CN107464776B - 一种显示面板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置，该制作方法，包括：在衬底基板上形成一层金属层的图形，以及位于金属层之上的至少一层绝缘层；对各绝缘层进行刻蚀，形成贯穿各绝缘层的至少一个过孔；在绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形，且金属氧化物导电层通过各过孔与金属层电性连接；采用还原性气体，对位于过孔内的金属氧化物导电层进行等离子体处理，以使金属氧化物导电层在与金属层接触的表面还原出金属颗粒。本发明实施例提供的制作方法，通过采用还原性气体对过孔内的金属氧化物导电层进行等离子体处理，使金属氧化物导电层与金属层接触的表面还原出金属颗粒，从而降低了接触电阻，提高了显示效果。

Description

一种显示面板、其制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示屏或触摸屏已经广泛应用于人们的生活中，其中，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在市场中占据重要地位。有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，也已经被广泛应用于市场中。
现有技术中，金属氧化物导电层在与金属层接触时，在接触界面处，金属氧化物导电层中的金属氧化物容易将金属层表面处的金属氧化，造成界面处的接触阻抗较高，影响显示器件的性能，例如导致信号传输延迟，影响显示画面。
例如，阵列基板中的像素电极层一般由透明导电材料氧化铟锡(Indium tinoxide，ITO)制作，像素电极层中的像素电极在显示区域中通过过孔与薄膜晶体管的漏极相连，在非显示区域中，通过过孔与数据(data)线连接，像素电极在于漏极或数据线接触的界面处，氧化铟锡容易氧化接触界面处的金属，造成接触界面处的接触阻抗较高。
因此，如何降低金属氧化物导电层与金属层的接触电阻是急需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置，用以解决现有技术中存在的金属氧化物导电层与金属层的接触电阻较高的问题。
本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成一层金属层的图形，以及位于所述金属层之上的至少一层绝缘层；
对各所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿各所述绝缘层的至少一个过孔；
在所述绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形，且所述金属氧化物导电层通过各所述过孔与所述金属层电性连接；
采用还原性气体，对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理，以使所述金属氧化物导电层在与所述金属层接触的表面还原出金属颗粒。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的制作方法中，所述在所述绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形，包括：
在所述绝缘层之上形成金属氧化物导电层，以及位于所述金属氧化物导电层之上的光刻胶层；
对所述光刻胶层进行光刻，形成位于所述光刻胶层的光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域，以及光刻胶完全去除区域；所述光刻胶完全保留区域对应于所述金属氧化物导电层位于所述绝缘层的图形之上的图形，所述光刻胶部分保留区域对应于所述金属氧化物导电层位于各所述过孔内的图形，所述光刻胶完全去除区域对应于所述金属氧化物导电层的图形以外的区域；
对所述金属氧化物导电层进行刻蚀处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的制作方法中，所述采用还原性气体，对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理，包括：
采用灰化工艺去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶层；
采用还原性气体，对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的制作方法中，所述采用灰化工艺去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶层，包括：
通过等离子体工艺，以六氟化硫和氧气为工作气体，采用灰化工艺去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的制作方法中，所述采用还原性气体，对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理，包括：
采用氢气，氯气，一氧化碳，硫化氢，溴化氢，甲烷，二氧化硫中的一种或多种气体，对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的制作方法中，所述对所述光刻胶层进行光刻，包括：
采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版，对所述光刻胶层进行光刻。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括：衬底基板，分别位于所述衬底基板上的金属层，至少一层绝缘层以及金属氧化物导电层；其中，
各所述绝缘层位于所述金属层与所述金属氧化物导电层之间；
所述金属氧化物导电层通过至少一个贯穿各所述绝缘层的过孔与所述金属层电性连接；
所述金属氧化物导电层在与所述金属层接触的表面，存在所述金属氧化物导电层还原出的金属颗粒。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的显示面板中，所述显示面板，包括：显示区域和非显示区域；
所述显示区域，包括：多个薄膜晶体管；
所述金属层，包括：各所述薄膜晶体管的源极和漏极；
所述金属氧化物导电层，包括：多个像素电极；
所述过孔，包括：用于导通所述像素电极与对应的所述漏极的第一过孔。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的显示面板中，所述金属层，还包括：位于所述非显示区域的多条数据线；
所述过孔，还包括：用于导通所述数据线与对应的所述像素电极的第二过孔。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：如上述显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的显示面板、其制作方法及显示装置，该制作方法，包括：在衬底基板上形成一层金属层的图形，以及位于金属层之上的至少一层绝缘层；对各绝缘层进行刻蚀，形成贯穿各绝缘层的至少一个过孔；在绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形，且金属氧化物导电层通过各过孔与金属层电性连接；采用还原性气体，对位于过孔内的金属氧化物导电层进行等离子体处理，以使金属氧化物导电层在与金属层接触的表面还原出金属颗粒。本发明实施例提供的制作方法，通过采用还原性气体对过孔内的金属氧化物导电层进行等离子体处理，使金属氧化物导电层与金属层接触的表面还原出金属颗粒，从而提高了金属层与金属氧化物导电层之间的导电性能，降低了接触电阻，以提高显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图之一；
图2为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图之二；
图3为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图之三；
图4a～图4h以及图5a～图5g为本发明实施例中显示面板的制作方法的结构示意图；
其中，201、衬底基板；202、金属层；203、绝缘层；204、金属氧化物导电层；205、光刻胶层；206、栅极；207、栅极绝缘层；208、有源层；209、有机膜层；210、公共电极层；211、钝化层；212、数据线；213、源漏金属层；300、过孔；300a、第一过孔；300b、第二过孔；301、光刻胶完全保留区域；302、光刻胶部分保留区域；303、光刻胶完全去除区域。
具体实施方式
针对现有技术中存在的金属氧化物导电层与金属层的接触电阻较高的问题，本发明实施例提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置。
下面结合附图，对本发明实施例提供的显示面板、其制作方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，如图1所示，包括：
S101、在衬底基板201上形成一层金属层202的图形，以及位于金属层202之上的至少一层绝缘层203，如图4a所示；
S102、对各绝缘层203进行刻蚀，形成贯穿各绝缘层203的至少一个过孔300，如图4b所示；
S103、在绝缘层203之上形成金属氧化物导电层204的图形，且金属氧化物导电层204通过各过孔300与金属层202电性连接，如图4e所示；
S104、采用还原性气体，对位于过孔300内的金属氧化物导电层204进行等离子体处理，以使金属氧化物导电层204在与金属层202接触的表面还原出金属颗粒，如图4g所示。
本发明实施例提供的制作方法，通过采用还原性气体对过孔300内的金属氧化物导电层204进行等离子体处理，使金属氧化物导电层204与金属层202接触的表面还原出金属颗粒，从而提高了金属层202与金属氧化物导电层204之间的导电性能，降低了接触电阻，以提高显示效果。
在具体实施时，上述步骤S101中，上述金属层202的材料可以为金属材料，例如铜或铝等材料，也可以是其他导电材料，例如石墨烯等，此次只是举例说明，并不对金属层202的材料进行限定，图4a中以绝缘层203为一层为例进行示意，在具体实施时，也可以根据实际需要设置绝缘层203的层数，也可以根据实际需要选择有机材料或无机材料制作绝缘层203，此次不对绝缘层203的层数和材料进行限定。
上述步骤S102中，当具有多个过孔300时，可以采用一次构图工艺形成贯穿各绝缘层203的各通孔。对绝缘层203的镀膜和构图工艺优选为采用低温工艺，温度范围最好控制在40℃～50℃，以免温度过高对其他膜层产生影响。
上述步骤S103中，可以采用磁控溅射的方法形成金属氧化物导电层204，金属氧化物导电层204的材料优选为透明材料，例如氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)，也可以采用其他材料，此次不对金属氧化物导电层204的材料进行限定。该金属氧化物导电材料可以用作公共电极层或像素电极层，可以通过一次构图工艺，形成公共电极层的图形或像素电极层的图形。
上述步骤S104中，采用还原性气体对过孔300内的金属氧化物导电层204进行等离子体处理后，可以增加金属氧化物导电层204中的氧空位，通过控制还原性气体的浓度和等离子体处理时间，可以控制金属氧化物导电层204与金属层202接触的表面还原出金属颗粒，从而降低两个膜层之间的接触电阻，提高导电性能，进一步提高显示效果。
在实际应用中，用于导通金属层202与金属氧化物导电层204的过孔300，一般位于显示面板的非显示区域，如果过孔300位置出现漏光会影响显示区域的显示效果，上述步骤S104中，通过还原性气体对过孔300内的金属氧化物导电层204进行等离子体处理后，还原性气体可以将金属氧化物导电层204中的金属还原出来，形成的大量的金属颗粒会使该位置的金属氧化物导电层204的透过率极大地降低，因而，还原出的金属颗粒也可以起到防止漏光的作用。
具体地，本发明实施例提供的上述制作方法中，如图2所示，上述步骤S103中，在绝缘层203之上形成金属氧化物导电层204的图形，可以包括：
S1031、在绝缘层203之上形成金属氧化物导电层204，以及位于金属氧化物导电层204之上的光刻胶层205，如图4c所示；
S1032、对光刻胶层205进行光刻，形成位于光刻胶层205的光刻胶完全保留区域301、光刻胶部分保留区域302，以及光刻胶完全去除区域303，如图4d所示；光刻胶完全保留区域301对应于金属氧化物导电层204位于绝缘层203的图形之上的图形，光刻胶部分保留区域302对应于金属氧化物导电层204位于各过孔300内的图形，光刻胶完全去除区域303对应于金属氧化物导电层204的图形以外的区域；
在对金属氧化物导电层进行刻蚀时，光刻胶完全保留区域301用于制作金属氧化物导电层204位于绝缘层203的图形之上的图形，光刻胶部分保留区域302用于制作金属氧化物导电层204位于各过孔300内的图形。
更具体的，上述步骤S1032中，对光刻胶层205进行光刻，可以包括：
采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版，对光刻胶层205进行光刻。
本发明实施例中，通过采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版，对光刻胶层205进行曝光，使不同位置处的光刻胶层205的曝光程度不同，因而，在对光刻胶层205进行显影后，光刻胶层205不同位置具有不同的厚度，从而得到图4d中的光刻胶完全保留区域301、光刻胶部分保留区域302，以及光刻胶完全去除区域303。
S1033、对金属氧化物导电层204进行刻蚀处理，如图4e所示。
上述步骤S1033中，由于光刻胶层205中的光刻胶完全保留区域301和光刻胶部分保留区域302对不需要刻蚀的金属氧化物导电层204起保护作用，因而，在步骤S1033的刻蚀过程中，只能刻蚀掉光刻胶完全去除区域303的金属氧化物导电层204，从而得到图4e所示的结构。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述制作方法中，如图3所示，上述步骤S104，可以包括：
S1041、采用灰化工艺去除光刻胶部分保留区域302的光刻胶层205，如图4f所示；
S1042、采用还原性气体，对位于过孔300内的金属氧化物导电层204进行等离子体处理，如图4g所示。
具体地，上述步骤S1041，可以包括：
通过等离子体工艺，以六氟化硫和氧气为工作气体，采用灰化工艺去除光刻胶部分保留区域302的光刻胶层205。
在实际应用中，上述步骤S1041中，采用灰化工艺去除光刻胶部分保留区域302的光刻胶层205，同时也会将光刻胶完全保留区域301中的光刻胶进行减薄，因而在上述步骤S1031中优选为涂覆较厚的光刻胶层205。灰化工艺指的是以光刻胶为被刻蚀目标刻蚀掉，由于光刻胶的成分一般为由C、H、O以及N等元素组成的有机物，一般用氧化物与光刻胶层205反应形成CO、CO2、H2O或N2等挥发性物质，即可实现光刻胶层205的刻蚀。
具体地，上述步骤S1042，可以包括：
采用氢气，氯气，一氧化碳，硫化氢，溴化氢，甲烷，二氧化硫中的一种或多种气体，对位于过孔300内的金属氧化物导电层204进行等离子体处理。
参照图4g，以光刻胶层205的完全保留区域为保护层，将上述还原性气体作为工作气体，采用等离子体设备，由于还原性气体等离子体具有很强的还原性，可以将过孔300区域中的金属氧化物的金属还原出来，从而在金属氧化物导电层204中析出金属颗粒，通过控制还原性等离子体的浓度和处理时间，可以控制金属氧化物导电层204靠近金属层202的表面析出金属颗粒，以降低接触界面处的接触电阻，如图4h所示，在等离子体处理后，去除光刻胶完全保留区域301，从而得到显示面板的结构。
以下结合附图，以上述金属氧化物导电层204作为像素电极层为例，对本发明实施例提供的上述显示面板的制作方法进行详细说明：
S101、在衬底基板201上形成一层金属层202的图形，以及位于金属层202之上的至少一层绝缘层203，如图5a所示；
提供一阵列基板，该阵列基板包括：显示区域(如图5a中的A所示的区域)和非显示区域(如图5a中B所示的区域)，该显示区域，包括：衬底基板201，位于衬底基板201之上的薄膜晶体管，位于薄膜晶体管之上的有机膜层209，位于有机膜层209之上的公共电极层210，以及位于公共电极层210之上的钝化层211；其中，薄膜晶体管，包括：位于衬底基板201上的栅极206、栅极绝缘层207、有源层208以及源漏金属层213，其中，源漏金属层213，包括源极S和漏极D，在实际应用中，源极S和漏极D可以互换；该非显示区域，包括：衬底基板201，位于衬底基板201之上的栅极绝缘层207，位于栅极绝缘层207之上的数据线212，以及位于数据线212之上的钝化层211；
参照图5a，源漏金属层213与数据线212可以同层设置，即源漏金属层213与数据线212可以采用同一构图工艺形成，源漏金属层213与数据线212所在的膜层可以为上述金属层；位于显示区域的有机膜层209和钝化层211，以及位于非显示区域的钝化层211可以为上述绝缘层。
S102、同样参照图5a，对各绝缘层进行刻蚀，形成贯穿各绝缘层的至少一个过孔；由于绝缘层一般可以采用有机材料或无机材料，若各绝缘层的材料类似，可以采用同一构图工艺形成各过孔，如图5a所示，过孔，可以包括：位于显示区域的第一过孔300a，以及位于非显示区域的第二过孔300b。
S103、在绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形，且金属氧化物导电层通过各过孔与金属层电性连接；
可以采用磁控溅射或者其他成膜方式，在图5a所示的显示面板的上表面沉积生长透明的ITO膜层作为金属氧化物导电层204，如图5b所示，该ITO膜层作为像素电极层，在显示区域通过第一过孔300a与薄膜晶体管的漏极电连接，在非显示区域通过第二过孔300b与数据线212电连接；
在金属氧化物导电层204形成后，采用涂胶工艺在金属氧化物导电层204之上形成一层光刻胶层205，之后采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶层205进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域301，光刻胶部分保留区域302以及光刻胶完全去除区域303，如图5c所示；
以图5c所示的光刻胶层205为抗刻蚀层，采用湿法刻蚀的方式，对金属氧化物导电层204进行刻蚀，得到金属氧化物导电层204的图形，即得到各像素电极，如图5d所示；
参照图5e，利用等离子体刻蚀设备，以SF6/O2为工作气体，通过灰化工艺处理处理光刻胶层205，将光刻胶部分保留区域302对应的光刻胶层205去除，同时光刻胶完全保留区域301也会被减薄。
S104、采用还原性气体，对位于过孔内的金属氧化物导电层进行等离子体处理，以使金属氧化物导电层在与金属层接触的表面还原出金属颗粒，如图5f所示；
采用等离子体刻蚀设备(可以与灰化工艺采用相同的设备)，采用还原性工作气体，例如，氢气，氯气，一氧化碳，硫化氢，溴化氢，甲烷，二氧化硫中的一种或多中混合，以光刻胶完全保留区域301作为保护层，利用还原性等离子体对过孔300区域的金属氧化物导电层204进行处理，由于上述还原性气体等离子体具有很强的还原性，可以将过孔300区域的像素电极ITO膜层中的金属In还原出来，从而在过孔300区域的像素电极ITO膜层中析出金属小球颗粒，通过控制还原性气体等离子体的浓度或者处理时间，使过孔300区域的像素电极ITO膜层靠近衬底基板201一侧的表面同样析出金属颗粒，像素电极与漏极的接触电阻，以及像素电极与数据线212的接触电阻；
如图5g所示，等离子体处理完成后，去除光刻胶完全保留区域301，从而得到显示面板的结构。由于显示区域中的第一过孔300a深度较大(约1μm～5μm)，因此由于配向不均等原因极易导致第一过孔300a处产生漏光，影响显示面板的显示质量，本发明实施例中，由于过孔处的像素电极ITO膜层中析出了大量的金属颗粒，密布的金属颗粒将会使第一过孔300a处的像素电极ITO膜层的透过率极大地降低，因此，本发明实施例提供的显示面板的制作方法，不仅能减小像素电极与漏极的接触阻抗，而且可以减弱第一过孔300a处的漏光现象，从而提升液晶显示面板的性能。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板。由于该显示面板解决问题的原理与上述显示面板的制作方法相似，因此该显示面板的实施可以参见上述显示面板的制作方法的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的显示面板，如图4h所示，包括：衬底基板201，分别位于衬底基板201上的金属层202，至少一层绝缘层203以及金属氧化物导电层204；其中，
各绝缘层203位于金属层202与金属氧化物导电层204之间；
金属氧化物导电层204通过至少一个贯穿各绝缘层203的过孔300与金属层202电性连接；
金属氧化物导电层204在与金属层202接触的表面，存在金属氧化物导电层204还原出的金属颗粒。
本发明实施例提供的上述显示面板，由于金属氧化物导电层204在与金属层202接触的表面，存在金属氧化物导电层204还原出的金属颗粒，一方面，可以降低金属氧化物导电层204与金属层202之间的接触电阻，提高导电性能，另一方面，还原出的金属颗粒，可以降低金属氧化物导电层204的透过率，从而减弱过孔300处的漏光现象，提升显示效果。
在具体实施时，如图5g所示，本发明实施例提供的上述显示面板，可以包括：显示区域(如图5g中的A所示的区域)和非显示区域(如图5g中的B所示的区域)；
显示区域，包括：多个薄膜晶体管；
金属层202，包括：各薄膜晶体管的源极和漏极；
金属氧化物导电层204，包括：多个像素电极；
过孔，包括：用于导通像素电极与对应的漏极的第一过孔300a。
进一步地，上述金属层202，还可以包括：位于非显示区域的多条数据线212；
过孔，还包括：用于导通数据线212与对应的像素电极的第二过孔300b。
各像素电极通过第一过孔300a与显示区域中的漏极相连，通过第二过孔300b与非显示区域中的数据线212相连。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板，该显示装置可以应用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与上述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的显示面板、其制作方法及显示装置，通过采用还原性气体对过孔内的金属氧化物导电层进行等离子体处理，使金属氧化物导电层与金属层接触的表面还原出金属颗粒，一方面，可以降低金属氧化物导电层与金属层之间的接触电阻，提高导电性能，另一方面，还原出的金属颗粒，可以降低金属氧化物导电层的透过率，从而减弱过孔处的漏光现象，提升显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成一层金属层的图形，以及位于所述金属层之上的至少一层绝缘层；
对各所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿各所述绝缘层的至少一个过孔；
在各所述绝缘层中最上层的所述绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形，且所述金属氧化物导电层通过各所述过孔与所述金属层电性连接；
采用还原性气体，对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理，以使所述金属氧化物导电层在与所述金属层接触的表面还原出金属颗粒。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在各所述绝缘层中最上层的所述绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形，包括：
在各所述绝缘层中最上层的所述绝缘层之上形成金属氧化物导电层，以及位于所述金属氧化物导电层之上的光刻胶层；
对所述光刻胶层进行光刻，形成位于所述光刻胶层的光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域，以及光刻胶完全去除区域；所述光刻胶完全保留区域对应于位于所述绝缘层的图形之上的所述金属氧化物导电层，所述光刻胶部分保留区域对应于所述金属氧化物导电层位于各所述过孔内的图形，所述光刻胶完全去除区域对应于所述金属氧化物导电层的图形以外的区域；
对所述金属氧化物导电层进行刻蚀处理。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述采用还原性气体，对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理，包括：
采用灰化工艺去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶层；
采用还原性气体，对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述采用灰化工艺去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶层，包括：
通过等离子体工艺，以六氟化硫和氧气为工作气体，采用灰化工艺去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶层。
5.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述采用还原性气体，对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理，包括：
采用氢气，氯气，一氧化碳，硫化氢，溴化氢，甲烷，二氧化硫中的一种或多种气体，对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理。
6.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行光刻，包括：
采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版，对所述光刻胶层进行光刻。
7.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板，分别位于所述衬底基板上的金属层，至少一层绝缘层以及金属氧化物导电层；其中，
各所述绝缘层位于所述金属层与所述金属氧化物导电层之间；
所述金属氧化物导电层通过至少一个贯穿各所述绝缘层的过孔与所述金属层电性连接；
所述金属氧化物导电层在与所述金属层接触的表面，存在所述金属氧化物导电层还原出的金属颗粒。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板，包括：显示区域和非显示区域；
所述显示区域，包括：多个薄膜晶体管；
所述金属层，包括：各所述薄膜晶体管的源极和漏极；
所述金属氧化物导电层，包括：多个像素电极；
所述过孔，包括：用于导通所述像素电极与对应的所述漏极的第一过孔。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述金属层，还包括：位于所述非显示区域的多条数据线；
所述过孔，还包括：用于导通所述数据线与对应的所述像素电极的第二过孔。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求7~9任一项所述的显示面板。
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