CN114023797B - 一种显示面板及显示面板制作方法 - Google Patents
一种显示面板及显示面板制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114023797B CN114023797B CN202111263109.0A CN202111263109A CN114023797B CN 114023797 B CN114023797 B CN 114023797B CN 202111263109 A CN202111263109 A CN 202111263109A CN 114023797 B CN114023797 B CN 114023797B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode layer
- opening
- array substrate
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 366
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 47
- 238000012876 topography Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 15
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- -1 silicon oxide compound Chemical class 0.000 description 4
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006162 poly(etherimide sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板及显示面板制作方法。本申请实施例提供的显示面板包括阵列基板、第一电极层、像素定义层、发光功能层以及第二电极层。像素定义层上设置有第一开口和第二开口。所述像素电极层的远离所述阵列基板的一侧表面低于所述辅助电极层的远离所述阵列基板的一侧表面。通过降低第二电极层与辅助电极层搭接的第二开口的深度，使得第二开口的地势高于像素发光区的第一开口，从而发光功能层难以在第二开口中沉积。由此，第二开口中沉积有发光功能层材料的现象能够被改善，以降低第二电极层与辅助电极层搭接处的电阻。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示面板制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注。OLED显示作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)，并广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。高分辨率高刷新率的显示面板中，面板的亮度均一性受充电率，电压降(IR Drop)影响较大，通常亮度分布呈现四周亮、中间暗的趋势。
目前业内改善大尺寸面板IR Drop问题，一般采用辅助阴极走线，并通过辅助阴极接触孔，使面阴极与辅助阴极搭接，实现面阴极与辅助阴极走线并联，以达到降低OLED阴极电阻的目的。
在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，辅助阴极走线与阴极搭接必须有阴极接触孔的设计。阴极接触孔的形状以及膜层结构，将影响像素的开口率，甚至影响制程的可行性。若OLED产品采用低成本的打印成膜制程，一般采用线性像素定义层像素(Line-bank pixel)设计，以获得更好的发光层成膜均匀性。对于Line-bank pixel，阴极接触孔设计在打印区内。目前技术会在接触孔内沉积有机层材料，从而增大了面阴极与辅助阴极的接触电阻。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及显示面板制作方法，可以减小面阴极层与辅助电极层的接触电阻。
本申请实施例提供一种显示面板，包括：
阵列基板；
第一电极层，所述第一电极层设置在所述阵列基板上，所述第一电极层包括像素电极层和辅助电极层；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述第一电极层远离所述阵列基板的一侧，所述像素定义层上设置有第一开口和第二开口，所述第一开口对应所述像素电极层设置，所述第二开口对应所述辅助电极层设置，所述像素电极层的远离阵列基板的一侧表面低于所述辅助电极层的远离阵列基板的一侧表面；
发光功能层，所述发光功能层设置在所述像素电极层远离所述阵列基板的一侧，并通过所述第一开口与所述像素电极层连接；
第二电极层，所述第二电极层设置在所述发光功能层远离所述阵列基板的一侧，并通过所述第二开口与所述辅助电极层连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括垫高层，所述垫高层设置在所述阵列基板上，所述辅助电极层对应所述垫高层设置在所述垫高层远离所述阵列基板的一侧。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括平坦化层，所述平坦化层包括第一平坦化层以及第二平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述阵列基板上，所述第二平坦化层设置在所述第一平坦化层远离所述阵列基板的一侧，所述第二平坦化层部分覆盖所述第一平坦化层，所述辅助电极层对应所述第二平坦化层设置，所述垫高层为所述第二平坦化层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括平坦化层，所述平坦化层设置在所述阵列基板上，所述平坦化层上具有凸出部，所述垫高层为所述凸出部。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极层的厚度大于所述像素电极层的厚度。
可选的，在本申请的一些实施例中，至少所述第二开口的底面具有疏液性。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素电极层两侧的像素定义层高度不同。
相应的，本申请还提供一种显示面板制作方法，包括：
提供一阵列基板；
在所述阵列基板上设置第一电极层，所述第一电极层包括像素电极层和辅助电极层；
在所述第一电极层远离所述阵列基板的一侧设置像素定义层；
在所述像素定义层上对应所述像素电极层设置第一开口，并对应所述辅助电极层设置第二开口；所述像素电极层的远离所述阵列基板的一侧表面低于所述辅助电极层的远离所述阵列基板的一侧表面；
在所述像素电极层远离所述阵列基板的一侧设置发光功能层，所述发光功能层通过所述第一开口与所述像素电极层连接；
在所述发光功能层远离所述阵列基板的一侧设置第二电极层，所述第二电极层通过所述第二开口与所述辅助电极层连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述像素定义层上对应所述像素电极层设置第一开口，并对应所述辅助电极层设置第二开口，包括如下步骤：
对所述像素定义层进行半色调掩膜处理，以在所述像素定义层上对应所述像素电极层设置第一开口，并对应所述辅助电极层设置第二开口。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述像素定义层上对应所述像素电极层设置第一开口，并对应所述辅助电极层设置第二开口之后，还包括如下步骤：
在所述第二开口内蒸镀疏水材料，以使至少所述第二开口的底面具有疏液性。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述像素定义层上对应所述像素电极层设置第一开口，并对应所述辅助电极层设置第二开口之后，还包括如下步骤：
在所述第二开口的底面添加疏水材料，所述疏水材料发生自组装反应，以使至少所述第二开口的底面具有疏液性。
本申请实施例提供一种显示面板及显示面板制作方法。本申请实施例提供的显示面板包括阵列基板、第一电极层、像素定义层、发光功能层以及第二电极层。像素定义层上设置有第一开口和第二开口。所述像素电极层的远离所述阵列基板的一侧表面低于所述辅助电极层的远离所述阵列基板的一侧表面，使得第二开口的地势高于像素发光区的第一开口，从而发光功能层难以在第二开口中沉积。由此，第二开口中沉积有发光功能层材料的现象能够被改善，以降低第二电极层与辅助电极层搭接处的电阻。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图；
图2是本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图；
图3是本申请实施例提供的显示面板的第三种结构示意图；
图4是本申请实施例提供的显示面板的第四种结构示意图；
图5是本申请实施例提供的显示面板的第五种结构示意图；
图6是本申请实施例提供的显示面板制作方法的一种流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及显示面板制作方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1和图2。图1是本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图。图2是本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。本申请实施例提供的显示面板10包括阵列基板10A、第一电极层112、像素定义层113、发光功能层116以及第二电极层117。第一电极层112设置在阵列基板10A上。第一电极层112包括像素电极层1122和辅助电极层1121。像素定义层113设置在第一电极层112远离阵列基板10A的一侧。像素定义层113上设置有第一开口10a和第二开口10b。第一开口10a对应像素电极层1122设置。第二开口10b对应辅助电极层1121设置。其中，像素电极层1122的远离阵列基板10A的一侧表面低于辅助电极层1121的远离阵列基板10A的一侧表面。发光功能层116设置在像素电极层1122远离阵列基板10A的一侧，并通过第一开口10a与像素电极层1122连接。第二电极层117设置在发光功能层116远离阵列基板10A的一侧，并通过第二开口10b与辅助电极层1121连接。
本申请实施例提供一种显示面板10。本申请实施例提供的显示面板10包括阵列基板10A、第一电极层112、像素定义层113、发光功能层以及第二电极层。像素定义层113上设置有第一开口10a和第二开口10b。像素电极层1122的远离阵列基板10A的一侧表面低于辅助电极层1121的远离阵列基板10A的一侧表面。通过降低第二电极层与辅助电极层1121搭接的第二开口10b的深度d2，使得第二开口10b的地势高于像素发光区的第一开口10a，从而发光功能层116难以在第二开口10b中沉积。由此，第二开口10b中沉积有发光功能层116材料的现象能够被改善，以降低第二电极层117与辅助电极层1121搭接处的电阻。
可选的，辅助电极层1121的厚度大于像素电极层1122的厚度。辅助电极层1121与像素电极层1122是同层制作的。在本申请实施例中，可以通过在制程中采用半色调掩膜的工艺进行制作以形成辅助电极层1121的厚度大于像素电极层1122的厚度的结构。或者，可以采用多次刻蚀或增加一步光刻的方法，使像素电极层1122的厚度小于辅助电极层1121的厚度。
可选的，至少第二开口10b的底面具有疏液性。具体的，在一些实施例中，第二开口10b的底面具有疏液性。在另一些实施例中，第二开口10b的底面以及第二开口10b的侧壁均具有疏液性。
对第二开口10b的表面进行疏液处理，能够更好的防止发光功能层116的材料进入第二开口10b。由此，可以更好的避免发光功能层材料进入第二开口10b，影响第二电极层117与辅助电极层1121的搭接。其中，可以采用在第二开口10b的表面涂覆疏水材料的方法，使第二开口10b的底面或底面及侧壁具有疏液性。可选的，疏水材料可以为烷基链较长的材料，例如，十八烷基三氯硅烷。
可选的，可以在第二开口10b的表面添加亲水材料或疏水材料，发生自组装反应，使得第二开口10b的表面具有疏液性。其中，发生自组装反应的亲水材料可以为含有-OH、-F、-Cl、-Br、-I、-CHO、-COOH等基团的自组装材料。发生自组装反应的疏水材料可以为烷基链较长的材料，例如，十八烷基三氯硅烷。
可选的，像素定义层113靠近阵列基板10A的一侧具有亲液性，像素定义层113远离阵列基板10A的一侧具有疏液性。
亲液性是指材料表面易被液体介质润湿或溶化。疏液性(也可称为憎液性)与亲液性相反，疏液性是指材料表面不易被液体介质润湿或溶化。材料表面的亲液和憎液性质主要由其表面结构或官能团的性质所决定。本申请中可以通过调节制程工艺参数对像素定义层113的亲疏液性进行改变和调整，例如显影工艺和固化工艺的参数。对像素定义层113的亲疏液性进行改变和调整，可以适配不同打印工艺、墨水的种类以及膜层的厚度，使像素定义层113更容易适应不同显示面板的要求。
具体地，像素定义层113材料的厚度会影响材料的亲疏液性，例如，当疏液材料很薄的情况下，则不具有疏液性。另外，对材料进行氧气(O2)或氮气(N2)等离子体处理可以使疏液性变为亲液性，对材料进行氟气(F)等离子体处理可以使亲液性变为疏液性。
可选的，像素定义层113为Line-bank结构，即面板中像素定义层113开孔至少一个纵横方向为贯穿条形开孔，使得像素定义层113也为贯穿条形。Line-bank结构的像素定义层113更有利于喷墨打印成膜的有机分子得到更佳的均一性。当像素定义层113设置为Line-bank结构时，像素电极层1122左右两侧的像素定义层113的高度不同。Line-bank结构为本领域技术人员所熟知的技术手段，在此不再赘述。
有机发光二极管显示面板中的发光功能层116可采用喷墨印刷(Ink-JetPrinting,IJP)的工艺进行制作。喷墨打印的发光功能层116材料浓度较低，需要打印较多的发光功能层116材料才能达成发光功能层目标膜厚，但较多发光功能层116材料通常容易在打印时溢出开口，并与其他颜色的发光功能层116材料发生桥连导致混色。本申请实施例中的像素定义层113靠近阵列基板10A的一侧具有亲液性、远离阵列基板10A的一侧具有疏液性，则可以避免第一开口10a中的发光功能层116溢出导致混色，并能防止发光功能层116流入第二开口10b，影响辅助电极层1121与第二电极层117的搭接电阻。
可选的，阵列基板10A包括基板101，设置于基板101上的遮光层102，设置在基板101上并覆盖遮光层102的缓冲层103，从下到上依次层叠于缓冲层103上的有源层104、栅极绝缘层105和栅极层106，位于缓冲层103上方并覆盖有源层104、栅极绝缘层105和栅极106的层间介质层107。有源层104包括沟道区1041以及位于沟道区1041两侧的源极区1042和漏极区1043，位于层间介质层107上的源极108和漏极109，源极108与漏极109分别和源极区1042和漏极区1043电性连接。源极108和漏极109上还覆盖有钝化层110。像素电极层1122连接源极108或漏极109。阵列基板10A还可以包括其他结构，阵列基板10A的结构及其具体设置是本领域常用的技术手段，在此不再赘述。
需要说明的是，本申请中不限制阵列基板10A中形成的薄膜晶体管的结构，薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管，可以为双栅极型薄膜晶体管，也可以为单栅极型薄膜晶体管。对于薄膜晶体管的具体结构在本申请中不再赘述。
可选的，请参阅图3，图3是本申请实施例提供的显示面板的第三种结构示意图。本申请实施例提供的显示面板10还包括垫高层114。垫高层114设置在阵列基板10A上。辅助电极层1121对应垫高层114设置在垫高层114远离阵列基板10A的一侧。
其中，垫高层114可以选自硅氧化合物、硅氮化合物、硅氧氮化合物中的单层或其叠层。垫高层114还可以是聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和聚醚砜中的一种或多种的组合形成的单层或叠层结构。
需要说明的是，由于在辅助电极层1121下方设置了垫高层114，则可以不用采用半色调掩膜的方法制作辅助电极层1121和像素电极层1122。因此，可以使辅助电极层1121和像素电极层1122的厚度一致。
可选的，请参阅图4，图4是本申请实施例提供的显示面板的第四种结构示意图。显示面板10还包括平坦化层111。平坦化层111包括第一平坦化层1111以及第二平坦化层1112。第一平坦化层1111设置在阵列基板10A上。第二平坦化层1112设置在第一平坦化层1111远离阵列基板10A的一侧。第二平坦化层1112部分覆盖第一平坦化层1111。辅助电极层1121对应第二平坦化层1112设置。垫高层为第二平坦化层1112。
可选的，请参阅图5，图5是本申请实施例提供的显示面板的第五种结构示意图。显示面板10还包括平坦化层111。平坦化层111设置在阵列基板10A上。平坦化层111上具有凸出部115。垫高层为凸出部115。
其中，通过设置垫高层114，使得像素电极层1122的远离阵列基板10A的一侧表面低于辅助电极层1121的远离阵列基板10A的一侧表面。采用垫高层114的方法调节两个电极层的高度，只需要增加一层膜层，设置方法简单方便。
本申请实施例还提供一种显示面板制作方法。请参阅图4，图4是本申请实施例提供的显示面板制作方法的一种流程示意图。本申请实施例提供的显示面板制作方法具体包括如下步骤：
步骤11、提供一阵列基板。
其中，阵列基板包括依次层叠设置的基板、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏金属层以及钝化层。具体的，采用化学气相沉积、物理气相沉积、光刻、蚀刻等工艺，在基板上依次形成以上膜层。
在一种实施例中，在基板上依次沉积钼钛化合物和铜的复合层(MoTi/Cu)，再依次经由曝光、显影、刻蚀等工艺对金属层进行图案化，形成薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)的遮光层(Light-shielding Layer,LS)。在LS层依次沉积硅氮化合物和硅氧化合物的复合层(SiNX/SiOX)作为缓冲(Buffer)层。在Buffer层上沉积透明金属氧化物层，再经由曝光、显影、刻蚀等工艺对金属层进行图案化，形成TFT的栅极(Gate)层。在Gate层上沉积SiOX层作为Gate电极的绝缘层(Insulator Gate)，也就是栅极绝缘层，栅极绝缘层未覆盖的栅极层形成沟道(Channel)层，又称有源层。在Channel层之上沉积硅氧化合物(SiOX)层，再经由曝光、显影、刻蚀、Stripe等工艺对SiOX层进行图案化，形成TFT的层间绝缘层，以对Gate层进行保护。在层间绝缘层上依次沉积MoTi/Cu金属层，再经由曝光、显影、刻蚀、Stripe等工艺对金属层进行图案化，形成TFT的漏极(Drain)和源极(Source)。在Drain和Source电极层上涂布树脂层，再经由曝光、显影等工艺对树脂层进行图案化，形成钝化(Resin)层，以对现有各层起到钝化保护作用。
对于阵列基板中的具体膜层以及其装配为本领域技术人员所熟知的技术手段，在此不做过多赘述。
步骤12、在阵列基板上设置第一电极层，第一电极层包括像素电极层和辅助电极层。
在一种实施例中，采用沉积工艺在阵列基板上设置第一电极材料层，第一电极材料可以采用透明金属氧化物或金属与透明金属氧化物的叠层。
透明金属氧化物层采用的材料包括铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锡氧化物或锑锡氧化物中的任一种。以上材料具有很好的导电性和透明性，并且厚度较小，不会影响显示面板的整体厚度。同时，还可以减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外光。
金属层采用的材料为银、铝、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、铜、钨(W)或钛(Ti)中的任一种。金属的导电性好，成本较低，在保证阳极的导电性的同时可以降低生产成本。
在一种实施例中，第一电极层沉积为ITO/Ag/ITO叠层。
具体地，在等离子体或电场的作用下，对第一电极材料进行轰击，把第一电极材料的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的第一电极材料带有一定的动能，沿一定的方向射向阵列基板，从而在阵列基板上形成第一电极材料。采用沉积的方法，速度快，膜层致密，附着性好，很适合于大批量，高效率工业生产。
在沉积第一电极材料之后，对第一电极材料进行图案化处理，以得到像素电极层和辅助电极层。
在一种实施例中，对第一电极材料进行半色调掩膜处理，以使辅助电极层的厚度大于像素电极层的厚度，进而使得像素电极层的远离阵列基板的一侧表面低于辅助电极层的远离阵列基板的一侧表面。
半色调掩模(Half-tone Mask)工艺是利用光栅的部分透光性，将光阻进行不完全曝光，半透光部分按照膜层刻蚀所需要的高度差来决定光线的透过率。半色调掩模工艺将两道曝光工艺合并为一个。能够节省一道曝光工序，缩短生产周期，提高了生产效率，降低了生产成本。
步骤13、在第一电极层远离阵列基板的一侧设置像素定义层。
在第一电极层上涂布一层像素定义层材料。像素定义层材料为有机光阻，本申请中可以采用正性光阻或负性光阻材料，对此不做限制。
具体地，采用涂布的方法在第一电极层远离阵列基板的一侧与间隙中设置像素定义层材料。具体地，先将像素定义层材料涂布至第一电极层远离阵列基板的一侧与间隙中，然后对像素定义层材料进行平坦化处理并热固化。涂布的方法制程过程可控。涂布后不仅有利于像素定义层结构的稳定，又能防止像素定义层结构在后续制程损坏，也降低了生产成本，提高了生产效率。
步骤14、在像素定义层上对应像素电极层设置第一开口，并对应辅助电极层设置第二开口；像素电极层的远离阵列基板的一侧表面低于辅助电极层的远离阵列基板的一侧表面。
可选的，在像素定义层上对应像素电极层设置第一开口，并对应辅助电极层设置第二开口，包括如下步骤：
对像素定义层进行半色调掩膜处理，以在像素定义层上对应像素电极层设置第一开口，并对应辅助电极层设置第二开口。
由于半色调掩膜工艺可将不同区域的光阻同时进行完全曝光、部分曝光的处理，因此可由一步光罩制程得到深度不同的第一开口以及第二开口，以使像素电极层的远离阵列基板的一侧表面低于辅助电极层的远离阵列基板的一侧表面。由此，能够节省一道曝光工序，缩短生产周期，提高了生产效率，降低了生产成本。
可选的，在像素定义层上对应像素电极层设置第一开口，并对应辅助电极层设置第二开口之后，还包括如下步骤：
在第二开口内蒸镀疏水材料，以在第二开口的底面形成疏水层。
可选的，可以通过调节蒸镀角在第二开口的底面形成疏水层后，在第二开口的侧壁也形成疏水层。
可选的，在像素定义层上对应像素电极层设置第一开口，并对应辅助电极层设置第二开口之后，还包括如下步骤：
在第二开口的底面添加疏水材料，疏水材料发生自组装反应，以在第二开口的底面形成疏水层。
其中，发生自组装反应的亲水材料可以为含有-OH、-F、-Cl、-Br、-I、-CHO、-COOH等基团的自组装材料。发生自组装反应的疏水材料可以为烷基链较长的材料，例如，十八烷基三氯硅烷。
步骤15、在像素电极层远离阵列基板的一侧设置发光功能层，发光功能层通过第一开口与像素电极层连接。
发光功能层可以包括向远离第一面方向层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。
具体地，采用喷墨印刷的方法在第一面上依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。具体地，在第一面上喷墨印刷有机材料，对有机发光材料进行平坦化处理并干燥，对有机材料进行烘烤以得到发光功能层。喷墨印刷的方法可以精确控制成膜区域，能够节约材料，降低成本，提高产品良率。
步骤16、在发光功能层远离阵列基板的一侧设置第二电极层，第二电极层通过第二开口与辅助电极层连接。
第二电极层采用的材料是金属。具体地，可以是镁(Mg)、银(Ag)中的任一种或两者的组。第二电极层在可见光区具有良好的透过性。
本申请实施例提供的显示面板制作方法可用于制作一种显示面板，本申请实施例提供的显示面板包括阵列基板、第一电极层、像素定义层、发光功能层以及第二电极层。像素定义层上设置有第一开口和第二开口。像素电极层的远离阵列基板的一侧表面低于辅助电极层的远离阵列基板的一侧表面。通过降低第二电极层与辅助电极层搭接的第二开口的深度，使得第二开口的地势高于像素发光区的第一开口，从而发光功能层难以在第二开口中沉积。由此，第二开口中沉积有发光功能层材料的现象能够被改善，以降低第二电极层与辅助电极层搭接处的电阻。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示面板制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (4)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
第一电极层，所述第一电极层设置在所述阵列基板上，所述第一电极层包括像素电极层和辅助电极层；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述第一电极层远离所述阵列基板的一侧，所述像素定义层上设置有第一开口和第二开口，所述第一开口对应所述像素电极层设置，所述第二开口对应所述辅助电极层设置，所述像素电极层的远离所述阵列基板的一侧表面低于所述辅助电极层的远离所述阵列基板的一侧表面；
发光功能层，所述发光功能层设置在所述像素电极层远离所述阵列基板的一侧，并通过所述第一开口与所述像素电极层连接；
第二电极层，所述第二电极层设置在所述发光功能层远离所述阵列基板的一侧，并通过所述第二开口与所述辅助电极层连接，所述显示面板还包括垫高层，所述垫高层设置在所述阵列基板上，所述辅助电极层对应所述垫高层设置在所述垫高层远离所述阵列基板的一侧；
所述显示面板还包括平坦化层，所述平坦化层包括第一平坦化层以及第二平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述阵列基板上，所述第二平坦化层设置在所述第一平坦化层远离所述阵列基板的一侧，所述第二平坦化层部分覆盖所述第一平坦化层，所述辅助电极层对应所述第二平坦化层设置，所述垫高层为所述第二平坦化层；
或，所述显示面板还包括平坦化层，所述平坦化层设置在所述阵列基板上，所述平坦化层上具有凸出部，所述垫高层为所述凸出部。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极层的厚度大于所述像素电极层的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少所述第二开口的底面具有疏液性。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极层两侧的像素定义层高度不同。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111263109.0A CN114023797B (zh) | 2021-10-28 | 2021-10-28 | 一种显示面板及显示面板制作方法 |
| US17/614,528 US20240032384A1 (en) | 2021-10-28 | 2021-11-05 | Display panel and method of manufacturing the same |
| PCT/CN2021/128910 WO2023070728A1 (zh) | 2021-10-28 | 2021-11-05 | 一种显示面板及显示面板制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111263109.0A CN114023797B (zh) | 2021-10-28 | 2021-10-28 | 一种显示面板及显示面板制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114023797A CN114023797A (zh) | 2022-02-08 |
| CN114023797B true CN114023797B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=80058289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111263109.0A Active CN114023797B (zh) | 2021-10-28 | 2021-10-28 | 一种显示面板及显示面板制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240032384A1 (zh) |
| CN (1) | CN114023797B (zh) |
| WO (1) | WO2023070728A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115224099A (zh) * | 2022-07-28 | 2022-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113327937A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-08-31 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示面板制作方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5035010B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2012-09-26 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
| JP2011154796A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置 |
| KR102442616B1 (ko) * | 2015-04-08 | 2022-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN107146809A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
| CN109004005B (zh) * | 2018-07-24 | 2020-12-11 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110718571A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111584564B (zh) * | 2020-05-09 | 2022-08-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板制程方法 |
| CN113013357B (zh) * | 2021-02-23 | 2022-04-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN113193025B (zh) * | 2021-04-27 | 2024-05-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113394262B (zh) * | 2021-08-18 | 2022-04-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
-
2021
- 2021-10-28 CN CN202111263109.0A patent/CN114023797B/zh active Active
- 2021-11-05 US US17/614,528 patent/US20240032384A1/en active Pending
- 2021-11-05 WO PCT/CN2021/128910 patent/WO2023070728A1/zh active Application Filing
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113327937A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-08-31 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示面板制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240032384A1 (en) | 2024-01-25 |
| CN114023797A (zh) | 2022-02-08 |
| WO2023070728A1 (zh) | 2023-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10784471B2 (en) | Organic light emitting display device and method of making the same | |
| US20230189570A1 (en) | Display panel and method for fabricating same | |
| WO2020192313A1 (zh) | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 | |
| US7985609B2 (en) | Light-emitting apparatus and production method thereof | |
| EP1626103B1 (en) | Mask frame assembly for depositing thin layer and organic light emitting display device manufactured using the mask frame assembly | |
| US8604495B2 (en) | Organic light-emitting panel for controlling an organic light emitting layer thickness and organic display device | |
| US20210118964A1 (en) | Organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof, and display device | |
| US20150027367A1 (en) | Mask frame assembly for thin film deposition | |
| US20140147950A1 (en) | Method of fabricating organic light emitting diode display device | |
| US10263046B2 (en) | Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel | |
| US20160043152A1 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and organic light emitting display panel | |
| EP2144292A2 (en) | Organic light emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US8294362B2 (en) | Image display device, image display system, and methods for fabricating the same | |
| KR20110138787A (ko) | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 | |
| CN110634933B (zh) | 一种oled显示面板、显示装置及制备方法 | |
| US9865663B2 (en) | Organic light-emitting device | |
| CN111554822A (zh) | 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN113097259B (zh) | 一种显示面板、显示面板制程方法及显示装置 | |
| CN114023797B (zh) | 一种显示面板及显示面板制作方法 | |
| CN108565357B (zh) | 一种喷墨打印的oled显示面板及其制备方法 | |
| US8888547B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| CN114420859B (zh) | 一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 | |
| US20230039681A1 (en) | Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus | |
| KR102464613B1 (ko) | 유기 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| US10978665B1 (en) | Display panel and display panel manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |