KR102624491B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 중간 영역 및 엣지 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 상기 중간 영역 및 상기 엣지 영역에 각각 배치되는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되는 절연층, 상기 절연층 상에 배치되고, 각각의 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 복수의 SD 패턴, 및 상기 SD 패턴이 배치된 상기 절연층 상에 배치되고, 각각의 상기 SD 패턴을 노출하는 비아홀이 형성된 비아 절연층을 포함한다. 상기 엣지 영역은 상기 주변 영역과 상기 중간 영역 사이에 배치되고, 상기 엣지 영역에 배치되는 상기 비아홀의 주변에는 더미 패턴이 상기 비아 절연층에 형성된다.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사율 산포가 개선되어 표시 품질이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
상기 표시 장치의 전면에서의 반사율이 높으면, 사용자가 상기 표시 장치의 영상을 시인하기 어려워 표시 품질이 낮아지게 된다. 이에 따라 상기 반사율을 낮추기 위해, 저반사 구조 및 저반사 시트 추가 등의 노력들이 있어왔다. 그러나, 하나의 표시 장치 내의 표지 영역의 위치에 따라 반사율이 서로 다른 경우, 즉 산포가 발생하는 경우의 문제를 해결하지는 못하고 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 반사율 산포가 개선되어 표시 품질이 향상된 표시 장치룰 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 중간 영역 및 엣지 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 상기 중간 영역 및 상기 엣지 영역에 각각 배치되는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되는 절연층, 상기 절연층 상에 배치되고, 각각의 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 복수의 SD 패턴, 및 상기 SD 패턴이 배치된 상기 절연층 상에 배치되고, 각각의 상기 SD 패턴을 노출하는 비아홀이 형성된 비아 절연층을 포함한다. 상기 엣지 영역은 상기 주변 영역과 상기 중간 영역 사이에 배치되고, 상기 엣지 영역에 배치되는 상기 비아홀의 주변에는 더미 패턴이 상기 비아 절연층에 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층은 상기 비아 절연층 상에 배치되는 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함할 수 있다. 상기 유기층의 상기 중간 영역에서의 제1 두께는 상기 엣지 영역에서의 제2 두께 보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 유기층은 모노머(monomer)를 중합하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 더미 패턴은 상기 비아 절연층에 형성되는 하나 이상의 홈(groove)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 엣지 영역은 상기 중간 영역에 인접하는 제1 엣지 영역과 상기 주변 영역에 인접하는 제2 엣지 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 엣지 영역에서의 상기 더미 패턴의 홈의 개수는 상기 제1 엣지 영역에서의 상기 더미 패턴의 홈의 개수보다 많을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 엣지 영역은 상기 중간 영역에 인접하는 제1 엣지 영역과 상기 주변 영역에 인접하는 제2 엣지 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 엣지 영역에서의 상기 더미 패턴은 제1 깊이를 갖고, 상기 제2 엣지 영역에서 상기 더미 패턴은 상기 제1 깊이 보다 큰 제2 깊이를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 더미 패턴은 상기 비아 절연층에 형성되고, 상기 비아홀을 둘러싸는 고리형 트렌치(trench)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 비아홀들을 통해 상기 SD 패턴들과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 제1 전극들, 상기 제1 전극들 상에 배치되는 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 엣지 영역에서, 상기 제1 전극은 상기 더미 패턴과 중첩하게 배치되어, 상기 더미 패턴에 대응하는 요철이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 전극이 배치된 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 전극을 노출하는 개구가 형성된 화소 정의막을 더 포함할 수 있다. 상기 화소 정의막은 상기 비아홀 및 상기 더미 패턴과 중첩하게 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 중간 영역에서의 상기 비아홀은 제1 폭을 갖고, 상기 중간 영역에서의 상기 비아홀은 상기 제1 폭 보다 큰 제2 폭을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 더미 패턴은 상기 비아 절연층에 형성되는 홈(groove) 또는 트렌치(trench)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 엣지 영역에서, 상기 주변 영역에 점차적으로 인접할수록 상기 더미 패턴의 크기가 점차적으로 커질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 엣지 영역에서 상기 유기층의 반사율은 상기 중간 영역에서 상기 유기층의 반사율보다 높을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 엣지 영역에서 상기 표시 장치의 두께는 상기 중간 영역에서의 상기 표시 장치의 두께 보다 작을 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 중간 영역 및 엣지 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 상기 중간 영역 및 상기 엣지 영역에 각각 배치되는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되는 절연층, 상기 절연층 상에 배치되고, 각각의 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 복수의 SD 패턴, 및 상기 SD 패턴이 배치된 상기 절연층 상에 배치되고, 각각의 상기 SD 패턴을 노출하는 비아홀이 형성된 비아 절연층을 포함한다. 상기 엣지 영역은 상기 주변 영역과 상기 중간 영역 사이에 배치된다. 상기 중간 영역에 배치되는 상기 비아홀은 제1 폭을 갖고, 상기 엣지 영역에 배치되는 상기 비아홀은 상기 제1 폭 보다 큰 제2 폭을 갖는다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되고, 비아홀 및 상기 비아홀 주변에 더미 패턴이 형성된 비아 절연층, 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 비아홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판은 중간 영역 및 엣지 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하고, 상기 엣지 영역은 상기 주변 영역과 상기 중간 영역 사이에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층은 상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함할 수 있다. 상기 유기층의 상기 중간 영역에서의 제1 두께는 상기 엣지 영역에서의 제2 두께 보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 더미 패턴은 상기 비아 절연층에 형성되는 하나 이상의 홈(groove) 또는 트렌치(trench)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 영역에는 복수의 화소 구조가 매트릭스 형태로 배치되고, 각각의 화소 구조는 상기 박막 트랜지스터, 상기 비아홀 및 상기 제1 전극을 포함할 수 있다. 상기 중간 영역에서는 상기 비아홀 주변에 더미 패턴이 형성되지 않고, 상기 엣지 영역에서는 상기 비아홀 주변에 상기 더미 패턴이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하고, 상기 표시 영역은 엣지 영역과 중간 영역을 포함한다. 상기 중간 영역에서, 박막 봉지층의 유기층은 비아홀 상에서 제1 높이를 가진다. 상기 엣지 영역에서 상기 유기층은 비아홀 상에서 제1 높이 보다 작은 제2 높이를 가진다. 상기 엣지 영역에서, 더미 패턴이 형성되거나, 상기 비아홀의 크기(폭) 및 깊이(높이)를 상기 중간 영역과 달리하여, 반사율 편차를 보상할 수 있다. 이에 따라, 특별한 추가 공정 없이 상기 비아홀 주변에 더미 패턴을 형성하는 것 만으로 간단히 반사율에 대한 산포 제어가 가능하다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 3a는 도 2의 표시 장치의 중간 영역(MA)에서의 단면도이다.
도 3b는 도 2의 표시 장치의 엣지 영역(EA)에서의 단면도이다.
도 4는 도 3b의 표시 장치의 비아홀(VIA) 및 그 주변의 더미 패턴(DM)의 형상을 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 비아홀(VIA) 및 그 주변의 더미 패턴(DM)의 형상을 도시한 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 중간 영역(MA)에서의 단면도이다.
도 3b는 도 3a의 표시 장치의 엣지 영역(EA)에서의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 부분 단면도이다.
도 8은 도 7의 표시 장치의 표시 영역(DA), 제1 엣지 영역(EA1), 제2 엣지 영역(EA2) 및 제3 엣지 영역(EA3)에서의 비아홀(VIA) 및 그 주변의 더미 패턴(DM)의 형상을 도시한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역(DA), 제1 엣지 영역(EA1), 제2 엣지 영역(EA2) 및 제3 엣지 영역(EA3)에서의 비아홀(VIA) 및 그 주변의 더미 패턴(DM)의 형상을 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 12a는 도 11의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12b는 도 11의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 상기 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역(DA) 및 상기 표시 영역(DA)에 인접하고 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역인 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역(DA)은 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)이루는 평면상에 직사각형 형태로 형성될 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 표시 영역(DA)에 배치되고, 영상을 표시 하기 위해 매트릭스 형태로 배치되고 박막 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소 구조들 및 상기 화소들과 전기적으로 연결되는 복수의 데이터 라인들(미도시) 및 상기 데이터 라인(미도시)들과 교차하는 스캔 라인들을 포함할 수 있다. 상기 표시 영역(DA)은 중간 영역(MA)과 상기 표시 영역(DA)의 가장자리 부분인 엣지 영역(EA)을 포함할 수 있다. 상기 엣지 영역(EA)은 상기 중간 영역(MA)과 상기 주변 영역(PA) 사이에 배치될 수 있다.
상기 주변 영역(PA)은 비표시 영역으로, 상기 표시 영역(DA)에 인접하여, 상기 표시 영역(DA)의 가장자리를 둘러쌀 수 있다. 상기 주변 영역(PA)에는 상기 표시 영역(DA)의 상기 화소 구조들을 구동하기 위한 회로 구조가 형성될 수 있다. 상기 주변 영역(PA)의 일측에는 구동 회로 칩(미도시)이 실장되거나, 외부 구동부 기판이 연결되기 위한 패드부(PAD)가 형성될 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 박막 봉지층(TFE) 및 이들 사이에 형성되는 구조물을 포함할 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 도 3a 및 3b에서 후술한다.
상기 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기층(도 3a의 220 참조)을 포함할 수 있다. 상기 유기층은 모노머(monomer)의 중합에 의해 형성될 수 있다. 이때, 상기 유기층의 형성과정에서 상기 모노머의 reflow 현상에 의해, 도면에 도시되 바와 같이, 상기 표시 장치의 표시 영역(DA)의 중간 영역(MA)과 엣지 영역(EA)에서의 두께 편차가 발생하게 된다. 실험에 의하면, 상기 유기층의 상기 중간 영역(MA)과 상기 엣지 영역(EA)에서의 두께 차이는 약 4um 정도 발생하며, 종래의 표시 장치에 따르면, 상기 중간 영역(MA)과 상기 엣지 영역(EA)에서의 광 특성 차이가 발생하여, 표시 품질의 저하를 야기할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 중간 영역(MA)과 상기 엣지 영역(EA)에서의 광 특성 차이에 따른 표시 품질 저하를 방지하기 위해, 상기 엣지 영역(EA)에 더미 패턴(도 3b의 DM 참조)을 다양한 방식으로 형성한다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.
도 3a는 도 2의 표시 장치의 중간 영역(MA)에서의 단면도이다. 상기 표시 장치는 상기 중간 영역(MA)에서 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터(TFT), 절연층(110), SD 패턴(SD), 비아 절연층(120), 발광 구조물(180), 화소 정의막(PDL) 및 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 투명한 또는 불투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 베이스 기판(100)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 상기 베이스 기판(100)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)가 상기 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 비정질 실리콘 반도체, 결정질 실리콘 반도체, 산화물 반도체 등을 포함하는 알려진 다양한 트랜지스터 구조를 포함할 수 있다.
상기 절연층(110)이 상이 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 절연층(110)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 각 구성들을 서로 절연하는 복수의 절연층 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(110)은 게이트 절연층 및 층간 절연층 등을 포함할 수 있다. 상기 절연층(110)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 SD 패턴(SD)이 상기 절연층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 SD 패턴(SD)은 상기 절연층(120)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 SD 패턴(SD)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 SD 패턴(SD)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 비아 절연층(120)은 상기 SD 패턴(SD)이 형성된 상기 절연층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 SD 패턴(SD)을 노출하는 비아홀(VIA)이 상기 비아 절연층(120)을 통해 형성될 수 있다. 상기 비아 절연층(120)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 상기 비아 절연층(120)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등의 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 발광 구조물(180)은 제1 전극(181), 발광층(182) 및 제2 전극(183)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(181)은 상기 비아 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(181)은 상기 비아 절연층(120)의 상기 비아홀(VIA)을 통해 상기 SD 패턴(SD)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제1 전극(181)은 반사성을 갖는 물질 또는 투광성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극(181)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(181)이 배치된 상기 비아 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 화소 정의막(PDL)을 식각하여 상기 제1 전극(181)을 부분적으로 노출시키는 개구(opening)를 형성할 수 있다. 이러한 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 의해 상기 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역이 정의될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)의 개구가 위치하는 부분이 상기 발광 영역에 해당될 수 있으며, 상기 비발광 영역은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 인접하는 부분에 해당될 수 있다.
상기 발광층(182)은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(181)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광층(182)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층(182)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 유기 발광층을 제외하고, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 등은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성될 수 있다. 상기 발광층(182)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광층(182)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다. 이때, 상기 발광 구조물들은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성되고, 상기 컬러 필터층에 의해 각각의 화소들이 구분될 수 있다.
상기 제2 전극(183)은 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 발광층(182) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제2 전극(183)은 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극(183)도 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 박막 봉지층(TFE)이 상기 제2 전극(183) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 외부의 습기 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 구비할 수 있다. 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층은 서로 교번적으로 적층될 수 있다. 즉, 상기 박막 봉지층(TFE)은 상기 제2 전극(183) 상에 배치되는 제1 무기층(210), 상기 제1 무기층(210) 상에 배치되는 유기층(220) 및 상기 유기층(220) 상에 배치되는 제2 무기층(230)을 포함할 수 있다.
상기 유기층(220)은 상기 비아홀(VIA) 상에서 제1 높이(h1)를 가질 수 있다. 상기 유기층(220)은 펜타브로모페닐 알크릴레이트[pentabromophenyl acrylate], 2-(9H-카바졸-9일) 에틸메타크릴레이트[2-(9H-Carbazol-9-yl) ethyl methacrylate], N-비닐카바졸[N-vinylcarbazole], 비스(메타크릴로일티오페닐) 설파이드[Bis (methacryloylthiophenyl) sulfide] 및 지르코늄 아크릴레이트[zirconium acrylate]로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 모노머가 중합되어 이루어질 수 있다.
상기 제1 및 제2 무기층(210, 230)은 AlxOy, TiOx, ZrOx, SiOx, AlOxNy, AlxNy, SiOxNy, SixNy, ZnOx, 및 TaxOy 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다.
도 3b는 도 2의 표시 장치의 엣지 영역(EA)에서의 단면도이다. 도 4는 도 3b의 표시 장치의 비아홀(VIA) 및 그 주변의 더미 패턴(DM)의 형상을 도시한 평면도이다.
도 3b 및 4를 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 엣지 영역(EA)에서 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터(TFT), 절연층(110), SD 패턴(SD), 비아 절연층(120), 발광 구조물(180), 화소 정의막(PDL) 및 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(180)은 제1 전극(181), 발광층(182) 및 제2 전극(183)을 포함할 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(210), 유기층(220) 및 제2 무기층(230)을 포함할 수 있다.
상기 엣지 영역(EA)에서의 화소 구조는 상기 중간 영역(MA)에서의 화소 구조와 비아 절연층(120)의 더미 패턴(DM), 및 박막 봉지층(TFE)의 상기 유기층(220)의 높이(두께)를 제외하고 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 엣지 영역(EA)에서 상기 박막 봉지층(TFE)의 상기 유기층(220)은 비아홀(VIA) 상에서 제2 높이(h2)를 가질 수 있다. 상기 제2 높이(h2)는 상기 제1 높이(h1) 보다 작다. 이는 전술한 바와 같이, 상기 유기층(220)은 모노머(monomer)의 중합에 의해 형성될 수 있으며, 상기 유기층(220)의 형성과정에서 상기 모노머의 reflow 현상에 의해, 중간 영역(도 3a의 MA 참조)과 상기 엣지 영역(EA)에서의 높이(두께) 편차가 발생하기 때문이다.
여기서, 상기 높이 차이 때문에, 상기 표시 장치의 상기 중간 영역과 상기 엣지 영역(EA)에서의 반사율 차이가 발생하는 것을 확인하였다. 이는 상기 유기층(220)이 두꺼울수록 투과율이 낮아져 흡수되는 광량이 많아지고, 이에 따라 상기 유기층(220)의 두께가 두꺼운 부분인 상기 중간 영역의 반사율이 상기 유기층(220)의 두께가 얇은 부분인 상기 엣지 영역(EA)의 반사율 보다 낮음을 알 수 있다. 이는 아래 여러가지 샘플에 대한 반사율을 측정한 <표1>에 나타나 있다.
<표1>
[여기서 MN(8)은 유기층의 높이가 8um, MN(4)는 유기층의 높이가 4um, SCI는 정반사광을 포함한 반사율, SCE는 정반사광을 제거한 반사율]
상기 반사율 차이를 보상하기 위해, 상기 비아홀(VIA)의 크기(폭) 및 깊이(높이)를 변경하여, 반사율에 영향을 줄 수 있는지 실험해 보았는데, 도 10a 및 도 10b의 그래프와 같이, 상기 비아홀(VIA)의 크기 또는 깊이가 커짐에 따라, 반사율이 낮아지는 것을 확인하였으며, 본 발명에서는, 이를 이용하여 상기 유기막(220) 두께 편차에 따른 반사율 보상을 제안하고 있다.
상기 비아 절연층(120)에는 상기 더미 패턴(DM)이 비아홀(VIA)의 주변에 형성될 수 있다. 상기 더미 패턴(DM)은 상기 비아 절연층(120) 상면에 상기 비아홀(VIA) 주변에 형성되는 복수의 홈(groove)일 수 있다. 상기 더미 패턴(DM)에 의해, 상기 비아 절연층(120)의 폭이 커지는 것과 유사한 효과를 얻을 수 있다. 구체적으로, 상기 비아 절연층(120) 상의 상기 제1 전극(181)이 상기 더미 패턴(DM)에 의해 요철을 형성하고, 상기 요철이 난반사를 야기하여, 상기 더미 패턴(DM)이 형성된 상기 엣지 영역(EA)에서 반사율을 낮추는 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 상기 엣지 영역(EA)과 상기 중간 영역에서의 반사율 편차를 보상할 수 있다.
상기 엣지 영역(EA)에서, 상기 제1 전극(181)은 상기 더미 패턴(DM)과 중첩하게 배치되어, 상기 더미 패턴(DM)에 대응하는 요철이 형성될 수 있다. 상기 더미 패턴(DM) 상에는 상기 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 비아홀(VIA) 및 그 주변의 더미 패턴(DM)의 형상을 도시한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 더미 패턴(DM)의 형상을 제외하고 도 1 내지 4의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 더미 패턴(DM)은 상기 비아홀(VIA)을 둘러싸는 고리형 트렌치(trench)일 수 있다. 한편, 상기 더미 패턴(DM)의 모양 및 형상은 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 중간 영역(MA)에서의 단면도이다. 도 3b는 도 3a의 표시 장치의 엣지 영역(EA)에서의 단면도이다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 상기 표시 장치는 중간 영역(MA) 및 엣지 영역(EA)에서, 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터(TFT), 절연층(110), SD 패턴(SD), 비아 절연층(120), 발광 구조물(180), 화소 정의막(PDL) 및 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(180)은 제1 전극(181), 발광층(182) 및 제2 전극(183)을 포함할 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(210), 유기층(220) 및 제2 무기층(230)을 포함할 수 있다.
상기 중간 영역(MA)에서 비아홀(VIA)은 제1 폭(w1)을 갖고, 상기 유기층(220)은 제1 높이(h1)를 가질 수 있다. 상기 엣지 영역(EA)에서 비아홀(VIA)은 제1 폭(w1)보다 큰 제2 폭(w2)을 갖고, 상기 유기층(220)은 제1 높이(h1)보다 작은 제2 높이(h2)를 가질 수 있다. 상기 제2 폭(w2)이 상기 제1 폭(w1) 보다 크므로, 상기 엣지 영역(EA)과 상기 중간 영역에서의 반사율 편차를 보상할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 부분 단면도이다. 도 8은 도 7의 표시 장치의 표시 영역(DA), 제1 엣지 영역(EA1), 제2 엣지 영역(EA2) 및 제3 엣지 영역(EA3)에서의 비아홀(VIA) 및 그 주변의 더미 패턴(DM)의 형상을 도시한 평면도이다.
도 7 내지 8을 참조하면, 상기 표시 장치는 제1 엣지 영역(EA), 제2 엣지 영역(EA2) 및 제3 엣지 영역(EA3)을 포함하는 엣지 영역(EA)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 엣지 영역들(EA1, EA2, EA3)은 표시 영역(DA)에서 주변 영역(PA) 방향으로 순차적으로 배치될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제1 내지 제3 엣지 영역들(EA1, EA2, EA3)에서의 더미 패턴(DM)의 크기 또는 개수가 서로 다른 것을 제외하고, 도 1 내지 4의 표시 장치와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 영역(DA) 내에서는 비아홀(VIA) 주변에 더미 패턴이 형성되지 않을 수 있다. 상기 표시 영역(DA) 내에서의 박막 봉지층(TFE)의 유기층은 제1 높이(h1)를 가질 수 있다. (a)
상기 제1 엣지 영역(EA1)에서는 비아홀(VIA) 주변에 세개의 홈을 포함하는 더미 패턴(DM)이 형성될 수 있다. 상기 제1 엣지 영역(EA1) 내에서의 상기 박막 봉지층(TFE)의 상기 유기층은 상기 제1 높이(h1) 보다 작은 제2 높이(h2)를 가질 수 있다. (b)
상기 제2 엣지 영역(EA2)에서는 비아홀(VIA) 주변에 여섯개의 홈을 포함하는 더미 패턴(DM)이 형성될 수 있다. 상기 제2 엣지 영역(EA2) 내에서의 상기 박막 봉지층(TFE)의 상기 유기층은 상기 제2 높이(h2) 보다 작은 제3 높이(h3)를 가질 수 있다. (c)
상기 제3 엣지 영역(EA3)에서는 비아홀(VIA) 주변에 아홉개의 홈을 포함하는 더미 패턴(DM)이 형성될 수 있다. 상기 제3 엣지 영역(EA3) 내에서의 상기 박막 봉지층(TFE)의 상기 유기층은 상기 제3 높이(h3) 보다 작은 제4 높이(h4)를 가질 수 있다. (d)
즉, 본 실시예에 따르면, 상기 엣지 영역(EA)에서 상기 박막 봉지층(TFT)의 상기 유기층의 두께가 작아질수록, 상기 더미 패턴(DM)의 크기 또는 개수가 커지도록 형성되어, 상기 유기층 두께에 따른 반사율 편차를 보상할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역(DA), 제1 엣지 영역(EA1), 제2 엣지 영역(EA2) 및 제3 엣지 영역(EA3)에서의 비아홀(VIA) 및 그 주변의 더미 패턴(DM)의 형상을 도시한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 제1 내지 제3 엣지 영역들(EA1, EA2, EA3)에서의 더미 패턴(DM)의 깊이가 서로 다른 것을 제외하고, 도 7 및 8의 표시 장치와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 영역(DA) 내에서는 비아홀(VIA) 주변에 더미 패턴이 형성되지 않을 수 있다. (a)
상기 제1 엣지 영역(EA1)에서는 비아홀(VIA) 주변에 제1 깊이(d1)를 갖는 더미 패턴(DM)이 형성될 수 있다. (b)
상기 제2 엣지 영역(EA2)에서는 비아홀(VIA) 주변에 상기 제1 깊이(d1) 보다 큰 제2 깊이(d2)를 갖는 더미 패턴(DM)이 형성될 수 있다. (c)
상기 제3 엣지 영역(EA3)에서는 비아홀(VIA) 주변에 상기 제2 깊이(d2) 보다 큰 제3 깊이(d3)를 갖는 더미 패턴(DM)이 형성될 수 있다. (d)
즉, 본 실시예에 따르면, 상기 엣지 영역(EA)에서 상기 박막 봉지층(TFT)의 상기 유기층의 두께가 작아질수록, 상기 더미 패턴(DM)의 깊이가 커지도록 형성되어, 상기 유기층 두께에 따른 반사율 편차를 보상할 수 있다.
한편, 상기 주변 영역에 점차적으로 인접할수록 상기 더미 패턴의 크기 또는 깊이가 점차적으로 커지도록 형성되는 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따르면, 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역 및
주변 영역을 포함하고, 상기 표시 영역은 엣지 영역과 중간 영역을 포함한다. 상기 중간 영역에서, 박막 봉지층의 유기층은 비아홀 상에서 제1 높이를 가진다. 상기 엣지 영역에서 상기 유기층은 비아홀 상에서 제1 높이 보다 작은 제2 높이를 가진다. 상기 엣지 영역에서, 더미 패턴이 형성되거나, 상기 비아홀의 크기(폭) 및 깊이(높이)를 상기 중간 영역과 달리하여, 반사율 편차를 보상할 수 있다. 이에 따라, 특별한 추가 공정 없이 상기 비아홀 주변에 더미 패턴을 형성하는 것 만으로 간단히 반사율에 대한 산포 제어가 가능하다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 12a는 도 11의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이며, 도 12b는 도 11의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 11 내지 도 12b를 참조하면, 전자 기기(500)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550) 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 표시 장치(560)는 도 1의 표시 장치에 상응할 수 있다. 상기 전자 기기(500)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 11a에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서 상기 전자 기기(500)는 그에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 전자 기기(500)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
상기 프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(Application Processor; AP) 등일 수 있다. 상기 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 상기 메모리 장치(520)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 메모리 장치(520)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 상기 스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 상기 파워 서플라이(550)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.
상기 표시 장치(560)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 표시 장치(560)는 상기 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다. 상술한 바와 같이, 상기 표시 장치(560)는 엣지 영역에서 더미 패턴이 형성되거나, 비아홀의 크기(폭) 및 깊이(높이)를 조절하여, 표시 영역 전체에 대해, 반사율 편차를 보상할 수 있다. 이에 따라, 특별한 추가 공정 없이 상기 비아홀 주변에 더미 패턴을 형성하는 것 만으로 간단히 반사율에 대한 산포 제어가 가능하다. 다만, 이에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 휴대폰, 스마트폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 절연층
120: 비아 절연층 180: 발광 구조물
210, 230: 제1 및 제2 무기층 220: 유기층
TFT: 박막 트랜지스터 SD: SD 패턴
VIA: 비아홀 PDL: 화소 정의막
TFE: 박막 봉지층

Claims (20)

  1. 중간 영역 및 엣지 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 상기 중간 영역 및 상기 엣지 영역에 각각 배치되는 복수의 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상에 배치되는 절연층;
    상기 절연층 상에 배치되고, 각각의 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 복수의 SD 패턴; 및
    상기 SD 패턴이 배치된 상기 절연층 상에 배치되고, 각각의 상기 SD 패턴을 노출하는 비아홀이 형성된 비아 절연층을 포함하고,
    상기 엣지 영역은 상기 주변 영역과 상기 중간 영역 사이에 배치되고, 상기 엣지 영역에 배치되는 상기 비아홀의 주변에는 더미 패턴이 상기 비아 절연층에 형성되며,
    상기 엣지 영역에서의 표시 장치의 두께는 상기 중간 영역에서의 상기 표시 장치의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 비아홀들을 통해 상기 SD 패턴들과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 제1 전극들;
    상기 제1 전극들 상에 배치되는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극 상에 배치되는 박막 봉지층을 더 포함하고,
    상기 박막 봉지층은 상기 비아 절연층 상에 배치되는 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고,
    상기 유기층의 상기 중간 영역에서의 제1 두께는 상기 엣지 영역에서의 제2 두께 보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 유기층은 모노머(monomer)를 중합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 더미 패턴은 상기 비아 절연층에 형성되는 하나 이상의 홈(groove)인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 엣지 영역은 상기 중간 영역에 인접하는 제1 엣지 영역과 상기 주변 영역에 인접하는 제2 엣지 영역을 포함하고,
    상기 제2 엣지 영역에서의 상기 더미 패턴의 홈의 개수는 상기 제1 엣지 영역에서의 상기 더미 패턴의 홈의 개수보다 많은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 엣지 영역은 상기 중간 영역에 인접하는 제1 엣지 영역과 상기 주변 영역에 인접하는 제2 엣지 영역을 포함하고,
    상기 제1 엣지 영역에서의 상기 더미 패턴은 제1 깊이를 갖고, 상기 제2 엣지 영역에서 상기 더미 패턴은 상기 제1 깊이 보다 큰 제2 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 더미 패턴은 상기 비아 절연층에 형성되고, 상기 비아홀을 둘러싸는 고리형 트렌치(trench)인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 비아홀들을 통해 상기 SD 패턴들과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 제1 전극들;
    상기 제1 전극들 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 엣지 영역에서, 상기 제1 전극은 상기 더미 패턴과 중첩하게 배치되어, 상기 더미 패턴에 대응하는 요철이 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 전극이 배치된 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 전극을 노출하는 개구가 형성된 화소 정의막을 더 포함하고,
    상기 화소 정의막은 상기 비아홀 및 상기 더미 패턴과 중첩하게 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 중간 영역에서의 상기 비아홀은 제1 폭을 갖고, 상기 엣지 영역에서의 상기 비아홀은 상기 제1 폭 보다 큰 제2 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 더미 패턴은 상기 비아 절연층에 형성되는 홈(groove) 또는 트렌치(trench)인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 엣지 영역에서, 상기 주변 영역에 점차적으로 인접할수록 상기 더미 패턴의 크기가 점차적으로 커지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제2 항에 있어서,
    상기 엣지 영역에서 상기 유기층의 반사율은 상기 중간 영역에서 상기 유기층의 반사율보다 높은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 삭제
  16. 중간 영역 및 엣지 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 상기 중간 영역 및 상기 엣지 영역에 각각 배치되는 복수의 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상에 배치되는 절연층;
    상기 절연층 상에 배치되고, 각각의 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 복수의 SD 패턴; 및
    상기 SD 패턴이 배치된 상기 절연층 상에 배치되고, 각각의 상기 SD 패턴을 노출하는 비아홀이 형성된 비아 절연층을 포함하고,
    상기 엣지 영역은 상기 주변 영역과 상기 중간 영역 사이에 배치되고, 상기 중간 영역에 배치되는 상기 비아홀은 제1 폭을 갖고, 상기 엣지 영역에 배치되는 상기 비아홀은 상기 제1 폭 보다 큰 제2 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상에 배치되고, 비아홀 및 상기 비아홀 주변에 더미 패턴이 형성된 비아 절연층;
    상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 비아홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극 상에 배치되는 박막 봉지층을 포함하고,
    상기 베이스 기판은 중간 영역 및 엣지 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하고, 상기 엣지 영역은 상기 주변 영역과 상기 중간 영역 사이에 배치되며,
    상기 박막 봉지층은 상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고,
    상기 유기층의 상기 중간 영역에서의 제1 두께는 상기 엣지 영역에서의 제2 두께 보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 삭제
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 더미 패턴은 상기 비아 절연층에 형성되는 하나 이상의 홈(groove) 또는 트렌치(trench)인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 표시 영역에는 복수의 화소 구조가 매트릭스 형태로 배치되고, 각각의 화소 구조는 상기 박막 트랜지스터, 상기 비아홀 및 상기 제1 전극을 포함하고,
    상기 중간 영역에서는 상기 비아홀 주변에 더미 패턴이 형성되지 않고,
    상기 엣지 영역에서는 상기 비아홀 주변에 상기 더미 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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