JP6348874B2 - タッチセンサパネル - Google Patents

Description

本発明は、アンテナを備えたタッチセンサパネルに関し、特に、アンテナの伝送線路における共振現象を回避し、かつ送電損失を低減したタッチセンサパネルに関する。

現在、スマートフォンまたはタブレット等と呼ばれる、タッチパネルを搭載した携帯端末機器の高機能、小型化、薄型化および軽量化が進んでいる。これら携帯端末機器には、電話用アンテナ、ＷｉＦｉ（Wireless Fidelity）用アンテナ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）用アンテナ等の複数のアンテナが搭載されている。アンテナは同軸ケーブル等の伝送線路で携帯端末機器の制御基板等に接続されている。

特許文献１には、アンテナと接続ケーブルとを備えるアンテナユニットおよびそれを備えたコンピュータ端末が記載されている。特許文献１では、ＦＰＣ（(Flexible Printed Circuit）技術を利用して可撓性を持つ絶縁性フィルム上に電波共振部と接続ケーブルを一体に形成して構成している。これにより、アンテナ自体及び接続ケーブルを自由に折り曲げることができ、配置の自由度を大きくしている。

特許文献２には、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機器に使用されるモバイルアンテナが記載されている。特許文献２のモバイルアンテナは、電波共振部を有する逆Ｆ型アンテナのアンテナ部と、アンテナ部を携帯機器本体側のコネクタに接続する接続ケーブルがあり、これを可撓性印刷回路基板で一体に形成されている。接続ケーブルの長手方向の、起立部分を除き、略全長に亘り、シールド部材でインピーダンス整合されてシールドされている。

特開２００３−０７８３２０号公報 特開２００４−２８９５７８号公報

上述のように、タッチパネルを備える携帯端末機器においてアンテナが搭載された場合、アンテナ性能を維持するためには、アンテナは通信周波数の波長に依存したアンテナ長であることが望ましい。アンテナを含む最適化されたアンテナモジュールを用意し、アンテナモジュールと携帯端末機器の内蔵基板とを同軸ケーブル等の伝送線路で接続する構造としている。携帯端末機器は、上述のように小型化、薄型化および軽量化が進んでおり、アンテナモジュールを設置するスペースの確保が難しい状況にある。このため、伝送線路を含めアンテナモジュールを設ける新たな部位が検討されている。

上述のように特許文献１では、可撓性を持つ絶縁性フィルム上に電波共振部と接続ケーブルを一体に形成することで配置の自由度を大きくしている。特許文献２では、平板状の可撓性印刷回路基板によりアンテナ部と接続部とを形成して、薄型化、軽量化された電子機器に適応し、接続部の可撓性によって狭小スペースに配設できるようにしている。
しかしながら、特許文献１および特許文献２は、いずれもインピーダンス整合のみを考慮しており、共振対策はケーブル全体をシールドすることで対応している。このため、構造に起因する共振が発生することがある。なお、アンテナの伝送線路は、送電損失を小さくするために抵抗が小さいことが好ましい。しかしながら、アンテナの伝送線路として、共振現象を回避した上で送電損失が小さいものがないのが現状である。

本発明の目的は、前述の従来技術に基づく問題点を解消し、アンテナの伝送線路部における共振現象を回避し、かつ、面抵抗が大きくても送電損失を低減した、アンテナを備えたタッチセンサパネルを提供することにある。

上述の目的を達成するために、本発明の態様は、基板と、基板に設けられ、検出部と周辺配線部を備えるタッチセンサ部と、基板に設けられる、アンテナと、基板に設けられ、アンテナに接続される伝送線路部と、タッチセンサ部および伝送線路部と接続される制御基板とを有し、伝送線路部は、基板の一方の面に設けられた、アンテナに接続される信号線と、基板の他方の面において信号線が設けられた領域に相当する配置領域を挟んで設けられ、かつ、少なくとも伝送線路部のアンテナ側端部にて互いに電気的に接合された２つの接地線とを有することを特徴とするタッチセンサパネルを提供するものである。

各接地線には、配置領域の反対側に、導体線で構成された共振防止線が設けられていることが好ましい。
各接地線は、制御基板側の端部に複数の接続端子が形成されていることが好ましい。
また、タッチセンサ部に備えられた周辺配線部、伝送線路部およびアンテナは、同一材料で構成されていることが好ましい。更に、タッチセンサ部に備えられた周辺配線部、伝送線路部およびアンテナは、厚みが同じであることが好ましい。また、伝送線路部は、面抵抗が０．０１〜１０Ω／ｓｑ．であることが好ましい。

本発明によれば、アンテナの伝送線路部における共振現象を回避し、かつ、面抵抗が大きくても送電損失を低減することができる。

（ａ）は本発明の第１の実施形態のタッチセンサパネルを有する携帯端末の構成を示す模式図であり、（ｂ）は本発明の第１の実施形態のタッチセンサパネルを示す模式的平面図である。 （ａ）は本発明の第１の実施形態のタッチセンサパネルを示す模式的断面図であり、（ｂ）は本発明の第１の実施形態のタッチセンサパネルの他の例を示す模式的断面図であり、（ｃ）は導電性細線により形成される導電パターンの一例を示す平面図である。 （ａ）は本発明の第１の実施形態のタッチセンサパネルのアンテナと伝送線路を示す要部拡大図であり、（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線による断面図である。 （ａ）は伝送線路を示す模式的断面図であり、（ｂ）は従来の伝送線路を示す模式的断面図であり、（ｃ）は伝送線路部の送電損失を説明するグラフである。 （ａ）は伝送線路の第１の例を示す模式図であり、（ｂ）は伝送線路の第２の例を示す模式図であり、（ｃ）は伝送線路の第３の例を示す模式図である。 （ａ）は本発明の第２の実施形態のタッチセンサパネルを示す模式的平面図であり、（ｂ）は本発明の第２の実施形態のタッチセンサパネルのアンテナと伝送線路を示す要部拡大図である。 （ａ）は本発明の第３の実施形態のタッチセンサパネルを示す模式的平面図であり、（ｂ）は本発明の第３の実施形態のタッチセンサパネルのアンテナと伝送線路を示す要部拡大図である。

以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明のタッチセンサパネルを詳細に説明する。
なお、以下において数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α〜数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
光学的透明および単に透明とは、いずれも光透過率が、波長４００〜８００ｎｍの可視光波長域において、少なくとも６０％以上のことであり、好ましくは７５％以上であり、より好ましくは８０％以上、さらにより好ましくは８５％以上のことである。
光透過率は、例えば、ＪＩＳ Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック--全光線透過率及び全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。

図１（ａ）は本発明の第１の実施形態のタッチセンサパネルを有する携帯端末の構成を示す模式図であり、（ｂ）は本発明の第１の実施形態のタッチセンサパネルを示す模式的平面図である。
本発明のタッチセンサパネルは、タッチパネルを搭載した携帯端末機器に利用されるものである。

図１（ａ）に示すように、本実施形態のタッチセンサパネル１０は、液晶表示装置等の表示装置１３とともに用いられ、表示装置１３上に設けられる。このため、タッチセンサパネル１０は、表示装置１３で表示される画像を認識させるため表示装置１３の表示画像に対応する領域が透明である。表示装置１３は、動画等を含めて所定の画像を画面に表示することができれば、特に限定されるものではなく、上述の液晶表示装置以外に、例えば、有機ＥＬ（Organic Electro Luminescence）表示装置および電子ペーパ等を用いることができる。
タッチセンサパネル１０および表示装置１３で、タッチパネルを搭載し、通信可能な携帯端末機器１７が構成される。

図１（ｂ）に示すタッチセンサパネル１０は、タッチセンサ部１２と、タッチセンサ部１２を制御する制御基板１４とを有する。図１（ａ）に示すようにタッチセンサ部１２と制御基板１４との間に表示装置１３が配置されている。図１（ｂ）に示すように、タッチセンサ部１２にアンテナ１６が設けられている。
図１（ｂ）に示すようにタッチセンサ部１２と制御基板１４とは、例えば、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）１５を介して電気的に接続されている。タッチセンサ部１２と制御基板１４との電気的な接続はフレキシブルプリント配線基板１５に限定されず、コネクタ（図示せず）で電気的に接続してもよい。アンテナ１６は伝送線路部１９およびフレキシブルプリント配線基板１５を介して制御基板１４と電気的に接続されている。

制御基板１４は、表示装置１３の制御、タッチセンサ部１２の制御、アンテナ１６を介したデータ通信の制御等を行う制御回路（図示せず）が実装されたものである。制御回路は、例えば、電子回路で構成される。制御基板１４により、アンテナ１６から送信信号が送信され、受信信号を受信することができ、外部機器との情報の授受が可能となる。
タッチセンサ部１２の後に詳述するセンサ部１８ａを指等でタッチすると、タッチした位置が、静電容量式であれば静電容量の変化が生じるが、この静電容量の変化が制御基板１４で検知されて、タッチした位置の座標が特定される。制御基板１４には、一般的なタッチパネルの位置検出に利用される公知のもので構成される。なお、タッチセンサ部１２が静電容量式であれば静電容量式の制御回路が利用される。また、タッチセンサ部１２が抵抗膜式であれば抵抗膜式の制御回路が適宜利用される。
また、制御基板１４において、表示装置１３を制御する制御回路、およびデータ通信を制御する制御回路には、公知のものが適宜利用可能である。

図１（ｂ）に示すｘ軸方向とｙ軸方向とは直交している。タッチセンサパネル１０のタッチセンサ部１２では、ｘ軸方向に伸びる第１の導電層３０がｙ軸方向に間隔を設けて複数配置されている。また、ｙ軸方向に伸びる第２の導電層４０がｘ軸方向に間隔を設けて複数配置されている。
各第１の導電層３０は、その一端において第１の配線３２と電気的に接続されている。各第２の導電層４０は、その一端において第２の配線４２と電気的に接続されている。なお、第１の導電層３０の一部については接続される第１の配線３２の図示を省略している。第２の導電層４０の一部についても接続される第２の配線４２の図示を省略している。
各第１の配線３２および各第２の配線４２は基板２０の端部１２ｅの結線領域１２ｇに集約されて、それぞれフレキシブルプリント配線基板１５により制御基板１４に接続されている。

第１の導電層３０および第２の導電層４０は、いずれもタッチセンサパネル１０でのタッチを検出する検出電極として機能するものである。第１の導電層３０と第２の導電層４０でタッチを検出するセンサ部１８ａが構成される。第１の配線３２と第２の配線４２とをまとめて周辺配線部１８ｂという。
第１の導電層３０と第２の導電層４０とは同じ構成であり、第１の配線３２と第２の配線４２は同じ構成である。

図２（ａ）に示すように、タッチセンサ部１２では、基板２０の表面２０ａに第１の導電層３０が形成され、基板２０の裏面２０ｂに第２の導電層４０が形成されている。第１の導電層３０上に接着層２２を介して保護層２４が設けられ、第２の導電層４０上に接着層２２を介して保護層２４が設けられている。
第１の導電層３０が形成された基板２０の表面２０ａに、図２（ａ）では図示しないが、第１の配線３２が形成されている。また、第２の導電層４０が形成されている基板２０の裏面２０ｂに、図２（ａ）では図示しないが、第２の配線４２が形成されている。

１つの基板２０の表面２０ａに第１の導電層３０を形成し、裏面２０ｂに第２の導電層４０を形成することにより、基板２０が収縮しても第１の導電層３０と第２の導電層４０との位置関係のズレを小さくすることができる。

タッチセンサパネル１０は、例えば、１つの基板２０に１つの導電層を設ける構成でもよい。図２（ｂ）に示すタッチセンサ部１２のように、１つの基板２０の表面２０ａに第１の導電層３０が形成された基板２０の裏面２０ｂに、接着層２６を介して表面２１ａに第２の導電層４０が形成された基板２１が積層された構成でもよい。この場合、第１の導電層３０上に接着層２２を介して保護層２４が設けられる。なお、基板２１は基板２０と同じ構成である。

図２（ｃ）に示すように、第１の導電層３０および第２の導電層４０は、それぞれ導電性細線３５で構成される。
導電性細線３５の線幅ｄは、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは０．５μｍ以上４μｍ以下である。導電性細線３５の線幅ｄが上述の範囲であれば、第１の導電層３０と第２の導電層４０を比較的容易に低抵抗にできる。

導電性細線３５の厚みは特に制限されないが、０．１μｍ〜１０μｍが好ましく、０．５μｍ〜５μｍであることが最も好ましい。上述の範囲であれば、低抵抗、かつ耐久性に優れた第１の導電層３０および第２の導電層４０を比較的容易に得ることができる。
導電性細線３５の線幅ｄおよび導電性細線３５の厚みは、例えば、光学顕微鏡、レーザ顕微鏡、デジタルマイクロスコープ等を用いて測定することができる。

図１（ｂ）では第１の導電層３０および第２の導電層４０は、いずれも模式的に棒状に図示しているが、図２（ｃ）に示すように、例えば、第１の導電層３０および第２の導電層４０は、導電性細線３５により構成されたセル３７が多数組み合わされてなるメッシュパターン３９を有する。
各セル３７は、例えば、多角形で構成されている。多角形としては、三角形、正方形、長方形、平行四辺形、ひし形等の四角形、五角形、六角形、ランダム多角形等が挙げられる。また、多角形を構成する辺の一部が曲線であってもよい。

メッシュパターン３９のセル３７の一辺の長さＰａが短すぎると、開口率および透過率が低下し、それに伴って、透明性が劣化するという問題がある。反対に、セル３７の一辺の長さＰａが長すぎると、高い分解能でタッチ位置の検出ができなくなる可能性がある。
メッシュパターン３９のセル３７の一辺の長さＰａは特に制限されないが、５０〜５００μｍであることが好ましく、１００〜４００μｍであることがさらに好ましい。セル３７の一辺の長さＰａが上述の範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
可視光透過率の点から、導電性細線３５より形成されるメッシュパターン３９の開口率は８０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがさらに好ましく、９０％以上であることが最も好ましい。開口率とは、導電性細線３５を除いた透光性部分が全体に占める割合である。

第１の導電層３０と第２の導電層４０を、導電性細線３５が交差してメッシュ状となったメッシュ構造とすることで、抵抗を低くでき、かつ断線もしにくい。さらには断線が発生した場合にも検出電極の抵抗値への影響を低減できる。
メッシュ構造の場合、メッシュ形状は同じ形が規則的に配列した定型形状でも良く、ランダム形状でも良い。定型形状の場合は、正方形、菱形、正六角形が好ましく、特に菱形が好ましい。菱形の場合、その鋭角の角度は、５０°〜８０°であることが、表示装置とのモアレを低減する観点から好ましい。メッシュピッチは５０μｍ〜５００μｍであることが好ましく、メッシュの開口率は８２％〜９９％であることが好ましい。メッシュの開口率は、メッシュ部における導体細線の非占有面積率で定義される。
なお、メッシュ状金属電極としては、例えば、特開２０１１−１２９５０１号公報、および特開２０１３−１４９２３６号公報等に開示されている網目状のメッシュ状金属電極を用いることができる。これ以外にも、例えば、静電容量式のタッチパネルに用いられる検出電極を適宜用いることができる。
セル３７の一辺の長さＰａ、メッシュの角度、メッシュの開口率については、例えば、光学顕微鏡、レーザ顕微鏡、デジタルマイクロスコープ等を用いて測定することができる。

周辺配線部１８ｂの厚みは特に制限されないが、０．１μｍ〜０．２ｍｍが好ましく、０．５μｍ〜３５μｍであることが最も好ましい。上述の範囲であれば、低抵抗、かつ耐久性に優れた第１の配線３２と第２の配線４２を比較的容易に得ることができる。
周辺配線部１８ｂの厚みは、導電性細線３５と同様に、例えば、光学顕微鏡、レーザ顕微鏡、デジタルマイクロスコープ等を用いて測定することができる。

導電性細線３５、周辺配線部１８ｂ、伝送線路部１９、アンテナ１６、および後述のアンテナ８０は、導電性材料で構成されるものであり、例えば、金属、合金または化合物で構成される。導電性細線３５、周辺配線部１８ｂ、伝送線路部１９、アンテナ１６、および後述のアンテナ８０は、一般的に導体と利用しているものが適宜利用可能であり、その組成は、特に限定されるものではない。導電性細線３５、周辺配線部１８ｂ、伝送線路部１９、アンテナ１６、および後述のアンテナ８０は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）で形成される。また、それらの合金でもよい。導電性細線３５、周辺配線部１８ｂ、伝送線路部１９、アンテナ１６、および後述のアンテナ８０は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）に、さらにバインダーを含むもので構成してもよく、これも導電性細線３５、周辺配線部１８ｂ、伝送線路部１９、アンテナ１６、および後述のアンテナ８０に含まれる。導電性細線３５、周辺配線部１８ｂ、伝送線路部１９、アンテナ１６、および後述のアンテナ８０は、バインダーを含むことにより、曲げ加工しやすくなり、かつ曲げ耐性が向上する。バインダーとしては、導電性フィルムの配線に利用されるものを適宜用いることができ、例えば、特開２０１３−１４９２３６号公報に記載されているものを用いることができる。導電性細線３５は、金属または合金で構成された場合、金属細線である。

接着層２２は、例えば、ＯＣＡ（Optically Clear Adhesive）と呼ばれる光学的透明な粘着剤，またはＯＣＲ（Optically Clear Resin）と呼ばれる紫外線硬化樹脂等の光学的透明な樹脂が用いられる。
保護層２４は第１の導電層３０、第２の導電層４０、第１の配線３２、および第２の配線４２、伝送線路部１９、アンテナ１６、および後述のアンテナ８０を保護するためのものである。保護層２４の構成は、特に限定されるものではない。例えば、ガラス、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）等を用いることができる。以下、ポリエチレンテレフタレートのことを、単にＰＥＴという。

タッチセンサパネル１０には、タッチセンサ部１２の角部１２ｃ（図１（ａ）参照）にアンテナ１６が設けられている。
アンテナ１６は、モノポールアンテナである。アンテナ１６の長さは利用する電波の波長に応じて適宜決定される。アンテナ１６は、例えば、一定の幅の箔状の導体で構成され、基板２０の表面２０ａに形成される。この箔状の導体は、例えば、べた膜と呼ばれる面状の膜である。アンテナ１６は、メッシュ状の導体で構成することもできる。なお、アンテナ１６は、モノポールアンテナに限定されるものではなく、仕様等に応じた各種構成のアンテナを利用することができる。

伝送線路部１９は、アンテナ１６と制御基板１４とを接続するものである。基板２０に伝送線路部１９が、タッチセンサ部１２の角部１２ｃから、第１の配線３２の外側を通り、第１の配線３２および第２の配線４２が集約された結線領域１２ｇまで引き回されている。伝送線路部１９は、タッチセンサ部１２の端部１２ｅでフレキシブルプリント配線基板１５と接続されている。
図３（ａ）は本発明の第１の実施形態のタッチセンサパネルのアンテナと伝送線路を示す要部拡大図であり、（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線による断面図である。

図３（ｂ）に示すように、伝送線路部１９は、基板２０の表面２０ａに設けられた信号線５０と、基板２０の裏面２０ｂに設けられた接地線５２とを有する。信号線５０は、基板２０の表面２０ａに形成されたアンテナ１６に接続される。アンテナ１６と信号線５０とは一体構成でもよい。
接地線５２は、図示はしないが制御基板１４内で接地されており、基板２０の裏面２０ｂにおいて、信号線５０が設けられた基板２０の表面２０ａの領域Ｄｓに相当する配置領域Ｄを挟んで２つ設けられている。図３（ａ）に示すように、２つの接地線５２は、タッチセンサ部１２の端部１２ｅにて端部５２ａが接合部５４により互いに電気的に接合されている。また、２つの接地線５２は、アンテナ１６側の端部５２ｂにて接合部５４により互いに電気的に接合されている。配置領域Ｄは、接地線５２と接合部５４で囲まれた領域である。

なお、２つの接地線５２が上流のフレキシブルプリント配線基板１５内で電気的に接続されている状態にある場合、２つの接地線５２を電気的に接続するタッチセンサ部１２の端部１２ｅの接合部５４は、なくともよい。
また、２つの接地線５２は基板２０の裏面２０ｂに限定して設けられるものではなく、基板２０の表面２０ａに設けてもよい。その場合、信号線５０およびアンテナ１６は基板２０の裏面２０ｂに設けられる。
各接地線５２のアンテナ１６側の端部５２ｂの側面５２ｃに、接地線５２の長さ方向と直交する方向に延びる仮想接地線５６が設けられている。仮想接地線５６の端面５６ｃが仮想接地面Ｂｓとなる。

伝送線路部１９の接地線長Ｌは、伝送線路部１９の端から端までの長さのことであり、タッチセンサ部１２の端部１２ｅ側の端部５２ａから端部５２ｂまでの長さのことである。図３（ａ）では、タッチセンサ部１２の端部１２ｅ側の端部５２ａから仮想接地線５６の端面５６ｃまでの長さである。
接地線５２の幅Ｗは、接合部５４が対向する方向における長さのことであり、接地線５２の幅Ｗには接合部５４は含まれない。
なお、接合部５４の接合幅Ｗｃは伝送線路部の特性インピーダンスへの影響を考慮し、１０μｍ〜１０ｍｍとすることが好ましく、１００μｍ〜５ｍｍがより好ましく、１００μｍ〜１ｍｍであることが最も好ましい。
伝送線路部１９は、基板２０の表面２０ａに信号線５０を設け、基板２０の裏面２０ｂに接地線５２を設ける構成としたが、これに限定されるものではなく、信号線５０を基板２０の裏面２０ｂに設け、接地線５２を基板２０の表面２０ａに設ける構成でもよい。この場合、アンテナ１６は信号線５０と同じ側に裏面２０ｂに設けられる。なお、基板２０の表面２０ａと裏面２０ｂとが、一方の面と他方の面に相当する。
信号線５０および接地線５２は、例えば、箔状の導体が構成されるが、メッシュ状の導体で構成することもできる。

伝送線路部１９を図３（ａ）、（ｂ）に示す構成とすることで、タッチセンサ部１２の基板２０に伝送線路部１９をアンテナ１６とともに設けることができる。
なお、伝送線路部１９の信号線５０および接地線５２は周辺配線部１８ｂと厚みが同じでもよい。すなわち、タッチセンサ部１２の第１の配線３２と第２の配線４２と厚みが同じでもよい。また、基板２０の同じ面に形成される伝送線路部１９の信号線５０はアンテナ１６と厚みが同じでもよい。タッチセンサ部１２の第１の配線３２と第２の配線４２、伝送線路部１９の信号線５０および接地線５２およびアンテナ１６の導電部位は同じ厚みであることが好ましい。また、タッチセンサ部１２の第１の配線３２と第２の配線４２、伝送線路部１９の信号線５０および接地線５２およびアンテナ１６の導電部位は面抵抗が小さいことが好ましい。

伝送線路部１９は特性インピーダンス整合、および送電損失を考慮する必要がある。伝送線路部１９では、信号線５０の幅Ｗｓ、接地線５２の幅Ｗ、ならびに信号線５０と接地線５２間の線間距離Ｗ_Ｄは、基板２０、接着層２２、および保護層２４の各誘電率と厚みをパラメータとして予め設定された特性インピーダンスと整合するように設定されている。
また、伝送線路部１９における送電損失を軽減するために、面抵抗の小さい材料が用いられる。例えば、３５μｍ厚みの銅箔の面抵抗は０．４５ｍΩ／ｓｑ．程度であるが、タッチセンサ部１２の周辺配線部１８ｂの面抵抗は０．１Ω／ｓｑ．程度と大きい。よって、伝送線路部に周辺配線部１８ｂと同じ材料を用いる場合の送電損失を低減するための最適な伝送線路構造を用いることとなる。図４（ａ）に伝送線路部１９を示す。
図４（ｂ）に、一般的な伝送線路の構造として知られているマイクロストリップライン構造の伝送線路部１００を示す。伝送線路部１００は、基板１０２の表面１０２ａに信号線１０４が形成され、基板１０２の裏面１０２ｂに接地線１０６が形成されている。

図４（ａ）に示す伝送線路部１９および図４（ｂ）に示す伝送線路部１００において、厚み１００μｍのＰＥＴ材を基板２０に用いた場合、特性インピーダンス５０Ωの値に対して、図４（ａ）の伝送線路部１９では信号線５０の幅Ｗｓは６００μｍ、線間距離Ｗ_Ｄは１４０μｍであるが、図４（ｂ）の伝送線路部１００では信号線１０４の幅Ｗｓは１６０μｍである。図４（ｃ）に示すように周波数が変わっても信号線５０の幅Ｗｓが６００μｍ（符号Ｇ_１参照）の方が、信号線１０４の幅Ｗｓが１６０μｍ（符号Ｇ_２参照）よりも伝送線路部電力伝達量が多く、伝送線路部の送電損失が小さい。図４（ｃ）の伝送線路部の送電損失を説明するグラフは、基板に厚み１００μｍのＰＥＴ材を用い、伝送線路部の長さを５０ｍｍ、信号線１０４の幅Ｗｓを１６０μｍ、信号線５０の幅Ｗｓを６００μｍ、接地線５２および接地線１０６の幅Ｗを１０００μｍ、線間距離Ｗ_Ｄを１４０μｍ、信号線の面抵抗を０．１Ω／ｓｑ．、入出力部の特性インピーダンスを５０Ωとした条件で得られたものである。
このように、伝送線路部１９では、一般的な伝送線路の構造の伝送線路部１００に比して信号線５０の幅Ｗｓを広くすることができる。これにより、伝送線路部１９の方が、一般的な伝送線路の構造に比して、信号線５０の抵抗を小さくできるため抵抗損失を小さくでき、さらには送電損失も小さくできる。

タッチセンサパネル１０に設ける伝送線路部１９は最長１ｍ程度であることを考慮し、その時に許容される面抵抗は１０Ω／ｓｑ．以下であることが望ましく、特に、この構造であることの効果が得られる面抵抗は０．０１〜１０Ω／ｓｑ．であり、最も好ましい面抵抗は０．０１〜１Ω／ｓｑ．である。
面抵抗は、測定対象となる伝送線路を１０ｍｍ幅で切り出し、その両端に導電性銅テープを伝送線路部の長さが１０ｍｍになるように貼り、その両端の抵抗をＡｇｉｌｅｎｔ製 ３４４０５Ａ マルチメータを用いて測定する。その測定した抵抗値が面抵抗である。上述の周辺配線部１８ｂについても１０ｍｍ幅で切り出して、上述のように両端の抵抗を測定する。その測定した抵抗値が面抵抗である。

アンテナ１６の特性インピーダンスは伝送線路部１９の特性インピーダンスと整合するように設計する。しかし、アンテナの配置環境、形状制約、および製造ばらつき等により、全ての製品において適切な整合条件を満たすことは難しい。
よって、伝送線路部１９とアンテナ１６の特性インピーダンス整合が得られず、かつ、伝送線路部１９の接地線長Ｌ、および接地線５２の幅Ｗの組み合わせにより、アンテナ１６が利用する電波の波長λに対してλ／２、３λ／２、５λ／２等となる場合に伝送線路部１９において共振し、伝送線路としての機能が失われる場合がある。このため、伝送線路部１９における共振現象を回避するためには接地線長Ｌ、および接地線５２の幅Ｗの組み合わせを上述の波長λに対する特定比率とは異なる長さとする。
このように伝送線路部１９においては、伝送線路部１９における共振現象を回避することができ、かつ抵抗損失を小さくでき、さらには送電損失も小さくできる。

以下、伝送線路部１９における共振現象を回避するための構成について具体的に説明する。
図５（ａ）は伝送線路の第１の例を示す模式図であり、（ｂ）は伝送線路の第２の例を示す模式図であり、（ｃ）は伝送線路の第３の例を示す模式図である。
図５（ａ）に示す伝送線路部１９ａ、図５（ｂ）に示す伝送線路部１９ｂおよび図５（ｃ）に示す伝送線路部１９ｃにおいて、図３（ａ）および（ｂ）に示す伝送線路部１９と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
また、図５（ａ）に示す伝送線路部１９ａ、図５（ｂ）に示す伝送線路部１９ｂおよび図５（ｃ）に示す伝送線路部１９ｃは、図示はしていないが、いずれもアンテナに接続されている。

図５（ａ）に示す伝送線路部１９ａでは、伝送線路部１９ａにおける共振現象を回避するために、接地線５２の幅Ｗと接地線長Ｌとを最適化する。具体的には、接地線長Ｌについては上述のようにアンテナ１６が利用する電波の波長λに対する特定比率とは異なる長さとする。また、接地線５２の幅Ｗについても、幅を変えることで共振現象を回避することができる。接地線５２の幅Ｗと接地線長Ｌとの最適化には、アンテナ１６が利用する電波の波長λに基づいて最適化される。伝送線路部１９ａにおいても、信号線５０の幅Ｗｓ、接地線５２の幅Ｗならびに信号線５０と接地線５２間の線間距離Ｗ_Ｄは、予め設定された特性インピーダンスと整合するように設定されていることはもちろんである。伝送線路部１９ａの接地線長Ｌは、タッチセンサ部１２の端部１２ｅ側の端部５２ａから端部５２ｂまでの長さである。

伝送線路部における共振現象を回避するために、図５（ｂ）に示す伝送線路部１９ｂの構成とすることもできる。伝送線路部１９ｂでは、各接地線５２の側面５２ｃに、導体線６２で構成された共振防止線６０が、例えば、波状のパターンで設けられている。導体線６２は基板２０の裏面２０ｂに設けられ各接地線５２に電気的に接続されている。共振防止線６０は、接地線５２とは別の伝送線路を形成する補助的な伝送線路である。共振防止線６０により、伝送線路部１９ｂの接地線長Ｌが共振する長さであっても、共振防止線６０の導体線６２が接地線５２に電気的に接続されているため接地線長Ｌが実質的に長くなり、共振現象を回避することができる。伝送線路部１９ｂにおいても、信号線５０の幅Ｗｓ、および接地線５２の幅Ｗならびに信号線５０と接地線５２間の線間距離Ｗ_Ｄは、予め設定された特性インピーダンスと整合するように設定されていることはもちろんである。
共振防止線６０の導体線６２のパターンについては、特に限定されるものではない。例えば、利用する電波の波長λと伝送線路部１９ｂの接地線長Ｌとに基づき導体線６２の長さが決定される。決定された長さの導体線６２を、各接地線５２の側面５２ｃに配置するためのパターンが決定される。このため、各接地線５２の側面５２ｃの全域に導体線６２が配置されるとは限らない。各接地線５２と導体線６２とは一体形成してもよく、別々に形成してもよい。
なお、共振防止線６０の導体線６２の線幅は伝送線路部１９ｂの特性インピーダンスに影響を及ぼさないよう１μｍ〜５００μｍが好ましく、１０μｍ〜２００μｍであることが最も望ましい。

また、伝送線路部における共振現象を回避するために、図５（ｃ）に示す伝送線路部１９ｃの構成とすることもできる。伝送線路部１９ｃでは、各接地線５２の端部５２ａに、例えば、接続端子６４が２つ設けられている。接続端子６４はタッチセンサ部１２の端部１２ｅでフレキシブルプリント配線基板１５と接続部６６で接続される。伝送線路部１９ｃでは、接続端子６４は、伝送線路部における共振が発生しない条件の組合せにて、選定された接続端子６４だけがフレキシブルプリント配線基板１５と接続部６６で接続される。この場合、接続端子６４の組合せは、２つの場合では４通りである。
各接地線５２に、例えば、接続端子６４が２つ設けられているが、接続端子６４の数は、特に限定されるものではない。しかしながら、接続端子６４は、伝送線路部における共振の発生を回避するために設けたものであるため、伝送線路部における共振の発生を回避するための接続の組合せを多くするために接続端子６４は複数あることが好ましい。
伝送線路部１９ｃにおいても、信号線５０の幅Ｗｓ、接地線５２の幅Ｗならびに信号線５０と接地線５２間の線間距離Ｗ_Ｄは、予め設定された特性インピーダンスと整合するように設定されていることはもちろんである。伝送線路部１９ａの接地線長Ｌは、タッチセンサ部１２の端部１２ｅ側の接続端子６４の接続部６６から端部５２ｂまでの長さである。

タッチセンサパネル１０においては、上述のように伝送線路部１９は共振現象を回避することができ、かつ送電損失も小さいものであるため、伝送線路部１９を引き回した場合でも伝送線路部における共振現象を回避でき、かつ送電損失も小さくできる。このため、アンテナ１６の配置位置の自由度を高くでき、アンテナ１６を有するタッチセンサパネル１０を使用する携帯端末機器の仕様または意匠の自由度を高くすることができる。さらには、アンテナ１６を介した通信の電力消費量を低減することができ、携帯端末機器に用いた場合、内蔵電池の使用時間を長くすること、および内蔵電池の容量を小さくすることに貢献できる。上述のように伝送線路部１９によれば、ひいては携帯端末機器の小型化にも貢献できる。

第１の導電層３０、第１の配線３２、第２の導電層４０、第２の配線４２ならびにアンテナ１６および伝送線路部１９の形成方法は、特に限定されるものではない。例えば、めっき法を用いた配線形成方法を用いてもよい。めっき方法は無電解めっきのみでもよく、無電解めっき後電解めっきを行ってもよい。また、めっき法を用いた配線形成方法は、サブトラクティブ法でもよく、セミアディティブ法でもよく、フルアディティブ法でもよい。また、感光性ハロゲン化銀塩を含有する乳剤層を有する感光材料を露光し、現像処理を施すことによって形成することができる。また、基板２０上に金属箔を形成し、各金属箔上にレジストをパターン状に印刷するか、または全面塗布したレジストを露光し、現像することでパターン化して、開口部の金属をエッチングすることにより第１の導電層３０、第１の配線３２、第２の導電層４０、第２の配線４２、およびアンテナ１６および伝送線路部１９を形成することができる。これ以外の形成方法としては、上述の導体を構成する材料の微粒子を含むペーストを印刷し、ペーストに金属めっきを施す方法、および上述の導体を構成する材料の微粒子を含むインクを用いたインクジェット法を用いる方法が挙げられる。

また、第１の導電層３０、第１の配線３２ならびにアンテナ１６および伝送線路部１９の信号線５０が同一面上に形成されており、第１の導電層３０および第１の配線３２を、露光を用いて形成する場合、露光パターンを各部のパターンとすることで、第１の導電層３０、第１の配線３２ならびにアンテナ１６および伝送線路部１９の信号線５０を一括して形成することができる。これにより、製造工程を簡素化でき、製造コストを抑制することができる。しかも、これらを同一材料で形成することができる。さらには厚みも同じに形成することもできる。
また、第１の導電層３０と第１の配線３２および第２の導電層４０と第１の配線３２を基板２０に対して両面を同時に露光して形成する場合には、さらに第２の導電層４０および伝送線路部１９の接地線５２も一括して形成することができるため、生産効率を更に高めることができ、製造コストを更に抑制することができる。さらには厚みも同じに形成することもできる。

ここで、同一材料とは、組成成分の種類および含有量が一致していることをいう。この一致とは、組成成分の種類について同じであり、含有量については±１０％の範囲が許容される。また、例えば、同じ工程で同じ材料を用いて形成されたものである場合には同一材料という。組成および含有量は、例えば、蛍光Ｘ線分析装置を用いて測定することができる。
もちろん、伝送線路部１９、センサ部１８ａ、および周辺配線部１８ｂは全て同一材料に限定して形成されるべきものではなく、それぞれ異なる材料、異なる厚みとして形成することができる。

次に、タッチセンサパネルの第２の実施形態について説明する。
図６（ａ）は本発明の第２の実施形態のタッチセンサパネルを示す模式的平面図であり、（ｂ）は本発明の第２の実施形態のタッチセンサパネルのアンテナと伝送線路を示す要部拡大図である。
図６（ａ）および（ｂ）において、図１（ａ）および（ｂ）に示す第１の実施形態のタッチセンサパネル１０、図２（ａ）〜（ｃ）に示す第１の実施形態のタッチセンサ部１２、ならびに図３（ａ）および（ｂ）に示す伝送線路部１９と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。なお、図６（ａ）において第１の導電層３０の一部については接続される第１の配線３２の図示を省略している。第２の導電層４０の一部についても接続される第２の配線４２の図示を省略している。

図６（ａ）に示す本実施形態のタッチセンサパネル１０ａは、第１の実施形態のタッチセンサパネル１０（図１（ｂ）参照）に比して、アンテナ８０の配置位置およびアンテナ８０の構成が異なり、伝送線路部７０の構成が異なる点以外の構成は、第１の実施形態のタッチセンサパネル１０（図１（ｂ）参照）と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
図６（ａ）に示すように、タッチセンサパネル１０ａでは、アンテナ８０がダイポールアンテナである。また、アンテナ８０は、第１の配線３２とタッチセンサ部１２の端部１２ｅとの間に配置されている。
図６（ｂ）に示すように、伝送線路部７０は、側面５２ｃに仮想接地線５６が設けられておらず、端部５２ｂの接合部５４にＬ字形状の接地導体５８が設けられている。接地導体５８は基板２０の裏面２０ｂに形成されている。信号線５０には接地導体５８と同じＬ字形状の導体８２が接続されている。接地導体５８と導体８２とは形状および大きさが同じであり、接地導体５８の長辺部５８ａと導体８２の長辺部８２ａとが同一直線上に配置されている。接地導体５８と導体８２とでダイポールアンテナを構成する。アンテナ８０の長さならびに幅については利用する電波の波長に応じて適宜決定される。
また、接地導体５８と導体８２の重なる部位をマイクロストリップライン構造とすることも差し支えない。

伝送線路部７０においても、信号線５０の幅Ｗｓ（図４（ａ）参照）をマイクロストリップライン構造に比して広くすることができ、抵抗損失を減らすことができる。さらには、上述の図５（ａ）に示す伝送線路部１９ａのように接地線５２の幅Ｗと接地線長Ｌとを最適化することで伝送線路部における共振現象を回避してもよい。
また、上述の図５（ｂ）に示す伝送線路部１９ｂのように各接地線５２の側面５２ｃに、導体線６２で構成された共振防止線６０を設けることで伝送線路部における共振現象を回避してもよい。上述の図５（ｃ）に示す伝送線路部１９ｃのように、各接地線５２の端部５２ａに複数の接続端子６４を設ける構成とし、接続端子６４の接続の組合せを変えることで伝送線路部における共振現象を回避してもよい。
タッチセンサパネル１０ａにおいても、第１の実施形態のタッチセンサパネル１０と同様の効果を得ることができる。

次に、タッチセンサパネルの第３の実施形態について説明する。
図７（ａ）は本発明の第３の実施形態のタッチセンサパネルを示す模式的平面図であり、（ｂ）は本発明の第３の実施形態のタッチセンサパネルのアンテナと伝送線路を示す要部拡大図である。
図７（ａ）および（ｂ）において、図１（ａ）および（ｂ）に示す第１の実施形態のタッチセンサパネル１０、図２（ａ）〜（ｃ）に示す第１の実施形態のタッチセンサ部１２、ならびに図３（ａ）および（ｂ）に示す伝送線路部１９と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。なお、図７（ａ）において第１の導電層３０の一部については接続される第１の配線３２の図示を省略している。第２の導電層４０の一部についても接続される第２の配線４２の図示を省略している。

図７（ａ）に示す本実施形態のタッチセンサパネル１０ｂは、第１の実施形態のタッチセンサパネル１０（図１（ｂ）参照）に比して、逆Ｌ型アンテナ８４である点、および伝送線路部７２の構成が異なる点以外の構成は、第１の実施形態のタッチセンサパネル１０（図１（ｂ）参照）と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
図７（ａ）に示すように、タッチセンサパネル１０ｂでは、逆Ｌ型アンテナ８４がタッチセンサ部１２の角部１２ｃに設けられている。
図７（ｂ）に示すように、伝送線路部７２は、側面５２ｃに仮想接地線５６が設けられておらず、端部５２ｂの接合部５４にＬ字形状の接地導体５９が設けられている。接地導体５９は基板２０の裏面２０ｂに形成されている。信号線５０には逆Ｌ型アンテナ８４が接続されている。逆Ｌ型アンテナ８４は、上述のアンテナ１６と同じ基板２０の表面２０ａに形成されており、箔状の導体またはメッシュ状の導体で構成される。
接地導体５９と逆Ｌ型アンテナ８４とは形状は同じであるが、接地導体５９の方が長辺部５９ａが長い。接地導体５９の長辺部５９ａと逆Ｌ型アンテナ８４の長辺部８４ａとは平行に配置されている。逆Ｌ型アンテナ８４の長辺部８４ａの長さ、ならびに幅については利用する電波に波長に応じて適宜決定される。接地導体５９の長辺部５９ａも逆Ｌ型アンテナ８４の長辺部８４ａの長さに応じて適宜決定される。
なお、Ｌ字形状の接地導体５９は、図３（ａ）に示した仮想接地線５６と同様に、側面５２ｃに設けた直線状の接地導体とすることも差し支えない。
また、接地導体５９と逆Ｌ型アンテナ８４の重なる部位をマイクロストリップライン構造とすることも差し支えない。

伝送線路部７２においても、信号線５０の幅Ｗｓ（図４（ａ）参照）をマイクロストリップライン構造に比して広くすることができ、抵抗損失を減らすことができる。さらには、上述の図５（ａ）に示す伝送線路部１９ａのように接地線５２の幅Ｗと接地線長Ｌとを最適化することで伝送線路部における共振現象を回避してもよい。
また、上述の図５（ｂ）に示す伝送線路部１９ｂのように各接地線５２の側面５２ｃに、導体線６２で構成された共振防止線６０を設けることで伝送線路部における共振現象を回避してもよい。上述の図５（ｃ）に示す伝送線路部１９ｃのように、各接地線５２の端部５２ａに複数の接続端子６４を設ける構成とし、接続端子６４の接続端子６４の接続の組合せを変えることで伝送線路部における共振現象を回避してもよい。
タッチセンサパネル１０ｂにおいても、第１の実施形態のタッチセンサパネル１０と同様の効果を得ることができる。

以下、タッチセンサパネルの製造方法について説明する。
上述のように、タッチセンサパネルについては種々の例を挙げて説明したが、代表的に図１（ｂ）に示すタッチセンサパネル１０を挙げて説明する。上述のようにアンテナおよび伝送線路部は、タッチセンサパネル１０の第２の導電層４０、第２の配線４２と同一面上に形成されている。第２の導電層４０、第２の配線４２を基板２０の表面２０ａに形成する際に、アンテナ１６および伝送線路部１９も一緒に同じ工程で、かつ同じ材料、例えば、銅を用いて形成することができる。このため、以下、タッチセンサパネル１０の製造方法について説明するがアンテナ１６および伝送線路部１９の製造方法にも適用できる。

タッチセンサパネル１０を製造する方法としては、例えば、基板２０上にめっき前処理材を用いて感光性被めっき層を形成し、その後、露光、現像処理した後にめっき処理を施すことにより、露光部および未露光部にそれぞれ金属部および光透過性部を形成して第１の導電層３０、第１の配線３２および第２の導電層４０、第２の配線４２を形成してもよい。なお、さらに金属部に物理現像およびめっき処理の少なくとも一方を施すことによって金属部に導電性金属を担持させるようにしてもよい。

めっき前処理材を用いる方法のさらに好ましい形態としては、次の２通りの形態が挙げられる。なお、下記のより具体的な内容は、特開２００３−２１３４３７号公報、特開２００６−６４９２３号公報、特開２００６−５８７９７号公報、および特開２００６−１３５２７１号公報等に開示されている。

（ａ）基板２０上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を含む被めっき層を塗布し、その後、露光・現像した後にめっき処理して金属部を被めっき材料上に形成させる態様。

（ｂ）基板２０上に、ポリマーおよび金属酸化物を含む下地層と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を含む被めっき層とをこの順に積層し、その後、露光・現像した後にめっき処理して金属部を被めっき材料上に形成させる態様。

あるいは、基板２０に感光性ハロゲン化銀塩を含有する乳剤層を有する感光材料を露光し、現像処理を施すことによって、露光部および未露光部にそれぞれ金属部および光透過性部を形成して第１の導電層３０、第１の配線３２および第２の導電層４０、第２の配線４２を形成するようにしてもよい。なお、さらに金属部に物理現像およびめっき処理の少なくとも一方を施すことによって金属部に導電性金属を担持させるようにしてもよい。

その他の方法としては、基板２０上に形成された金属箔上のフォトレジスト膜を露光、現像処理してレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する金属箔をエッチングすることによって、第１の導電層３０、第１の配線３２および第２の導電層４０、第２の配線４２を形成するようにしてもよい。
あるいは、基板２０上に金属微粒子を含むペーストを印刷し、ペーストに金属めっきを行うことによって、メッシュパターンを形成するようにしてもよい。
あるいは、基板２０上に、メッシュパターンをスクリーン印刷版またはグラビア印刷版によって印刷形成するようにしてもよい。
あるいは、基板２０上に、第１の導電層３０、第１の配線３２および第２の導電層４０、第２の配線４２をインクジェットにより形成するようにしてもよい。
あるいは、フィルム上に樹脂層を形成し、エンボスパターンが形成されたモールドを樹脂層に圧着させて樹脂層に陰刻パターンを形成した後、樹脂層の陰刻パターンを含む全面に電極材料を塗布する。その後、樹脂層の表面上の電極材料を除去することによって、樹脂層の陰刻パターンに充填された電極材料によるメッシュパターンを形成するようにしてもよい。

次に、タッチセンサパネル１０において、特に好ましい態様であるめっき法を用いる方法を中心にして述べる。
タッチセンサパネル１０の製造方法としては、基板上にパターン状被めっき層を形成する工程（工程１）と、パターン状被めっき層上にパターン状金属層を形成する工程（工程２）とを有する。
以下、各工程で使用される部材、材料、およびその手順について詳述する。

［工程１：パターン状被めっき層形成工程］
工程１は、金属イオンと相互作用する官能基（以後、「相互作用性基」とも称する）および重合性基を有する化合物を含有する被めっき層形成用組成物にパターン状にエネルギーを付与して、パターン状被めっき層を基板上に形成する工程である。より具体的には、まず、基板２０上に被めっき層形成用組成物の塗膜を形成し、得られた塗膜に対してパターン状にエネルギーを付与することにより重合性基の反応を促進させて硬化し、次に、エネルギーが付与されなかった領域を除去してパターン状被めっき層を得る工程である。
上述の工程によって形成されるパターン状被めっき層は、相互作用性基の機能に応じて、後述する工程２で金属イオンを吸着（付着）する。つまり、パターン状被めっき層は、金属イオンの良好な受容層として機能する。また、重合性基は、エネルギー付与による硬化処理によって化合物同士の結合に利用され、硬さ・硬度に優れたパターン状被めっき層を得ることができる。
以下では、まず、本工程で使用される部材・材料について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。

（基板）
基板２０は、２つの主面を有し、例えば、可撓性を有する透明基板で構成されているが、導電層等が形成されるため、電気絶縁材料で構成される。例えば、プラスチックフィルム、プラスチック板等の可撓性を有するものを用いることができる。プラスチックフィルムおよびプラスチック板は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等のポリオレフィン類、ビニル系樹脂、その他、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ)等で構成することができる。光透過性、熱収縮性、および加工性等の観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等のポリオレフィン類で構成することが好ましい。

基板２０としては、大気圧プラズマ処理、コロナ放電処理、および紫外線照射処理のうち、少なくとも１つの処理が施された処理済支持体を用いることもできる。上述の処理が施されることにより、処理済支持体表面にはＯＨ基等の親水性基が導入され、第１の導電層３０、第１の配線３２および第２の導電層４０、第２の配線４２との密着性がより向上する。上述の処理の中でも、第１の導電層３０、第１の配線３２および第２の導電層４０、第２の配線４２との密着性がより向上する点で、大気圧プラズマ処理が好ましい。
基板２０の厚さは５〜３５０μｍであることが好ましく、３０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。５〜３５０μｍの範囲であれば上述のように可視光の透過率が得られ、すなわち、透明であり、かつ取り扱いも容易である。

（被めっき層形成用組成物）
被めっき層形成用組成物には、金属イオンと相互作用する官能基および重合性基を有する化合物が含有される。
金属イオンと相互作用する官能基とは、後述する工程でパターン状被めっき層に付与される金属イオンと相互作用できる官能基を意図し、例えば、金属イオンと静電相互作用を形成可能な官能基、または金属イオンと配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基等を使用することができる。
相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、シアネート基（Ｒ−Ｏ−ＣＮ）等の含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基等の含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、スルホン酸エステル構造を含む基等の含硫黄官能基；ホスフォート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、リン酸エステル構造を含む基等の含リン官能基；塩素、臭素等のハロゲン原子を含む基等が挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用することができる。
なかでも、極性が高く、金属イオン等への吸着能が高いことから、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、およびボロン酸基等のイオン性極性基、エーテル基、またはシアノ基が特に好ましく、カルボキシル基またはシアノ基がさらに好ましい。
化合物中には、相互作用性基が２種以上含まれていてもよい。また、化合物中に含まれる相互作用性基の数は特に制限されず、１つでも、２つ以上でもよい。

重合性基は、エネルギー付与により、化学結合を形成しうる官能基であり、例えば、ラジカル重合性基、カチオン重合性基等が挙げられる。なかでも、反応性がより優れる点から、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アクリル酸エステル基（アクリロイルオキシ基）、メタクリル酸エステル基（メタクリロイルオキシ基）、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基等の不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基等が挙げられる。なかでも、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、ビニル基、スチリル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基が好ましく、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、スチリル基が特に好ましい。
化合物中には、重合性基が２種以上含まれていてもよい。また、化合物中に含まれる重合性基の数は特に制限されず、１つでも、２つ以上でもよい。

上述の化合物は、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。低分子化合物は分子量が１０００未満の化合物を意図し、高分子化合物とは分子量が１０００以上の化合物を意図する。
なお、上述の重合性基を有する低分子化合物とは、いわゆるモノマー（単量体）に該当する。また、高分子化合物とは、所定の繰り返し単位を有するポリマーであってもよい。
また、化合物としては１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

上述の化合物がポリマーである場合、ポリマーの質量平均分子量は特に制限されないが、溶解性等、取り扱い性がより優れる点で、１０００以上７０万以下が好ましく、更に好ましくは２０００以上２０万以下である。特に、重合感度の観点から、２００００以上であることが好ましい。
このような重合性基および相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の合成方法（特許公開２００９−２８０９０５号の段落［００９７］〜［０１２５］参照）が使用される。

（ポリマーの好適態様１）
ポリマーの第１の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を有する繰り返し単位（以下、適宜重合性基ユニットとも称する）、および下記式（ｂ）で表される相互作用性基を有する繰り返し単位（以下、適宜相互作用性基ユニットとも称する）を含む共重合体が挙げられる。

上述の式（ａ）および式（ｂ）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は、それぞれ独立して、水素原子、または置換もしくは無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等）を表す。なお、置換基の種類は特に制限されないが、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子等が挙げられる。
なお、Ｒ¹としては、水素原子、メチル基、または臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ²としては、水素原子、メチル基、または臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ³としては、水素原子が好ましい。Ｒ⁴としては、水素原子が好ましい。Ｒ⁵としては、水素原子、メチル基、または臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。

上述の式（ａ）および式（ｂ）中、Ｘ、Ｙ、およびＺは、それぞれ独立して、単結合、または置換または無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基としては、置換または無置換の二価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基）、置換もしくは無置換の二価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基等）等が挙げられる。

Ｘ、Ｙ、およびＺとしては、ポリマーの合成が容易で、パターン状金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換もしくは無置換の二価の芳香族炭化水素基が好ましく、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）がより好ましい。

上述の式（ａ）および式（ｂ）中、Ｌ¹およびＬ²は、それぞれ独立して、単結合、または置換もしくは無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義としては、上述のＸ、Ｙ、およびＺで述べた二価の有機基と同義である。
Ｌ¹としては、ポリマーの合成が容易で、パターン状金属層の密着性がより優れる点で、脂肪族炭化水素基、またはウレタン結合もしくはウレア結合を有する二価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましく、なかでも、総炭素数１〜９であるものが好ましい。なお、ここで、Ｌ¹の総炭素数とは、Ｌ¹で表される置換または無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。

また、Ｌ²は、パターン状金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または二価の脂肪族炭化水素基、二価の芳香族炭化水素基、もしくはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。なかでも、Ｌ²は、単結合、または総炭素数が１〜１５であることが好ましく、特に無置換であることが好ましい。なお、ここで、Ｌ²の総炭素数とは、Ｌ²で表される置換または無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。

上述の式（ｂ）中、Ｗは、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。

上述の重合性基ユニットの含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜４０モル％がより好ましい。
また、上述の相互作用性基ユニットの含有量は、金属イオンに対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜９５モル％が好ましく、１０〜９５モル％がより好ましい。

（ポリマーの好適態様２）
ポリマーの第２の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む共重合体が挙げられる。

式（Ａ）で表される繰り返し単位は上述の式（ａ）で表される繰り返し単位と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ⁵、ＸおよびＬ²は、上述の式（ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ⁵、ＸおよびＬ²と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）中のＷａは、後述するＶで表される親水性基またはその前駆体基を除く、金属イオンと相互作用する基を表す。なかでも、シアノ基、エーテル基が好ましい。

式（Ｃ）中、Ｒ⁶は、それぞれ独立して、水素原子、または置換もしくは無置換のアルキル基を表す。
式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、または置換または無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述のＸ、ＹおよびＺで表される二価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、パターン状金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換もしくは無置換の二価の芳香族炭化水素基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｌ³は、単結合、または置換もしくは無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述のＬ¹およびＬ²で表される二価の有機基と同義である。Ｌ³としては、ポリマーの合成が容易で、パターン状金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または二価の脂肪族炭化水素基、二価の芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。

式（Ｃ）中、Ｖは親水性基またはその前駆体基を表す。親水性基とは親水性を示す基であれば特に限定されず、例えば、水酸基、カルボン酸基等が挙げられる。また、親水性基の前駆体基とは、所定の処理（例えば、酸またはアルカリにより処理）により親水性基を生じる基を意味し、例えば、ＴＨＰ（２−テトラヒドロピラニル基）で保護したカルボキシル基等が挙げられる。
親水性基としては、金属イオンとの相互作用の点で、イオン性極性基であることが好ましい。イオン性極性基としては、具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、ボロン酸基が挙げられる。中でも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。

上述のポリマーの第２の好ましい態様における各ユニットの好ましい含有量は、以下の通りである。
式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位の含有量は、金属イオンに対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜７５モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましい。
式（Ｃ）で表される繰り返し単位の含有量は、水溶液による現像性と耐湿密着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜７０モル％が好ましく、２０〜６０モル％がより好ましく、３０〜５０モル％がさらに好ましい。

上述のポリマーの具体例としては、例えば、特開２００９−００７５４０号公報の段落［０１０６］〜［０１１２］に記載のポリマー、特開２００６−１３５２７１号公報の段落［００６５］〜［００７０］に記載のポリマー、ＵＳ２０１０−０８０９６４号の段落［００３０］〜［０１０８］に記載のポリマー等が挙げられる。
このポリマーは、公知の方法（例えば、上述ので列挙された文献中の方法）により製造することができる。

（モノマーの好適態様）
上述の化合物がいわゆるモノマーである場合、好適態様の一つとして式（Ｘ）で表される化合物が挙げられる。

式（Ｘ）中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は、それぞれ独立して、水素原子、または置換もしくは無置換のアルキル基を表す。無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、またはブチル基が挙げられる。また、置換アルキル基としては、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子等で置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。なお、Ｒ¹¹としては、水素原子、またはメチル基が好ましい。Ｒ¹²としては、水素原子が好ましい。Ｒ¹³としては、水素原子が好ましい。

Ｌ¹⁰は、単結合、または二価の有機基を表す。二価の有機基としては、置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８）、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基等）等が挙げられる。
置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、もしくはブチレン基、またはこれらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、もしくはフッ素原子等で置換されたものが好ましい。
置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、またはメトキシ基、塩素原子、臭素原子、もしくはフッ素原子等で置換されたフェニレン基が好ましい。
式（Ｘ）中、Ｌ¹⁰の好適態様の一つとしては、−ＮＨ−脂肪族炭化水素基−、または−ＣＯ−脂肪族炭化水素基−が挙げられる。

Ｗの定義は、式（ｂ）中のＷの定義の同義であり、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。
式（Ｘ）中、Ｗの好適態様としては、イオン性極性基が挙げられ、カルボン酸基がより好ましい。

上述の化合物がいわゆるモノマーである場合、他の好適態様の一つとして式（１）で表される化合物が挙げられる。

式（１）中、Ｒ¹⁰は、水素原子、金属カチオン、または第四級アンモニウムカチオンを表す。金属カチオンとしては、例えば、アルカリ金属カチオン（ナトリウムイオン、カルシウムイオン）、銅イオン、パラジウムイオン、銀イオン等が挙げられる。なお、金属カチオンとしては、主に１価または２価のものが使用され、２価のもの（例えば、パラジウムイオン）が使用される場合、後述するｎは２を表す。
第四級アンモニウムカチオンとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。
なかでも、金属イオンの付着、およびパターニング後の金属残渣の点から、水素原子であることが好ましい。

式（１）中のＬ¹⁰の定義は、上述の式（Ｘ）中のＬ¹⁰の定義と同義であり、単結合、または二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述の通りである。

式（１）中のＲ¹¹〜Ｒ¹³の定義は、上述の式（Ｘ）中のＲ¹¹〜Ｒ¹³の定義と同義であり、水素原子、または置換もしくは無置換のアルキル基を表す。なお、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³の好適態様は上述の通りである。
ｎは、１または２の整数を表す。なかでも、化合物の入手性の観点から、ｎは１であることが好ましい。

式（１）で表される化合物の好適態様として、式（２）で表される化合物が挙げられる。

式（２）中、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹およびｎは、上述の定義と同じである。
Ｌ¹¹は、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、またはフェニレン基を表す。なかでも、Ｌ¹¹がアミド基であると、得られる被めっき層の重合性、および耐溶剤性（例えば、アルカリ溶剤耐性）が向上する。
Ｌ¹²は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８、より好ましくは炭素数３〜５）、または２価の芳香族炭化水素基を表す。脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状であってもよい。なお、Ｌ¹²が単結合の場合、Ｌ¹¹はフェニレン基を表す。

式（１）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、揮発性、溶剤への溶解性、成膜性、および取り扱い性等の観点から、１００〜１０００が好ましく、１００〜３００がより好ましい。

被めっき層形成用組成物中の上述の化合物の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、２〜５０質量％が好ましく、５〜３０質量％がより好ましい。上述の範囲内であれば、組成物の取り扱い性に優れ、パターン状被めっき層の層厚の制御がしやすい。

被めっき層形成用組成物には、取り扱い性の点から溶剤が含まれることが好ましい。
使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水；メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール系溶剤；酢酸等の酸；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系溶剤；ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶剤；この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤等が挙げられる。
この中でも、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、およびカーボネート系溶剤が好ましい。
被めっき層形成用組成物中の溶剤の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、５０〜９８質量％が好ましく、７０〜９５質量％がより好ましい。上述の範囲内であれば、組成物の取り扱い性に優れ、パターン状被めっき層の層厚の制御等がしやすい。

被めっき層形成用組成物には、重合開始剤が含まれていてもよい。重合開始剤が含まれることにより、化合物間、および化合物と基板との間の結合がより形成され、結果として密着性により優れたパターン状金属層を得ることができる。
使用される重合開始剤としては特に制限はなく、例えば、熱重合開始剤、光重合開始剤等を用いることができる。光重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、α−アミノアルキルフェノン類、ベンゾイン類、ケトン類、チオキサントン類、ベンジル類、ベンジルケタール類、オキスムエステル類、アンソロン類、テトラメチルチウラムモノサルファイド類、ビスアシルフォスフィノキサイド類、アシルフォスフィンオキサイド類、アントラキノン類、アゾ化合物等およびその誘導体を挙げることができる。
また、熱重合開始剤の例としては、ジアゾ系化合物、またはペルオキサイド系化合物等が挙げられる。
被めっき層形成用組成物中に重合開始剤が含まれる場合、重合開始剤の含有量は組成物全量に対して、０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．１〜０．５質量％であることがより好ましい。上述の範囲内であれば、組成物の取り扱い性に優れ、得られるパターン状金属層の密着性がより優れる。

被めっき層形成用組成物には、モノマー（但し、上述の式（Ｘ）または式（１）で表される化合物を除く）が含まれていてもよい。モノマーが含まれることにより、被めっき層中の架橋密度等を適宜制御することができる。
使用されるモノマーは特に制限されず、例えば、付加重合性を有する化合物としてはエチレン性不飽和結合を有する化合物、開環重合性を有する化合物としてはエポキシ基を有する化合物等が挙げられる。なかでも、パターン状被めっき層中の架橋密度を向上し、パターン状金属層の密着性がより向上する点から、多官能モノマーを使用することが好ましい。多官能モノマーとは、重合性基を２個以上有するモノマーを意味する。具体的には、２〜６個の重合性基を有するモノマーを使用することが好ましい。
反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の観点から、用いる多官能モノマーの分子量としては１５０〜１０００が好ましく、更に好ましくは２００〜７００である。また、複数存在する重合性基同士の間隔（距離）としては原子数で１〜１５であることが好ましく、６以上１０以下であることがさらに好ましい。

被めっき層形成用組成物には、他の添加剤（例えば、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、可塑剤等）を必要に応じて添加してもよい。

（工程１の手順）
工程１では、まず、基板上に被めっき層形成用組成物を配置するが、その方法は特に制限されず、例えば、上述の被めっき層形成用組成物を基板上に接触させて、被めっき層形成用組成物の塗膜（被めっき層前駆体層）を形成する方法が挙げられる。この方法としては、例えば、上述の被めっき層形成用組成物を基板上に塗布する方法（塗布法）が挙げられる。
塗布法の場合に、被めっき層形成用組成物を基板上に塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（例えば、スピンコート、ダイコート、ディップコート等）を使用できる。
取り扱い性および製造効率の観点からは、被めっき層形成用組成物を基板上に塗布し、必要に応じて乾燥処理を行って残存する溶剤を除去して、塗膜を形成する態様が好ましい。
なお、乾燥処理の条件は特に制限されないが、生産性がより優れる点で、室温〜２２０℃（好ましくは５０〜１２０℃）で、１〜３０分間（好ましく１〜１０分間）実施することが好ましい。

基板上の上述の化合物を含む塗膜にパターン状にエネルギー付与する方法は特に制限されない。例えば、加熱処理または露光処理（光照射処理）等が用いられることが好ましく、処理が短時間で終わる点より、露光処理が好ましい。塗膜にエネルギーを付与することにより、化合物中の重合性基が活性化され、化合物間の架橋が生じ、層の硬化が進行する。
露光処理には、ＵＶランプ、可視光線等による光照射等が用いられる。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、等がある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線等もある。具体的な態様としては、赤外線レーザによる走査露光、キセノン放電灯等の高照度フラッシュ露光、および赤外線ランプ露光等が好適に挙げられる。
露光時間としては、化合物の反応性および光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。露光エネルギーとしては、１０〜８０００ｍＪ程度であればよく、好ましくは５０〜３０００ｍＪの範囲である。
なお、上述の露光処理をパターン状に実施する方法は特に制限されず、公知の方法が採用され、例えば、マスクを介して露光光を塗膜に照射すればよい。

また、エネルギー付与として加熱処理を用いる場合、送風乾燥機、オーブン、赤外線乾燥機、加熱ドラム等を用いることができる。

次に、塗膜中のエネルギー付与が実施されなかった部分を除去して、パターン状被めっき層を形成する。
上述の除去方法は特に制限されず、使用される化合物によって適宜最適な方法が選択される。例えば、アルカリ性溶液（好ましくはｐＨ（potential hydrogen）：１３．０〜１３．８）を現像液として用いる方法が挙げられる。アルカリ性溶液を用いて、エネルギー未付与領域を除去する場合は、エネルギーが付与された塗膜を有する基板を溶液中に浸漬させる方法、またはその基板上に現像液を塗布する方法等が挙げられるが、浸漬する方法が好ましい。浸漬する方法の場合、浸漬時間としては生産性・作業性等の観点から、１分から３０分程度が好ましい。
また、他の方法としては、上述の化合物が溶解する溶剤を現像液とし、それに浸漬する方法が挙げられる。

（パターン状被めっき層）
上述の処理により形成されるパターン状被めっき層の厚みは特に制限されないが、生産性の点から、０．０１〜１０μｍが好ましく、０．２〜５μｍがより好ましく、０．３〜３．０μｍが特に好ましい。
パターン状被めっき層のパターン形状は特に制限されず、パターン状金属層を形成したい場所にあわせて調整され、例えば、メッシュパターン等が挙げられる。なお、格子の形状は特に制限されず、略ひし形の形状、または多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状でもよいし、円弧状にしてもよい。

［工程２：パターン状金属層形成工程］
工程２は、上述の工程１で形成されたパターン状被めっき層に金属イオンを付与して、金属イオンが付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上にパターン状金属層を形成する工程である。本工程を実施することにより、パターン状被めっき層上にパターン状金属層が配置される。
以下では、パターン状被めっき層に金属イオンを付与する工程（工程２−１）と、金属イオンが付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う工程（工程２−２）とに分けて説明する。

（工程２−１：金属イオン付与工程）
本工程では、まず、パターン状被めっき層に金属イオンを付与する。上述の化合物由来の相互作用性基が、その機能に応じて、付与された金属イオンを付着（吸着）する。より具体的には、被めっき層中および被めっき層表面上に、金属イオンが付与される。
金属イオンとは、化学反応によりめっき触媒となりうるものであり、より具体的には、還元反応によりめっき触媒である０価金属になる。本工程では、金属イオンをパターン状被めっき層へ付与した後、めっき浴（例えば、無電解めっき浴）への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させてめっき触媒としてもよいし、金属イオンのままめっき浴に浸漬し、めっき浴中の還元剤により金属（めっき触媒）に変化させてもよい。
金属イオンは、金属塩を用いてパターン状被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶剤に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ(ＮＯ₃)_n、ＭＣｌ_n、Ｍ_2/n(ＳＯ₄)、Ｍ_3/n(ＰＯ₄)（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）等が挙げられる。金属イオンとしては、上述の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ａｌイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｐｄイオンが挙げられ、中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Ａｇイオン、Ｐｄイオンが好ましい。

金属イオンをパターン状被めっき層に付与する方法としては、例えば、金属塩を適切な溶剤で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、その溶液をパターン状被めっき層上に塗布するか、またはその溶液中にパターン状被めっき層が形成された基板を浸漬すればよい。
上述の溶剤としては、水または有機溶剤が適宜使用される。有機溶剤としては、パターン状被めっき層に浸透しうる溶剤が好ましく、例えば、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、２−（１−シクロヘキセニル）シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブ等を用いることができる。

溶液中の金属イオン濃度は特に制限されないが、０．００１〜５０質量％であることが好ましく、０．００５〜３０質量％であることがより好ましい。
また、接触時間としては、３０秒〜２４時間程度であることが好ましく、１分〜１時間程度であることがより好ましい。

被めっき層の金属イオンの吸着量に関しては、使用するめっき浴種、触媒金属種、パターン状被めっき層の相互作用性基種、使用方法等により異なるが、めっきの析出性の観点から、５〜１０００ｍｇ／ｍ²が好ましく、１０〜８００ｍｇ／ｍ²がより好ましく、特に２０〜６００ｍｇ／ｍ²が好ましい。

（工程２−２：めっき処理工程）
次に、金属イオンが付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う。
めっき処理の方法は特に制限されず、例えば、無電解めっき処理、または電解めっき処理（電気めっき処理）が挙げられる。本工程では、無電解めっき処理を単独で実施してもよいし、無電解めっき処理を実施した後にさらに電解めっき処理を実施してもよい。
なお、本明細書においては、いわゆる銀鏡反応は、上述の無電解めっき処理の一種として含まれる。よって、例えば、銀鏡反応等によって、付着させた金属イオンを還元させて、所望のパターン状金属層を形成してもよく、さらにその後電解めっき処理を実施してもよい。
以下、無電解めっき処理、および電解めっき処理の手順について詳述する。

無電解めっき処理とは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっき処理は、例えば、金属イオンが付与されたパターン状被めっき層を備える基板を、水洗して余分な金属イオンを除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき浴中において、金属イオンの還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。
パターン状被めっき層中の金属イオンの還元は、上述のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき処理前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、金属イオンを０価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、液全体に対する還元剤の濃度が０．１〜５０質量％が好ましく、１〜３０質量％がより好ましい。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボランのようなホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸等の還元剤を使用することが可能である。
浸漬の際には、攪拌または揺動を加えながら浸漬することが好ましい。

一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤等公知の添加剤が含まれていてもよい。
無電解めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶剤である必要があり、その点から、アセトン等のケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類が好ましく用いられる。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、銀、金が好ましく、銅がより好ましい。また、上述の金属に合わせて最適な還元剤、添加剤が選択される。
無電解めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度であることが好ましく、１分〜３時間程度であることがより好ましい。

電解めっき処理とは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、電流によって金属を析出させる操作のことをいう。
なお、上述のように、本工程においては、上述の無電解めっき処理の後に、必要に応じて、電解めっき処理を行うことができる。このような態様では、形成されるパターン状金属層の厚みを適宜調整可能である。
電解めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電解めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛等が挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
また、電解めっきにより得られるパターン状金属層の膜厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、または電流密度等を調整することで制御することができる。

上述の手順によって形成されるパターン状金属層の厚みは特に制限されず、使用目的に応じ適宜最適な厚みが選択されるが、導電特性の点から、０．１μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上であることが好ましく、１〜３０μｍがより好ましい。
また、パターン状金属層を構成する金属の種類は特に制限されず、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛等が挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅、銀がより好ましい。
パターン状金属層のパターン形状は特に制限されないが、パターン状金属層はパターン状被めっき層上に配置されるため、パターン状被めっき層のパターン形状によって調整される。

なお、上述の処理を実施した後のパターン状被めっき層には、金属イオンが還元して生成される金属粒子が含まれる。この金属粒子は高密度でパターン状被めっき層に分散している。また、上述のように、パターン状被めっき層とパターン状金属層との界面は、複雑な形状を形成しており、このような界面形状の影響によりパターン状金属層がより黒色に視認される。
本発明においては、形成されたパターン状金属層に被覆層を設けてもよい。特にパターン状金属層表面を直接目視するような層構成である場合、パターン状金属層表面を黒くする（黒化する）ことでパターン状金属層の金属光沢を低減する効果および銅色を目立たなくする効果が得られる。それ以外にも、防錆効果およびマイグレーション防止効果も得られる。
黒化方法としては、積層方法と、置換方法がある。積層方法としては、公知の黒化めっきと呼ばれるもの等が使用して被覆層（黒化層）を積層する方法が挙げられ、ニッカブラック（日本化学産業社製）またはエボニークロム８５シリーズ（金属化学工業社製）等を使用することができる。また、置換方法としては、パターン状金属層表面を硫化または酸化して被覆層（黒化層）を作製する方法、およびパターン状金属層表面をより貴な金属に置換して被覆層（黒化層）を作製する方法が挙げられる。硫化方法としては、エンプレートＭＢ４３８Ａ（メルテックス社製）等があり、酸化方法としては、ＰＲＯＢＯＮＤ８０（ロームアンドハース電子材料株式会社製）等を用いることができる。貴な金属への置換めっきとしては、パラジウムを用いることができる。

＜積層体＞
上述の工程を経ることにより、２つの主面を有する基板と、基板の少なくとも一方の主面上に配置され、上述の被めっき層形成用組成物に対してパターン状にエネルギーを付与して形成されるパターン状被めっき層と、パターン状被めっき層上に配置され、めっき処理を行い形成されるパターン状金属層とを備える導電性積層体が形成される。
導電性積層体においては、基板の一方の主面上にのみ、パターン状被めっき層およびパターン状金属層が配置されていてもよいし、基板の２つの主面の両面に、パターン状被めっき層およびパターン状金属層が配置されていてもよい。なお、基板の両面にパターン状被めっき層およびパターン状金属層を配置する場合は、上述の工程１および工程２を基板の両面に対して実施すればよい。

本発明に用いられる際、隣接層として、オーバーコート層または光学的透明層等が隣接する場合があるが、これら隣接層には銅の錆を防止する目的で、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸等の直鎖アルキル二カルボン酸、リン酸モノメチル、リン酸モノエチル等のリン酸エステル化合物、キナルジン酸等のピリジン系化合物、トリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾール、ナフトールトリアゾール等のトリアゾール系、１Ｈ−テトラゾール等のテトラゾール類、ベンゾテトラゾール等のテトラゾール系、４，４'−ブチリデンビス-（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチルフェノール）等のビスフェノール系、ペンタエリスリチル-テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］等のヒンダーフェノール系、サリチル酸誘導体系、ヒドラジド誘導体、芳香族リン酸エステル、チオ尿素類、トルトライアゾールまたは２−メルカプトキサゾールチオール、メチルベンゾチアゾール、メルカプトチアゾリン等のメルカプト基を有する化合物、トリアジン環化合物を加えてもよい。
また、隣接層には、クラウンエーテル、環状リン化合物のような環状化合物を加えてもよい。
また、隣接層には、アルキルベンゼンスルホン酸塩、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、アルケニルコハク酸塩等のアニオン界面活性剤、ＰＶＰ等のルイス塩基としての性質を有する水溶性高分子、アリールスルホン酸/塩ポリマー、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリメタリルスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、アクリル酸−３−スルホプロピルホモポリマー、メタクリル酸−３−スルホプロピルホモポリマー、２−ヒドロキシ−３−アクリルアミドプロパンスルホン酸ホモポリマー等のスルホン酸基含有ポリマーを加えてもよい。

また、隣接層には、五酸化アンチモン水和物、アルミカップリング剤、ジルコニウムアルコキシド等の金属キレート化合物、亜鉛化合物、アルミニウム化合物、バリウム化合物、ストロンチウム化合物およびカルシウム化合物を加えてもよい。亜鉛化合物としては、リン酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホウ酸亜鉛、酸化亜鉛等がある。アルミニウム化合物としては、トリポリリン酸二水素アルミニウム、リンモリブデン酸アルミニウム等がある。バリウム化合物としては、メタホウ酸バリウム等がある。ストロンチウム化合物としては、炭酸ストロンチウム、酸化ストロンチウム、酢酸ストロンチウム、メタホウ酸ストロンチウム、金属ストロンチウム等がある。カルシウム化合物としては、リン酸カルシウム、モリブデン酸カルシウムがある。
また、隣接層には、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素等の酸化剤を加えてもよい。
また、隣接層には、ジクロロイソシアヌル酸塩とメタケイ酸ナトリウム五水和物を組み合わせて加えてもよい。
この他、公知の銅の腐食防止剤を使用することが出来る。また、これら化合物を２種以上含めて使用してよい。
パターン状金属層の周囲をこれら銅の腐食防止剤を含んだ組成物でコーティングすることで腐食防止をしてもよい。

基板上にプライマー層がさらに含まれていてもよい。基板とパターン状被めっき層との間にプライマー層が配置されることにより、両者の密着性がより向上する。

プライマー層の厚みは特に制限されないが、一般的には、０．０１〜１００μｍが好ましく、０．０５〜２０μｍがより好ましく、０．０５〜１０μｍがさらに好ましい。
プライマー層の材料は特に制限されず、基板との密着性が良好な樹脂であることが好ましい。樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。
熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とは、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。また、シアノ基を含有する樹脂を使用してもよく、具体的には、ＡＢＳ樹脂、および特開２０１０−８４１９６号〔００３９〕〜〔００６３〕記載の「側鎖にシアノ基を有するユニットを含むポリマー」を用いてもよい。
また、ＮＢＲゴム（アクリロニトリル・ブタジエンゴム）およびＳＢＲゴム（スチレン・ブタジエンゴム）等のゴム成分を用いることもできる。

プライマー層を構成する材料の好適態様の一つとしては、水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーが挙げられる。共役ジエン化合物単位とは、共役ジエン化合物由来の繰り返し単位を意味する。共役ジエン化合物としては、一つの単結合で隔てられた、二つの炭素−炭素二重結合を有する分子構造を有する化合物であれば特に制限されない。
共役ジエン化合物由来の繰り返し単位の好適態様の一つとしては、ブタジエン骨格を有する化合物が重合反応することで生成する繰り返し単位が挙げられる。
上述の共役ジエン化合物単位は水素添加されていてもよく、水素添加された共役ジエン化合物単位を含む場合、パターン状金属層の密着性がより向上し好ましい。つまり、共役ジエン化合物由来の繰り返し単位中の二重結合が水素添加されていてもよい。
水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーには、上述の相互作用性基が含まれていてもよい。
このポリマーの好適な態様としては、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、カルボキシル基含有ニトリルゴム（ＸＮＢＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン−イソプレンゴム（ＮＢＩＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、またはこれらの水素添加物（例えば、水素添加アクリロニトリルブタジエンゴム）等が挙げられる。

プライマー層には、他の添加剤（例えば、増感剤、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、可塑剤等）が含まれていてもよい。

プライマー層の形成方法は特に制限されず、使用される樹脂を基板上にラミネートする方法、または必要な成分を溶解可能な溶剤に溶解し、塗布等の方法で基板表面上に塗布・乾燥する方法等が挙げられる。
塗布方法における加熱温度と時間は、塗布溶剤が充分乾燥し得る条件を選択すればよいが、製造適性の点からは、加熱温度２００℃以下、時間６０分以内の範囲の加熱条件を選択することが好ましく、加熱温度４０〜１００℃、時間２０分以内の範囲の加熱条件を選択することがより好ましい。なお、使用される溶剤は、使用する樹脂に応じて適宜最適な溶剤（例えば、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン）が選択される。

上述のプライマー層が配置された基板を使用する場合、プライマー層上に上述の工程１および工程２を実施することにより、所望の導電性積層体が得られる。

タッチセンサパネル１０には、反射防止層等の機能層を付与してもよい。

［カレンダー処理］
金属部にカレンダー処理を施して平滑化するようにしてもよい。これによって金属部の導電性が顕著に増大する。カレンダー処理は、カレンダーロールにより行うことができる。カレンダーロールは通常一対のロールからなる態様が好ましい。

カレンダー処理に用いられるロールとしては、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド等のプラスチックロールまたは金属ロールが好適に用いられる。特に、両面に乳剤層を有する場合は、金属ロール同士で処理することが好ましい。片面に乳剤層を有する場合は、シワ防止の点から金属ロールとプラスチックロールの組み合わせとすることもできる。線圧力の上限値は１９６０Ｎ／ｃｍ（２００ｋｇｆ／ｃｍ、面圧に換算すると６９９．４ｋｇｆ／ｃｍ²（６５．６ＭＰａ））以上、さらに好ましくは２９４０Ｎ／ｃｍ（３００ｋｇｆ／ｃｍ、面圧に換算すると９３５．８ｋｇｆ／ｃｍ²（９１．８ＭＰａ））以上である。線圧力の上限値は、６８８０Ｎ／ｃｍ（７００ｋｇｆ／ｃｍ）以下である。

カレンダーロールで代表される平滑化処理の適用温度は１０℃（温調なし）〜１００℃が好ましく、より好ましい温度は、金属メッシュパターンまたは金属配線パターンの画線密度もしくは形状、またはバインダー種によって異なるが、おおよそ１０℃（温調なし）〜５０℃の範囲にある。１０℃（温調なし）とは温度調整がない状態である。

なお、本発明は、下記表１および表２に記載の公開公報および国際公開パンフレットの技術と適宜組合わせて使用することができる。「特開」、「号公報」、「号パンフレット」等の表記は省略する。

本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明のタッチセンサパネルについて詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。

１０ タッチセンサパネル
１２ タッチセンサ部
１３ 表示装置
１４ 制御基板
１５ フレキシブルプリント配線基板
１６、８０ アンテナ
１７ 携帯端末機器
１８ａ センサ部
１８ｂ 周辺配線部
１９、１９ａ、１９ｂ、１９ｃ 伝送線路部
２０、２１、１０２ 基板
２２ 接着層
２４ 保護層
３５ 導電性細線
５０、１０４ 信号線
５２、１０６ 接地線
６０ 共振防止線
８４ 逆Ｌ型アンテナ
Ｄ 配置領域

Claims (6)

1. 基板と、
   前記基板に設けられ、検出部と周辺配線部を備えるタッチセンサ部と、
   前記基板に設けられる、アンテナと、
   前記基板に設けられ、前記アンテナに接続される伝送線路部と、
   前記タッチセンサ部および前記伝送線路部と接続される制御基板とを有し、
   前記伝送線路部は、前記基板の一方の面に設けられた、前記アンテナに接続される信号線と、前記基板の他方の面において前記信号線が設けられた領域に相当する配置領域を挟んで設けられ、かつ、少なくとも前記伝送線路部の前記アンテナ側端部にて互いに電気的に接合された２つの接地線とを有することを特徴とするタッチセンサパネル。
2. 前記各接地線には、前記配置領域の反対側に、導体線で構成された共振防止線が設けられている請求項１に記載のタッチセンサパネル。
3. 前記各接地線は、前記制御基板側の端部に複数の接続端子が形成されている請求項１に記載のタッチセンサパネル。
4. 前記タッチセンサ部に備えられた前記周辺配線部、前記伝送線路部および前記アンテナは、同一材料で構成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載のタッチセンサパネル。
5. 前記タッチセンサ部に備えられた前記周辺配線部、前記伝送線路部および前記アンテナは、厚みが同じである請求項１〜４のいずれか１項に記載のタッチセンサパネル。
6. 前記伝送線路部は、面抵抗が０．０１〜１０Ω／ｓｑ．である請求項１〜５のいずれか１項に記載のタッチセンサパネル。