之间具有大于第一高度h1的第二高度h2。坝DAM的第二坝层DM2的两端可与第一电源线210和第二电源线220重叠。
例如，第二坝层DM2可与间隔物SPC形成在同一层上。根据一些示例实施例，可通过使用半色调掩模等来将坝DAM在一个层上形成为包括具有不同高度的两个部分。
图7是示出根据一些示例实施例的显示装置的截面视图。
参照图7，除了第二坝层DM2仅形成在第一电源线210和第二电源线220之间以使得坝DAM的第二坝层DM2的两端可不与第一电源线210和第二电源线220重叠以外，显示装置与图6C的显示装置实质上相同。因此，可省略其一些冗余描述。
图8是示出根据一些示例实施例的显示装置的局部放大视图。图9A是沿图8中的线I-I’截取的截面视图，并且图9B是沿图8中的线II-II’截取的截面视图。
参照图8至图9B，除了形成了凹陷部分VV以外，显示装置与图4至图6C的显示装置实质上相同。因此，可省略其一些冗余描述。
显示装置可包括基础衬底100、薄膜晶体管层TFTL、第一源漏导电层、第一通孔绝缘层VIA1、第二源漏导电层、第二通孔绝缘层VIA2、薄膜封装层190和触摸屏面板层TSP。第一源漏导电层可包括第一电源线210的第一层212和第二电源线220的第一层222。第二源漏导电层可包括第一电源线210的第二层214和第二电源线220的第二层224。薄膜封装层190可包括第一无机层191、有机层192和第二无机层193。
凹陷部分VV可形成在第二通孔绝缘层VIA2中。凹陷部分VV可形成在第一电源线210和第二电源线220之间。
凹陷部分VV可包括至少部分地与第一电源线210重叠的第一部分VV1和至少部分地与第二电源线220重叠的第二部分VV2。
凹陷部分VV的第一部分VV1和第二部分VV2可分别在相对于第一方向D1和第二方向D2倾斜的方向上延伸。换句话说，如图8中所示，第一部分VV1可在向左下的方向上倾斜地延伸，并且第二部分VV2可在向右下的方向上倾斜地延伸。
凹陷部分VV还可包括第三部分VV3，第三部分VV3被配置为将第一部分VV1连接到第二部分VV2并且在第一方向D1上延伸。
在凹陷部分VV中，可不形成第一通孔绝缘层VIA1或第二通孔绝缘层VIA2的全部或一部分。根据一些示例实施例，第一通孔绝缘层VIA1可通过图案化工艺不形成在凹陷部分VV中。
因此，从薄膜晶体管层TFTL的上表面至形成有凹陷部分VV的第二通孔绝缘层VIA2的上表面的高度在第一电源线210与第二电源线220之间的区中可比在与第一电源线210或第二电源线220重叠的区中低。
同时，根据一些示例实施例，显示装置还可包括如图5的显示装置中的坝DAM。
图10是示出根据一些示例实施例的显示装置的截面视图。
参照图10，除了在凹陷部分VV中通过图案化来去除第二通孔绝缘层VIA2而不是通过图案化来去除第一通孔绝缘层VIA1之外，显示装置与图9A的显示装置实质上相同。因此，可省略其一些冗余描述。
图11是示出根据一些示例实施例的显示装置的截面视图。
参照图11，除了在凹陷部分VV中通过图案化来去除第一通孔绝缘层VIA1和第二通孔绝缘层VIA2这两者之外，显示装置与图9A的显示装置实质上相同。因此，可省略其一些冗余描述。
图12是示出根据一些示例实施例的显示装置的局部放大视图。
参照图12，除了凹陷部分VV不包括第三部分，并且第一部分VV1和第二部分VV2彼此直接连接以作为整体形成V形之外，显示装置与图8的显示装置实质上相同。因此，可省略其一些冗余描述。
图13是示出根据一些示例实施例的显示装置的局部放大视图。
参照图13，除了凹陷部分VV的形状以外，显示装置与图8的显示装置实质上相同。因此，可省略其一些冗余描述。
凹陷部分VV可在第一电源线210和第二电源线220之间在第二方向D2上延伸。
图14A至图14C是示出根据一些示例实施例的制造显示装置的方法的截面视图。
参照图14A，可在基础衬底100上形成薄膜晶体管层TFTL、第一源漏导电层、第一通孔绝缘层VIA1、第二源漏导电层和第二通孔绝缘层VIA2。然后，可通过形成第一坝层DM1和第二坝层DM2来形成坝DAM。此后，可形成薄膜封装层190的第一无机层191。
参照图14B，有机层192可形成在第一无机层191上。有机层192可由作为有机化合物的单体形成。例如，有机层192可包括甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯、环氧树脂等。液态单体可通过印刷工艺等来形成。在这种情况下，印刷工艺可包括喷墨印刷、丝网印刷、凹版印刷、胶版印刷、柔版印刷等，但是根据本公开的实施例不限于此。
在这种情况下，液态单体可在图中的箭头的方向上流动和散布。此时，通过坝DAM可控制过大的流动。例如，坝DAM可与第一电源线(参见图5中的210)和第二电源线(参见图5中的220)重叠，可在第一电源线上具有第一高度，并且可在第一电源线与第二电源线之间具有大于第一高度的第二高度。因此，当流动集中在第一电源线与第二电源线之间的第二通孔绝缘层VIA2的上表面具有相对低的高度的区中时，可防止单体溢出到期望位置之外。此后，可使单体固化以形成有机层192。
参照图14C，可在有机层192上形成第二无机层193。然后，可在第二无机层193上形成包括触摸电极的触摸屏面板层TSP。例如，在触摸电极通过沉积工艺直接形成在第二无机层193上之后，可形成绝缘层以形成触摸屏面板层TSP。在这种情况下，因为有机层192通过坝DAM均匀地形成，所以触摸屏面板层TSP与薄膜晶体管层TFTL以及第一源漏导电层和第二源漏导电层之间的间隔可被均匀地保持，使得可容易地控制触摸屏面板层TSP与其他导电图案之间的寄生电容，并且可容易地确保其上形成有触摸屏面板层TSP的表面的均匀性。
图15是示出图5的显示装置的薄膜封装层的有机层的流动的图，图16是示出图8的显示装置的薄膜封装层的有机层的流动的图，图17是示出图12的显示装置的薄膜封装层的有机层的流动的图，并且图18是示出图13的显示装置的薄膜封装层的有机层的流动的图。
参照图15至图18，能看出的是，由于坝DAM或凹陷部分VV，有机层的流动没有集中在第一电源线210和第二电源线220之间的第二通孔绝缘层的上表面具有相对低的高度的区中而是分散到外围，使得防止了有机层溢出到期望位置之外。
另一方面，当未形成坝DAM或凹陷部分VV时，流动会由于台阶差而集中在第一电源线210和第二电源线220之间的区中，使得可发生有机层的溢出问题。当发生这样的问题时，有机层不会均匀地形成，使得难以均匀地形成触摸屏面板层，可能无法容易地控制触摸屏面板层的寄生电容，并且湿气等可通过溢出的有机层而渗透到显示区域中的发光层，从而导致损坏发光层。
图19是示出根据一些示例实施例的电子设备的框图，图20A是示出图19的电子设备被实现为电视的示例的图，并且图20B是示出图19的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
参照图19至图20B，电子设备500可包括处理器510、存储器设备520、存储设备530、输入/输出(I/O)设备540、电源550和显示装置560。这里，显示装置560可以是图1的显示装置。另外，电子设备500还可包括用于与视频卡、声卡、存储器卡、通用串行总线(USB)设备、其他电子设备等通信的多个端口。根据一些示例实施例，如图20A中所示，电子设备500可被实现为电视。根据一些示例实施例，如图20B中所示，电子设备500可被实现为智能电话。然而，电子设备500不限于此。例如，电子设备500可被实现为蜂窝电话、视频电话、智能板、智能手表、平板PC、汽车导航系统、计算机监视器、膝上型计算机、头戴式显示器(HMD)装置等。
处理器510可执行各种计算功能。处理器510可以是微处理器、中央处理器(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器510可经由地址总线、控制总线、数据总线等联接到其他组件。此外，处理器510可联接到诸如外围组件互连(PCI)总线的扩展总线。存储器设备520可存储用于电子设备500的操作的数据。例如，存储器设备520可包括：至少一个非易失性存储器设备，诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)设备、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)设备、闪存设备、相变随机存取存储器(PRAM)设备、电阻随机存取存储器(RRAM)设备、纳米浮栅存储器(NFGM)设备、聚合物随机存取存储器(PoRAM)设备、磁性随机存取存储器(MRAM)设备、铁电随机存取存储器(FRAM)设备等；和/或至少一个易失性存储器设备，诸如动态随机存取存储器(DRAM)设备、静态随机存取存储器(SRAM)设备、移动DRAM设备等。存储设备530可包括固态驱动(SSD)设备、硬盘驱动(HDD)设备、CD-ROM设备等。I/O设备540可包括：输入设备，诸如键盘、小键盘、鼠标设备、触摸板、触摸屏等；以及输出设备，诸如打印机、扬声器等。电源550可为电子设备500的操作提供电力。
显示装置560可经由总线或其他通信链路联接到其他组件。根据一些示例实施例，I/O设备540可包括显示装置560。如上所述，显示装置560包括坝，该坝与第一电源线和第二电源线重叠、在第一电源线上具有第一高度并且在第一电源线与第二电源线之间具有大于第一高度的第二高度，或者显示装置560包括绝缘层，该绝缘层具有在第一电源线和第二电源线之间形成的凹陷部分。因此，可均匀地形成薄膜封装层的有机层，使得能提高显示质量和触摸屏面板层的质量。因为以上描述了某些特性，因此可不重复与之相关的某些重复描述。
本发明构思的一些示例实施例的多个方面可应用于显示装置和包括显示装置的电子设备。例如，根据本发明构思的实施例可应用于智能电话、蜂窝电话、视频电话、智能板、智能手表、平板PC、汽车导航系统、电视、计算机监视器、膝上型计算机、头戴式显示器装置等。
前述内容是一些示例实施例的说明，并且不被解释为对其的限制。尽管已经描述了一些示例实施例的多个方面，但是本领域技术人员将容易认识到的是，在实质上不脱离根据本发明构思的实施例的新颖教导和特性的情况下，在实施例中进行许多修改是可能的。因此，所有这些修改旨在被包括在如权利要求中所限定的本发明构思的范围内。因此，将理解的是，前述内容是各种示例实施例的说明，并且将不解释为限于所公开的特定示例实施例，并且对所公开的实施例以及其他实施例的修改旨在被包括在所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基础衬底，包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域；
第一电源线，位于所述非显示区域中，第一电源电压被施加到所述第一电源线；
第二电源线，位于所述非显示区域中并且与所述第一电源线间隔开，第二电源电压被施加到所述第二电源线；以及
坝，与所述第一电源线和所述第二电源线重叠，在所述第一电源线上具有第一高度，并且在所述第一电源线与所述第二电源线之间具有大于所述第一高度的第二高度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述坝包括第一坝层和位于所述第一坝层上的第二坝层，
其中，所述第一坝层形成在所述第一电源线与所述第二电源线之间并且形成在所述第一电源线和所述第二电源线上，并且
其中，所述第二坝层形成在所述第一电源线与所述第二电源线之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述坝的所述第二坝层的两端与所述第一电源线和所述第二电源线重叠。
4.根据权利要求2所述的显示装置，还包括：
像素限定层，位于所述基础衬底上以限定开口；
发光层，位于所述开口中；以及
薄膜封装层，位于所述发光层上，
其中，所述坝的所述第一坝层与所述像素限定层位于同一层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：
间隔物，位于所述像素限定层上，
其中，所述坝的所述第二坝层与所述间隔物位于同一层上。
6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
通孔绝缘层，位于所述第一电源线和所述第二电源线上，
其中，从所述基础衬底至所述通孔绝缘层的上表面的高度在所述第一电源线与所述第二电源线之间的区中比在与所述第一电源线或所述第二电源线重叠的区中低。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电源线和所述第二电源线中的每个包括至少两个导电层，并且绝缘层介于所述导电层之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一无机层，位于所述坝上；
有机层，位于所述第一无机层上；以及
第二无机层，位于所述有机层上。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
通孔绝缘层，具有位于所述第一电源线与所述第二电源线之间的凹陷部分。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
薄膜晶体管层，位于所述基础衬底上并且包括薄膜晶体管；
发光结构，电连接到所述薄膜晶体管；
薄膜封装层，覆盖所述发光结构；以及
触摸屏面板层，位于所述薄膜封装层上以检测用户的触摸输入。
11.一种显示装置，包括：
基础衬底，包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域；
第一电源线，位于所述非显示区域中，第一电源电压被施加到所述第一电源线；
第二电源线，位于所述非显示区域中并且与所述第一电源线间隔开，第二电源电压被施加到所述第二电源线；以及
绝缘层，具有位于所述第一电源线与所述第二电源线之间的凹陷部分。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述凹陷部分包括至少部分地与所述第一电源线重叠的第一部分和至少部分地与所述第二电源线重叠的第二部分。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一电源线和所述第二电源线在第一方向上彼此间隔开并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，并且
其中，所述凹陷部分的所述第一部分和所述第二部分分别在相对于所述第一方向和所述第二方向倾斜的方向上延伸。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一电源线和所述第二电源线在第一方向上彼此间隔开并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，并且
其中，所述凹陷部分在所述第一电源线与所述第二电源线之间在所述第二方向上延伸。
15.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：
薄膜晶体管层，位于所述基础衬底上并且包括薄膜晶体管，
其中，从所述薄膜晶体管层的上表面至形成有所述凹陷部分的所述绝缘层的上表面的高度在所述第一电源线与所述第二电源线之间的区中比在与所述第一电源线或所述第二电源线重叠的区中低。
16.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括：
第一通孔绝缘层；以及
第二通孔绝缘层，位于所述第一通孔绝缘层上，并且
其中，在所述凹陷部分中未形成所述第一通孔绝缘层或所述第二通孔绝缘层。
17.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：
第一无机层，位于所述绝缘层上；
有机层，位于所述第一无机层上；以及
第二无机层，位于所述有机层上。
18.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：
薄膜晶体管层，位于所述基础衬底上并且包括薄膜晶体管；
发光结构，电连接到所述薄膜晶体管；
薄膜封装层，覆盖所述发光结构；以及
触摸屏面板层，位于所述薄膜封装层上以检测用户的触摸输入。
19.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：
坝，位于所述绝缘层上以与所述第一电源线和所述第二电源线重叠。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述坝在所述第一电源线上具有第一高度，并且在所述第一电源线与所述第二电源线之间具有大于所述第一高度的第二高度。
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