WO2020192313A1 - 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 - Google Patents
有机发光显示面板及制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2020192313A1 WO2020192313A1 PCT/CN2020/075818 CN2020075818W WO2020192313A1 WO 2020192313 A1 WO2020192313 A1 WO 2020192313A1 CN 2020075818 W CN2020075818 W CN 2020075818W WO 2020192313 A1 WO2020192313 A1 WO 2020192313A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- layer
- photosensitive active
- substrate
- active layer
- orthographic projection
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 53
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 280
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Definitions
- the present disclosure relates to the field of display technology, in particular, to an organic light-emitting display panel, a manufacturing method, and a display device.
- OLED Organic electroluminescence
- the method further includes: removing the photosensitive active layer in the sub-pixel area.
- the orthographic projection of the auxiliary cathode on the substrate covers the orthographic projection of the opening on the substrate, and is located in the orthographic projection of the pixel defining layer on the substrate .
- the photosensitive active layer is formed of an opaque photosensitive active material, and the orthographic projection of the photosensitive active layer on the substrate does not overlap with the orthographic projection of the sub-pixel area on the substrate.
- the first electrode layer is an anode; and the second electrode layer is a cathode.
- FIG. 1 shows a flowchart of a method for preparing an organic light emitting display panel according to an embodiment of the present disclosure
- FIG. 4 shows a flowchart of a method for preparing an organic light emitting display panel according to an embodiment of the present disclosure
- FIG. 5 shows a method of preparing an organic light emitting display panel according to an embodiment of the present disclosure
- FIG. 7 shows a method of preparing an organic light emitting display panel according to an embodiment of the present disclosure
- FIG. 9 shows a schematic structural diagram of an organic light emitting display panel according to an embodiment of the present disclosure.
- FIG. 10 shows a schematic structural diagram of an organic light emitting display panel according to an embodiment of the present disclosure.
- Top-emission AMOLED passive organic electroluminescent diode
- TFT thin film field effect tube
- the microcavity effect can also improve the color gamut of the AMOLED display and improve the display effect.
- the light transmittance and electrical conductivity of the transparent cathode are crucial factors. Commonly used cathode materials such as aluminum, magnesium-aluminum, and silver can only have good light transmittance when they are very thin.
- the auxiliary cathode in order to prevent the auxiliary cathode from affecting the light transmittance of the top-emission, the auxiliary cathode is usually only arranged in the area corresponding to the pixel defining layer. Therefore, when making the auxiliary cathode, one method is to first place the auxiliary cathode on the cathode layer.
- a whole layer of metal is deposited above, and then the whole layer of metal is patterned through a photolithography process to remove the metal deposited in the corresponding area of the light-emitting layer, so that the auxiliary cathode is only formed in the area corresponding to the pixel defining layer.
- This method is likely to cause damage to the cathode layer during the photolithography process, thereby causing display defects such as black spots.
- Another method is to use a high-precision mask and form an auxiliary cathode through an evaporation process. Although this method does not require a photolithography process, the auxiliary cathode can be formed only in the area corresponding to the pixel defining layer, but the high-precision mask used in this method is expensive and will be scrapped after several uses.
- the present application provides a method for manufacturing an auxiliary cathode, without the need for the above-mentioned photolithography process or fine mask, the auxiliary cathode can be formed only in the area corresponding to the pixel defining layer, which simplifies the manufacturing process, improves product yield, and reduces production. Cost etc.
- the method includes:
- S100 Provide a substrate, and form a light-emitting layer and a cathode layer on the substrate
- the substrate 100 has a pixel defining layer 110, and the pixel defining layer 110 defines a plurality of sub-pixel regions 120 on the substrate 100 (only one is shown in the figure). ).
- the substrate 100 may be a glass substrate.
- the substrate may include a multilayer structure, for example, a multilayer thin film transistor (TFT), a capacitor, etc. formed on the substrate, and may also include a multilayer thin film transistor ( The planarization layer above the structure such as TFT).
- the cathode layer is made of materials such as indium tin oxide and indium zinc oxide with higher transparency, the resistance of the cathode layer is larger, which will produce a larger voltage drop, and as the size of the display panel increases, the cathode layer The voltage drop is significant, resulting in uneven display brightness. Therefore, it is necessary to increase the conductivity by providing an auxiliary cathode.
- the photosensitive active material may have the structure shown in formula I, and the compound with this structure may undergo a ring-closing reaction under ultraviolet light irradiation and become hydrophilic, and may undergo a ring-opening reaction under visible light irradiation , Becomes hydrophobic. Therefore, this method can simply form the auxiliary cathode only in the area corresponding to the pixel defining layer, which improves the product yield and reduces the production cost.
- the compound with the above structure contains more fluorine groups and has a larger polarity.
- the thickness of the formed photosensitive active layer may be 1 nm-1 ⁇ m, for example, it may be 10 nm, 50 nm, 100 nm, 200 nm, 500 nm, or the like. When the thickness of the photosensitive active layer 200 is in the above range, it has good performance.
- the entire photosensitive active layer 200 is subjected to hydrophilic illumination treatment, and through the first patterning process, a plurality of openings arranged in an array are formed in the photosensitive active layer, and the orthographic projection of the plurality of openings on the substrate is located
- the pixel defines the layer area.
- the photosensitive active layer 200 is first subjected to hydrophilic light treatment, such as ultraviolet light treatment, to make the photosensitive active layer hydrophilic.
- the photosensitive active layer has strong adhesion, which is convenient for subsequent passage through the first layer.
- the patterning process forms a plurality of openings 210A, 210B in the photosensitive active layer.
- the orthographic projection of the opening 210A and the opening 210B on the substrate 100 is located in the area of the pixel defining layer 110.
- the first patterning process in step S300 further includes:
- a first mask with a mask opening is formed on the side of the photosensitive active layer away from the cathode layer.
- a first mask 10 having a mask opening 11 is formed on the side of the photosensitive active layer 200 away from the cathode layer 140.
- the orthographic projection of the mask opening 11 on the substrate 100 is located in the area of the pixel defining layer 110.
- the size of the mask opening 11 is not particularly limited, as long as it does not exceed the area corresponding to the pixel defining layer 11.
- photoresist may be coated on the side of the photosensitive active layer 200 away from the cathode layer 140, and then exposed and developed to form the first mask 10.
- the entire photosensitive active layer is treated with hydrophilic light in advance, so it has hydrophilicity and strong adhesion.
- the first mask can be better with the photosensitive active layer. To combine.
- the first mask is used to perform an etching process on the photosensitive active layer, so as to form a plurality of openings penetrating the photosensitive active layer.
- the photosensitive active layer 200 is etched using the first mask 10 to form a plurality of openings 210 penetrating the photosensitive active layer 200.
- a dry etching process or a wet etching process may be performed on the photosensitive active layer to form the opening 210.
- the photosensitive active layer 200 is subjected to hydrophilic light treatment in advance to make it hydrophilic.
- the photosensitive active layer 200 and the first mask 10 have a higher binding force. Therefore, the first mask 10 can be used to wet the photosensitive active layer 200. Specifically, during the dry etching process, it can be performed in an inert gas atmosphere to prevent oxygen in the air from damaging the cathode layer 140 at the opening 210.
- the first mask is removed.
- the first mask formed of the photoresist can be developed by using a developing solution to dissolve and remove the photoresist.
- the photosensitive active material forming the photosensitive active layer according to the embodiment of the present disclosure has a relatively large polarity, so the developer will not cause damage to the photosensitive active layer when the first mask is removed. Specifically, referring to (c) in FIG. 5, after removing the first mask, a plurality of openings 210 are formed.
- the above method can easily form a plurality of openings in the photosensitive active layer, which are used for electrical connection between the auxiliary cathode and the cathode layer formed later.
- a second mask is formed in a predetermined area in the photosensitive active layer.
- the second mask 20 is formed in a predetermined area in the photosensitive active layer 200, and the orthographic projection of the predetermined area on the substrate 100 is not less than that of the opening in the substrate 100.
- the orthographic projection of the predetermined area (ie, the second mask 20) on the substrate 100 does not exceed the orthographic projection of the pixel defining layer 110 on the substrate 100.
- the width of the orthographic projection of the predetermined area on the substrate (refer to the width L shown in FIG.
- the predetermined area is the area where the auxiliary cathode is deposited and formed in the subsequent preparation process.
- the auxiliary cathode is only provided in the area where the pixel defining layer is located.
- the width of the orthographic projection of the predetermined area on the substrate is not more than 26 ⁇ m, and the width of the finally formed auxiliary cathode is not more than 26 ⁇ m.
- the width of the predetermined area in the cross-sectional direction shown in the figure may not be greater than 26 ⁇ m.
- photoresist may be coated on the side of the photosensitive active layer 200 away from the cathode layer 140, and then exposed and developed to form the second mask 20.
- the position and size of the hydrophilic and hydrophobic regions on the photosensitive active layer 200 can be easily controlled, and the region and size of the auxiliary cathode formed by subsequent metal deposition can be controlled.
- the auxiliary cathode is deposited only on the hydrophilic photosensitive active layer portion 220).
- the second mask in the predetermined area is removed.
- the second mask formed by the photoresist may be developed by using a developer solution to dissolve and remove the photoresist.
- the photosensitive active layer includes a hydrophilic photosensitive active layer portion 220 and a hydrophobic photosensitive active layer portion 230.
- this method can easily make the part of the photosensitive active layer except the predetermined area become hydrophobic and lose its adhesion effect.
- the auxiliary cathode is formed by subsequent deposition of metal, the auxiliary cathode layer is only formed in the predetermined area. Sensitive to the surface of the photoactive layer.
- metal is deposited on the side of the photosensitive active layer away from the cathode layer to form an auxiliary cathode.
- a metal is deposited on the side of the photosensitive active layer 200 away from the cathode layer 140, and the metal is formed on the photosensitive active layer 200 where the hydrophilic light treatment has been performed (ie The hydrophilic photosensitive active layer portion 220) forms the auxiliary cathode 300, and the auxiliary cathode 300 and the cathode layer 140 are connected through the opening.
- the photosensitive active layer is formed of a transparent photosensitive active material
- the remaining photosensitive active layer does not need to be removed, and the transparent photosensitive active material is not
- the top emission light transmittance of the manufactured organic light emitting display panel is affected, and the manufacturing process is relatively simple.
- the method further includes:
- the opaque photosensitive active layer can be prevented from affecting the light transmittance of the top-emitting OLED, and the remaining opaque photosensitive active layer has a light shielding effect, can be used as a black matrix, and can even replace the existing polarized light arranged on the outermost side of the organic light emitting panel
- the film can improve the light-emitting efficiency of the light-emitting layer and improve the color gamut.
- the polarized light is usually set on the outermost side of the organic light emitting display panel (that is, the side facing the outside) Film to block the reflection of external light, to ensure that the screen maintains a high contrast ratio.
- the polarizer is usually installed on the entire organic light-emitting display panel, that is, the surface of the light-emitting layer in the sub-pixel area also has a polarizer. Therefore, the polarizer will affect the light-emitting efficiency of the light-emitting layer.
- the present disclosure proposes an organic light emitting display panel, which is prepared by the aforementioned method. Therefore, the organic light emitting display panel has all the characteristics and advantages of the organic light emitting display panel manufactured by the method for manufacturing the organic light emitting display panel described above. The brightness of each position of the organic light emitting display panel is relatively uniform, the power consumption is low, and the performance is good.
- the photosensitive active layer 400 is formed of a photosensitive active material.
- a predetermined area of the photosensitive active layer 400 has a plurality of openings arranged in an array.
- the orthographic projection on the substrate 100 is within the orthographic projection of the pixel defining layer 110 on the substrate 100, the auxiliary cathode 300 is arranged on the side of the auxiliary cathode defining 400 away from the substrate 100, and the orthographic projection of the auxiliary cathode 300 on the substrate 100 It is located in the orthographic projection of the pixel defining layer 110 on the substrate 100, and the auxiliary cathode 300 and the cathode layer 140 are connected through the opening.
- the photosensitive active layer 400 may be formed of a transparent photosensitive active material, the photosensitive active layer 400 covers the entire cathode layer 140, and the photosensitive active layer 400 has an opening in a portion corresponding to the pixel defining layer 110 . Therefore, the transparent photosensitive active material does not affect the top emission transmittance of the manufactured organic light emitting display panel, and the manufacturing process is relatively simple.
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开提供一种有机发光显示面板及其制作方法、显示装置。所述方法，包括：在所述第二电极层远离所述衬底的一侧形成感光活性层，所述感光活性层的亲疏水性可在光照条件下改变；对所述感光活性层进行亲水光照处理；在所述感光活性层中形成开口，所述开口在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底上的正投影内；对所述感光活性层中除了预定区域之外的部分进行疏水光照处理，所述预定区域在所述衬底上的正投影覆盖所述开口在所述衬底上的正投影，且位于所述像素界定层在所述衬底上的正投影内；在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成辅助阴极，使得所述辅助阴极和所述第二电极层通过所述开口相连。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年3月26日提交给中国专利局的第201910234364.9号专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本公开涉及显示技术领域，具体地，涉及有机发光显示面板及制作方法、显示装置。
有机电致发光(OLED)显示技术因其自发光、广视角、对比度高、较低耗电、极高反应速度、超轻、超薄、柔软显示、可卷曲、温度适应性强、制作工艺简单等优点，已成为了光电显示技术领域的研究热点。
发明内容
一方面，本公开提供一种制作有机发光显示面板的方法，包括：在衬底上形成像素界定层，所述像素界定层界定出多个子像素区；在所述子像素区内部形成第一电极层和发光层；在所述像素界定层和所述发光层的远离所述衬底的一侧形成第二电极层，所述第二电极层覆盖所述发光层和所述像素界定层；在所述第二电极层远离所述衬底的一侧形成感光活性层，所述感光活性层的亲疏水性可在光照条件下改变；对所述感光活性层进行亲水光照处理；在所述感光活性层中形成开口，所述开口在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底上的正投影内；对所述感光活性层中除了预定区域之外的部分进行疏水光照处理，所述预定区域在所述衬底上的正投影覆盖所述开口在所述衬底上的正投影，且位于所述像素界定层在所述衬底上的正投影内；在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成辅助阴极，使得所述辅助阴极和所述第二电极层通过所述开口相连。
在一个实施例中，对所述感光活性层进行亲水光照处理，包括：利用紫外光对整个感光活性层进行亲水光照。
在一个实施例中，对所述感光活性层中除了预定区域之外的部分进行疏水光照处理，包括：在所述预定区域中、在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成第二掩膜；利用所述第二掩膜作为遮挡，利用可见光对所述感光活性层进行疏水光照；去除所述预定区域中的第二掩膜。
在一个实施例中，所述感光活性层的材料在紫外光照射下具有亲水性，在可见光照射下具有疏水性。
在一个实施例中，感光活性层由透明的感光活性材料形成。
在一个实施例中，所述透明的感光活性材料包括具有式Ⅰ结构的化合物。
在一个实施例中，所述感光活性层由不透明的感光活性材料形成。
在一个实施例中，在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成辅助阴极之后，所述方法进一步包括：去除所述子像素区中的感光活性层。
在一个实施例中，在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成辅助阴极，包括：在所述感光活性层远离所述衬底的一侧沉积金属，使得金属沉积在所述预定区域中形成辅助阴极。
在一个实施例中，在所述感光活性层中形成开口，包括：在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成具有掩膜开口的第一掩膜，所述掩膜开口在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底的正投影内；利用所述第一掩膜对所述感光活性层进行刻蚀处理，以便形成贯穿所述感光活性层的多个开口；去除所述感光活性层上的第一掩膜。
在一个实施例中，所述预定区域在衬底上的正投影的宽度不大于26μm。
在一个实施例中，所述第一电极层是阳极；所述第二电极层是阴极。
另一方面，提供一种有机发光显示面板，包括：衬底；像素界定层， 其位于所述衬底上并且界定出多个子像素区；第一电极层，位于所述子像素区内部；发光层，其位于所述子像素区内部并且覆盖所述第一电极层；第二电极层，其位于所述像素界定层和所述发光层的远离所述衬底的一侧，并且覆盖所述发光层和所述像素界定层；感光活性层，其位于所述第二电极层远离所述衬底的一侧，所述感光活性层的亲疏水性可在光照条件下改变，所述感光活性层具有开口，所述开口在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底上的正投影内；辅助阴极，其位于所述感光活性层远离所述衬底的一侧，使得所述辅助阴极和所述第二电极层通过所述开口相连。
在一个实施例中，所述辅助阴极在所述衬底上的正投影覆盖所述开口在所述衬底上的正投影，且位于所述像素界定层在所述衬底上的正投影内。
在一个实施例中，所述辅助阴极以多行、多列的网格状布置。
在一个实施例中，所述感光活性层的材料在紫外光照射下具有亲水性，在可见光照射下具有疏水性。
在一个实施例中，所述感光活性层是由透明的感光活性材料形成的，所述感光活性层覆盖整个第二电极层。
在一个实施例中，所述感光活性层是由不透明的感光活性材料形成的，所述感光活性层在所述衬底上的正投影与子像素区在所述衬底的正投影不重叠。
在一个实施例中，所述第一电极层是阳极；并且所述第二电极层是阴极。
又一方面，提供一种显示装置包括上述有机发光显示面板。
附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。
在附图中：
图1显示了根据本公开实施例的制备有机发光显示面板的方法的流程图；
图2显示了根据本公开实施例的制备有机发光显示面板的方法；
图3显示了根据本公开实施例的感光活性材料的亲疏水性的变化的示 意图；
图4显示了根据本公开实施例的制备有机发光显示面板的方法的流程图；
图5显示了根据本公开实施例的制备有机发光显示面板的方法；
图6显示了根据本公开实施例的制备有机发光显示面板的方法的流程图；
图7显示了根据本公开实施例的制备有机发光显示面板的方法；
图8显示了根据本公开实施例的制备有机发光显示面板的方法的流程图；
图9显示了根据本公开实施例的有机发光显示面板的结构示意图；
图10显示了根据本公开实施例的有机发光显示面板的结构示意图；以及
图11显示了根据本公开实施例的有机发光显示面板的俯视图。
以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
顶发射AMOLED(被动式有机电致发光二极管)可有效解决由于复杂TFT(薄膜场效应管)补偿电路所带来的开口率降低及显示屏亮度降低的问题，通过利用顶发射AMOLED器件结构中存在的微腔效应，还可以对AMOLED显示屏的色域进行改善，提高显示效果。在顶发射AMOLED中，透明阴极的透光率和电导率是至关重要的因素。常用的阴极材料如铝、镁-铝、银都只有在很薄时才能有较好的透光度，但阴极层过薄会导致断路或金属氧化，不能有效地形成欧姆接触，致使显示屏亮度不均；而采用透明度较高的氧化铟锡、氧化铟锌等材料制作阴极时，阴极的电阻较大，会产生较大的电压降。随着显示面板尺寸的增加，阴极的电压降显著，从而导致显示的亮度不均匀。因此，需要通过设置辅助阴极的方式增加电导率。
发明人发现，目前制作顶发射AMOLED(被动式有机电致发光二极管)中的辅助阴极的方法，普遍存在制作工艺复杂、容易对阴极造成损害以及成 本较高等问题。目前的顶发射AMOLED工艺，为了避免辅助阴极对顶发射的透光率造成影响，辅助阴极通常只设置在像素界定层对应的区域，因此，在制作辅助阴极时，一种方法是先在阴极层上方沉积一整层的金属，然后通过光刻工艺将整层的金属图案化，去除沉积在发光层对应区域的金属，使得辅助阴极只形成在像素界定层对应的区域。该方法在进行光刻工艺时，容易对阴极层造成损害，进而造成黑点等显示不良。另一种方法是利用高精度掩膜版并通过蒸镀工艺形成辅助阴极。该方法虽然无需通过光刻工艺，就可令辅助阴极只形成在像素界定层对应的区域，但是该方法中使用的高精度掩膜版的成本较高，且使用几次后就会报废，进一步提高了生产成本。因此，本申请提供一种制作辅助阴极的方法，无需通过上述光刻工艺或精细掩膜版，就可只在像素界定层对应的区域形成辅助阴极，简化制作工艺、提高产品良率、降低生产成本等。
在本公开的一个方面，本公开提出了一种制作有机发光显示面板的方法。根据本公开的实施例，通过在阴极层表面形成感光活性层，与发光层对应的区域中的感光活性层具有疏水性，与像素界定层对应的区域中的感光活性层具有亲水性，进而可以容易地只在亲水性感光活性层的表面沉积金属，即只在像素界定层对应的区域形成辅助阴极，简化了生产工艺，提高了产品良率，降低了生产成本，且制作的有机发光显示面板的亮度均匀性较好，功耗较低，性能良好。
根据本公开的实施例，参考图1，该方法包括：
S100：提供衬底，在衬底上形成发光层以及阴极层
在该步骤S100中，提供衬底，衬底上具有被像素界定层界定出的多个子像素区，并在衬底的与像素界定层的同一侧形成：填充在子像素区内部的第一电极层(阳极层)、覆盖所述阳极层的发光层、以及覆盖所发光层以及像素界定层的第二电极层(阴极层)。
本公开的实施例，参考图2中的(a)，衬底100上具有像素界定层110，像素界定层110在衬底100上限定出多个子像素区120(图中示出的仅为一个)。具体的，衬底100可以是玻璃基板，例如衬底可以包括多层结构，例如，形成在基板上的多层薄膜晶体管(TFT)、电容等结构，并且还可以包括设置在多层薄膜晶体管(TFT)等结构的上方的平坦化层，例如，衬底100 可以包括玻璃基板，以及依次设置在玻璃基板一侧的缓冲层(Buffer)、有源层(p-Si)、栅极绝缘层(GI)、栅极(Gate)、层间绝缘层(ILD)、源漏极(SD)以及平坦化层(PLN)，例如该衬底还可以包括两个栅极，即可以包括依次设置的第一栅极绝缘层(GI
1)、第一栅极(Gate
1)、有源层(p-Si)、第二栅极绝缘层(GI2)、第二栅极(Gate2)等。
根据本公开的实施例，参考图2中的(a)，在衬底100的与像素界定层110的同一侧依次形成有阳极层150以及发光层130，且阳极层150以及发光层130形成在子像素区120内。具体的，发光层130是由发光材料形成的，形成在多个子像素区120中的发光材料的颜色可以不同，例如可以分别为红色发光材料、绿色发光材料以及蓝色发光材料等。具体的，发光层130也可以是由同一种发光材料形成的，例如白光发光材料形成的，与由彩色滤光片构成的滤色基板一起使用实现彩色显示。具体的，可以通过喷墨打印的方法简便地形成发光层。
根据本公开的实施例，参考图2中的(a)，在发光层130以及像素界定层110远离衬底100的一侧形成一整层阴极层140。在顶发射AMOLED中，为了保持较高的顶发射透光率，阴极层140的厚度较薄，且光透过率较好。具体的，阴极层140可以是由透明的氧化铟锡、氧化铟锌等材料形成的。如前所述，采用透明度较高的氧化铟锡、氧化铟锌等材料制作阴极层时，阴极层的电阻较大，会产生较大的电压降，而且随着显示面板尺寸的增加，阴极层的电压降显著，从而导致显示的亮度不均匀。因此，需要通过设置辅助阴极的方式增加电导率。
S200：形成感光活性层
在该步骤S200中，在阴极层140远离衬底100的一侧形成感光活性层200，该感光活性层200的亲疏水性可在光照条件下发生改变。根据本公开的实施例，参考图2中的(b)，在阴极层140远离衬底100的一侧形成感光活性层200，具体的，可以在阴极层140远离衬底100的一侧蒸镀一层感光活性材料，以便形成感光活性层200。
根据本公开的实施例，感光活性层的材料的具体种类不受特别限制，其可以是透明的感光活性材料，也可以是不透明的感光活性材料，只要感光活性层的材料能在光照条件下发生亲疏水性的变化即可。具体的，光照条件 可以为紫外光照射，也可以为可见光照射。由此，可以简便地通过可见光或紫外光照射来实现感光活性层的亲疏水性的变化。随着该感光活性层的材料的亲疏水性的变化，形成的感光活性层的表面能也在变化，感光活性层为亲水性时，和金属等物质的附着力较强。感光活性层为疏水性时，失去了附着作用，即其他物质较难附着在疏水性的感光活性层的表面，因而，后续在沉积金属形成辅助阴极时，金属只沉积在具有亲水性的感光活性层的表面。具体的，参考图3，感光活性层的材料可以是各种各样的透明感光活性材料。可以根据工艺要求，采用各种透明感光活性材料用于制作本公开的有机发光显示面板。在一个实施例中，感光活性材料可以具有式Ⅰ所示出的结构，具有该结构的化合物在紫外光照射下可发生闭环反应，变为亲水性，而在可见光照射下可发生开环反应，变为疏水性，因此，该方法可以简便地只在像素界定层对应的区域形成辅助阴极，提高了产品良率，降低了生产成本。并且，具有上述结构的化合物中含有较多的氟基，极性较大，后续通过第一构图工艺形成开口时，显影液不会对该感光活性层造成损害，并且该透明材料形成的感光活性层不会影响发光层的透光率，进一步提高了所制作的有机发光显示面板的性能。
感光活性层由透明的感光活性材料形成时，不会影响顶发射的透光率；当感光活性层由不透明的感光活性材料形成时，也可以通过后续的刻蚀处理，去除与子像素区中的感光活性层。根据本公开的实施例，形成的感光活性层的厚度可以为1nm-1μm，例如可以为10nm，可以为50nm，可以为100nm，可以为200nm，可以为500nm等。感光活性层200的厚度在上述范围时，具有良好的性能。
S300：进行亲水光照处理，并通过第一构图工艺形成多个开口
在该步骤S300中，对整个感光活性层200进行亲水光照处理，并通过第一构图工艺，在感光活性层中形成阵列排布的多个开口，多个开口在衬底上的正投影位于像素界定层区域内。根据本公开的实施例，先对感光活性层200进行亲水光照处理，例如进行紫外光照处理，使感光活性层具有亲水性，此时感光活性层的附着力较强，便于后续通过第一构图工艺在感光活性层中形成多个开口210A、210B。根据本公开的实施例，参考图2中的(c)，开口210A和开口210B在衬底100上的正投影位于像素界定层110区域内。 根据本公开的实施例，参考图4，步骤S300中的第一构图工艺进一步包括：
S310：形成第一掩膜
在该步骤S310中，在感光活性层远离阴极层的一侧形成具有掩膜开口的第一掩膜。根据本公开的实施例，参考图5中的(e)，在感光活性层200远离阴极层140的一侧形成具有掩膜开口11的第一掩膜10。掩膜开口11在衬底100上的正投影位于像素界定层110区域内。具体的，掩膜开口11的大小不受特别限制，只要不超过像素界定层11对应的区域即可。具体的，可以在感光活性层200远离阴极层140的一侧涂布光刻胶，然后进行曝光显影，形成第一掩膜10。如前所述，在形成第一掩膜之前，预先对整个感光活性层进行了亲水光照处理，因而其具有亲水性，附着力较强，第一掩膜可以和该感光活性层较好地结合。
S320：进行刻蚀处理
在该步骤S320中，利用第一掩膜对感光活性层进行刻蚀处理，以便形成多个贯穿感光活性层的开口。根据本公开的实施例，参考图5中的(f)，利用第一掩膜10对感光活性层200进行刻蚀处理，形成贯穿感光活性层200的多个开口210。具体的，可以对感光活性层进行干法刻蚀处理或者湿法刻蚀处理，以形成开口210。如前所述，在进行第一构图工艺之前，预先对感光活性层200进行了亲水光照处理，使其具有亲水性，因而，该感光活性层200和第一掩膜10的结合力较强，因此可以利用第一掩膜10对感光活性层200进行湿法刻蚀处理。具体的，在进行干法刻蚀处理时，可以在惰性气体氛围中进行，以避免空气中的氧气等对开口210处的阴极层140造成伤害。
S320：去除第一掩膜
在该步骤S320中，去除第一掩膜。根据本公开的实施例，可以采用显影液对由光刻胶形成的第一掩膜进行显影处理，使光刻胶溶解去除。如前所述，形成根据本公开实施例的感光活性层的感光活性材料极性较大，因而显影液在去除第一掩膜的时候不会对该感光活性层造成损害。具体的，参考图5中的(c)，去除第一掩膜后，形成多个开口210。
由此，上述方法可以简便地在感光活性层中形成多个开口，其用于后续形成的辅助阴极和阴极层的电连接。
S400：进行疏水光照处理
在该步骤S400中，对具有多个开口的感光活性层中的除了预定区域之外的区域进行疏水光照处理，其中，预定区域在衬底上的正投影覆盖开口在衬底上的正投影，且位于像素界定层区域内，即预定区域可以为开口周边的区域，且预定区域在衬底上的正投影不超过像素界定层区域。根据本公开的实施例，疏水光照处理可以为可见光照射，经过疏水光照处理的感光活性层部分由之前的亲水性变为了疏水性，因而变为疏水性的感光活性层部分失去了附着作用，即疏水性的感光活性层表面的附着力差，其他物质不易附着在其表面，因而在后续沉积金属形成辅助阴极时，辅助阴极只形成在亲水性的感光活性层(亲水性的感光活性层具有附着力)的表面。根据本公开的实施例，参考图6，疏水光照处理S400可以进一步包括：
S410：形成第二掩膜
在该步骤S410中，在感光活性层中的预定区域形成第二掩膜。根据本公开的实施例，参考图7中的(g)，在感光活性层200中的预定区域中形成第二掩膜20，预定区域在衬底100上的正投影不小于开口在衬底100上的正投影，且预定区域(即第二掩膜20)在衬底100上的正投影不超过像素界定层110在衬底100上的正投影。具体的，预定区域在衬底上的正投影的宽度(参考图7(g)中所示出的宽度L)可以不大于26μm，例如可以不大于25μm，可以不大于23μm，可以不大于为20-26μm等。由此，预定区域的尺寸在上述范围时，可以保证后续形成的辅助阴极只位于与像素界定层对应的区域中，进一步提高了所制备的有机发光显示面板的性能。需要说明的是，该预定区域即为在后续制备工艺中，沉积形成辅助阴极的区域。如前所述，为了避免辅助阴极形成在与子像素区对应的区域中时对发光层的出光造成影响，辅助阴极仅设置在像素界定层所在的区域。预定区域在衬底上的正投影的宽度不大于26μm，进而最终形成的辅助阴极的宽度不大于26μm。具体参考图7中的(g)、(h)以及(i)所示出的，预定区域在图中所示出的截面方向上的宽度可以不大于26μm。由此，可以保证后续制备工艺中形成的辅助阴极只位于与像素界定层对应的区域。具体的，可以在感光活性层200远离阴极层140的一侧涂布光刻胶，然后进行曝光显影，形成第二掩膜20。
S420：对设置了第二掩膜的感光活性层进行疏水光照处理
在该步骤S420中，对设置了第二掩膜的感光活性层进行疏水光照处理。 根据本公开的实施例，参考图7中的(h)，第二掩膜20可以对预定区域进行遮蔽保护，因而在对设置了第二掩膜的感光活性层进行疏水光照处理后，只有未设置第二掩膜20的区域的感光活性层变为了疏水性，参考图7(h)中所示出的疏水性的感光活性层部分230，而设置了第二掩膜20的感光活性层区域仍为亲水性，参考图7(h)中所示出的亲水性的感光活性层部分220。由此，通过对第二掩膜20的形状以及位置进行设计，可以简便地控制感光活性层200上的亲疏水区域的位置以及大小，进而可以控制后续沉积金属形成的辅助阴极的区域和大小(辅助阴极只沉积在亲水性的感光活性层部分220)。
S430：去除第二掩膜
在该步骤S430中，去除预定区域中的第二掩膜。根据本公开的实施例，可以采用显影液对光刻胶形成的第二掩膜进行显影处理，使光刻胶溶解去除。具体的，参考图7中的(i)，去除第二掩膜后，感光活性层包括亲水性的感光活性层部分220和疏水性的感光活性层部分230。
由此，该方法可以简便地令感光活性层的除了预定区域之外的部分变为疏水性，失去粘附作用，后续沉积金属形成辅助阴极时，辅助阴极层只形成在预定区域中的亲水性感光活性层的表面。
S500：沉积金属，形成辅助阴极
在该步骤S500中，在感光活性层的远离阴极层的一侧沉积金属，以形成辅助阴极。根据本公开的实施例，参考图2中的(d)，在感光活性层200远离阴极层140的一侧沉积金属，金属形成在感光活性层200的经过亲水光照处理处(即图中的亲水性的感光活性层部分220)的部分以形成辅助阴极300，辅助阴极300和阴极层140通过开口相连。由此，该方法可以简便地只在像素界定层对应的区域形成辅助阴极300，且辅助阴极300可以较好地和阴极层140电连接，降低有机发光显示面板的电压降以及功耗，提高显示亮度的均匀性。
根据本公开的一些实施例，如前所述，感光活性层由透明的感光活性材料形成时，在前面步骤中形成辅助阴极后，无需将剩余的感光活性层去除，该透明的感光活性材料不影响制作的有机发光显示面板的顶发射透光率，制备工艺较为简单。
根据本公开的另一些实施例，感光活性层是由不透明的感光活性材料形成时，在前面步骤中形成辅助阴极之后，参考图8，该方法进一步包括：
S600：去除子像素区中的感光活性层
在该步骤中，去除子像素区中的感光活性层。根据本公开的实施例，在该步骤中，可以只去除子像素区中的感光活性层，也可以利用辅助阴极作为“掩膜”，去除除了设置阴极层和该阴极层上方的辅助阴极之间的感光活性层之外的所有感光活性层，只要保证子像素区(发光层)中的感光活性层被去除即可。由此，可以避免不透明的感光活性层影响顶发射OLED的透光率，并且剩余的不透明感光活性层具有遮光作用，可以作为黑矩阵，甚至可以取代现有的设置在有机发光面板最外侧的偏光片，可提高发光层的出光效率，同时可以改善色域。需要说明的是，现有的有机发光显示面板，为了减轻显示面板表面反射光的干扰以及显示面板对比度较差等问题，通常在有机发光显示面板的最外侧(即朝向外界的一侧)设置偏光片，以阻隔外界光的反射，确保屏幕保持较高的对比度等。但是，该偏光片通常是设置在整个有机发光显示面板上的，也即是说，子像素区域的发光层表面也有偏光片，因而该偏光片会对发光层的出光效率造成影响，而根据本公开实施例的有机发光显示面板，设置在像素界定层对应区域的不透明感光活性层，可以充当黑矩阵，即可以减轻外界光的反射，改善色域，因而无需在有机发光显示面板的最外侧设置偏光片，既节约了生产升本，又避免了发光层的出光损失，提高了出光效率，并且还能改善色域。
综上可知，该方法通过在阴极层表面形成感光活性层，并令发光层对应区域的感光活性层具有疏水性，令像素界定层对应区域的感光活性层具有亲水性，进而可以简便地只在亲水性感光活性层的表面沉积金属，形成辅助阴极，简化了生产工艺，避免了制作辅助阴极的过程中对阴极层的损害，且生产成本较低，制作的有机发光显示面板的亮度均匀性较好，功耗较低，使用性能良好。
在本公开的另一方面，本公开提出了一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板是通过前面所述的方法制备的。由此，该有机发光显示面板具有前面所述的制作有机发光显示面板的方法所制作的有机发光显示面板所具有的全部特征以及优点。该有机发光显示面板的各个位置亮度较为均匀， 且功耗较低，性能良好。
根据本公开的实施例，参考图9，该有机发光显示面板1000包括：衬底100、感光活性层400以及辅助阴极300，其中，衬底100上具有被像素界定层110界定出的多个子像素区120，衬底100的与像素界定层110的同一侧依次设置有填充在子像素区120的阳极层150和覆盖该阳极层150的发光层130，以及阴极层140，阴极层140覆盖发光层130以及像素界定层110。感光活性层400设置在阴极层140远离衬底100的一侧，感光活性层400是由感光活性材料形成的，感光活性层400的预定区域中具有阵列排布的多个开口，多个开口在衬底100上的正投影位于像素界定层110在衬底100上的正投影内，辅助阴极300设置在辅助阴极界定400远离衬底100的一侧，辅助阴极300在衬底100上的正投影位于像素界定层110在衬底100上的正投影内，且辅助阴极300和阴极层140通过开口相连。
所述辅助阴极300仅位于所述感光活性层400的预定区域中。从图11的有机发光显示面板的俯视图中看，辅助阴极300成多行、多列的网格状布置。通过辅助阴极的网格状布置，降低了从OLED面板的侧边向中间的方向上的过大电压降，使屏幕各个位置亮度均匀，主要应用于中大尺寸的显示屏上。
在一个实施例中，从有机发光显示面板的俯视图中看，辅助阴极300也可以是多行或多列布置，或者辅助阴极300也可以是点阵布置。
根据本公开的一些实施例，参考图9，感光活性层400可以由透明的感光活性材料形成，感光活性层400覆盖整个阴极层140，且感光活性层400在像素界定层110对应的部分具有开口。由此，该透明的感光活性材料不影响制作的有机发光显示面板的顶发射透光率，制备工艺较为简单。
根据本公开的另一些实施例，感光活性层400可以由不透明的感光活性材料形成，参考图10，感光活性层400在衬底100上的正投影位于像素界定层110在衬底100上的正投影内。所述感光活性层400在所述衬底100上的正投影与子像素区在所述衬底100的正投影不重叠。由此，该不透明的感光活性层400具有遮光作用，可以作为黑矩阵，甚至可以取代现有的偏光片，提高发光层的出光效率，改善色域。
在本公开的另一方面，本公开提出了一种显示装置。根据本公开的实 施例所述显示装置包括前面所述的有机发光显示面板。由此，该有机发光显示面板显示装置具有前面所述的有机发光显示面板所具有的全部特征以及优点。总的来说，该显示装置的显示亮度均匀，显示性能良好，且功耗较低。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。
Claims (20)
- 一种制作有机发光显示面板的方法，包括：在衬底上形成像素界定层，所述像素界定层界定出多个子像素区；在所述子像素区内部形成第一电极层和发光层；在所述像素界定层和所述发光层的远离所述衬底的一侧形成第二电极层，所述第二电极层覆盖所述发光层和所述像素界定层；在所述第二电极层远离所述衬底的一侧形成感光活性层，所述感光活性层的亲疏水性可在光照条件下改变；对所述感光活性层进行亲水光照处理；在所述感光活性层中形成开口，所述开口在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底上的正投影内；对所述感光活性层中除了预定区域之外的部分进行疏水光照处理，所述预定区域在所述衬底上的正投影覆盖所述开口在所述衬底上的正投影，且位于所述像素界定层在所述衬底上的正投影内；在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成辅助阴极，使得所述辅助阴极和所述第二电极层通过所述开口相连。
- 根据权利要求1所述的方法，其中，对所述感光活性层进行亲水光照处理，包括：利用紫外光对整个感光活性层进行亲水光照。
- 根据权利要求1或2所述的方法，其中，对所述感光活性层中除了预定区域之外的部分进行疏水光照处理，包括：在所述预定区域中、在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成第二掩膜；利用所述第二掩膜作为遮挡，利用可见光对所述感光活性层进行疏水光照；去除所述预定区域中的第二掩膜。
- 根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述感光活性层的材料在紫外光照射下具有亲水性，在可见光照射下具有疏水性。
- 根据权利要求4所述的方法，其中所述感光活性层由透明的感光活性材料形成。
- 根据权利要求5所述的方法，其中，所述透明的感光活性材料包括具有式Ⅰ结构的化合物：
- 根据权利要求4所述的方法，其中，所述感光活性层由不透明的感光活性材料形成。
- 根据权利要求7所述的方法，在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成辅助阴极之后，所述方法进一步包括：去除所述子像素区中的感光活性层。
- 根据权利要去1至8中任一项所述的方法，其中，在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成辅助阴极，包括：在所述感光活性层远离所述衬底的一侧沉积金属，使得金属沉积在所述预定区域中形成辅助阴极。
- 根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，在所述感光活性层中形成开口，包括：在所述感光活性层远离所述衬底的一侧形成具有掩膜开口的第一掩膜，所述掩膜开口在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底的 正投影内；利用所述第一掩膜对所述感光活性层进行刻蚀处理，以便形成贯穿所述感光活性层的多个开口；去除所述感光活性层上的第一掩膜。
- 根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述预定区域在衬底上的正投影的宽度不大于26μm。
- 根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述第一电极层是阳极；并且所述第二电极层是阴极。
- 一种有机发光显示面板，包括：衬底；像素界定层，其位于所述衬底上并且界定出多个子像素区；第一电极层，位于所述子像素区内部；发光层，其位于所述子像素区内部并且覆盖所述第一电极层；第二电极层，其位于所述像素界定层和所述发光层的远离所述衬底的一侧，并且覆盖所述发光层和所述像素界定层；感光活性层，其位于所述第二电极层远离所述衬底的一侧，所述感光活性层的亲疏水性可在光照条件下改变，所述感光活性层具有开口，所述开口在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底上的正投影内；辅助阴极，其位于所述感光活性层远离所述衬底的一侧，使得所述辅助阴极和所述第二电极层通过所述开口相连。
- 根据权利要求13所述的有机发光显示面板，其中所述辅助阴极在所述衬底上的正投影覆盖所述开口在所述衬底上的正投影，且位于所述像素界定层在所述衬底上的正投影内。
- 根据权利要求14所述的有机发光显示面板，其中所述辅助阴极以多行、多列的网格状布置。
- 根据权利要求13至15中任一项所述的有机发光显示面板，其中所述感光活性层的材料在紫外光照射下具有亲水性，在可见光照射下具有疏水性。
- 根据权利要求16所述的有机发光显示面板，其中，所述感光活性层是由透明的感光活性材料形成的，所述感光活性层覆盖整个第二电极层。
- 根据权利要求16所述的有机发光显示面板，其中，所述感光活性层是由不透明的感光活性材料形成的，所述感光活性层在所述衬底上的正投影与子像素区在所述衬底的正投影不重叠。
- 根据权利要求13至18中任一项所述的有机发光显示面板，其中，所述第一电极层是阳极；并且所述第二电极层是阴极。
- 一种显示装置，包括权利要求13至19中任一项所述的有机发光显示面板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910234364.9 | 2019-03-26 | ||
| CN201910234364.9A CN109817694B (zh) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2020192313A1 true WO2020192313A1 (zh) | 2020-10-01 |
Family
ID=66610417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2020/075818 WO2020192313A1 (zh) | 2019-03-26 | 2020-02-19 | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109817694B (zh) |
| WO (1) | WO2020192313A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114883512A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-08-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10270033B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-04-23 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
| KR20230117645A (ko) | 2017-04-26 | 2023-08-08 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을포함하는 장치 |
| CN110832660B (zh) | 2017-05-17 | 2023-07-28 | Oti照明公司 | 在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置 |
| US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
| WO2019215591A1 (en) | 2018-05-07 | 2019-11-14 | Oti Lumionics Inc. | Method for providing an auxiliary electrode and device including an auxiliary electrode |
| KR20210149058A (ko) | 2019-03-07 | 2021-12-08 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 핵생성 억제 코팅물 형성용 재료 및 이를 포함하는 디바이스 |
| CN109817694B (zh) * | 2019-03-26 | 2021-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 |
| CN114097102B (zh) | 2019-06-26 | 2023-11-03 | Oti照明公司 | 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备 |
| US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
| CN114342068A (zh) | 2019-08-09 | 2022-04-12 | Oti照明公司 | 包含辅助电极和分区的光电子装置 |
| CN110534662B (zh) * | 2019-09-04 | 2022-03-22 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性屏体及其制备方法、显示装置 |
| CN111458977A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-07-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种光刻胶及其制备的显示面板 |
| KR20230116914A (ko) | 2020-12-07 | 2023-08-04 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 핵 생성 억제 코팅 및 하부 금속 코팅을 사용한 전도성 증착 층의 패턴화 |
| CN114706249B (zh) * | 2022-06-07 | 2022-09-20 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8959761B2 (en) * | 2011-02-08 | 2015-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing polymer electrode and polymer actuator employing the polymer electrode |
| CN106229425A (zh) * | 2016-09-09 | 2016-12-14 | 广州新视界光电科技有限公司 | 一种顶发射全彩有机发光显示器件及制备方法 |
| CN106696501A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-05-24 | 纳晶科技股份有限公司 | 表面改性掩模板、其制作方法、电致发光器件的制作方法 |
| CN108878688A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光二极管及其制备方法、显示装置 |
| CN109817694A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102656795B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
| KR102611794B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2023-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
| CN107331690A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-11-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机电致发光显示基板及有机电致发光显示装置 |
-
2019
- 2019-03-26 CN CN201910234364.9A patent/CN109817694B/zh active Active
-
2020
- 2020-02-19 WO PCT/CN2020/075818 patent/WO2020192313A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8959761B2 (en) * | 2011-02-08 | 2015-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing polymer electrode and polymer actuator employing the polymer electrode |
| CN106696501A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-05-24 | 纳晶科技股份有限公司 | 表面改性掩模板、其制作方法、电致发光器件的制作方法 |
| CN106229425A (zh) * | 2016-09-09 | 2016-12-14 | 广州新视界光电科技有限公司 | 一种顶发射全彩有机发光显示器件及制备方法 |
| CN108878688A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光二极管及其制备方法、显示装置 |
| CN109817694A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114883512A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-08-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109817694A (zh) | 2019-05-28 |
| CN109817694B (zh) | 2021-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2020192313A1 (zh) | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 | |
| US9064822B2 (en) | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
| US9722005B2 (en) | Light-emitting device, array substrate, display device and manufacturing method of light-emitting device | |
| WO2022042059A1 (zh) | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| KR101161443B1 (ko) | 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| WO2020047978A1 (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| WO2020233284A1 (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| WO2020224010A1 (zh) | Oled 显示面板及其制备方法 | |
| WO2020172953A1 (zh) | Oled显示装置及其制作方法 | |
| US11594701B2 (en) | Electroluminescent display device and method of manufacturing the same | |
| JP2008108482A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP5063294B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| US20130057142A1 (en) | Organic luminescent device and method for manufacturing the same | |
| US20230032598A1 (en) | Display panel, display apparatus, and manufacturing method for display panel | |
| KR20100131074A (ko) | 상부 발광방식 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 | |
| CN109037277B (zh) | 一种oled显示面板的制备方法及oled显示面板、显示装置 | |
| CN111223876A (zh) | 显示面板及显示面板的制备方法 | |
| KR20100000405A (ko) | 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
| CN112349854A (zh) | 显示器件及其制备方法和显示面板 | |
| KR20080003079A (ko) | 유기발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN114023797B (zh) | 一种显示面板及显示面板制作方法 | |
| WO2022052011A1 (zh) | 显示基板、显示装置及高精度金属掩模板 | |
| US11011591B2 (en) | Organic light emitting diode display panel and method for fabricating same | |
| JP4263474B2 (ja) | 表示装置用素子基板の製造方法及び転写体 | |
| WO2020118841A1 (zh) | Oled显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 20777108 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 20777108 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |