CN218831219U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括基体部分和从基体部分突出的突出图案；发光元件层，包括像素限定层和由像素限定层限定的发光区域；第一无机封装层，在发光元件层上；第二无机封装层，在第一无机封装层上；以及有机层，在第二无机封装层上，其中，第一无机封装层和第二无机封装层在发光区域处彼此直接接触。显示装置可以通过有机层来确保柔性并实现平坦化。

Description

显示装置

技术领域

实用新型的实施例涉及一种显示装置和设置(或制造)该显示装置的方法。

背景技术

随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。例如，显示装置应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置。

作为显示装置，使用诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的各种类型的显示装置。在它们之中，OLED使用通过电子和空穴的复合而产生光的有机发光元件来显示图像。OLED包括向有机发光元件提供驱动电流的多个晶体管。

随着显示装置应用于各种电子装置，开发了具有各种设计的显示装置。例如，显示装置不仅可以在显示装置的前部上显示图像，而且可以在分别从前部的一个或更多个边缘弯曲的部分和/或弯曲部分之间的角部上显示图像。

实用新型内容

实用新型的目的是提供一种具有改善的可靠性的显示装置。

然而，本公开的方面不限于这里阐述的方面。通过参照下面给出的本公开的具体实施方式，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

实用新型的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括基体部分和从基体部分突出的突出部分；以及在基底的突出部分上的：发光元件层，包括像素限定层和由像素限定层限定的发光区域；第一无机封装层，在发光元件层上；第二无机封装层，在第一无机封装层上；以及有机层，在第二无机封装层上，其中，第一无机封装层和第二无机封装层在发光区域处彼此直接接触。

有机层可以包括负型光敏材料或正型光敏材料。

显示装置还可以包括无机层，无机层面对第二无机封装层，有机层位于无机层与第二无机封装层之间。

显示装置还可以包括在基底的突出部分上的：平坦化层，在基底的突出部分与发光元件层之间；以及凹槽，由像素限定层与平坦化层一起限定，其中，第一无机封装层和第二无机封装层延伸到凹槽中并且在凹槽内彼此直接接触。

显示装置还可以包括在基底的突出部分上的：蚀刻停止图案，在基底的突出部分与平坦化层之间，其中，凹槽将蚀刻停止图案暴露于像素限定层和平坦化层的外部。

显示装置还可以包括在蚀刻停止图案与第一无机封装层之间在基底的突出部分上的：虚设发光层，包括与发光元件层的发光层相同的材料；以及虚设共电极，包括与发光元件层的共电极相同的材料。

在沿着基底的突出部分的方向上，凹槽可以围绕发光区域。

基底还可以包括限定在基体部分与突出部分之间的边界，并且基底的突出部分可以在沿着限定在基体部分与突出部分之间的边界的方向上包括双曲率。

基底的突出部分可以以包括多个突出部分的复数形式设置，多个突出部分均从基体部分突出，并且多个突出部分可以沿着限定在基体部分和突出部分之间的边界彼此断开。

显示装置还可以包括显示区域和非显示区域，非显示区域与显示区域相邻并且与显示区域限定边界，其中，显示区域包括前部、第一侧部、第二侧部和角部，第一侧部从前部在第一方向上弯曲延伸，第二侧部从前部在与第一方向交叉的第二方向上弯曲延伸，角部在沿着边界的方向上在第一侧部与第二侧部之间，并且基底的突出部分与显示装置的角部对应。

实用新型的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括基体部分和从基体部分突出的突出图案；像素电极，在突出图案上；像素限定层，在像素电极上并且暴露像素电极；发光层，在由像素限定层暴露的像素电极上；共电极，在发光层上；第一无机封装层，在共电极上；第二无机封装层，在第一无机封装层上；以及外涂层，在第二无机封装层上。像素限定层限定发光区域，第一无机封装层和第二无机封装层在发光区域中彼此直接接触。

在实施例中，外涂层可以包括负型感光剂和正型感光剂中的至少任何一种。

在实施例中，显示装置还可以包括在外涂层上的无机层。

在实施例中，显示装置还可以包括：平坦化层，在突出图案与像素电极之间；以及凹陷图案，由像素限定层与平坦化层一起限定。第一无机封装层和第二无机封装层可以在凹陷图案中，并且可以在凹陷图案中彼此直接接触。

在实施例中，显示装置还可以包括在平坦化层与突出图案之间的蚀刻停止图案。凹陷图案可以暴露蚀刻停止图案。

在实施例中，显示装置还可以包括：虚设发光层，包括与发光层相同的材料；以及虚设共电极，包括与共电极相同的材料。虚设发光层和虚设共电极可以在蚀刻停止图案与第一无机封装层之间。

在实施例中，凹陷图案在平面图中可以围绕发光区域。

在实施例中，突出图案可以包括双曲率。

在实施例中，突出图案可以以复数形式设置，并且多个突出图案彼此面对。

在实施例中，显示装置还可以包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域。显示区域可以包括前部、第一侧部、第二侧部和角部，第一侧部从前部开始在第一方向上延伸并弯曲，第二侧部从前部开始在与第一方向交叉的第二方向上延伸并弯曲，角部在第一侧部与第二侧部之间。突出图案可以在角部中。

实用新型的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括基体部分和从基体部分突出的突出图案；多个第一像素，在基体部分上，多个第一像素中的每个包括发光层；多个第二像素，在突出图案上，多个第二像素中的每个包括发光层；第一无机封装层，在第二像素上；以及有机层，在第一无机封装层上并且包括负型感光剂和正型感光剂中的至少任何一种。

在实施例中，显示装置还可以包括在第一无机封装层上的第二无机封装层。第二无机封装层可以在第一无机封装层与有机层之间。

在实施例中，第一无机封装层和第二无机封装层可以在与第二像素中的每个的发光层叠置的区域中彼此直接接触。

在实施例中，显示装置还可以包括在第一无机封装层上的第二无机封装层。有机层可以在第一无机封装层与第二无机封装层之间。

在实施例中，突出图案可以包括双曲率。

在实施例中，突出图案可以以复数形式设置，并且多个突出图案彼此面对。

在实施例中，显示装置还可以包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域。显示区域可以包括前部、第一侧部、第二侧部和角部，第一侧部从前部开始在第一方向上延伸并且弯曲，第二侧部从前部开始在与第一方向交叉的第二方向上延伸并弯曲，角部在第一侧部与第二侧部之间。突出图案可以在角部中。

实用新型的实施例提供了一种制造(或设置)显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：形成(设置)在基底上的像素电极；形成在像素电极上并暴露像素电极的像素限定层；形成在由像素限定层暴露的像素电极上的共电极；形成在共电极上的第一无机封装层和在第一无机封装层上的有机光敏层；并且使有机光敏层曝光并显影。有机光敏层可以包括负型感光剂和正型感光剂中的至少任何一种。

在实施例中，形成第一无机封装层和有机光敏层的步骤可以包括形成第二无机封装层，第二无机封装层在第一无机封装层与有机光敏层之间并且在由像素限定层限定的发光区域中与第一无机封装层直接接触。

在实施例中，形成第一无机封装层和有机光敏层的步骤可以包括在从基底的基体部分突出的多个突出图案上形成有机光敏层。

根据本实用新型的显示装置，由于外涂层设置在第二无机封装层上，因此即使有机封装层在第二像素区域中未设置在第一无机封装层与第二无机封装层之间，也可以确保柔性并实现平坦化。另外，当通过包括曝光和显影的光致抗蚀剂工艺使外涂层图案化时，可以更精确地将外涂层放置在期望的位置处，并且可以抑制或防止设置在第二发光元件上的外涂层的工艺分散缺陷。

附图说明

通过结合附图的以下实施例的描述，实用新型的这些和/或其他特征将变得更明显并且更容易理解，在附图中：

图1是根据实施例的显示装置的透视图；

图2是图1的显示装置的平面图；

图3是根据实施例的显示装置的显示面板的平面图；

图4是图3的区域A的放大视图；

图5是根据实施例的显示装置的显示面板的局部透视图；

图6是根据实施例的第一像素区域的一部分的放大平面图；

图7是沿着图6的线VII-VII'截取的剖视图；

图8是图4的区域B的放大视图；

图9是沿着图8的线IX-IX'截取的剖视图；

图10至图13是用于解释制造(或设置)根据实施例的显示装置的方法的剖视图；以及

图14是根据实施例的显示装置的剖视图。

具体实施方式

现在将在下文中参照其中示出了实用新型的实施例的附图更充分地描述实用新型的实施例。然而，实用新型可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域的技术人员充分传达实用新型的范围。

在整个说明书中，相同的附图标号指示相同的组件。如在这里使用的，附图标号可以指示单个元件或多个元件。例如，绘制的图中标记单数形式的元件的附图标号可以用来引用说明书文本中的多个单数元件。在所附绘制的图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。

将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离在这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

还将理解的是，当层被称为与另一元件相关(诸如“在”另一层或基底“上”)时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。相反，当元件被称为与另一元件相关(诸如“直接在”另一元件“上”)时，不存在居间元件。

这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，而不是意图限制。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一个(种/者)”和“所述/该”也意图包括复数形式(包括“至少一个(种/者)”)。“或”意指“和/或”。“A和B中的至少一个(种/者)”意指“A和/或B”。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

此外，可以在这里使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语来描述如在图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意图包括除了图中描绘的方位之外的装置的不同方位。例如，如果图中的一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件随后将被定位为在所述其他元件的“上”侧。因此，根据图的具体方位，术语“下”可以包括“下”和“上”两种方位。类似地，如果图中的一幅图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件“上方”。因此，术语“在……下方”或“在……之下”可以包括上方和下方两种方位。

考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在这里使用的“约”或“近似”包括所陈述的值并且表示在如由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。

除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域和公开的上下文中的含义一致的含义，而将不以理想化或者过于形式化的意义来解释。

这里参照作为理想化实施例的示意性视图的剖视图来描述实施例。这样，将预期例如由制造技术和/或公差导致的视图的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应被解释为受限于如这里示出的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状的差异。例如，被示出或被描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以是圆形的(倒圆的)。因此，绘制的图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状，并且不意图限制权利要求的范围。

在下文中，将参照附图详细描述实用新型的实施例。

图1是根据实施例的显示装置10的透视图。图2是图1的显示装置10的平面图。

参照图1和图2，根据实施例的显示装置10通过稍后将描述的显示区域DA提供显示画面和/或显示图像，显示装置10的示例可以包括包含显示区域DA的各种装置。例如，根据本说明书的实施例的显示装置10可以应用于智能电话、移动电话、平板个人计算机(PC)、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、电视、游戏机、腕表型电子装置、头戴式显示器、PC的监视器、笔记本计算机、汽车导航系统、汽车仪表板、数码相机、摄像机、外部广告牌、电子板、医疗装置、检查装置、物联网(IoT)装置以及诸如冰箱和洗衣机的各种家用电器。

在本说明书中，显示装置10的短边可以在平面图中在与第一方向DR1平行的方向上延伸，显示装置10的长边可以在平面图中在与第二方向DR2平行的方向上延伸。在实施例中，例如，第一方向DR1和第二方向DR2可以彼此交叉(诸如彼此垂直地交叉)。第一方向DR1在平面图中可以是显示装置10的水平方向，第二方向DR2在平面图中可以是显示装置10的竖直方向。平面可以由彼此交叉的第一方向DR1和第二方向DR2限定。第三方向DR3可以是与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的方向。在实施例中，例如，第三方向DR3可以是显示装置10的厚度方向，并且可以与由彼此交叉的第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面垂直(例如，正交)。

显示装置10可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。

显示区域DA可以显示图像。显示区域DA可以包括像素和/或发光区域。显示区域DA可以包括前部FS、侧部SS(SS1至SS4)和角部CS(CS1至CS4)。

前部FS的整个区域可以是基本上平坦的。然而，本公开不限于此，前部FS的至少一部分也可以在厚度方向(第三方向DR3)上是凸形的或凹形的。前部FS可以包括四边形形状，四边形形状具有在第一方向DR1上的短边和在第二方向DR2上的长边。前部FS在平面图中可以具有圆形(倒圆)角。前部FS在平面图中可以具有带有圆形角的多边形形状。在实施例中，例如，如图1中所示，前部FS可以具有带有圆形角的四边形形状，但是本公开不限于此。

侧部SS(SS1至SS4)可以从前部FS的边缘向外延伸，并且可以相对于前部FS以一角度弯曲。在实施例中，例如，侧部SS可以相对于前部FS以约90度至小于约180度的角度弯曲。当前部FS在平面图中包括四边形形状时，侧部SS可以包括分别从前部FS延伸到在第一方向DR1上(或沿着第一方向DR1)彼此相对的第一侧和第三侧的第一侧部SS1和第三侧部SS3。侧部SS还可以包括分别从前部FS延伸到在第二方向DR2上彼此相对的第二侧和第四侧的第二侧部SS2和第四侧部SS4。除了相对于前部FS的边缘的位置之外，第一侧部SS1至第四侧部SS4在功能或构造上可以基本上相同。

侧部SS(SS1至SS4)中的每个的侧表面在平面图中可以包括圆形形状，但是本公开不限于此。在实施例中，例如，分别在第一方向DR1上在第一侧和第三侧的第一侧部SS1和第三侧部SS3的侧表面在平面图中可以包括圆形形状，但是本公开不限于此。

第一侧部SS1至第四侧部SS4中的每个可以从前部FS延伸以具有曲率，并且可以包括圆形形状。第一侧部SS1至第四侧部SS4可以包括从显示装置10的前部FS向外凸出的形状。在实施例中，例如，第一侧部SS1可以包括第一曲率，第二侧部SS2可以包括第二曲率。第三侧部SS3可以包括第三曲率，第四侧部SS4可以包括第四曲率。第一曲率至第四曲率可以相同。然而，本公开不限于此，第一曲率至第四曲率也可以彼此不同，或者第一曲率至第四曲率中的仅一些曲率可以相同。

角部CS中的每个可以设置在彼此相邻的侧部SS(SS1至SS4)之间。换言之，第一侧部SS1至第四侧部SS4可以在沿着前部FS的外边缘的方向上(在显示装置10的至少一些区域中)彼此间隔开一距离。角部CS(CS1至CS4)可以设置在其中第一侧部SS1至第四侧部SS4彼此间隔开(或彼此断开)的区域中(或处)。

例如，在沿着前部FS的外边缘的方向上，第一角部CS1可以设置在第一侧部SS1与第二侧部SS2之间，第二角部CS2可以设置在第二侧部SS2与第三侧部SS3之间，第三角部CS3可以设置在第三侧部SS3与第四侧部SS4之间，第四角部CS4可以设置在第四侧部SS4与第一侧部SS1之间。除了沿着前部FS的位置之外，第一角部CS1至第四角部CS4在功能或构造上可以基本上相同。

第一角部CS1至第四角部CS4中的每个可以包括双曲率并且包括圆形形状。例如，在实施例中，第一角部CS1可以设置在第一侧部SS1与第二侧部SS2之间。在这种情况下，第一角部CS1可以包括双曲率，所述双曲率包括第一侧部SS1的第一曲率和第二侧部SS2的第二曲率，其中两个曲率在沿着前部FS的外边缘的方向上相邻。第一角部CS1的以上描述也可以应用于第二角部CS2至第四角部CS4。

像素可以设置在角部CS以及显示装置10的前部FS和侧部SS上(或处)，因此可以在一个或更多个角部CS处提供显示画面。因此，当从前面观看显示装置10时，可以通过角部CS以及显示装置10的前部FS和侧部SS处的图像显示来在整个显示装置10上识别图像。换言之，图像可以被识别为好像基本上没有边框，并且显示装置10可以提供更沉浸式的显示画面。

非显示区域NDA可以不显示图像。非显示区域NDA可以不包括像素或发光区域。用于驱动像素或发光区域的信号线或扫描驱动器可以设置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以在平面图中与显示区域DA相邻(诸如，围绕显示区域DA)。非显示区域NDA可以设置在前部FS、侧部SS和角部CS的外部。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框区域。参照图1，非显示区域NDA可以是显示装置10的距前部FS最远的区域。

图3是根据实施例的显示装置10的显示面板100的平面图。图4是图3的区域A的放大视图。图5是根据实施例的显示装置10的显示面板100的局部透视图。图5示出了图3的区域A弯曲的情况。

根据实施例的显示装置10可以包括显示面板100。显示面板100可以是柔性显示面板。换言之，显示面板100可以是可以至少部分地弯曲、折叠和/或卷曲(例如，可弯曲、可折叠和/或可卷曲)的显示面板100。

显示面板100可以是包括发光元件的发光显示面板。在实施例中，例如，显示面板100可以是使用有机发光二极管作为发光元件的有机发光显示面板、使用微型发光二极管作为发光元件的微型发光二极管显示面板、使用量子点和有机发光二极管的量子点有机发光显示面板以及使用无机半导体作为发光元件的无机发光显示面板中的任何一种。显示面板100将在下文中被描述为有机发光显示面板。

显示面板100可以包括基底SUB。如稍后将描述的，基底SUB可以提供其中可以定位有设置在基底SUB上的其他元件的空间，并且可以支撑设置在基底SUB上的元件。

基底SUB可以包括第一像素区域PXA1、第二像素区域PXA2和非像素区域LA。第一像素区域PXA1和第二像素区域PXA2中的每个可以包括多个像素。在非像素区域LA中，可以不设置像素，可以设置用于驱动像素的布线。第一像素区域PXA1和第二像素区域PXA2可以与显示装置10(见图1)的显示区域DA(见图1)对应，非像素区域LA可以与显示装置10(见图1)的非显示区域NDA(见图1)对应。非像素区域LA可以设置在第一像素区域PXA1和第二像素区域PXA2的外部，并且可以在沿着显示区域DA的外边缘的方向上围绕第一像素区域PXA1和第二像素区域PXA2。可以在第一像素区域PXA1与第二像素区域PXA2之间和显示区域DA与非像素区域LA之间限定边界。

第一像素区域PXA1可以包括主要部分MS和弯曲部分BS(BS1至BS4)。主要部分MS可以与显示装置10(见图1)的前部FS(见图1)对应，弯曲部分BS(BS1至BS4)可以与显示装置10(见图1)的侧部SS(见图1)对应。主要部分MS的形状(例如，平面形状)可以与显示装置10(见图1)的前部FS(见图1)的形状基本上对应，弯曲部分BS(BS1至BS4)的形状(例如，平面形状)可以与显示装置10(见图1)的侧部SS(见图1)的形状基本上对应。

弯曲部分BS(BS1至BS4)可以从主要部分MS的边缘向外延伸，并且可以相对于主要部分MS以一角度弯曲。第一弯曲部分BS1至第四弯曲部分BS4中的每个可以从主要部分MS延伸，并且可以沿着弯曲线BL1、BL2、BL3或BL4弯曲。例如，在实施例中，弯曲部分BS可以相对于主要部分MS以约90度至小于约180度的角度弯曲。

弯曲线BL1至BL4可以分别在交点CRP(见图2)处彼此相遇。交点CRP可以以包括多个交点CRP的复数形式设置。弯曲线BL1至BL4的交点CRP中的每个可以位于第一像素区域PXA1与第二像素区域PXA2之间，或者可以位于第一像素区域PXA1与第二像素区域PXA2之间的边界上。然而，本公开不限于此，交点CRP中的每个也可以位于第一像素区域PXA1中或第二像素区域PXA2中。

当主要部分MS在平面图中包括四边形形状时，弯曲部分BS可以包括分别从主要部分MS延伸到在第一方向DR1上彼此相对的第一侧和第三侧的第一弯曲部分BS1和第三弯曲部分BS3，并且包括分别从主要部分MS延伸到在第二方向DR2上彼此相对的第二侧和第四侧的第二弯曲部分BS2和第四弯曲部分BS4。除了位置之外，第一弯曲部分BS1至第四弯曲部分BS4在功能或构造上可以基本上相同。

第一弯曲部分BS1至第四弯曲部分BS4中的每个可以从主要部分MS延伸以包括曲率，并且可以包括圆形形状。例如，在实施例中，第一弯曲部分BS1可以包括朝向在第一方向DR1上的第一侧和在第三方向DR3上的第一侧两者凸起的曲率。第一弯曲部分BS1的曲率可以与显示装置10(见图1)的第一侧部SS1(见图1)的第一曲率基本上相同，但不限于此。第一弯曲部分BS1至第四弯曲部分BS4可以包括基本上彼此相同的曲率。然而，本公开不限于此，第一弯曲部分BS1至第四弯曲部分BS4也可以包括彼此不同的曲率。

第一弯曲部分BS1至第四弯曲部分BS4中的每个可以大体上包括梯形形状。在这种情况下，梯形形状的两个侧表面可以包括圆形形状。例如，参照图3，第一弯曲部分BS1可以具有沿着第一方向DR1最远离主要部分MS的第一边(或第一边缘)和最靠近主要部分MS的第二边(或第二边缘)。第一弯曲部分BS1的第一边缘在第二方向DR2上的长度可以比第一弯曲部分BS1的第二边缘在第二方向DR2上的长度小。连接第一弯曲部分BS1的上述两个边缘的侧表面(或侧边缘)可以位于第一弯曲部分BS1的在第二方向DR2上的一侧和另一侧，并且可以包括圆形形状。然而，第一弯曲部分BS1的形状不限于此。第一弯曲部分BS1的描述也可以应用于第二弯曲部分BS2至第四弯曲部分BS4。

第二像素区域PXA2可以设置在沿着主要部分MS的外边缘彼此相邻的弯曲部分BS(BS1至BS4)之间。换言之，第一弯曲部分BS1至第四弯曲部分BS4可以在至少一些区域中彼此间隔开一距离。第二像素区域PXA2可以设置在其中第一弯曲部分BS1至第四弯曲部分BS4彼此间隔开(例如，彼此断开)的区域中。

例如，在实施例中，第二像素区域PXA2可以设置在第一弯曲部分BS1与第二弯曲部分BS2之间的区域、第二弯曲部分BS2与第三弯曲部分BS3之间的区域、第三弯曲部分BS3与第四弯曲部分BS4之间的区域和第四弯曲部分BS4与第一弯曲部分BS1之间的区域中的任何一个中。

第二像素区域PXA2可以包括双曲率并且包括圆形形状。例如，在实施例中，位于第一弯曲部分BS1与第二弯曲部分BS2之间的第二像素区域PXA2可以包括双曲率，所述双曲率包括第一弯曲部分BS1的曲率和第二弯曲部分BS2的曲率。第二像素区域PXA2的形状可以与显示装置10(见图2)的每个角部CS(见图2)的形状对应。

基底SUB可以包括以复数形式设置为多个突出图案CP的突出部分(例如，多个突出部分)。突出图案CP均可以从基底SUB的在第一像素区域PXA1处的基体部分(作为基体部件)突出。换言之，突出图案CP可以从主要部分MS和弯曲部分BS(BS1至BS4)中的至少任何一个突出。彼此相邻(例如，彼此最靠近)的突出图案CP可以在至少一些区域中彼此物理地分开(或断开)。如稍后将描述的，在至少一些区域中，突出图案CP可以在从显示面板100的最上层到作为最下层的基底SUB的方向上彼此物理地分开。

切割部分CG(或切割图案)可以位于相邻的突出图案CP彼此物理地分开的部分中。也就是说，可以通过切割部分CG在彼此相邻的突出图案CP之间设置空间。因此，因为第二像素区域PXA2的突出图案CP可以拉伸和收缩(例如，朝向彼此移动和远离彼此移动)，即使第二像素区域PXA2具有双曲率，施加到第二像素区域PXA2的应变也可以通过切割部分CG而减小。稍后将对其进行详细描述。

显示面板100还可以包括弯曲区域BA和垫(pad，或称为“焊盘”)区域PA。

弯曲区域BA可以从非像素区域LA的下侧延伸，显示面板100和/或显示装置10(见图1)可以在弯曲区域BA处是可弯曲的。弯曲区域BA可以设置在非像素区域LA与垫区域PA之间，并且可以使非像素区域LA和垫区域PA彼此连接。弯曲区域BA在第一方向DR1上的长度可以比非像素区域LA在第一方向DR1上的长度小。

垫区域PA可以在平面图中从弯曲区域BA向下(即，在远离非像素区域LA的方向上)延伸。垫区域PA在第一方向DR1上的长度可以比弯曲区域BA在第一方向DR1上的长度大。然而，本公开不限于此。垫区域PA在第一方向DR1上的长度也可以与弯曲区域BA在第一方向DR1上的长度基本上相同。

弯曲区域BA可以是沿着弯曲轴可弯曲的，诸如在与显示面板100的显示表面相反的方向上以一曲率弯曲。在弯曲区域BA中弯曲的显示面板100可以使显示面板100的表面的反转(即，面对不同方向)的部分设置在垫区域PA中。也就是说，在未弯曲或平坦的显示面板100中显示面板100的面朝上的表面可以被改变为包括面朝上的部分、通过弯曲区域BA而横向面朝外的部分以及然后在垫区域PA中面朝下的部分。

集成驱动电路IDC和以包括多个垫PAD的复数形式设置的垫可以设置在垫区域PA中。集成驱动电路IDC可以形成为集成电路。集成驱动电路IDC可以使用玻璃上芯片(COG)方法、塑料上芯片(COP)方法或超声波接合方法附着到垫区域PA中。可选地，集成驱动电路IDC可以设置在设置于垫区域PA的垫PAD上的电路板上。

集成驱动电路IDC可以电连接到垫区域PA的垫PAD。集成驱动电路IDC可以通过垫区域PA的垫PAD接收数字视频数据和时序信号。集成驱动电路IDC可以将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且向显示区域DA的数据线输出模拟数据电压。

第一像素区域PXA1和第二像素区域PXA2可以包括基本上相同的平面结构。第一像素区域PXA1和第二像素区域PXA2可以包括不同的剖面结构。

首先，将参照图6和图7描述第一像素区域PXA1的平面结构和剖面结构。

图6是根据实施例的第一像素区域PXA1的一部分的放大平面图。图7是沿着图6的线VII-VII'截取的剖视图。图7示出了第一像素区域PXA1的堆叠结构。

参照图6和图7，显示面板100的第一像素区域PXA1可以包括基底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、薄膜封装层TFEL和传感器电极层SENL。

基底SUB支撑设置在其上的每个层。基底SUB可以由绝缘材料(诸如聚合物树脂)或无机材料(诸如玻璃或石英)制成(或包括绝缘材料(诸如聚合物树脂)或无机材料(诸如玻璃或石英))。然而，本公开不限于此，基底SUB也可以是透明板或透明膜。

基底SUB可以是可以弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。然而，本公开不限于此，基底SUB也可以是刚性基底。

薄膜晶体管层TFTL设置在基底SUB上。薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管、第一连接电极ANDE1、缓冲层BF、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层150、第二平坦化层160和阻挡层BR。

具体地，缓冲层BF可以设置在基底SUB上。缓冲层BF可以阻挡可能从缓冲层BF下面引入的杂质，改善设置在缓冲层BF上的元件的粘合性，并执行平坦化功能。缓冲层BF可以由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层制成。

可以以包括设置在缓冲层BF上的多个第一薄膜晶体管ST1的复数形式设置第一薄膜晶体管ST1。第一薄膜晶体管ST1中的每个可以包括第一有源层ACT1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。

第一薄膜晶体管ST1中的每个的第一有源层ACT1可以设置在缓冲层BF上。第一有源层ACT1可以包括诸如多晶硅、单晶硅、低温多晶硅或非晶硅的硅半导体。第一有源层ACT1可以包括在厚度方向(第三方向DR3)上与第一栅电极G1叠置的区域中的沟道区以及设置在沟道区的一侧和另一侧的源/漏区。

栅极绝缘层130可以设置在第一薄膜晶体管ST1的第一有源层ACT1上。栅极绝缘层130可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)制成。

第一薄膜晶体管ST1的第一栅电极G1和第一电容器电极CAE1可以设置在栅极绝缘层130上。第一薄膜晶体管ST1的第一栅电极G1可以在第三方向DR3上与第一有源层ACT1叠置。第一电容器电极CAE1可以在第三方向DR3上与第二电容器电极CAE2叠置。第一栅电极G1和第一电容器电极CAE1中的每个可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种制成的单层或多层。

第一层间绝缘膜141可以设置在第一栅电极G1和第一电容器电极CAE1上。第一层间绝缘膜141可以包括无机层。

第二电容器电极CAE2可以设置在第一层间绝缘膜141上。第二电容器电极CAE2可以在第三方向DR3上与第一电容器电极CAE1叠置。第一电容器电极CAE1、第二电容器电极CAE2和第一层间绝缘膜141可以形成电容器CAP。第二电容器电极CAE2中的每个可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种制成的单层或多层。

第二层间绝缘膜142可以设置在第二电容器电极CAE2上。第二层间绝缘膜142可以包括无机层。

第一薄膜晶体管ST1中的每个的第一源电极S1和第一漏电极D1可以设置在第二层间绝缘膜142上。第一源电极S1和第一漏电极D1中的每个可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种制成的单层或多层。

第一薄膜晶体管ST1中的每个的第一源电极S1可以通过穿过栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142的接触孔连接到设置在第一有源层ACT1的沟道区的一侧的导电区域。第一薄膜晶体管ST1中的每个的第一漏电极D1可以通过穿过栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142的接触孔连接到设置在第一有源层ACT1的沟道区的另一侧的导电区域。

第一平坦化层150可以设置在第一源电极S1和第一漏电极D1上，以使由于下面的第一薄膜晶体管ST1的轮廓而产生的台阶平坦化。第一平坦化层150可以由诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

第一连接电极ANDE1可以设置在第一平坦化层150上。第一连接电极ANDE1可以通过穿过第一平坦化层150的接触孔连接到第一薄膜晶体管ST1的第一源电极S1或第一漏电极D1。第一连接电极ANDE1中的每个可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种制成的单层或多层。

第二平坦化层160可以设置在第一连接电极ANDE1上。第二平坦化层160可以包括诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层。

阻挡层BR可以设置在第二平坦化层160上。阻挡层BR可以包括无机层。

发光元件层EML设置在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML可以包括第一发光元件LEL1和像素限定层180。

第一发光元件LEL1中的每个可以包括像素电极171、发光层172(例如，第一发光层)和共电极173。发光区域EA1至EA4中的每个可以是其中像素电极171、发光层172和共电极173顺序地堆叠的区域，使得来自像素电极171的空穴和来自共电极173的电子在发光层172中结合在一起来发射光。在这种情况下，像素电极171可以是阳极，共电极173可以是阴极。第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第四发光区域EA4的结构可以与图7中所示的第三发光区域EA3的结构基本上相同。

具体地，像素电极171可以设置在阻挡层BR上。像素电极171可以通过穿过阻挡层BR和第二平坦化层160的接触孔连接到第一连接电极ANDE1。

在其中从发光层172朝向共电极173发射光的顶发射结构中，像素电极171中的每个可以形成(或设置)为钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层，或者为了增加反射率可以具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。

像素限定层180可以限定发光区域EA1至EA4。发光区域EA1至EA4可以由在厚度方向(第三方向DR3)上被穿透的像素限定层180限定。发光区域EA1至EA4可以分别与像素电极171叠置。第一像素区域PXA1的多个第一像素PX1均可以包括多个发光区域EA1至EA4。例如，在实施例中，第一像素PX1中的每个可以包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4。第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4可以发射不同颜色的光，但是本公开不限于此。

像素限定层180可以形成在阻挡层BR上，以将像素电极171中的每个的一部分暴露于像素限定层180的外部。像素限定层180可以覆盖像素电极171的边缘。像素限定层180可以由诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

发光层172设置在通过像素限定层180暴露于其外部的像素电极171上。发光层172可以包括有机材料以发射一颜色的光。例如，在实施例中，发光层172中的每个可以包括空穴注入/传输层、有机材料层和电子注入/传输层。有机材料层可以包括主体和掺杂剂。有机材料层可以包括发光材料，并且可以使用磷光材料或荧光材料形成。

共电极173设置在发光层172上。共电极173可以覆盖发光层172。共电极173可以是针对所有像素公共的共层。可以在共电极173上形成盖层。

在顶发射结构中，共电极173可以由能够透射光的透明导电材料(TCO)(诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))或半透射导电材料(诸如镁(Mg)、银(Ag)或者Mg和Ag的合金)制成。当共电极173由半透射导电材料制成时，可以通过微腔来提高光输出效率。

薄膜封装层TFEL可以形成在发光元件层EML上。薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机层，以防止氧或湿气渗透到发光元件层EML中。另外，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个有机层，以保护发光元件层EML免受颗粒的影响。

例如，在实施例中，薄膜封装层TFEL可以包括设置在共电极173上的第一无机封装层191、设置在第一无机封装层191上的有机封装层192和设置在有机封装层192上的第二无机封装层193。第一无机封装层191和第二无机封装层193中的每个可以是其中选自氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个无机层交替地堆叠的多层。有机封装层192可以包括丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少任何一种。

传感器电极层SENL可以设置在薄膜封装层TFEL上。传感器电极层SENL可以包括传感器电极。传感器电极层SENL可以使用传感器电极来感测来自输入工具(诸如身体部位或物体)的触摸、接近、力等。

传感器电极层SENL可以包括驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE。驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE均可以以复数形式设置，但是本公开不限于此。

驱动电极TE和感测电极RE可以彼此电分离。由于驱动电极TE和感测电极RE形成在同一层，因此它们可以彼此间隔开。可以在驱动电极TE与感测电极RE之间形成间隙。当在同一层时，多个元件可以彼此在同一层中作为同一材料层的相应部分，可以与相同的下层或上层形成界面等，而不限于此。

感测电极RE可以在第一方向DR1上彼此电连接。驱动电极TE可以在第二方向DR2上彼此电连接。在第二方向DR2上彼此相邻的驱动电极TE可以通过连接电极BE彼此连接，使得感测电极RE和驱动电极TE在它们的交叉点处电分离。

连接电极BE可以形成在与驱动电极TE和感测电极RE不同的层，并且可以通过触摸接触孔TCNT1连接到驱动电极TE。连接电极BE中的每个的一端(例如，第一端)可以通过触摸接触孔TCNT1连接到在第二方向DR2上彼此相邻的驱动电极TE中的任何一个。连接电极BE中的每个的另一端(例如，与第一端相对的第二端)可以通过触摸接触孔TCNT1连接到在第二方向DR2上彼此相邻的驱动电极TE中的另一个。连接电极BE可以在第三方向DR3上与感测电极RE叠置。由于连接电极BE形成在与驱动电极TE和感测电极RE不同的层，因此即使连接电极BE在第三方向DR3上与感测电极RE叠置，连接电极BE也可以与感测电极RE电分离。

在平面图中，连接电极BE可以弯曲至少一次。在图6中，连接电极BE中的每个像括号(“<”或“>”)一样弯曲，但是连接电极BE中的每个的平面形状不限于此。另外，在第二方向DR2上彼此相邻的驱动电极TE可以通过多个连接电极BE彼此连接。因此，即使连接电极BE中的任何一个断开，在第二方向DR2上彼此相邻的驱动电极TE也可以电连接。

驱动电极TE和感测电极RE在平面图中均可以具有网格结构或网状结构。彼此间隔开的感测电极RE的实体部分可以形成网格结构或网状结构。驱动电极TE和感测电极RE可以不与发光区域EA1至EA4叠置。由于不叠置，元件可以彼此相邻或彼此间隔开。因此，能够抑制或防止从发光区域EA1至EA4发射的光被驱动电极TE和感测电极RE阻挡，从而抑制或防止光亮度的降低。

传感器电极层SENL还可以在远离薄膜封装层TFEL的方向上按次序包括外涂层OC、第一触摸无机层TINS1、第二触摸无机层TINS2和触摸有机层TINS3。

外涂层OC可以设置在第二无机封装层193上。外涂层OC可以设置在第二无机封装层193与第一触摸无机层TINS1之间。外涂层OC可以包括至少一个有机层。例如，在实施例中，外涂层OC可以由诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

第一触摸无机层TINS1可以设置在外涂层OC上。第一触摸无机层TINS1可以包括至少一个无机层。第一触摸无机层TINS1可以由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层制成。

连接电极BE可以设置在第一触摸无机层TINS1上。连接电极BE可以包括钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)。连接电极BE可以包括诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)的单层结构或多层结构。

第二触摸无机层TINS2可以设置在连接电极BE上。第二触摸无机层TINS2可以覆盖连接电极BE，并且可以设置在第一触摸无机层TINS1上。第二触摸无机层TINS2可以包括至少一个无机层。第二触摸无机层TINS2可以由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层制成。

驱动电极TE和感测电极RE可以一起设置在第二触摸无机层TINS2上的感测电极层中。驱动电极TE和感测电极RE可以包括钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)。驱动电极TE和感测电极RE可以包括诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)的单层结构或多层结构。

触摸有机层TINS3可以设置在包括驱动电极TE和感测电极RE两者的感测电极层上。触摸有机层TINS3可以覆盖驱动电极TE和感测电极RE，并且可以设置在第二触摸无机层TINS2上。触摸有机层TINS3可以包括至少一个有机层。触摸有机层TINS3可以包括丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。

也可以从第一像素区域PXA1中省略外涂层OC和第一触摸无机层TINS1中的至少任何一个。当从第一像素区域PXA1省略外涂层OC和第一触摸无机层TINS1两者时，连接电极BE可以直接设置在第二无机封装层193上。

现在将参照图8和图9描述第二像素区域PXA2的平面结构和剖面结构。

图8是图4的区域B的放大视图。图9是沿着图8的线IX-IX'截取的剖视图。图9示出了第二像素区域PXA2的堆叠结构。下面将不描述与第一像素区域PXA1的堆叠结构的元件和特征基本上相同的第二像素区域PXA2的堆叠结构的元件和特征，并且将仅描述不同之处。

参照图8和图9，第一像素区域PXA1可以包括多个第一像素PX1，第二像素区域PXA2可以包括多个第二像素PX2。

第一像素区域PXA1还可以包括第一坝结构DAM1。第一坝结构DAM1可以沿着第一像素区域PXA1的边缘(即，沿着第一像素区域PXA1的外边缘或者沿着第一像素区域PXA1与第二像素区域PXA2之间的边界)设置。在平面图中，第一坝结构DAM1可以围绕第一像素区域PXA1的第一像素PX1。第一坝结构DAM1可以抑制或防止第一像素区域PXA1的有机材料层溢出到第一像素区域PXA1的外部，诸如溢出到第二像素区域PXA2。

第二像素区域PXA2可以包括发光区域EA1"至EA3"。第二像素区域PXA2的发光区域EA1"至EA3"可以由像素限定层180限定。第一像素区域PXA1中的像素限定层180可以延伸到第二像素区域PXA2。发光区域EA1"至EA3"可以指第二像素区域PXA2的第二像素PX2中的每个的发光区域。例如，在实施例中，第二像素PX2中的每个可以包括第一发光区域EA1"、第二发光区域EA2"和第三发光区域EA3"。第一发光区域EA1"、第二发光区域EA2"和第三发光区域EA3"可以发射不同颜色的光，但是本公开不限于此。

基底SUB的突出图案CP可以从第一像素区域PXA1的主要部分MS(见图4)和弯曲部分BS(见图4)中的至少任何一个突出，并且朝向第一像素区域PXA1的外部(例如，在远离主要部分MS(见图4)和弯曲部分BS(见图4)的方向上)突出。突出图案CP可以从第一像素区域PXA1(或基体部件)突出。每个突出图案CP的一端(例如，第一端)可以连接到第一像素区域PXA1。也就是说，突出图案CP可以连接到第一像素区域PXA1处的基底SUB。非像素区域LA可以设置在每个突出图案CP的与每个突出图案CP的所述一端相对的另一端(例如，第二端)处。突出图案CP的距主要部分MS(见图4)和弯曲部分BS(见图4)最远的末端可以限定基底SUB的非像素区域LA。

每个突出图案CP的一端可以连接到第一像素区域PXA1。每个突出图案CP的另一端可以连接到和/或限定非像素区域LA。换言之，在显示面板100的一些区域中，第一像素区域PXA1和非像素区域LA可以彼此间隔开，且第二像素区域PXA2置于它们之间。第二像素区域PXA2的突出图案CP可以设置在第一像素区域PXA1与非像素区域LA之间的空间中，并且可以使第一像素区域PXA1和非像素区域LA彼此连接。然而，本公开不限于此。例如，在实施例中，每个突出图案CP的另一端可以不连接到非像素区域LA，并且可以暴露于外部而不连接到单独的元件。

第二像素区域PXA2可以在第一像素区域PXA1与非像素区域LA之间设置在每个突出图案CP上。非像素区域LA可以针对每个突出图案CP设置，分别针对突出图案CP设置的非像素区域LA可以沿着第一像素区域PXA1与第二像素区域PXA2之间的边界彼此分开并间隔开。

除了连接到第一像素区域PXA1的部分之外，每个突出图案CP可以被暴露。突出图案CP可以在突出图案CP从第一像素区域PXA1突出所沿的方向上具有不同的长度。突出图案CP从其突出的第一像素区域PXA1的一端在平面图中可以包括曲线。在这种情况下，突出图案CP在平面图中可以沿不同方向突出。然而，本公开不限于此。

突出图案CP中的每个可以具有沿与第一像素区域PXA1的弯曲的端部垂直的方向的长度以及与所述长度交叉(诸如与其垂直)的宽度。每个突出图案CP的在突出图案CP从第一像素区域PXA1突出所沿的方向上的长度可以比突出图案CP的在与突出方向垂直的方向上的宽度大。

突出图案CP中的每个的宽度可以在从第一像素区域PXA1朝向非像素区域LA的方向上减小。在这种情况下，突出图案CP中的每个在平面图中可以包括梯形形状，但是本公开不限于此。

突出图案CP可以在沿着第一像素区域PXA1的端部的方向上彼此面对。换言之，突出图案CP可以沿着第一像素区域PXA1的端部彼此间隔开，且切割部分CG置于突出图案CP之间。突出图案CP中的每个包括在沿着第一像素区域PXA1的端部的方向上彼此相对的侧表面。突出图案CP中的一个的侧表面可以面对相邻的突出图案CP的相应侧表面。突出图案CP可以通过切割部分CG彼此分开。彼此相邻的突出图案CP之间的距离可以在从第一像素区域PXA1朝向非像素区域LA的方向上增加。也就是说，切割部分CG的宽度可以在从第一像素区域PXA1朝向非像素区域LA的方向上增加。

当突出图案CP沿着第三方向DR3弯曲时，彼此相邻的突出图案CP之间的距离可以减小，或者彼此相邻的突出图案CP可以在其相应的侧表面处彼此直接接触。当彼此相邻的突出图案CP彼此直接接触时，物理界面(或边界)可以在相应的侧表面处位于彼此相邻的突出图案CP之间。然而，本公开不限于此。当彼此相邻的突出图案CP弯曲时，它们也可以彼此叠置。此外，当突出图案CP弯曲时，可以减小设置在每个突出图案CP上的第二像素PX2之间的距离。

另外，当第二像素区域PXA2中的同一第二像素区域PXA2内的突出图案CP之中的最外面的突出图案CP弯曲时，它可以直接接触相邻的弯曲部分BS1、BS2、BS3或BS4(见图4)。在这种情况下，物理界面(或边界)可以位于最外面的突出图案CP和与所述最外面的突出图案CP相邻的第一像素区域PXA1之间(例如，在相应的弯曲部分处)，并且设置在弯曲部分BS1、BS2、BS3或BS4中。

当突出图案CP弯曲时，它们可以包括双曲率并且包括圆形形状。换言之，突出图案CP可以包括与第二像素区域PXA2基本上相同的双曲率，并且可以包括圆形形状。

第二像素区域PXA2还可以包括第二坝结构DAM2。第二坝结构DAM2可以沿着第二像素区域PXA2的每个突出图案CP的外边缘设置。换言之，第二坝结构DAM2可以设置在每个突出图案CP上，并且可以围绕设置在每个突出图案CP上的一组第二像素PX2。第二坝结构DAM2可以抑制或防止第二像素区域PXA2的每个突出图案CP上的有机材料层溢出到第二像素区域PXA2的每个突出图案CP的外部。

第二像素区域PXA2可以包括基底SUB、缓冲层BF、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层150、第二平坦化层160和像素限定层180。这些元件与在第一像素区域PXA1中描述的元件基本上相同，因此将省略其描述。

第二像素区域PXA2可以包括第二薄膜晶体管ST2和第二发光元件LEL2。显示结构或显示元件可以包括彼此连接的晶体管和发光元件(诸如第二薄膜晶体管ST2和第二发光元件LEL2)。第二薄膜晶体管ST2可以包括第二有源层ACT2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。第二薄膜晶体管ST2可以包括与图7的第一像素区域PXA1的第一薄膜晶体管ST1基本上相同的构造。因此，将省略第二薄膜晶体管ST2的详细描述。

显示装置10还可以包括蚀刻停止图案EST。蚀刻停止图案EST可以设置在第一平坦化层150上。蚀刻停止图案EST可以在厚度方向(第三方向DR3)上与凹陷图案RC叠置。蚀刻停止图案EST可以通过凹陷图案RC暴露于基底SUB上的层叠结构的外部。蚀刻停止图案EST可以包括无机材料，但是本公开不限于此。蚀刻停止图案EST可以设置在第二坝结构DAM2周围，并且可以在形成第二坝结构DAM2的工艺中(或形成第二坝结构DAM2时)用作蚀刻停止件。

此外，电连接到第二像素PX2以向其施加电压或传输信号的导线可以设置在蚀刻停止图案EST下面。在这种情况下，蚀刻停止图案EST可以防止其下面的导电线由于蚀刻而被损坏。蚀刻停止图案EST的至少一部分可以在厚度方向(第三方向DR3)上与第二坝结构DAM2叠置。

第二像素区域PXA2的第二发光元件LEL2可以包括像素电极171"、发光层172"(例如，第二发光层)和共电极173"。第二像素区域PXA2的第二发光元件LEL2可以包括与图7的发光元件层EML的第一发光元件LEL1基本上相同的构造。因此，将省略第二像素区域PXA2的第二发光元件LEL2的描述。此外，第二发光元件LEL2的像素电极171"和第二薄膜晶体管ST2的第二漏电极D2可以通过设置在第一平坦化层150上的第二连接电极ANDE2电连接。

第二像素区域PXA2还可以包括薄膜封装层TFEL的第一无机封装层191和第二无机封装层193，并且可以不包括有机封装层192(见图7)。第二像素区域PXA2的第一无机封装层191和第二无机封装层193可以包括与第一像素区域PXA1的第一无机封装层191和第二无机封装层193基本上相同的构造，因此将省略其描述。也就是说，第一像素区域PXA1的各个层(诸如第一无机封装层191和第二无机封装层193)可以从第一像素区域PXA1延伸到第二像素区域PXA2。

在突出图案CP处在基底SUB上的各个层可以包括侧表面，所述侧表面与基底SUB的侧表面一起限定突出图案CP处的各个层或部件的切割表面或侧表面。另外，第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在每个突出图案CP处的由各个层限定的切割表面或侧表面上(或沿着切割表面或侧表面设置)。例如，在实施例中，第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在每个突出图案CP处的基底SUB、缓冲层BF、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142和第一平坦化层150的切割表面或侧表面上。因此，能够防止湿气或氧通过每个突出图案CP处的切割表面或侧表面引入并防止损坏发光层172"。

在第二像素区域PXA2中，第二坝结构DAM2可以设置在第一平坦化层150上。第二坝结构DAM2可以包括第一子坝SDAM1'、第二子坝SDAM2'和第三子坝SDAM3'，第一子坝SDAM1'包括与第二平坦化层160相同的材料，第二子坝SDAM2'包括与阻挡层BR相同的材料，第三子坝SDAM3包括与像素限定层180相同的材料。第一子坝SDAM1'、第二子坝SDAM2'和第三子坝SDAM3'可以从第一平坦化层150按次序顺序地堆叠。

第二像素区域PXA2还可以包括凹陷图案RC。凹陷图案RC在平面图中可以分别设置在第二坝结构DAM2与发光区域EA1"至EA3"(或发光层172")之间。换言之，凹陷图案RC在平面图中可以位于第二像素PX2的发光区域EA1"至EA3"(或发光层172")的外部，并且在平面图中可以位于第二坝结构DAM2的内侧。凹陷图案RC在平面图中可以围绕像素限定层180，并且在平面图中可以围绕第二像素PX2的发光区域EA1"至EA3"(或发光层172")，但是本公开不限于此。

当凹陷图案RC围绕发光区域EA1"至EA3"(或发光层172")时，作为平坦化图案的第二平坦化层160和第一子坝SDAM1'可以在设置有每个突出图案CP的区域中彼此分开，第二平坦化层160可以包括岛形状(例如，在平面图中的离散形状)。另外，阻挡层BR和第二子坝SDAM2'在设置有每个突出图案CP的区域中彼此分开，阻挡层BR可以包括岛形状。然而，本公开不限于此。在实施例中，当在平面图中凹陷图案RC不围绕发光区域EA1"至EA3"(或发光层172")时，在未设置有凹陷图案RC的区域中，第二平坦化层160和第一子坝SDAM1'可以彼此连接，阻挡层BR和第二子坝SDAM2'可以彼此连接。

凹陷图案RC可以由阻挡层BR、第二平坦化层160、第一子坝SDAM1'和第二子坝SDAM2'的实体部分或图案限定。在这种情况下，凹陷图案RC的侧壁可以由阻挡层BR、第二平坦化层160、第一子坝SDAM1'和第二子坝SDAM2'中的每个的侧壁(例如，堆叠的侧壁结构)限定或组成。然而，本公开不限于此，凹陷图案RC的侧壁还可以包括像素限定层180和第三子坝SDAM3'。凹陷图案RC可以使蚀刻停止图案EST暴露于堆叠的侧壁结构的外部。凹陷图案RC可以具有但不限于底切形状。

具体地，阻挡层BR的侧表面可以在沿着第一平坦化层150的一方向上比第二平坦化层160的侧表面进一步向外突出。这里，“向外”可以指朝向凹陷图案RC的中心的方向或远离凹陷图案RC的一侧壁而朝向凹陷图案RC的面对上述侧壁的另一侧壁的方向。换言之，阻挡层BR的侧表面可以比第二平坦化层160的侧表面朝向凹陷图案RC的中心进一步突出。在凹陷图案RC处，阻挡层BR和第二子坝SDAM2'的彼此面对的侧表面之间的距离可以比第二平坦化层160和第一子坝SDAM1'的彼此面对的侧表面之间的距离小。

虚设发光层FP1可以设置在凹陷图案RC中。虚设发光层FP1可以设置在由凹陷图案RC暴露的蚀刻停止图案EST上。当凹陷图案RC具有底切形状时，发光层172"可以不设置在凹陷图案RC的侧壁上。因此，发光层172"可以与虚设发光层FP1分开。虚设发光层FP1可以是发光层172"的与第三子坝SDAM3'上的发光层172"分开而不连接到第三子坝SDAM3'上的发光层172"的剩余部分。虚设发光层FP1可以由与发光层172"相同的材料制成。

由于凹陷图案RC，第二像素区域PXA2的每个第二像素PX2的发光层172"可以与设置在凹陷图案RC中的虚设发光层FP1分开。另外，可以通过虚设发光层FP1抑制或防止外部空气和湿气渗透到第二像素区域PXA2的每个第二像素PX2的发光层172"中。因此，可以改善第二像素区域PXA2的第二像素PX2的可靠性。

虚设共电极层FP2可以设置在凹陷图案RC中。虚设共电极层FP2可以设置在虚设发光层FP1上。当凹陷图案RC具有底切形状时，共电极173"可以不设置在凹陷图案RC的侧壁上。因此，共电极173"可以与虚设共电极层FP2分开。虚设共电极层FP2可以是共电极173"的与第三子坝SDAM3'上的共电极173"分开而不连接到第三子坝SDAM3'上的共电极173"的剩余部分。虚设共电极层FP2可以由与共电极173"相同的材料制成。

第一无机封装层191可以在凹陷图案RC中设置在虚设共电极层FP2上，并且可以覆盖虚设共电极层FP2。第一无机封装层191可以设置在第二平坦化层160的限定凹陷图案RC的侧表面上，并且还可以设置在阻挡层BR的朝向凹陷图案RC突出的部分的另一表面(下表面)上。也就是说，第一无机封装层191可以覆盖由共电极173"和虚设共电极层FP2暴露的第二平坦化层160和阻挡层BR。朝向凹陷图案RC突出的阻挡层BR可以直接接触第一无机封装层191，从而促进封装。

在每个突出图案CP上和/或在第二像素区域PXA2中，第二无机封装层193可以设置在第一无机封装层191上，有机封装层192(见图7)可以不设置在第一无机封装层191与第二无机封装层193之间。第二无机封装层193可以在每个突出图案CP的整个区域上直接接触第一无机封装层191。

换言之，在第二像素区域PXA2的发光区域EA1"至EA3"中，第二无机封装层193可以设置在第一无机封装层191上，第一无机封装层191和第二无机封装层193可以彼此直接接触。第一无机封装层191和第二无机封装层193可以在与发光层172"叠置的区域中彼此直接接触。在像素限定层180上，第二无机封装层193可以设置在第一无机封装层191上，第一无机封装层191和第二无机封装层193可以彼此直接接触。第二无机封装层193的至少一部分可以设置在凹陷图案RC中。在凹陷图案RC中，第二无机封装层193可以设置在第一无机封装层191上，第一无机封装层191和第二无机封装层193可以彼此直接接触。在虚设共电极层FP2上，第二无机封装层193可以设置在第一无机封装层191上，第一无机封装层191和第二无机封装层193可以彼此直接接触。

外涂层OC可以在第二像素区域PXA2中设置在第二无机封装层193上。外涂层OC可以填充凹陷图案RC。外涂层OC可以被设置为不超出第二坝结构DAM2。第一触摸无机层TINS1可以在第二像素区域PXA2中设置在外涂层OC上，并且可以在第二坝结构DAM2的外部设置在第二无机封装层193上以封装外涂层OC。

由于外涂层OC设置在第二无机封装层193上，因此即使有机封装层192(见图7)在第二像素区域PXA2中未设置在第一无机封装层191与第二无机封装层193之间，也可以确保柔性，并且平坦化是可行的。换言之，由于包括有机材料的外涂层OC设置在第二无机封装层193上，因此即使省略有机封装层192(见图7)，也可以确保突出图案CP的柔性。另外，尽管其下面存在台阶差异，但是外涂层OC的上表面可以是大体上平坦的。因此，即使省略有机封装层192(见图7)，元件也可以更顺利地设置在外涂层OC上。

当外涂层OC设置在第二像素区域PXA2中时，它还可以包括负型光敏材料(或感光剂)和正型光敏材料(或感光剂)中的至少任何一种。外涂层OC可以通过光致抗蚀剂工艺来图案化。稍后将对此进行详细描述。

与当使用喷墨方法施用设置在第二像素区域PXA2的第二发光元件LEL2上的有机层(外涂层OC)时相比，当外涂层OC包括光敏材料并且通过曝光和显影而被图案化时，可以抑制或防止工艺分散缺陷。换言之，与使用喷墨方法施用时相比，当外涂层OC包括光敏材料并且通过曝光和显影而被图案化时，它可以形成在期望的位置处。有机封装层192(见图7)可以使用喷墨方法施用。当从第二像素区域PXA2省略有机封装层192(见图7)、外涂层OC形成在第二无机封装层193上并且外涂层OC通过光致抗蚀剂工艺而被图案化时，可以抑制或防止设置在第二像素区域PXA2的第二发光元件LEL2上的有机层(外涂层OC)的工艺分散缺陷。

因此，能够抑制或防止设置在第二像素区域PXA2的第二发光元件LEL2上的有机层(外涂层OC)超出第二坝结构DAM2的缺陷。第二像素区域PXA2的第二发光元件LEL2可以被第一无机封装层191、第二无机封装层193、外涂层OC和第一触摸无机层TINS1封装，并且可以抑制或防止由于有机层(外涂层OC)的工艺分散而导致的第二像素区域PXA2的第二发光元件LEL2的封装缺陷。此外，可以改善第二像素区域PXA2的第二发光元件LEL2的可靠性。

尽管未示出，但是连接电极BE(见图7)、第二触摸无机层TINS2(见图7)、驱动电极TE(见图7)、感测电极RE(见图7)和触摸有机层TINS3(见图7)可以在第二像素区域PXA2中进一步设置在第一触摸无机层TINS1(见图7)上。因此，也可以在第二像素区域PXA2中感测人或物体的触摸。

现在将描述制造根据实施例的显示装置10的方法。

图10至图13是用于解释制造(或设置)根据实施例的显示装置10的方法的剖视图。图10至图13示出了突出图案CP(例如，显示装置10的突出部分)周围的区域的剖面。

参照图10，在突出图案CP上形成第一无机封装层191和第二无机封装层193。

具体地，在基底SUB的突出图案CP上顺序地形成缓冲层BF、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层150、蚀刻停止图案EST、第二平坦化层160、阻挡层BR、第二发光元件LEL2的像素电极171"、像素限定层180、第二发光元件LEL2的发光层172"和第二发光元件LEL2的共电极173"，以在弯曲角显示区域处设置显示结构。另外，还可以形成电连接到第二发光元件LEL2的像素电极171"的第二薄膜晶体管ST2。

可以通过去除像素限定层180、阻挡层BR和第二平坦化层160的在与由像素限定层180的实体部分限定的发光区域相邻的位置处的部分来形成凹陷图案RC(例如，凹槽)。具体地，通过使用阻挡层BR作为掩模去除第二平坦化层160，凹陷图案RC可以形成为暴露阻挡层BR的最靠近基底SUB的下表面的部分(类似具有底切的檐结构)。蚀刻停止图案EST可以通过凹陷图案RC(或在凹陷图案RC处)暴露于像素限定层180、阻挡层BR和第二平坦化层160的侧壁结构的外部。

在形成第二发光元件LEL2的发光层172"的工艺中，可以在凹陷图案RC中在蚀刻停止图案EST上形成虚设发光层FP1，并且在形成第二发光元件LEL2的共电极173"的工艺中，可以在凹陷图案RC中在虚设发光层FP1上形成虚设共电极层FP2。

在第二发光元件LEL2的共电极173"上形成第一无机封装层191。第一无机封装层191可以形成为遍及基底SUB。第一无机封装层191可以设置在第二发光元件LEL2的共电极173"上，可以设置在凹陷图案RC中，并且可以沿着各个层的分别面对切割部分CG的外侧表面设置。

在第一无机封装层191上设置第二无机封装层193。在突出图案CP上，可以在第一无机封装层191与第二无机封装层193之间省略有机封装层192(见图7)。可以沿着第一无机封装层191在整个基底SUB之上形成第二无机封装层193。由于省略了突出图案CP上的有机封装层192(见图7)，因此设置在突出图案CP上的第一无机封装层191和第二无机封装层193可以彼此直接接触。

参照图11和图12，将外涂层材料层OCm(或有机光敏层)施用在遍及整个突出图案CP的第二无机封装层193上，并且通过曝光或光刻和显影使外涂层材料层OCm图案化为外涂层OC。

具体地，遍及突出图案CP的整个区域，将外涂层材料层OCm施用在第二无机封装层193上。然后，外涂层材料层OCm的暴露于光掩模MK的外部的一部分暴露于穿过部分地暴露外涂层材料层OCm的光掩模MK的光(图11中的“曝光”)。

在这种情况下，当外涂层材料层OCm包括负型光敏材料(感光剂)时，外涂层材料层OCm的曝光部分(暴露于光掩模MK的外部的部分)硬化，因此不能很好地溶解在显影剂中。这里，可以根据暴露于光的部分和未暴露于光的部分的化学变化使用显影剂来选择性地去除外涂层材料层OCm的任何一部分。因此，可以使外涂层OC图案化。也就是说，当外涂层材料层OCm包括负型光敏材料(感光剂)时，外涂层材料层OCm的曝光部分可以与外涂层OC对应。

当通过包括曝光和显影的光致抗蚀剂工艺使外涂层OC图案化时，可以更精确地将外涂层OC放置在期望的位置处，并且可以抑制或防止设置在第二发光元件LEL2上的有机层(外涂层OC)的工艺分散缺陷。

然而，本公开不限于此。当外涂层材料层OCm包括正型光敏材料(感光剂)时，可以通过显影剂去除曝光部分。因此，在这种情况下，可以曝光并通过显影去除外涂层材料层OCm的不与外涂层OC对应的一部分。

参照图13，在图案化的外涂层OC上形成第一触摸无机层TINS1。第一触摸无机层TINS1可以被设置为遍及整个突出图案CP。可以在第二无机封装层193上设置第一触摸无机层TINS1，以覆盖外涂层OC，从而封装外涂层OC。

在下文中，将描述其他实施例。在以下实施例中，将省略或简要地给出与上述实施例的元件相同的元件的描述，并且将主要描述不同之处。

图14是根据实施例的显示装置10_1的剖视图。图14示出了突出图案CP周围的区域的剖面。

参照图14，有机封装层192_1设置在显示装置10_1的第二像素区域PXA2中，并且包括负型光敏材料(或感光剂)和正型光敏材料(或感光剂)中的至少任何一种。

当有机封装层192_1包括感光剂时，与在使用喷墨方法施加有机封装层192_1时相比，设置在突出图案CP上的有机封装层192_1可以通过曝光和显影来图案化，并且可以精确地设置在期望的位置处。因此，当通过光致抗蚀剂工艺对有机封装层192_1进行图案化时，可以抑制或防止设置在第二像素区域PXA2的第二发光元件LEL2上的有机层(有机封装层192_1)的工艺分散缺陷。此外，可以改善第二发光元件LEL2的可靠性。在这种情况下，可以省略外涂层OC(见图9)。另外，第一像素区域PXA1(见图7)的有机封装层192(见图9)可以包括与第二像素区域PXA2的有机封装层192_1相同的感光剂。

在根据实用新型的一个或更多个实施例中，可以改善显示装置10或显示装置10_1的可靠性。

然而，本公开的效果不限于这里阐述的效果。通过参照权利要求，本公开的上述和其他效果对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

实用新型不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充分传达实用新型的构思。

虽然已经参照实用新型的实施例具体示出并描述了实用新型，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的实用新型的精神或范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：

基底，包括基体部分和从所述基体部分突出的突出部分；以及

在所述基底的所述突出部分上的：发光元件层，包括像素限定层和由所述像素限定层限定的发光区域；第一无机封装层，在所述发光元件层上；第二无机封装层，在所述第一无机封装层上；以及有机层，在所述第二无机封装层上，

其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述发光区域处彼此直接接触。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述有机层包括负型光敏材料或正型光敏材料。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括无机层，所述无机层面对所述第二无机封装层，所述有机层位于所述无机层与所述第二无机封装层之间。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括在所述基底的所述突出部分上的：

平坦化层，在所述基底的所述突出部分与所述发光元件层之间；以及

凹槽，由所述像素限定层与所述平坦化层一起限定，

其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层延伸到所述凹槽中并且在所述凹槽内彼此直接接触。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括在所述基底的所述突出部分上的：蚀刻停止图案，在所述基底的所述突出部分与所述平坦化层之间，

其中，所述凹槽将所述蚀刻停止图案暴露于所述像素限定层和所述平坦化层的外部。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括在所述蚀刻停止图案与所述第一无机封装层之间在所述基底的所述突出部分上的：

虚设发光层，包括与所述发光元件层的发光层相同的材料；以及

虚设共电极，包括与所述发光元件层的共电极相同的材料。

7.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，在沿着所述基底的所述突出部分的方向上，所述凹槽围绕所述发光区域。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述基底还包括限定在所述基体部分与所述突出部分之间的边界，并且

所述基底的所述突出部分在沿着限定在所述基体部分与所述突出部分之间的所述边界的方向上包括双曲率。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

所述基底的所述突出部分以包括多个突出部分的复数形式设置，所述多个突出部分均从所述基体部分突出，并且

所述多个突出部分沿着限定在所述基体部分和所述突出部分之间的所述边界彼此断开。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域与所述显示区域相邻并且与所述显示区域限定边界，

其中，

所述显示区域包括前部、第一侧部、第二侧部和角部，所述第一侧部从所述前部在第一方向上弯曲延伸，所述第二侧部从所述前部在与所述第一方向交叉的第二方向上弯曲延伸，所述角部在沿着所述边界的方向上在所述第一侧部与所述第二侧部之间，并且

所述基底的所述突出部分与所述显示装置的所述角部对应。

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