CN111223876A - 显示面板及显示面板的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本揭示提供一种显示面板及显示面板的制备方法，在制备所述显示面板时，采用半色调掩膜板刻蚀工艺对显示面板的钝化层及光阻进行刻蚀，刻蚀完成后，在形成的各发光子像素区相对应位置处的所述钝化层的厚度不相同。这样，有效的调节各发光子像素区的发光效率以及光波波普位置的变化，提高面板画面的显示质量。

Description

显示面板及显示面板的制备方法
技术领域
本揭示涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。
背景技术
有机电致发光显示器件(Organic Light-Emitting Device，OLED)相对于液晶显示装置具有自发光、反应快、轻薄等优点，已成为显示领域的新兴技术。
OLED器件中包括顶发光型OLED器件和底发光型OLED器件，对于现有的顶发光OLED器件而言，器件腔体的厚度以及内部各色阻的厚度对发光率有较大的影响，由于器件内部的红色色阻、蓝色色阻以及绿色色阻的厚度不同，并且，在器件内部各色阻对应的光色器件腔长也不同，由于存在着微腔效应的影响，光波在通过各色阻层及其腔体时，各子像素的发光效率及波普的位置均会受到影响，尤其是出光波普的位置精度影响较大，进而导致器件的发光效率降低，影响显示面板屏幕的显示效果。
综上所述，现有的顶发光型OLED器件存在着发光效率不理性，并且器件内部不能准确对光波的波长进行控制，进而降低了显示面板的显示效果，不利于面板综合性能的提高。
发明内容
本揭示提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以解决现有的顶发光型OLED器件的发光率低，并且发光效果不理性，以及显示面板屏幕显示效果不理性的问题。
为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：
根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种显示面板，包括：
衬底；
薄膜晶体管器件层，所述薄膜晶体管器件层设置在所述衬底上；
金属层，所述金属层设置在所述薄膜晶体管器件层上；
钝化层，所述钝化层设置在所述薄膜晶体管器件层上，并覆盖所述金属层；
像素电极，所述像素电极设置在所述钝化层上；以及
第一过孔，其中所述像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管器件层中薄膜晶体管的源极电连接，且各所述钝化层与所述金属层相对应位置处的所述钝化层的厚度不相同。
根据本揭示一实施例，所述显示面板还包括第二过孔，所述像素电极通过所述第二过孔与所述金属层相连接。
根据本揭示一实施例，所述薄膜晶体管器件层还包括半导体层，所述源极通过第三过孔与所述半导体层连接，所述源极还通过第四过孔与所述衬底相连接。
根据本揭示一实施例，所述显示面板还包括第三过孔和第四过孔，所述源极通过所述第三过孔与所述半导体层连接，所述源极还通过所述第四过孔与所述衬底相连接。
根据本揭示一实施例，所述薄膜晶体管器件层的所述源极、漏极与所述金属层设置在同一膜层上，且所述源极和所述漏极由所述金属层图案化形成。
根据本揭示一实施例，所述显示面板包括顶发光型显示面板。
根据本揭示实施例的第二方面，本揭示还提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：
S 100：提供一衬底，在所述衬底上沉积一层金属并图形化所述层金属以形成第一遮光层；
S101：依次沉积薄膜晶体管器件层的各膜层，并对所述薄膜晶体管的半导体层进行导体化处理；
S102：在所述薄膜晶体管器件层上沉积金属层，对所述金属层图案化，对所述金属层图案化，使所述金属层对应的区域形成多个子像素区，并在所述薄膜晶体管器件层上开孔；
S103：沉积钝化层，并对所述钝化层蚀刻，其中，所述钝化层经蚀刻后，各所述子像素区对应区域内的所述钝化层的厚度不相同；
S104：在所述钝化层上设置像素电极；
S105：在所述像素电极上设置像素定义层并进行蒸镀。
根据本揭示一实施例，所述步骤S103中，所述钝化层经过至少两次蚀刻工艺处理。
根据本揭示一实施例，所述蚀刻处理工艺包括半色调掩膜板工艺。
根据本揭示一实施例，所述半导体层包括氧化铟镓锌。
综上所述，本揭示实施例的有益效果为：
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，在制备所述显示面板时，采用半色调掩膜板刻蚀工艺对显示面板的钝化层以及光阻进行刻蚀，刻蚀完成后，形成的各发光子像素区相对应位置处的所述钝化层的厚度各不相同。这样，可有效的调节各发光子像素区的发光效率以及光波波普位置的变化，提高面板画面的显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的显示面板的结构示意图；
图2为本揭示实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图3为本揭示实施例中显示面板的制备方法流程示意图；
图4为本揭示实施例中薄膜晶体管制程示意图；
图5为本揭示实施例中显示面板制备流程示意图；
图6为本揭示实施例中半色调掩膜板蚀刻工艺示意图。
具体实施方式
下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。
在本揭示的实施例中，如图1所示，图1为现有的显示面板的结构示意图。所述显示面板的结构一般包括衬底100、间隔层101、阳极层102、OLED层103以及阴极层104。显示面板工作时，OLED层103发出的光线一部分会直接发射到外界，另一部分光线会经过衬底100内的反射层进一步反射，并被再次反射到外界。现有的显示面板在制造时，为了简化生产工艺，其内部的光色器件，如红色色阻、蓝色色阻或绿色色阻的厚度往往设计成相同的。而对于显示面板内部具体的结构而言，在显示面板整体厚度确定的情况下，为了使发光的效果达到最佳，不同的光色器件对应的色阻层的器件厚度之间也应当存在差别，同时，由于器件内部微腔效应的影响，显示面板的发光效果进一步受到影响。本揭示实施例提供一种显示面板，其内部不同的光色器件对应的膜层厚度不同，面板内部微腔效应对发光性能影响小，同时，本揭示实施例的面板中的光波波普的位置精度高，面板具有较佳的显示质量。
具体的，如图2所示，图2为本揭示实施例提供的一种显示面板的结构示意图。所述显示面板包括多个发光区域，以及位于每个发光区域之间的非发光区域22。多个发光区域包括多个子像素区，如第一子像素区23、第二子像素区21等多个子像素区。所述显示面板还包括基板200以及缓冲层201。缓冲层201设置在基板200上，同时，在基板100上还设置有第一遮光层214，缓冲层201覆盖所述第一遮光层214。基板200可包括玻璃基板，基板200与缓冲层201可共同构成显示面板的衬底。
同时，本揭示实施例提供的显示面板还包括薄膜晶体管器件层，薄膜晶体管器件层设置在所述衬底上，其包括多晶硅层211、绝缘层212、栅极213、漏极209以及源极210以及层间介质层203。多晶硅层211设置在缓冲层201上，绝缘层212设置在多晶硅层211上，栅极213设置在绝缘层212上，薄膜晶体管的漏极209、源极210设置在层间介质层203上。
同时，在薄膜晶体管的层间介质层203内还设置有半导体层215。半导体层215设置在缓冲层201上，半导体层215与多晶硅层211设置在同一膜层上，半导体层215可包括氧化铟镓锌材料，其中，半导体层215与第一遮光层214形成第一电容结构，以保证面板内部各器件的正常工作。
在制备薄膜晶体管的多晶硅层211时，将绝缘层212与栅极213相对应位置处的半导体层导体化制程，使其形成所述多晶硅层211。
进一步的，显示面板还包括钝化层204、金属层208以及像素电极层207，钝化层204设置在薄膜晶体管器件层上，金属层208设置在薄膜晶体管器件层上，像素电极层207设置在钝化层204上。同时，金属层208对应的设置在显示面板的发光区域内，如对应的设置在第一子像素区23、第二子像素区21。并且钝化层204覆盖所述金属层208，并且，在设置金属层208和薄膜晶体管的漏极209以及源极210时，将其设置在同一层膜层上。
并且，在源极210和漏极209相对应的薄膜晶体管的层间介质层203位置处蚀刻第三过孔，使源极210通过所述过孔与多晶硅层211相连接，进一步的，在层间介质层203和缓冲层201上刻蚀第四过孔，使源极210通过第四过孔与衬底上的第一遮光层214相电连接。
具体的，在本揭示实施例中，各子像素区域相对应的钝化层201的厚度不相同。即金属层208与像素电极207之间的距离H不相同。如在第一子像素区23内，像素电极207与金属层208之间的距离为H1，在第二子像素区21内，像素电极207与金属层208之间的距离为H2，进一步的在第三个子像素区内，像素电极207与金属层208之间的距离为H3，H1、H2、H3的值不完全相同，金属层208可直接与像素电极207接触。这样，可根据各子像素区域不同色阻的发光特性，根据实际情况来设计发光区域内的金属层208像素电极207之间的钝化层的厚度H的大小值，以保证不同的OLED发光像素的器件腔长度的控制，提高不同发光像素的发光效率，从而提高显示面板的显示质量。
在蚀刻不同厚度的钝化层时，采用半色调掩膜板工艺进行刻蚀。
同时，显示面板还包括第一过孔25，第一过孔25设置在薄膜晶体管的源极210对应的膜层上。像素电极207通过所述第一过孔25与所述源极210相连接。
显示面板还包括像素定义层206，像素定义层206设置在像素电极207上，在像素定义层206相对应的各发光区域上进行蚀刻，以便设置红色色阻、蓝色色阻或绿色色阻。
本揭示实施例还提供一种显示面板的制备方法，如图3所示，图3为本揭示实施例中显示面板的制备方法流程示意图。其包括如下步骤：
S100：提供一衬底，在所述衬底上沉积一层金属并图形化所述层金属以形成第一遮光层。
在本揭示实施例中，同时结合图2中显示面板的各膜层结构，在步骤S100中主要制备显示面板的衬底，第一遮光层可将OLED器件发出的光学再次反射，以提高出光率，同时，第一遮光层还与薄膜晶体管内的半导体层形成电容结构。
S101：依次沉积薄膜晶体管器件层的各膜层，并对所述薄膜晶体管的半导体层进行导体化处理。
S102：在所述薄膜晶体管器件层上对应的发光区域内沉积金属层，对所述金属层图案化，所述金属层对应的区域形成多个子像素区，并在所述薄膜晶体管器件层上开孔。
薄膜晶体管的各膜层结构制备完成后，同时对薄膜晶体管内的半导体层进行导体化，并对沉积的金属层图案化，金属层包括高反射型金属材料，这样，金属层可进一步起到遮光层的作用。具体的，如图4所示，图4为本揭示实施例中薄膜晶体管制程示意图。图案化后分别形成金属层208以及漏极209、源极210，同时，源极210通过过孔与第一遮光层214和多晶硅层211相连接。
S103：沉积钝化层，并对所述钝化层蚀刻，其中，所述钝化层经蚀刻后，所述子像素区对应区域内的所述钝化层的厚度不相同。
如图5所示，图5为本揭示实施例中显示面板制备流程示意图。在步骤S102的基础上，沉积钝化层205，沉积完成后，对钝化层205进行刻蚀，同时，在钝化层205对应的发光区域内进行蚀刻，使其形成第一子像素区23、第二子像素区21、第三子像素区以及其他发光子像素区。本揭示实施例中，各子像素区内，钝化层205与金属层208之间的距离H不相同，从而实现了钝化层205与金属层208之间不同的厚度。
具体的，在蚀刻所述钝化层205时，采用半色调掩膜板工艺进行蚀刻。如图6所示，图6为本揭示实施例中半色调掩膜板蚀刻工艺示意图。在掩膜板600上，在其开口区域上设置不同透光率的半透射区域，如第一半透射区601和第二半透色区602，通过半透射区对光的透过率的大小来设定对应区域内膜层刻蚀的深浅度。第一半透射区601与第二半透射区602对光的透过率不同，本揭示实施例中，第一半透射区602对光的透过率大于第二半透射区602对光的透过率，在蚀刻时，第一半透射区601对应的刻蚀膜层中，刻蚀深度要大于第二半透射区602对应的膜层蚀刻的深度，通过这一方式，达到在钝化层205上形成不同厚度膜层的目的，并最终实现对显示面板内子像素区对应的腔长的大小进行调控的目的。不同颜色的子像素区内的色阻相对应的半透色区内的光透率不同，根据不同的光透率来蚀刻不同厚度的钝化层，以提高各子像素区的发光效率。
在钝化层205蚀刻时，为了保证蚀刻效果，至少经过两次蚀刻工艺，保证对应区域内钝化层的厚度，有效的提高各发光子像素区内钝化层205的蚀刻精度。
S104：在所述钝化层上设置像素电极；
S105：在所述像素电极上设置像素定义层并进行蒸镀。
最后，在钝化层上设置像素电极，并在像素电极上设置像素定义层以及各色阻层，像素定义层的材料包括常规的非疏水性材料和疏水性材料，在蒸镀时，对应的发光材料分别为蒸镀型有机材料和有机发光墨水，最后，进行封装，形成本揭示实施例提供的显示面板。
以上对本揭示实施例所提供的一种显示面板及显示面板的制备方法进行了详细介绍，以上实施例的说明只是用于帮助理解本揭示的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括多个发光区域和至少一个位于所述发光区域之间的非发光区域；
所述显示面板包括：
衬底；
薄膜晶体管器件层，所述薄膜晶体管器件层设置在所述衬底上；
金属层，所述金属层设置在所述薄膜晶体管器件层上；
钝化层，所述钝化层设置在所述薄膜晶体管器件层上，并覆盖所述金属层；
像素电极，所述像素电极设置在所述钝化层上；以及
第一过孔，其中所述像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管器件层中薄膜晶体管的源极电连接，且各所述发光区域内对应的所述钝化层的厚度不相同。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二过孔，所述像素电极通过所述第二过孔与所述金属层相连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述衬底包括：
基板；
第一遮光层，所述第一遮光层设置在所述基板上；以及
缓冲层，所述缓冲层设置在所述基板上；
其中，所述半导体层与所述第一遮光层形成第一电容。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第三过孔和第四过孔，所述薄膜晶体管器件层还包括半导体层，所述源极通过所述第三过孔与所述半导体层连接，所述源极还通过所述第四过孔与所述衬底相连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管器件层的所述源极、漏极与所述金属层设置在同一膜层上，且所述源极和所述漏极由所述金属层图案化形成。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括顶发光型显示面板。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S 100：提供一衬底，在所述衬底上沉积一层金属并图形化所述层金属以形成第一遮光层；
S 101：依次沉积薄膜晶体管器件层的各膜层，并对所述薄膜晶体管的半导体层进行导体化处理；
S 102：在所述薄膜晶体管器件层上对应的发光区域内沉积金属层，对所述金属层图案化，使所述金属层对应的区域形成多个子像素区，并在所述薄膜晶体管器件层上开孔；
S 103：沉积钝化层，并对所述钝化层蚀刻，其中，所述钝化层经蚀刻后，各所述子像素区对应区域内的所述钝化层的厚度不相同；
S 104：在所述钝化层上设置像素电极；
S 105：在所述像素电极上设置像素定义层并进行蒸镀。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S103中，所述钝化层经过至少两次蚀刻工艺处理。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述蚀刻处理工艺包括半色调掩膜板工艺。
10.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述半导体层包括氧化铟镓锌。
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