CN111682057B - 显示面板及显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本揭示实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，显示面板包括显示区和非显示区，在制备显示面板的电极层时，采用一道次半色调掩膜板工艺对各电极层进行处理，并且还对非显示区内的电极层热处理，使其晶粒化，从而增强并改善电极层与基板之间的粘接效果。本揭示实施例中的制备方法更加简单有效并且电极层与膜层之间的粘接效果更好。
Description
技术领域
本揭示涉及面板显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。
背景技术
随着显示技术的不断发展，各显示器件对显示面板的尺寸及性能提出了越来越高的要求。
其中，有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light-emittingdiode，AMOLED)技术是面板行业的发展趋势，相比液晶显示器(Liquid crystal display，LCD)而言，OLED具有结构简化，色域更广，响应时间更快等优点。目前应用最广的是底发光型WOLED，在制备该底发光型器件时通常采用蒸镀的方法进行制备，但是该制备工艺对有机发光材料浪费极大，并且器件的开口率也较低，不利于高分辨率显示器件的应用。同时，对于现有工艺制备的顶发光型OLED器件而言，在制备过程中，往往采用的光罩次数多，并且工艺复杂。不利于显示面板综合性能的提高。
综上所述，现有的显示面板以及显示面板的制备工艺技术中，存在着有机发光材料的浪费较严重，并且器件的开口率较低，同时，还存在着光刻次数多、制备工艺复杂等问题，不利于显示面板综合性能的提高。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以解决现有的显示面板中，有机发光材料的浪费较严重，并且器件的开口率较低，以及制备工艺复杂等问题。
为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：
根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：
S100：提供基板，在所述基板的显示区和非显示区上沉积钝化层并进行图案化处理；
S101：在所示钝化层上制备平坦化层，并对所述钝化层和所述平坦化层图案化处理；
S102：在所述平坦化层上制备复合阳极膜层并进行蚀刻工艺处理，其中，对所述非显示区对应的基板采用半色调掩膜板工艺进行处理；
S103：对所述非显示区内的基板进行热处理，使所述非显示区对应的所述复合阳极膜层晶体化；
S104：剥离所述非显示区域对应的所述复合阳极膜层多余的膜层，得到电极膜层；
S105：制备像素定义层，并得到所述显示面板。
根据本揭示一实施例，所述步骤S102中还包括：采用一步半色调掩膜板工艺同时对所述显示区和所述非显示区对应的基板进行光刻处理。
根据本揭示一实施例，所述非显示区对应的掩膜板为半透过掩膜板。
根据本揭示一实施例，所述步骤S103中，所述热处理工艺包括：在100℃～150℃下并在保护气体的保护作用下进行所述热处理。
根据本揭示一实施例，制备所述复合阳极膜层时，所述复合阳极膜层包括依次设置的第一电极层、金属银以及第二电极层，且所述第一电极层设置在所述平坦化层上。
根据本揭示一实施例，所述第一电极层通过过孔与所述显示面板内的薄膜晶体管和金属走线电连接。
根据本揭示一实施例，所述步骤S100中，在制备所述钝化层时，所述钝化层远离所述基板一侧的膜层设置为SiNx膜层，所述SiNx膜层的厚度为5nm～500nm。
根据本揭示实施例的第二方面，还提供一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
衬底；
钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述显示区对应的所述钝化层上；以及
像素定义层，所述像素定义层设置在所述显示区对应的所述平坦化层上；
其中，所述显示面板还包括复合阳极膜层和第一电极层，所述复合阳极膜层设置在所述像素定义层对应的像素开口区域内，所述第一电极层设置在所述非显示区对应的钝化层上，且所述复合阳极膜层通过第一过孔与薄膜晶体管电连接，所述第一电极层通过第二过孔与所述衬底内的金属走线电连接。
根据本揭示一实施例，所述复合阳极膜层包括氧化铟锡膜层、金属银层以及第二电极层，所述金属银层设置在所述氧化铟锡膜层上。
根据本揭示一实施例，所述第一电极层包括晶粒化的氧化铟锡膜层。
综上所述，本揭示实施例的有益效果为：
本揭示实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，显示面板包括显示区和绑定区，在制备显示面板的电极层或氧化铟锡膜层时，采用一次半色调掩膜板工艺同时制备获得显示区和绑定区内对应的电极层，以简化显示面板的制备工艺。并且还对绑定区内的电极层热处理，使其晶粒化，并去除掉该电极层上的多余膜层。以进一步增强并改善电极层与基板之间的粘接效果。本揭示实施例中的制备方法更加简单有效并且，本实施例中提供的显示面板内的电极层与基板之间的粘接效果更好，显示面板的综合性能良好。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本揭示实施例提供的显示面板的膜层结构示意图；
图3为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺流程示意图；
图3A～图3C为本揭示实施例提供的显示面板的制备方法对应的膜层结构示意图；
图4A～图4D为本揭示实施例提供的复合阳极膜层制备工艺流程示意图；
图5为本揭示实施例提供的第一电极层结晶示意图；
图6为本揭示实施例提供的又一显示面板的膜层结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。
显示面板已被广泛的应用于各种显示设备中，但是，在制备不同类型的显示面板时，尤其是在制备AMOLED面板，往往存在着材料的利用率不高，并且在制备过程中，需要较多道次的光罩处理，制备工艺较复杂，不利于显示面板综合性能的提高以及成本的降低。
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以解决现有技术中存在的问题，如图1所述，图1为本揭示实施例提供的显示面板的结构示意图。
显示面板包括衬底10以及阵列基板11。阵列基板11设置在衬底10上，其中衬底10可包括玻璃基板或柔性基板，阵列基板11可为常用的薄膜晶体管阵列基板。
以及显示区域12和非显示区域13。本揭示实施例中，非显示区域13围绕所述显示区12设置，同时，在非显示区域13内还包括绑定区14，在绑定区14还可设置多个连接端子，通过多个连接端子将部分器件及线路与阵列基板11相绑定。
具体的，如图2所示，图2为本揭示实施例提供的显示面板的膜层结构示意图。显示面板包括显示区AA以及非显示区BB，显示区AA可与非显示区BB相邻，且非显示区BB靠近显示面板的边缘，本揭示实施例中，非显示区BB以显示面板边界处的绑定区为例进行说明。
显示面板还包括衬底100、钝化层101以及绝缘层102，钝化层101设置在衬底100上，绝缘层102设置在钝化层101上。本揭示实施例中，钝化层101的材料优选为SiO2、SiNx、Al2O3中的一种或者其多种材料。其中，钝化层101可为至少一层膜层结构，钝化层101可通过等离子体增强化学的气相沉积方法制备得到的绝缘膜层。
进一步的，所述绝缘层102的材料为SiNx材料，且SiNx膜层的厚度为5nm～500nm。
本揭示实施例中，钝化层101和绝缘层102可设置为一层膜层，当为一层膜层时，其膜层上表面的材料设置为SiNx材料，且SiNx膜层的厚度为5nm～500nm。
具体的，显示面板还包括薄膜晶体管器件层109和金属走线层110。其中薄膜晶体管器件层109设置在显示面板显示区AA对应的区域内，金属走线层110设置在显示面板非显示区BB对应的区域内。同时，钝化层101覆盖所述薄膜晶体管器件层109和金属走线层110。
金属走线层110的材料可包括Mo、Al、Ti、Cu等金属中的一种或者几种的组合。
优选的，本揭示实施例提供的显示面板还包括平坦化层104，平坦化层104设置在绝缘层102上，且所述平坦化层104设置在显示面板AA区对应的位置上。
进一步的，显示面板还包括复合阳极膜层，本揭示实施例中复合阳极膜层包括多层膜层，具体的包括第一电极层105、金属银层106以及第二电极层107。
第一电极层105设置在显示面板显示区域AA对应的平坦化层104上，同时，复合阳极膜层设置在显示面板显示区域AA对应的像素发光开口区域上。且金属银层106设置在第一电极层105上，第二电极层107设置在金属银层106。
其中，第一电极层105和第二电极层107的材料可相同，优选的为氧化铟锡电极膜层。
以及第三电极层103，第三电极层103设置在显示面板非显示区域对应的膜层上，具体的，第三电极层103设置在绝缘层102上。
本揭示实施例中，第三电极层103和第一电极层105可由同一电极膜层制备而来，即同一膜层在不同的掩膜板的作用下，分别在不同的区域内形成第一电极层105和第三电极层103。
第一电极层105、第二电极层107以及第三电极层103可由相同的材料制备而得到。
进一步的，本揭示实施例中，为了提高非显示区域BB内第三电极层103与绝缘层102之间的粘接性能，还对第三电极层103进行热处理。使第三电极层103的材料发生晶化。
晶化后的第三电极层103由于晶粒变得更细小，因此，有效的提高了第三电极层103与绝缘层102之间的粘着力，进而提高粘结效果。而第一电极层105并不需要进行相应的热处理工艺。
同时，本揭示实施例提供的显示面板还包括第一过孔111和第二过孔112。第一过孔111设置在显示区域AA内的薄膜晶体管器件层109对应的区域上，且第一过孔111贯穿钝化层101、绝缘层102和平坦化层104。
第二过孔112设置在显示面板非显示区域BB内的金属走线层110对应的膜层上。同时，第二过孔112贯穿钝化层101和绝缘层102。
其中，第一电极层105通过第一过孔111与薄膜晶体管器件层109电连接，第三电极层103通过所述第二过孔112与金属走线层110相电连接，进而实现显示面板数据及控制信号的传递。
显示面板还包括像素定义层108，像素定义层108设置在显示面板的显示区域AA对应的膜层上，同时，像素定义层108还设置有多个像素开口，复合电极层设置在相对应的像素开口区域内。
进一步的，本揭示实施例还提供一种显示面板的制备方法，具体的如图3所示，制备方法包括如下步骤：
S100：提供基板，在所述基板的显示区和非显示区上沉积钝化层并进行图案化处理；
S101：在所示钝化层上制备平坦化层，并对所述钝化层和所述平坦化层图案化处理；
如图3A、图3B所示，图3A和图3B为本揭示实施例提供的显示面板的制备方法对应的膜层结构示意图。提供一基板100，基板100可为阵列基板，并在基板100对应的显示区域内制备薄膜晶体管器件层109，在非显示区对应的区域制备金属走线层110。
同时，在基板100上制备钝化层101，所述钝化层101完全覆盖薄膜晶体管器件层109和金属走线层110。
并且在钝化层101上制备一绝缘层102，其中绝缘层102的材料为SiNx，优选的SiNx膜层的厚度为5nm～500nm。
在绝缘层102上制备平坦化层104，所述平坦化层104设置在显示面板显示区域对应的区域上。
上述各膜层制备完成后，对相应的膜层图案化处理，并形成第一过孔和第二过孔结构。
本揭示实施例中，步骤S100和步骤S101，可采用一张半色调掩膜板光罩来对相应的膜层进行图案化处理，以形成所需要的膜层结构。
S102：在所述平坦化层上制备复合阳极膜层并进行蚀刻工艺处理，其中，对所述非显示区对应的基板采用半色调掩膜板工艺进行处理；
继续制备相应的电极层。如图3C所示，在显示面板的平坦层上设置复合阳极膜层，具体的，复合阳极膜层包括依次设置的第一电极层105、金属银层106以及第二电极层107。
复合阳极膜层设置完成后，采用半色调掩膜板工艺对所述复合阳极膜层进行处理，在显示面板的非显示区域内对应的复合阳极膜层上采用半色调掩膜板工艺，将金属银层106以及第二电极层107蚀刻掉，仅留下第一电极膜层，并将多余的光阻层剥离，其中，光阻层可以是聚酰亚胺系、亚克力系等有机光阻中的一种。
S103：对所述非显示区内的基板进行热处理，使所述非显示区对应的所述复合阳极膜层晶体化；
S104：剥离所述非显示区域对应的所述复合阳极膜层多余的膜层，得到电极膜层；
具体的，如图4A～图4D所示，图4A～图4D为本揭示实施例提供的复合阳极膜层制备工艺流程示意图。如图4A中所示，显示面板的各膜层制备完成后，再对显示面板进行半色调掩膜板工艺处理。
同时结合图2及图3中的膜层结构示意图。在本揭示实施例中，依次在平坦化层104上设置第一电极层105、金属银层106、第二电极层107，同时在显示区域对应的第二电极层107上设置第一光阻层113，优选的，第二电极层107的厚度为20nm～110nm，且第一电极层105和第二电极107均可为氧化铟锡膜层，并在非显示区域对应的第二电极层107上设置第二光阻114。
第一光阻层113和第二光阻层114可为有机光阻，具体的为聚酰亚胺系或系亚克力系等有机光阻中的一种，同时，所述光阻可具有较好的疏水性能。
进一步的，在对显示面板蚀刻时，采用半色调掩膜板工艺，即在第二光阻114对应的区域内的采用半色调掩膜板工艺进行处理，蚀刻出各个区域内对应的电极层图案。
蚀刻后得到图4B中所示的结构膜层示意图。继续对非显示区域内对应的各电极层进行处理。
如图4C所示，通过低温烘烤使非显示区域上的第一电极层105晶化，形成晶化电极层1051。其中，在进行热处理时，可在100℃～150℃的温度下，并在保护气体的保护作用下进行所述热处理。
所述保护气体可包括O2、N2、空气，或直接在真空环境下进行热处理。晶化后的晶化电极层1051内的晶粒更细小，因此，在于绝缘层102粘接后，其粘接性能更好，不容易脱落。
热处理完成后，继续对电极层处理，如图4D所示，剥离掉半色调工艺未处理完的电极层，即将非显示区内的第二电极层107和金属银层106剥离去除，并在不同的区域内形成不同的电极层图案。
如图5所示，图5为本揭示实施例提供的第一电极层结晶示意图。在非显示区域内，所述膜层包括依次设置的金属走线层110、第一电极层103、钝化层101、绝缘层102以及部分未热处理完全的氧化铟锡膜层105。
第一电极层103对应的设置在显示面板非显示区对应的金属走线层110上，并通过过孔结构与金属走线层110电连接。经过热处理后，第一电极层103的材料内部晶粒再结晶并细化，进而增强了第一电极层103与金属走线层110和钝化层101以及绝缘层102之间的粘接力。
S105：制备像素定义层，并得到所述显示面板。
如图6所示，图6为本揭示实施例提供的又一显示面板的膜层结构示意图。各电极层制备完成后，在显示区对应的膜层上制备像素定义层108，同时将该区域内的电极层设置在像素定义层108的开口区域内，并最终形成本揭示实施例提供的显示面板。
优选的，在上述制程中，在对各膜层图形化处理和过孔结构制程的方式中可包含涂敷光阻，曝光，显影等工艺，但不限于以上制程；同时本揭示实施例提供的制备方法可应用于顶发光模式型，通过蒸镀或喷墨打印而得到的AMOLED面板中。
以上对本揭示实施例所提供的一种显示面板及显示面板的制备方法进行了详细的介绍，以上实施例的说明只是用于帮助理解本揭示的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例的技术方案的范围。
Claims (5)
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S100：提供基板，在所述基板的显示区和非显示区上沉积钝化层并进行图案化处理，所述基板对应的显示区内制备薄膜晶体管器件层，所述基板对应的非显示区内制备金属走线层；
S101：在所述钝化层上制备平坦化层，并对所述钝化层和所述平坦化层图案化处理，使图案化处理后的所述平坦化层设置在与所述显示区对应的所述钝化层上；
S102：在图案化处理后的所述平坦化层上以及在与所述非显示区对应的所述钝化层上制备复合阳极膜层并进行蚀刻工艺处理，其中，所述复合阳极膜层包括依次设置的第一电极层、金属银层以及第二电极层，且所述第一电极层设置在图案化处理后的所述平坦化层上以及在与所述非显示区对应的所述钝化层上，且所述第一电极层分别通过第一过孔与第二过孔来与所述薄膜晶体管器件层和所述金属走线层电连接，其中所述第一过孔设置在所述显示区内的薄膜晶体管器件层对应的区域上，所述第二过孔设置在所述非显示区内的金属走线层对应的膜层上；其中，对所述非显示区对应的基板采用半色调掩膜板工艺进行处理，使与所述非显示区对应且已被半色调掩膜板工艺处理完的金属银层以及第二电极层蚀刻掉，留下与所述非显示区对应的第一电极层；
S103：对所述非显示区内的基板进行热处理，使所述非显示区对应的所述第一电极层晶体化；
S104：剥离所述非显示区域对应的所述复合阳极膜层在半色调掩膜板工艺后未处理完的金属银层以及第二电极层，得到电极膜层；
S105：制备像素定义层，并得到所述显示面板。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S102中还包括：采用一步半色调掩膜板工艺同时对所述显示区和所述非显示区对应的基板进行光刻处理。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述非显示区对应的掩膜板为半透过掩膜板。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S103中，所述热处理工艺包括：在100℃～150℃下并在保护气体的保护作用下进行所述热处理。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S100中，在制备所述钝化层时，所述钝化层远离所述基板一侧的膜层设置为SiNx膜层，所述SiNx膜层的厚度为5nm～500nm。
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