CN112864193A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112864193A
CN112864193A CN202011215171.8A CN202011215171A CN112864193A CN 112864193 A CN112864193 A CN 112864193A CN 202011215171 A CN202011215171 A CN 202011215171A CN 112864193 A CN112864193 A CN 112864193A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display device
opening
pattern
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011215171.8A
Other languages
English (en)
Inventor
边鎭洙
李尙炫
韩世喜
金智贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN112864193A publication Critical patent/CN112864193A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Abstract

提供一种显示装置及其制造方法。显示装置包括：基底基板；像素定义膜，配置在所述基底基板上且定义第一开口；发光结构物，配置在所述像素定义膜的所述第一开口内；薄膜封装层，配置在所述发光结构物上；触摸电极，配置在所述薄膜封装层上；绝缘图案，配置在所述触摸电极上，且定义与所述第一开口重叠的第二开口；以及高折射层，配置在配置有所述绝缘图案的所述薄膜封装层上，且在上表面形成有多个格子图案，并具有比所述绝缘图案的折射率高的折射率。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置以及所述显示装置的制造方法，更详细而言涉及提高了显示品质的显示装置以及所述显示装置的制造方法。
背景技术
近几年，随着技术的发展，正在生产出小型、轻量化的同时性能更加出色的显示器产品。目前，因已有的阴极射线管(cathode ray tube：CRT)在性能或价格方面具有很多优势，因此显示装置广泛使用了阴极射线管，但是，最近在小型化或便携性方面可以克服CRT的缺点且具有小型化、轻量化以及低功耗等优势的显示装置(例如，等离子显示装置、液晶显示装置以及有机发光显示装置等)备受瞩目。
所述显示装置包括形成像素的层上结构物，但随着所述层上结构物的设计，由于光的特性会发生变化，从而存在显示品质下降的问题。
发明内容
对此，本发明的技术课题着眼于如上所述的几点，本发明的目的在于提供一种提高了显示品质的显示装置。
本发明的其他目的在于提供一种所述显示装置的制造方法。
用于实现所述的本发明的目的的一实施例涉及的显示装置包括:基底基板；像素定义膜，配置在所述基底基板上且定义第一开口；发光结构物，配置在所述像素定义膜的所述第一开口内；薄膜封装层，配置在所述发光结构物上；触摸电极，配置在所述薄膜封装层上；绝缘图案，配置在所述触摸电极上，且定义与所述第一开口重叠的第二开口；以及高折射层，配置在配置有所述绝缘图案的所述薄膜封装层上，且在上表面形成有多个格子图案，并具有比所述绝缘图案的折射率高的折射率。
在本发明一实施例中，可以是，所述第二开口大于所述第一开口。
在本发明一实施例中，可以是，在所述上表面上，在第一方向以及垂直于所述第一方向的第二方向上以一定的周期排列多个所述格子图案。
在本发明一实施例中，可以是，所述格子图案是圆形凹陷部或圆形突出部。
在本发明一实施例中，可以是，所述第一开口包括具有彼此不同的大小和形状的第一子像素的第一开口、第二子像素的第一开口以及第三子像素的第一开口。可以是，多个所述格子图案被配置成与所述第一子像素的第一开口、所述第二子像素的第一开口以及所述第三子像素的第一开口重叠。
在本发明一实施例中，可以是，所述格子图案仅形成在不与所述第二开口重叠的部分。
在本发明一实施例中，可以是，所述格子图案具有相对于所述上表面凹陷或突出的形态。可以是，所述格子图案的周期是2μm至5μm(微米)。可以是，所述格子图案的高度或深度是
Figure BDA0002760125240000021
至
Figure BDA0002760125240000022
(埃)。
在本发明一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：低折射层，配置在所述高折射层上，且具有比所述高折射层的折射率低的折射率。
在本发明一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：粘接层，配置在所述高折射层上；以及光学层，配置在所述粘接层上。
在本发明一实施例中，可以是，所述薄膜封装层包括：第一无机层；有机层，配置在所述第一无机层上；以及第二无机层，配置在所述有机层上。
在本发明一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：第一触摸绝缘层，配置在所述薄膜封装层上。可以是，所述触摸电极位于所述第一触摸绝缘层与所述绝缘图案之间。
在本发明一实施例中，可以是，所述触摸电极包括：第一触摸电极层；以及第二触摸电极层，配置在所述第一触摸电极层上。可以是，所述显示装置还包括：第二触摸绝缘层，配置在所述第一触摸电极层与所述第二触摸电极层之间。
在本发明一实施例中，可以是，所述绝缘图案包括有机绝缘物质。
用于实现所述的本发明的目的的一实施例涉及的显示装置的制造方法包括：在基底基板上形成定义第一开口的像素定义膜的步骤；在所述像素定义膜的所述第一开口内形成发光结构物的步骤；在所述发光结构物上形成薄膜封装层的步骤；在所述薄膜封装层上形成触摸电极的步骤；在形成有所述触摸电极的所述薄膜封装层上形成具有与所述第一开口重叠的第二开口的绝缘图案的步骤；在所述绝缘图案和所述薄膜封装层上形成具有比所述绝缘图案的折射率高的折射率的高折射层的步骤；以及在所述高折射层的上表面形成多个格子图案的步骤。
在本发明一实施例中，可以是，在所述上表面上，在第一方向以及垂直于所述第一方向的第二方向上以一定的周期排列多个所述格子图案。
在本发明一实施例中，可以是，在形成多个所述格子图案的步骤中，在所述高折射层上形成光致抗蚀剂图案之后，将所述光致抗蚀剂图案用作蚀刻阻挡壁来对所述高折射层进行蚀刻，从而形成多个所述格子图案。
在本发明一实施例中，可以是，通过喷墨工序形成所述高折射层。
在本发明一实施例中，可以是，在形成多个所述格子图案的步骤中，在所述高折射层上按压具有与所述格子图案对应的图案的模具，将所述图案转印到所述高折射层的所述上表面，从而形成多个所述格子图案。
在本发明一实施例中，可以是，所述制造方法还包括：从所述高折射层的所述上表面物理分离所述模具的步骤。
在本发明一实施例中，可以是，所述制造方法还包括：利用化学方法去除所述模具的步骤。
(发明效果)
根据本发明的各实施例，显示装置包括触摸电极而可以实现触摸输入，且包括形成有格子图案的高折射层，因此可以具有提高正面光射出性能的同时改善WAD的偏差的效果。
但是，本发明的效果并不限于所述的效果，在不超出本发明的思想以及领域的范围内可以进行各种扩展。
附图说明
图1是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的框图。
图2是表示图1的显示装置的子像素的平面图。
图3是图1的显示装置的剖视图。
图4是表示图3的显示装置的高折射层的格子图案GR的平面图。
图5是本发明的一实施例涉及的显示装置的剖视图。
图6是本发明的一实施例涉及的显示装置的剖视图。
图7a至图7f是用于说明本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。
图8a至图8c是用于说明本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。
图9是表示根据是否适用本发明的一实施例涉及的显示装置的格子图案而不同的WAD散布变化的图表。
图10是表示本发明的各实施例涉及的电子设备的框图，图11a是表示由电视机实现图10的电子设备的一例的图，图11b是表示由智能手机实现图10的电子设备的一例的图。
(符号说明)
100：基底基板；110：缓冲层；120：第一绝缘层；130：第二绝缘层；TFT：薄膜晶体管；VIA：通孔绝缘层；PDL：像素定义膜；180：发光结构物；TFE：薄膜封装层；220：绝缘图案；230：高折射层；GR：格子图案。
具体实施方式
以下，参照附图，更详细说明本发明的各优选实施例。
图1是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的框图。图2是表示图1的显示装置的子像素的平面图。
参照图1和图2，所述显示装置包括显示面板10和显示面板驱动部。所述显示面板驱动部包括驱动控制部20、栅极驱动部30、伽马基准电压生成部40、数据驱动部50以及发光驱动部60。
所述显示面板10包括显示图像的显示部以及与所述显示部相邻配置的周边部。
所述显示面板10包括多个栅极线GWPL、GWNL、GIL、GBL、多个数据线DL、多个发光线EL以及分别电连接至所述栅极线GWPL、GWNL、GIL、GBL、所述数据线DL及所述发光线EL的多个像素。所述栅极线GWPL、GWNL、GIL、GBL在第一方向D1上延伸，所述数据线DL在与所述第一方向D1交叉的第二方向D2上延伸，所述发光线EL在所述第一方向D1上延伸。
所述驱动控制部20从外部的装置(未图示)接收输入图像数据IMG和输入控制信号CONT。例如，所述输入图像数据IMG可以包括红色图像数据、绿色图像数据以及蓝色图像数据。所述输入控制信号CONT可以包括主时钟信号和数据选通信号。所述输入控制信号CONT还可以包括垂直同步信号和水平同步信号。
所述驱动控制部20基于所述输入图像数据IMG和所述输入控制信号CONT，生成第一控制信号CONT1、第二控制信号CONT2、第三控制信号CONT3、第四控制信号CONT4以及数据信号DATA。
所述驱动控制部20基于所述输入控制信号CONT，生成用于控制所述栅极驱动部30的操作的所述第一控制信号CONT1，从而输出到所述栅极驱动部30。所述第一控制信号CONT1可以包括垂直开始信号和栅极时钟信号。
所述驱动控制部20基于所述输入控制信号CONT生成用于控制所述数据驱动部50的操作的所述第二控制信号CONT2，从而输出到所述数据驱动部50。所述第二控制信号CONT2可以包括水平开始信号和负载信号。
所述驱动控制部20基于所述输入图像数据IMG生成数据信号DATA。所述驱动控制部20向所述数据驱动部50输出所述数据信号DATA。
所述驱动控制部20基于所述输入控制信号CONT生成用于控制所述伽马基准电压生成部40的操作的所述第三控制信号CONT3，从而输出到所述伽马基准电压生成部40。
所述驱动控制部20基于所述输入控制信号CONT生成用于控制所述发光驱动部60的操作的所述第四控制信号CONT4，从而输出到所述发光驱动部60。
所述栅极驱动部30响应于从所述驱动控制部20输入的所述第一控制信号CONT1，生成用于驱动所述栅极线GWPL、GWNL、GIL、GBL的栅极信号。所述栅极驱动部30可以向所述栅极线GWPL、GWNL、GIL、GBL输出所述栅极信号。
所述伽马基准电压生成部40响应于从所述驱动控制部20输入的所述第三控制信号CONT3，生成伽马基准电压VGREF。所述伽马基准电压生成部40向所述数据驱动部50提供所述伽马基准电压VGREF。所述伽马基准电压VGREF具有与各个数据信号DATA对应的值。
例如，所述伽马基准电压生成部40可以配置在所述驱动控制部20内或可以配置在所述数据驱动部50内。
所述数据驱动部50接收从所述驱动控制部20输入的所述第二控制信号CONT2和所述数据信号DATA，并接收从所述伽马基准电压生成部40输入的所述伽马基准电压VGREF。所述数据驱动部50利用所述伽马基准电压VGREF来将所述数据信号DATA变换成模拟形态的数据电压。所述数据驱动部50向所述数据线DL输出所述数据电压。
所述发光驱动部60响应于从所述驱动控制部20输入的所述第四控制信号CONT4，生成用于驱动所述发光线EL的发光信号。所述发光驱动部60可以向所述发光线EL输出所述发光信号。
所述显示面板10的各个所述像素可以包括第一子像素R、第二子像素G以及第三子像素B。所述第一子像素R可以是红色子像素，所述第二子像素G可以是绿色子像素，所述第三子像素B可以是蓝色子像素。各个所述子像素可以包括薄膜晶体管(参照图3的TFT)以及发光结构物(参照图3的180)。
再次参照图2，在所述第一子像素R中，可以通过像素定义膜(参照图3的PDL)来定义与发光区域对应的第一开口OA1。可以通过绝缘图案(参照图3的220)定义控制射出光的方向的第二开口OA2。所述第二开口OA2可以与所述第一开口OA1重叠，并且所述第二开口OA2大于所述第一开口OA1，由此所述第二开口OA2可以完全与所述第一开口OA1重叠。
所述第二子像素G和所述第三子像素B也可以具有与所述第一子像素R类似的结构，但是如图所示，所述第一子像素R、所述第二子像素G和所述第三子像素B的形状和大小可以彼此不同。
另一方面，所述第一子像素R中的所述第一开口OA1与所述第二开口OA2之间的第一间隔W1、所述第二子像素G中的所述第一开口OA1与所述第二开口OA2之间的第二间隔W2以及所述第三子像素B中的所述第一开口OA1与所述第二开口OA2之间的第三间隔W3可以彼此相同，或者也可以设计成彼此不同。
图3是图1的显示装置的剖视图。图4是表示图3的显示装置的高折射层的格子图案GR的平面图。
参照图3和图4，所述显示装置可以包括基底基板100、缓冲层110、薄膜晶体管TFT的有源图案ACT、第一绝缘层120、栅极导电层、第二绝缘层130、源-漏极导电层、通孔绝缘层VIA、像素定义膜PDL、发光结构物180、薄膜封装层TFE、第一触摸绝缘层200、第一触摸电极层、第二触摸绝缘层210、第二触摸电极层、绝缘图案220、高折射层230、粘接层PSA以及光学层OPT。
所述基底基板100可以由透明或不透明的材料构成。例如，所述基底基板100可以包括石英基板、合成石英(synthetic quartz)基板、氟化钙基板、掺杂有氟的石英(F-dopedquartz)基板、钠钙(sodalime)玻璃基板、无碱(non-alkali)玻璃基板等。选择性地，所述基底基板100也可以由具有柔性的透明树脂基板形成。作为可以用作所述基底基板100的透明树脂基板的例，可列举聚酰亚胺基板。在该情况下，所述聚酰亚胺基板可以由第一聚酰亚胺层、隔膜层、第二聚酰亚胺层等构成。
所述缓冲层110可以整体配置在所述基底基板100上。所述缓冲层110可以防止金属原子或杂质从所述基底基板100扩散至所述有源图案ACT的现象，可以在用于形成所述有源图案ACT的结晶化工序期间，调节热的传递速度来获取实质上均匀的所述有源图案ACT。此外，所述缓冲层110可以在所述基底基板100的表面不均匀的情况下执行提高所述基底基板100的表面的平坦度的作用。
薄膜晶体管TFT的所述有源图案ACT可以配置在所述缓冲层110上。所述有源图案ACT可以包括多晶硅(Poly Crystal Silicon)或非晶硅(Amorphous silicon)。所述有源图案ACT可以包括掺杂(doping)有杂质的漏极区域及源极区域以及所述漏极区域与所述源极区域之间的沟道区域。在其他实施例中，所述有源图案ACT可以包括氧化物半导体。
所述第一绝缘层120可以在所述缓冲层110上覆盖所述有源图案ACT，并沿着所述有源图案ACT的轮廓以实质上相同的厚度配置所述第一绝缘层120。不同于此，所述第一绝缘层120也可以在所述缓冲层110上充分覆盖所述有源图案ACT，并在所述有源图案ACT的周围不会生成高低差，且具有实质上平坦的上表面。所述第一绝缘层120可以包括硅化合物、金属氧化物等无机绝缘物质。
所述栅极导电层可以配置在所述第一绝缘层120上。所述栅极导电层可以包括所述薄膜晶体管TFT的栅电极GE。所述栅极导电层可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等来形成。
所述第二绝缘层130可以在所述第一绝缘层120上充分覆盖所述栅极导电层，并在所述栅极导电层的周围不会生成高低差，且具有实质上平坦的上表面。不同于此，所述第二绝缘层130也可以在所述第一绝缘层120上覆盖所述栅极导电层，并沿着所述栅极导电层的轮廓以实质上相同的厚度配置所述第二绝缘层130。所述第二绝缘层130可以包括硅化合物、金属氧化物等无机绝缘物质。
所述源-漏极导电层可以配置在所述第二绝缘层130上。所述源-漏极导电层可以包括所述薄膜晶体管TFT的源电极SE及漏电极DE。所述源-漏极导电层可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等来形成。
所述通孔绝缘层VIA可以配置在配置有所述源-漏极导电层的所述第二绝缘层130上。所述通孔绝缘层VIA可以由单层结构形成，但是也可以由包括至少两个以上的绝缘膜的多层结构形成。所述通孔绝缘层VIA可以使用光致抗蚀剂、丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、硅氧烷系(siloxane-based)树脂等有机物质来形成。
所述发光结构物180可以包括第一电极181、发光层182以及第二电极183。
所述第一电极181可以配置在所述通孔绝缘层VIA上。所述第一电极181可以通过经由所述通孔绝缘层VIA形成的接触孔而与所述薄膜晶体管TFT电连接。根据所述显示装置的发光方式，所述第一电极181可以使用具有反射性的物质或具有透光性的物质来形成。在各示例性实施例中，所述第一电极181可以由包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电性金属氧化物膜和/或透明导电性物质膜的单层结构或多层结构形成。
所述像素定义膜PDL可以配置在配置有所述第一电极181的所述通孔绝缘层VIA上。所述像素定义膜PDL可以使用有机物质、无机物质等来形成。例如，所述像素定义膜PDL可以使用光致抗蚀剂、聚丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、丙烯酸系树脂、硅化合物等来形成。根据各示例性实施例，可以对所述像素定义膜PDL进行蚀刻，从而形成使所述第一电极181部分露出的第一开口(参照图2及图7a的OA1)。可以通过这种所述像素定义膜PDL的所述第一开口，定义所述显示装置的发光区域EA和不发光区域NEA。例如，所述像素定义膜PDL的所述第一开口所处的部分可以相当于所述发光区域EA，所述不发光区域NEA可以相当于与所述像素定义膜PDL的所述第一开口相邻的部分。
所述发光层182可以配置在通过所述像素定义膜PDL的所述第一开口露出的所述第一电极181上。此外，所述发光层182可以在所述像素定义膜PDL的所述第一开口的侧壁上延伸。在各示例性实施例中，所述发光层182可以具有包括有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等的多层结构。在其他实施例中，除了所述有机发光层外，所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子传输层以及所述电子注入层等可以共同形成为与多个像素对应。所述发光层182的有机发光层可以使用根据所述显示装置的各像素可产生如红色光、绿色光、蓝色光等彼此不同颜色的光的发光物质来形成。根据其他各示例性实施例，所述发光层182的有机发光层也可以具有将能够实现红色光、绿色光、蓝色光等不同颜色的光的多个发光物质层叠而发出白色光的结构。此时，与多个像素对应地共同形成多个所述发光结构物，可以通过滤色层来划分各个像素。
所述第二电极183可以配置在所述像素定义膜PDL和所述发光层182上。根据所述显示装置的发光方式，所述第二电极183可以包括具有透光性的物质或具有反射性的物质。在各示例性实施例中，所述第二电极183也可以由包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电性金属氧化物膜和/或透明导电性物质膜的单层结构或多层结构形成。
所述薄膜封装层TFE可以配置在所述第二电极183上。所述薄膜封装层TFE可以防止外部的湿气以及氧的渗透。所述薄膜封装层TFE可以具有至少一个有机层和至少一个无机层。至少一个有机层和至少一个无机层可以彼此交替地被层叠。例如，所述薄膜封装层TFE可以包括第一无机层、配置在所述第一无机层上的有机层以及配置在所述有机层上的第二无机层，但是并不限于此。
所述第一触摸绝缘层200可以配置在所述薄膜封装层TFE上。所述第一触摸绝缘层200可以使用无机绝缘物质来形成。例如，所述第一触摸绝缘层200可以使用硅氮化物(SiNx)来形成。
所述第一触摸电极层TE1可以配置在所述第一触摸绝缘层200上。所述第一触摸电极层TE1可以配置于所述不发光区域NEA。所述第一触摸电极层TE1可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等来形成。例如，所述第一触摸电极层TE1可以包括铟锡氧化物(ITO)。
所述第二触摸绝缘层210可以配置在配置有所述第一触摸电极层TE1的所述第一触摸绝缘层200上。所述第二触摸绝缘层210可以使用无机绝缘物质来形成。例如，所述第二触摸绝缘层210可以使用硅氮化物(SiNx)来形成。
所述第二触摸电极层TE2可以配置在所述第二触摸绝缘层210上。所述第二触摸电极层TE2可以通过经由所述第二触摸绝缘层210形成的接触孔而与所述第一触摸电极层TE1电连接。所述第二触摸电极层TE2可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等来形成。例如，所述第二触摸电极层TE2可以包括铟锡氧化物(ITO)。
所述第一触摸电极层TE1和所述第二触摸电极层TE2可以构成触摸电极。所述触摸电极可以在平面上具有网格(mesh)结构。但是，本发明的一实施例并不限于此，所述触摸电极可以形成各种形态。
所述绝缘图案220可以配置在配置有所述第二触摸电极层TE2的所述第二触摸绝缘层210上。所述绝缘图案220可以定义与所述第一开口重叠的第二开口(参照图2及图7c的OA2)。所述绝缘图案220可以具有比后述的高折射层230小的折射率。例如，所述绝缘图案220可以具有小于1.6的折射率。所述绝缘图案220可以由聚合物(polymer)系的材料形成。所述聚合物系的材料可以包括从丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺树脂和聚乙烯树脂形成的组中选择的一种。
所述高折射层230可以配置在配置有所述绝缘图案220的所述第二触摸绝缘层210上。所述高折射层230可以具有比所述绝缘图案220的折射率高的折射率。例如，所述高折射层230可以具有约1.6的折射率，所述绝缘图案220可以具有约1.5的折射率。
在所述高折射层230的上表面可以形成多个格子图案GR。可以在所述高折射层230的上表面上，在第一方向D1和垂直于所述第一方向D1的第二方向D2上以一定的周期排列多个所述格子图案GR。在本实施例中，所述格子图案GR可以是圆形的凹陷部，排列所述格子图案GR的周期可以是2μm至5μm(微米)，所述格子图案GR的深度可以是
Figure BDA0002760125240000111
至
Figure BDA0002760125240000112
(埃)。例如，所述格子图案GR可以是圆柱形态的凹陷部，可以具有约3.8μm的周期和约
Figure BDA0002760125240000113
的深度。
所述粘接层PSA可以配置在所述高折射层230上。所述粘接层PSA可以包括压敏粘接剂(pressure sensitive adhesive)。
所述光学层OPT可以配置在所述粘接层PSA上。所述光学层OPT可以通过所述粘接层PSA附着于所述显示装置。例如，所述光学层OPT可以是偏振板、盖窗等。
根据本实施例，所述显示装置可以通过所述绝缘图案220的所述第二开口OA2和所述高折射层230，提高光的效率。具体而言，从所述发光结构物180发出的光可以在所述绝缘图案220与所述高折射层230的界面被折射，从而提高前表面光射出性能。
此时，根据分别在第一子像素(参照图2的R)、第二子像素(参照图2的G)以及第三子像素(参照图2的B)中的折射，WAD(White angular difference，白角差)可以随着方位角的不同而不同。例如，在所述显示装置的左侧或右侧倾斜观察的情况和在上侧或下侧倾斜观察的情况下，可能会产生WAD的偏差。在此，WAD是根据相对于所述显示装置的观察角度评价白色光的特性变化的项，是可以确认光视角的改善程度的指标。
根据本实施例，通过所述高折射层230的多个所述格子图案GR，从所述发光结构物180发出的光会被散射，因此可以减少在所述绝缘图案220与所述高折射层230的界面中的折射引起的WAD的偏差。此时，可以根据多个所述格子图案GR的周期及形状来调节散射的程度，能够适当设计可提高正面光射出性能的同时改善WAD的偏差的多个所述格子图案GR的周期及形状。
图5是本发明的一实施例涉及的显示装置的剖视图。
参照图5，所述显示装置除了格子图案GR仅形成在不与第二开口重叠的部分以外，实质上与图1至图4的显示装置相同。因此，省略重复的说明。
所述显示装置可以包括基底基板100、缓冲层110、薄膜晶体管TFT的有源图案ACT、第一绝缘层120、栅极导电层、第二绝缘层130、源-漏极导电层、通孔绝缘层VIA、像素定义膜PDL、发光结构物180、薄膜封装层TFE、第一触摸绝缘层200、第一触摸电极层、第二触摸绝缘层210、第二触摸电极层、绝缘图案220、高折射层230、粘接层PSA和光学层OPT。
所述高折射层230的所述格子图案GR可以仅形成在不与所述绝缘图案220的第二开口重叠的部分，即，仅形成在不发光区域NEA。由此，从所述发光结构物180发出的光在所述绝缘图案220与所述高折射层230的界面被折射，从而可以提高正面光射出性能，同时朝向发光区域EA的边缘位置部分倾斜射出的光因所述格子图案GR而被散射，从而可以减少因所述绝缘图案220与所述高折射层230的界面中的折射引起的WAD的偏差。
图6是本发明的一实施例涉及的显示装置的剖视图。
参照图6，所述显示装置除了还包括低折射层240以外，实质上与图1至图4的显示装置相同。因此，省略重复的说明。
所述显示装置可以包括基底基板100、缓冲层110、薄膜晶体管TFT的有源图案ACT、第一绝缘层120、栅极导电层、第二绝缘层130、源-漏极导电层、通孔绝缘层VIA、像素定义膜PDL、发光结构物180、薄膜封装层TFE、第一触摸绝缘层200、第一触摸电极层、第二触摸绝缘层210、第二触摸电极层、绝缘图案220、高折射层230、低折射层240、粘接层PSA以及光学层OPT。
所述低折射层240可以配置在所述高折射层230与所述粘接层PSA之间。所述低折射层240可以具有比所述高折射层230的折射率低的折射率。经过所述高折射层230的格子图案GR的光的折射会受到所述高折射层230的折射率和所述低折射层240的折射率的影响，但是通过适用所述低折射层240，可以容易设计成所需的折射率差异。即，通过追加所述低折射层240，可以确保所述高折射层230的所述格子图案GR的设计自由度。
图7a至图7f是用于说明本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。
参照图7a，可以在基底基板100上形成缓冲层110。在所述缓冲层110上可以形成薄膜晶体管TFT的有源图案ACT。在形成有所述有源图案ACT的所述缓冲层110上可以形成第一绝缘层120。在所述第一绝缘层120上可以形成包括所述薄膜晶体管TFT的栅电极GE的栅极导电层。在形成有所述栅电极GE的所述第一绝缘层120上可以形成第二绝缘层130。在所述第二绝缘层130上可以形成包括所述薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE的源-漏极导电层。在形成有所述源-漏极导电层的所述第二绝缘层130上可以形成通孔绝缘层VIA。在所述通孔绝缘层VIA上可以形成第一电极181。在形成有所述第一电极181的所述通孔绝缘层VIA上可以形成定义使所述第一电极181露出的第一开口OA1的像素定义膜PDL。
参照图7b，在所述第一电极181上可以依次形成发光层182和第二电极183。在所述第二电极183上可以形成薄膜封装层TFE。
参照图7c，可以在所述薄膜封装层TFE上形成第一触摸绝缘层200。在所述第一触摸绝缘层200上可以形成第一触摸电极层TE1。在形成有所述第一触摸电极层TE1的所述第一触摸绝缘层200上可以形成第二触摸绝缘层210。在所述第二触摸绝缘层210上可以形成第二触摸电极层TE2。
在形成有所述第二触摸电极层TE2的所述第二触摸绝缘层210上可以形成定义第二开口OA2的绝缘图案220。
参照图7d，在形成有所述绝缘图案220的所述第二触摸绝缘层210上可以形成高折射层230a。在所述高折射层230a上可以形成光致抗蚀剂图案PRP。
参照图7e，可以将所述光致抗蚀剂图案PRP用作蚀刻阻挡壁，对所述高折射层230a进行蚀刻来形成多个所述格子图案GR。
参照图7f，去除残留的所述光致抗蚀剂图案PRP之后，可以在所述高折射层230上形成粘接层PSA和光学层OPT。例如，所述光学层OPT可以是偏振板或盖窗等，可以利用所述粘接层PSA来将所述光学层OPT附着于所述高折射层230上。由此，可以制造所述显示装置。
图8a至图8c是用于说明本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。
参照图8a，在基底基板100上可以形成缓冲层110。在所述缓冲层110上可以形成薄膜晶体管TFT的有源图案ACT。在形成有所述有源图案ACT的所述缓冲层110上可以形成第一绝缘层120。在所述第一绝缘层120上可以形成包括所述薄膜晶体管TFT的栅电极GE的栅极导电层。在形成有所述栅电极GE的所述第一绝缘层120上可以形成第二绝缘层130。在所述第二绝缘层130上可以形成包括所述薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE的源-漏极导电层。在形成有所述源-漏极导电层的所述第二绝缘层130上可以形成通孔绝缘层VIA。在所述通孔绝缘层VIA上可以形成第一电极181。在形成有所述第一电极181的所述通孔绝缘层VIA上可以形成定义使所述第一电极181露出的第一开口OA1的像素定义膜PDL。在所述第一电极181上可以依次形成发光层182和第二电极183。在所述第二电极183上可以形成薄膜封装层TFE。在所述薄膜封装层TFE上可以形成第一触摸绝缘层200。在所述第一触摸绝缘层200上可以形成第一触摸电极层TE1。在形成有所述第一触摸电极层TE1的所述第一触摸绝缘层200上可以形成第二触摸绝缘层210。在所述第二触摸绝缘层210上可以形成第二触摸电极层TE2。
在形成有所述第二触摸电极层TE2的所述第二触摸绝缘层210上可以形成定义第二开口OA2的绝缘图案220。
在形成有所述绝缘图案220的所述第二触摸绝缘层210上可以形成高折射层230a。所述高折射层230a可以通过喷墨工序来形成。所述高折射层230a可以包括光固化物质。
参照图8b，可以在所述高折射层230a上按压具有与格子图案对应的图案的模具MD，将所述图案转印到所述高折射层230a的上表面，从而形成多个格子图案。此时，所述高折射层230a处于固化前的状态，因此具有流动性，通过所述模具MD的按压，可以形成多个所述格子图案。然后，可以通过光固化等固化工序使所述高折射层230a固化之后，去除所述模具MD。
此时，可以从所述高折射层230的上表面物理分离所述模具MD来将其去除。根据其他实施例，所述模具MD可以由正性光致抗蚀剂形成，在该情况下，所述模具MD与所述高折射层230的光固化一同被熔化，可以利用显影液以化学方法去除所述模具MD。
参照图8c，在形成有所述格子图案GR的所述高折射层230上可以形成粘接层PSA和光学层OPT。由此，可以制造所述显示装置。
图9是表示根据是否适用本发明的一实施例涉及的显示装置的格子图案而不同的WAD散布变化的图表。
参照图9，所述图表的x轴表示发光物质，y轴表示计算出的WAD散布。按各发光物质示出了本发明的实施例涉及的格子图案的适用前Ref和适用后OCG的WAD散布，在所有情况下确认出：随着适用所述格子图案，WAD散布有减少。此时，所述格子图案的周期是3.8μm(微米)，深度是
Figure BDA0002760125240000151
(埃)。
图10是表示本发明的各实施例涉及的电子设备的框图，图11a是表示由电视机实现图10的电子设备的一例的图，图11b是表示由智能手机实现图10的电子设备的一例的图。
参照图10至图11b，电子设备500可以包括处理器510、存储装置520、保存装置530、输入输出装置540、电力供给器550以及显示装置560。此时，所述显示装置560可以相应于图1的显示装置。所述电子设备500还可以包括能够与显卡、声卡、存储卡、USB装置等进行通信或能够与其他系统进行通信的各种端口(port)。在一实施例中，如图11a所示，可以由电视机实现所述电子设备500。在其他实施例中，如图11b所示，可以由智能手机实现所述电子设备500。但是，这是例示，所述电子设备500并不限于此。例如，也可以由便携式电话、可视电话、智能平板(smart pad)、智能手表(smart watch)、台式(tablet)PC、车辆用导航仪、计算机监控器、笔记本电脑、头戴式显示器(head mounted display，HMD)等实现所述电子设备500。
所述处理器510可以执行特定计算或任务(task)。根据实施例，所述处理器510可以是微处理器(micro processor)、中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)、应用处理器(Application Processor，AP)等。所述处理器510可以通过地址总线(addressbus)、控制总线(control bus)以及数据总线(data bus)等而与其他构成要素连接。根据实施例，所述处理器510还可以与如外围组件互连(Peripheral Component Interconnect，PCI)总线这样的扩展总线连接。所述存储装置520可以存储所述电子设备500的操作所需的数据。例如，所述存储装置520可以包括如EPROM(Erasable Programmable Read-OnlyMemory)装置、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)装置、闪存装置(flash memory device)、PRAM(Phase Change Random Access Memory)装置、RRAM(Resistance Random Access Memory)装置、NFGM(Nano Floating Gate Memory)装置、PoRAM(Polymer Random Access Memory)装置、MRAM(Magnetic Random AccessMemory)装置、FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)装置等非易失性存储装置和/或如DRAM(Dynamic Random Access Memory)装置、SRAM(Static Random Access Memory)装置、移动DRAM装置等易失性存储装置。所述保存装置530可以包括固态硬盘(Solid StateDrive，SSD)、硬盘驱动器(Hard Disk Drive，HDD)、CD-ROM等。所述输入输出装置540可以包括如键盘、小键盘、触摸键盘、触摸屏、鼠标等输入手段以及如扬声器、打印机等输出手段。所述电力供给器550可以供给所述电子设备500的操作所需的电力。
所述显示装置560可以通过所述的总线或其他通信链接而与其他构成要素连接。根据实施例，所述显示装置560还可以包括于所述输入输出装置540。如上所述，所述显示装置560包括触摸电极而能够实现触摸输入，并且包括形成有格子图案的高折射层，从而可以具有提高正面光射出性能的同时改善WAD的偏差的效果。但是，对此已进行了记载，因此省略重复的说明。
(产业上的可利用性)
本发明可以适用于有机发光显示装置以及包括该有机发光显示装置的各种电子设备。例如，本发明可以适用于便携式电话、智能手机、可视电话、智能平板、智能手表、台式PC、车辆用导航仪、电视机、计算机监控器、笔记本电脑、头戴式显示器等。
以上，参照本发明的各示例性实施例进行了说明，但是本领域技术人员应当能够理解在不超出权利要求书记载的本发明的思想以及领域的范围内可以对本发明进行各种修正以及变更。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括:
基底基板；
像素定义膜，配置在所述基底基板上且定义第一开口；
发光结构物，配置在所述像素定义膜的所述第一开口内；
薄膜封装层，配置在所述发光结构物上；
触摸电极，配置在所述薄膜封装层上；
绝缘图案，配置在所述触摸电极上，且定义与所述第一开口重叠的第二开口；以及
高折射层，配置在配置有所述绝缘图案的所述薄膜封装层上，且在上表面形成有多个格子图案，并具有比所述绝缘图案的折射率高的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第二开口大于所述第一开口。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
在所述上表面上，在第一方向以及垂直于所述第一方向的第二方向上以预定的周期排列多个所述格子图案。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述格子图案是圆形凹陷部或圆形突出部。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述第一开口包括具有彼此不同的大小和形状的第一子像素的第一开口、第二子像素的第一开口以及第三子像素的第一开口，
多个所述格子图案被配置成与所述第一子像素的第一开口、所述第二子像素的第一开口以及所述第三子像素的第一开口重叠。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述格子图案仅形成在不与所述第二开口重叠的部分。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述格子图案具有相对于所述上表面凹陷或突出的形态，
所述格子图案的周期是2μm至5μm，
所述格子图案的高度或深度是
Figure FDA0002760125230000011
至
Figure FDA0002760125230000012
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
低折射层，配置在所述高折射层上，且具有比所述高折射层的折射率低的折射率。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
粘接层，配置在所述高折射层上；以及
光学层，配置在所述粘接层上。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜封装层包括：第一无机层；有机层，配置在所述第一无机层上；以及第二无机层，配置在所述有机层上。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，还包括：
第一触摸绝缘层，配置在所述薄膜封装层上，
所述触摸电极位于所述第一触摸绝缘层与所述绝缘图案之间。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述触摸电极包括：第一触摸电极层；以及第二触摸电极层，配置在所述第一触摸电极层上，
所述显示装置还包括：第二触摸绝缘层，配置在所述第一触摸电极层与所述第二触摸电极层之间。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述绝缘图案包括有机绝缘物质。
14.一种显示装置的制造方法，包括：
在基底基板上形成定义第一开口的像素定义膜的步骤；
在所述像素定义膜的所述第一开口内形成发光结构物的步骤；
在所述发光结构物上形成薄膜封装层的步骤；
在所述薄膜封装层上形成触摸电极的步骤；
在形成有所述触摸电极的所述薄膜封装层上形成具有与所述第一开口重叠的第二开口的绝缘图案的步骤；
在所述绝缘图案和所述薄膜封装层上形成具有比所述绝缘图案的折射率高的折射率的高折射层的步骤；以及
在所述高折射层的上表面形成多个格子图案的步骤。
15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在所述上表面上，在第一方向以及垂直于所述第一方向的第二方向上以预定的周期排列多个所述格子图案。
16.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在形成多个所述格子图案的步骤中，在所述高折射层上形成光致抗蚀剂图案之后，将所述光致抗蚀剂图案用作蚀刻阻挡壁来对所述高折射层进行蚀刻，从而形成多个所述格子图案。
17.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
通过喷墨工序形成所述高折射层。
18.根据权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在形成多个所述格子图案的步骤中，在所述高折射层上按压具有与所述格子图案对应的图案的模具，将所述图案转印到所述高折射层的所述上表面，从而形成多个所述格子图案。
19.根据权利要求18所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：
从所述高折射层的所述上表面物理分离所述模具的步骤。
20.根据权利要求18所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：
利用化学方法去除所述模具的步骤。
CN202011215171.8A 2019-11-12 2020-11-04 显示装置及其制造方法 Pending CN112864193A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190144264A KR20210057877A (ko) 2019-11-12 2019-11-12 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR10-2019-0144264 2019-11-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112864193A true CN112864193A (zh) 2021-05-28

Family

ID=75846893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011215171.8A Pending CN112864193A (zh) 2019-11-12 2020-11-04 显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11844240B2 (zh)
KR (1) KR20210057877A (zh)
CN (1) CN112864193A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113328055A (zh) * 2021-05-31 2021-08-31 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN114335388A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230063963A (ko) 2021-11-01 2023-05-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102298757B1 (ko) * 2014-10-24 2021-09-07 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102374644B1 (ko) * 2015-03-24 2022-03-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108139589B (zh) * 2015-09-05 2021-01-26 镭亚股份有限公司 聚光背光体及使用聚光背光体的近眼显示系统
KR102201296B1 (ko) 2015-10-29 2021-01-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR102516054B1 (ko) * 2015-11-13 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법
KR102491876B1 (ko) * 2015-11-16 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102659854B1 (ko) * 2016-10-31 2024-04-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102375975B1 (ko) * 2017-04-28 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 헤드 마운트 표시 장치
KR102367247B1 (ko) 2017-07-04 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10527878B2 (en) * 2017-09-13 2020-01-07 Int Tech Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same
KR102480896B1 (ko) * 2018-01-12 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102521879B1 (ko) * 2018-04-12 2023-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102375853B1 (ko) * 2019-04-25 2022-03-17 주식회사 엘지화학 회절 도광판 및 회절 도광판의 제조 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113328055A (zh) * 2021-05-31 2021-08-31 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN114335388A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114335388B (zh) * 2021-12-30 2024-04-05 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210143235A1 (en) 2021-05-13
KR20210057877A (ko) 2021-05-24
US20240081104A1 (en) 2024-03-07
US11844240B2 (en) 2023-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112864193A (zh) 显示装置及其制造方法
US9337449B2 (en) Organic light-emitting device and image display system employing the same
US11957034B2 (en) Display apparatus having an improved display quality and a reduced peripheral (non-display) region for use in electronic device having a bypass data line arranged in the display and peripheral regions
CN113130593A (zh) 显示装置及制造显示装置的方法
KR20200115925A (ko) 표시 장치
CN112530995A (zh) 显示装置
KR20210060715A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102624491B1 (ko) 표시 장치
US11594702B2 (en) Window glass, display device including the same, and method of manufacturing a display device
US11526043B2 (en) Display device having DAM pattern with trench
CN112838107A (zh) 显示装置
CN114008790A (zh) 显示设备
KR20200047832A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN112285970A (zh) 滤色器面板和显示设备
KR20200084964A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11181786B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
CN218831219U (zh) 显示装置
CN220290833U (zh) 显示装置
US20230135679A1 (en) Display device and method of providing display device
US20230132797A1 (en) Display device
KR20230037733A (ko) 표시 장치
KR20240024408A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN115707290A (zh) 显示装置
KR20240043168A (ko) 표시 장치
CN112420775A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination