CN112103299B - 显示面板的制备方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本揭示实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，显示面板包括衬底基板、第一金属层、绝缘层及有源层、第二金属层、以及钝化层，其中，显示面板的绑定区对应的钝化层还包括过孔结构，过孔结构对应的第二金属层的表面材料为第三金属材料，在制备时直接通入还原物质使第二金属层表面还原形成第三金属材料。从而减少了光罩使用次数，简化了生产工艺并降低了生产成本。

Description

显示面板的制备方法及显示面板
技术领域
本揭示涉及面板显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制 备方法及显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展，各显示器件对显示面板的质量及性 能均提出了越来越高的要求。
与传统的显示面板相比，发光二极管(Light Emitting Diode， LED)液晶显示面板由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高 的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。 LED液晶显示屏在制备过程中，需要经过多次的涂布、曝光、显 影等制备工艺处理。现有的生产工艺中，在进行光罩蚀刻处理时， 一般需要经过5道光罩工艺制程处理，光罩次数较多，使得生产 工艺复杂，同时生产成本较高。
综上所述，现有的显示面板制备工艺过程中，采用的光罩工艺 制程较多，较多的光罩处理不利于生产工艺的简化，同时还提高 了显示面板的生产成本。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，以解 决现有的显示面板制备工艺中，光罩工艺制程中光罩次数较多， 以及显示面板的生产成本较高的问题。
为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：
根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种显示面板的制备方 法，所述显示面板包括显示区和非显示区，其特征在于，包括如 下步骤：
S100：在衬底基板上制备第一金属层，并对所述第一金属层进 行图案化处理，形成间隔的第一电极、栅极和第二电极，所述第 一电极位于所述非显示区，所述栅极、所述第二电极位于所述显 示区；
S101：在所述衬底基板上沉积绝缘层和有源层，并对所述绝缘 层和所述有源层进行图案化处理，形成第一过孔和第二过孔，所 述第一过孔贯穿所述绝缘层和所述有源层，以将所述第一电极露 出，所述第二过孔贯穿所述绝缘层和所述有源层，以将所述第二 电极露出；
S102：在所述衬底基板上沉积第二金属层，并对所述第二金属 层进行图案化处理，形成源极、漏极、第三电极和第四电极，所 述源极和所述漏极设置在所述栅极上，所述第三电极通过所述第 一过孔连接所述第一电极，所述第四电极通过所述第二过孔连接 所述第二电极；
S103：在所述衬底基板上沉积钝化层，并对所述钝化层进行图 案化处理，形成第三过孔和第四过孔，所述第三过孔贯穿所述所 钝化层，以将所述第三电极露出；所述第四过孔贯穿所述钝化层， 以将所述第四电极露出；
S104：在高温下通入还原物质，使所述第三过孔对应的所述第 三电极和所述第四过孔对应的第四电极发生还原反应，并在所述 第三电极和所述第四电极表面形成第三金属层。
根据本揭示一实施例，所述还原物质包括还原性气体，所述还 原性气体包括CO、H2。
根据本揭示一实施例，对所述衬底基板加热，同时在100℃ ～210℃温度下通入还原物质并加热。
根据本揭示一实施例，所述步骤S104中，所述还原物质包括 还原性液体，所述还原性液体包括乙醇。
根据本揭示一实施例，在200℃温度下，在所述第三过孔相对 的所述第三电极和所述第四过孔相对的所述第四电极的表面涂布 所述乙醇。
根据本揭示一实施例，将所述显示面板的所述第三电极和所述 第四电极加热到200℃，并在所述第三电极和所述第四电极表面涂 布所述乙醇。
根据本揭示一实施例，还包括步骤：将所述显示面板的外围线 路与所述第三过孔对应的第三电极进行绑定，并完成所述显示面 板的制备。
根据本揭示一实施例，所述步骤S104中，所述第三电极和所 述第四电极的材料包括CuO，所述CuO与所述还原物质发生反应 还原形成所述第三金属层Cu。
根据本揭示实施例的第二方面，还提供一种显示面板，所述显 示面板包括显示区域和非显示区域，其特征在于，包括：
衬底基板；
第一金属层，所述第一金属层设置在所述衬底基板上；
绝缘层及有源层，所述绝缘层设置在所述衬底基板上，所述有 源层设置在所述绝缘层上；
第二金属层，所述第二金属层设置在所述有源层上；以及
钝化层，所述钝化层设置在所述第二金属层上；
其中，所述显示面板还包括设置在所述非显示区域的第一过孔 和第三过孔以及设置在所述显示区域的第二过孔和第四过孔，所 述第一金属层包括第一电极和第二电极，所述第二金属层包括第 三电极和第四电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第三电极连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第四电极连接， 且所述第三过孔相对的所述第三电极和所述第四过孔相对的所述 第四电极的表面为第三金属层。
根据本揭示一实施例，所述第三金属层材料为金属Cu。
综上所述，本揭示实施例的有益效果为：
本揭示实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，通过 在显示面板的钝化层上设置开孔结构，同时在高温下对显示面板 的衬底进行热处理，在热处理过程中通入还原性物质，使过孔结 构对应的第二金属层发生还原反应，使金属氧化物还原形成金属单质材料。进而在第二金属层表面形成金属单质材料，在进行绑 定时，可直接将外围线路与所述金属单质材料连接，从而提高了 线路之间的接触效果，并减少了显示面板的制备工艺中的光罩次 数，简化了生产工艺流程，降低了成本。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对 实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易 见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域 普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据 这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示实施例提供的显示面板的膜层结构示意图；
图2为本揭示实施例中显示面板的制备工艺流程示意图；
图3-6为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺对应的各膜 层结构示意图；
图7为本揭示实施例提供的显示面板的处理过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术 方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭 示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例， 本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本揭示保护的范围。
显示面板在制备时需要经过多道次的光罩进行处理，光罩处理 的次数越多，对显示面板内的各膜层的影响就越大，同时，多道 次的光罩处理还进一步增加了显示面板的制造成本。现有的制备 技术中，显示面板往往需要经过5道光罩蚀刻的处理，制备工艺较 复杂，不利于显示面板综合性能的提高。
如图1所示，图1为本揭示实施例提供的显示面板的膜层结构示 意图。本揭示实施例中，显示面板包括显示区域和与显示区域相 邻的非显示区域，具体的非显示区域包括第一绑定区10、显示区 域包括薄膜晶体管区11以及第二绑定区12，第一绑定区10与薄膜 晶体管区11相邻，第二绑定区12与薄膜晶体管区11相邻。
其中，第一绑定区10可为显示面板的边框区域，在绑定时，设 置在显示面板的第一绑定区10内的金属层与覆晶薄膜电连接。薄 膜晶体管区11内设置多个薄膜晶体管，可为显示面板的主显示区 域。
进一步的，显示面板还包括衬底基板100、绝缘层101、第一金 属层102以及有源层103。其中，绝缘层101设置在衬底基板100上， 第一金属层102设置在衬底基板100上，且绝缘层101完全覆盖所述 第一金属层102，有源层103设置在绝缘层101上。
具体的，本揭示实施例中第一金属层102还包括第一电极1021、 薄膜晶体管栅极1022以及第二电极1023。其中，第一电极1021设 置在显示面板的非显示区域内，栅极1022和第二电极1023设置在 显示面板的显示区域内，且第一电极1021、栅极1022以及第二电极1023可设置在显示面板的同一膜层上且间隔设置。
同时，本揭示实施例提供的显示面板还包括第二金属层105以 及钝化层106。第二金属层105可设置在有源层13上，钝化层106设 置在第二金属层105上。本揭示实施例中，第二金属层105设置在 与第一金属层102相对应的位置上，且在第一绑定区10与第二绑定 区12对应区域内的第一金属层102与第二金属层105之间的膜层上 设置有过孔，第一金属层102通过所述过孔结构与第二金属层105 相连接。
进一步的，第二金属层105包括第三电极1051、第四电极1052 以及薄膜晶体管的源极1053和漏极1054，第三电极1051对应的设 置在第一电极1021上，且第三电极1051通过开设在第一电极1021 上的第一过孔110与第一电极1021电连接。第四电极1052对应的设置在第二电极1023上，且第四电极1052通过开设在第二电极1023 上的第二过孔111与第二电极1023电连接。薄膜晶体管的源极1053 和漏极1054对应的设置在栅极1022的上方。
其中，第一金属层102与第二金属层105可由相同的材料制备而 形成，优选的为CuO或Mo/Cu的复合材料。
本揭示实施例中，显示面板还可包括掺杂层104，掺杂层104 设置在有源层103上，并在掺杂层104上设置第二金属层105。
进一步的，在钝化层106上还包括多个开孔结构，本揭示实施 例中，包括第三过孔107和第四过孔108，第三过孔107设置在第一 绑定区10内与第二金属层105相对应的第三电极1051位置处，第四 过孔108设置在第二绑定区12内与第二金属层105相对应的第四电极1052位置处。
本揭示实施例中，绝缘层101以及钝化层106的材料可包括SiNx 等绝缘材料，且有缘层103材料为a-Si，也可以是铟镓锌氧化物 (indium gallium zinc oxide，IGZO)等氧化物半导体材料，同时， 在薄膜晶体管区11对应的钝化层106上还包括第五过孔14，第五过孔14贯穿钝化层106以将薄膜晶体管的漏极1054露出。
优选的，本揭示实施例中，在第三过孔107和第四过孔108区域 对应的第二金属层105的第三电极1051和第四电极1052，其上表面 区域109的材料为第三金属层，具体的该第三金属层为金属单质材 料。因此，在对显示面板进行绑定时，可将外围线路直接与所述 第二金属层105对应的第三电极1051进行电连接，而省去了传统制 备工艺过程中，还需要单独在第二金属层105上制备氧化铟锡薄膜 的工序，从而有效的简化了显示面板的膜层结构，同时，由于无 需设置氧化铟锡薄膜，因此，省去了在制备氧化铟锡膜层时的光 罩工艺，简化了显示面板的生产工艺流程。
本揭示实施例中，当第二金属层105的材料优选为CuO时，在 制备过程中，第三过孔107对应的第三电极1051和第四过孔108对 应的第四电极1052的上表面区域109经过还原处理，直接得到金属 Cu，金属Cu层的厚度可根据实际产品的具体需求进行设定。
进一步的，本揭示实施例还提供一种显示面板的制备方法。如 图2所示，图2为本揭示实施例中显示面板的制备工艺流程示意图。 显示面板的制备工艺包括如下步骤：
S100：在衬底基板上制备第一金属层，并对所述第一金属层进 行图案化处理，形成间隔的第一电极、栅极和第二电极，所述第 一电极位于所述非显示区，所述栅极、所述第二电极位于所述显 示区；
如图3所示，图3为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺对 应的膜层结构示意图。在衬底基板300上设置第一金属层301，沉 积完成第一金属层301后，通过第一道光罩对第一金属层301图案 化处理，形成图1中所示的膜层结构。
蚀刻完成后，第一金属层301形成间隔设置的第一电极3011、 薄膜晶体管栅极3012以及第二电极3013。其中第一电极3011、栅 极3012以及第二电极3013同层设置。
S101：在所述衬底基板上沉积绝缘层和有源层，并对所述绝缘 层和所述有源层进行图案化处理，形成第一过孔和第二过孔，所 述第一过孔贯穿所述绝缘层和所述有源层，以将所述第一电极露 出，所述第二过孔贯穿所述绝缘层和所述有源层，以将所述第二 电极露出；
如图4所示，图4为本揭示实施例提供的又一显示面板的制备工 艺对应的膜层结构示意图。第一金属层301蚀刻完成后，继续在衬 底基板300上沉积绝缘层302，其中，绝缘层302完全覆盖所述第一 金属层301。同时，在绝缘层302上制备形成有源层303和掺杂层304，掺杂层304设置在有源层303上。
上述各膜层制备完成后，采用第2道光罩处理，在第一金属层 301对应的位置上设置掩膜板，对其进行光刻，蚀刻完成后，形成 第一过孔3041和第二过孔342的结构，第一过孔3041和第二过孔 3042贯穿绝缘层302、有源层303以及掺杂层304，同时，分别使部 分第一电极3011和部分第二电极3013露出。
在沉积上述各膜层结构时，可通过物理气相沉积工艺进行沉积 制备，各膜层的沉积厚度根据实际产品的需求进行设定，这里不 在详细描述。
S102：在所述衬底基板上沉积第二金属层，并对所述第二金属 层进行图案化处理，形成源极、漏极、第三电极和第四电极，所 述源极和所述漏极设置在所述栅极上，所述第三电极通过所述第 一过孔连接所述第一电极，所述第四电极通过所述第二过孔连接 所述第二电极；
如图5所示，图5为本揭示实施例提供的又一显示面板的制备工 艺对应的膜层结构示意图。步骤S101中的各膜层处理完成后，在 掺杂层304上沉积第二金属层305，沉积第二金属层305时，可通过 物理气相沉积工艺进行制备。同时，第二金属层305通过设置的第一过孔和第二过孔结构与第一金属层301相连接。
本揭示实施例中，显示面板还包括依次相邻设置的第一绑定区 10、薄膜晶体管区11和第二绑定区12。当第二金属层305沉积完成 后，采用第3道光罩进行处理。
具体的，采用第3道光罩处理，在第二金属层305上对应的位置 处设置金属掩膜板进行蚀刻。蚀刻完成后，第二金属层305对应的 形成第三电极3051、第四电极3052以及薄膜晶体管的源极3053和 漏极3054，薄膜晶体管的源极3053和漏极3054对应的设置在栅极3012的上方区域处，同时，第三电极3051通过第一过孔与第一电 极3011电连接，第四电极3052通过第二过孔与第二电极3013电连 接。在蚀刻过程中，可根据使用需要，对不同区域的膜层实施不 同光照强度的蚀刻处理。处理完成后，在显示面板上还形成多个 深浅不同的过孔结构。
优选的，在第一绑定区10、薄膜晶体管区11以及第二绑定区12 相邻的区域内的过孔的深度大于其他区域内的过孔的深度。其中 在两相邻的区域内的过孔蚀刻到绝缘层302上，而在薄膜晶体管区 11内对应的过孔只需蚀刻到有源层303即可。
S103：在所述衬底基板上沉积钝化层，并对所述钝化层进行图 案化处理，形成第三过孔和第四过孔，所述第三过孔贯穿所述所 钝化层，以将所述第三电极露出；所述第四过孔贯穿所述钝化层， 以将所述第四电极露出；
如图6所示，图6为本揭示实施例提供的另一显示面板的制备工 艺对应的各膜层结构示意图。当第二金属层305蚀刻完成后，在第 二金属层305上设置钝化层306，钝化层306可通过物理气相沉积工 艺进行制备。
钝化层306制备完成后，采用第4道光罩进行处理，在钝化层306 对应的区域内设置金属掩膜板进行蚀刻，在蚀刻过程中，根据产 品需求对不同区域内的膜层实施不同深度的蚀刻。蚀刻完成后， 分别在显示面板的第一绑定区10内形成第三过孔107结构，且第三过孔107对应的开设在第三电极3051对应的位置上方。在显示面板 的第二绑定区12内形成第四过孔108结构，第四过孔108对应的开 设在第四电极3052对应的位置上方，同时，在薄膜晶体管的漏极 对应位置处蚀刻形成第五过孔14结构。第三过孔107和第四过孔 108的深度以及孔径大小可相同，以简化掩膜板的制备工艺，提高 蚀刻效率。
同时，还在显示面板的其他区域内形成不同的开孔结构，根据 使用需求进行具体设置，如图6中的开孔结构所示。
S104：在高温下通入还原物质，使所述第三过孔对应的所述第 三电极和所述第四过孔对应的第四电极发生还原反应，并在所述 第三电极和所述第四电极表面形成第三金属层；
在经过上述4道光罩蚀刻后，最终获得到本揭示实施例中需求 的结构，继续对图6中对应的显示面板进行处理处理。
具体的，如图7所示，图7为本揭示实施例提供的显示面板处理 过程示意图。当钝化层306制备完成后，继续对显示面板的各膜层 进行处理，本揭示实施例中，主要对显示面板中的第三过孔107和 第四过孔108内对应的第二金属层305的第三电极3051和第四电极3052进行处理，通入还原物质使第三电极3051和第四电极3052的 上表面区域109上表面形成第三金属材料。
此时，在高温环境下，向第三过孔107和第四过孔108对应的区 域内通入还原性气体，优选的，本揭示实施例中，第二金属层305 中的第三电极3051和第四电极3052的材料为CuO或Mo/Cu等导电 氧化物材料，通入的还原性气体可包括CO气体或H2气体，或其他 具有还原性的气体。
当通入的还原性气体为CO时，将衬底基板进行加热，加热温 度为100℃～210℃，本揭示实施例中，优选为200℃。基板加热到 设定的温度后，再向第二金属层305对应的第三电极3051和第四电 极3052上表面通入CO气体，在高温环境下，第二金属层305的上表 面区域109的CuO会被还原，发生还原反应，具体的反应式为： CuO+CO＝Cu+CO2。CuO还原形成金属Cu，此时第三金属材料为 金属Cu，形成的CO2直接挥发，在显示面板的膜层中不会形成残 留。并且形成的金属Cu层的厚度可根据产品需求进行设定，若需 求的金属Cu层的厚度较厚，就增大通入的气体的流量并且增大两 者的反应时间。
当通入的还原性气体为H2时，同理，加热温度为100℃～210℃， 本揭示实施例中，优选为200℃。然后在开口区域内通入H2气体， 此时CuO还原形成金属Cu，具体的反应式为：CuO+H2＝Cu+H2O， 在高温环境下，生产的H2O会直接挥发，并不会产生残留。
进一步的，当通入的还原物质为还原性液体时，优选的，还原 性液体为乙醇物质，在通入乙醇过程中，在高温下进行处理，将 乙醇液体均匀的涂布在第二金属层305对应的第三电极3051和第 四电极3052的上表面区域109上，优选的处理温度为200℃。或者， 在涂布乙醇液体时，首先将显示面板对应的第三电极3051和第四 电极3052加热到200℃，然后快速的将乙醇涂布在上表面区域109 上，使其发生反应。此时，第二金属层305表面材料会发生还原， 具体的：CH3CH2OH(乙醇)+CuO＝CH3CHO+H2O+Cu，由于生成 的CH3CHO+H2O在高温环境下直接挥发，因此不会对显示面板的 膜层以及显示面板的使用性能造成影响。
优选的，本揭示实施例中还可包括步骤S105：
S105：将外围线路与所述开孔结构对应的所述第二金属层绑 定，完成显示面板的制备。
最终，制备形成本揭示实施例提供的显示面板，由于在过孔结 构对应的第二金属层305的表面形成的第三金属材料为金属Cu，金 属Cu具有较好的导电导热等性能，因此在将外围线路与开孔结构 内对应的第二金属层绑定时，两者之间的绑定效果较好，同时绑定工艺简单。从而可直接将外围走线与第二金属层中对应的第三 电极进行连接，最终实现了省去了在第二金属层对应的第三电极 层上单独设置用于过渡连接的氧化铟锡膜层的工艺，从而达到简 化生产工艺流程并降低生产成本的目的。
以上对本揭示实施例所提供的一种显示面板的制备方法及显 示面板进行了详细的介绍，以上实施例的说明只是用于帮助理解 本揭示的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理 解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，而 这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实 施例的技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和非显示区，其特征在于，包括如下步骤：
S100：在衬底基板上制备第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成间隔的第一电极、栅极和第二电极，所述第一电极位于所述非显示区，所述栅极、所述第二电极位于所述显示区；
S101：在所述衬底基板上沉积绝缘层和有源层，并对所述绝缘层和所述有源层进行图案化处理，形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯穿所述绝缘层和所述有源层，以将所述第一电极露出，所述第二过孔贯穿所述绝缘层和所述有源层，以将所述第二电极露出；
S102：在所述衬底基板上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，形成源极、漏极、第三电极和第四电极，所述源极和所述漏极设置在所述栅极上，所述第三电极通过所述第一过孔连接所述第一电极，所述第四电极通过所述第二过孔连接所述第二电极；
S103：在所述衬底基板上沉积钝化层，并对所述钝化层进行图案化处理，形成第三过孔和第四过孔，所述第三过孔贯穿所述钝化层，以将所述第三电极露出；所述第四过孔贯穿所述钝化层，以将所述第四电极露出；
S104：在高温下通入还原物质，使所述第三过孔处对应的所述第三电极和所述第四过孔处对应的第四电极发生还原反应，并在所述第三电极和所述第四电极表面形成第三金属层。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述还原物质包括还原性气体，所述还原性气体包括CO、H2。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，对所述衬底基板加热，同时在100℃~210℃温度下通入所述还原物质并加热。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S104中，所述还原物质包括还原性液体，所述还原性液体包括乙醇。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在200℃温度下，在所述第三过孔相对的所述第三电极和所述第四过孔相对的所述第四电极的表面涂布所述乙醇。
6.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，将所述显示面板的所述第三电极和所述第四电极加热到200℃，并在所述第三电极和所述第四电极表面涂布所述乙醇。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括步骤：将所述显示面板的外围线路与所述第三过孔对应的第三电极进行绑定，并完成所述显示面板的制备。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S104中，所述第三电极和所述第四电极的材料包括CuO，所述CuO与所述还原物质发生反应还原形成所述第三金属层Cu。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104377167A (zh) * 2014-11-13 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN107464776A (zh) * 2017-08-30 2017-12-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN210271564U (zh) * 2019-10-28 2020-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103185998B (zh) 2011-12-30 2015-07-15 上海天马微电子有限公司 非晶硅栅极驱动线路的形成方法及液晶显示器形成方法
KR101600306B1 (ko) * 2014-04-17 2016-03-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR20180039227A (ko) * 2016-10-07 2018-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106941093B (zh) 2017-05-12 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板及其制造方法
CN107818988A (zh) * 2017-09-27 2018-03-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104377167A (zh) * 2014-11-13 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN107464776A (zh) * 2017-08-30 2017-12-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN210271564U (zh) * 2019-10-28 2020-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

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