TWI695226B - 被鍍覆層形成用組合物、帶被鍍覆層前體層的膜、帶圖案狀被鍍覆層的膜、導電性膜、觸控面板 - Google Patents

被鍍覆層形成用組合物、帶被鍍覆層前體層的膜、帶圖案狀被鍍覆層的膜、導電性膜、觸控面板 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種被鍍覆層形成用組合物,其能夠形成通過鍍覆處理可形成導電性優異的金屬層、與該金屬層的密合性也優異的被鍍覆層;以及提供使用了該被鍍覆層形成用組合物的帶被鍍覆層前體層的膜、帶被鍍覆層的膜、導電性膜和觸控面板。本發明的被鍍覆層形成用組合物包含具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物、具有2個以上聚合性官能團的多官能單體、單官能單體和聚合引發劑。

Description

被鍍覆層形成用組合物、帶被鍍覆層前體層的膜、帶圖案狀被鍍覆層的膜、導電性膜、觸控面板
本發明涉及被鍍覆層形成用組合物、帶被鍍覆層前體層的膜、帶圖案狀被鍍覆層的膜、導電性膜和觸控面板。
在基板上形成導電膜(導電性細線)而成的導電性膜已被用於各種用途中,特別是近年來,隨著觸控面板在行動電話和可攜式遊戲機等中的搭載率的上升,能夠進行多點檢測的靜電電容方式的觸控面板感測器用導電性膜的需求迅速擴大。
為了形成這樣的導電膜,例如有人提出了使用圖案狀被鍍覆層的方法。
例如,在專利文獻1中,公開了一種導電膜的形成方法,其與基板的密合性優異,能量使用光的情況下,能夠靈敏度良好地達成密合性的提高,低溫工藝適應性優異;作為該導電膜的形成方法,其中記載了下述方法:“一種導電膜的形成方法,其包括下述工序:(a)在有機樹脂基板上形成樹脂層(樹脂層A)的工序,該樹脂層A由熱固化性樹脂組合物形成,該熱固化性樹脂組合物含有自由基聚合性化合物和熱固化性樹脂,在70℃的凝膠化時間為60分鐘以下;(b)形成可吸附無電解鍍覆催化劑或其前體的樹脂層(樹脂層B)的工序,該樹脂層B含有具有與無電解鍍覆催化劑或其前體相互作用的官能團的樹脂、自由基引發劑和自由基聚合性化合物;(c)將無電解鍍覆催化劑或其前體賦予到可吸附無電解鍍覆催化劑或其前體的層(樹脂層B)上的工序;以及(d)進行無電解鍍覆,形成無電解鍍覆膜的工序。”。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開2009-218509號公報
另一方面,為了應對近年來電子設備和電子器件的小型化和高功能化的要求,導體電路中的配線的細線化和窄間距化正在推進。因此,要求配線與基板的密合性和配線的導電性進一步提高。
本發明人參考專利文獻1的樹脂層B製作出了具有圖案狀被鍍覆層的導電膜(即,使金屬鍍覆在圖案狀被鍍覆層表面析出而形成金屬層的膜),結果發現,圖案狀被鍍覆層與金屬層的密合性有時對於近來所要求的程度並不充分。另外發現,由於在圖案狀被鍍覆層上形成的金屬層的膜厚薄,因而電阻值高,對於其導電性也需要進一步的改善。
因此,鑒於上述實際情況,本發明的目的在於提供一種被鍍覆層形成用組合物,其能夠形成圖案狀被鍍覆層,該圖案狀被鍍覆層通過鍍覆處理可形成導電性優異的金屬層並且與該金屬層的密合性也優異。
另外的目的在於提供使用該被鍍覆層形成用組合物而成的帶被鍍覆層前體層的膜、帶圖案狀被鍍覆層的膜、導電性膜和觸控面板。
本發明人對於上述課題進行了深入研究,結果發現,如果利用如下被鍍覆層形成用組合物,能夠解決上述課題,該鍍覆層形成用組合物合用具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物、具有2個以上聚合性官能團的多官能單體和單官能單體。
即,本發明人發現,通過下述構成能夠解決上述課題。
(1)一種被鍍覆層形成用組合物,其包含:具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物、具有2個以上聚合性官能團的多官能單體、單官能單體以及聚合引發劑。
(2)如(1)所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,上述聚合物具有包含羧酸基或磺酸基的重複單元。
(3)如(1)或(2)所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,上述聚合物為聚(甲基)丙烯酸。
(4)如(1)~(3)中任一項所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,上述多官能單體和上述單官能單體中的至少任一者為(甲基)丙烯醯胺基。
(5)如(1)~(4)中任一項所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,上述單官能單體至少包含下式(1)所表示的化合物。
Figure 105110198-A0305-02-0007-1
式(1)中,R0表示氫原子或碳原子數為1~4的烷基,R1表示氫原子或碳原子數為1~4的烷基,R2、R3和R4各自獨立地表示 氫原子、羥基、碳原子數為1~10的烷基或者部分地具有選自醚基、羰基、羧基和羥基中的取代基的烴鏈。
(6)如(1)~(5)中任一項所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,上述多官能單體至少包含4官能(甲基)丙烯醯胺。
(7)如(1)~(6)中任一項所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,相對於上述多官能單體100質量份,上述單官能單體的含量為10質量份~100000質量份。
(8)如(1)~(7)中任一項所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,相對於上述聚合物100質量份,上述多官能單體和上述單官能單體的總含量為10質量份~1000質量份。
(9)一種帶被鍍覆層前體層的膜,其具有基板和被鍍覆層前體層,該被鍍覆層前體層是利用(1)~(8)中任一項所述的被鍍覆層形成用組合物在上述基板上形成的。
(10)如(9)所述的帶被鍍覆層前體層的膜,其中,在上述基板與上述被鍍覆層前體層之間具有底塗層。
(11)一種帶圖案狀被鍍覆層的膜,在帶圖案狀被鍍覆層的膜中,將(9)或(10)所述的帶被鍍覆層前體層的膜中的上述被鍍覆層前體層通過能量賦予固化成圖案狀,從而形成了圖案狀被鍍覆層。
(12)一種導電性膜,其是在(11)所述的帶圖案狀被鍍覆層的膜的上述圖案狀被鍍覆層上層積金屬層而成的。
(13)一種觸控面板,其包含(12)所述的導電性膜。
根據本發明,能夠提供一種被鍍覆層形成用組合物,其能夠形成圖案狀被鍍覆層,該圖案狀被鍍覆層通過鍍覆處理可形成導電性優異的金屬層並且與該金屬層的密合性也優異。
另外,本發明能夠提供使用了該被鍍覆層形成用組合物的帶被鍍覆層前體層的膜、帶圖案狀被鍍覆層的膜、導電性膜和觸控面板。
10:帶被鍍覆層前體層的膜
50:帶圖案狀被鍍覆層的膜
12:基板
20:圖案狀被鍍覆層
22:金屬層
30:塗膜(被鍍覆層前體層)
40:底塗層
100,100:不導電性膜
圖1是示意性示出本發明導電性膜的實施方式的一例的截面圖
圖2A是示意性示出得到帶被鍍覆層前體層的膜10的工序的一例的截面圖
圖2B是示意性示出通過能量賦予對帶被鍍覆層前體層的膜10的塗膜30進行固化的工序的一例的截面圖
圖2C是示意性示出得到帶圖案狀被鍍覆層的膜50的工序的一例的截面圖
圖2D是示意性示出在圖案狀被鍍覆層20上形成金屬層22來得到導電性膜100的工序的一例的截面圖
圖3是示意性示出本發明導電性膜的實施方式的另一例的截面圖
下面對本發明的被鍍覆層形成用組合物進行詳細說明。需要說明的是,在本說明書中使用“~”表示的數值範圍是指包含“~”前後記載的數值作為下限值和上限值的範圍。
[被鍍覆層形成用組合物]
本發明的被鍍覆層形成用組合物的特徵在於,作為圖案狀被鍍覆層的覆膜形成成分,合用具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物和具有2個以上聚合性官能團的多官能單體、並進一步合用單官能單體。
更具體地說,通過使覆膜形成成分中混存有單官能單體,由具有2個以上聚合性官能團的多官能單體形成的交聯點間距離變大,能夠形成空隙多的稀疏的覆膜。在鍍覆處理中,通過使鍍覆液或催化劑液滲透到上述空隙中,金屬鍍覆從圖案狀被鍍覆層的深部析出,由此能夠增大金屬層的膜的厚度。即,能夠減小金屬層的電阻。另一方面,通過由空隙帶來的錨定效果,還能夠提高圖案狀被鍍覆層與金屬層的密合性。
另外,對於上述被鍍覆層形成用組合物來說,如上所述,由於單官能單體的存在,由具有2個以上聚合性官能團的多官能單體 產生的交聯點間距離變大,因而還具有在固化時不容易產生固化收縮的優點。在利用專利文獻1中記載的不混配單官能單體的被鍍覆層形成用組合物形成圖案狀被鍍覆層時,由固化收縮帶來的剪切形變增大。若在這樣的圖案狀被鍍覆層上通過鍍覆處理形成金屬層,則具有容易發生基板介面處的剝離和圖案狀被鍍覆層的凝集破壞的傾向。與此相對,基於本發明的被鍍覆層形成用組合物不容易發生固化收縮,基板介面處的剝離和圖案狀被鍍覆層的凝集破壞受到抑制。
另外,若使用本發明的被鍍覆層形成用組合物,則在形成圖案狀被鍍覆層時,非曝光部(圖像部)相對於顯影液的耐溶解性與曝光部(非圖像部)的溶解性之間的差異(顯影差異)充分,能夠描繪出更高品位的細線。
下面首先對可以包含在本發明的被鍍覆層形成用組合物中的成分進行詳細說明。
<具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物>
被鍍覆層形成用組合物包含具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物。
需要說明的是,所謂“非聚合性聚合物”是指在聚合物中實質上不具有聚合性官能團,聚合性官能團在聚合物總質量中優選為0.1質量%以下、更優選為0.01質量%以下。對其下限沒有特別限 制,為0質量%。聚合性官能團的定義與後述的具有2個以上聚合性官能團的多官能單體的聚合性官能團的含義相同。
與金屬離子相互作用的基團(以下也稱為“相互作用性基團”互是指能夠與被賦予至圖案狀被鍍覆層的鍍覆催化劑或其前體相互作用的官能團,例如可以使用能夠與鍍覆催化劑或其前體形成靜電相互作用的官能團或者能夠與鍍覆催化劑或其前體形成配位的含氮官能團、含硫官能團和含氧官能團等。
作為相互作用性基團,更具體地說,可以舉出:氨基、醯胺基、醯亞胺基、脲基、叔氨基、銨基、脒基、三嗪環、三唑環、苯並三唑基、咪唑基、苯並咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、唑啉(
Figure 105110198-A0305-02-0012-14
)基、喹喔啉基、嘌呤基、三嗪基、哌啶基、哌嗪基、吡咯烷基、吡唑基、苯胺基、包含烷基胺結構的基團、包含異氰脲結構的基團、硝基、亞硝基、偶氮基、重氮基、疊氮基、氰基和氰酸酯基等含氮官能團;醚基、羥基、酚性羥基、羧酸基、碳酸酯基、羰基、酯基、包含N-氧化物結構的基團、包含S-氧化物結構的基團和包含N-羥基結構的基團等含氧官能團;噻吩基、硫醇基、硫脲基、硫代氰尿酸基、苯並噻唑基、巰基三嗪基、硫醚基、硫氧基、亞碸基、碸基、亞硫酸鹽基、包含亞碸亞胺結構的基團、包含亞碸鹽結構的基團、磺酸基和包含磺酸酯結構對基團等含硫官能團;磷酸酯(
Figure 105110198-A0305-02-0012-15
)基、磷醯胺基、膦基和包含磷酸酯結 構的基團等含磷官能團;包含氯和溴等鹵原子的基團等,在可形成鹽結構的官能團中,還可以使用這些基團的鹽。
其中,出於極性高、對鍍覆催化劑或其前體等的吸附能力高的原因,特別優選羧酸基、磺酸基、磷酸基和硼酸基等離子性極性基團、醚基、或氰基。另外,從能夠賦予對鍍覆催化劑或其前體等的吸附能力、同時賦予顯影性這樣的方面考慮,進一步優選羧酸基(羧基)或磺酸基;從適度的酸性(不分解其他官能團)這樣的方面考慮,優選羧酸基。
另外,在聚合物中也可以包含2種以上的相互作用性基團。
作為具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物沒有特別限定,例如可以舉出具有下式(2)所表示的重複單元(A)的聚合物。
式(2)
Figure 105110198-A0305-02-0013-3
上述式(2)中,R21表示氫原子或者取代或無取代的烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基等)。需要說明的是,對取代基的種類沒有特別限制,可以舉出甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等。
作為R21,優選氫原子、甲基或者被溴原子取代的甲基。
上述式(2)中,X表示單鍵或者取代或無取代的2價有機基團。 需要說明的是,對取代基的種類沒有特別限制,可以舉出甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等。
作為2價有機基團,可以舉出:取代或無取代的2價脂肪族烴基(優選碳原子數為1~8。例如亞甲基、亞乙基、亞丙基等亞烷基)、取代或無取代的2價芳香族烴基(優選碳原子數為6~12。例如亞苯基)、-O-、-S-、-SO2-、-N(R)-(R:烷基(優選碳原子數為1~8))、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或它們組合而成的基團(例如亞烷基氧基、亞烷基氧基羰基、亞烷基羰醯氧基等)等。
作為X,從聚合物的合成容易、金屬層的密合性更為優異的方面考慮,優選單鍵、酯基(-COO-)、醯胺基(-CONH-)、醚基(-O-)或者取代或無取代的2價芳香族烴基,更優選單鍵、酯基(-COO-)或醯胺基(-CONH-)。
上述式(2)中,L21表示單鍵或者取代或無取代的2價有機基團。作為取代或無取代的2價有機基團的定義,與上述X所表示的取代或無取代的2價有機基團的含義相同。
從金屬層的密合性更為優異的方面考慮,L21優選為單鍵或者取代或無取代的2價脂肪族烴基、取代或無取代的2價芳香族烴基、或者它們組合而成的基團。其中,L21優選單鍵或者總碳原子數為1~15的取代或無取代的2價有機基團,特別優選無取代。需要說明的是,此處,所謂總碳原子數是指由L21表示的取代或無取代的2價有機基團所含有的總碳原子數。
上述式(2)中,W表示相互作用性基團。相互作用性基團的定義如上所述。
上述之中,從合成容易的方面考慮,特別優選聚(甲基)丙烯酸。需要說明的是,在本發明中,所謂(甲基)丙烯酸是指包括丙烯酸和甲基丙烯酸這兩者的概念。
從對鍍覆催化劑或其前體的吸附性的觀點出發,上述相互作用性基團單元(重複單元(A))的含量相對於聚合物中的全部重複單元優選為5摩爾%~100摩爾%、更優選為10摩爾%~100摩爾%。
需要說明的是,在聚合物中也可以包含上述重複單元(A)以外的其他重複單元,例如可以舉出不包含相互作用性基團的公知單體(例如苯乙烯單體、烯烴單體、丙烯酸單體等等)來源的重複單元。
對於具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物的重均分子量沒有特別限制,從溶解性等處理性更為優異的方面考慮, 優選為1000以上70萬以下、進一步優選為2000以上20萬以下。從聚合靈敏度的方面出發,特別優選為20000以上。
這些聚合物可以通過公知的方法製造。
具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物的重均分子量可以使用凝膠滲透色譜法(GPC)來確認。即,為了利用GPC求出具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物的重均分子量,事先利用分子量已知且各自不同的2種以上的聚合物(例如聚苯乙烯)在相同條件下進行測定,得到保留時間和分子量的關係的校正曲線,基於該校正曲線,進行計算出即可。
需要說明的是,作為GPC測定方法,更具體地說,可以將物件物溶解在四氫呋喃(THF)中,使用高速GPC裝置(例如HLC-8220GPC(東曹株式會社製造))利用聚苯乙烯換算進行計算。需要說明的是,GPC測定條件如下。
柱:東曹社製造TSK-GEL SuperH
柱溫度:40℃
流速:1mL/min
洗脫液:THF
<具有2個以上聚合性官能團的多官能單體>
具有2個以上聚合性官能團的多官能單體(下文中也稱為“多官能單體”官具有2個以上的聚合性官能團即可,從金屬層的 導電特性和/或金屬層的密合性更為優異的方面(下文中也簡單稱為“本發明的效果更為優異的方面”發考慮,聚合性官能團的數目優選為2~10、更優選為2~6。
另外,對多官能單體的分子量沒有特別限制,從本發明的效果更為優異的方面考慮,優選為150~1000、更優選為200~800。
需要說明的是,在多官能單體中也可以包含上述的相互作用性基團。
聚合性官能團是可通過能量賦予形成化學鍵的官能團,例如可以舉出自由基聚合性官能團和陽離子聚合性官能團等。其中,從反應性更為優異的方面出發,優選自由基聚合性官能團。作為自由基聚合性官能團,例如可以舉出丙烯酸酯基(丙烯醯氧基)、甲基丙烯酸酯基(甲基丙烯醯氧基)、衣康酸酯基、丁烯酸酯基、異丁烯酸酯基、馬來酸酯基等不飽和羧酸酯基;苯乙烯基、乙烯基、丙烯醯胺基和甲基丙烯醯胺基等。其中優選甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、乙烯基、苯乙烯基、丙烯醯胺基或甲基丙烯醯胺基,更優選丙烯醯胺基、甲基丙烯醯胺基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基或苯乙烯基。
上述多官能單體中,從所形成的圖案狀被鍍覆層的硬度更進一步優異這樣的方面出發,優選使用多官能(甲基)丙烯醯胺。
作為多官能(甲基)丙烯醯胺,只要具有2個以上(優選2以上6以下)的(甲基)丙烯醯胺基就沒有特別限定。其中優選具有4個(甲基)丙烯醯胺基的4官能(甲基)丙烯醯胺。
作為多官能單體的優選方式之一,從本發明的效果更為優異的方面考慮,可以舉出式(X)所表示的化合物。
Figure 105110198-A0305-02-0018-4
通式(X)中,Q表示n價連接基團,Ra表示氫原子或甲基。n表示2以上的整數。
Ra表示氫原子或甲基,優選為氫原子。
從本發明的效果更為優異的方面出發,Q的價數n為2以上,優選為2以上且為6以下、更優選為2以上且為5以下、進一步優選為2以上且為4以下。
作為由Q表示的n價連接基團,例如可以舉出:式(1A)所表示的基團、式(1B)所表示的基團、
Figure 105110198-A0305-02-0018-16
-NH-、-NR(R:表示烷基)-、-O-、-S-、羰基、亞烷基、亞烯基、亞炔基、環亞烷基、芳香族基、雜環基和將它們2種以上組合而成的基團。
關於由式(X)表示的化合物,可以適當地參照日本特開2013-43946號公報的[0019]~[0034]段和日本特開2013-43945號公報的[0070]~[0080]段等的記載。
作為式(X)所表示的化合物的優選方式,從本發明的效果更為優異的方面考慮,可以舉出式(Y)所表示的化合物。
Figure 105110198-A0305-02-0019-5
式(Y)中,R1表示氫原子或甲基。R2表示碳原子數為2~4的直鏈或支鏈的亞烷基。只是,在R2中不採取R2兩端所鍵接的氧原子和氮原子鍵接在R2的同一個碳原子上的結構。R3表示2價連接基團。k表示2或3。x、y、z各自獨立地表示0~6的整數,x+y+z滿足0~18。
R2表示碳原子數為2~4的直鏈或支鏈的亞烷基。2個以上的R2彼此可以相同、也可以不同。R2優選碳原子數為3~4的亞烷基、更優選碳原子數為3的亞烷基、特別優選碳原子數為3的直鏈亞烷基。R2的亞烷基可以進一步具有取代基,作為該取代基,可以舉出芳基、烷氧基等。
但是,R2中不採取R2的兩端所鍵接的氧原子和氮原子鍵接在R2的同一個碳原子上的結構。R2是連結氧原子和(甲基)丙烯醯胺基的氮原子的直鏈或支鏈的亞烷基,在該亞烷基採取支鏈結構的情況下,也可認為其採取了兩端的氧原子和(甲基)丙烯醯胺基的氮原子鍵接在亞烷基中的同一個碳原子上的-O-C-N-結構(半醯胺結構)。但是,式(Y)所表示的化合物中不包含這樣結構的化合物。
作為R3的2價連接基團,可以舉出亞烷基、亞芳基、雜環基或由它們的組合形成的基團等,優選亞烷基。需要說明的是,在2價連接基團包含亞烷基的情況下,在該亞烷基中可以進一步包含選自-O-、-S-和-NRb-中的至少一種基團。Rb表示氫原子或碳原子數為1~4的烷基。
x、y、z各自獨立地表示0~6的整數、優選為0~5的整數、更優選為0~3的整數。x+y+z滿足0~18,優選為0~15、更優選為0~9。
多官能(甲基)丙烯醯胺中,從被鍍覆層前體層的固化速度優異的觀點等出發,可以更優選使用下式(4)所表示的4官能(甲基)丙烯醯胺。
需要說明的是,在本發明中,(甲基)丙烯醯胺為包含丙烯醯胺和甲基丙烯醯胺這兩者的概念。
上述式(4)所表示的4官能(甲基)丙烯醯胺例如可通過日本專利第5486536號公報中記載的製造方法來製造。
Figure 105110198-A0305-02-0021-6
上述式(4)中,R表示氫原子或甲基。上述式(4)中,2個以上的R可以相同、也可以不同。
<單官能單體>
作為單官能單體,只要為具有1個聚合性官能團的化合物就沒有特別限定。作為單官能單體,例如可以舉出作為具有加成聚合性的化合物的具有烯鍵式不飽和鍵的化合物和作為具有開環聚合性的化合物的具有環氧基的化合物等。作為所使用的單官能單體的分子量,優選為50~400、進一步優選為70~250。
具體地說,可以舉出具有1個在前文的多官能單體說明中敘述的聚合性官能團的化合物,其中優選具有丙烯醯胺基、α在烷基取代丙烯醯胺基(作為α為烷基取代丙烯醯胺基,優選甲基丙烯醯胺基)的化合物,特別優選下式(1)所表示的化合物。
式(1)
Figure 105110198-A0305-02-0022-7
式(1)中,R0表示氫原子或碳原子數為1~4的烷基,R1表示氫原子或碳原子數為1~4的烷基,R2、R3和R4各自獨立地表示氫原子、羥基、碳原子數為1~10的烷基或者部分地具有選自醚、羰基、羧基和羥基中的取代基的烴鏈。
式(1)中,R0表示氫原子或碳原子數為1~4的烷基,優選氫原子或甲基。
R1表示氫原子或碳原子數為1~4的烷基,優選氫原子或甲基。
R2、R3和R4各自獨立地表示氫原子、羥基、碳原子數為1~10的烷基或者部分地具有選自醚基、羰基、羧基和羥基中的取代基的烴鏈。
作為部分地具有選自醚基、羰基、羧基和羥基中的取代基的烴鏈,例如可以舉出羥基烷基、烷氧基烷基、醯基烷基和羧基烷基,碳原子數(其中不包括上述取代基中的碳原子數)優選為1~5。
作為R2、R3和R4,優選氫原子、羥基、碳原子數為1~5的烷基、羥基烷基、烷氧基甲基或醯基烷基,更優選氫原子、羥基、 碳原子數為1~3的烷基、羥基甲基、丁氧基甲基或醯基甲基(優選乙醯基甲基)。
<各成分的組成>
在被鍍覆層用組合物中,對於具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物的含量沒有特別限制,相對於被鍍覆層形成用組合物中的總固體成分100質量%優選為20質量%以上、更優選為30質量%以上。對於上限沒有特別限制,優選為90質量%以下。
在被鍍覆層形成用組合物中,從圖案狀被鍍覆層的強度和鍍覆適應性的平衡的方面考慮,相對於多官能單體100質量份,單官能單體的含量優選為10質量份~100000質量份、更優選為15質量份~50000質量份、進一步優選為30質量份~20000質量份、特別優選為100質量份~15000質量份。
在被鍍覆層形成用組合物中,從圖案狀被鍍覆層的強度、鍍覆的析出速度和鍍覆適應性的平衡的方面考慮,相對於具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物100質量份,多官能單體和單官能單體的總含量優選為10質量份~1000質量份、更優選為15質量份~1000質量份、進一步優選為50質量份~500質量份。
另外,在被鍍覆層形成用組合物中,從鹼耐性的方面出發,優選多官能單體和單官能單體中的至少一者具有(甲基)丙烯醯胺基。
在被鍍覆層形成用組合物中,單官能單體和多官能單體可以分別包含兩種以上。這種情況下,優選為相容性優異的組合。
<聚合引發劑>
被鍍覆層形成用組合物包含聚合引發劑。通過包含聚合引發劑,曝光處理時的聚合性官能團間的反應更為有效地進行。
作為聚合引發劑沒有特別限制,可以使用公知的聚合引發劑(所謂的光聚合引發劑)等。作為聚合引發劑的示例,可以舉出二苯甲酮類、苯乙酮類、α。氨基烷基苯酮類、苯偶姻類、酮類、噻噸酮類、苯偶醯類、苄基縮酮類、肟酯類、蒽酮類、一硫化四甲基秋蘭姆類、雙醯基氧化膦類、醯基氧化膦類、蒽醌類、偶氮化合物等及其衍生物。
對於被鍍覆層形成用組合物中的聚合引發劑的含量沒有特別限制,從圖案狀被鍍覆層的固化性的方面考慮,相對於多官能單體和單官能單體的總含量100質量%優選為0.1質量%~20質量%、更優選為1質量%~10質量%。
<溶劑>
從處理性的方面考慮,在被鍍覆層形成用組合物中優選包含溶劑。
對於可以使用的溶劑沒有特別限定,例如可以舉出:水;甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、甘油、丙二醇單甲 醚等醇類溶劑;乙酸等酸;丙酮、甲基乙基酮、環己酮等酮類溶劑;甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等醯胺類溶劑;乙腈、丙腈等腈類溶劑;乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯類溶劑;碳酸二甲酯、碳酸二乙酯等碳酸酯類溶劑;此外還有醚類溶劑、二醇類溶劑、胺類溶劑、硫醇類溶劑和鹵素類溶劑等。
其中,優選醇類溶劑、醯胺類溶劑、酮類溶劑、腈類溶劑或碳酸酯類溶劑。
對於被鍍覆層形成用組合物中的溶劑的含量沒有特別限制,相對於組合物總量優選為50質量%~98質量%、更優選為70質量%~98質量%。溶劑的含量為上述範圍內時,組合物的處理性優異、圖案狀被鍍覆層的層厚的控制等容易。
<其他添加劑>
在被鍍覆層形成用組合物中可以根據需要添加其他添加劑(例如增感劑、固化劑、阻聚劑、抗氧化劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、填料、顆粒、阻燃劑、表面活性劑、潤滑劑和增塑劑等)。
[帶被鍍覆層前體層的膜、帶圖案狀被鍍覆層的膜和導電性膜]
下面對本發明的導電性膜進行詳細說明,與此同時還對本發明的帶被鍍覆層前體層的膜和帶圖案狀被鍍覆層的膜進行詳細說明。
本發明的導電性膜具有基板、在基板上形成的圖案狀被鍍覆層、以及通過鍍覆處理而被層積在圖案狀被鍍覆層表面上的金屬層。
本發明的導電性膜可以通過具有下述工序1和工序2的製造方法來製作。
工序1:圖案狀被鍍覆層形成工序,在基板上利用上述被鍍覆層形成用组合物形成被鍍覆層前體層(塗布‧乾燥得到的塗膜)后(將具有基板和在基板上形成的被鍍覆前體層的膜稱為“帶被鍍覆層前體層的膜”膜,將該被鍍覆層前體層通過能量賦予固化成圖案狀,從而圖案狀被鍍覆層(將工序1中得到的膜稱為“帶圖案狀被鍍覆層的膜”膜。
工序2:金屬層形成工序,通過鍍覆處理在圖案狀被鍍覆層上形成金屬層。
圖1是示出本發明導電性膜的實施方式的一例的截面示意圖。圖1的導電性膜100具有基板12和基板12上的圖案狀被鍍覆層20,在該圖案狀被鍍覆層20上形成金屬層22。
下面,將導電性膜100的製造方法作為一例,參照附圖對本發明的帶被鍍覆層前體層的膜、帶被鍍覆層的膜和導電性膜的製造方法及其材料等進行說明。需要說明的是,本發明的實施方式並不限於以下示出的方式。
(基板)
基板只要具有2個主面、可支援後述的圖案狀被鍍覆層即可,對其種類沒有特別限制。作為基板,優選絕緣基板,更具體地說,可以使用樹脂基板、陶瓷基板和玻璃基板等。
作為樹脂基板的材料,例如可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、聚丙烯酸系樹脂、聚氨酯系樹脂、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醯胺、聚芳酯、聚烯烴、纖維素系樹脂、聚氯乙烯和環烯烴系樹脂等。其中優選聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚烯烴。
對基板的厚度(mm)沒有特別限制。
從處理性和薄型化的平衡的方面考慮,基板的厚度優選為0.05mm~2mm、更優選為0.1mm~1mm。
另外,基板優選適當地透過光。具體地說,基板的全光線透過率優選為85%~100%。
另外,基板可以為多層結構,例如,可以包含功能性膜作為它的一個層。需要說明的是,基板本身也可以為功能性膜。作為功能性膜的示例並無特别限定,但可以舉出偏振片、相位差膜、塑罩(
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)、硬塗膜、阻隔膜、粘合膜、電磁波屏蔽膜、放熱膜、天線膜和觸控面板以外的器件用配線膜等。
特别是,關於與觸控面板有關聯的液晶盒中使用的功能性膜的具體例,作為偏振片可以使用NPF系列(日東電工社製造)或HLC2系列(Sanritz公司製造)等,作為相位差膜可以使用WV膜(Fuji Film公司製造)等,作為塑罩可以使用FAlNDE(大日本印刷製)、Technolloy(住友化學製)、Iupilon(三菱瓦斯化學製)、Silplus(新日鐵住金製)、ORGA(日本合成化學製)、SHORAYAL(昭和電工製)等,作為硬塗膜可以使用H系列(Lintec公司製造)、FHC系列(東山膜公司製造)、KB膜(KIMOTO公司製造)等。它們可以在各功能性膜的表面上形成圖案狀被鍍覆層。
另外,在偏振片和相位差膜中有時像日本特開2007-26426號公報中所記載那樣使用三乙酸纖維素,但從對鍍覆工藝的耐性的觀點出發,也可以將三乙酸纖維素變為環烯烴(共)聚合物來使用,例如可以舉出ZEONOR(日本Zeon製)等。
[工序1:圖案狀被鍍覆層形成工序]
工序1為下述工序:對於由包含具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物、具有2個以上聚合性官能團的多官能單體、單官能單體和聚合引發劑的被鍍覆層形成用組合物形成的塗膜,以圖案狀賦予能量,在基板上形成圖案狀被鍍覆層。
更具體地說,為下述工序:首先,如圖2A所示,製作在基板12上形成被鍍覆層形成用組合物的塗膜(相當於被鍍覆層前體層)30而成的帶被鍍覆層前體層的膜10,接下來,如圖2B所示, 對於塗膜30按黑箭頭所示以圖案狀賦予能量,從而促進聚合性官能團的反應使其固化,其後除去未被賦予能量的區域,得到圖案狀被鍍覆層20(圖2C)。
通過上述工序形成的帶圖案狀被鍍覆層的膜50的圖案狀被鍍覆層按照相互作用性基團的功能而在後述的工序2中吸附(附著)金屬離子。即,圖案狀被鍍覆層作為金屬離子的良好的受容層發揮功能。另外,聚合性官能團被用於通過基於能量賦予的固化處理而使化合物彼此鍵接,能夠得到硬度優異的圖案狀被鍍覆層。
在工序1中,首先在基板上配置被鍍覆層形成用組合物,對於其方法沒有特別限制,例如可以舉出使上述被鍍覆層形成用組合物接觸基板上來形成被鍍覆層形成用組合物的塗膜的方法。作為該方法,例如可以舉出在基板上塗布上述被鍍覆層形成用組合物的方法(塗布法)。
在塗布法的情況下,對於將被鍍覆層形成用組合物塗布在基板上的方法沒有特別限制,可以使用公知的方法(例如旋塗、模塗、浸漬塗布等)。
從處理性和製造效率的觀點出發,優選將被鍍覆層形成用組合物塗布在基板上,根據需要進行乾燥處理除去殘留的溶劑來形成塗膜的方式。
需要說明的是,對於乾燥處理的條件沒有特別限制,從生產率更為優異的方面考慮,優選在室溫~220℃(優選50℃~120℃)實施1分鐘~30分鐘(優選1分鐘~10分鐘)。
對於以圖案狀對基板上的塗膜賦予能量的方法沒有特別限制。例如優選使用加熱處理或曝光處理(光照射處理)等,從處理在短時間內結束的方面考慮,優選曝光處理。通過對塗膜賦予能量,塗膜中的化合物所含有的聚合性官能團被活化,產生化合物間的交聯,進行層的固化。
在曝光處理中使用UV(紫外線)燈和基於可見光線等的光照射等。作為光源,例如有汞燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學燈和碳弧燈等。作為放射線,也有電子射線、X射線、離子束和遠紅外線等。作為具體的方式,可以適當地舉出基於紅外線鐳射的掃描曝光、氙放電燈等高照度閃爍曝光、或者紅外線燈曝光等。
作為曝光時間,根據化合物的反應性和光源而不同,通常為10秒~5小時之間。作為曝光能量,為10mJ~8000mJ的程度即可,優選為50mJ~3000mJ的範圍。
需要說明的是,對於以圖案狀實施上述曝光處理的方法沒有特別限制,可以採用公知的方法,例如可隔著掩模對塗膜照射曝光光。
另外,在作為能量賦予使用加熱處理的情況下,可以使用鼓風乾燥機、烘箱、紅外線乾燥機和加熱鼓等。
接著,除去塗膜中的未被實施能量賦予的部分,形成圖案狀被鍍覆層。
對於上述除去方法沒有特別限制,根據所使用的化合物適當地選擇最佳的方法。例如可以舉出使用鹼性溶液(優選pH:13.0~13.8)作為顯影液的方法。在使用鹼性溶液除去未賦予能量的區域的情況下,可以舉出將具有被賦予了能量的塗膜的基板浸漬在溶液中的方法、或者在該基板上塗布顯影液的方法等,優選浸漬的方法。 在浸漬方法的情況下,從生產率和作業性等觀點出發,作為浸漬時間優選為1分鐘至30分鐘左右。
另外,作為其他方法,可以舉出將溶解所使用的化合物的溶劑作為顯影液並浸漬在其中的方法。
(圖案狀被鍍覆層)
對於通過上述處理形成的圖案狀被鍍覆層的厚度沒有特別限制,從生產率的方面考慮優選為0.01上述~1001、更優選為0.2選為~5.2、特別優選為0.3優選~1.0優選。
對於圖案狀被鍍覆層的圖案形狀沒有特別限制,可以按照要形成後述的金屬層的位置進行調整,例如可以舉出網狀圖案等。在網狀圖案的情況下,網狀圖案內的格子(開口部)的一邊長度W優選為800長度以下、更優選為600更優以下,優選為50,優以上、更優選為400更優以上。需要說明的是,對於格子的形狀沒有特別限制,可以為大致菱形的形狀或多邊形狀(例如三角形、四邊形、 六邊形)。另外,一邊的形狀除了可為直線狀以外,也可以為彎曲形狀,還可以為圓弧狀。
另外,對圖案狀被鍍覆層的線寬沒有特別限制,從配置在圖案狀被鍍覆層上的金屬層的低電阻性的方面考慮,優選為30,對以下、更優選為15、更以下、進一步優選為10、進以下、特別優選為9下、以下、最優選為7下、以下,優選為0.5優選以上、更優選為1.0更優以上。
[工序2:金屬層形成工序]
工序2為下述工序:對於在上述工序1中形成的圖案狀被鍍覆層賦予金屬離子,對於被賦予了金屬離子的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理,在圖案狀被鍍覆層上形成金屬層。如圖2D所示,通過實施本工序,在圖案狀被鍍覆層20上配置金屬層22,得到導電性膜100。
下面分成對圖案狀被鍍覆層賦予金屬離子的工序(工序2-1)和對被賦予了金屬離子的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理的工序(工序2-2)進行說明。
(工序2-1:金屬離子賦予工序)
在本工序中,首先對圖案狀被鍍覆層賦予金屬離子。上述具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物來源的相互作用性基團按照其功能而附著(吸附)被賦予的金屬離子。更具體地說, 金屬離子被賦予到圖案狀被鍍覆層中以及圖案狀被鍍覆層表面上。
金屬離子可通過化學反應而變成鍍覆催化劑,更具體地說,通過還原反應變成作為鍍覆催化劑的0價金屬。在本工序中,將金屬離子賦予到圖案狀被鍍覆層上之後,可以在浸漬到鍍覆浴(例如無電解鍍覆浴)中之前通過另外的還原反應變化成0價金屬來作為鍍覆催化劑,也可以以金屬離子的狀態浸漬到鍍覆浴中,利用鍍覆浴中的還原劑變化成金屬(鍍覆催化劑)。
金屬離子優選使用金屬鹽被賦予到圖案狀被鍍覆層。作為所使用的金屬鹽,只要可溶解在適當的溶劑中並解離成金屬離子和鹼基(陰離子)就沒有特別限制,可以舉出M(NO3)n、MCln、M2/n(SO4)和M3/n(PO4)(M表示n價的金屬原子)等。作為金屬離子,可以適當地使用上述金屬鹽發生解離得到的金屬離子。作為具體例,可以舉出例如Ag離子、Cu離子、Al離子、Ni離子、Co離子、Fe離子和Pd離子,其中優選能夠多齒配位的離子,從能夠配位的官能團的種類數和催化能力的方面考慮,特別優選Ag離子或Pd離子。
作為將金屬離子賦予至圖案狀被鍍覆層的方法,例如可以以適當溶劑將金屬鹽溶解,製備包含解離出的金屬離子的溶液,將該溶液塗布在圖案狀被鍍覆層上、或者將形成了圖案狀被鍍覆層的基板浸漬在該溶液中。
作為上述溶劑,酌情使用水或有機溶劑。作為有機溶劑,優選可滲透到圖案狀被鍍覆層中的溶劑,例如可以使用丙酮、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙二醇二乙酸酯、環己酮、乙醯丙酮、苯乙酮、2-(1-環己烯基)環己酮、丙二醇二乙酸酯、甘油三乙酸酯、二甘醇二乙酸酯、二氧六環、N-甲基吡咯烷酮、碳酸二甲酯和二甲基溶纖劑等。
對於溶液中的金屬離子濃度沒有特別限制,優選為0.001質量%~50質量%、更優選為0.005質量%~30質量%。
另外,作為接觸時間,優選為30秒~24小時左右、更優選為1分鐘~1小時左右。
關於圖案狀被鍍覆層的金屬離子的吸附量,根據所使用的鍍覆浴種類、催化劑金屬種類、圖案狀被鍍覆層的相互作用性基團種類和使用方法等而不同,從鍍覆析出性的觀點出發,優選為5mg/m2~1000mg/m2、更優選為10mg/m2~800mg/m2、特別優選為20mg/m2~600mg/m2
(工序2-2:鍍覆處理工序)
接下來,對於被賦予了金屬離子的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理。
對鍍覆處理的方法沒有特別限制,例如可以舉出無電解鍍覆處理或電解鍍覆處理(電鍍處理)。在本工序中,可以單獨實施無電 解鍍覆處理,也可以在實施無電解鍍覆處理後進一步實施電解鍍覆處理。
另外,在本說明書中包含所謂銀鏡反應作為上述無電解鍍覆處理的一種。從而,例如通過銀鏡反應等,還原所附著的金屬離子,可以形成所期望的圖案狀金屬層,進而在其後可以實施電解鍍覆處理。
下面對無電解鍍覆處理和電解鍍覆處理的過程進行詳細說明。
無電解鍍覆處理指的是下述操作:使用溶解有在鍍覆時將要析出的金屬離子的溶液,通過化學反應使金屬析出。
本工序中的無電解鍍覆處理例如可如下進行:對於具備被賦予了金屬離子的圖案狀被鍍覆層的基板進行水洗,除去多餘的金屬離子,之後浸漬在無電解鍍覆浴中。作為所使用的無電解鍍覆浴,可以使用公知的無電解鍍覆浴。需要說明的是,在無電解鍍覆浴中,進行金屬離子的還原和還原之後的無電解鍍覆。
圖案狀被鍍覆層中的金屬離子的還原與上述的使用無電解鍍覆液的方式不同,也可準備催化劑活化液(還原液),作為無電解鍍覆處理前的其它工序來進行。催化劑活化液為溶解有可將金屬離子還原成0價金屬的還原劑的溶液,相對於溶液整體,還原劑的濃度優選為0.1質量%~50質量%、更優選為1質量%~30質量%。 作為還原劑,可以使用硼氫化鈉、二甲胺硼烷之類的硼系還原劑、甲醛、次磷酸等還原劑。
在浸漬時,優選在浸漬的同時施加攪拌或揺動。
作為一般的無電解鍍覆浴的組成,除了含有溶劑(例如水)外,主要還含有1.鍍覆用的金屬離子、2.還原劑、3.提高金屬離子的穩定性的添加劑(穩定劑)。在該鍍覆浴中,除了這些成分外,還可以含有鍍覆浴的穩定劑等公知的添加劑。
作為無電解鍍覆浴中使用的有機溶劑,需要為在水中可溶的溶劑,從這方面考慮,優選使用丙酮等酮類、甲醇、乙醇和異丙醇等醇類。作為在無電解鍍覆浴中使用的金屬的種類,已知有銅、錫、鉛、鎳、金、銀、鈀和銠,其中,從導電性的觀點出發,優選銅、銀或金,更優選銅。另外,根據上述金屬來選擇最佳的還原劑、添加劑。
作為在無電解鍍覆浴中的浸漬時間,優選為1分鐘~6小時左右、更優選為1分鐘~3小時左右。
電解鍍覆處理指的是下述操作:使用溶解有希望作為鍍覆析出的金屬離子的溶液,利用電流使金屬析出。
需要說明的是,如上所述,在本工序中,在上述無電解鍍覆處理後可根據需要進行電解鍍覆處理。利用這樣的方式,能夠適當地調整所形成的圖案狀金屬層的厚度。
作為電解鍍覆的方法,可以使用現有公知的方法。需要說明的是,作為電解鍍覆中使用的金屬,可以舉出銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫和鋅等,從導電性的觀點出發,優選銅、金或銀,更優選銅。
另外,通過電解鍍覆得到的金屬層的膜厚可通過調整鍍覆浴中所含有的金屬濃度或電流密度等來進行控制。
需要說明的是,在上文中對於賦予金屬離子的方式進行了敘述,但並不限於該方式,也可以使用金屬微粒等公知的鍍覆催化劑。
對於通過上述過程形成的金屬層的厚度沒有特別限制,根據使用目的適當地選擇最佳厚度,從導電特性的觀點出發,優選為0.1過上以上、更優選為0.5更優以上、進一步優選為1上、~30、進。
另外,對於構成金屬層的金屬的種類沒有特別限制,例如可以舉出銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫和鋅等,從導電性的觀點出發,優選銅、金或銀,更優選銅或銀。
對於金屬層的圖案形狀沒有特別限制,由於金屬層被配置在圖案狀被鍍覆層上,因而可通過圖案狀被鍍覆層的圖案形狀進行調整,例如可以舉出網狀圖案等。網狀圖案的金屬層可以適當地用作觸控面板中的感測器電極。在金屬層的圖案形狀為網狀圖案的情況下,網狀圖案內的格子(開口部)的一邊長度W的範圍、格子形狀的優選方式和金屬層的線寬與上述圖案狀被鍍覆層的方式相同。
(底塗層)
作為上述導電性膜的實施方式的另一例,可以在基板上進一步包含底塗層。更具體地說,如圖3的導電性膜100性所示,在基板12上可以進一步相鄰接地配置底塗層40。通過在基板與圖案狀被鍍覆層之間配置底塗層,兩者的密合性進一步提高。
對底塗層的厚度沒有特別限制,通常優選為0.01的厚~1001的、更優選為0.05為厚~2005、進一步優選為0.05優選~1005。
對底塗層的材料沒有特別限制,優選與基板的密合性良好的樹脂。作為樹脂的具體例,例如可以為熱固化性樹脂,可以為熱塑性樹脂,還可以為它們的混合物,例如作為熱固化性樹脂,可以舉出環氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚烯烴系樹脂和異氰酸酯系樹脂等。作為熱塑性樹脂,例如可以舉出苯氧基樹脂、聚醚碸、聚碸、聚苯碸、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚醯亞胺和ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)樹脂等。
熱塑性樹脂和熱固化性樹脂分別可以單獨使用、也可以將兩種以上合用。另外還可以使用含有氰基的樹脂,具體地說,可以使用ABS樹脂或日本特開2010-84196號[0039]~[0063]中記載的“包含在側鏈具有氰基的單元的聚合物”。
另外,還可以使用NBR橡膠(丁腈橡膠)或SBR橡膠(丁苯橡膠)等橡膠成分。
作為構成底塗層的材料的優選方式之一,可以舉出具有可被氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物。共軛二烯化合物單元是指共軛二烯化合物來源的重複單元。作為共軛二烯化合物,只要為具有包含被一個單鍵隔開的二個碳-碳雙鍵的分子結構的化合物就沒有特別限制。
作為共軛二烯化合物來源的重複單元的優選方式之一,可以舉出通過具有丁二烯骨架的化合物的聚合反應而生成的重複單元。
上述共軛二烯化合物單元可以被氫化,在包含被氫化的共軛二烯化合物單元的情況下,金屬層的密合性進一步提高,這種情況是優選的。即,共軛二烯化合物來源的重複單元中的雙鍵可以被氫化。
在具有可以被氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物中,可以包含上述相互作用性基團。
作為該聚合物的優選方式,可以舉出丁腈橡膠(NBR)、含羧基的丁腈橡膠(XNBR)、丙烯腈-丁二烯-異戊二烯橡膠(NBIR)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS樹脂)或它們的氫化物(例如氫化丁腈橡膠)等。
在底塗層中可以包含其他添加劑(例如增感劑、抗氧化劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、填料、顆粒、阻燃劑、表面活性劑、潤滑劑和增塑劑等)。
對底塗層的形成方法沒有特別限制,可以舉出將所使用的樹脂層積在基板上的方法、或者將所使用的樹脂溶解在可溶解必要成分的溶劑中並利用塗布等方法塗布在基板表面上並進行乾燥的方法等。
關於塗布方法中的加熱溫度和時間,選擇塗布溶劑可充分乾燥的條件即可,從製造適應性的方面考慮,優選選擇加熱溫度為200℃以下、時間為60分鐘以內的範圍的加熱條件,更優選選擇加熱溫度為40℃~100℃、時間為20分鐘以內的範圍的加熱條件。 需要說明的是,關於所使用的溶劑,根據所使用的樹脂適當地選擇最佳溶劑(例如環己酮、甲基乙基酮)。
在使用配置了上述底塗層的基板的情況下,通過在底塗層上實施上述工序1和工序2,得到所期望的導電性膜。
[用途]
通過上述處理得到的具有金屬層的導電性膜能夠在各種用途中適用,能夠適用於觸控面板(或觸控面板感測器)、半導體晶片、各種電氣配線板、FPC(柔性印刷線路)、COF(覆晶薄膜)、TAB(帶式自動接合)、天線、多層配線基板和主機板等各種用途中。其中優選用於觸控面板感測器(靜電電容式觸控面板感測器)。將上述導電性層積體應用於觸控面板感測器的情況下,導電性膜中的金屬層作為觸控面板感測器中的檢出電極或引出配線發揮功能。
需要說明的是,在本說明書中,將觸控面板感測器與各種顯示裝置(例如液晶顯示裝置、有機EL(電致發光)顯示裝置)組合得到的器件稱為觸控面板。作為觸控面板,可以優選舉出所謂的靜電電容式觸控面板。
<實施例>
下面通過實施例進一步詳細說明本發明,但本發明並不限於這些實施例。
<實施例1>
將聚丙烯酸(粘度8000cp~12000cp、和光純藥工業株式會社製造)、作為多官能單體的4官能丙烯醯胺A(下式(4)的““)全部由甲基表示的單體。按照日本專利第5486536號公報合成)和作為單官能單體的單官能丙烯醯胺(N-叔丁基丙烯醯胺)以1:0.33:0.33的固體成分質量比溶解在異丙醇中,接著按照相對於上述多官能單體和單官能單體的總質量為5wt%的量使irgacure127(聚合引發劑(BASF社製造))溶解在其中,製備固體成分濃度為3質量%的被鍍覆層形成用組合物(下文中也稱為“組合物”合。
<化8>
Figure 105110198-A0305-02-0042-8
將所得到的組合物利用微凹版塗布到聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(商品名“品名“的組合、東洋紡株式會社製造)上,進行被鍍覆層前體層的成膜。使用平行曝光機隔著光掩模對於所得到的被鍍覆層前體層照射254nm波長的光(曝光量9mW/cm2)150秒,其後利用碳酸鈉水溶液對於曝光後的被鍍覆層前體進行顯影處理,得到圖案狀被鍍覆層(線寬3寬其後利用碳酸。其後對圖案狀被鍍覆層進行水洗,將具有圖案狀被鍍覆層的膜在30℃的Pd催化劑賦予液(R&H公司製造)中浸漬5分鐘。接下來,對所得到的膜進行水洗,將水洗後的膜浸漬在30℃的金屬催化劑還原液(R&H公司製造)中。 進一步對所得到的膜進行水洗,將水洗後的膜在30℃的銅鍍覆液(R&H公司製造)中浸漬15分鐘。
結果得到了具有金屬層(金屬配線)的導電性膜,該金屬層(金屬配線)是將圖案狀被鍍覆層(下文中也簡單稱為“圖案”案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而得到的。對於所得到的金屬層(金屬配 線),通過下述方法分別進行電阻值的評價以及圖案狀被鍍覆層和金屬層的密合性評價。
<電阻值評價>
利用上述光掩模在基板上形成20個焊盤部(
Figure 105110198-A0305-02-0043-19
部)和將它們每2個進进行連接的相互獨立的10根金屬配線(細線寬:4金相互。使用測試儀測定焊盤間的電阻值,計算出其平均值。
按照下述基準進行評價。結果列於表1。
“照下:電阻值充分低。
“電阻:電阻值低。
“電阻:電阻值稍高。
“電阻:電阻值高。
<密合性評價>
進行賽璐玢膠帶剝離試驗。使用賽璐玢膠帶(行賽璐玢膠帶米其邦社製造),利用指肚按壓在導電性膜的金屬層側使其密合,之後剝離賽璐玢膠帶。
按照下述基準進行評價。結果列於表1。
“照下:金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合良好。
“案狀:金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍好。
“案狀:具有金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍弱的區域。
“案狀:金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合弱,在膠帶剝離實驗中發生介面剝離。
實施例1的金屬配線的電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<實施例2>
與實施例1同樣地進行被鍍覆層前體層的成膜,圖案化成線寬為1樣地以下後,進行銅鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<實施例3>
設4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:0.33,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<實施例4>
設4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:0.15,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區 域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍好。
<實施例5>
設4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:0.10,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值稍高,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍好。
<實施例6>
設4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:8,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<實施例7>
設4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:50,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<實施例8>
設4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:150,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區 域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<實施例9>
設4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:500,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍好。
<實施例10>
設4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:1000,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值低,觀察到有金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍弱的區域。
<實施例11>
設聚合物與混合單體(4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:1)的混合比為1:0.20,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍好。
<實施例12>
設聚合物與混合單體(4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:1)的混合比為1:0.10,與實施例1同樣地成膜、進行 鍍覆處理。結果,鍍覆速度稍慢,為了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆,需要延長鍍覆時間。電阻值低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍好。
<實施例13>
設聚合物與混合單體(4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:1)的混合比為1:8,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍好。
<實施例14>
設聚合物與混合單體(4官能丙烯醯胺A與單官能丙烯醯胺的混合比為1:1)的混合比為1:10,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果,鍍覆速度稍慢,為了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆,需要延長鍍覆時間。電阻值低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍好。
<實施例15>
作為單官能單體使用異丙基丙烯醯胺,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。配線圖案的電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<實施例16>
作為單官能單體使用雙丙酮丙烯醯胺,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。配線圖案的電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<實施例17>
作為單官能單體使用羥基甲基丙烯醯胺,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。配線圖案的電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<實施例18>
作為單官能單體使用N-丁氧基甲基丙烯醯胺,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。配線圖案的電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<實施例19>
作為單官能單體使用2-丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。配線圖案的電阻值稍高,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合稍好。
<實施例20>
作為多官能單體使用2官能丙烯醯胺B(下式(B)所表示的單體。按照公開技報2013-502632的[0187]段進行合成),作為單官能單體使用雙丙酮丙烯醯胺,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。配線圖案的電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
Figure 105110198-A0305-02-0049-9
<實施例21>
除了將實施例20中的多官能單體與單官能單體的混合比設為1:10以外,利用與其同樣的組成與實施例14同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值充分低,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合也良好。
<比較例1>
作為單體僅使用N,N體僅亞甲基雙丙烯醯胺,與實施例1同樣地成膜、進行鍍覆處理。結果得到了將圖案整個區域通過銅鍍覆進行被覆而成的金屬配線。電阻值高,金屬層/圖案狀被鍍覆層間的密合弱,在膠帶剝離實驗中發生了介面剝離。
將實施例1~21、比較例1的評價結果匯總列於表1。
Figure 105110198-A0305-02-0050-10
如表1所示確認到,在使用本發明的被鍍覆層形成用組合物的情況下,電阻值低、金屬層/圖案狀被鍍覆層之間的密合性優異。 另外還確認到本發明的被鍍覆層形成用組合物能夠描繪出高品位的細線。
由實施例1、實施例15~20的比較確認到,在作為單官能單體使用上述式(1)所表示的化合物的情況下,效果更為優異。
另外,由實施例1、實施例3~10的比較確認到,通過使多官能單體的含量和單官能單體的含量為特定比(相對於多官能單體100質量份,單官能單體的含量更優選為15質量份~50000質量份、進一步優選為30質量份~20000質量份、特別優選為100質量份~15000質量份)來進行製備,效果更為優異。
另外,由實施例1、實施例11~14的比較確認到,通過使具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物的含量與多官能單體和單官能單體的總含量為特定比(相對於具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物100質量份,優選多官能單體和單官能單體的總含量為50質量份~500質量份)來進行製備,效果更為優異。
需要說明的是,未使用規定成分的比較例1相當於專利文獻1的實施例10的方式,確認到在該方式中未得到所期望的效果。
以上所舉者僅係本發明之部份實施例,並非用以限制本發明,致依本發明之創意精神及特徵,稍加變化修飾而成者,亦應包括在本專利範圍之內。
綜上所述,本發明實施例確能達到所預期之使用功效,又其所揭露之具體技術手段,不僅未曾見諸於同類產品中,亦未曾公開於申請前,誠已完全符合專利法之規定與要求,爰依法提出發明專利之申請,懇請惠予審查,並賜准專利,則實感德便。
12:基板
20:圖案狀被鍍覆層
22:金屬層
100:導電性膜

Claims (11)

  1. 一種被鍍覆層形成用組合物,其包含:具有與金屬離子相互作用的基團的非聚合性聚合物、具有2~4個(甲基)丙烯醯胺基的多官能單體、具有(甲基)丙烯醯胺基的單官能單體以及聚合引發劑,其中,上述非聚合性聚合物是具有以下重複單元(A)的聚合物,該重複單元(A)的含量相對於聚合物中的全部重複單元為10摩爾%~100摩爾%,相對於上述非聚合性聚合物100質量份,上述多官能單體和上述單官能單體的總含量為10質量份~1000質量份,相對於上述被鍍覆層形成用組合物中的總固體成分100質量%,上述非聚合性聚合物的含量為20質量%以上,
    Figure 105110198-A0305-02-0053-12
    R21表示氫原子或者取代或無取代的烷基,X表示單鍵、酯基或者醯胺基,L21表示單鍵或者總碳原子數為1~15的取代或無取代的2價有機基團,W表示相互作用性基團。
  2. 如請求項1所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,上述相互作用性基團表示羧酸基或磺酸基。
  3. 如請求項1或2所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,上述聚合物為聚(甲基)丙烯酸。
  4. 如請求項1或2所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,上述單官能單體至少包含下式(1)所表示的化合物,
    Figure 105110198-A0305-02-0054-13
    式(1)中,R0表示氫原子或碳原子數為1~4的烷基,R1表示氫原子或碳原子數為1~4的烷基,R2、R3和R4各自獨立地表示氫原子、羥基、碳原子數為1~10的烷基或者部分地具有選自醚基、羰基、羧基和羥基中的取代基的烴鏈。
  5. 如請求項1或2所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,上述多官能單體至少包含4官能(甲基)丙烯醯胺。
  6. 如請求項1或2所述的被鍍覆層形成用組合物,其中,相對於上述多官能單體100質量份,上述單官能單體的含量為10質量份~100000質量份。
  7. 一種帶被鍍覆層前體層的膜,其具有基板和被鍍覆層前體層,該被鍍覆層前體層是利用如請求項1~6中任一項所述的被鍍覆層形成用組合物在上述基板上形成的。
  8. 如請求項7所述的帶被鍍覆層前體層的膜,其中,在上述基板與上述被鍍覆層前體層之間具有底塗層。
  9. 一種帶圖案狀被鍍覆層的膜,該帶圖案狀被鍍覆層的膜中,將如請求項7或8所述的帶被鍍覆層前體層的膜中的上述被鍍覆層前體層通過能量賦予固化成圖案狀,從而形成了圖案狀被鍍覆層。
  10. 一種導電性膜,其是在如請求項9所述的帶圖案狀被鍍覆層的膜的上述圖案狀被鍍覆層上層積金屬層而成的。
  11. 一種觸控面板,其包含如請求項10所述的導電性膜。
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