CN107393870B - 一种显示面板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

一种显示面板、其制作方法及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置，该制作方法，包括：在衬底基板上形成第一金属层的图形，以及位于第一金属层背离衬底基板一侧的金属氧化物导电层的图形，且金属氧化物导电层通过至少一个通孔与第一金属层电性连接；其中，在形成金属氧化物导电层的图形之前，在第一金属层远离衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；在形成金属氧化物导电层的图形之后，对还原金属层和金属氧化物导电层进行处理，以使还原金属层氧化为第二金属层，以及金属氧化物导电层靠近衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒。本发明实施例提供的制作方法，可以避免第一金属层与金属氧化物导电层接触而发生氧化，并减小接触电阻，提高显示效果。

Description

一种显示面板、其制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等优点，得到了广泛的应用。现有液晶显示装置包括液晶显示面板及背光模组(Backlight Module，BM)，通常液晶显示面板包括彩膜(Color Filter，CF)基板、阵列(Thin Film Transistor，TFT)基板、及设置于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(Liquid Crystal)层。通过给阵列基板供电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线投射到彩膜基板产生需要显示的画面。
阵列基板的性能特征和运行特性部分很大程度上取决于形成阵列基板各元件的材料，阵列基板中的金属导线是将溅射在阵列基板上的金属层通过蚀刻工艺制成，常规应用于阵列基板中的金属导线为铝导线。随着电视等液晶显示终端的大尺寸化、高解析度以及驱动频率高速化的发展趋势及要求，液晶显示领域技术人员不得不面对阵列基板中电阻及所造成的电阻/电容延迟问题。而铝导线具有较高的电阻率(约4μΩ·cm)使得阵列基板的像素电极不能够充分充电，随着高频(>120Hz)液晶显示的广泛应用，这一现象更加明显。铜导线相对于铝导线具有较低的电阻率(约2μΩ·cm)及良好的抗电迁移能力，因而被应用到阵列基板上来解决上述铝导线产生的问题。
然而，铜金属薄膜暴露在空气中，或者与一些具有氧化特性的膜层接触时，容易出现被氧化的问题，如果铜表面被氧化，会造成铜金属膜层的变质脱落，这势必会影响电流信号的传输和导通，比如，在过孔结构中，一般通过透明导电氧化物材料来完成公共电极与其他膜层之间的跨接，如果金属氧化物导电层与铜接触，往往会出现接触界面的铜膜层出现严重氧化，造成界面接触电阻过高导致接触不良问题的发生，影响薄膜晶体管的正常工作，出现显示器件的功能性不良。
因此，如何解决金属层容易被氧化的问题是急需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、其制作方法及显示装置，用以解决现有技术中存在的无法解决金属层容易被氧化的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成第一金属层的图形，以及位于所述第一金属层背离所述衬底基板一侧的金属氧化物导电层的图形，且所述金属氧化物导电层通过至少一个通孔与所述第一金属层电性连接；其中，
在形成所述金属氧化物导电层的图形之前，在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；
在形成所述金属氧化物导电层的图形之后，对所述还原金属层和所述金属氧化物导电层进行处理，以使所述还原金属层氧化为第二金属层，以及所述金属氧化物导电层靠近所述衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层，包括：
将还原剂与所述还原金属层对应的化合物水溶液在设定条件下反应，将得到的溶液涂覆到所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面，以形成所述还原金属层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述还原金属层的材料为金属氢化物；
所述将还原剂与所述还原金属层对应的化合物水溶液在设定条件下反应，包括：
将还原剂与所述金属氢化物对应的化合物水溶液混合，在酸性环境以及温度为40℃～50℃的条件下反应。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述第一金属层与所述第二金属层采用的金属材料相同；
所述在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层，包括：
采用还原性气体，对所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面进行等离子体处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述采用还原性气体，对所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面进行等离子体处理，包括：
采用H2，NH3，N2H4，H2S，CH4，C2H6或HCN中的一种或多种气体，对所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面进行等离子体处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述还原金属层的材料为金属氢化物；
所述对所述还原金属层和所述金属氧化物导电层进行处理，以使所述还原金属层氧化为第二金属层，以及所述金属氧化物导电层靠近所述衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒，包括：
将形成所述金属氧化物导电层的图形之后的衬底基板加热至60℃～100℃。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在衬底基板上形成一层第一金属层之前，还包括：
在所述衬底基板上形成阻挡金属层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在形成所述金属氧化物导电层的图形之前，在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层，包括：
在形成所述第一金属层之后，以及形成所述第一金属层的图形之前，在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；或，
在形成所述第一金属层的图形之后，以及形成用于导通所述第一金属层与所述金属氧化物导电层的通孔之前，在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；或，
在形成导通所述第一金属层与所述金属氧化物导电层的通孔之后，以及形成金属氧化物导电层的图形之前，在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板由上述显示面板的制作方法制作而成。
第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括：上述显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的显示面板、其制作方法及显示装置，该制作方法，包括：在衬底基板上形成第一金属层的图形，以及位于第一金属层背离衬底基板一侧的金属氧化物导电层的图形，且金属氧化物导电层通过至少一个通孔与第一金属层电性连接；其中，在形成金属氧化物导电层的图形之前，在第一金属层远离衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；在形成金属氧化物导电层的图形之后，对还原金属层和金属氧化物导电层进行处理，以使还原金属层氧化为第二金属层，以及金属氧化物导电层靠近衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒。本发明实施例提供的制作方法，通过在形成金属氧化物导电层之前，在第一金属层原理衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层，因而，可以避免第一金属层与金属氧化物导电层接触而发生氧化，此外，在形成金属氧化物导电层的图形之后，对还原金层和金属氧化物导电层进行处理，使第一金属层与金属氧化物导电层之间具有第二金属层以及金属氧化物导电层还原出的金属颗粒，从而可以大大减小第一金属层与金属氧化物导电层之间的接触电阻，提高显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图之一；
图2为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图之二；
图3为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图之三；
图4a～图4f、图5以及图6a～图6d为本发明实施例提供的显示面板在制作过程中的结构示意图；
其中，201、衬底基板；202、阻挡金属层；203、第一金属层；204、还原金属层；205、绝缘层；206、金属氧化物导电层；207、第二金属层；208、金属颗粒。
具体实施方式
针对现有技术中存在的金属层容易被氧化的问题，本发明实施例提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置。
下面结合附图，对本发明实施例提供的显示面板、其制作方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成第一金属层的图形，以及位于第一金属层背离衬底基板一侧的金属氧化物导电层的图形，且金属氧化物导电层通过至少一个通孔与第一金属层电性连接；其中，
S100、在形成金属氧化物导电层的图形之前，在第一金属层远离衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；
S105、在形成金属氧化物导电层的图形之后，对还原金属层和金属氧化物导电层进行处理，以使还原金属层氧化为第二金属层，以及金属氧化物导电层靠近衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒。
本发明实施例提供的制作方法，通过在形成金属氧化物导电层之前，在第一金属层原理衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层，因而，可以避免第一金属层与金属氧化物导电层接触而发生氧化，此外，在形成金属氧化物导电层的图形之后，对还原金层和金属氧化物导电层进行处理，使第一金属层与金属氧化物导电层之间具有第二金属层以及金属氧化物导电层还原出的金属颗粒，从而可以大大减小第一金属层与金属氧化物导电层之间的接触电阻，提高显示效果。
具体地，在衬底基板上形成第一金属层的图形，以及位于第一金属层背离衬底基板一侧的金属氧化物导电层的图形，且金属氧化物导电层通过至少一个通孔与第一金属层电性连接，如图1～图3所示，可以包括以下步骤：
S101、在衬底基板上形成一层第一金属层；
S102、对第一金属层进行刻蚀，形成第一金属层的图形；
S103、在第一金属层之上形成至少一层绝缘层，以及形成贯穿各绝缘层的至少一个通孔；
S104、在绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形，且金属氧化物导电层通过各通孔与第一金属层电性连接。
在具体实施时，上述步骤S101中，在衬底基板201上形成一层第一金属层203，如图4a所示，第一金属层203的厚度优选为200nm～400nm，第一金属层203的材料优选为铜(Cu)或铝(Al)等金属，也可以是其他金属，此次不对第一金属层203的材料进行限定。
上述步骤S103中，在第一金属层203的图形之上形成至少一层绝缘层205，如图4d所示，可以根据实际需要确定绝缘层205的层数，例如可以设置为一层，两层或更多层，本发明实施例中的附图均以一层绝缘层205为例进行示意，此次不对绝缘层205的层数进行限定。当具有多个通孔时，可以采用一次构图工艺形成贯穿各绝缘层205的各通孔。对绝缘层205的镀膜和构图工艺优选为采用低温工艺，温度范围最好控制在40℃～50℃，以免温度过高对其他膜层产生影响。绝缘层205的材料可以是无机材料，例如Si3N4或AlN等氮化物薄膜，优选为Si3N4薄膜，也可以采用有机材料，例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)。此外，还可以采用具有光敏性能的有机材料，可以是正性或负性有机材料，这样可以直接对绝缘层205进行光刻得到绝缘层205的图案，省去了对绝缘层205进行刻蚀的工艺，可以节约工艺成本，此次只是举例说明绝缘层205的材料，并不对绝缘层205的材料进行限定。
上述步骤S104中，可以采用磁控溅射的方法形成金属氧化物导电层206，如图4e所示，金属氧化物导电层206的厚度优选为40nm～100nm，金属氧化物导电层206的材料优选为透明材料，例如氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)，也可以采用其他材料，此次不对金属氧化物导电层206的材料进行限定。该金属氧化物导电材料可以用作公共电极层或像素电极层，可以通过一次构图工艺，形成公共电极层的图形或像素电极层的图形。
具体地，本发明实施例提供的上述显示面板的制作方法中，上述步骤S100可以通过以下两种方式实现：
方式一：
将还原剂与还原金属层对应的化合物水溶液与在设定条件下反应，将得到的溶液涂覆到第一金属层远离衬底基板一侧的表面，以形成还原金属层。
在实际应用中，上述还原剂可以采用任何具有还原性的材料，上述还原金属层对应的化合物水可以指，与还原金属层具有相同的金属元素的化合物。采用溶液法在第一金属层的表面形成还原金属层，这样可以实现还原金属层与第一金属层采用的金属材料不同，例如，第一金属层可以是导电性能较差的金属，通过在第一金属层的表面形成一层导电性能较好的还原金属层，后续通过对还原金属层进行处理，以在第一进行层的表面形成一层导电性能较好的第二金属层，从而可以降低第一金属层与金属氧化物导电层之间的接触电阻，因而，提高信号传输速率，提升显示效果。
具体地，上述还原金属层的材料优选为金属氢化物；
上述将还原剂与还原金属层对应的化合物水溶液在设定条件下反应，可以包括：
将还原剂与金属氢化物对应的化合物水溶液混合，在酸性环境以及温度为40℃～50℃的条件下反应。
由于金属氢化物的化学性质活泼，在一定条件下很容易分解为金属和氢气，形成的金属可以阻挡第一金属层被氧化，也可以降低与金属氧化物导电层的接触电阻，形成的氢气可以将金属氧化物导电层中的金属还原出来，可以进一步降低第一金属层与金属氧化物导电层的接触电阻。
例如，上述金属氢化物可以为CuH，可以采用以下步骤制作CuH：
(1)将铜化合物溶于水，形成铜盐的水溶液，例如，形成硫酸铜化合物水溶液；
(2)在上述铜盐的水溶液中加酸，可以是甲酸、乙酸或次磷酸等，优选为次磷酸，为了使反应效果更好，优选为将溶液的PH调节至3以下；
(3)向上述溶液中加入还原剂，控制反应温度在40℃～50℃。
CuH的制备方程式为：
4CuSO4+3H3PO2+6H2O→4CuH↓+3H3PO4+4H2SO4；
在制备过程中，上述步骤(1)(2)(3)可以同时进行，也可以按顺序进行，此次不对上述步骤(1)(2)(3)顺序进行限定。在具体实施时，上述还原金属层的厚度优选为10nm～20nm，可以通过控制反应时间来控制形成的还原金属层的厚度。
方式二：第一金属层与第二金属层采用的金属材料相同；
上述步骤S100，可以包括：
采用还原性气体，对第一金属层远离衬底基板一侧的表面进行等离子体处理。
将具有第一金属层的衬底基板在等离子体氛围中进行表面处理，该等离子体氛围具有还原特性，以在第一金属层表面形成还原金属层，从而可以避免第一金属层被氧化，采用等离子体方法形成的还原金属层中的金属原子与第一金属层表面的金属原子相同。该等离子体包含激发一种或几种还原性气体以形成还原性等离子体。具体地，等离子体的温度范围优选为50℃～60℃，等离子体表面处理的时间可以根据表面处理的程度调整，调整范围为30～80sec，等离子体腔室的压力控制在100Pa～200Pa。
具体地，上述采用还原性气体，对第一金属层远离衬底基板一侧的表面进行等离子体处理，可以具体包括：
采用H2，NH3，N2H4，H2S，CH4，C2H6或HCN中的一种或多种气体，对第一金属层远离衬底基板一侧的表面进行等离子体处理。
进一步地，本发明实施例提供的上述显示面板的制作方法中，还原金属层的材料为金属氢化物；
上述步骤S105，可以包括：
将形成金属氧化物导电层的图形之后的衬底基板加热至60℃～100℃。
金属氢化物是以金属原子与氢原子结合的状态存在，具有在一定温度下分解为金属和氢气的性质，因此，可以在形成金属氧化物导电层的图形之后进行加热，使还原金属层被氧化为第二金属层，金属氧化物导电层靠近第二金属一侧的表面还原出金属颗粒，如图4f所示，以提高导电性能，降低接触电阻，在具体实施时，当还原出的金属颗粒较多时，可以形成一层导电金属层。
以第一金属层为铜金属层，还原金属层的材料为CuH，金属氧化物导电层为ITO层为例，将形成ITO层后的衬底基板在空气中加热60℃～100℃，优选为加热1min～2min，即可使CuH分解为Cu和H2，在于ITO层的接触界面处，H2可以将In2O3还原为金属铟，金属颗粒较多时可以形成铟球层，同时还原金属层被氧化为第二金属层，当第一金属层与第二金属层采用相同的材料时，第一金属层和第二金属层合为同一金属层。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述显示面板的制作方法中，上述步骤S101之前，如图1～3和图4a所示，还可以包括：
S101＇、在衬底基板201上形成阻挡金属层202。
通过在衬底基板201上形成阻挡金属层202，这样后续形成第一金属层203之后，位于第一金属层203与衬底基板201之间的阻挡金属层202，可以增加第一金属层203与阻挡层之间粘附性，也可以阻挡第一金属层203中的金属原子向衬底基板201扩散。上述阻挡金属层202的材料可以是Mo，MoNb合金，Ti或MoTi合金，优选为MoNb合金，阻挡金属层202的厚度优选为20nm～50nm，此处只是举例说明，并不对阻挡金属层202的材料和厚度进行限定。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示面板的制作方法中，上述步骤S100在多个步骤之间执行，即本发明实施例提供的制作方法至少包括以下几种实现方式：
实现方式一，如图1所示：
上述步骤S101之后，上述步骤S102之前，在第一金属层远离衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；
以下结合附图对实现方式一中的各步骤进行详细说明：
S101＇、在衬底基板201上形成阻挡金属层202，例如，形成一层MoNb金属层，如图4a所示；
S101、同样参照图4a，在刻蚀阻挡层之上形成第一金属层203，例如形成一层铜薄膜；
S100、在第一金属层203的表面形成一层还原金属层204，如图4b所示，例如采用等离子体表面处理的方式，在铜薄膜的表面形成一层CuH薄膜；
S102、对第一金属层203进行刻蚀，如图4c所示，在实现方式一中，由于在形成第一金属层203之前形成了一层阻挡金属层202，以及在形成第一金属层203之后形成了一层还原金属层204，因而，在实现方式一中，步骤S102中，对第一金属层203进行刻蚀指的是，对刻蚀阻挡层、第一金属层203以及还原金属层204形成的复合金属层进行刻蚀，例如，CuH/Cu/MoNb三层金属薄膜一起刻蚀，在具体实施时，可以采用一次构图工艺形成复合金属层的图形；
S103、在第一金属层203的图形之上形成绝缘层205的图形，如图4d所示，例如，可以形成一层Si3N4薄膜，对Si3N4薄膜进行刻蚀，以得到各通孔；
S104、在绝缘层205之上形成金属氧化物导电层206的图形，如图4e所示，例如形成一层ITO薄膜，ITO薄膜可以在通孔处与第一金属层203电性连接；
S105、对还原金属层204和金属氧化物导电层206进行处理，以使还原金属层204氧化为第二金属层207，以及金属氧化物导电层206靠近衬底基板201一侧的表面还原出金属颗粒208，如图4f所示，例如，第一金属层203为Cu薄膜，还原金属层204为CuH薄膜，金属氧化物导电层206为ITO薄膜，可以通过加热至60℃～100℃使CuH分解为Cu和H2，H2可以将ITO薄膜中的In2O3还原为In，以形成铟球层，因而，不仅可以防止第一金属层203被氧化，形成的铟球层还可以提高第一金属层203和金属氧化物导电层206之间的接触效果，提高信号传输速率。
实现方式二，如图2所示：
上述步骤S102之后，上述步骤S103之前，在第一金属层远离衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；
以下结合附图对实现方式二中的各步骤进行详细说明：
S101＇、在衬底基板201上形成阻挡金属层202，例如，形成一层MoNb金属层，如图4a所示；
S101、同样参照图4a，在刻蚀阻挡层之上形成第一金属层203，例如形成一层铜薄膜；
S102、对第一金属层203进行刻蚀，如图5所示，在实现方式二中，由于在形成第一金属层203之前形成了一层阻挡金属层202，因而，在实现方式二中，步骤S102中，对第一金属层203进行刻蚀指的是，对刻蚀阻挡层和第一金属层203形成的复合金属层进行刻蚀，例如，Cu/MoNb两层金属薄膜一起刻蚀，在具体实施时，可以采用一次构图工艺形成复合金属层的图形；
S100、在第一金属层203的图形的表面形成一层还原金属层204，如图4c所示，例如采用等离子体表面处理的方式，在铜薄膜的表面形成一层CuH薄膜；
在实现方式二中的步骤S103～步骤S105，与上述实现方式一中的步骤S103～步骤S105相同，重复之处不再赘述。
实现方式三，如图3所示：
上述步骤S103之后，上述步骤S104之前，在第一金属层远离衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；
以下结合附图对实现方式三中的各步骤进行详细说明：
S101＇、在衬底基板201上形成阻挡金属层202，例如，形成一层MoNb金属层，如图4a所示；
S101、同样参照图4a，在刻蚀阻挡层之上形成第一金属层203，例如形成一层铜薄膜；
S102、对第一金属层203进行刻蚀，如图5所示，在实现方式三中，由于在形成第一金属层203之前形成了一层阻挡金属层202，因而，在实现方式三中，步骤S102中，对第一金属层203进行刻蚀指的是，对刻蚀阻挡层和第一金属层203形成的复合金属层进行刻蚀，例如，Cu/MoNb两层金属薄膜一起刻蚀，在具体实施时，可以采用一次构图工艺形成复合金属层的图形；
S103、在第一金属层203的图形之上形成绝缘层205的图形，如图6a所示，例如，可以形成一层Si3N4薄膜，对Si3N4薄膜进行刻蚀，以得到各通孔；
S100、在第一金属层203的表面形成一层还原金属层204，如图6b所示，例如采用等离子体表面处理的方式，在铜薄膜的表面形成一层CuH薄膜；
S104、在绝缘层205之上形成金属氧化物导电层206的图形，如图6c所示，例如形成一层ITO薄膜，ITO薄膜可以在通孔处与第一金属层203电性连接；
S105、对还原金属层204和金属氧化物导电层206进行处理，以使还原金属层204氧化为第二金属层207，以及金属氧化物导电层206靠近衬底基板201一侧的表面还原出金属颗粒208，如图6d所示，例如，第一金属层203为Cu薄膜，还原金属层204为CuH薄膜，金属氧化物导电层206为ITO薄膜，可以通过加热至60℃～100℃使CuH分解为Cu和H2，H2可以将ITO薄膜中的In2O3还原为In，以形成铟球层，因而，不仅可以防止第一金属层203被氧化，形成的铟球层还可以提高第一金属层203和金属氧化物导电层206之间的接触效果，提高信号传输速率。
第二方面，基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板由上述显示面板的制作方法制作而成。由于该显示面板解决问题的原理与上述显示面板的制作方法相似，因此该显示面板的实施可以参见上述显示面板的制作方法的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的显示面板，如图4f和图6d所示，至少包括：衬底基板201，位于衬底基板201之上的第一金属层203，位于第一金属层203之上的绝缘层205，以及位于绝缘层205之上的金属氧化物导电层206；其中，
第一金属层203与金属氧化物导电层206通过绝缘层205中的通孔实现电性连接；
在金属氧化物导电层206靠近衬底基板201一侧的表面存在金属氧化物导电层206还原出的金属颗粒208。
在具体实施时，第一金属层203靠近衬底基板201的一侧还可以设置一层阻挡金属层202，从而提高第一金属层203与衬垫基板之间的粘附性，以及防止第一金属层203中的金属原子扩散。
在制作过程中，如果第一金属层203与还原金属层204中的金属材料不同，在第一金属层203与金属氧化物导电层206之间还设有第二金属层207。
第三方面，基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板，该显示装置可以应用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与上述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的显示面板、其制作方法及显示装置，通过在形成金属氧化物导电层之前，在第一金属层原理衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层，因而，可以避免第一金属层与金属氧化物导电层接触而发生氧化，此外，在形成金属氧化物导电层的图形之后，对还原金层和金属氧化物导电层进行处理，使第一金属层与金属氧化物导电层之间具有第二金属层以及金属氧化物导电层还原出的金属颗粒，从而可以大大减小第一金属层与金属氧化物导电层之间的接触电阻，提高显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成第一金属层的图形，以及位于所述第一金属层背离所述衬底基板一侧的金属氧化物导电层的图形，且所述金属氧化物导电层通过至少一个通孔与所述第一金属层电性连接；其中，
在形成所述金属氧化物导电层的图形之前，在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；所述还原金属层为由金属氢化物材料构成的膜层；
在形成所述金属氧化物导电层的图形之后，对所述还原金属层和所述金属氧化物导电层进行处理，以使所述还原金属层还原为第二金属层，以及所述金属氧化物导电层靠近所述衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层，包括：
将还原剂与所述还原金属层对应的化合物水溶液在设定条件下反应，将得到的溶液涂覆到所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面，以形成所述还原金属层。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述将还原剂与所述还原金属层对应的化合物水溶液在设定条件下反应，包括：
将还原剂与所述金属氢化物对应的化合物水溶液混合，在酸性环境以及温度为40℃～50℃的条件下反应。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层采用的金属材料相同；
所述在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层，包括：
采用还原性气体，对所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面进行等离子体处理。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述采用还原性气体，对所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面进行等离子体处理，包括：
采用H2，NH3，N2H4，H2S，CH4，C2H6或HCN中的一种或多种气体，对所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面进行等离子体处理。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对所述还原金属层和所述金属氧化物导电层进行处理，以使所述还原金属层氧化为第二金属层，以及所述金属氧化物导电层靠近所述衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒，包括：
将形成所述金属氧化物导电层的图形之后的衬底基板加热至60℃～100℃。
7.如权利要求1～6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成一层第一金属层之前，还包括：
在所述衬底基板上形成阻挡金属层。
8.如权利要求1～6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在形成所述金属氧化物导电层的图形之前，在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层，包括：
在形成所述第一金属层之后，以及形成所述第一金属层的图形之前，在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；或，
在形成所述第一金属层的图形之后，以及形成用于导通所述第一金属层与所述金属氧化物导电层的通孔之前，在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层；或，
在形成导通所述第一金属层与所述金属氧化物导电层的通孔之后，以及形成金属氧化物导电层的图形之前，在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板由权利要求1～8任一项所述的显示面板的制作方法制作而成。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求9所述的显示面板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110783266B (zh) * 2019-11-14 2022-11-04 Tcl华星光电技术有限公司 一种改善金属走线底切现象的制备方法
CN112259557B (zh) * 2020-10-15 2022-12-06 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104867944A (zh) * 2015-05-08 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板结构及其制作方法
CN106024706A (zh) * 2016-06-22 2016-10-12 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN106252382A (zh) * 2016-09-12 2016-12-21 昆山国显光电有限公司 显示装置及其制作方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4302347B2 (ja) * 2001-12-18 2009-07-22 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
CN107464776B (zh) * 2017-08-30 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104867944A (zh) * 2015-05-08 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板结构及其制作方法
CN106024706A (zh) * 2016-06-22 2016-10-12 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN106252382A (zh) * 2016-09-12 2016-12-21 昆山国显光电有限公司 显示装置及其制作方法

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