JP7054345B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に関する。本発明の一実施形態は、近接距離通信に対応したアンテナを有する表示装置に関する。

携帯電話、画面に表示されるアイコン等の画像を触指することで操作が行われるスマートフォンと呼ばれる多機能携帯電話器に代表される携帯型情報端末装置において、近接距離通信（ＮＦＣ：Near Field Communication）に対応した機種が増えている。ＮＦＣは、１００ｍｍ程度の範囲で無線通信が可能な規格であり、クレジット等の決済機能を付与するために携帯型情報端末装置に搭載される機種が増えていくことが見込まれている。

ＮＦＣに対応するには携帯型情報端末装置にアンテナを設ける必要がある。例えば、タッチパネルの外周部にダイポールアンテナと、該アンテナを接続するマイクロストリップラインとが設けられた構造が開示されている（特許文献１参照）。

特開２０１６－１８４２７７号公報

本発明の一実施形態は、部材を追加することなく、又は製造工程を増やすことなく、タッチセンサとアンテナとを一体化した表示装置を提供することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、ベース部材と、ベース部材上の複数の画素が配列された表示部と、表示部に重ねて配置されたタッチセンサと、表示部の外周部に配置されたアンテナと、アンテナの外側に配置された複数の端子電極を含む端子部とを有する。タッチセンサは、第１絶縁層の第１面側に配置され、第１方向に配列された複数の第１電極パターンを含む第１センサ電極と、第１絶縁層の第１面側に配置され、第１方向と交差する第２方向に配列された複数の第２電極パターンを含む第２センサ電極とを含み、第１センサ電極は、第１絶縁層の第１面側で、複数の第１電極パターンが電気的に接続され、第２センサ電極は、第１絶縁層の第１面側とは反対の第２面側に設けられた接続配線により、複数の第２電極パターンが電気的に接続される。第１センサ電極は、表示部の外側領域において第１絶縁層の第２面側に設けられた第１配線で、複数の端子電極のいずれか一つと電気的に接続され、第２センサ電極は、表示部の外側領域において第１絶縁層の第２面側に設けられた第２配線で、複数の端子電極のいずれか一つと電気的に接続される。アンテナは、第１絶縁層の第１面側に配置され、表示部を囲み、少なくとも一部が第１配線及び第２配線の一部と第１絶縁層を介して重なっている。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、ベース部材と、ベース部材上の複数の画素が配列された表示部と、表示部に重ねて配置されたタッチセンサと、表示部の外周部に配置されたアンテナと、アンテナの外側に配置された複数の端子電極を含む端子部とを有する。タッチセンサは、第１絶縁層の第１面側に配置され、第１方向に配列された複数の第１電極パターンを含む第１センサ電極と、第１絶縁層の第１面側に配置され、第１方向と交差する第２方向に配列された複数の第２電極パターンを含む第２センサ電極とを含み、第１センサ電極は、第１絶縁層の第１面側で、複数の第１電極パターンが電気的に接続され、第２センサ電極は、第１絶縁層の第１面側とは反対の第２面側に設けられた接続配線により、複数の第２電極パターンが電気的に接続される。第１センサ電極は、第１絶縁層の第１面側に設けられた第１配線で、複数の端子電極のいずれか一つと電気的に接続され、第２センサ電極は、表示部の外側領域において第１絶縁層の第１面側に設けられた第２配線で、複数の端子電極のいずれか一つと電気的に接続される。アンテナは、第１絶縁層の第２面側に配置され、表示部を囲み、少なくとも一部が第１配線及び第２配線の一部と第１絶縁層を介して重なっている。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、複数の画素が配列された表示部と、一方向に配列する第１センサ電極と一方向と交差する方向に配列する第２センサ電極とを含み表示部に重ねて配置されたタッチセンサと、表示部の外周部に配置されたアンテナと、アンテナの外側に配置された第１端子電極及び第２端子電極を含む端子部と、第１センサ電極と第１端子電極とを電気的に接続する第１配線と、第２センサ電極と第２端子電極とを電気的に接続する第２配線と、を有し、第１センサ電極及び第２センサ電極と第１配線及び第２配線とは、絶縁層を介して配置され、第１配線及び第２配線は、絶縁層を介してアンテナと交差している。

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の積層構造を模式的に示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 （Ａ）は図４に示す領域３００の拡大図を示し、（Ｂ）はＡ１－Ａ２線に沿った断面構造を示し、（Ｃ）はＢ１－Ｂ２線に沿った断面構造を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置に含まれるタッチセンサの電極構造を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の構成を示す断面図である。 図４に示すＣ１－Ｃ２線に対応する断面構造を示す図である。 図４に示すＤ１－Ｄ２線に対応する断面構造を示す図である。 図４に示すＥ１－Ｅ２線に対応する断面構造を示す図である。 図４に示すＦ１－Ｆ２線に対応する断面構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 図１２に示すＧ１－Ｇ２線に対応する断面構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 （Ａ）は図１４に示す領域３０２の拡大図を示し、（Ｂ）はＡ３－Ａ４線に沿った断面構造を示し、（Ｃ）はＢ３－Ｂ４線に沿った断面構造を示す。 図１４に示すＨ１－Ｈ２線に対応する断面構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 図１８に示す共振用コンデンサの拡大図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。

本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視において、ベース部材に対してタッチセンサが設けられる側を「上」又は「上方」といい、「上」又は「上方」から見た面を「上面」又は「上面側」というものとし、その逆を「下」、「下方」、「下面」又は「下面側」というものとする。

第１実施形態：
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示す。図１に示す表示装置１００は、ベース部材１０２に設けられた表示部１０４、タッチセンサ１０６、アンテナ１０８、端子部１１０を有する。表示部１０４は、複数の画素１１２が配列される。タッチセンサ１０６は、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６を含み、表示部１０４に重ねて配置される。アンテナ１０８は、表示部１０４及びタッチセンサ１０６の外側領域に配置される。端子部１１０は、複数の端子電極１２０を含み、ベース部材１０２の端部に配置される。

ベース部材１０２は、ガラス基板、プラスチック基板、又は有機樹脂材料で形成されるフィルム状の部材で形成される。フィルム状の部材は可撓性を有する。例えば、フィルム状部材の一種として、支持基板上に塗布形成されるポリイミドフィルムを用いることができる。ポリイミドフィルムは、５μｍ～５０μｍ、例えば１０μｍ程度の厚みで形成することが可能であり可撓性を有する。ベース部材１０２を構成する他の部材として、厚さ１００μｍ～２００μｍ程度のガラス基板を用いることもできる。この場合、耐衝撃性の改善のため有機樹脂フィルムを貼り合わせて使用することが好ましい。このような可撓性を有するベース部材１０２を用いることで、可撓性を有する表示装置１００を実現することが可能となる。

表示部１０４は、複数の画素１１２が配列される。画素１１２は、表示素子と、表示素子を制御するトランジスタとを含む。表示素子としては、発光素子、電気光学素子等が適用される。発光素子としては、発光層に有機エレクトロルミネセンス材料を含む有機エレクトロルミネセンス素子を用いることができる。電気光学素子としては、液晶の電気光学効果（電界を印加することによる液晶分子の配向の変化）を利用した液晶素子を用いることができる。トランジスタとしては、半導体薄膜にチャネルが形成される薄膜トランジスタを用いることができる。図１では図示されないが、表示部１０４に隣接して、走査信号を出力する走査信号線駆動回路、データ信号を出力するデータ信号線駆動回路等がベース部材１０２の上に設けられていてもよい。

タッチセンサ１０６は、第１方向（例えば、図１に示すＸ方向）に延伸する第１センサ電極１１４と、第１方向と交差する第２方向（例えば、図１に示すＹ方向）に延伸する第２センサ電極１１６とを有する。第１センサ電極１１４は、第２方向に複数本が略平行に配設される。第２センサ電極１１６は、第１方向に複数本が略平行に配設される。

アンテナ１０８は、線状に成形された導電膜により形成される。アンテナ１０８は線状に成形された導電膜が、表示部１０４の周りを囲むように設けられたループアンテナ（又は、「アンテナコイル」ともいう。）の形態を有する。アンテナ１０８は、巻き数が１回のループアンテナであってもよいし、図１に示すように巻き数が複数回の多重ループアンテナであってもよい。

端子部１１０は、複数の端子電極１２０を含む。複数の端子電極１２０のうち、第１端子電極１２０ａは、第１配線１１８ａによって第１センサ電極１１４と電気的に接続される。第２端子電極１２０ｂは、第２配線によって第２センサ電極１１６と電気的に接続される。また、第３端子電極１２０ｃは、アンテナ１０８の第１端側と電気的に接続される。第４端子電極１２０ｄは、アンテナ１０８の第２端側と電気的に接続される。また、図１では詳細に示されないが、走査信号線駆動回路、データ信号線駆動回路等と端子部とを接続する配線も、複数の端子電極１２０のそれぞれと接続される。

端子部１１０はフレキシブル配線基板１２２と電気的に接続される。図１は、アンテナ１０８と接続される第３端子電極１２０ｃと第４端子電極１２０ｄとが、フレキシブル配線基板１２２と接続された形態を例示する。フレキシブル配線基板１２２は、共振用コンデンサ１２４、アンテナ１０８を介して信号の入出力が行われる集積回路１２６がチップ・オン・フィルム（ＣＯＦ：Chip on Film）で実装されていてもよい。フレキシブル配線基板１２２には、タッチセンサ１０６に信号を入出力するタッチセンサ制御用ＩＣ１２５、画素１１２を駆動する表示制御用ドライバＩＣ１２７が実装されていてもよい。集積回路１２６、タッチセンサ制御用ＩＣ１２５、表示制御用ドライバＩＣ１２７は１つのＩＣチップ（半導体装置）で実現されていてもよい。

図１に示す表示装置１００は、ベース部材１０２の上にアンテナ１０８が設けられる。アンテナ１０８は近距離通信に用いることができる。アンテナ１０８が一体化された表示装置１００は、近接距離通信（ＮＦＣ）の機能を有する情報端末装置に適用することができる。例えば、表示装置１００は、携帯電話器、スマートフォンと呼ばれる多機能携帯電話器、タブレット型コンピュータ等に適用することができる。

図２は、表示装置１００の模式的な積層構造を示す斜視図である。ベース部材１０２の第１面に、駆動素子層１２８及び表示素子層１３０が積層される。駆動素子層１２８はトランジスタを含み、画素１１２を駆動する回路を含む。表示素子層１３０は表示素子を含む。表示素子層１３０の上には封止層１３２が設けられる。表示素子層１３０は封止層１３２によって封止される。

タッチセンサ層１３４は、封止層１３２の上方に配置される。タッチセンサ層１３４は、第１センサ電極１１４、第２センサ電極１１６を含む。アンテナ層１３６は、アンテナ１０８を含み、タッチセンサ層１３４を囲むように配置される。タッチセンサ層１３４及びアンテナ層１３６は、共通する絶縁層を含む。すなわち、タッチセンサ層１３４及びアンテナ層１３６は、両者の間で連続する少なくとも一層の絶縁層を含む。さらに、タッチセンサ層１３４における第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６を形成する導電層と、アンテナ層１３６におけるアンテナ１０８を形成する導電層とは、同じ絶縁層と接する。タッチセンサ層１３４及びアンテナ層１３６の上には、偏光板１３８、カバーガラス１４０が配置されていてもよい。

本実施形態に係る表示装置１００は、タッチセンサ層１３４とアンテナ層１３６とが同じ層構造を有する。別言すれば、タッチセンサ層１３４とアンテナ層１３６とは重畳せず、並置されている。このような構造により、表示装置１００に、新たな層を追加しないで近接距離通信（ＮＦＣ）に用いられるアンテナ１０８を作り込むことができる。

図３は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の表示部１０４の構成（タッチセンサ１０６、アンテナ１０８を除く構成）を示す。表示部１０４は画素１１２を含む。図３は、４つの画素１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄが配列された態様を例示する。また、表示部１０４には画素１１２の配列に対応して、ゲート信号線１１５ａ、１１５ｂ、データ信号線１１７ａ、１１７ｂ、電源線１２１ａ、１２１ｂ、及びコモン配線１２３ａ、１２３ｂが配設される。画素１１２ａは、発光素子２００、発光素子２００に接続される駆動トランジスタ２０２ａ、駆動トランジスタ２０２ａに接続される容量素子２０４、駆動トランジスタ２０２ａのゲートとデータ信号線１１７ａとの間接続される選択トランジスタ２０２ｂを含む。図３では省略されているが、他の画素１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄも同様である。選択トランジスタ２０２ｂのゲートは走査信号線１１５ａに接続され、走査信号でオンオフが制御される。電源線１２１ａとコモン配線１２３ａとの間には、駆動トランジスタ２０２ａと発光素子２００が直列に接続されている。なお、図３に示す画素１１２の回路は一例であり。画素１１２はこのような回路構成に限定されず、他の回路構成を備えていてもよい。

図３は、表示部１０４に、４つの画素１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄが配列する態様を示すが、画素１１２の数は任意であり、行方向及び列方向に複数個配列されていればよい。画素１１２の配列は任意であり、ストライプ配列、ベイヤー配列、デルタ配列、ペンタイル配列など様々な配列が適用され得る。このような構成を有する表示部１０４は、タッチセンサ１０６と重なるように配置される。

表示部１０４の外側には、走査信号を走査信号線１１５に出力する走査信号線駆動回路１１１ａ、１１１ｂ、データ信号線１１７を選択するセレクタ回路１１３が配置される。セレクタ回路１１３は、表示制御用ドライバＩＣ１２７から出力されるデータ信号を、各データ信号線１１７に割り当てる機能を有する。なお、図３は、走査信号線駆動回路１１１ａが端子電極１２０ｅと電気的に接続され、セレクタ回路１１３が端子電極１２０ｆと電気的に接続される態様を例示的に示す。

図４は、表示装置１００ａのタッチセンサ１０６とアンテナ１０８の構成を示す。タッチセンサ１０６は、一方向（例えば、図４に示すＸ方向）に延伸する第１センサ電極１１４と、一方向と交差する方向（例えば、図４に示すＹ方向）に延伸する第２センサ電極１１６とを含む。図４に示すように、タッチセンサ１０６は、複数の第１センサ電極１１４と複数の第２センサ電極１１６とが交差して配置される。

第１センサ電極１１４は、第１配線１１８ａと電気的に接続される。第１配線１１８ａは第１センサ電極１１４の端部からベース部材１０２の周縁部に向かって引き出される。第１配線１１８ａは、さらにベース部材１０２の周縁部に沿って配設され、第１端子電極１２０ａと電気的に接続される。第２センサ電極１１６は、第２配線１１８ｂと電気的に接続される。第２配線１１８ｂは第２センサ電極１１６の端部から端子部１１０に向かって引き出される。第２配線１１８ｂは、第２端子電極１２０ｂと電気的に接続される。なお、図４は、第１配線１１８ａ及び第２配線１１８ｂが、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６よりも絶縁層を挟んで下層に配置される態様を示す。

アンテナ１０８は、タッチセンサ１０６の外側の領域に配置される。アンテナ１０８を形成する導電層は、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６と同じ層に形成される。したがって、アンテナ１０８と、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６とは重畳しないように配置される。一方、アンテナ１０８は、絶縁層を介して走査信号線駆動回路１１１ａ、１１１ｂと重畳するように配置される。このような配置により、アンテナ１０８を付加したことによる周辺領域（額縁領域とも呼ばれる）の拡大を防ぐことができる。アンテナ１０８の第１端は、ループアンテナを形成する導電層がそのまま端子部１１０に延伸し、第３端子電極１２０ｃと電気的に接続される。アンテナ１０８の第２端は、複数回巻かれたループアンテナの内側に配置される。そのため、アンテナ１０８の第２端は、第１配線１１８ａ及び第２配線１１８ｂと同じ層に形成される第３配線１１８ｃと電気的に接続される。第３配線１１８ｃは、アンテナ１０８の第２端から端子部１１０に向かって延伸し、第４端子電極１２０ｄと電気的に接続される。

図４に示す構成において、タッチセンサ１０６及びアンテナ１０８は、同じ絶縁層の表面に形成され、当該絶縁層を挟んで設けられる配線１１８によって端子電極１２０に接続されることで、表示装置１００ａの構造を簡略化することができる。また、これにより表示装置１００ａの製造工程を簡略化することができる。

本実施形態において、表示装置１００ａに適用されるタッチセンサ１０６は、第１センサ電極１１４と第２センサ電極１１６との間の静電容量の変化からタッチの有無を検知する静電容量式が適用される。静電容量式タッチセンサとしては、自己容量方式と静電容量方式が知られている。本実施形態に係るタッチセンサ１０６は、自己容量方式及び相互容量方式のいずれの方式も適用することができる。自己容量方式は、センサ電極のブロックパターンと、人体（指先）との間の静電容量を検知して、タッチ状態か否かを判別する。相互容量方式は、センサ電極が、トランスミッター電極（Ｔｘ電極）とレシーバー電極（Ｒｘ電極）とにより構成される。相互容量方式では、トランスミッター電極にパルス信号を与え、レシーバー電極との間に電界を形成する。そして、トランスミッター電極及びレシーバー電極で構成されるセンシング面は、人体（指先）が近づくと電界強度が低下し静電容量が変化する。相互容量方式では、この静電容量の変化をレシーバー電極で検知してタッチ状態か否かを判別する。

図４は、タッチセンサ１０６が相互容量方式である場合を示す。この場合、第１センサ電極１１４がトランスミッター電極（Ｔｘ電極）であり、第２センサ電極１１６がレシーバー電極（Ｒｘ電極）であるとみなすことができる。もちろん、この組み合わせに限定されず、第１センサ電極１１４がレシーバー電極（Ｒｘ電極）であり、第２センサ電極１１６がトランスミッター電極（Ｔｘ電極）であってもよい。

図５（Ａ）は、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６の詳細を示す。図５（Ａ）は第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６の平面図を示し、図４において一点鎖線で囲まれた領域３００に対応する領域を示す。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）において示すＡ１－Ａ２線に対応する断面構造を示す。また、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）において示すＢ１－Ｂ２線に対応する断面構造を示す。

図５（Ａ）に示すように、第１センサ電極１１４は、複数の第１電極パターン１４２を含む。複数の第１電極パターン１４２のそれぞれは、隣接するもの同士が第１電極パターン１４２と同層の導電層によって電気的に接続される。すなわち、第１センサ電極１１４は、複数個の第１電極パターン１４２が連接されることにより構成される。図５（Ｂ）に示すように、第１センサ電極１１４は、第１絶縁層１４８の第１面側（上面側）に設けられた複数の第１電極パターン１４２が連接されることによって形成される。第１絶縁層１４８の第１面とは反対側の第２面側（下面側）には第２絶縁層１５２が配置される。第１配線１１８ａは、第１絶縁層１４８と第２絶縁層１５２との間に設けられる。第１センサ電極１１４の一端は、第１絶縁層１４８に設けられたコンタクトホール１５０ａを介して第１配線１１８ａと電気的に接続される。

図５（Ａ）に示すように、第２センサ電極１１６は、複数の第２電極パターン１４４を含む。図５（Ａ）は、第２電極パターン１４４ａと第２電極パターン１４４ｂを示す。第２電極パターン１４４ａと第２電極パターン１４４ｂとは、接続配線１４６によって電気的に接続される。すなわち、第２センサ電極１１６は、複数の第２電極パターン１４４が、接続配線１４６によって連接されることにより構成される。図５（Ｃ）に示すように、接続配線１４６は第１絶縁層１４８と第２絶縁層１５２との間に設けられる。接続配線１４６は、第１配線１１８ａと同じ層構造を有し、同じ層に形成された導電膜から形成される。第２電極パターン１４４ａと第２電極パターン１４４ｂとは、第１絶縁層１４８に設けられたコンタクトホール１５０ｂ及びコンタクトホール１５０ｃによって接続配線１４６と電気的に接続される。なお、第１センサ電極１１４と同様に、第２センサ電極１１６は、図４に示すように、第１絶縁層１４８と第２絶縁層１５２との間に設けられた第２配線１１８ｂと電気的に接続される。

第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４を第１絶縁層１４８の第１面側（上面側）に設け、当該第１絶縁層１４８の第２面側（下面側）に接続配線１４６を設けることで、第１センサ電極１１４と第２センサ電極１１６を交差して配置することができる。また、第１絶縁層１４８の第２面側（下面側）に第１配線１１８ａを設けることで、端子電極１２０と電気的に接続することができる。この場合において、接続配線１４６と第１配線１１８ａとを同じ層に形成される導電膜から形成することで、タッチセンサ１０６の構造を簡略化し、製造工程数の増加を防ぐことができる。

第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４の形状は任意である。図４及び図５は、第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４の外形が菱形である形態を示す。しかしながら、第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４は菱形に限定されず、三角形、四角形、五角形等、任意の多角形とすることができ、又は線状、円形状とすることもできる。また、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６は、表示部１０４の画面上において、人体の一部（例えば、指先）の接触位置を識別できる程度の解像度があればよいので、画素のように微細に配置する必要はない。第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４の大きさは、画素１１２一つ分よりも十分に大きく、一つの電極パターンが複数の画素１１２と重なる大きさで設けられる。

タッチセンサ１０６は、表示部１０４の視認側（観察者から見て手前側）に配置される。そのため、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６は透光性を有することが求められる。または、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６は、画素１１２を遮蔽しないように配置することが求められる。このような要求により、第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）に代表される透明導電膜で形成される。第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４は、透明導電膜で形成されることで第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６を画素１１２と重ねて配置することが可能となる。

第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６は表示部１０４の略全体に亘って配置される。そのため、タッチ有無の検出信号の遅延を防止する観点から、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６は低抵抗であることが好ましい。低抵抗を図るため、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）等の金属、又はこれらの金属を主成分とする合金で形成されることが好ましい。しかしながら、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６を金属のベタ膜で形成すると、画素１１２を覆い隠してしまう。このような不具合を解消するために、第１電極パターン１４２、第２電極パターン１４４、及び接続配線１４６は、画素１１２の出射光を遮断しない構造とすることが求められる。

図６は、金属材料を用いて形成される第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６の一態様を示す。図６は、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６の平面図を示し、画素１１２と重畳して配置される態様を示す。

図６は、金属材料で形成された第１電極パターン１４２、第２電極パターン１４４、ダミー電極パターン１４３、及び接続配線１４６に、画素１１２の配置に合わせて開口部１５４が設けられた態様を示す。別言すれば、第１電極パターン１４２、第２電極パターン１４４、及び接続配線１４６は、メッシュ状であり、メッシュの網の目の部分（開口部１５４）が画素１１２と重なるように配置される。第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４は、全体としては矩形（菱形）の形状を有している。また、第２電極パターン１４４と接続配線１４６とは、図５（Ｃ）で示す構造と同様に、第１絶縁層１４８を介してコンタクトホール１５０ｂ、１５０ｃによって電気的に接続されている。ダミー電極パターン１４３は、第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４と電気的に絶縁されているが、同様にメッシュ状であり、メッシュの網の目の部分が画素１１２と重なるように配置される。第１電極パターン１４２と第２電極パターン１４４との隙間を埋めるようにダミー電極パターン１４３を設けることで、タッチセンサ１０６の電極を視認されにくくし、表示装置１００の画質の劣化を防止し、外観上の美感を損ねないようにされている。

図６に示すように、第１電極パターン１４２、第２電極パターン１４４、及び接続配線１４６をメッシュ状とし、網の目の部分（開口部１５４）を画素１１２に合わせて配置することで、画素１１２を遮蔽しないようにすることが可能となる。第１電極パターン１４２、第２電極パターン１４４、及び接続配線１４６は、メッシュ状のパターンが画素１１２を囲むことで、遮光膜と同等の機能を有する。この機能により、ある画素から出射される光が隣接画素へ漏洩する割合が低減し、画質を向上させることができる。

第１電極パターン１４２、第２電極パターン１４４、及び接続配線１４６のメッシュの幅（太さ）は、隣接する画素同士の間隔（距離）と同等かそれより小さく設けられる。そのため、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６を肉眼で視認することは困難である。また、第１電極パターン１４２、第２電極パターン１４４、及び接続配線１４６における開口部１５４（網の目の部分）の面積は、各電極パターンの面積の５０％以上とすることができる。

このように第１電極パターン１４２、第２電極パターン１４４、及び接続配線１４６を微細な構造で形成することで、アルミニウムのような金属膜で電極パターンを形成しても鏡面化を防止することができる。さらに、図２で示すように、タッチセンサ１０６の上面（視認側）には偏光板１３８が配置されるので、第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６が肉眼で視認されることが防止される。図６で示す第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６の構成によれば、センサ電極の低抵抗化を図ると共に、タッチセンサ１０６を表示部１０４に重ねて設けたことによる画質の低下を防止することができる。

次に、タッチセンサ１０６及びアンテナ１０８を含む表示装置１００ａの詳細な構造を、図４に示すＣ１－Ｃ２線、Ｄ１－Ｄ２線、Ｅ１－Ｅ２線、及びＦ１－Ｆ２線に対応する断面構造に基づいて説明する。また、断面構造の理解のために、画素の断面構造についても説明をする。

図７は、表示装置１００ａにおける画素１１２の断面構造を示す。画素１１２は、駆動素子層１２８及び表示素子層１３０が積層された構造を有する。表示素子層１３０の上には封止層１３２及びタッチセンサ層１３４が設けられる。駆動素子層１２８はトランジスタ２０２及び容量素子２０４を含み、表示素子層１３０は発光素子２００を含む。

タッチセンサ層１３４は、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）で示す構成と同じ構成を有する。タッチセンサ層１３４は、第１絶縁層１４８及び第２絶縁層１５２を含む。第１絶縁層１４８の第１面側（上面側）に第１電極パターン１４２又は第２電極パターン１４４は第１絶縁層１４８の第１面側（上面側）に設けられる。第１絶縁層１４８は、窒化シリコン膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、又はアクリル樹脂若しくはポリイミド樹脂等の有機絶縁膜で形成される。第２絶縁層１５２は、後述されるように封止層１３２を構成する絶縁層を兼ねている。

図７において、封止層１３２は、第２絶縁層１５２、第３絶縁層１５６、及び第４絶縁層１５８を含む。表示素子層１３０は、発光素子２００（第１電極１６０、有機層１６２、及び第２電極１６４）、第５絶縁層１６６を含む。駆動素子層１２８は、容量素子２０４（第２電極１６４、第６絶縁層１６８、及び容量電極１７０）、第７絶縁層１７２、ソース－ドレイン電極１７４、第８絶縁層１７６、トランジスタ２０２（ゲート電極１７８、第９絶縁層１８０、及び半導体層１８２）、及び第１０絶縁層１８４を含む。図７に示す画素の一例では、第２電極１６４は、発光素子２００の電極と容量素子２０４の電極とを兼ねている。

トランジスタ２０２は、ゲート電極１７８に印加される電圧によってソース－ドレイン間を流れる電流（ドレイン電流）が制御される。発光素子２００はドレイン電流によって発光強度が制御される。容量素子２０４は、トランジスタ２０２のゲート－ソース間に接続されることによりゲート電圧が印加され、ゲート電圧を一定に保つために設けられる。

封止層１３２は、第１電極１６０及び第５絶縁層１６６を覆うように設けられる。封止層１３２は、第２絶縁層１５２、第３絶縁層１５６、及び第４絶縁層１５８が積層された構造を有する。第２絶縁層１５２及び第４絶縁層１５８は、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁膜で形成される。第３絶縁層１５６は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料で形成される。

表示素子層１３０において、第１電極１６０は複数の画素に亘って設けられ、第２電極１６４は画素ごとに設けられる。第５絶縁層１６６は、第２電極１６４の内側領域を開口し、周縁部を覆うように設けられる。第５絶縁層１６６は、第２電極１６４を露出する開口端において、滑らかな段差を形成するために有機樹脂材料で形成される。有機樹脂材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂及びポリアミド樹脂等が用いられる。有機層１６２は、第２電極１６４上面から第５絶縁層１６６の表面を覆うように設けられる。第１電極１６０は、有機層１６２及び第５絶縁層１６６の上面を覆うように設けられる。発光素子２００は、第１電極１６０、有機層１６２及び第２電極１６４が重なる領域が発光領域となる。画素１１２の内、発光領域が画像を表示する単位要素となる。

本実施形態において、図６を参照して説明される画素とは、発光素子２００の発光領域を指す場合を含む。例えば、発光素子２００の発光領域は、別言すれば画素１１２の発光領域であり、第１電極パターン１４２、第２電極パターン１４４、及び接続配線１４６の開口部１５４は、画素１１２の発光領域を囲むように配置される。

有機層１６２は、低分子系又は高分子系の有機エレクトロルミネセンス材料を用いて形成される。低分子系の有機エレクトロルミネセンス材料を用いる場合、有機層１６２は有機エレクトロルミネセンス材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むようにキャリア注入層（正孔注入層、電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）等が適宜設けられる。例えば、有機層１６２は、発光層を正孔注入層と電子注入層とで挟んだ構造とされる。また、有機層１６２は、正孔注入層と電子注入層に加え、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層などを適宜付加されてもよい。

本実施形態において、発光素子２００は、有機層１６２で発光した光をタッチセンサ層１３４側に出射する構成を有するものとする。第２電極１６４は有機層１６２で発光した光を反射するように光反射性の金属膜又は金属膜を含んで形成される。例えば、第２電極１６４は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の可視光帯域において光反射率の高い金属膜を含んで形成されることが好ましい。また、第２電極１６４は、ＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アルミニウムが添加された酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムが添加された酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電膜と金属膜とを積層させて形成されてもよい。第１電極１６０は、有機層１６２で発光した光を透過するため、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ等の透明導電膜で形成されてもよい。また、第１電極１６０は、銀－マグネシウム合金（ＡｇＭｇ）等の金属材料を用い、光が透過できる程度の膜厚で形成されてもよい。

封止層１３２の上には、第１絶縁層１４８が設けられ、さらに第１センサ電極１１４又は第２センサ電極１１６が設けられる。第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）等の金属、又はこれらの金属を主成分とする合金で形成される場合、メッシュ状に成形され、発光素子２００の発光領域と重ならないように設けられる。

駆動素子層１２８において、第７絶縁層１７２の上面には容量電極１７０が設けられる。容量電極１７０の上面には第６絶縁層１６８が設けられる。第６絶縁層１６８の上には第２電極１６４が設けられる。第２電極１６４は、第６絶縁層１６８及び第７絶縁層１７２を貫通するコンタクトホールを介してソース－ドレイン電極１７４と電気的に接続される。第２電極１６４と容量電極１７０とは、第６絶縁層１６８を挟んで重なる領域を有するように形成される。第６絶縁層１６８は、窒化シリコン、酸化シリコン、窒酸化シリコン等の無機絶縁材料で形成される。

駆動素子層１２８において、トランジスタ２０２は、第１０絶縁層１８４の上に設けられる半導体層１８２、ゲート絶縁膜として用いられる第９絶縁層１８０、及びゲート電極１７８が積層された構造を有する。半導体層１８２は、非晶質シリコン又は多結晶のシリコン、若しくは金属酸化物等の半導体材料で形成される。半導体層１８２は第９絶縁層１８０によってゲート電極１７８と絶縁される。ゲート電極１７８の上方には第８絶縁層１７６が設けられる。第８絶縁層１７６の上方にはソース－ドレイン電極１７４が設けられる。ソース－ドレイン電極１７４は、第８絶縁層１７６に形成されたコンタクトホールを介して半導体層１８２と電気的に接続される。第９絶縁層１８０及び第１０絶縁層１８４は、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸窒化シリコン等の無機絶縁膜で形成される。また、ゲート電極１７８、ソース－ドレイン電極１７４は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タングステン等の金属材料を用いて形成される。ソース－ドレイン電極１７４の上方には、第７絶縁層１７２が設けられる。第７絶縁層１７２は、トランジスタ２０２を埋め込み、表面を平坦化する平坦化膜として用いられる。第７絶縁層１７２は、ポリイミド又はアクリル等の有機絶縁材料で作製される。

図８は、図４に示すＣ１－Ｃ２線に対応する断面構造を示す。図８は、ベース部材１０２の上に、タッチセンサ層１３４、表示素子層１３０、及び駆動素子層１２８が積層された構造を示す。また、図８は、表示部１０４と端子部１１０との間に、第１開口部１０５、第２開口部１０７が設けられた態様を示す。

端子部１１０は、第８絶縁層１７６の上に配置された第２端子電極１２０ｂを含む。第２端子電極１２０ｂは、第７絶縁層１７２及び第６絶縁層１６８に設けられた開口部から露出されている。表示部１０４は、タッチセンサ層１３４、表示素子層１３０、及び駆動素子層１２８が積層された構造を有する。第１開口部１０５は、第５絶縁層１６６及び第７絶縁層１７２に貫通溝が設けられる。第２開口部１０７においても第５絶縁層１６６及び第７絶縁層１７２に貫通溝が設けられる。第１開口部１０５及び第２開口部１０７の貫通溝は、表示部１０４の周りを囲むように設けられる。

第１開口部１０５では、第５絶縁層１６６及び第７絶縁層１７２に貫通溝が設けられたことにより、下層側に配置される第８絶縁層１７６の上面が露出する。第６絶縁層１６８は、第７絶縁層１７２の側面を覆うと共に、第８絶縁層１７６の上面と接して設けられる。封止層１３２は、第１開口部１０５を埋設するように設けられる。詳細には、第４絶縁層１５８が、第５絶縁層１６６ａ、１６６ｂの表面、及び第６絶縁層１６８の上面に沿って設けられる。第３絶縁層１５６は、第１開口部１０５（第５絶縁層１６６及び第７絶縁層１７２の貫通溝）を埋設するように設けられるが、第５絶縁層１６６ｂより外側（端子部１１０側）にはみ出さないように設けられる。第２絶縁層１５２は、第３絶縁層１５６の上面に設けられ、第５絶縁層１６６ｂの上部で第４絶縁層１５８と接している。

第１開口部１０５は、有機樹脂膜で形成される第５絶縁層１６６が無機絶縁膜で形成される第４絶縁層１５８に覆われ、有機樹脂膜で形成される第７絶縁層１７２が無機絶縁膜で形成される第６絶縁層１６８に覆われた構造を有する。また、第１開口部１０５においては、無機絶縁膜で形成される第４絶縁層１５８、第６絶縁層１６８、第８絶縁層１７６、第９絶縁層１８０、及び第１０絶縁層１８４が積層された構造を有する。このような構造により、表示部１０４と端子部１１０との間で、有機樹脂膜で形成される第５絶縁層１６６及び第７絶縁層１７２が分断された領域が形成され、その分断された領域を無機絶縁膜が被覆する構造が形成される。すなわち、大気中の水分が有機樹脂膜を通して表示部１０４に浸入することを防ぐことができる。

第２開口部１０７は、第６絶縁層１６８が、第７絶縁層１７２ｂ、１７２ｃを被覆し、第８絶縁層１７６と接するように設けられる。さらに、第７絶縁層１７２の貫通溝と重なるように第５絶縁層１６６に貫通溝が配置される。第４絶縁層１５８は、第５絶縁層１６６ｂ、１６６ｃを被覆し、第６絶縁層１６８と接するように設けられる。第２開口部１０７では、封止層１３２において、第３絶縁層１５６が設けられず、第２絶縁層１５２及び第４絶縁層１５８が接して設けられる。第２絶縁層１５２及び第４絶縁層１５８は、端子部１１０の手前、すなわち、第５絶縁層１６６ｃの上部に端部が位置するように設けられる。

第２配線１１８ｂは、第１絶縁層１４８と第２絶縁層１５２との間に設けられる。第２配線１１８ｂは、第１絶縁層１４８に設けられたコンタクトホール１５０ｄによって第２センサ電極１１６と電気的に接続される。第２配線１１８ｂは、第２絶縁層１５２の上面に沿って端子部１１０まで延伸される。第２配線１１８ｂは、端子部１１０において第２端子電極１２０ｂと電気的に接続される。第２配線１１８ｂは第１絶縁層１４８が設けられる。第２開口部１０７において、第１絶縁層１４８の上にはアンテナ１０８が設けられる。第２配線１１８ｂは、第１絶縁層１４８の下面側に設けられることにより、アンテナ１０８と短絡することが防止される。

図８に示すように、第１絶縁層１４８が、第２面側（下面側）が、封止層１３２を構成する第２絶縁層１５２と接する領域を含むように設けられる。それにより、第２センサ電極１１６とアンテナ１０８とを同じ層上に設け、第２配線１１８ｂとを異なる層に設けることができる。第２センサ電極１１６の外側に、第２配線１１８ｂと交差する部分を有するアンテナ１０８を設けることができる。本実施形態によれば、封止層１３２の上に絶縁層を１層追加するだけで、タッチセンサ１０６とアンテナ１０８とを表示装置１００ａに作り込むことができる。

図９は、図４に示すＤ１－Ｄ２線に対応する断面構造を示す。図９は、ベース部材１０２の上に、タッチセンサ層１３４、表示素子層１３０、及び駆動素子層１２８が積層された構造を示す。また、図９は、表示部１０４とベース部材１０２端部との間に、第１開口部１０５、第２開口部１０７が設けられた態様を示す。さらに、図９は、走査信号線駆動回路１１１ｂを構成するトランジスタ２０２ｃを模式的に示す。第１開口部１０５及び第２開口部１０７は、図８を参照して説明される構造と同じである。

図９において、第１配線１１８ａは、第１絶縁層１４８と第２絶縁層１５２との間に設けられる。第１配線１１８ａは、第１絶縁層１４８に設けられたコンタクトホール１５０ａを介して第１センサ電極１１４と電気的に接続される。第１配線１１８ａは、第２開口部１０７まで延伸して設けられる。第１絶縁層１４８の上面に設けられるアンテナ１０８の一部は、第２開口部１０７において第１絶縁層１４８を介して第１配線１１８ａと重なる領域を有する。また、アンテナ１０８一部は、第１絶縁層１４８、第２絶縁層１５２、第４絶縁層１５８、第６絶縁層１６８を介して走査信号線駆動回路１１１ｂを構成するトランジスタ２０２ｃと重なる領域を有する。

図１０は、図４に示すＥ１－Ｅ２線に対応する断面構造を示す。図１０は、ベース部材１０２の上に、タッチセンサ層１３４、表示素子層１３０、及び駆動素子層１２８が積層された構造を示す。また、図１０は、表示部１０４とベース部材１０２端部との間に、第１開口部１０５、第２開口部１０７が設けられた態様を示す。第１開口部１０５及び第２開口部１０７は、図８を参照して説明される構造と同じである。

図１０は、アンテナ１０８と端子部１１０との接続構造を示す。アンテナ１０８は、第１絶縁層１４８の上面に配置される。アンテナ１０８は、表示部１０４と端子部１１０との間の領域においては、第２開口部１０７と重なる領域に配置される。図４で示すように、アンテナ１０８の第１端は第３端子電極１２０ｃと電気的に接続され、第２端は、第３配線１１８ｃによって第４端子電極１２０ｄと電気的に接続される。図１０に示すように、第３配線１１８ｃは、第１絶縁層１４８の下層側に設けられる。第３配線１１８ｃは、第１絶縁層１４８に設けられたコンタクトホール１５０eを介してアンテナ１０８の第２端と電気的に接続される。第３配線１１８ｃは、アンテナ１０８の第２端から端子部１１０に延伸し、第４端子電極１２０ｄと電気的に接続される。

本実施形態で例示されるアンテナ１０８は、多重ループアンテナであるため、第２端は多重に巻かれたループアンテナの内側に位置する。第３配線１１８ｃは、第１絶縁層１４８の下層側に設けられるため、多重ループアンテナと交差するように設けられても、アンテナ１０８との短絡が防止される。また、同じ層に設けられる他の配線１１８（第１配線１１８ａ、第２配線１１８ｂ等）と干渉しない位置に配置される。すなわち、第３配線１１８ｃは、センサ電極と端子電極とを電気的に接続する配線（第１配線１１８ａ、第２配線１１８ｂ）と同じ層に設けることができるので、表示装置１００ａの配線構造を簡略化することができる。

図１１は、図４に示すＦ１－Ｆ２線に対応する断面構造を示す。図１１は、ベース部材１０２の上に、タッチセンサ層１３４、表示素子層１３０、及び駆動素子層１２８が積層された構造を示す。また、図１１は、表示部１０４とベース部材１０２端部との間に、第１開口部１０５、第２開口部１０７が設けられた態様を示す。第１開口部１０５及び第２開口部１０７は、図８を参照して説明される構造と同じである。

図１１は、アンテナ１０８と端子部１１０との接続構造を示す。アンテナ１０８は、第２開口部１０７において第１絶縁層１４８の上面に配置される。アンテナ１０８の第１端は、第３端子電極１２０ｃと電気的に接続される。アンテナ１０８と同層で形成される配線１０９は端子部１１０に延伸し、第３端子電極１２０ｃと電気的に接続される。図１１に示すように、アンテナ１０８の第１端と第３端子電極１２０ｃとを接続する配線１０９を、アンテナ１０８を形成する導電層と同じ層で形成することで、構造の簡略化を図ることができる。また、製造工程を簡略化し、工程数を削減することができる。

本実施形態によれば、表示装置１００ａとアンテナ１０８とを一体化することで、ＮＦＣに対応する携帯情報端末装置の部材を削減することができる。また、携帯型情報端末装置の小型化、薄型化を図ることができる。

本実施形態では、画素に表示素子として、発光素子（有機エレクトロルミネセンス素子）が設けられる表示装置について例示するが、タッチセンサ１０８とアンテナ１０８の構成を液晶表示装置に適用することもできる。それにより、ＮＦＣの機能が付加された液晶表示装置を提供することができる。

第２実施形態：
図１２は、本実施形態に係る表示装置１００ｂのタッチセンサ１０６とアンテナ１０８の構成を示す。表示装置１００ｂは、アンテナ１０８が接続配線１４６と同じ層に設けられている点で、第１実施形態と相違する。また、第１センサ電極１１４と第１端子電極１２０ａとが、第１電極パターン１４２と同じ層に形成される第１配線１１８ａで電気的に接続され、第２センサ電極１１６と第２端子電極１２０ｂとが、第２電極パターン１４４と同じ層で形成される第２配線１１８ｂで接続され、アンテナ１０８の第２端が、接続配線１４６と同じ層で形成される第３配線１１８ｃで接続される点で相違する。以下の説明では、第１実施形態と相違する部分について説明する。

図１２において、Ｇ１－Ｇ２線に対応する断面構造を図１３に示す。図１３は、第２センサ電極１１６と第２端子電極１２０ｂとの接続構造を示す。図１３において、アンテナ１０８は、第１絶縁層１４８と第２絶縁層１５２との間に設けられる。第１絶縁層１４８の上層側には、第２センサ電極１１６（第２電極パターン１４４）から連続する第２配線１１８ｂが配設される。第２配線１１８ｂは、第１絶縁層１４８の上を延伸し、第２端子電極１２０ｂと電気的に接続される。

表示装置１００ｂは、アンテナ１０８が、タッチセンサ１０６より下層側に設けられている。図１３に示すように、第２配線１１８ｂは、第１絶縁層１４８の上層側に設けられることで、第１絶縁層１４８の下層側に配置されるアンテナ１０８と交差して配設することができる。アンテナ１０８が、第１配線１１８ａ、第２配線１１８ｂと交差する領域は一部分であるため、アンテナの動作に与える影響は低減される。すなわち、アンテナ１０８の感度が低下することを防止することが可能となる。

本実施形態によれば、アンテナ１０８をタッチセンサ１０６より下層側に設けた表示装置１００ｂを提供することができる。それにより、ＮＦＣに対応する携帯情報端末装置の部材を削減することができる。また、携帯型情報端末装置の小型化、薄型化を図ることができる。

第３実施形態：
図１４は、本実施形態に係る表示装置１００ｃのタッチセンサ１０６とアンテナ１０８の構成を示す。表示装置１００ｃは、接続配線１４６、第１配線１１８ａ、第２配線１１８ｂ、及び第３配線１１８ｃが、タッチセンサ１０６及びアンテナ１０８よりも上層側に設けられている点で、第１実施形態と相違する。以下の説明では、第１実施形態と相違する部分について説明する。

図１４に示す領域３０２の詳細を図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）、及び図１５（Ｃ）を参照して説明する。図１５（Ａ）は第１センサ電極１１４及び第２センサ電極１１６の平面図を示す。図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）において示すＡ３－Ａ４線に対応する断面構造を示す。また、図１５（Ｃ）は、図１５（Ａ）において示すＢ３－Ｂ４線に対応する断面構造を示す。

図１５（Ａ）に示すように、第１センサ電極１１４は、複数の第１電極パターン１４２を含む。複数の第１電極パターン１４２のそれぞれは、隣接するもの同士が第１電極パターン１４２と同層の導電層によって電気的に接続される。図１５（Ｂ）に示すように、第１センサ電極１１４は、第１絶縁層１４８の第２面側（下面側）に設けられた複数の第１電極パターン１４２が連接されることによって形成される。第１絶縁層１４８の第１面側（上面側）には接続配線１４６が設けられる。第１配線１１８ａは、第１絶縁層１４８の第１面側（上面側）に設けられる。第１センサ電極１１４の一端は、第１絶縁層１４８に設けられたコンタクトホール１５０ａを介して第１配線１１８ａと電気的に接続される。

図１５（Ａ）に示すように、第２センサ電極１１６は、第２電極パターン１４４ａと第２電極パターン１４４ｂとが、接続配線１４６によって電気的に接続されることで形成される。図１５（Ｃ）示すように、接続配線１４６は第１絶縁層１４８の第１面側（上面側）に設けられる。第２電極パターン１４４ａと第２電極パターン１４４ｂとは、第１絶縁層１４８に設けられたコンタクトホール１５０ｂ及びコンタクトホール１５０ｃによって接続配線１４６と電気的に接続される。

第１電極パターン１４２及び第２電極パターン１４４を第１絶縁層１４８の第２面側（下面側）に設け、当該第１絶縁層１４８の第１面側（上面側）に接続配線１４６を設けることで、第１センサ電極１１４と第２センサ電極１１６を交差して配置することができる。この場合において、接続配線１４６と第１配線１１８ａとを同じ層に形成される導電膜から形成することで、タッチセンサ１０６の構造を簡略化することができる。

図１４において、Ｈ１－Ｈ２線に対応する断面構造を図１６に示す。図１６は、第２センサ電極１１６と第２端子電極１２０ｂとの接続構造を示す。図１６において、アンテナ１０８は、第１絶縁層１４８の第２面側（下面側）に設けられる。第２センサ電極１１６は、第１絶縁層１４８の第２面側（下面側）に設けられる。すなわち、アンテナ１０８及び第２センサ電極１１６は、第１絶縁層１４８と第２絶縁層１５２との間に設けられる。別言すれば、アンテナ１０８及び第２センサ電極１１６は、封止層１３２に上面に設けられる。図１６では示されないが、第１センサ電極１１４も同様に封止層１３２の上面に設けられる。第２絶縁層１５２と第１絶縁層１４８とは接する領域を含む。アンテナ１０８及び第２センサ電極１１６は、第２絶縁層１５２と第１絶縁層１４８とに挟まれることにより、外部に露出せず保護される。なお、第２センサ電極１１６と第２配線１１８ｂとは、第１絶縁層１４８に設けられたコンタクトホール１５０ｆを介して電気的に接続される。

第２開口部１０７では、アンテナ１０８が第１絶縁層１４８の第２面側（下面側）に配設される。第２配線１１８ｂは、第１絶縁層１４８の第１面側（上面側）に配設され、アンテナ１０８と交差するように配置される。アンテナ１０８ｃが、第２配線１１８ｂと交差する領域は一部分であるため、アンテナの動作に与える影響は低減される。すなわち、アンテナ１０８ｃの感度が低下することを防止することが可能となる。

本実施形態によれば、アンテナ１０８ｃを第１配線１１８ａ、第２配線１１８ｂより下層側に設けた表示装置１００ｃを提供することができる。それにより、ＮＦＣに対応する携帯情報端末装置の部材を削減することができる。また、携帯型情報端末装置の小型化、薄型化を図ることができる。

第４実施形態：
図１７は、本実施形態に係る表示装置１００ｄの構成を示す。表示装置１００ｄは、第１センサ電極１１４が、第１配線１１８ａによって選択回路１８６と電気的に接続された構成を有する。第１センサ電極１１４は、タッチセンサ１０６の中に複数個配置される。選択回路１８６は、シフトレジスタ回路等で構成され、複数個配置された第１センサ電極１１４を順次選択する。選択回路１８６の出力は、第４配線１１８ｅによって第１端子電極１２０ａと電気的に接続される。なお、本実施形態においては、第１センサ電極１１４をレシーバー電極（Ｒｘ電極）として用い、第２センサ電極１１６をトランスミッター電極（Ｔｘ電極）として用いることが好ましい。

選択回路は、画素１１２を構成するトランジスタと同じ層構造を有するトランジスタによって、ベース部材１０２上に作製することができる。これにより、アンテナ１０８よりも下層側に選択回路１８６を配置することができる。別言すれば、選択回路１８６は、アンテナ１０８と重ねて設けることができる。

本実施形態によれば、タッチセンサ１０６を構成するセンサ電極を選択する選択回路を設けることで、配線を引き回す領域を削減することができる。具体的には、第１センサ電極１１４と電気的に接続される第１配線１１８ａの配線長を短縮することができる。これにより、表示装置１００ｄの配線引き回し領域（額縁領域）の面積を縮小することができる。表示装置１００ｄは、選択回路１８６を設けたこと以外は第１実施形態で示す表示装置１００ａと構成が同じであり、同様の作用効果を奏する。

第５実施形態：
図１８は、本実施形態に係る表示装置１００ｅの構成を示す。表示装置１００ｅは、アンテナ１０８の第１端と第２端との間に、共振用コンデンサ１２４が設けられている。共振用コンデンサ１２４は、アンテナ１０８のインダクタンスＬとキャパシタンスＣとで設定される共振周波数を、近距離通信（ＮＦＣ）を行う周波数と整合するように調整するために設けられる。

図１９（Ａ）は、共振用コンデンサ１２４の拡大図を示す。共振用コンデンサ１２４は、アンテナ１０８の第１端側に接続される櫛形電極１８８と、第２端側に接続される対向電極１９０とで構成される。図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）に示すＪ１－Ｊ２線に沿った断面構造を示す。櫛形電極１８８と対向電極１９０との間には、第１絶縁層１４８が設けられ、両電極の間に静電容量が形成される。

共振用コンデンサ１２４の静電容量を調整するには、第１絶縁層１４８の第１面側（上面側）に配置される櫛形電極１８８を切断することにより行うことができる。櫛形電極１８８を所定の位置で切断することにより、共振用コンデンサ１２４の静電容量を小さくすることができる。共振用コンデンサ１２４において、対向電極１９０の形状を、櫛形電極１８８の先端側から根元側に向かって徐々に小さくなるようにテーパー状に形成することで、櫛形電極１８８を順次切断していった場合の共振周波数のシフト量をほぼ等しい値に設定することができる。

櫛形電極１８８は、アンテナ１０８と同じ層に形成することができ、対向電極１９０は、第３配線１８８ｃと同じ層に形成される。そのため、共振用コンデンサ１２４は、新たな層を追加することなく表示装置１００ｅの中に作り込むことができる。表示装置１００ｅは、共振用コンデンサ１２４を設けたこと以外は、第１実施形態における表示装置１００ａと同様の構成を有し、同様の作用効果を奏する。なお、本実施形態は、第２実施形態乃至第４実施形態に係る表示装置に適宜組み合わせることができる。

１００・・・表示装置、１０２・・・ベース部材、１０４・・・表示部、１０５・・・第１開口部、１０６・・・タッチセンサ、１０７・・・第２開口部、１０８・・・アンテナ、１１０・・・端子部、１１１・・・走査信号線駆動回路、１１２・・・画素、１１３・・・セレクタ回路、１１４・・・第１センサ電極、１１５・・・走査信号線、１１６・・・第２センサ電極、１１７・・・データ信号線、１１８・・・配線、１１９・・・配線、１２０・・・端子電極、１２１・・・電源線、１２２・・・フレキシブル配線基板、１２３・・・コモン配線、１２４・・・共振用コンデンサ、１２５・・・タッチセンサ制御用ＩＣ、１２６・・・集積回路、１２７・・・表示制御用ドライバＩＣ、１２８・・・駆動素子層、１３０・・・表示素子層、１３２・・・封止層、１３４・・・タッチセンサ層、１３６・・・アンテナ層、１３８・・・偏光板、１４０・・・カバーガラス、１４２・・・第１電極パターン、１４３・・・ダミー電極パターン、１４４・・・第２電極パターン、１４６・・・接続配線、１４８・・・第１絶縁層、１５０・・・コンタクトホール、１５２・・・第２絶縁層、１５４・・・開口部、１５６・・・第３絶縁層、１５８・・・第４絶縁層、１６０・・・第１電極、１６２・・・有機層、１６４・・・第２電極、１６６・・・第５絶縁層、１６８・・・第６絶縁層、１７０・・・容量電極、１７２・・・第７絶縁層、１７４・・・ソース－ドレイン電極、１７６・・・第８絶縁層、１７８・・・ゲート電極、１８０・・・第９絶縁層、１８２・・・半導体層、１８４・・・第１０絶縁層、１８６・・・選択回路、１８８・・・櫛形電極、１９０・・・対向電極、２００・・・発光素子、２０２・・・トランジスタ、２０４・・・容量素子、３００・・・領域、３０２・・・領域

Claims (20)

1. ベース部材と、
   前記ベース部材上の複数の画素が配列された表示部と、
   前記ベース部材上であって前記表示部の外周部に配置され前記複数の画素を駆動する走査信号線駆動回路と、
   前記表示部に重ねて配置されたタッチセンサと、
   前記表示部の外周部に配置されたアンテナと、
   前記表示部を覆い、前記表示部の外周部に延びる封止層と、
   前記封止層上に設けられた第１絶縁層と、
   前記表示部の外周部に設けられた第１配線及び第２配線と、
   前記アンテナの外側に配置された複数の端子電極を含む端子部と、
   を有し、
   前記タッチセンサは、
   第１絶縁層の第１面側に配置され、第１方向に配列された複数の第１電極パターンを含む第１センサ電極と、前記第１絶縁層の前記第１面側に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に配列された複数の第２電極パターンを含む第２センサ電極と、を含み、
   前記走査信号線駆動回路は、前記ベース部材と前記第１絶縁層との間に配置され、
   前記第１絶縁層は、前記第１面側とは反対側の第２面側が前記封止層に接し、
   前記第１センサ電極は、前記第１絶縁層の前記第１面側で、前記複数の第１電極パターンが電気的に接続され、
   前記第２センサ電極は、前記第１絶縁層の前記第２面側に設けられた接続配線により、前記複数の第２電極パターンが電気的に接続され、
   前記第１配線及び前記第２配線は、前記封止層と前記第１絶縁層との間に挟まれて前記端子部まで延在し、それぞれが前記複数の端子電極の少なくとも１つに電気的に接続され、
   前記第１センサ電極は、前記第１配線と電気的に接続され、
   前記第２センサ電極は、前記第２配線と電気的に接続され、
   前記アンテナは、前記第１絶縁層の前記第１面側に配置され、前記表示部を囲み、少なくとも一部が前記第１配線及び前記第２配線の一部、並びに前記走査信号線駆動回路の一部と前記第１絶縁層を介して重なる、
   ことを特徴とする表示装置。
2. 前記第１センサ電極は、前記複数の第１電極パターンの内、隣接するもの同士が前記第１電極パターンから延伸する導電層で電気的に接続され、
   前記第２センサ電極は、前記複数の第２電極パターンの内、隣接するもの同士が前記第１絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記接続配線と電気的に接続される、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１センサ電極は、前記第１絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第１配線と電気的に接続され、
   前記第２センサ電極は、前記第１絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第２配線と電気的に接続される、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記アンテナの第１端は、前記端子部に延伸し、前記複数の端子電極のいずれか一つと電気的に接続され、
   前記アンテナの第２端は、前記第１絶縁層の前記第２面側に設けられた第３配線で、前記複数の端子電極のうちいずれか一つと電気的に接続される、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンは非透光性の金属であり、前記複数の画素のそれぞれと重なる位置に貫通孔を有する、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 前記封止層は、前記第１絶縁層側から、第２絶縁層、第３絶縁層、及び第４絶縁層が積層されている、
   請求項１に記載の表示装置。
7. 前記第１配線、前記第２配線、及び前記接続配線は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配置される、
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第１絶縁層の前記第２面側と、前記第２絶縁層とが接する領域を含む、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記アンテナは、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配置される、
   請求項６に記載の表示装置。
10. 前記第１端と前記第２端との間に、共振用コンデンサを含む、
    請求項４に記載の表示装置。
11. 前記共振用コンデンサの第１電極はくし歯状であり、前記共振用コンデンサの第２電極は平板状である、
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第１電極と前記第２電極との間に、前記第１絶縁層が介在する、
    請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第２方向に沿って配置された選択回路を有し、
    前記第１配線は、前記選択回路と接続される、
    請求項１に記載の表示装置。
14. 前記ベース部材が可撓性を有する、
    請求項１に記載の表示装置。
15. ベース部材と、
    前記ベース部材上の複数の画素が配列された表示部と、
    前記ベース部材上であって前記表示部の外周部に配置され前記複数の画素を駆動する走査信号線駆動回路と、
    前記表示部に重ねて配置されたタッチセンサと、
    前記表示部の外周部に配置されたアンテナと、
    前記表示部を覆い、前記表示部の外周部に延びる封止層と、
    前記封止層上に設けられた第１絶縁層と、
    前記表示部の外周部に設けられた第１配線及び第２配線と、
    前記アンテナの外側に配置された複数の端子電極を含む端子部と、
    を有し、
    前記タッチセンサは、
    第１絶縁層の第１面側に配置され、第１方向に配列された複数の第１電極パターンを含む第１センサ電極と、前記第１絶縁層の前記第１面側に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に配列された複数の第２電極パターンを含む第２センサ電極と、を含み、
    前記走査信号線駆動回路は、前記ベース部材と前記第１絶縁層との間に配置され、
    前記第１絶縁層は、前記第１面側とは反対側の第２面側が前記封止層に接し、
    前記第１センサ電極は、前記第１絶縁層の前記第１面側で、前記複数の第１電極パターンが電気的に接続され、
    前記第２センサ電極は、前記第１絶縁層の前記第２面側に設けられた接続配線により、前記複数の第２電極パターンが電気的に接続され、
    前記第１配線及び前記第２配線は、前記第１絶縁層の前記第１面側に配置されて前記端子部まで延在し、それぞれが前記複数の端子電極の少なくとも１つに電気的に接続され、
    前記第１センサ電極は、前記第１配線と電気的に接続され、
    前記第２センサ電極は、前記第２配線と電気的に接続され、
    前記アンテナは、前記封止層と前記第１絶縁層との間に配置され、前記表示部を囲み、前記走査信号線駆動回路の少なくとも一部と重なり、少なくとも一部が前記第１配線及び前記第２配線の一部と前記第１絶縁層を介して重なる、
    ことを特徴とする表示装置。
16. 前記封止層は、前記第１絶縁層側から、第２絶縁層、第３絶縁層、及び第４絶縁層が積層され、
    前記第１センサ電極、前記第２センサ電極、及び前記アンテナは、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配置される、
    請求項１５に記載の表示装置。
17. 前記第１絶縁層の前記第２面側と、前記第２絶縁層とが接する領域を含む、
    請求項１６に記載の表示装置。
18. 前記ベース部材が可撓性を有する、
    請求項１５に記載の表示装置。
19. ベース部材と、
    複数の画素が配列された表示部と、
    前記表示部の外周部に配置され前記複数の画素を駆動する走査信号線駆動回路と、
    一方向に配列する第１センサ電極と前記一方向と交差する方向に配列する第２センサ電極とを含み、前記表示部に重ねて配置されたタッチセンサと、
    前記表示部の外周部に配置されたアンテナと、
    前記表示部を覆い、前記表示部の外周部に延びる封止層と、
    前記封止層上に設けられた絶縁層と、
    前記アンテナの外側に配置された第１端子電極及び第２端子電極を含む端子部と、
    前記第１センサ電極と前記第１端子電極とを電気的に接続する第１配線と、前記第２センサ電極と前記第２端子電極とを電気的に接続する第２配線と、
    を有し、
    前記走査信号線駆動回路は前記ベース部材と前記封止層との間に配置され、
    前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極と前記第１配線及び前記第２配線とは、前記絶縁層を介して配置され、
    前記第１配線及び前記第２配線は、前記封止層と前記絶縁層との間、又は、前記絶縁層の前記封止層側とは反対側の表面に配置され、前記端子部まで延在し、
    前記アンテナは、前記走査信号線駆動回路の一部と重なり、
    前記第１配線及び前記第２配線は、前記絶縁層を介して前記アンテナと交差している、
    ことを特徴とする表示装置。
20. 前記第１センサ電極、前記第２センサ電極、及び前記アンテナは、前記絶縁層の同じ面側に配置されている、請求項１９に記載の表示装置。
    

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